TWI690945B - 各向異性導電薄膜、連接方法、及其接合體 - Google Patents

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Abstract

一種各向異性導電薄膜，係為將第一電子組件的端子與第二電子組件的端子各向異性導電連接之各向異性導電薄膜，其係包含：至少含有導電性粒子、陽離子硬化性樹脂、陽離子系硬化劑、有機過氧化物及自由基捕捉劑之該各向異性導電薄膜，其中，該有機過氧化物之反應起始溫度高於該陽離子系硬化劑之反應起始溫度。

Description

各向異性導電薄膜、連接方法、及其接合體
本發明係關於一種各向異性導電薄膜、連接方法、及其接合體。
一直以來，就電子組件互相連接的手段而言，係使用各向異性導電薄膜(ACF,Anisotropic Conductive Film)。
該各向異性導電薄膜係藉由將含有導電性粒子的樹脂混合物塗佈於薄膜上後，將其乾燥而製作之物品。就電子組件間的連接方法而言，係以施加給定的溫度、壓力的方式，將該各向異性導電薄膜載於所欲連接之電路的一方(或者所欲連接之電路的雙方)，並進行電路間之電性連接。
將積體電路(IC,Integrated Circuit)芯片或可撓性基板安裝於液晶顯示器等之玻璃基板時，係使用陽離子硬化系之各向異性導電薄膜(ACF)。
然而，雖然陽離子硬化系之各向異性導電薄膜具有優異的對玻璃接著性，但因為於使用陽離子系硬化劑時產生酸，而該酸對於硬化性樹脂之聚合提供貢獻後，該酸係殘留於薄膜內，故產生了含有電子組件之配線等的金屬部分被腐蝕的問題。
因此，為了防止配線的腐蝕，且以中和酸為目的，有人提出了使用氫氧化鋁等之鹼性填充物作為搭配(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-62184號公報
[發明概要]
然而，如果僅僅使用鹼性填充物與各向異性導電薄膜作為搭配，則從陽離子系硬化劑產生酸的最初，就會開始進行中和反應，進而對硬化反應的反應性造成影響。
就獲得各向異性導電薄膜而言，從同時滿足良好的接著性及耐腐蝕性且硬化反應性不下降之觀點來看，上述專利文獻1所述之技術並不可謂充分。
本發明係以解決習知的前述多個問題來達成以下目的，以作為課題。意即，本發明之目的係提供一種同時具有優異的接著性及耐腐蝕性且硬化反應性不下降之各向異性導電薄膜。
作為解決前述課題的手段而言，如以下所述。意即，
<1>一種各向異性導電薄膜，係為將第一電子組件的端子與第二電子組件的端子各向異性導電連接之各向異性導電薄膜，其係包含：至少含有導電性粒子、陽離子硬化性樹脂、陽離子系硬化劑、有機過氧化物及自由基捕捉劑之該各向異性導電薄膜，其中，該有機過氧化物之反應起始溫度高於該陽離子系硬化劑之反應起始溫度。
<2>一種連接方法，係為將第一電子組件的端子與第二電子組件的端子各向異性導電連接之連接方法，其係包含： 第一配置製程，於該第二電子組件的端子上，配置如請求項1所述之各向異性導電薄膜；第二配置製程，於該各向異性導電薄膜上，配置該第一電子組件，使該第一電子組件的端子與該各向異性導電薄膜接觸；及加熱加壓製程，藉由加熱加壓元件來加熱及加壓該第一電子組件。
<3>如該<2>所述之連接方法，其中，還包含：熱處理製程，於加熱加壓製程後，使用該有機過氧化物之反應起始溫度以上的溫度進行加熱。
<4>一種接合體，係由該<2>~<3>中任一者所述之連接方法而得。
根據本發明，能解決習知的上述多個問題來達成上述目的，並能提供一種同時具有優異的接著性及耐腐蝕性，且硬化反應性不下降之各向異性導電薄膜。
(各向異性導電薄膜)
本發明的各向異性導電薄膜至少含有導電性粒子、陽離子硬化性樹脂、陽離子系硬化劑、有機過氧化物及自由基捕捉劑，更佳還含有膜形成樹脂，且更因應必要，含有其他的成分。
該各向異性導電薄膜係為將第一電子組件的端子與第二電子組件的端子各向異性導電連接之各向異性導電薄膜。
本發明之發明者們針對陽離子硬化系各向異性導電薄膜而重複潛心研究後，發現使陽離子硬化系各向異性導電薄膜含有由至少一種陽離子系硬化劑、有機過氧化物及自由基捕捉劑所組成之聚合抑制劑，且使用反應起始溫度高於該陽離子系硬化劑的反應起始溫度之該有機過氧化物，能有效地防止經由陽離子系硬化劑所產生的酸所造成之腐蝕，進而可得到不影響硬化反應且接著性良好的各向異性導電薄膜。
吾人認為本發明係透過以下的方式捕獲酸，進而有效地防止腐蝕性。
‧有機過氧化物被熱分解而產生自由基化合物。
‧產生之自由基化合物的自由基被自由基捕捉劑捕獲。
‧自由基化合物的自由基被捕獲後，其所生成之化合物捕獲來自陽離子系硬化劑產生的酸(藉由有機過氧化物的酸捕獲)。
同時，因為使用反應起始溫度高於該陽離子系硬化劑的反應起始溫度之該有機過氧化物，且延遲了捕獲酸的時機，故能確保該各向異性導電薄膜不但未損失硬化反應的反應性，並具有良好的接著性。
<導電性粒子>
就該導電性粒子而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如金屬粒子、金屬被覆樹脂粒子等。
就該金屬粒子而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如鎳、鈷、銀、銅、金、鈀等。此等當中，可單獨使用一種，也可併用兩種以上。
此等當中，較佳為鎳、銀、銅。這些的金屬粒子在防止表面氧化的目的下，亦可於其表面施加金、鈀。再者，亦可使用於金屬粒子表面施以金屬突出物或有機物之絕緣覆膜的物體。
就該金屬被覆樹脂粒子而言，只要是將樹脂粒子的表面以金屬被覆的粒子，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如將樹脂粒子的表面以至少包含鎳、銅、金及鈀之任一金屬被覆的粒子等。再者，亦可使用於金屬粒子表面施以金屬突出物或有機物之絕緣覆膜的物體。
就對於該樹脂粒子被覆金屬的方法而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如無電解電鍍法、濺鍍法等。
就該樹脂粒子的材質而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如苯乙烯-二乙烯苯共聚合體、苯并胍胺樹脂、交聯聚苯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯-二氧化矽複合樹脂等。
該導電性粒子係具有各向異性導電連接時的導電性。例如，即使係於金屬粒子的表面施以絕緣覆膜的粒子，只要能於各向異性導電連接時使該粒子變形、使該金屬粒子露出，即具有該導電性粒子的功能。
就該各向異性導電薄膜中導電性粒子的含有量而言，並未特別限制，可依據電子組件的配線間距或連接面積等適宜地調整。
<陽離子硬化性樹脂>
就該陽離子硬化性樹脂而言，只要是藉由陽離子系硬化劑之作用而能硬化的樹脂，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如環氧樹脂等。
就該環氧樹脂而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛型環氧樹脂、此等的變性環氧樹脂等。
就該各向異性導電薄膜中陽離子硬化性樹脂的含有量而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇。
<陽離子系硬化劑>
就該陽離子系硬化劑而言，只要是產生陽離子的硬化劑，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如鎓鹽等。
就該鎓鹽而言，舉例來說，例如鋶鹽、錪鹽等。
該鋶鹽而言，舉例來說，例如三芳基鋶鹽等。
就該鎓鹽中的抗衡陰離子而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如SbF6 -、AsF6 -、PF6 -、BF4 -、CH3SO3 -、CF3SO3 -等。
該陽離子系硬化劑亦可為市售品。就該市售品而言，舉例來說，例如ADEKA OPTOMER SP-172(ADEKA股份有限公司製)、ADEKA OPTOMER SP-170(ADEKA股份有限公司製)、ADEKA OPTOMER SP-152(ADEKA股份有限公司製)、ADEKA OPTOMER SP-150(ADEKA股份有限公司製)、Saneid SI-60L(三新化學工業股份有限公司製)、Saneid SI-80L(三新化學工業股份有限公司製)、Saneid SI-100L(三新化學工業股份有限公司製)、Saneid SI-150L(三新化學工業股份有限公司製)、CPI-100P(SAN-APRO股份有限公司製)、CPI-101A(SAN-APRO股份有限公司製)、CPI-200K(SAN-APRO股份有限公司製)、IRGACURE250(BASF公司製)等。
就該各向異性導電薄膜中陽離子系硬化劑的含有量而言，雖並未特別限制，能因應目的適當選擇，但以該各向異性導電薄膜中膜形成樹脂與 陽離子硬化性樹脂的含有總量為100質量份計，陽離子系硬化劑的含有量較佳為10質量份~40質量份，更佳為15質量份~30質量份。
<有機過氧化物>
就該有機過氧化物而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如二醯基過氧化物、過氧化二碳酸酯、過氧化縮酮、二烷基過氧化物、氫過氧化物、過氧化酯、過氧化酮、其他的過氧化物等。
本發明中該有機過氧化物的反應起始溫度較佳為高於該陽離子系硬化劑的反應起始溫度。
本發明中，陽離子系硬化劑的反應起始溫度指的是經由差示掃描量熱法(DSC,differential scanning calorimetry)測定的發熱起始溫度。
有機過氧化物的反應起始溫度指的是急速加熱試驗的發熱起始溫度，例如為日油有機過氧化物第10版表-3所載的發熱起始溫度。
該有機過氧化物的反應起始溫度較佳為高於該陽離子系硬化劑的反應起始溫度15℃以上，更佳為高於30℃以上。然而，一旦該有機過氧化物的反應起始溫度高於該陽離子系硬化劑的反應起始溫度50℃以上，則僅以安裝時的熱量，要將有機過氧化物活化至發揮防止腐蝕效果的程度係困難的，因此必需在安裝後以有機過氧化物的活化溫度進行退火處理。一旦施以退火處理，可充分地發揮防止腐蝕的效果。
該有機過氧化物的反應起始溫度較佳為高於該陽離子系硬化劑的反應起始溫度25℃~45℃，更佳為高於30℃~40℃。
同時，如以下(連接方法)中<熱處理製程>欄所述，該退火處理指的是使用該有機過氧化物的反應起始溫度以上之溫度來加熱之熱處理製程。
以膜形成樹脂、陽離子硬化性樹脂及陽離子系硬化劑的總量為100質量份計，該有機過氧化物的含有量較佳為1質量份~10質量份。
<自由基捕捉劑>
就該自由基捕捉劑而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如可使用對苯二酚衍生物等之一般作為聚合抑制劑所用的物品。
以膜形成樹脂、陽離子硬化性樹脂及陽離子系硬化劑的總量為100質量份計，該自由基捕捉劑的含有量較佳為0.1質量份~3質量份。
<膜形成樹脂>
就該膜形成樹脂而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如苯氧基樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂等。該膜形成樹脂可單獨使用一種，也可併用兩種以上。在這當中，從製膜性、加工性、連接可靠性的觀點來看，較佳為苯氧基樹脂。
就該苯氧基樹脂而言，舉例來說，例如藉由雙酚A及環氧氯丙烷所合成的樹脂等。
該苯氧基樹脂可使用適當合成的物，也可使用市售品。
就該各向異性導電薄膜中膜形成樹脂的含有量而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇。
<其他成分>
就該其他成分而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如矽烷耦合劑。
就該矽烷耦合劑而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如環氧系矽烷耦合劑、丙烯酸系矽烷耦合劑、硫醇系矽烷耦合劑、胺系矽烷耦合劑等。
就該各向異性導電薄膜中矽烷耦合劑的含有量而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇。
就該各向異性導電薄膜的平均厚度而言，雖並未特別限制，能因應目的適當選擇，但較佳為3μm~30μm，更佳為5μm~25μm，特佳為8μm~20μm。
就該各向異性導電薄膜的製造方法而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如將含有該導電性粒子、該陽離子硬化性樹脂、該陽離子系硬化劑、該有機過氧化物及該自由基捕捉劑，更佳為額外含有膜形成樹脂之組成物混合均勻後，將混合後之該組成物塗佈於經過剝離處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET,polyethylene terephthalate)薄膜上的方法。
<第一電子組件與第二電子組件>
就該第一電子組件與該第二電子組件而言，只要是具有端子，且係作為使用該各向異性導電薄膜之各向異性導電連接的對象之電子組件，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如玻璃基板、可撓性基板、剛性基板、積體電路(IC,Integrated Circuit)芯片、捲帶式自動接合(TAB,Tape Automated Bonding)、液晶面板等。就該玻璃基板而言，舉例來說，例如形成有鋁(Al)配線之玻璃基板、形成有銦錫氧化物(ITO,Indium Tin Oxide)配線之玻璃基板等。就該IC芯片而言，舉例來說，例如用於平板顯示器(FPD,Flat panel display)中控制液晶畫面之IC芯片等。
(連接方法與接合體)
本發明的連接方法至少包含第一配置製程、第二配置製程、加熱加壓製程，更因應必要，含有其他的製程。
該連接方法係為將第一電子組件的端子與第二電子組件的端子各向異性導電連接之方法。
本發明之接合體，係由本發明之連接方法而得。
作為本發明之較佳實施態樣，該連接方法還包含熱處理製程，於加熱加壓製程後，使用該有機過氧化物之反應起始溫度以上的溫度進行加熱。
就該第一電子組件與該第二電子組件而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如各自為例示於本發明之該各向異性導電薄膜的說明之該第一電子組件與該第二電子組件。
<第一配置製程>
就該第一配置製程而言，只要是於該第二電子組件的端子上，配置本發明的該各向異性導電薄膜之製程，並未特別限制，能因應目的適當選擇。
於該第二電子組件為玻璃基板、可撓性基板等之基板，且該第一電子組件為IC芯片、TAB等之情況下，該第一配置製程係例如為將該各向異性導電薄膜配置於該第二電子組件的端子上，並使該端子與該各向異性導電薄膜的導電性粒子含有層接觸。
<第二配置製程>
就該第二配置製程而言，只要是於該各向異性導電薄膜上，配置該第一電子組件，並使該第一電子組件的端子與該各向異性導電薄膜接觸之製程，並未特別限制，能因應目的適當選擇。
<加熱加壓製程>
就該加熱加壓製程而言，只要是藉由加熱加壓元件加熱及加壓該電子組件之製程，並未特別限制，能因應目的適當選擇。
就該加熱加壓元件而言，舉例來說，例如具有加熱機構的加壓元件等。就具有該加熱機構的加壓元件而言，舉例來說，例如加熱工具等。
就該加熱的溫度而言，雖並未特別限制，能因應目的適當選擇，但較佳為160℃~190℃。
就該加壓的壓力而言，雖並未特別限制，能因應目的適當選擇，但較佳為40MPa~80MPa。
就該加熱及加壓的時間而言，雖並未特別限制，能因應目的適當選擇，但較佳為5秒~10秒。
<熱處理製程>
作為本發明之連接方法的進一步較佳實施態樣，該連接方法還包含熱處理製程，於加熱加壓製程後，使用該有機過氧化物之反應起始溫度以上的溫度進行加熱(退火處理)。
因為針對經過上述加熱加壓製程後而得到之安裝後的接合體施以使用該有機過氧化物之反應起始溫度以上的溫度進行加熱之熱處理製程，即使於安裝時的熱量不足以使有機過氧化物活化之情況下，也能使有機過氧化物於安裝後充分地活化。因此，能夠提升防止腐蝕的性能。
該熱處理製程係提供該有機過氧化物之反應起始溫度以上的溫度。就該熱處理製程的加熱時間而言，只要是能充分地進行藉由有機過氧化物的酸捕獲反應即可，例如於達到該反應起始溫度以上的給定溫度後，加熱1分鐘左右。
具體而言，將安裝後的接合體置入設定有該給定溫度的SU-222加熱器(ESPEC股份有限公司製之加熱器)，經過數分鐘的熱處理後，自加熱器取出接合體，進而可得到退火處理後之接合體(退火品)。
[實施例]
以下，雖然說明了本發明的實施例，但本發明並不受此等實施例限定。
(實施例1)
<各向異性導電薄膜的製作>
將苯氧基樹脂(商品名：YP50，新日鐵住金化學公司製)34.5質量份、環氧樹脂(EP828，三菱化學股份有限公司製)35質量份、陽離子系硬化劑(Saneid SI-60L，三新化學工業股份有限公司製，鋶鹽型陽離子系硬化劑(反應起始溫度90℃))10質量份、矽烷耦合劑(KBE403，信越Silicon股份有限公司製)5質量份、導電性粒子(AUL704，積水化學工業股份有限公司製，其係於丙烯酸樹脂粒子的表面形成Ni/Au電鍍覆膜的金屬覆膜樹脂粒子，平均粒徑40μm)10質量份、有機過氧化物(PERBUTYL®L，日油股份有限公司製，反應起始溫度108℃)5質量份及自由基捕捉劑(特丁基對苯二酚(TBHQ)東京化成工業股份有限公司製)0.5質量份混合至均勻。將混合後的組成物塗佈於經過剝離處理之PET薄膜上，使其乾燥後的平均厚度為10μm，製作各向異性導電薄膜。
將各向異性導電薄膜的組成配比示於表1-1。
<接合體的製造與接合體的評價>
藉由以下方法製造接合體，且如以下所示地進行評價。將結果示於表2-1。
於第二電子組件上配置上述得到之各向異性導電薄膜，且使第二電子組件與各向異性導電薄膜接觸。接著，於各向異性導電薄膜上配置第一電子組件。接著，使用平均厚度50μm的鐵氟龍(登錄商標)薄片作為緩衝材，藉由加熱工具並以170℃、60MPa、5秒的條件來加熱及加壓該第一電子組件。
<<退火處理後之接合體(退火品)>>
於上述安裝後，將接合體置入溫度設定在110℃的SU-222加熱器(ESPEC股份有限公司製之加熱器)，經過5分鐘後，自加熱器取出接合體，進而得到施以熱處理製程之退火品。
亦針對該退火品進行與後述相同的腐蝕性評價。
<<腐蝕性評價>>。
-試驗用IC芯片與玻璃基板-
使用試驗用IC芯片(尺寸1.8mm x 20mm，厚度0.5mm，金電鍍凸塊的尺寸30μm x 85μm，凸塊高度15μm)作為第一電子組件。
使用形成有鋁梳狀(comb)配線之厚度0.7mm的玻璃基板作為第二電子組件。
-評價-。
施加5V的直流電(DC)至得到之接合體的鋁梳狀配線並持續12小時。將施加直流電後的12組鋁梳狀配線透過金屬顯微鏡觀察，並使用以下的評價基準進行評價。
[評價基準]
5：並未觀察到腐蝕
4：觀察到1~2個腐蝕處
3：觀察到3~5個腐蝕處
2：觀察到6個以上的腐蝕處
1：確認斷路
然而，於不確定是否對應到上述5階段評價的何者之微妙的結果時，也有取兩者的中間值「.5」的情形。例如，於判斷在2與3的中間之情況下，記為2.5。
<<接著性評價>>
-試驗用IC芯片與玻璃基板-
使用試驗用IC芯片(尺寸1.8mm x 20mm，厚度0.5mm，金電鍍凸塊的尺寸30μm x 85μm，凸塊高度15μm)作為第一電子組件。
使用整個表面都形成有ITO膜之厚度0.5mm的玻璃基板作為第二電子組件。
-評價-
藉由目視觀察經過壓力鍋試驗(PCT,pressure cooker test)後之各向異性導電薄膜相對於玻璃基板的隆起程度。再者，以121℃、2atm、5小時的條件下進行PCT。
[評價基準]
5：並未觀察到隆起
4：觀察到相對於壓接面積有超過0%但未滿10%的隆起
3：觀察到相對於壓接面積有10%左右的隆起
2：觀察到相對於壓接面積有20%左右的隆起
1：觀察到相對於壓接面積有整個表面的隆起
然而，於不確定是否對應到上述5階段評價的何者之微妙的結果時，也有取兩者的中間值「.5」的情形。例如，於判斷在2與3的中間之情況下，記為25。
<<綜合評價>>
於腐蝕評價與接著評價的結果都在3以上的情況，將綜合評價記為○。然而，即使腐蝕評價為2以上但未滿3，但只要經過退火處理後的腐蝕評價為3以上亦可將綜合評價記為○。
於腐蝕評價與接著評價的結果中其中一者在3以上，而另一者在2以上但未滿3的情況，將綜合評價記為△。
於腐蝕評價或接著評價的結果中其中一者落入1的情況，將綜合評價記為×。
(實施例2~7)
除了將各向異性導電薄膜的組成配比變更為表1-1與表1-2所示的以外，以與實施例1相同之方式製作實施例2~7的各向異性導電薄膜及接合體。
再者，於實施例2及實施例4~7中，除了將退火處理中加熱器的溫度設定為125℃以外，與實施例1相同之方式得到退火品。同時，於實施例3中，除了將退火處理中加熱器的溫度設定為150℃以外，與實施例1相同之方式得到退火品。
針對得到之接合體與實施例1進行相同的評價。將結果示於表2-1與表2-2。
(比較例1~3)
除了將各向異性導電薄膜的組成配比變更為表1-2所示的以外，以與實施例1相同之方式製作比較例1~3的各向異性導電薄膜及接合體。
再者，於比較例1及2中，除了將退火處理中加熱器的溫度設定為125℃以外，與實施例1相同之方式得到退火品。同時，於比較例3中，除了將退火處理中加熱器的溫度設定為90℃以外，與實施例1相同之方式得到退火品。
針對得到之接合體與實施例1進行相同的評價。將結果示於表2-2。
Figure 105106656-A0305-02-0017-1
Figure 105106656-A0305-02-0017-2
表1-1與表1-2中，PKHH代表巴化學工業股份有限公司製之苯氧基樹脂、JER806代表三菱化學股份有限公司製之雙酚F型環氧樹脂、PERMEK®N代表日油股份有限公司製之有機過氧化物(反應起始溫度90℃)、PERBUTYL®L代表日油股份有限公司製之有機過氧化物(反應起始溫度108℃)、PERCURE®HB代表日油股份有限公司製之有機過氧化物(反應起始溫度125℃)、PERCUMYL®P代表日油股份有限公司製之有機過氧化物(反應起始溫度149℃)、自由基捕捉劑甲基對苯二酚(MEHQ,methyl hydroquinone)係由東京化成工業股份有限公司製造。
Figure 105106656-A0305-02-0018-3
Figure 105106656-A0305-02-0018-4
從實施例1~7的結果可確認到本發明的各向異性導電薄膜能夠抑制配線的腐蝕且具有良好的耐腐蝕性。
上述評價中，並不希望腐蝕性的評價或者接著性的評價中任一者落入1的評價。任一者的評價為大於2的情況，配合其他項目的評價結果進行綜合評價。腐蝕性的評價或者接著性的評價在3以上的情況，就實用上而言是較佳的 結果。因此，從即使不進行退火處理但腐蝕性與接著性皆優異的觀點來看，實施例2可以說是顯示了最佳的結果。
同時，因為實施例3中施以退火處理，故可提升腐蝕性能。雖然附加了需要退火處理的條件，但在腐蝕性與接著性中，實施例3也確認到兩者皆顯示良好的結果。
[產業上的可利用性]
本發明的各向異性導電薄膜可適用於製造具有優異的耐腐蝕性與接著性之接合體。

Claims (4)

  1. 一種各向異性導電薄膜，係為將第一電子組件的端子與第二電子組件的端子各向異性導電連接之各向異性導電薄膜，其係包含：至少含有導電性粒子、陽離子硬化性樹脂、陽離子系硬化劑、有機過氧化物及自由基捕捉劑之該各向異性導電薄膜，其中，該有機過氧化物之反應起始溫度高於該陽離子系硬化劑之反應起始溫度。
  2. 一種連接方法，係為將第一電子組件的端子與第二電子組件的端子各向異性導電連接之連接方法，其係包含：第一配置製程，於該第二電子組件的端子上，配置如請求項1所述之各向異性導電薄膜；第二配置製程，於該各向異性導電薄膜上，配置該第一電子組件，使該第一電子組件的端子與該各向異性導電薄膜接觸；及加熱加壓製程，藉由加熱加壓元件來加熱及加壓該第一電子組件。
  3. 如請求項2所述之連接方法，其中，還包含：熱處理製程，於加熱加壓製程後，使用該有機過氧化物之反應起始溫度以上的溫度進行加熱。
  4. 一種接合體，其特徵在於，其係藉由如請求項1所載之各向異性導電薄膜的硬化物，各向異性導電連接有第一電子組件與第二電子組件。
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