WO2009119324A1 - 異方性導電フィルム、並びに、接合体及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

　回路部材に対する接着強度を向上して、高い導通信頼性を得ることができる異方性導電フィルム、並びに、接合体及びその製造方法の提供。 　第１の回路部材と、前記第１の回路部材と対向する面に窒素原子を含有する膜が形成された第２の回路部材とを電気的に接続する異方性導電フィルムであって、前記第１の回路部材側に配置される第１の層と、前記第２の回路部材側に配置される第２の層とを備え、前記第１の層が、カチオン系硬化剤及び第１の熱硬化性樹脂を含有し、前記第２の層が、ラジカル系硬化剤及び第２の熱硬化性樹脂を含有し、前記第１及び第２の層の少なくともいずれかが、導電性粒子を含有し、前記第１及び第２の層の最大発熱ピーク温度の差が２０°C以内であることを特徴とする異方性導電フィルム。

Description

異方性導電フィルム、並びに、接合体及びその製造方法
　本発明は、異方性導電フィルム、並びに、接合体及びその製造方法に関し、特に、ＩＣチップ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）における液晶パネル（ＬＣＤパネル）などの回路部材を電気的かつ機械的に接続可能な異方性導電フィルム、並びに、該異方性導電フィルムを備える接合体及びその製造方法に関する。
　従来より、回路部材を接続する手段として、導電性粒子が分散された熱硬化性樹脂を剥離フィルムに塗布したテープ状の接続材料（例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ；Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ））が用いられている。
　この異方性導電フィルムは、例えば、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）やＩＣチップの端子と、ＬＣＤパネルのガラス基板上に形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）電極とを接続する場合を始めとして、種々の端子同士を接着すると共に電気的に接続する場合に用いられている。
　前記異方性導電フィルムとして、カチオン系硬化剤及びエポキシ樹脂を含むカチオン硬化系異方性導電フィルムが実用化されており、低温硬化性や、被着体の反りの低減を実現している。
　しかしながら、スルホニウム塩等のカチオン系硬化剤は、硬化活性が高いため、微量な不純物等によっても硬化反応が阻害され易く、硬化不良等が発生するという問題があった。
　特に、ＩＣチップの裏面に形成されたポリイミドからなるパシベーション膜による硬化不良が多発している。これは、カチオン硬化系異方性導電フィルムを介して、ＩＣチップを接続する際、ＩＣチップにカチオン硬化系異方性導電フィルムが貼り付けられ、硬化反応が開始されると、発生したカチオン種（Ｈ＋）がパシベーション膜のポリイミド原料より失活させられることによるものである。発生したカチオン種（Ｈ＋）がパシベーション膜のポリイミド原料より失活させられる理由としては、カチオン種（Ｈ＋）が、ポリイミド中の窒素（Ｎ）原子と反応して、トラップされる（Ｒ３Ｎ→Ｒ３Ｎ＋Ｈの反応が起こり、アンモニウム塩が生成される）ためと考えられる。
　さらに、ポリイミドとＣｕ泊を接着剤で貼り合せたＴＡＢを用いて接続する場合においても、前記接着剤がポリアミドからなるため、硬化阻害を引き起こすという問題があった。
　また、前記異方性導電フィルムとして、ラジカル系硬化剤（有機過酸化物）及びアクリル樹脂を含むラジカル硬化系異方性導電フィルムがＰＷＢ側の接続で多く実用化されており、低温硬化性を実現している。しかしながら、ラジカル硬化系異方性導電フィルムは、硬化中に水酸基を生成しないため、極性を有する被着体との相互作用が弱められて、接着強度が弱くなり、硬化不良等が発生するという問題があった。特に、ラジカル硬化系異方性導電フィルムは、ＬＣＤパネル側ガラス面に対して密着力が悪く、界面剥離を起こしやすいという問題があった。そのため、ラジカル硬化系異方性導電フィルムは、ＬＣＤパネル側接続には不向きで実績も乏しかった。
　また、異方性導電フィルムの材料として一般的に用いられるゴム系材料は、硬化阻害を引き起こし易く、硬化後の応力緩和剤として使用が制限され、また、弾性率及びＴｇが高くなりやすく、硬化後の基材歪みを引き起こし易いという問題があった。
　また、ラジカル系硬化剤（低温硬化）とイミダゾール硬化剤（高温硬化）とを混合させた２元硬化系の異方性導電フィルム（例えば、特許文献１）が提案されている。しかしながら、硬化機構の異なる成分を混合して作製した異方性導電フィルムは、硬化時に層分離を起こすため、内部クラックを起こし易く、接続信頼性に劣っていた。また、硬化を２段階で行う必要があり、短時間接続には不向きであった。
　また、ラジカル系硬化剤とカチオン系硬化剤とを混合させた２元硬化系の異方性導電フィルム（例えば、特許文献２）や、バインダー中に熱硬化性組成物と光硬化性組成物とを含有する異方性導電フィルム（例えば、特許文献３）や、光カチオン系硬化剤を含む層と、光ラジカル系硬化剤を含む層とを有する２層構造の異方性導電フィルム（例えば、特許文献４）が提案されているが、これらは、いずれも、ＩＣチップの裏面に形成されたポリイミドからなるパシベーション膜による硬化不良を改善するものではなかった。よって、ポリイミドからなるパシベーション膜による硬化不良が発生しない異方性導電フィルムの開発が望まれている。
　また、近年のＬＣＤ、ＰＤＰ、有機ＥＬなどの表示装置部材は、電気伝導性などの観点からＩＴＯ等の下地にＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉなどの金属配線を積層して用いられることが多く、異方性導電フィルムを光硬化により硬化して、回路部材を接続することが困難になっている。
特開２００７－２６２４１２号公報 特開２００６－１２７７７６号公報 特開２００５－２３５９５６号公報 国際公開００／０８４１９３号パンフレット
　本発明は、従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、回路部材に対する接着強度を向上して、高い導通信頼性を得ることができる異方性導電フィルム、並びに、接合体及びその製造方法を提供することを目的とする。
　前記課題を解決する手段としては、以下の通りである。即ち、
　＜１＞　第１の回路部材と、前記第１の回路部材と対向する面に窒素原子を含有する膜が形成された第２の回路部材とを電気的に接続する異方性導電フィルムであって、前記第１の回路部材側に配置される第１の層と、前記第２の回路部材側に配置される第２の層とを備え、前記第１の層が、カチオン系硬化剤及び第１の熱硬化性樹脂を含有し、前記第２の層が、ラジカル系硬化剤及び第２の熱硬化性樹脂を含有し、前記第１及び第２の層の少なくともいずれかが、導電性粒子を含有し、前記第１及び第２の層の最大発熱ピーク温度の差が２０℃以内であることを特徴とする異方性導電フィルムである。
　該＜１＞に記載の異方性導電フィルムにおいては、カチオン系硬化剤及び第１の熱硬化性樹脂を含有する第１の層が、第１の回路部材側に配置され、ラジカル系硬化剤及び第２の熱硬化性樹脂を含有する第２の層が、前記第１の回路部材と対向する面に窒素原子を含有する膜が形成された第２の回路部材側に配置され、第１及び第２の層の最大発熱ピーク温度の差が２０℃以内であるので、回路部材に対する接着強度を向上して、高い導通信頼性を得ることができる。
　＜２＞　第１の熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であり、第２の熱硬化性樹脂がアクリル樹脂である前記＜１＞に記載の異方性導電フィルムである。
　＜３＞　カチオン系硬化剤がスルホニウム塩であり、ラジカル系硬化剤が有機過酸化物である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の異方性導電フィルムである。
　＜４＞　導電性粒子が、金属粒子及び金属被覆樹脂粒子のいずれかである前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の異方性導電フィルムである。
　＜５＞　第２の回路部材が光を透過しない材料からなり、かつ第１の回路部材が金属材料を有する前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の異方性導電フィルムである。
　＜６＞　第１の回路部材と、前記第１の回路部材と対向する面に窒素原子を含有する膜が形成された第２の回路部材と、前記第１の回路部材と前記第２の回路部材とを電気的に接続する異方性導電フィルムとを備える接合体であって、前記異方性導電フィルムが、前記第１の回路部材側に配置された第１の層と、前記第２の回路部材側に配置された第２の層とを備え、前記第１の層が、カチオン系硬化剤及び第１の熱硬化性樹脂を含有し、前記第２の層が、ラジカル系硬化剤及び第２の熱硬化性樹脂を含有し、前記第１及び第２の層の少なくともいずれかが、導電性粒子を含有し、前記第１及び第２の層の最大発熱ピーク温度の差が２０℃以内であることを特徴とする接合体である。
　該＜６＞に記載の接合体においては、カチオン系硬化剤及び第１の熱硬化性樹脂を含有する第１の層が、第１の回路部材側に配置され、ラジカル系硬化剤及び第２の熱硬化性樹脂を含有する第２の層が、前記第１の回路部材と対向する面に窒素原子を含有する膜が形成された第２の回路部材側に配置され、前記第１及び第２の層の最大発熱ピーク温度の差が２０℃以内であるので、回路部材に対する接着強度を向上して、高い導通信頼性を得ることができる。
　＜７＞　前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の異方性導電フィルムを介して、第１及び第２の回路部材を加熱しながら圧着して接合する接合工程を含むことを特徴とする接合体の製造方法である。
　該接合体の製造方法では、接合工程において、前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の異方性導電フィルムを介して、第１及び第２の回路部材が、加熱されながら圧着されて接合される。
　本発明によれば、前記従来における諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、回路部材に対する接着強度を向上して、高い導通信頼性を得ることができる異方性導電フィルム、並びに、接合体及びその製造方法を提供することができる。
　また、本発明によれば、接続後の回路部材の応力を低減することができる。
 
図１は、本発明の接合体を示す概略説明図である。 図２は、本発明の異方性導電フィルムを示す概略説明図である。 図３は、実施例で用いたカチオン硬化系電極接着用シートＣ１～Ｃ４のＤＳＣデータである。 図４は、実施例で用いたラジカル硬化系電極接着用シートＲ１～Ｒ５のＤＳＣデータである。 図５は、実施例で用いたラジカル硬化系電極接着用シートＲ６～Ｒ８のＤＳＣデータである。
（接合体）
　本発明の接合体は、第１の回路部材と、第２の回路部材と、異方性導電フィルムとを有してなり、更に必要に応じて適宜選択した、その他の部材を有してなる。例えば、図1に示すように、接合体１００は、第１の回路部材としてのＬＣＤパネル１０と、第２の回路部材としてのＩＣチップ１１と、異方性導電フィルム１２とを有する。ＩＣチップ１１における端子１１ａと、異方性導電フィルム１２における導電性粒子１２ａと、ＬＣＤパネル１０における端子（不図示）とが導通されることにより、ＬＣＤパネル１０とＩＣチップ１１とが電気的に接続される。
＜第１の回路部材＞
　前記第１の回路部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス製のＬＣＤ基板、ガラス製のＰＤＰ基板、ガラス製の有機ＥＬ基板等が挙げられる。
　また、第１の回路部材は、例えば、アルミニウムからなる金属配線を有する。このように、第１の回路部材がアルミニウム等の光を透過しない材料からなる配線を有すると、異方性導電フィルムに含有される樹脂を光硬化するのが困難となるので、異方性導電フィルムに含有される樹脂を熱硬化性樹脂とすることがより好ましくなる。
＜第２の回路部材＞
　前記第２の回路部材としては、第１の回路部材と対向する面に窒素原子を含有する膜が形成されたものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリイミドを含有するパシベーション膜が形成されたＩＣチップ、Ｓｉ３Ｎ４を含有するパシベーション膜が形成されたＩＣチップ、ＩＣチップを搭載したＴＡＢテープ等が挙げられる。
　また、第２の回路部材は、光を透過しない材料からなることがある。このように、第２の回路部材が光を透過しない材料からなると、異方性導電フィルムに含有される樹脂を光硬化するのが困難となるので、異方性導電フィルムに含有される樹脂を熱硬化性樹脂とすることがより好ましくなる。
＜異方性導電フィルム＞
　前記異方性導電フィルムは、第１の層と、第２の層とを有してなり、更に必要に応じて適宜選択した、その他の層を有してなる。例えば、図２に示すように、導電性フィルム１２は、剥離層（セパレータ）２０と、剥離層（セパレータ）２０上に形成された第２の層としての絶縁層２２と、絶縁層２２上に形成された第１の層としての導電層２１とを有する。
　この導電性フィルム１２は、例えば、導電層２１がＬＣＤパネル１０（図１）側となるように貼り付けられる。その後、剥離層（セパレータ）２０が剥がされ、ＩＣチップ１１（図１）が絶縁層２２側から圧着されて、接合体１００（図１）が形成される。
＜＜第１の層＞＞
　前記第１の層としては、前記第１の回路部材側に配置され、カチオン系硬化剤及び第１の熱硬化性樹脂を含有するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記第１の層は、導電性粒子をさらに含有することが好ましい。
＜＜＜カチオン系硬化剤＞＞＞
　前記カチオン系硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スルホニウム塩、オニウム塩等を挙げることができ、これらの中でも、芳香族スルホニウム塩が好ましい。
＜＜＜第１の熱硬化性樹脂＞＞＞
　前記第１の熱硬化性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂や、それらの変性エポキシ樹脂などの熱硬化性エポキシ樹脂が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
＜＜＜導電性微粒子＞＞＞
　前記導電性粒子としては、特に制限はなく、従来の異方性導電接着剤において用いられているものと同じ構成の粒子径が１～５０μｍφの金属粒子又は金属被覆樹脂粒子を使用することができる。
　前記金属粒子としては、ニッケル、コバルト、銅等が挙げられる。それらの表面酸化を防ぐ目的で、表面に金、パラジウムを施した粒子を用いてもよい。更に、表面に金属突起や有機物で絶縁皮膜を施したものを用いてもよい。
　前記金属被覆樹脂粒子としては、ニッケル、コバルト、銅等の１種以上でメッキを施した真球状の粒子が挙げられる。同様に、最外表面に金、パラジウムを施した粒子を用いてもよい。更に、表面に金属突起や有機物で絶縁皮膜を施したものを用いてもよい。
＜＜第２の層＞＞
　前記第２の層としては、前記第２の回路部材側に配置され、ラジカル系硬化剤及び第２の熱硬化性樹脂を含有するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記第２の層は、導電性粒子をさらに含有していてもよい。
＜＜＜ラジカル系硬化剤＞＞＞
　前記ラジカル系硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機過酸化物を挙げることができる。
＜＜＜第２の熱硬化性樹脂＞＞＞
　前記第２の熱硬化性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、２－ヒドロキシ－１，３－ジアクリロキシプロパン、２，２－ビス[４－（アクリロキシメトキシ）フェニル]プロパン、２，２－ビス[４－（アクリロキシエトキシ）フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレートなどのアクリル樹脂が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　また、前記アクリレートをメタクリレートにしたものが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
＜＜第１の層と第２の層との最大発熱ピーク温度の差＞＞
　前記第１の層と第２の層との最大発熱ピーク温度の差は、２０℃以内である。近年では、ＬＣＤパネルの製造量も増え、タクトタイム短縮による１０秒以下での接続が行われている。短時間で熱をかけて接続をおこなう場合、前記第１の層及び前記第２の層の反応速度が異なると、どちらかの層が先に硬化してしまい回路部材を十分に押し込むことができなくなる。
＜＜その他の層＞＞
　前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、剥離層を挙げることができる。
　前記剥離層としては、その形状、構造、大きさ、厚み、材料（材質）などについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、剥離性の良好なものや耐熱性が高いものが好ましく、例えば、シリコーン等の剥離剤が塗布された透明な剥離ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）シートなどが好適に挙げられる。また、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）シートを用いてもよい。
＜その他の部材＞
　前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
（接合体の製造方法）
　本発明の接合体の製造方法は、接合工程を少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。
＜接合工程＞
　前記接合工程は、本発明の異方性導電フィルムを介して、第１及び第２の回路部材を加熱しながら圧着して接合する工程である。
　前記加熱は、トータル熱量により決定され、接続時間１０秒以下で接合を完了する場合は、加熱温度１２０℃～２２０℃で行われる。
　前記圧着は、第２回路部材の種類によって異なり、ＴＡＢテープの場合は圧力２～６ＭＰａ、ＩＣチップの場合は圧力２０～１２０ＭＰａで、それぞれ３～１０秒間行われる。
　なお、接合を超音波と熱によって行ってもよい。
＜その他の工程＞
　前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
　以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
（製造例１：カチオン硬化系電極接着用シートＣ１）
　フェノキシ樹脂（品名：ＹＰ－５０、東都化成社製）６０部、エポキシ樹脂（品名：ＥＰ－８２８、ジャパンエポキシレジン社製）３５部、シランカップリング剤（品名：ＫＢＭ－４０３、信越化学工業社製）１部、及び、硬化剤（品名：ＳＩ－６０Ｌ、三新化学社製）４部で構成された接着剤中に、導電性粒子（品名：ＡＵＬ７０４、積水化学工業社製）を粒子密度５０，０００個／ｍｍ２になるように分散させて、厚み２０μｍのカチオン硬化系電極接着用シートＣ１を作製した。
　また、ＤＳＣ測定機（品名：ＥＸＳＴＡＲ６０００、セイコーインスツル社製）を用いて最大発熱ピーク温度を測定した。結果を表１及び図３に示す。ＤＳＣの測定は、窒素気流下、室温から１０℃／ｍｉｎで加熱した条件で行った。
（製造例２：カチオン硬化系電極接着用シートＣ２）
　製造例１において、厚み２０μｍを厚み１０μｍに変えた以外は、製造例１と同様にして、カチオン硬化系電極接着用シートＣ２を作製した。
　また、ＤＳＣ測定機（品名：ＥＸＳＴＡＲ６０００、セイコーインスツル社製）を用いて最大発熱ピーク温度を測定した。結果を表１及び図３に示す。
（製造例３：カチオン硬化系電極接着用シートＣ３）
　製造例２において、導電性粒子（品名：ＡＵＬ７０４、積水化学工業社製）を添加しないこと以外は、製造例２と同様にして、カチオン硬化系電極接着用シートＣ３を作製した。
　また、ＤＳＣ測定機（品名：ＥＸＳＴＡＲ６０００、セイコーインスツル社製）を用いて最大発熱ピーク温度を測定した。結果を表１及び図３に示す。
（製造例４：カチオン硬化系電極接着用シートＣ４）
　製造例２において、硬化剤（品名：ＳＩ－６０Ｌ、三新化学社製）を硬化剤（品名：ＳＩ－８０Ｌ、三新化学社製）に代えた以外は、製造例２と同様にして、カチオン硬化系電極接着用シートＣ４を作製した。
　また、ＤＳＣ測定機（品名：ＥＸＳＴＡＲ６０００、セイコーインスツル社製）を用いて最大発熱ピーク温度を測定した。結果を表１及び図３に示す。
（製造例５：ラジカル硬化系電極接着用シートＲ１）
　フェノキシ樹脂（品名：ＹＰ５０、東都化成社製）６０部、ラジカル重合性樹脂（品名：ＥＢ－６００、ダイセル・サイテック社製）３５部、シランカップリング剤（品名：ＫＢＭ－５０３、信越化学工業社製）１部、及び、硬化剤（品名：パーブチルＯ、日本油脂社製）２部で構成された接着剤中に、導電性粒子（品名：ＡＵＬ７０４、積水化学工業社製）を粒子密度５０，０００個／ｍｍ２になるように分散させて、厚み２０μｍのラジカル硬化系電極接着用シートＲ１を作製した。
　また、ＤＳＣ測定機（品名：ＥＸＳＴＡＲ６０００、セイコーインスツル社製）を用いて最大発熱ピーク温度を測定した。結果を表１及び図４に示す。
（製造例６：ラジカル硬化系電極接着用シートＲ２）
　製造例５において、厚み２０μｍを厚み１０μｍに変えた以外は、製造例５と同様にして、ラジカル硬化系電極接着用シートＲ２を作製した。
　また、ＤＳＣ測定機（品名：ＥＸＳＴＡＲ６０００、セイコーインスツル社製）を用いて最大発熱ピーク温度を測定した。結果を表１及び図４に示す。
（製造例７：ラジカル硬化系電極接着用シートＲ３）
　製造例６において、導電性粒子（品名：ＡＵＬ７０４、積水化学工業社製）を添加しないこと以外は、製造例６と同様にして、ラジカル硬化系電極接着用シートＲ３を作製した。
　また、ＤＳＣ測定機（品名：ＥＸＳＴＡＲ６０００、セイコーインスツル社製）を用いて最大発熱ピーク温度を測定した。結果を表１及び図４に示す。
（製造例８：ラジカル硬化系電極接着用シートＲ４）
　製造例７において、硬化剤（品名：パーブチルＯ、日本油脂社製）の添加量を２部から０．５部に変えた以外は、製造例７と同様にして、ラジカル硬化系電極接着用シートＲ４を作製した。
　また、ＤＳＣ測定機（品名：ＥＸＳＴＡＲ６０００、セイコーインスツル社製）を用いて最大発熱ピーク温度を測定した。結果を表１及び図４に示す。
（製造例９：ラジカル硬化系電極接着用シートＲ５）
　製造例７において、硬化剤（品名：パーブチルＯ、日本油脂社製）の添加量を２部から６部に変えた以外は、製造例７と同様にして、ラジカル硬化系電極接着用シートＲ５を作製した。
　また、ＤＳＣ測定機（品名：ＥＸＳＴＡＲ６０００、セイコーインスツル社製）を用いて最大発熱ピーク温度を測定した。結果を表１及び図４に示す。
（製造例１０：ラジカル硬化系電極接着用シートＲ６）
　製造例７において、硬化剤（品名：パーブチルＯ、日本油脂社製）を硬化剤（品名：パーロイルＬ、日本油脂社製）に代えた以外は、製造例７と同様にして、ラジカル硬化系電極接着用シートＲ６を作製した。
　また、ＤＳＣ測定機（品名：ＥＸＳＴＡＲ６０００、セイコーインスツル社製）を用いて最大発熱ピーク温度を測定した。結果を表１及び図５に示す。
（製造例１１：ラジカル硬化系電極接着用シートＲ７及びＲ７－２）
　製造例７において、硬化剤（品名：パーブチルＯ、日本油脂社製）を硬化剤（品名：パーブチルＥ、日本油脂社製）に代えた以外は、製造例７と同様にして、ラジカル硬化系電極接着用シートＲ７を作製した。
　さらに、製造例７において、硬化剤（品名：パーブチルＯ、日本油脂社製）２部を硬化剤（品名：パーブチルＥ、日本油脂社製）０．５部に代えた以外は、製造例７と同様にして、ラジカル硬化系電極接着用シートＲ７－２を作製した。
　また、ＤＳＣ測定機（品名：ＥＸＳＴＡＲ６０００、セイコーインスツル社製）を用いて最大発熱ピーク温度を測定した。結果を表１及び図５に示す。
（製造例１２：ラジカル硬化系電極接着用シートＲ８）
　製造例７において、硬化剤（品名：パーブチルＯ、日本油脂社製）を硬化剤（品名：パークミルＤ、日本油脂社製）に代えた以外は、製造例７と同様にして、ラジカル硬化系電極接着用シートＲ８を作製した。
　また、ＤＳＣ測定機（品名：ＥＸＳＴＡＲ６０００、セイコーインスツル社製）を用いて最大発熱ピーク温度を測定した。結果を表１及び図５に示す。
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（製造例１３：光カチオン硬化系電極接着用シートＵ１）
　フェノキシ樹脂（品名：ＹＰ－５０、東都化成社製）６０部、エポキシ樹脂（品名：ＥＰ－８２８、ジャパンエポキシレジン社製）３５部、シランカップリング剤（品名：ＫＢＭ－４０３、信越化学工業社製）１部、及び、光硬化剤（品名：サイラキュアＵＶＩ－６９９０、ユニオンカーバイド社製）２部で構成された接着剤中に、導電性粒子（品名：ＡＵＬ７０４、積水化学工業社製）を粒子密度５０，０００個／ｍｍ２になるように分散させて、厚み２０μｍの光カチオン硬化系電極接着用シートＵ１を作製した。
（製造例１４：光カチオン硬化系電極接着用シートＵ２）
　製造例１３において、厚み２０μｍを厚み１０μｍに変えた以外は、製造例１３と同様にして、光カチオン硬化系電極接着用シートＵ２を作製した。
（比較例１）
　製造例１で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ１を介して、ＩＣチップＡ（寸法：１．８ｍｍ×２０．０ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍｔ、金バンプサイズ：３０μｍ×８５μｍ、バンプ高さ：１５μｍｔ、ピッチ：５０μｍ）と、ＩＣチップＡのパターンに対応したアルミパターンガラス基板（コーニング社製、１７３７Ｆ、サイズ、５０ｍｍ×３０ｍｍ×０．５ｍｍ）との接続を行い、接合体Ｃ１－Ａを作製した。なお、ＩＣチップＡのパシベーション膜としては、Ｓｉ３Ｎ４が使用されている。ここで、ＩＣチップＡとアルミパターンガラス基板との接続は、１９０℃、８０ＭＰａ、５秒間でＩＣチップＡを押し込むことにより行った。
　さらに、製造例１で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ１を介して、ＩＣチップＢ（寸法：１．８ｍｍ×２０．０ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍｔ、金バンプサイズ：３０μｍ×８５μｍ、バンプ高さ：１５μｍｔ、ピッチ：５０μｍ）と、ＩＣチップＢのパターンに対応したアルミパターンガラス基板（コーニング社製、１７３７Ｆ、サイズ、５０ｍｍ×３０ｍｍ×０．５ｍｍ）との接続を行い、接合体Ｃ１－Ｂを作製した。なお、ＩＣチップＢのパシベーション膜としては、ポリイミドが使用されている。ここで、ＩＣチップＢとアルミパターンガラス基板との接続は、１９０℃、８０ＭＰａ、５秒間でＩＣチップＢを押し込むことにより行った。
＜接続抵抗の測定＞
　作製した接合体Ｃ１－Ａ及びＣ１－Ｂについて、テスターを用いて接続抵抗（初期の接続抵抗及び環境試験（８５℃／８５％／５００ｈｒ）後の接続抵抗）の測定を行った。接合体Ｃ１－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｃ１－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
＜接着強度の測定＞
　作製した接合体Ｃ１－Ａ及びＣ１－Ｂについて、ダイシェア測定機（品名：Ｄａｇｅ２４００、デイジ社製）を用いて初期接着強度の測定を行った。接合体Ｃ１－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｃ１－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
＜断面解析＞
　作製した接合体Ｃ１－Ａ及びＣ１－Ｂについて、環境試験（８５℃／８５％／５００ｈｒ）後に、断面研磨して接続状態を確認した。接合体Ｃ１－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｃ１－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
（比較例２）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を製造例５で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ１に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｒ１－Ａ及びＲ１－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｒ１－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｒ１－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
（比較例３）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ１に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ１－Ａ及びＤ１－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ１－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ１－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ１は、表３に示すように、製造例１２で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ８と、製造例２で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ２との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ８が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側にカチオン硬化系電極接着用シートＣ２が貼り付けられており、最大発熱ピーク温度の差が３１℃である。
（実施例１）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ２に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ２－Ａ及びＤ２－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ２－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ２－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ２は、表３に示すように、製造例１１で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ７と、製造例２で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ２との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ７が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側にカチオン硬化系電極接着用シートＣ２が貼り付けられており、最大発熱ピーク温度の差が１９℃である。
（実施例２）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ３に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ３－Ａ及びＤ３－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ３－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ３－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ３は、表３に示すように、製造例７で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ３と、製造例２で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ２との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ３が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側にカチオン硬化系電極接着用シートＣ２が貼り付けられており、最大発熱ピーク温度の差が４℃である。
（実施例３）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ４に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ４－Ａ及びＤ４－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ４－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ４－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ４は、表３に示すように、製造例１１で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ７と、製造例４で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ４との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ７が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側にカチオン硬化系電極接着用シートＣ４が貼り付けられており、最大発熱ピーク温度の差が５℃である。
（実施例４）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ５に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ５－Ａ及びＤ５－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ５－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ５－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ５は、表３に示すように、製造例７で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ３と、製造例４で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ４との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ３が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側にカチオン硬化系電極接着用シートＣ４が貼り付けられており、最大発熱ピーク温度の差が２０℃である。
（比較例４）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ６に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ６－Ａ及びＤ６－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ６－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ６－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ６は、表３に示すように、製造例１０で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ６と、製造例４で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ４との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ６が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側にカチオン硬化系電極接着用シートＣ４が貼り付けられており、最大発熱ピーク温度の差が３２℃である。
（比較例５）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ７に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ７－Ａ及びＤ７－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ７－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ７－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ７は、表３に示すように、製造例１１で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ７－２と、製造例２で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ２との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ７－２が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側にカチオン硬化系電極接着用シートＣ２が貼り付けられており、最大発熱ピーク温度の差が２５℃である。
（実施例５）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ８に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ８－Ａ及びＤ８－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ８－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ８－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ８は、表３に示すように、製造例８で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ４と、製造例２で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ２との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ４が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側にカチオン硬化系電極接着用シートＣ２が貼り付けられており、最大発熱ピーク温度の差が９℃である。
（実施例６）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ９に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ９－Ａ及びＤ９－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ９－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ９－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ９は、表３に示すように、製造例８で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ４と、製造例４で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ４との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ４が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側にカチオン硬化系電極接着用シートＣ４が貼り付けられており、最大発熱ピーク温度の差が１５℃である。
（比較例６）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ１０に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ１０－Ａ及びＤ１０－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ１０－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ１０－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ１０は、表３に示すように、製造例９で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ５と、製造例４で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ４との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ５が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側にカチオン硬化系電極接着用シートＣ４が貼り付けられており、最大発熱ピーク温度の差が２７℃である。
（実施例７）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ１１に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ１１－Ａ及びＤ１１－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ１１－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ１１－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ１１は、表３に示すように、製造例６で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ２と、製造例２で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ２との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ２が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側にカチオン硬化系電極接着用シートＣ２が貼り付けられており、最大発熱ピーク温度の差が４℃である。また、ＩＣチップ側及びアルミパターンガラス基板側のいずれのシート（ラジカル硬化系電極接着用シートＲ２及びカチオン硬化系電極接着用シートＣ２）にも導電性粒子が含有されている。
（実施例８）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ１２に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ１２－Ａ及びＤ１２－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ１２－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ１２－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ１２は、表３に示すように、製造例６で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ２と、製造例３で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ３との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ２が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側にカチオン硬化系電極接着用シートＣ３が貼り付けられており、最大発熱ピーク温度の差が４℃である。また、ＩＣチップ側のシート（ラジカル硬化系電極接着用シートＲ２）に導電性粒子が含有されている。
（比較例７）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ１３に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ１３－Ａ及びＤ１３－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ１３－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ１３－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ１３は、表３に示すように、製造例７で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ２と、製造例２で作製したカチオン硬化系電極接着用シートＣ３との２層構造からなり、ＩＣチップ側にカチオン硬化系電極接着用シートＣ３が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ２が貼り付けられており（逆貼り）、最大発熱ピーク温度の差が４℃である。
（比較例８）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を製造例１３で作製した光カチオン硬化系電極接着用シートＵ１に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｕ１－Ａ及びＵ１－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｕ１－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｕ１－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
（比較例９）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ１４に代え、ＩＣチップとアルミパターンガラス基板との接続を「１９０℃、８０ＭＰａ、５秒ＩＣチップを押し込むこと」から「１３０℃、８０ＭＰａ、３秒でＩＣチップを押し込んだ後、アルミパターンガラス基板側から紫外線（メタルハライドランプ、光量３，０００ｍＪ／ｃｍ２）を２０秒間照射すること」に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ１４－Ａ及びＤ１４－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ１４－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ１４－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ１４は、表３に示すように、製造例７で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ３と、製造例１４で作製した光カチオン硬化系電極接着用シートＵ２との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ３が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側に光カチオン硬化系電極接着用シートＵ２が貼り付けられている。
（比較例１０）
　比較例１において、カチオン硬化系電極接着用シートＣ１を２層構造の電極接着用シートＤ１５に代え、ＩＣチップとアルミパターンガラス基板との接続を「１９０℃、８０ＭＰａ、５秒ＩＣチップを押し込むこと」から「１３０℃、８０ＭＰａ、３秒でＩＣチップを押し込んだ後、アルミパターンガラス基板側から紫外線（メタルハライドランプ、光量３，０００ｍＪ／ｃｍ２）を２０秒間照射すること」に代えた以外は、比較例１と同様にして、接合体Ｄ１５－Ａ及びＤ１５－Ｂを作製し、接続抵抗の測定、接着強度の測定、及び断面解析を行った。接合体Ｄ１５－Ａの結果を表２における「Ａ　ｔｙｐｅ」の欄に示し、接合体Ｄ１５－Ｂの結果を表２における「Ｂ　ｔｙｐｅ」の欄に示す。
　なお、２層構造の電極接着用シートＤ１５は、表３に示すように、製造例１２で作製したラジカル硬化系電極接着用シートＲ８と、製造例１４で作製した光カチオン硬化系電極接着用シートＵ２との２層構造からなり、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートＲ８が貼り付けられ、アルミパターンガラス基板側に光カチオン硬化系電極接着用シートＵ２が貼り付けられている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表２より、実施例１～８では、ＩＣチップ側にラジカル硬化系電極接着用シートが配置され、アルミパターンガラス基板側にカチオン硬化系電極接着用シートが配置され、カチオン硬化系電極接着用シートとラジカル硬化系電極接着用シートとの最大発熱ピーク温度の差が２０℃以内であるので、ＩＣチップ及びアルミパターンガラス基板に対する接着強度を向上して、高い導通信頼性を得ることができることが判った。
　また、表２より、比較例１では、異方性導電フィルムが、カチオン硬化系電極接着用シートの１層構造であるので、ＩＣチップＢ（ポリイミドからなるパシベーション膜）に対する接続強度を維持することができずに、剥離が生じてしまうことが判った。
　また、表２より、比較例２では、異方性導電フィルムが、ラジカル硬化系電極接着用シートの１層構造であるので、アルミパターンガラス基板（特に、アルミパターン以外のガラス面）に対する接続強度を維持することができずに、剥離が生じてしまうことが判った。
　また、表２より、比較例４及び６では、ＤＳＣ測定におけるカチオン硬化系電極接着用シートとラジカル硬化系電極接着用シートとの最大発熱ピーク温度の差が２０℃を超えるので、ＩＣチップを押し込む前に、ＩＣチップ側に配置された樹脂が硬化してしまい、導電性粒子が端子に接しておらず、高い導通信頼性を得ることができないことが判った。また、比較例３及び５では、ＤＳＣ測定におけるカチオン硬化系電極接着用シートとラジカル硬化系電極接着用シートとの最大発熱ピーク温度の差が２０℃を超え、アルミパターンガラス基板側に配置された樹脂は十分硬化したが、ＩＣチップ側に配置された樹脂は未硬化で十分な凝集力を得ることができず、また導電性粒子が端子に接していないため、高い導通信頼性を得ることができなかった。そこで、圧着温度を２０℃上げて（２１０℃で）接合を試みたが、アルミパターンガラス基板側に配置された樹脂がＩＣチップを押し込む前に硬化してしまい、良好な導通信頼性を得ることはできなかった。
　また、表２より、比較例７では、ＩＣチップ側にカチオン硬化系電極接着用シートが配置され、アルミパターンガラス基板側にラジカル硬化系電極接着用シートが配置されているので、アルミパターンガラス基板に対する接続強度及びＩＣチップＢ（ポリイミドからなるパシベーション膜）に対する接続強度を維持することができずに、剥離が生じてしまうことが判った。
　また、表２より、比較例８～１０では、異方性導電フィルムが、光硬化系であるので、
導電性粒子が十分に潰れておらず、導電性粒子の周りに隙間が生じてしまい、高い導通信頼性を得ることができないことが判った。これは、異方性導電フィルムにおける樹脂の硬化が十分でなかったためと考えられる。
 
 
 

Claims (7)

  1. 　第１の回路部材と、前記第１の回路部材と対向する面に窒素原子を含有する膜が形成された第２の回路部材とを電気的に接続する異方性導電フィルムであって、
    　前記第１の回路部材側に配置される第１の層と、前記第２の回路部材側に配置される第２の層とを備え、
    　前記第１の層が、カチオン系硬化剤及び第１の熱硬化性樹脂を含有し、
    　前記第２の層が、ラジカル系硬化剤及び第２の熱硬化性樹脂を含有し、
    　前記第１及び第２の層の少なくともいずれかが、導電性粒子を含有し、
    　前記第１及び第２の層の最大発熱ピーク温度の差が２０℃以内であることを特徴とする異方性導電フィルム。
  2. 　第１の熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であり、第２の熱硬化性樹脂がアクリル樹脂である請求の範囲第１項に記載の異方性導電フィルム。
  3. 　カチオン系硬化剤がスルホニウム塩であり、ラジカル系硬化剤が有機過酸化物である請求の範囲第１項から第２項のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
  4. 　導電性粒子が、金属粒子及び金属被覆樹脂粒子のいずれかである請求の範囲第１項から第３項のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
  5. 　第２の回路部材が光を透過しない材料からなり、かつ第１の回路部材が金属材料を有する請求の範囲第１項から第４項のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
  6. 　第１の回路部材と、前記第１の回路部材と対向する面に窒素原子を含有する膜が形成された第２の回路部材と、前記第１の回路部材と前記第２の回路部材とを電気的に接続する異方性導電フィルムとを備える接合体であって、
    　前記異方性導電フィルムが、前記第１の回路部材側に配置された第１の層と、前記第２の回路部材側に配置された第２の層とを備え、
    　前記第１の層が、カチオン系硬化剤及び第１の熱硬化性樹脂を含有し、
    　前記第２の層が、ラジカル系硬化剤及び第２の熱硬化性樹脂を含有し、
    　前記第１及び第２の層の少なくともいずれかが、導電性粒子を含有し、
    　前記第１及び第２の層の最大発熱ピーク温度の差が２０℃以内であることを特徴とする接合体。
  7. 　請求の範囲第１項から第５項のいずれかに記載の異方性導電フィルムを介して、第１及び第２の回路部材を加熱しながら圧着して接合する接合工程を含むことを特徴とする接合体の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011077979A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 株式会社スリーボンド 異方導電性接着剤
CN103834318A (zh) * 2012-11-19 2014-06-04 迪睿合电子材料有限公司 各向异性导电膜、连接方法及接合体

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4897778B2 (ja) 2008-11-20 2012-03-14 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 接続フィルム、並びに、接合体及びその製造方法
WO2011062149A1 (ja) * 2009-11-17 2011-05-26 日立化成工業株式会社 回路接続材料、それを用いた接続構造体及び仮圧着方法
JP5833809B2 (ja) * 2010-02-01 2015-12-16 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、接合体及び接続方法
JP5402804B2 (ja) * 2010-04-12 2014-01-29 デクセリアルズ株式会社 発光装置の製造方法
JP5558184B2 (ja) * 2010-04-20 2014-07-23 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、接合体及び接続方法
JP5614135B2 (ja) 2010-07-06 2014-10-29 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤、その製造方法、接続構造体及びその製造方法
KR101332436B1 (ko) * 2010-12-06 2013-11-22 제일모직주식회사 이방 전도성 필름
JP5690637B2 (ja) * 2011-04-12 2015-03-25 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、接続方法及び接続構造体
KR101381118B1 (ko) * 2011-11-04 2014-04-04 제일모직주식회사 이방 전도성 접착 필름용 조성물 및 이를 이용한 이방 전도성 접착 필름
JP2013105636A (ja) * 2011-11-14 2013-05-30 Dexerials Corp 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体
KR101479658B1 (ko) * 2011-11-18 2015-01-06 제일모직 주식회사 가압착 공정성이 개선된 이방성 도전 필름
KR101355855B1 (ko) * 2011-12-19 2014-01-29 제일모직주식회사 이방성 도전 필름
KR101375298B1 (ko) * 2011-12-20 2014-03-19 제일모직주식회사 전도성 미립자 및 이를 포함하는 이방 전도성 필름
JP6056700B2 (ja) * 2012-08-03 2017-01-11 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP6002518B2 (ja) * 2012-09-21 2016-10-05 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体
JP6044261B2 (ja) * 2012-10-22 2016-12-14 日立化成株式会社 異方導電性接着剤組成物
JP6180159B2 (ja) 2013-04-04 2017-08-16 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体
JP6307308B2 (ja) * 2014-03-06 2018-04-04 デクセリアルズ株式会社 接続構造体の製造方法、及び回路接続材料
JP6661969B2 (ja) * 2014-10-28 2020-03-11 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及び接続構造体
JP6510846B2 (ja) * 2015-03-24 2019-05-08 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04118873A (ja) * 1990-09-08 1992-04-20 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 異方導電性回路基材
JPH11251368A (ja) * 1998-03-03 1999-09-17 Nec Corp 樹脂フィルムおよびこれを用いた電子部品の接続方法
JP2001127107A (ja) * 1999-10-22 2001-05-11 Sony Chem Corp 接続材料および接続体
JP2003045515A (ja) * 2001-07-31 2003-02-14 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着剤及びそれを用いた回路接続方法、接続構造体

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0645024A (ja) 1992-07-22 1994-02-18 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電性接着フィルム
JP4214416B2 (ja) 1997-02-27 2009-01-28 セイコーエプソン株式会社 接着方法及び液晶装置の製造方法
JP3587859B2 (ja) * 1997-03-31 2004-11-10 日立化成工業株式会社 回路接続材料並びに回路端子の接続構造及び接続方法
JP3777837B2 (ja) * 1998-11-11 2006-05-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 液晶光変調デバイスの製造方法
JP4469089B2 (ja) 1999-02-08 2010-05-26 日立化成工業株式会社 回路接続用フィルム状異方導電性接着剤、電極の接続構造及び電極の接続方法
JP4644692B2 (ja) 2000-03-07 2011-03-02 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 電極間接続体の製造方法
WO2001071854A1 (en) * 2000-03-23 2001-09-27 Sony Corporation Electrical connection material and electrical connection method
WO2001082363A1 (en) * 2000-04-25 2001-11-01 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive for circuit connection, circuit connection method using the same, and circuit connection structure
JP4282417B2 (ja) * 2003-09-12 2009-06-24 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 接続構造体
US20070175579A1 (en) * 2003-12-04 2007-08-02 Asahi Kasei Emd Corporation Anisotropic conductive adhesive sheet and connecting structure
KR101000455B1 (ko) * 2004-01-15 2010-12-13 삼성전자주식회사 구동 칩 및 이를 갖는 표시장치
JP4492148B2 (ja) 2004-02-18 2010-06-30 日立化成工業株式会社 回路接続方法
DE102005013537A1 (de) * 2004-03-24 2005-10-20 Sharp Kk Fotoelektrischer Wandler und Herstellverfahren für einen solchen
JP4534716B2 (ja) 2004-10-26 2010-09-01 日立化成工業株式会社 回路接続材料並びに回路端子の接続構造体及び接続方法
WO2008133186A1 (ja) 2007-04-19 2008-11-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. 回路接続用接着フィルム、接続構造体及びその製造方法
JP4897778B2 (ja) * 2008-11-20 2012-03-14 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 接続フィルム、並びに、接合体及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04118873A (ja) * 1990-09-08 1992-04-20 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 異方導電性回路基材
JPH11251368A (ja) * 1998-03-03 1999-09-17 Nec Corp 樹脂フィルムおよびこれを用いた電子部品の接続方法
JP2001127107A (ja) * 1999-10-22 2001-05-11 Sony Chem Corp 接続材料および接続体
JP2003045515A (ja) * 2001-07-31 2003-02-14 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着剤及びそれを用いた回路接続方法、接続構造体

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011077979A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 株式会社スリーボンド 異方導電性接着剤
JP2011132304A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Three Bond Co Ltd 異方導電性接着剤
CN102656244A (zh) * 2009-12-22 2012-09-05 株式会社三键 各向异性导电性粘接剂
CN103834318A (zh) * 2012-11-19 2014-06-04 迪睿合电子材料有限公司 各向异性导电膜、连接方法及接合体

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