KR101906025B1 - 이방성 도전 필름 및 접속 방법 및 접합체 - Google Patents

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모리오 세키구치
스스무 구마쿠라
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데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
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Abstract

제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속시키는 이방성 도전 필름이며, 접착층 형성 성분 및 도전성 입자를 함유하는 도전성 입자 함유층을 갖고, 측정 온도 범위가 10℃ 내지 250℃이고, 승온 속도가 10℃/분간인 조건에서 흡열 피크 온도를 측정한 경우에 있어서의 시차 주사 열량 측정에 있어서, 상기 도전성 입자 함유층이 2개의 흡열 피크를 나타내고, 저온측의 흡열 피크 온도를 T2, 고온측의 흡열 피크 온도를 T4라 했을 때, T2가, 30℃ 이상이고, T4-T2가, 0℃보다 크고 80℃ 이하인 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름이다.

Description

이방성 도전 필름 및 접속 방법 및 접합체{ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM, CONNECTION METHOD, AND JOINED BODY}
본 발명은 이방성 도전 필름 및 접속 방법 및 접합체에 관한 것이다.
종래부터 전자 부품끼리를 접속하는 수단으로서, 이방성 도전 필름(ACF; Anisotropic Conductive Film)이 사용되고 있다.
상기 이방성 도전 필름은, 도전성 입자를 함유하는 수지 혼합물을, 이형 필름 위에 도포하고, 건조해서 제작되는 것이다. 전자 부품간의 접속 방법으로서는, 접속하고자 하는 회로의 한쪽에(혹은 접속하고자 하는 회로의 양쪽의 경우도 있다), 상기 이형 필름 위에 형성한 상기 이방성 도전 필름을 싣고, 상기 이형 필름측으로부터, 소정의 온도, 압력을 가하여, 가압착하여, 상기 이형 필름을 박리하고, 다른 한쪽의 회로에 위치 정렬을 한 후, 소정의 온도, 압력, 시간에 따라 본압착함으로써(혹은, 위치 정렬한 후, 소정의 온도, 압력, 시간에 따라 가압착, 그 후 본압착하는 경우도 있다), 회로간의 전기적 접속을 행한다고 하는 것이다.
그런데, 이형 필름을 박리하기 전의 가압착 시 혹은 본압착 전의 가압착 시에 있어서, 전자 부품의 조립 공정의 작업성을 향상시켜서, 신뢰성이 높은 전기적 접속을 가능하게 하기 위해서는, 예를 들어 상기 이방성 도전 필름에 있어서의 도전성 입자 함유층의 점착성이 나쁘면, 상기 이형 필름을 박리할 때, 접속하고자 하는 회로 기판으로부터 상기 도전성 입자 함유층이 박리되어 버리기 때문에, 상기 도전성 입자 함유층이 적당한 점착성을 갖고 있을 필요가 있다. 또한, 예를 들어 상기 이형 필름의 이형성이 지나치게 좋으면 롤 인출 시에 상기 도전성 입자 함유층과 상기 이형 필름이 박리되어 버리는 경우가 있고, 이형성이 나쁘면 가압착 후에 상기 이형 필름을 박리할 때, 상기 도전성 입자 함유층이 상기 이형 필름과 함께 박리되어 버리기 때문에, 상기 도전성 입자 함유층과 상기 이형 필름과는 적당한 이형성과 밀착성을 갖고 있을 필요가 있다.
따라서, 상기 요구를 충족하는 가압착 시의 가고정 성능이 우수한 이방성 도전 필름의 제공이 요망되고 있다. 예를 들어, 열경화성 수지에 액상의 에폭시 수지를 배합함으로써 가부착 특성을 향상시킨 이방성 도전 필름이 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
그러나, 실용면, 작업면에서 만족스러운 것이라고는 할 수 없어, 개량의 여지가 있었다.
또한, 최근, 전자 부품끼리의 접속에는, 저온 및 단시간으로의 접속이 요구되고 있다. 따라서, 전자 부품과의 접속이 저온 및 단시간으로 가능한 비반응형 이방성 도전 필름이 연구되고 있다.
그러나, 비반응형 이방성 도전 필름에 있어서, 가고정성을 향상시키고자, 상술한 열경화성 수지의 이방성 도전 필름에서 사용되고 있는 액상 타입의 물질을 배합시키려고 하면, 내열성이 크게 손상되는 것을 알 수 있었다. 비반응형 이방성 도전 필름에 있어서는 가고정성의 문제가 특히 현저해진다고 하는 문제가 있다.
따라서, 비반응형 이방성 도전 필름에 있어서, 가고정성이 우수한 이방성 도전 필름의 제공이 요망되고 있다.
또한, 지금까지, 이방성 도전 필름은, 땜납 접속에는 부적합한 미세 배선의 접속에 사용되어 왔다. 그러나, 저온 접속이 가능해짐으로써, 비교적 거친 배선의 접속도 행해지게 되었다.
원래 미세 배선용으로 설계된 이방성 도전 필름에서는, 좁은 면적에서 압착하여, 도전성 입자 함유층을 형성하는 결합제가 압궤됨으로써, 해당 도전성 입자 함유층이 단자 영역 밖으로 유동하여, 해당 도전성 입자 함유층의 두께가 도전성 입자의 직경보다 얇아짐으로써, 도전성 입자가 찌부러져서, 도전성을 얻는 설계가 되고 있다. 그러나, 비교적 넓은 면적의 단자 영역을 접속하고자 한 경우, 해당 넓은 면적의 중앙부당 도전성 입자 함유층은, 압착 시에 단자 영역 밖으로 유동하기 전에 경화 반응을 발생시켜서 증점되어 버려, 단자 영역 밖으로 유동되지 않아, 얇아질 수 없다. 그로 인해, 도전성 입자가 충분히 찌부러지지 않아, 양호한 도통을 얻지 못한다는 문제가 있다.
그러한 점에서, 경화 반응을 발생시키지 않는, 비반응형 이방성 도전 필름이면, 경화 반응에 수반하는 증점이 없기 때문에, 상기 문제가 발생하지 않아, 양호한 도통이 얻어진다.
그러나, 비반응형 이방성 도전 필름의 경우, 융점을 갖는 결정 물질을 함유하고 있기 때문에, 점착성이 낮고, 상술한 가고정성에 떨어진다고 하는 문제가 있다.
일본특허공개 평5-154857호 공보
본 발명은, 종래에 있어서의 상기 여러 문제를 해결하여, 이하의 목적을 달성하는 것을 과제로 한다. 즉, 본 발명은, 충분한 접속 저항을 유지하면서, 특히 비교적 넓은 면적에서의 접속에 있어서의 중앙부에서의 양호한 도통을 확보하고, 또한 접속하고자 하는 대상의 기판에 대하여 도전성 입자 함유층이 적당한 점착성을 갖고 있고, 또한 도전성 입자 함유층과 이형 필름은 적당한 이형성과 밀착성을 갖고 있다고 하는 가고정성이 우수한 이방성 도전 필름 및 해당 이방성 도전 필름을 사용한 접속 방법 및 접합체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제의 해결 수단으로서는, 이하와 같다. 즉,
<1> 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속시키는 이방성 도전 필름이며,
접착층 형성 성분 및 도전성 입자를 함유하는 도전성 입자 함유층을 갖고,
측정 온도 범위가 10℃ 내지 250℃이고, 승온 속도가 10℃/분간인 조건에서 흡열 피크 온도를 측정한 경우에 있어서의 시차 주사 열량 측정에 있어서,
상기 도전성 입자 함유층이 2개의 흡열 피크를 나타내고, 저온측의 흡열 피크 온도를 T2, 고온측의 흡열 피크 온도를 T4라 했을 때, T2가, 30℃ 이상이고, T4-T2가, 0℃보다 크고 80℃ 이하인 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름이다.
<2> 접착층 형성 성분이, 결정성 수지를 함유하는 상기 <1>에 기재된 이방성 도전 필름이다.
<3> 결정성 수지가, 제1 결정성 수지 및 제2 결정성 수지를 포함하는, 적어도 2종류의 결정성 수지를 함유하는 상기 <2>에 기재된 이방성 도전 필름이다.
<4> 접착층 형성 성분이, 비결정성 수지를 더 함유하는 상기 <3>에 기재된 이방성 도전 필름이다.
<5> 도전성 입자 함유층의 평균 두께가, 도전성 입자의 평균 입자 직경의 80% 내지 140%인 상기 <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 이방성 도전 필름이다.
<6> 제1 결정성 수지의 질량과, 제2 결정성 수지의 질량의 비가, 25:75 내지 75:25인 상기 <3> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 이방성 도전 필름이다.
<7> 제1 결정성 수지 및 제2 결정성 수지의 질량의 합(X)과, 비결정성 수지의 질량(Y)의 비가, (X):(Y)=25:75 내지 75:25인 상기 <4> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 이방성 도전 필름이다.
<8> 제1 결정성 수지가, 결정성 폴리에스테르를 함유하고, 제2 결정성 수지가, 결정성 폴리우레탄 수지를 함유하고, 비결정성 수지가, 비결정성 폴리에스테르 수지를 함유하는 상기 <4> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 이방성 도전 필름이다.
<9> 도전성 입자의 평균 입자 직경이, 2㎛ 내지 40㎛인 상기 <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 이방성 도전 필름이다.
<10> 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속시키는 접속 방법이며,
상기 제2 전자 부품의 단자 위에 상기 <1> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 이방성 도전 필름의 도전성 입자 함유층을 배치하는 제1 배치 공정과,
상기 도전성 입자 함유층 위에 상기 제1 전자 부품을, 상기 제1 전자 부품의 단자가 상기 도전성 입자 함유층과 접하도록 배치하는 제2 배치 공정과,
상기 제1 전자 부품을 가열 가압 부재에 의해 가열 및 가압하는 가열 가압 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 접속 방법이다.
<11> 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속시킬 때의, 접속 면적이, 100㎟ 이상인 상기 <10>에 기재된 접속 방법이다.
<12> 상기 <10> 내지 <11> 중 어느 하나에 기재된 접속 방법에 의해 접속된 것을 특징으로 하는 접합체이다.
본 발명에 따르면, 종래에 있어서의 상기 여러 문제를 해결하여, 상기 목적을 달성할 수 있으며, 충분한 접속 저항을 유지하면서, 특히, 비교적 넓은 면적에서의 접속에 있어서의 중앙부에서의 양호한 도통을 확보하고, 또한, 접속하고자 하는 대상의 기판에 대하여 도전성 입자 함유층이 적당한 점착성을 갖고 있고, 또한 도전성 입자 함유층과 이형 필름과는 적당한 이형성과 밀착성을 갖고 있고, 대향부끼리의 가고정성도 우수한 이방성 도전 필름 및 해당 이방성 도전 필름을 사용한 접속 방법 및 접합체를 제공할 수 있다.
(이방성 도전 필름)
본 발명의 이방성 도전 필름은, 도전성 입자 함유층을 적어도 갖고, 또한 필요에 따라 박리성 기재 등의 그 외의 층이나 성분을 갖는다.
상기 이방성 도전 필름은, 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속시키는 이방성 도전 필름이다.
상기 이방성 도전 필름은, 이하의 성질을 나타낸다.
측정 온도 범위가 10℃ 내지 250℃이고, 승온 속도가 10℃/분간인 조건에서 흡열 피크 온도를 측정한 경우에 있어서의 시차 주사 열량 측정에 있어서,
상기 도전성 입자 함유층이 2개의 흡열 피크를 나타내고, 저온측의 흡열 피크 온도를 T2, 고온측의 흡열 피크 온도를 T4라 했을 때, T2는, 30℃ 이상이고, T4-T2는, 0℃보다 크고 80℃ 이하이다.
상기 성질을 나타내는 본 발명의 이방성 도전 필름은, 비교적 넓은 면적에서의 접속에 있어서의 중앙부에서의 양호한 도통을 확보하고, 또한 가고정성이 우수한 이방성 도전 필름이 된다.
본 발명의 이방성 도전 필름을 사용해서 후술하는 접속체를 제조할 때의 바람직한 실시 형태로서, 측정 온도 범위가 10℃ 내지 250℃이고, 승온 속도가 10℃/분간인 조건에서의 시차 주사 열량 측정에 있어서, 이방성 도전 필름이 사용되는 실내 온도를 T1, 가압착 온도를 T3, 본압착 온도를 T5라 했을 때, 상기 T2와 상기 T4의 관계가, 다음 식 (1)을 만족하도록 설정하는 형태를 들 수 있다.
T1<T2<T3<T4<T5 (1)
상기 형태로 함으로써, T2의 존재에 의해, 가압착 온도에 있어서, 상기 도전성 입자 함유층 중의 일부의 재료가 용융하기 때문에, 상기 도전성 입자 함유층은, 점착력이 발생하여, 가고정성이 향상된다. T1에서는 상기 도전성 입자 함유층 중의 결정성의 재료는, 결정 상태이기 때문에, 점착성이 없거나 혹은 적고, 상기 도전성 입자 함유층의 취급은 용이하고, 핸들링성은 양호하다.
T5보다 낮은 온도에 T4가 존재한다. 이에 의해, 반응형 이방성 도전 필름에서는, 넓은 면적에 있어서의 중앙부에서의 도통이 곤란하였지만, 본 발명의 이방성 도전 필름은, 접착층 형성 성분의 단자 영역 밖으로의 유동이 가능하게 되어, 도전성 입자가 찌부러져서, 양호한 도통을 확보할 수 있다.
상기 원하는 T2, T4를 갖는 상기 이방성 도전 필름으로 하기 위해서는, 원하는 온도로 흡열 피크를 나타내는 결정성의 재료를 배합하면 된다. 해당 결정성의 재료에 대해서는, 후술한다.
<시차 주사 열량 측정(DSC 측정)>
이하의 조건에서 DSC 측정을 행하면, 승온 시에 있어서의 흡열 개시 온도, 흡열 피크 온도 및 흡열량을 구할 수 있다.
측정 장치: Q100, 티·에이·인스트루먼트사 제조
측정 시료: 5㎎
측정 온도 범위: 10℃ 내지 250℃
승온 속도: 10℃/분간
<도전성 입자 함유층>
상기 도전성 입자 함유층은, 접착층 형성 성분과, 도전성 입자를 적어도 함유하고, 필요에 따라 그 외의 성분을 더 함유한다.
<<접착층 형성 성분>>
상기 접착층 형성 성분으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 결정성 수지, 비결정성 수지 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 상기 결정성 수지와 상기 비결정성 수지를 병용하는 경우에는, 상기 이방성 도전 필름의 접속 저항을 충분히 유지하면서, 저온이며 또한 단시간으로의 전자 부품과의 접속이 가능하게 되기 때문에, 바람직하다. 또한 상기 결정성 수지를 2종류 이상 사용하여, 2종류 이상의 상기 결정성 수지와, 상기 비결정성 수지를 병용하는 경우에는, 상기 이방성 도전 필름의 접속 저항을 충분히 유지하면서, 특히 비교적 넓은 면적에서의 접속에 있어서의 중앙부에서의 양호한 도통을 확보하고, 또한 가고정성이 우수하여, 저온이며 또한 단시간으로의 전자 부품과의 접속이 가능하게 되기 때문에, 보다 바람직하다.
-결정성 수지-
상기 결정성 수지로서는, 결정 영역을 갖는 수지이면, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리올레핀 수지 등을 들 수 있다. 여기서, 상기 결정성 수지인지 여부는, 예를 들어 시차 주사 열량 측정에 있어서, 승온 과정에서 흡열 피크가 관찰됨으로써 확인할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 원하는 T2, T4를 나타내는 상기 이방성 도전 필름으로 하기 위해서는, 상기 결정성 수지를 2종류 이상 함유시키면 된다.
특히 바람직한 형태로서, 2종류 이상의 결정성 수지 중, 제1 결정성 수지가, 결정성 폴리에스테르 수지, 제2 결정성 수지가, 결정성 폴리우레탄 수지이면 좋다.
본 발명에서는, 상기 제1 결정성 수지 및 상기 제2 결정성 수지에 더하여, 또 다른 결정성 수지를 함유시켜도 좋다. 상기 다른 결정성 수지로서는, 예를 들어 상기 제1 결정성 수지와는 종류가 다른 결정성 폴리에스테르 수지여도 좋고, 상기 제2 결정성 수지와는 종류가 다른 결정성 폴리우레탄 수지여도 좋고, 결정성 폴리에스테르 수지도 결정성 폴리우레탄 수지도 아닌, 결정성 폴리올레핀 수지 등의 그 밖의 결정성 수지여도 좋다.
상기 폴리에스테르 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지 등을 들 수 있다.
상기 폴리올레핀 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리부틸렌 수지 등을 들 수 있다.
상기 제1 결정성 수지의 질량(g)과, 상기 제2 결정성 수지의 질량(g)의 비로서는, 25:75 내지 75:25가 바람직하고, 30:70 내지 70:30이 보다 바람직하다.
-비결정성 수지-
상기 비결정성 수지로서는, 상기 결정성 수지의 설명에 있어서 예시한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 비결정성 수지를 상기 결정성 수지와 병용하는 경우에는, 서로 동종의 수지를 병용하는 것이 바람직하고, 예를 들어 결정성 폴리에스테르 수지와 비결정성 폴리에스테르 수지의 조합, 결정성 폴리우레탄 수지와 비결정성 폴리우레탄 수지의 조합, 결정성 폴리올레핀 수지와 비결정성 폴리올레핀 수지의 조합 등이 바람직하다. 상기 결정성 수지와 상기 비결정성 수지에서 동종의 것을 병용하면, 상기 결정성 수지와 상기 비결정성 수지를 혼합해서 상기 결정성 수지가 용제에 용해하기 쉬운 상태를 제작할 수 있기 때문에, 상기 결정성 수지가 거의 균일하게 함유된 도전성 입자 함유층을 얻을 수 있다.
그리고, 얻어지는 도전성 입자 함유층은, 저온 및 단시간으로의 접속을 가능하게 한다. 이것은, 얻어지는 도전성 입자 함유층을 가열해서 연화한 후에, 가열 상태가 해제되어 상온으로 되돌아갈 때에, 상기 결정성 수지에서 유래해서 빠르게 응고되기 때문이라고 생각된다.
본 발명에 있어서, 도전성 입자 함유층에 2종류 이상의 결정성 수지를 함유시킨 경우에 있어서, 결정성 폴리에스테르 수지와 결정성 폴리우레탄 수지를 함유시킨 경우에는, 비결정성 수지로서, 비결정성 폴리에스테르 수지나, 비결정성 폴리우레탄 수지도 바람직하게 사용할 수 있지만, 비결정성 폴리에스테르 수지를 사용하는 것이 실온에서의 필름에 가요성을 부여할 수 있는 점에서, 더욱 바람직하다.
상기 제1 결정성 수지 및 상기 제2 결정성 수지의 질량의 합(X)(g)와, 상기 비결정성 수지의 질량(Y)(g)의 비로서는, (X):(Y)=25:75 내지 75:25가 바람직하고, (X):(Y)=40:60 내지 60:40이 보다 바람직하다.
<<도전성 입자>>
상기 도전성 입자로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 금속 입자, 금속 피복 수지 입자 등을 들 수 있다.
상기 금속 입자로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 니켈, 코발트, 은, 구리, 금, 팔라듐, 땜납 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
이들 중에서도, 니켈, 은, 구리가 바람직하다. 이들 금속 입자는, 표면 산화를 방지할 목적으로, 그 표면에 금, 팔라듐을 실시하고 있어도 된다. 또한, 표면에 금속 돌기나 유기물로 절연 피막을 실시한 것을 사용해도 된다.
상기 금속 피복 수지 입자로서는, 수지 입자의 표면을 금속으로 피복한 입자이면, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 수지 입자의 표면을 니켈, 은, 땜납, 구리, 금 및 팔라듐 중 적어도 어느 하나의 금속으로 피복한 입자 등을 들 수 있다. 또한, 표면에 금속 돌기나 유기물로 절연 피막을 실시한 것을 사용해도 된다. 저저항을 고려한 접속의 경우, 수지 입자의 표면을 은으로 피복한 입자가 바람직하다.
상기 수지 입자에의 금속의 피복 방법으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 무전해 도금법, 스퍼터(sputtering)링법 등을 들 수 있다.
상기 수지 입자의 재질로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 스티렌-디비닐벤젠 공중합체, 벤조구아나민 수지, 가교 폴리스티렌 수지, 아크릴 수지, 스티렌-실리카 복합 수지 등을 들 수 있다.
상기 도전성 입자는, 이방성 도전 접속 시에, 도전성을 갖고 있으면 된다. 예를 들어, 금속 입자의 표면에 절연 피막을 실시한 입자라도, 이방성 도전 접속 시에 상기 입자가 변형되어, 상기 금속 입자가 노출되는 것이면, 상기 도전성 입자이다.
상기 도전성 입자의 평균 입자 직경으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있지만, 2㎛ 내지 40㎛가 바람직하고, 5㎛ 내지 30㎛가 보다 바람직하고, 10㎛ 내지 25㎛가 보다 더 바람직하고, 10㎛ 내지 20㎛가 특히 바람직하다.
상기 평균 입자 직경은, 임의로 10개의 도전성 입자에 대해서 측정한 입자 직경의 평균값이다.
상기 입자 직경은, 예를 들어 주사형 전자 현미경 관찰에 의해 측정할 수 있다.
상기 도전성 입자의 함유량으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
<박리성 기재>
상기 박리성 기재로서는, 가압착 시에 도전성 입자 함유층으로부터 박리되는 필름이면, 특별히 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들어 박리성 기재의 물에 대한 접촉각이 80° 이상인 박리성 기재를 사용할 수 있다.
또한, 예를 들어 실리콘계 필름, 불소계 필름, 실리콘계나 불소계 등의 이형제로 이형 처리된 PET, PEN, 글라신지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실리콘계의 박리성 기재가 바람직하다.
상기 박리성 기재의 평균 두께로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있지만, 12㎛ 내지 75㎛가 바람직하다.
<이방성 도전 필름의 제조 방법>
본 발명에서는 이하의 공정에 의해, 이방성 도전 필름을 제조하면 된다.
접착층 형성 성분을 용제에 용해하여 바니시(varnish)를 제조하는 바니시 제조 공정과,
그 후 도전성 입자를 첨가해서 이방성 도전 조성물을 얻는 이방성 도전 조성물 제조 공정과,
상기 이방성 도전 조성물을 박리성 기재 위에 도포하여 건조시키는 공정에 의해 이방성 도전 필름을 제조한다.
상기 접착층 형성 성분에 사용하는 용제로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 메틸에틸케톤:톨루엔:시클로헥사논의 50:40:10(질량비)의 혼합 용제, 톨루엔:아세트산에틸의 50:50(질량비)의 혼합 용제 등을 사용할 수 있다.
<제1 전자 부품 및 제2 전자 부품>
상기 제1 전자 부품 및 상기 제2 전자 부품으로서는, 상기 이방성 도전 필름을 사용한 이방성 도전 접속의 대상으로 되는, 단자를 갖는 전자 부품이면, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 유리 기판, 플렉시블 기판, 리지드 기판, IC(Integrated Circuit) 칩, TAB(Tape Automated Bonding), 액정 패널 등을 들 수 있다. 상기 유리 기판으로서는, 예를 들어 Al 배선 형성 유리 기판, ITO 배선 형성 유리 기판 등을 들 수 있다. 상기 IC 칩으로서는, 예를 들어 플랫 패널 디스플레이(FPD)에 있어서의 액정 화면 제어용 IC 칩 등을 들 수 있다.
상기 이방성 도전 필름에 있어서의 도전성 입자 함유층의 평균 두께로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있지만, 5㎛ 내지 50㎛가 바람직하고, 8㎛ 내지 16㎛가 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 도전성 입자의 평균 입자 직경을 고려해서 상기 도전성 입자 함유층의 평균 두께를 설정하는 것이, 보다 바람직하고, 상기 도전성 입자 함유층의 평균 두께로서, 도전성 입자의 평균 입자 직경의 80% 내지 140%이면 좋다.
(접속 방법)
본 발명의 접속 방법은, 제1 배치 공정과, 제2 배치 공정과, 가열 가압 공정을 적어도 포함하고, 또한 필요에 따라서, 박리성 기재의 박리 공정 등의 그 외의 공정을 포함한다.
상기 접속 방법은, 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속시키는 방법이다.
상기 제1 전자 부품 및 상기 제2 전자 부품으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 본 발명의 상기 이방성 도전 필름의 설명에서 예시한 상기 제1 전자 부품 및 상기 제2 전자 부품을 각각 들 수 있다.
본 발명의 이방성 도전성 필름을 사용하면, 넓은 면적에서의 접속에 있어서의 중앙부에서의 양호한 도통을 확보할 수 있기 때문에, 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속시킬 때의 접속 면적이, 100㎟ 이상에서도, 본 발명의 이방성 도전 필름을 사용하면, 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자를 양호하게 접속할 수 있다.
<제1 배치 공정>
상기 제1 배치 공정으로서는, 상기 제2 전자 부품의 단자 위에 본 발명의 상기 이방성 도전 필름의 도전성 입자 함유층을 배치하는 공정이면, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
<제2 배치 공정>
상기 제2 배치 공정으로서는, 상기 도전성 입자 함유층 위에 상기 제1 전자 부품을, 상기 제1 전자 부품의 단자가 상기 도전성 입자 함유층과 접하도록 배치하는 공정이면, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
<가열 가압 공정>
상기 가열 가압 공정으로서는, 상기 제1 전자 부품을 가열 가압 부재에 의해 가열 및 가압하는 공정이면, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
상기 가열 가압 부재로서는, 예를 들어 가열 기구를 갖는 가압 부재 등을 들 수 있다. 상기 가열 기구를 갖는 가압 부재로서는, 예를 들어 히트 툴 등을 들 수 있다.
상기 가열의 온도로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있지만, 100℃ 내지 140℃가 바람직하다.
상기 가압의 압력으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있지만, 2㎫ 내지 6㎫가 바람직하다.
상기 가열 및 가압의 시간으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있지만, 2분간 내지 20분간이 바람직하다.
<그 밖의 공정>
<<박리성 기재의 박리 공정>>
상기 그 밖의 공정으로서는, 예를 들어 상기 이방성 도전 필름의 박리성 기재를 도전성 입자 함유층으로부터 박리하는, 박리성 기재의 박리 공정을 들 수 있다.
(접합체)
본 발명의 접합체는, 상기 접속 방법에 의해 접속된 접합체이면 좋고, 제1 전자 부품과, 제2 전자 부품과, 도전성 입자 함유층을 적어도 갖고, 또한 필요에 따라, 그 밖의 부재를 갖는다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 「부」는, 질량부를 나타낸다.
(실시예 1)
<이방성 도전 필름의 제작>
제1 결정성 수지 A1인 아론멜트 PES-111EE(도아고세 가부시끼가이샤 제조, 결정성 폴리에스테르 수지를 주성분으로 하는 결정성 수지) 80질량부, 제2 결정성 수지 A2인 데스모콜 540(스미까바이엘우레탄 가부시끼가이샤 제조, 결정성 선상 폴리우레탄 수지) 40질량부, 비결정성 수지 A3인 엘리텔 UE3500(유니티카 가부시끼가이샤 제조, 비결정성 폴리에스테르 수지 중량 평균 분자량 30,000) 80질량부 및 혼합 용제(메틸에틸케톤(MEK):톨루엔:시클로헥사논=50:40:10(질량비)) 400질량부를 혼합 및 교반하여, 용해액을 제작하여, 혼합 바니시를 얻었다.
계속해서, 상기 혼합 바니시에, 평균 입자 직경 10㎛의 구상 Ag 도금 수지 입자(하기의 제조 방법에서 얻어진 도전성 입자) 5질량부를 첨가하여, 이방성 도전 조성물을 얻었다.
얻어진 이방성 도전 조성물을, 실리콘계의 이형제로 이형 처리된 평균 두께가 50㎛인 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름 위에 건조 후의 평균 두께가 12㎛가 되도록 도포하고, 70℃에서 10분간 건조시켜서, 이방성 도전 필름을 제작했다.
-실리콘계 이형 처리 필름의 제작-
부가 반응형 실리콘 용액(신에쯔가가꾸고교 가부시키가이샤의 상품명 「KS-847」, 실리콘 농도 30질량%)을 13질량부와, 백금 경화 촉매(신에쯔가가꾸고교 가부시끼가이샤 제조의 상품명 「PL-50T」)를 0.3질량부를, 톨루엔 40질량부와 메틸에틸케톤 47질량부의 혼합 용매에 첨가해서 박리층용 도포액을 제작했다.
상기 박리층용 도포액을 사용하여, 평균 두께 50㎛로 양면 미처리된 PET 필름 위에 도포, 건조하여, 실리콘계 박리 필름을 얻었다.
또한, 이들 도포액의 도포에는 코일바를 사용했다. 도포층의 경화는, 전체를 160℃에서 1분간 가열했다. 실리콘계 이형재의 건조 후 평균 두께는 0.1㎛였다.
-도전성 입자의 제조-
--디비닐벤젠계 수지 입자의 제조--
디비닐벤젠, 스티렌 및 부틸 메타크릴레이트의 혼합비를 조정한 용액에, 중합 개시제로서 벤조일퍼옥사이드를 투입해서 고속으로 균일 교반하면서 가열을 행하고, 중합 반응을 행함으로써 미립자 분산액을 얻었다. 상기 미립자 분산액을 여과하여 감압 건조함으로써 미립자의 응집체인 블록체를 얻었다. 또한, 상기 블록체를 분쇄함으로써, 디비닐벤젠계 수지 입자를 얻었다.
--수지 입자의 은 도금--
은염으로서 질산은 4.25g를 순수 625mL에 실온에서 용해한 용액에, 환원제로서 벤즈이미다졸 15g을 추가하여 용해하고, 당초 생성한 침전이 완전히 용해한 것을 확인한 후, 착화제로서 숙신산이미드 5g 및 시트르산 1수화물 3g을 용해하고, 그 후, 결정 조정제로서 글리옥실산 13g를 투입하여 완전 용해시켜 무전해 은도금액을 제조했다.
이어서, 상기에서 얻어진 상기 디비닐벤젠계 수지 입자를 상기 무전해 은도금액에 투입하고, 이 액을 교반하면서 가열해서 온도를 50℃로 유지했다. 그 후, 부흐너 깔때기로 여과 분별해서 입자를 분리하여 진공 건조기로 80℃ 2시간 건조하여, 평균 입자 직경 10㎛의 구상 Ag 도금 수지 입자(도전성 입자)를 얻었다.
<시차 주사 열량 측정(DSC 측정)>
상기에서 얻어진 본 발명의 이방성 도전 필름의 도전성 입자 함유층에 대하여, 이하의 조건에서 DSC 측정을 행하여, 승온 시에 있어서의 흡열 피크 온도(T2 및 T4)를 구하였다. 결과를 표 1-1에 나타낸다. 또한, 흡열 피크가 관찰되기 어려운 경우, 흡열 온도 영역의 흡열 개시 온도와 흡열 종료 온도의 2점간에 있어서의 흡열이 최대가 되는 온도를 흡열 피크 온도로 취급하기로 한다.
측정 장치: Q100, 티·에이·인스트루먼트사 제조
측정 시료: 5㎎
측정 온도 범위: 10℃ 내지 250℃
승온 속도: 10℃/분간
<라미네이트성의 평가>
설정 70℃의 핫 스테이지 위에 평균 두께가 25㎛인 PET 필름을 세트하고, 그 위에 50㎜×25㎜로 커트한 본 발명의 이방성 도전 필름을 배치하여, 5㎏의 핸드롤러로 2왕복 가압 후, 이방성 도전 필름으로부터 박리성 기재(실리콘계 이형 처리 필름)를 박리했다. 하기 기준에 따라서 평가했다. 결과를 표 1-1에 나타낸다.
[평가 기준]
○: 박리성 기재를 박리했을 때, 도전성 입자 함유층에 꺽어짐·주름·빠짐 등이 발생하지 않고 균일하게 라미네이트할 수 있는 경우
△: 박리성 기재를 박리했을 때, 도전성 입자 함유층에 꺽어짐·주름·빠짐 등이 약간 발생하지만, 라미네이트 자체는 가능한 경우
×: 박리성 기재를 박리했을 때, 도전성 입자 함유층에 꺽어짐·주름·빠짐 등이 발생해서 균일하게 라미네이트할 수 없는 경우
<가고정성의 평가>
설정 70℃ 핫 스테이지 위에 평균 두께가 25㎛인 PET 필름을 세트하고, 그 위에 50㎜×25㎜로 커트한 본 발명의 이방성 도전 필름을 배치하여, 5㎏의 핸드롤러로 2왕복 가압 후, 이방성 도전 필름으로부터 박리성 기재를 박리했다.
그 위에 단자부의 평균 두께가 25㎛인 3층 구조의 플렉시블 회로 기판(이하, 「FPC」라고도 한다)을 중첩한 후, FPC 위에서부터 PET 필름과 FPC를 가고정할 목적으로, 다시 5㎏의 핸드롤러로 2왕복 가압해서 가접착 샘플을 제작했다. 하기 기준에 따라서 평가했다. 결과를 표 1-1에 나타낸다.
[평가 기준]
○: FPC와 PET 필름과의 가접착성에 문제는 없고, 서로 떨어지지 않는 경우
×: FPC와 PET 필름이 가접착되기 어렵고, 서로 떨어져 버려, 가접착 샘플을 제작할 수 없는 경우
<접합체의 제조>
이하의 방법에 의해 시험편 A 및 B의 2종류의 접합체를 제조했다.
-시험편 A-
대상 부재-1로서, 단자부의 평균 두께가 25㎛인 3층 구조의 FPC(단자부 면적 20㎜×5㎜=100㎟)를 사용했다.
대상 부재-2로서, 평균 두께가 25㎛인 PET 필름을 사용했다.
-시험편 B-
대상 부재-1로서, 단자부의 평균 두께가 25㎛인 3층 구조의 FPC(단자부 면적50㎜×25㎜=1250㎟)을 사용했다.
대상 부재-2로서, 평균 두께가 25㎛인 PET 필름을 사용했다.
상기 가접착 샘플의 제작과 마찬가지로, 시험편 A, 시험편 B의 조합으로 가고정 샘플을 제작 후, 하기 열 프레스 조건으로, 상기 대상 부재-1측으로부터 가열 및 가압하여, 접합체를 얻었다.
열원의 설정 온도: 110℃
유리 스테이지의 설정 온도: 90℃
추력: 500㎏f/1250㎟
가압 시간: 3분
<<면내 중앙부의 입자 찌부러짐 평가>>
얻어진 2종류의 접합체(시험편 A 및 시험편 B)에 대하여, 각각의 시험편을 금속 현미경에 세트하고, 시험편 중앙부에 있어서의 도전성 입자의 찌부러짐을 확인했다. 이하의 평가 기준으로 평가했다. 결과를 표 1-1에 나타낸다.
〔평가 기준〕
○: 도전성 입자가 찌부러져서, 면 방향의 입경이 찌부러지기 전의 1.2배 이상이 되었다
△: 도전성 입자가 찌부러져 있지만, 면 방향의 입경이 찌부러지기 전의 1.1배 이상 1.2배 미만
×: 도전성 입자가 찌부러져 있지만, 면 방향의 입경이 찌부러지기 전의 1.1배 미만
<<종합 평가>>
상술한, 라미네이트성의 평가, 가고정성의 평가, 면내 중앙부의 입자 찌부러짐 평가의 3개의 결과를 이하의 평가 기준으로 종합 평가했다. 결과를 표 1-1에 나타낸다.
〔평가 기준〕
○: 3개의 평가가 모두 ○
△: 3개의 평가 중 ×가 없고, 1개 이상 △가 있다
×: 3개의 평가 중 1개 이상 ×가 있다
(실시예 2 내지 7)
실시예 1에 있어서, 접착층 형성 성분의 각 함유량을 표 1-1에 기재된 배합으로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 이방성 도전 필름 및 접합체를 제작했다.
얻어진 이방성 도전 필름 및 접합체에 대해서, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행하였다. 결과를 표 1-1에 나타낸다.
(실시예 8)
실시예 1에 있어서, 제2 결정성 수지 A2인 데스모콜 540을, 데스모콜 530(스미까바이엘우레탄 가부시끼가이샤 제조, 결정성 선상 폴리우레탄 수지)으로 바꾸고, 건조 후의 도전성 입자 함유층의 평균 두께를 표 1-2에 기재된 두께로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 이방성 도전 필름 및 접합체를 제작했다.
얻어진 이방성 도전 필름 및 접합체에 대해서, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행하였다. 결과를 표 1-2에 나타낸다.
(실시예 9)
실시예 1에 있어서, 제1 결정성 수지 A1인 아론멜트 PES-111EE를, 바일론 GA-6400(도요보 가부시끼가이샤 제조, 결정성 폴리에스테르 수지를 주성분으로 하는 결정성 수지)으로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 이방성 도전 필름 및 접합체를 제작했다.
얻어진 이방성 도전 필름 및 접합체에 대해서, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행하였다. 결과를 표 1-2에 나타낸다.
(실시예 10 내지 11)
실시예 1에 있어서, 건조 후의 도전성 입자 함유층의 평균 두께를 표 1-2에 기재된 두께로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 이방성 도전 필름 및 접합체를 제작했다.
얻어진 이방성 도전 필름 및 접합체에 대해서, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행하였다. 결과를 표 1-2에 나타낸다.
(실시예 12 내지 15)
실시예 1에 있어서, 접착층 형성 성분의 각 함유량을 표 1-3에 기재된 배합으로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 이방성 도전 필름 및 접합체를 제작했다.
얻어진 이방성 도전 필름 및 접합체에 대해서, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행하였다. 결과를 표 1-3에 나타낸다.
(비교예 1)
실시예 1에 있어서, 제2 결정성 수지 A2인 데스모콜 540을, 닛보란 5196(닛본 폴리우레탄 고교 가부시끼가이샤 제조, 폴리카르보네이트 골격의 폴리우레탄 수지)으로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 이방성 도전 필름 및 접합체를 제작했다.
얻어진 이방성 도전 필름 및 접합체에 대해서, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행하였다. 비교예 1에서는, 라미네이트 및 가고정할 수 없어, 면내 중앙부의 입자 찌부러짐 시험은 행할 수 없었다. 결과를 표 1-4에 나타낸다.
(비교예 2)
실시예 1에 있어서, 제2 결정성 수지 A2인 데스모콜 540을, 데스모콜 176(스미까바이엘우레탄 가부시끼가이샤 제조, 결정성 선상 폴리우레탄 수지)으로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 이방성 도전 필름 및 접합체를 제작했다.
얻어진 이방성 도전 필름 및 접합체에 대해서, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행하였다. 결과를 표 1-4에 나타낸다.
(비교예 3)
실시예 1에 있어서, 제1 결정성 수지 A1인 아론멜트 PES-111EE를, 아론멜트 PES126E(도아고세 가부시끼가이샤 제조, 결정성 폴리에스테르 수지를 주성분으로 하는 결정성 수지)로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 이방성 도전 필름 및 접합체를 제작했다.
얻어진 이방성 도전 필름 및 접합체에 대해서, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행하였다. 결과를 표 1-4에 나타낸다.
[표 1-1]
Figure 112016096799517-pct00001
[표 1-2]
Figure 112016096799517-pct00002
[표 1-3]
Figure 112016096799517-pct00003
[표 1-4]
Figure 112016096799517-pct00004
표 1-1 내지 표 1-4에 있어서의 각 조성의 배합량(함유량과 동일함)의 단위는 질량부이다.
실시예 1 내지 15로부터, 본 발명의 이방성 도전 필름이, 충분한 접속 저항을 유지하면서, 특히 비교적 넓은 면적에서의 접속에 있어서의 중앙부에서의 양호한 도통을 확보하고, 또한 가압착 시의 라미네이트성, 가접착성이 좋고, 가고정성이 우수한 것을 확인할 수 있었다.
실시예 10, 11과 비교한 실시예 1 내지 7의 결과로부터, 이방성 도전 필름의 평균 두께가, 도전성 입자의 평균 입자 직경의 80% 내지 140%이면 되는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 실시예 14, 15와 비교한 실시예 1 내지 7의 결과로부터, 제1 결정성 수지의 질량과, 제2 결정성 수지의 질량의 비가, 25:75 내지 75:25이면, 넓은 면적에서의 접속에 있어서의 중앙부에서의 양호한 도통 및 가고정성이 보다 우수한 것을 확인할 수 있었다.
또한, 실시예 12, 13과 비교한 실시예 1 내지 7의 결과로부터, 제1 결정성 수지 및 제2 결정성 수지의 질량의 합(X)과, 비결정성 수지의 질량(Y)의 비가, (X):(Y)=25:75 내지 75:25이면, 넓은 면적에서의 접속에 있어서의 중앙부에서의 양호한 도통 및 가고정성이 보다 우수한 것을 확인할 수 있었다.
본 발명의 이방성 도전 필름은, 충분한 접속 저항을 유지하면서, 특히, 비교적 넓은 면적에서의 접속에 있어서의 중앙부에서의 양호한 도통을 확보하고, 또한, 접속하고자 하는 대상의 기판에 대하여 도전성 입자 함유층이 적당한 점착성을 갖고 있고, 또한 도전성 입자 함유층과 이형 필름과는 적당한 이형성과 밀착성을 갖고 있다고 하는 가고정성이 우수하기 때문에, 기판의 단자와 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속시켜서 접합체를 제조할 때의 접속 재료로서 적합하게 사용할 수 있다.

Claims (15)

  1. 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속시키는 이방성 도전 필름이며,
    접착층 형성 성분 및 도전성 입자를 함유하는 도전성 입자 함유층을 갖고,
    측정 온도 범위가 10℃ 내지 250℃이고, 승온 속도가 10℃/분간인 조건에서 흡열 피크 온도를 측정한 경우에 있어서의 시차 주사 열량 측정에 있어서,
    상기 도전성 입자 함유층이 2개의 흡열 피크를 나타내고, 저온측의 흡열 피크 온도를 T2, 고온측의 흡열 피크 온도를 T4라 했을 때, T2가, 30℃ 이상이고, T4-T2가, 28℃ 이상 65℃ 이하인 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
  2. 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자 사이에 온도 T3에서 설치한 후에 온도 T5에서 이방성 도전 접속시키는 이방성 도전 필름이며,
    접착층 형성 성분 및 도전성 입자를 함유하는 도전성 입자 함유층을 갖고,
    측정 온도 범위가 10℃ 내지 250℃이고, 승온 속도가 10℃/분간인 조건에서 흡열 피크 온도를 측정한 경우에 있어서의 시차 주사 열량 측정에 있어서,
    상기 도전성 입자 함유층이 2개의 흡열 피크를 나타내고, 저온측의 흡열 피크 온도를 T2, 고온측의 흡열 피크 온도를 T4라 했을 때, T2가, 30℃ 이상이고, T4-T2가, 28℃ 이상이고, 또한 T2<T3<T4<T5의 관계를 만족하는 이방성 도전 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 접착층 형성 성분이, 결정성 수지를 함유하는 이방성 도전 필름.
  4. 제3항에 있어서, 결정성 수지가, 제1 결정성 수지 및 제2 결정성 수지를 포함하는, 적어도 2종류의 결정성 수지를 함유하는 이방성 도전 필름.
  5. 제4항에 있어서, 접착층 형성 성분이, 비결정성 수지를 더 함유하는 이방성 도전 필름.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도전성 입자 함유층의 평균 두께가, 도전성 입자의 평균 입자 직경의 80% 내지 140%인 이방성 도전 필름.
  7. 제4항에 있어서, 제1 결정성 수지의 질량과, 제2 결정성 수지의 질량의 비가, 25:75 내지 75:25인 이방성 도전 필름.
  8. 제5항에 있어서, 제1 결정성 수지 및 제2 결정성 수지의 질량의 합(X)과, 비결정성 수지의 질량(Y)의 비가, (X):(Y)=25:75 내지 75:25인 이방성 도전 필름.
  9. 제5항에 있어서, 제1 결정성 수지가, 결정성 폴리에스테르를 함유하고, 제2 결정성 수지가, 결정성 폴리우레탄 수지를 함유하고, 비결정성 수지가, 비결정성 폴리에스테르 수지를 함유하는 이방성 도전 필름.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도전성 입자의 평균 입자 직경이, 2㎛ 내지 40㎛인 이방성 도전 필름.
  11. 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속시키는 접속 방법이며,
    상기 제2 전자 부품의 단자 위에 제1항에 기재된 이방성 도전 필름의 도전성 입자 함유층을 배치하는 제1 배치 공정과,
    상기 도전성 입자 함유층 위에 상기 제1 전자 부품을, 상기 제1 전자 부품의 단자가 상기 도전성 입자 함유층과 접하도록 배치하는 제2 배치 공정과,
    상기 제1 전자 부품을 가열 가압 부재에 의해 가열 및 가압하는 가열 가압 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 접속 방법.
  12. 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자를, 도전성 입자 함유층을 갖는 이방성 도전 필름을 통해 이방성 도전 접속시키는 접속 방법이며,
    상기 제2 전자 부품의 단자 위에 상기 이방성 도전 필름의 상기 도전성 입자 함유층을 배치하는 제1 배치 공정과,
    상기 도전성 입자 함유층 위에 상기 제1 전자 부품을, 상기 제1 전자 부품의 단자가 상기 도전성 입자 함유층과 접하도록 배치하는 제2 배치 공정과,
    상기 제1 전자 부품을 가열 가압 부재에 의해 온도 T5에서 가열 및 가압하는 가열 가압 공정을 포함하고,
    상기 이방성 도전 필름이, 상기 제1 전자 부품의 단자와 상기 제2 전자 부품의 단자 사이에 온도 T3에서 설치되고,
    상기 도전성 입자 함유층이, 접착층 형성 성분 및 도전성 입자를 함유하고,
    측정 온도 범위가 10℃ 내지 250℃이고, 승온 속도가 10℃/분간인 조건에서 흡열 피크 온도를 측정한 경우에 있어서의 시차 주사 열량 측정에 있어서, 상기 도전성 입자 함유층이 2개의 흡열 피크를 나타내고, 저온측의 흡열 피크 온도를 T2, 고온측의 흡열 피크 온도를 T4라 했을 때, T2가, 30℃ 이상이고, T4-T2가, 28℃ 이상이고,
    온도 T2, 온도 T3, 온도 T4 및 온도 T5가, T2<T3<T4<T5의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 접속 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속시킬 때의 접속 면적이, 100㎟ 이상인 접속 방법.
  14. 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 제1항 또는 제2항에 기재된 이방성 도전 필름을 통해 이방성 도전 접속시킨 접합체.
  15. 이방성 도전 필름의 제조 방법이며,
    접착층 형성 성분을 용제에 용해하여 바니시(varnish)를 제조하는 바니시 제조 공정과,
    상기 바니시에 도전성 입자를 첨가해서 이방성 도전 조성물을 얻는 이방성 도전 조성물 제조 공정과,
    상기 이방성 도전 조성물을 박리성 기재 위에 도포하여 건조시키는 공정을 포함하고,
    상기 이방성 도전 필름이, 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자 사이에 온도 T3에서 설치한 후에 온도 T5에서 이방성 도전 접속시키는 이방성 도전 필름이며,
    상기 이방성 도전 필름이, 상기 접착층 형성 성분 및 상기 도전성 입자를 함유하는 도전성 입자 함유층을 갖고,
    측정 온도 범위가 10℃ 내지 250℃이고, 승온 속도가 10℃/분간인 조건에서 흡열 피크 온도를 측정한 경우에 있어서의 시차 주사 열량 측정에 있어서, 상기 도전성 입자 함유층이 2개의 흡열 피크를 나타내고, 저온측의 흡열 피크 온도를 T2, 고온측의 흡열 피크 온도를 T4라 했을 때, T2가, 30℃ 이상이고, T4-T2가, 28℃ 이상이고, 또한 T2<T3<T4<T5의 관계를 만족하는, 이방성 도전 필름의 제조 방법.
KR1020167027753A 2014-03-11 2015-02-10 이방성 도전 필름 및 접속 방법 및 접합체 KR101906025B1 (ko)

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