TW200529440A - Liquid crystal display - Google Patents

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Description

200529440 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種液晶顯示器。 【先前技術】 液晶顯示器（LCD)係最廣泛使用的平板顯示器中之一。一 曰a ·、、、員示态包括一面板，係設置有場產生（field-generating) 私極（諸如像素電極與一共同電極），及一夾置其間之液晶 ()層液曰曰顯示裔顯示影像係藉由供應電壓至場產生電 極以在该液晶層内產生一電場，#決定在該液晶層内液晶 分子之定向，以調整入射光線之極化。 在液晶顯示器中，一垂直對準（VA)模式之液晶顯示器（其 對準液晶分子，使得在缺乏電場時液晶分子之長軸垂直於 面板）由於其高對比與寬視角而受到注目。 垂直對準模式液晶顯示器之寬視角可藉由在場產生電極 内之切除部份及在場產生電極上的突出件而實現。因為切 除與犬出件可決定液晶分子之傾斜方向，因此能藉由使用 切除與突出件將傾斜方向分佈至幾個方向以加寬視角。 然而，垂直對準模式液晶顯示器之側向能見度 見度差許多。 ％ 【發明内容】 、本务明提供—種薄膜電晶體陣列面板，其包括··一 A; 複數個形成於該基板上之第一 — 土 1 示彳°就線，禝數個愈該辇筮 信號線相交以定義像素區 /、、 r匕从 < 弟一 ^唬線； 像素區域域内且且有不^ 、貝上置於 -有不问面積之第一與第二像素電極； 93913.doc 200529440 數個薄膜雷曰雜 一一盥_日體，係連接至該等第一與第二信號線及該等 弟與弟二像素電極中至少一者；一與第二像素電極重疊 之輕合電極；及—用以決定形成於該基板上之液晶分子的 傾斜方向之傾斜方向定義構件。 ，土月提供—種液晶顯示器，其包括：一薄膜電晶體陣 板—共同電極面板、—形成於該薄層電晶體陣列面 f傾斜方向定義構件、及一第二傾斜方向定義構 彳其連同形成該共同電極面板上之該第一傾斜方向定義 =-起決^液晶分子的傾斜方向。該薄膜電晶體陣列面 =:羞：數個第一信號線；複數個與該等第-信號線相 ;疋義像素區域之第二信號線；實質上置於-像素區域 晶體，其連接至含亥等^ ^ 複數個薄膜電 °亥寻弟一與弟二信號線及該等第一盥第- 像素電極中至少一者；及一與第二像素電極重疊之麵= 極。該共同電極面板包括一用 用於連同該㈣— 電極一起產生電場之共同電極； 1豕京 :第-和第二傾斜方向定義構件可包括形成 和共同電極中的切除部份。 $ 7 本發明提供一種液晶顯示器，其包 ^ 數個形成於該第—基板上之第_信號 ▲板二:复 -信號線相交以定義像素區域 T彳®與遠寻弟 -像素區域内且具有不同面積之第弟=:虎線’·實質上置於 數個薄膜電晶體，係連接金弟一像素包極，複 第一與第二像素電極中至少一:弟―與Γ信號線及該等 與第二像素電極重疊 93913.doc 200529440 之耦合電極；一面對該第一基板之第二基板；一 啦成於第 二基板上之共同電極；一形成於該薄層電晶體、 卞μ面柄卜 之第一傾斜方向定義構件；及一第二傾斜方向定義構4 其連同形成於$亥共同電極面板上之第一傾斜方6 a、 一起決定液晶分子的傾斜方向，其中介於該第—像，構件 與該共同電極間之電壓差，與介於該第二像素電極=電極 同電極間之電壓差的比率係在05至0 95之範圍=與該共 该傾斜方向定義構件可包括該等第一盥二 之一的切除部份。 ，、-像素電極中 該耦合電極可連接至該等薄層電晶體 上。 < ~的~汲極 該等第-與第二像素電極可具有彼此面對之邊緣及 =隙’且該間隙包括與該等閘極線構成約45度角的傾斜 該薄膜電晶體陣列面板可進一步包括一第三信號豆 與該等第二信號線相交且供應—參考電壓，其中:等= 與該等第二像素電極是經由該耦合電極彼此電容,二：-且該溥膜電晶體包含_第—t晶體，其連接至 = 號線中之—'該等第_产啼令由 人一— /寺弟一“唬線中之一、及該第一像 及一第二電晶體，其連接至該等第一信號線，第’ 號線、及該第二像素電極中之一。 X、乐二15 該薄膜電晶體陣列面板可進一步包括 於該等第一盥第-後去+ ^ 、巴、、彖層，其係置 且呈有一第：：;電極及該等第一與第二電晶體間， ’、有 弟 接觸孔，用腺·-作主 用以將3亥弟一像素電極連接至該第 93913.doc 200529440 -一電晶體。 於=電晶體陣列面板可進-步包括-絕緣層，其係置 其中該第_與弟一像素電極及該等第-與第二電晶體間， 、 像素電極係連接至該第一 ♦曰遍 , 電晶體的-沒極重疊。 ％曰曰體，或與該第一 該*第一像素電極可具有一比第二像素電極大之面積。 ❿ 忒弟一像素電極可具有一、 倍大的面積。 像素,極面積的-至六 該薄膜電晶體陣列面板 隹一德去干上 Λ J進7包括一電容性耦合至該 弟像素笔極之第三像素電極。 【實施方式】 :發明現將在下文中參考附圖更充分地說明，其中顯示 本毛明的較佳具體實施例。然而，本發明可具體化為不同 形式，且不限於本文所提及之具體實施例。 在圖式中，各層、膜、基板、區域域等之厚度係為了明 ::加以誇示。圖式中相同號碼代表相同的元件。應瞭解 當一凡件（諸如一層、膜、區域域或基板）被指為「在另-元 :之上」其可直接位於其他元件之上或可在出現於插入其 等門之7L件上。相反地’當表示一個元件被指為「直接位 於另一元件上」時，便表示沒有插入元件出現。 現在’根據本發明具體實施例之液晶顯示器及用於液晶 顯示器的薄膜電晶體陣列面板將參考附圖加以說明。 依據本發明具體實施例之液晶顯示器將參考圖丨至5詳細 說明。 93913.doc -10- 200529440 圖！係依據本發明一具體實施例之液晶顯示器的一薄膜 電晶體陣列面板之佈置圖，圖2係依據本發明一具體實施例 之液晶顯示器的一共同電極面板之佈置圖，圖3係包括圖【 所示薄膜電晶體陣列面板與圖2所示共同電極面板的液晶 顯示器之佈置圖；且圖4係圖4中所示液晶顯示器沿線v_v， 之剖面圖。 根據本發明一具體實施例的一液晶顯示器包括一薄膜電 晶體陣列面板100、一共同電極面板200，及一液晶層3〇〇, 液晶層300夾置於面板100與200間，且含有複數個經對準以 貫質上垂直面板100與200之表面的液晶分子31〇。 現將麥考圖1、3與4詳加說明薄膜電晶體陣列面板1〇〇。 複數個閘極線121及複數個儲存電極線131係形成在一諸 如透明玻璃之絕緣基板1 1 0上。 閘極線12 1貫質上在橫向延伸而彼此分離且發送閘信 號。各閘極線121均包括複數個第一與第二閘極123&與 123b，及一具有大區域域用於與一外部驅動電路連接之端 部125。第一閘極123a具有比閘極線121之其他部份更寬的 寬度。 各儲存電極線1 3 1實質上在橫向延伸且包括複數個環狀 分支133a至133c，及複數個在相鄰分支U3a-133c間連接之 分支連接件133d。各組分支均包括在縱向方向延伸的一對 第一與弟一儲存電極133a與133b，及一連接第一與第二儲 存電極133a與133b末端之第三儲存電極133c，且其在橫向 與傾斜方向延伸。儲存電極線13 1會被供應一諸如共同電壓 93913.doc -11 - 200529440 之預定電壓，該電壓係施加 板200上的一共同電極2川。 連接。 至該液晶顯示器之共同電極面 1亥等第三儲存電極133c可彼此 H121與儲存電極線_佳地是由㈣金屬_ 呂/、呂口孟）、含銀金屬（譬如銀與銀合金）、含銅金屬（譬如 :’、銅σ孟)、含鉬金屬(譬如鉬與鉬合金)、絡、鈦或鈕製 一、閘極線121與儲存電極線131可具有一多層結構，包括
“ “、有不同物理特徵之膜，即一下層膜（未顯示）與-上層 膜（未』不）上層膜較佳地是由含銀金屬（譬如銀與銀合金) 之低電阻金屬制# m 王屬衣成，用以減低閘極線121與儲存電極線131 中之信號延遲或電壓下降。另一方面，下層膜較佳地係由 與其他材料諸如銦錫氧化物（ITO)或銦鋅氧化物（IZ0)有良 好接觸特性之鉻、錮及翻合金材料製成。然而，閘極線121 與健存電極線131可由其他各種材料S導電材料製造。
閘極線12 1與儲存電極線1 3 1之側向邊緣相對於基 板表面係傾斜的，且其傾斜角在約20至80度之範圍。、土 車又仫疋由矽氮化物（SiNx)製成之閘極絕緣層1會开乂 成於閘極線121與儲存電極線131上。 較仏疋由氫化非晶矽（簡稱「a_矽」）或多晶矽製成之複數 個半導體長條151與複數個半導體島狀件154b係形成於閑 極、、、巴、、彖層140上。各半導體長條丨5丨實質上在縱向延伸，且 具有複數個分別向外朝第—閘極丨仏之突出件154&。半導 體島狀件154b係置於第二閘極上。 複數個歐姆接觸導狀物（未顯示）較佳是由矽化物或n+氫 93913.doc -12- 200529440 化石夕重度摻雜（諸如含填的知型雜質製成之複數個歐姆接 觸長條與島狀件161與165a，係形成於半導體長條151與半 · 導體島狀件154b上。各歐姆接觸長條161具有複數個突出件 163,且該突出件163與歐姆接觸島狀件165係成對地位於半 導體長條151之突出件154让。在半導體島狀件lMa上之歐 姆接觸島狀件也成對地設置。 導體長條151與歐姆接觸161與165之側向邊緣係相對於 該基板的一表面傾斜，且其傾斜角較佳地是在約3〇至8〇度 _ 之範圍内。 包括複數個第一源極173a與複數個第一汲極175&，以及 複數個第二源極l73b與複數個第二汲極175b之複數個資料 線171，係形成於歐姆接觸161、165與閘極絕緣層14〇及半 導體島狀件154b上。 用於傳送資料電壓之資料線171實質上在縱向延伸且與 閘極線121、儲存電極線131及分支連接件U3d相交。各資 料線171係置於相鄰分支133心133(：間，且其包括一具有較 罐 大面積以接觸另一層或一外部元件之端部丨79。各資料線 171之複數個分支（其朝第一汲極175&突出件）形成第一源極 173a。第二源極173b與第二汲極175b係置於第二間極丨2^ 上。各個第一/第二汲極175心1751)從一端部向上/向下延 伸，且包括一具有較大面積以接觸另一層之擴展部份，且 · 各個第一/第二源極l73a/173b係形成曲狀，以部份包圍第一 /第二及極175a/175b的端部。 一第一閘極123a、一第一源極173a與—第—汲極n5a， 93913.doc -13- 200529440 形成具有一通道（形成在置於第 175b間之半導體島狀件15外中）的 連同一半導體長條151之突出件⑽，形成具有—通道（形 成在^於第-源極173a與第—汲極175_之突出件㈣中） 、第薄膜电晶體。同樣地，一第二閘極i23b、一第二 源極i73b與-第二汲極1751)，連同—半導體島狀件論， 二源極173b與第二汲極 一第二薄膜電晶體。 ^各第及極175a延伸以形成一津禺合電極pa，且 該雜合電極i76b包括—與第一儲存電極ma部份重疊之縱 向部份，三個傾斜部份連接至該縱向部份且彼此平 地延 伸，而-橫向部份連接至該三個傾斜部份且與第三儲存電 極133c部份重疊。耦合電極17讣之傾斜部份與閘極線丨21構 成約45度的角纟。傾斜部份中的二個係連接至該縱向部份 之個別末鈿，且將近構成一直角，而剩餘的一傾斜部份係 連接至該縱向部份的一中間點及第一汲極175b的擴展件。 貧料線171、汲極175&與1751)及第二源極173b較佳地由諸 如鉻、含鉬材料、鈦及含鈦或鋁金屬之耐燃金屬製造，且 其等也可具有一多層結構，包括一較佳是由耐燃金屬製造 之下層膜(未顯示)，及一位於其上且較佳是由低電阻材料製 造之上層膜（未顯示）。 、 如同閘極線121與儲存電極線131，資料線171、汲極n5a 與175b及第二源極173|3具有傾斜之側邊，且其等之傾斜角 從約30至80度。 歐姆接觸161與165只夾置於下方半導體長條151與上方 之資料線17：1、上方之汲極1753與175b及在其上之第二源極 93913.doc -14- 200529440 1 73b間’且減低其間之接觸電阻。半導體長條15丨及島狀件 154b包括複數個曝露部份（其等未被資料線17ι、汲極175a 與175b及第一源極173b覆蓋），諸如位於源極173a與173b及 汲極175a與175b間之部份。 一鈍化層180係形成於資料線17;1、汲極17化與1751)、第 一源極173b及半導體長條15丨曝露之部位上。鈍化層18〇較 佳地是由具有一良好平坦特徵之光敏有機材料，具有介電 苇數低於4·0之低介電絕緣材料，諸如藉由電漿增強化學氣 相沈積（PECVD)形成之a_矽：碳：氧與^矽：氡：氟，或無 機材料（譬如矽氮化物）製成。鈍化層18〇可包括一無機絕緣 體之下層膜與一有機絕緣體之上層膜。 鈍化層180具有複數個接觸孔igia、181b、183與186，係 分別曝露第一與第二汲極175a與175b之擴展部份、資料線 1 7 1之部17 9及第一源極1 7 3 b。鈍化層1 8 0與閘極絕緣層 140具有複數個接觸孔182、ι83與184，係曝露閘極線i2i 之端部125、第一儲存電極133a的端部、及靠近第一儲存電 極13 3 a之該端部的儲存電極線13 1的部份。 較佳地由一諸如ITO或IZO之透明導體或諸如鋁之反射 性導體製成之複數個成對的第一與第二像素電極19〇&與 190b、複數個接觸辅助件95與97、及複數個儲存連接件91， 係形成在鈍化層180上。 儲存連接件91跨過閘極線12ι與第二源極173b，且其等分 別透過相對於閘極線121彼此相反之接觸孔丨84與丨8 5，連接 至第一儲存電極133a之端部的曝露突出部份與儲存電極線 93913.doc •15- 200529440 131之曝露部份。此外，儲存連接件91係透過接觸孔186連 接至第二源極173b。包括儲存電極133&與13孙之儲存電極 · 線131，連同儲存連接件91與第二源極17扑可用以修復在間 極線121、資料線171或薄膜電晶體中之缺陷。閘極線ΐ2ι 間之電連接及用以修復問極線121之儲存電極線131之獲 付，係藉由以雷射光束照射閘極線121與儲存連接件Μ之交 叉點，以電連接閘極線121至儲存連接件91。在這情況下， 少原極1乃b增強介於閘極線12 1與儲存連接件9 1間之電 鲁 連接。 第/第一像素電極19〇a/190b係實體上與電性上透過接 觸孔181a/18lb連接至第-/第二汲極175a/175b，使得第一/ 第二像素電極190a/190b從第一/第二汲極175a/mb接收資 料/共同電屢。此外，第二像素電極19仙與耗合電極⑽ 疊。 至 =得資料電壓供應之像素電極19〇a_協同共同電極 电双，其使置於液晶層300内之液晶分子3丨〇重新定 儀| i9〇a/190b與共同電極270形 /、在薄膜私晶體斷路後儲存供應的電壓。一 「 存電容器」之額外+ —抑/ * 馬儲 ^ ^ n 1外电谷益、（其並聯至液晶電容器）係提#% 增強電壓儲在六3 κ用於 储存合I。該儲存電容器可藉 19〇a及i90b鱼包 旦像素電極 線⑶而實施 存電極133a、133^133e之儲存電極 一對第一鱼第— ^ —像素黾極19(^與190b彼此嚙合而插入一 939i3.doc -16- 200529440 間隙191，且其等外部邊界有一 有具有斜切左角之實質矩形。 -素電極190a具有—旋轉等邊梯形之形狀，复且有— 靠近—輕合電極176b縱向部份設置之左邊緣、—靠近第二 儲存電極133b設置之右碡給 ^ 17„ 置之右邊緣、及-對實質上平㈣合電極 176b之傾斜部份延伸的上盥 ,9 1 ., ^ 、下傾斜邊緣，且因此與閘極線 121構成一約45度的角度。第一伤| 十 弟一像素電極1 90b包括一對面對 弟—像素電極19〇a之傾斜邊的梯形部份，及一面對第 素電極190a左邊緣的縱向部份。因此，間隙191具有一對且 =質上-致寬度且與閘極線121構成約45度角之傾斜上/ :伤，及一具有實質上-致寬度的縱向部份。 弟一像素電極190a具有上與下切除部份192，及 切除部份193與194，其分判筮挣主办 刀J弟一像素電極190a成為複數個 ::隔件。上與下切除部份192係分別置於像素電極19。的 半部上，而中間切除部㈣3與194係位於上切除部 ?、下切除部份92間。間隙191與切除部份職⑼相對 =一平分第-像素電極⑽a之上與下半部的虛構橫向中心 線，係實質上具有倒反之對稱性。 上切除部份192實質上平；^ Μ时、， Λ 之上傾斜部份延伸， 貝二上垂直於下切除部份192(其實質上平行間隙⑼之 極上與I切除部份192從將近第-像《 ° 1緣’延伸至第—像素電極19Ga的右邊緣。 線中間切除部份193包括—沿著像素電極⑽之橫向中心 及’從將近第—像素電贱之左邊緣延伸的橫向部份， 及一對傾斜部份，該對傾斜部份從該橫㈣份延伸到第一 93913.doc -17- 200529440 像素电極190a之右邊緣，且併 . 另只貝上平行上切除部份1 92 與下切除部份192延伸。中卩14：77ii/^ 92 中間切除部份194沿第一像素雷 19〇a的橫向中心線延伸’且具有來自 〜 分別平行上切除部份192與下切除二二 之傾斜邊緣）右邊緣的一入口。 因此’第一像素電極19〇a 7上牛邛也疋由上切除部份192 與中間切除部份193分為三個上分 u工刀Μ件’而弟一傻夸帝士 19〇a的下半部係由下切除邱士 ”包極 一 / _ 卜切除邓伤192與中間切除部份193分為 二個下分隔件。分隔件的 … —件的數目或切除部份的數目係根據諸 如像素尺寸、第一盘楚-你主a /、弟一像素電極190a與190b之橫向邊綾 與縱向邊緣的比、液晶芦3 00的刑々a & 、 ^ 促日日層3 0 〇的型式與特徵等之設計因 改變。為說明方便，間隙191也稱—切除部份。 ^夺，儲存電極線131可進—步包括與㈣部份ΐ9ι·ΐ94 重豐的複數個分支（未顯示出）。 接觸輔助件95與97係透過接觸孔182與183分別連接至間 極線121之端部125，及杳祖綠^ 及貝科線171之端部179。接觸輔助件 95與97保護端部125與179’且輔助端部125及179與外部元 件之附著。 以下參考圖2至4說明共同電極面板2〇〇。 柄為黑色矩陣用以防止光茂漏之光阻隔構件⑽係形 成在-諸如透明玻璃之絕緣基板21()上。光阻隔構件2料 包括複數個面對像素電極19G之開σ ’且其可實質上與像素 電極190之形狀相同。 、 複數個濾色器230係形成在基板21〇上，且其等係實質上 93913.doc -18- 200529440 置於由光阻隔構件220包圍的區域域。濾色器23〇可實質上 沿像素電極190縱向延伸。濾色器230可表示諸如紅、綠與 藍色之原色中之一。 一用以防止濾色器230曝露且用以提供一平面之上覆蓋 250係形成於濾色器230與光阻隔構件220上。 一較佳係由諸如IZO或ITO之透明導體材料製成之共同 電極270係形成於上覆蓋250上。 共同電極270具有複數組之切除部份271-276。 一組切除部份271-276面對一對第一與第二像素電極 190a與190b，且包括複數個下與上切除部份π!與272及275 與276及中間切除部份273與274。各個切除部份271_276係 置於在第一像素電極19〇a之相鄰切除部份191_194間，或介 於切除部份191與第二像素電極19〇1)的斜切邊緣間。此外， 各個切除部份271-276具有至少一傾斜部份，係平行第一像 素電極190a之上切除部份192或下切除部份192延伸，而切 除部份27 1-276與191-1 94中相鄰二者（其傾斜部份）間，及第 二像素電極190b的該等斜切邊緣（其等彼此平行）間之距離 實質上相同。切除部份271-276相對於第一像素電極19如的 一虛構橫向中心線係實質上具有倒反之對稱性。與耦合電 極176b之傾斜部份重疊的切除部份27卜272與276的切除部 分，可防止靠近切除部份271、272與276之光洩漏。 各個切除部份271與276均具有一傾斜部份，其大約從像 素電極1 90的左邊緣延伸至大約像素電極丨9〇的上或下邊 緣，及一橫向與縱向部份，係從傾斜部份之各自末端沿像 93913.doc -19- 200529440 素電極190的邊緣延伸，與像素電極19〇之邊緣重聂， 傾斜部份構成鈍角。 龙’且與 各個切除部份272與275均具有_傾斜部份、— .. 峡向部 妾至該傾斜部份的末端、及一與該傾斜部份另一端、 的擴展部份。該傾斜部份大約從像素電極19〇之左=連接 二大約像素電極190之右上方或右下方角。縱向部份從傾斜 二份的末端沿像素電極190之左邊緣延伸，與像素電極⑽
2左邊重疊’且與該傾斜部份構成一純角。該擴展 盖像素電極190之各個角落。 切除部份273具有-對傾斜部份，係大約從像素電極⑽ 工邊緣的中心延伸至像素電極⑽的右邊緣 該等傾斜部份的-交會點延伸向左：及一對縱向==
4寺各自的傾斜部份沿像素電極⑽之右邊緣延伸，與傻: 電極7之右邊緣重疊，且與各自的傾斜部份構成H 切除部份274具有一橫向部份，沿像素電極19〇之橫向中心 線延伸’· -對傾斜部份’從該橫向部份延伸大約至像素電 ^ 190之右邊緣，且與該橫向部份構成—鈍角；及—對縱向 :份’從該等各自的傾斜部份沿像素電極190之右邊緣延 ，與像素電極190之右緣重疊，且與該各自的傾斜部份構 成一鈍角。 切除口p份271-276的數目可士戸姑 < 二丄门士 十因素改變’而光阻隔 構件220也可與切除部份271_276 份271_276之織。 気經由切除部 门日”如果沒有上覆蓋25〇，切除部份η]%可能會曝 93913.doc -20- 200529440 路濾色态2 3 0之部份，且清多 且‘邑态230之曝露部份可能污染液 晶層300。 用以對準液晶分子3丨〇之料 子準層11與2 1係塗佈在面板100 契200的内表面上，且橫跨之極化器分別設置於面 板100I42GG之外表面上，使極化器㈣以—的發射轴係 平行於橫向。當液晶顯示哭 口口係反射式液晶顯示器時，可 省略該等極化器中之_。 液晶層3〇0具負介電質異向性，且在液晶層300中之液晶 刀ΓΓ0係對準’使件其等之長軸實f上在缺乏電場時垂直 於遠寺面板的表面。 圖1至4所示之液a顯；w 成日日顯不态係以圖5中所示之等效電路代 表。 請麥考圖5,液晶顯示器包括複數_極線 線及複數個像素，且夂#去、4 + π且各像素包括一對第一與第二子像素與 一輕合電容器Ccpb。各早/会各认a ^ 各子像素均包括一第一/第二液晶電容 ^IClca/Clcb、一 第 一 / 镇一紗六雨 弟一儲存電谷器Csta/Cstb，及一第一 /弟一薄膜電晶體T1/T2。兮楚 一 ^ 5亥弟一/弟二液晶電容器Clca/Clcb 係由一第一/第二像素電 ^ π ^ % 、一共同電極 27〇，及 一置於第一 /第二像素雷托 ”電極190a/190b上的液晶層300的區域 域組成。第一 /第二儲在带 贿仔甩合态Csta/Cstb係由第一/第二傻音 電極190a/190b、一儲在a 素 罐存電極線13 1組成，及夾置直中之絕 緣體140與180形成。第_ 、 FT係連接至一閘極線、一獲得供 給資料電壓之資料線、及電容器㈤與加，而第二薄膜電 晶體T2係在-閘極線連接至薄膜電晶體τι、一被供應一共 93913.doc -21 - 200529440 同電壓之錯存電極線、及添^六抑 及包谷态Clcb與Cstb前連接至該閘 極線。耦合電容器Ccpb係由一泰 祸口安極176b、弟二像音泰 極190b組成，而一絕緣體14〇 ’、兒 其間且在溥膜電晶體 T1與T2之輸出端間連接。 現將详加說明一像素之作用。 /二Γ連接至第二TFT T2之閘極線供應-閘接通電壓 日宁’弟二缚膜電晶體丁2接通以將共同電壓傳送至第二像 笔極190b ’其最終係由該共 本止、， 、 y ，、丨J私壓更新。當先前閘極線獲 知i、應閑斷路I壓時’第二像素電極^嶋變成浮動。當 二前連接，第—薄膜電日日日㈣之閑極線獲得供應-閘接i r 第薄膜包晶體τ 1接通以將一資料電壓傳送至第 一像素電極190a。因Α笛-你主 馮弟一像素電極1 90b係浮動且透過該 _合電容IlCepb電容性耦合至第—像素電極i術，第二像 素電極190b之電壓係藉由該電容性耦合改變。該電容性耦 T使第二像素電極l90b之電壓大小比第一像素電極19以 南，此將詳加描述。 橫跨第一液晶電容器Clca之電壓係由Va(=Vdl)所示，且 橫跨第二液晶電容器Clcb之電壓係由Vb所示。電壓分配定 律導出：
Vb«l/(C1+2C2)x[(2.C3/C2)x(C1 + C2)xVdl] ^ 其中 CeClca+Csta，C产Ccpb，且 C3=clcb + Cstb，而電容器
Clca、Csta、Clcb、Cstb與Ccpb之電容係由如電容器clca、 Csta、Clcb、Cstb與Ccpb等相同的字符所指。介於薄膜電晶 體T1與T2之端子間的寄生電容因為微小而可省略。 939l3.doc -22- 200529440 電壓vb可加以控制，使得電壓Vb接近電壓Va，但藉由調 整電谷器Clca、Csta、Clcb、Cstb與Ccpb之電容後會永遠比 壓咼。尤其疋，可藉由調整電容Ccpb以有效地控制電 壓Va與Vb之比。可藉由改變耦合電極1761}與第二像素電極 190b間之覆蓋區域或距離調整電容Ccpb。例如，可藉由變 化耦合電極176b之寬度改變重疊區域域，且可藉由將耦合 電極176b置於與閘極線121相同之層中而改變距離。 才κ跨液晶電容器Clca與Clcb之非零電壓產生實質上與面 板100與200之表面垂直的電場，且液晶分子31〇傾向於改變 其等之定向以回應該電場，使得其等之長軸與電場方向垂 直。因為在第一液晶電容器Clca中之場強度不同於第二液 晶電容器Clcb，在第一與第二液晶電容器〇1(^與Ckb中之液 晶分子310會經歷不同傾斜力，以具有不同傾斜角。因此， 可增進橫向能見度。 根據只驗，依據此具體實施例之液晶顯示器中，由1 ·(橫 向伽瑪曲線之梯坡度）/(前方伽瑪曲線之梯度）表示的橫向 能見度經測量為極佳的約〇·22-〇·35。此外，液晶顯示器的 孔彷比成乎等於每一像素均具有一像素電極的液晶顯示 器。 第一像素電極190a之面積較佳地大於第二像素電極 190b，但較佳地是小於第二像素電極19叽面積的約六倍。 在圖I—4所示之液晶顯示器中，第一像素電極190a的面積約 是第二像素電極190b的五倍。此外，電壓％與¥1^之比較佳 地在約0·5〇與約ο %之範圍間。 93913.doc -23 - 200529440 同時’ 一組切除部份191-194與271-276將一對第一與第 一像素電極19〇a與i9〇b分為複數個子區域，且每一子區域 如圖3中所示具有二主要邊緣。切除部份191_194與2乃_276 控制在液晶層300中之液晶分子310的傾斜方向。此將會詳 加描述。 第一電極190a與270之切除部份191-194與271-276，及第 二像素電極190之邊緣使電場扭曲以具有一水平分量。電場 的水平分量係與切除部份191_194與271_276及像素電極19〇 的邊緣垂直。 因此，在該等子區域上之液晶分子31〇的傾斜方向係不 同，且因此增大視角。 至少一個切除部份191-194與271-276可用突出件或凹處 取代，而切除部份191-194與271-276的形狀與配置可加以二 改。 此外，可修改耦合電極17讣之形狀與位置，其將詳加描 述。 依據本發明另一具體實施例之液晶顯示器將參考圖6盥7 詳加說明。 μ 圖6疋依據本發明另一具體實施例之液晶顯示器的薄臈 電晶體陣列面板之佈置圖’而圖7是圖6中所示包括薄膜電 晶體陣列面板的液晶顯示器之等效電路圖。 、电 依據此具體實施例的一液晶顯示器包括如圖6中所示的 -薄膜電晶體陣列面板、圖2所示之共同電極2〇〇、圖4中所 示的液晶分子層31〇，而依據此具體實施例之面板的層狀結 93913.doc 200529440 構與圖4所示幾乎完全相同。 關於薄膜電晶體面板陣列，複數個包括複數個第一與第 · 二閘極123a與123b及端部125之閘極線121，及複數個包括 複數個第一至第三儲存電極133&至133c及分支連接件133d 之儲存電極線131係形成於一基板11〇上，而一閘極絕緣層 140、複數個包括複數個突出件15乜與複數個半導體島狀件 154b之半導體長條151、及複數個包括複數個突出件163與 複數個歐姆接觸島狀件i 65的歐姆接觸長條i 6丨係依序形成 籲 於其上。複數個包括複數個第一源極173a與端部179的資料 線17：1，及複數個第一與第二汲極175&與17此係形成在歐姆 接觸161與165上，且一鈍化層18〇會形成於其上。複數個接 觸孔18 la至186係設置在鈍化層18〇與閘極絕緣層14〇上。複 數組具有複數個切除部份^丨-丨94之第一與第二像素電極 190a與190b、複數個接觸辅助件95與97、及複數個儲存連 接件91係形成在該鈍化層1 8〇上。 關於共同電極面板200，光阻隔構件22〇、複數個濾色器 儀 230、一上覆盍25〇及一具有複數個切除部份的共同 私極270係形成在圖2與4中所示的一絕緣基板21〇上。 與圖1 -5中所示液晶顯示器不同的是，依據此具體實施例 的一對第一與第二像素電極190a與190b係沿一切除部份 192而非沿切除部份191分開，且依據此具體實施例的液晶 · 、員示杰的像素包括第一到第三薄膜電晶體τ 1 _T3。如圖 1 5中所不的液晶顯示器，第一薄膜電晶體丁 1係連接至一閘 極線、一供應資料電壓之資料線及一第一液晶電容器Clca 93913.doc -25- 200529440 與一第一儲存電容器Csta，而第二薄膜電晶體丁2係在—閘 極線連接至薄臈電晶體T1、一供應一共同電壓之儲存電極 線及第—液晶電容器Clcb與一第二儲存電容器Cstb前 連接至該閘極線。第三薄膜電晶體T3係連接至先前的閘極 線、資料線及電容器Clcb與Cstb。 W 極 123a 請苓考圖6，第一薄膜電晶體T1包括
第一源極173a及一第一汲極175a，而第三薄膜電晶體τ3包 括連接至先前閘極線、一第一源極173a及一第三汲極 1 75c之一第一閘極丨23a。第二薄膜電晶體丁2包括一第二閘 極123b、一第二源極173b及一第二汲極I?%。 第一與第三汲極17化與175c沿一第二儲存電極13扑延 伸，然後其等沿一切除部份274彎曲以彼此會合。第一汲極 175a具有-對分支，其形成合電極Η·與切除部份 271與272重疊。第：汲搞m θ 士 ν ^ 弟一，及桎175c具有一分支，其形成一耦合 電極176c且與切除部份275重疊。
紅作中，當先前連接至第二與第三薄膜電晶體丁2與丁3之 閘極線供應—閘接通電科’第二薄膜電晶體⑽通以將 共同電轉送至第二像素電極腸，且第三薄膜電晶體τ3 也接通以將—先前像素的-資料㈣傳送至卜像素電極 胸。接著’耦合電容器Cepb儲存介於先前資料電麼與共 同電壓間之電壓差。去；查姑1 @ — 田連接至弟一溥膜電晶體丁1之目前閘 極線獲得供應一間接通電壓時，第一薄膜電晶體η接通以 傳达一目前之像素的資料電麼至第一像素電極胸。因為 第二像素電極·係浮動且透過該耗合電容器ccpb電容性 93913.doc -26- 200529440 素電極19Ga，第二像素電極190b之電壓係藉 由該電容性耦合改變。 上述於圖1_5中所示液晶顯示器的許多特徵可適用於圖6 與7所不之液晶顯示器。 據本毛明另一具體貫施例之液晶顯示器將參考圖$與9 詳加說明。 ^ 圖8是依據本發明另一具體實施例之液晶顯示器的薄膜 電晶體陣列面板佈置圖，而圖9是圖8中所示包括薄膜電晶 體陣列面板的液晶顯示器之等效電路圖。 $據此具體實施例的一液晶顯示器包括如圖8中所示的 薄膜電晶體陣列面板、圖2所示之共同電極200、及圖4 斤八勺液曰曰層3 1 〇 ’而依據此具體實施例之面板的層狀結 構與圖4所示幾乎完全相同。 關於類似圖6中所示之薄膜電晶體面板陣列，複數個包括 複數個第一與第二閘極123&與123b及端部125之閘極線 121及複數個包括複數個第一至第三儲存電極至Η]。 及分支連接件133d之儲存電極線131係形成於一基板11〇 上而閘極纟巴緣層14 0、及複數個包括複數個突出件1 $ 4 a 與複數個半導體島狀件1541)之半導體長條151、及複數個包 括複數個突出件163與複數個歐姆接觸島狀件165的歐姆接 觸長條161係依序形成於其上。複數個包括複數個第一源極 173a與端部179的資料線171，及複數個第一與第二汲極 175a與175b係形成在歐姆接觸161與丨65上，且一鈍化層18〇 會形成於其上。複數個接觸孔1 8 1 a至1 8 6係設置在鈍化層 93913.doc •27- 200529440 1 80與閘極絕緣層ι4〇上。複數組具有複數個切除部份 191-194之像素電極19〇^19〇〇、複數個接觸輔助件95與97、 — 及複數個儲存連接件9丨係形成在該鈍化層1 8〇上。 . 關於共同電極面板2〇〇，一光阻隔構件220、複數個濾色 為230、一上覆蓋250及一具有複數個切除部份271-276的共 同電極270係形成在圖2與4中所示的一絕緣基板2 1〇上。 與圖6與7中所示之液晶顯示器不同的是，一組像素電極 19〇3-190(：包括第一、第二與一對第三像素電極19〇^19(^， φ 开7成第一至第二液晶電容器Cica、Cict^ cicc，及第一至第 二儲存電容器Csta、Cstb與Cstc。第一與第二像素電極190a 與190b係沿一切除部份192分開，而第二與第三像素電極 1鳴契190(：係沿一切除部份191分開。第三電極1恢係浮 動0 此外第汲極175&具有一形成耦合電極1761)之分支，
且^括-與_第三儲存電極13乂重疊之橫向部份、一連接 至心'向。IMh且與-切除部份271重疊之傾斜部份、—與儲存 電極咖重疊之縱向部份、及—對與切除部份⑺與2%部 份重疊之傾斜部份。因此，耦合電極mb重疊第二與第三 像素電極⑽與⑽以形成轉合電容器Ccpb與Ccpc。、第三 汲極17 5 c沒有分支。 插作中’當先前連接至第-一— 弟一與弟二溥膜電晶體T2與 閘極線供應一閘接通電壓時， 弟一溥朕電晶體T2接通 將該共同電壓傳送至第二像 1冢素包極190b，且第三薄膜 體丁3也接通以將用於—先 、 无則像素的一資料電壓傳送至 93913.doc -28- 200529440 像素電極19(^。當連接至第— 供靡一 ^日日體T1之目前閘極線 仏應一閘接通電壓時，第一薄 乂你主 ^日日體T1接通以傳送一目 =素的資料電遂至第一像素電極⑽。因為第 三 像素電極隱與19〇C係浮動且透過該轉合電容器Ccpb電： I·生耦合至第一像素電極19〇a， lon 罘一共弟二像素電極190b與 c之電壓係藉由該電容性輕合改變。該電容性輕合使第 -料電極隱之„大小比第—像素電極19Ga高且盆 使弟:像素電極⑽之電壓大小比第—像素電極190a低、 此將詳加描述。 横跨第-液晶電容器Clca之電壓係由Va所示，且橫跨第 二液晶電容器㈤之電壓係由Ve所示。電壓分配轉導出：
Vb«Vax[(Ccpc/(Ccpc+Clcc))<Va ^ 其中電容器Clcpc與Clcc之電容係由與電容器ci“與 ClCpc之相同字符表示。可藉由調整電容㈣以有效地控制 電壓MVc之比。可藉由改變麵合電極⑽與第三像素電 極19〇c間之覆蓋面區域或距離而調整電容¥。在圖^所 示=液晶顯示器中’第—至第三像素電極胸指c的面積 有著1 ·· 1.37 : 0.44的比例關係。 上述於圖1 -7中所不液晶顯*器的許多特徵可適用於圖8 與9所示之液晶顯示器。 依據本發明另-具體實施例之液晶顯示器將參考圖1〇與 11詳加說明。 圖10係依據本發明另一具體實施例之液晶顯示器的薄膜 電晶體陣列面板佈置圖，而圖u是圖1〇中所示包括薄膜電 93913.doc -29- 200529440 晶體陣列面板的液晶顯示器之等效電路圖。 依據此具體實施例的一液晶顯示器包括如圖1 〇中所示的 一薄膜電晶體陣列面板、圖2所示之共同電極200、及圖4 中所示的液晶層3 10，而依據此具體實施例之面板的層狀結 構與圖4所示幾乎完全相同。 關於薄膜電晶體面板陣列，複數個包括複數個第一與第 二閘極123a與123b及端部125之閘極線121，及複數個包括 袓數個弟一至弟二儲存電極133a至133c及分支連接件133d 之儲存電極線13 1係形成於一基板11 〇上，而一閘極絕緣層 140、複數個包括複數個突出件15如與複數個半導體島狀件 154b之半導體長條151、及複數個包括複數個突出件163與 複數個歐姆接觸島狀件165的歐姆接觸長條161係依序形成 於其上。複數個包括複數個第一源極丨73a與端部i 79的資料 線171，及複數個第一與第二汲極175&與17讣係形成在歐姆 接觸161與165上，且一鈍化層180係形成於其上。複數個接 觸孔181a與182-186係設置在鈍化層18〇與閘極絕緣層14〇 上。複數組具有複數個切除部份191_194之第一與第二像素 电極1 90a與190b、複數個接觸辅助件95與97、及複數個儲 存連接件91係形成在該鈍化層1 80上。 關於共同電極面板200，一光阻隔構件22〇、複數個濾色 的23 0 上伋盍250及一具有複數個切除部份271_276的共 同私極270係形成在圖2與4中所示的一絕緣基板上。 與圖1-5中所示之液晶顯示器不同的是，依據此具體實施 例的第像素兒極19此係浮動且沒有曝露第一汲極175&之 93913.doc 200529440 :觸孔。此外’耦合電極176a重疊所有切除部份⑺_276與 幾乎所有儲存電極133a_133e。因此，#合電極Η㈣第一 及第二像素電極190^190b重疊，以形成輕合電容器㈣ 與Ccpb。該電容性搞合使第二像素電極19仙之電壓大小第 一像素電極190a低。 上述於圖1-5中所示液晶顯示器的許多特徵可適用於圖 10與11所示之液晶顯示器。 依據本發明另一具體實施例之液晶顯示器將參考圖12與 13詳加說明。 —圖12與13是依據本發明另一具體實施例之液晶顯示器的 薄膜電晶體陣列面板佈置圖。 依據此等具體實施例的各液晶顯示器包括如圖12或13中 所示的薄膜電晶體陣列面板、圖2所示之共同電極2〇〇、 及圖4中所示的液晶層310，而依據此具體實施例之面板的 層狀結構與圖4所示幾乎完全相同。 關於5亥薄膜電晶體面板陣列，複數個包括複數個第一與 第二閘極123a與123b及端部125之閘極線121，及複數個包 括複數個第一至第三儲存電極133&至133c及分支連接件 133 d之儲存電極線ι31係形成於一基板11()上，而一閘極絕 緣層140、複數個包括複數個突出件154a與複數個半導體島 狀件154b之半導體長條15ι、及複數個包括複數個突出件 163與複數個歐姆接觸島狀件丨65的歐姆接觸長條ι61係依 序形成於其上。複數個包括複數個第一源極173a與端部179 的資料線171，及複數個第一與第二汲極175a與175b係形成 93913.doc -31 - 200529440 在歐姆接觸161與165上，且一鈍化層i80會形成於其上。複 數個接觸孔181a-186係設置在鈍化層18〇與閘極絕緣層140 上。複數組具有複數個切除部份19丨_丨94之第一與第二像素 電極190a與19卟、複數個接觸辅助件95與97、及複數個儲 存連接件91係形成在該鈍化層18〇上。第一與第二像素電極 190a與190b的面積比例係約5 : 1。 關於共同電極面板200，一光阻隔構件22〇、複數個濾色 时230 上覆蓋250及一具有複數個切除部份271_276的共 同電極270係形成在圖2與4令所示的一絕緣基板21〇上。 圖12中所示之液晶顯示器具有與圖6中所示之類似佈 置然而，一對第一與第二像素電極19〇3與丨9〇b係沿一切 除部份191而非一切除部份192分隔。此外，一從第一汲極 心延伸出之耦合電極⑽具有一重疊第三儲存電極之橫 向部份、重疊切除部份271與272之傾斜部份、及一重疊第 一儲存電極13 3 a之縱向部份。 圖13中所示之液晶顯示器具有與 ⑼ ^ 置。''、、、而’-從汲極175碘17513延伸之耦合電㈣ 比圖10中所示要少之會最立β 受少之重$邛伤。例如，一重疊第一儲存恭 極133a之縱向部份係比在圖1〇中所示要短。 免 上述於圖1-5、6與10中所示液晶顯示器的許多特徵 用於圖12與13所示之液晶顯示器。 、 明，熟習此項 不脫離隨附申 雖然本發明已參考較佳具體實施例詳加說 技術人士應瞭解可實施各種修改與替代，而 請專利範圍所提出之本發明精神與範嘴。 93913.doc -32 - 200529440 【圖式簡單說明】 本發明τ藉由參考附圖以詳細說明其較佳具體實施例而 更加明瞭，其中： 圖1係依據本發明一具體實施例之液晶顯示器的一薄膜 電晶體陣列面板之佈置圖； 圖2係依據本發明一具體實施例之液晶顯示器的一共同 電極面板之佈置圖； 圖3係包括圖1所示薄膜電晶體陣列面板與圖2所示共同 電極面板之液晶顯示器的佈置圖； ^ 圖4係圖4中所示液晶顯示器沿線V-V，之剖面圖； 圖5係圖1至4中所示液晶顯示器之等效電路； 圖6係依據本發明另 呈辦杳》# Λ:丨《V V» +知乃另具體貫施例之液晶顯示器的一薄 膜電晶體陣列面板之佈置圖，· 圖7係包括圖6所示薄膜雷曰_ 曰 吓丁溥胰電日日體之液晶顯示器的等效 圖； 圖8係依據本發明另一呈 ，、體貫％例之液晶顯示器的一華 膜電晶體陣列面板之佈置圖； 圖9係包括圖8所示薄膜電晶體之液晶顯示器的等效電路 圖； ％吩 圖10係依據本發明另一1體每 ，、體貝轭例之液晶顯示器的一 膜電晶體陣列面板之佈置圖； / 圖11係包括圖10所示薄膜 寸狀包日日體之液晶顯示器的等 路圖；及 ，欢私 圖12與13係依據本發明另一 具體男、轭例之液晶顯示器的 93913.doc • 33、 200529440 薄膜電晶體陣列面板之佈置圖。 【主要元件符號說明】 12, 22 極化器 95, 97 接觸輔助件 100, 200 薄膜電晶體面板 110, 210 絕緣基板 121， 125 閘極線 123a， 123b 閘極 131 儲存電極線 133a，133c 儲存電極 133d 分支連接件 140 閘極絕緣層 151，154a，154b 半導體 161，163a，165a 歐姆接觸 171， 179 資料線 173a，173b 源極 175a， 175b， 175c 汲極 176a，b 耦合電極 180 鈍化層 181a， 181b， 182-186 接觸孔 190a， 190b， 190c 像素電極 191-194 切除部份 220 光阻隔構件 230 渡色器 93913.doc -34- 200529440 250 上覆蓋 270 共同電極 271-276 切除部份 279 開口 300 液晶顯示層 310 液晶分子 93913.doc - 35 -

Claims (1)

  1. 200529440 1. 2. 3. 4. 5. 、申請專利範圍： 種用於一液晶顯示器之薄膜電晶體陣列面板，其包含： 一基板； 複數個第一信號線，其形成於該基板上； 複數個第二信號線，其與該等第一信號線相交以定義 像素區域； 第一與第二像素電極，其實質上置於一像素區域内且 具有不同面積； 複數個薄膜電晶體，其等係連接至該等第一與第二传 就線及該等第一與第二像素電極中至少一像素電極； 一耦合電極，其與該第二像素電極重疊；及 傾斜方向定義構件，其用以決定形成於該基板上之 液晶分子的傾斜方向。 士明求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中該傾斜方向定義 構件包含一該等第一與第二像素電極中之-的切除部 份。 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中該轉合電極係連 接在該等薄膜電晶體中之一的一汲極上。 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中該等第_盘第二 ::電極具有彼此面對之邊緣且形成一間隙，且該間隙 ㈣㈣轉構成-純度之角度的傾斜部份。 :請求項1之薄臈電晶體陣列面板，其進-步包含一第三 仏號線與該等第二信號線相交且供應一參考電壓， 其令該等第一與第二像素電極是透過該耦合電極彼此 93913.doc 200529440 笔谷性輕合，g分p I “溥膜電晶體包含：-第-電晶體，其連 接至该專第_ J^r nt .,, 、逆 ，笛一你、該等第二信號線中之-、及 : 極:及一第二電晶體，其連接至該等第-信 ^ 、該第三信號線、及該第二像素電極。 月长員5之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含一 層，該絕緣層係置於該等第一盥第1本干 、、、巴緣 一 夏於忒寻弟一與弟一像素電極及該等第 广電晶體間，且具有一第一接觸 二=素電極連接至該第二電晶體。 將°亥弟 月求員6之薄膜電晶體陣列面板，其進一 二;絕緣層係置於該等第-與第二像素電極心 ”一電晶ϋ間，其中該第一像素電極係連接至 一電晶體或與該第-電晶體的-汲極重疊。 人 8.=求項7之薄膜電晶體陣列面板，其中該第一像素電極 ，、有一比該第二像素電極大之面積。 I月求，8之薄膜電晶體陣列面板，其中該第一像素電極 具有該第二像素電極區域面積的一至六倍之面積。 1〇·如請求項5之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含一第三 像素電極電容性耦合至該第一像素電極。 11 · 一種液晶顯示器，其包括： .:缚膜電晶體陣列面板，其包括：複數個第—信號線 ’複數個第二信號線，其等與㈣第—㈣線相交以定 義像素區域；第一與第二像素電極，其等實質上置於— 像素區域内且具有不同面積；複數個薄膜電晶體，其等 連接至該等第—與第二信號線及該等第-與第二像素電 93913.doc 200529440 及—耦合電極，其與該第二像素 極中至少一像素電極 電極重疊。 12. 13. 一共同電極面板， 第二像素用以產生_ 其包括一共同電極連同該等第 電場； 一第一傾斜方向定義構件， 列面板上；及 乐一傾斜方向定義構件
    其形成於該薄膜電晶艚陣 ”連同形成於該共问.¾ 面板上之第一傾斜方向 疋義構件一起決定液晶分子之 Λ^Τ νΤ ϊσΐ。 斜方向 如請求項11之液晶顯示器 向定義構件包括形成於該 切除部份。 ’其中該等第一和第二傾斜方 等像素電極和該共同電極中的 一種液晶顯示器，其包含·· 一第一基板； 硬數個第一信號線，其形成於該第一基板上; 複數個第二信號線 像素區域； 其與該等第一信號線相交以定義 第一與第二像素電極，其實質上置於一像素區域内； 複數個薄膜電晶體，其等連接至該等第一與第二信號 線及該等第-與第二像素電極中至少一像素電極； 一耦合電極，其與該第二像素電極重疊； 一第二基板，其面對該第一基板； 一共同電極，其形成於該第二基板上； 一第一傾斜方向定義構件，其形成於該薄層電晶體陣 93913.doc 200529440 列面板上；及 第傾斜方向疋義構件，其連同形成於該共同電極 面板上之第一傾咎士 & + …、方向疋義構件一起決定液晶分子之傾 斜方向， ”中W於4第-像素電極與該共同電極間之電壓差， 與介於該第二像素電極與該共同電極間之電壓差，此二 14. 15. 16. 17. 電壓差的比率係在介於約〇·5至0.95之範圍内。 月求項13之液晶顯示器，其中該傾斜方向定義構件包 3該等第—與第二像素電極中之-的-切除部份。 如請求項13之液晶顯+ $ L ^ ^ ”’…、為，其中該耦合電極係連接至該 寺溥膜電晶體中之-的-汲極上。 如請求項13之液晶顯示器， 木 其中5亥寺弟一與第二像素電 極/、有彼此面對之邊緣且 且形成一間隙，而該間隙包括與 寺問極線構成—約45度之角度的傾斜部分。 :請求項13之液晶顯示器，其進-步包含-第三”線 一亥寺第二信號線相交且供應一參考電壓， 電第一與第二像素電極係透過該耗合電極彼此 ::輕合，且該等薄暝電晶體包含：-第-電晶體， 其連接至該等第-信號線中之— -、及該第-像素電極.及一二以線中之 等“… 弟二電晶體，其連接至該 寻弟—信號線中之一、哕笛一 > 從A 極。 Λ弟二h號線、及該第二像素電 18. 如請求項17之液晶顯示器， 絕緣層係置於該等第一與第 其進一步包含一絕緣層，該 二像素電極及該等第一與第 93913.doc 200529440 二電晶體間，且具有一第一接觸孔，用以將該第二像素 電極連接至該第二電晶體。 1 9.如請求項1 8之液晶顯示器，其進一步包含一絕緣層，該 絕緣層係置於該等第一與第二像素電極及該第一與第二 電晶體間，其中該第一像素電極係連接至該第一電晶體 或與該第一電晶體的一汲極重疊。 20.如請求項1 9之液晶顯示器，其中該第一像素電極具有比 該第二像素電極大之面積。 2 1 ·如請求項1 7之液晶顯示器，其進一步包含一第三像素電 極電容性耦合至該第一像素電極。 93913.doc
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TW (1) TWI272724B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI386735B (zh) * 2007-07-30 2013-02-21 Sony Corp 液晶顯示器
US8421974B2 (en) 2006-12-29 2013-04-16 Chimei Innolux Corporation Pixel structure, liquid crystal display structure and methods for forming the same
TWI413828B (zh) * 2005-11-10 2013-11-01 Samsung Display Co Ltd 具有改良顯示性質之液晶顯示面板以及用於製造該面板之遮罩
US11061285B2 (en) 2006-05-16 2021-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising a dogleg-like shaped pixel electrode in a plane view having a plurality of dogleg-like shaped openings and semiconductor device

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7190008B2 (en) * 2002-04-24 2007-03-13 E Ink Corporation Electro-optic displays, and components for use therein
KR20040105934A (ko) * 2003-06-10 2004-12-17 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
US7256849B2 (en) * 2003-06-11 2007-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
US7206048B2 (en) * 2003-08-13 2007-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and panel therefor
KR101189267B1 (ko) * 2004-12-03 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치
TWI379113B (en) * 2004-07-07 2012-12-11 Samsung Display Co Ltd Array substrate, manufacturing method thereof and display device having the same
KR101061848B1 (ko) * 2004-09-09 2011-09-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 패널 및 이를 포함하는 다중 도메인 액정표시 장치
JP4606103B2 (ja) * 2004-09-22 2011-01-05 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
TWI338796B (en) * 2004-10-29 2011-03-11 Chimei Innolux Corp Multi-domain vertically alignmentliquid crystal display panel
JP4571845B2 (ja) * 2004-11-08 2010-10-27 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその駆動方法
JP4571855B2 (ja) * 2004-12-28 2010-10-27 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその駆動方法
KR101232618B1 (ko) * 2005-01-17 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판, 이를 갖는 액정표시패널 및 액정표시장치
US7573537B2 (en) 2005-01-17 2009-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Array substrate, liquid crystal display panel having the same and liquid crystal display device having the same
JP4516432B2 (ja) 2005-01-19 2010-08-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4628801B2 (ja) 2005-01-19 2011-02-09 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4628802B2 (ja) * 2005-01-20 2011-02-09 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101133761B1 (ko) 2005-01-26 2012-04-09 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR20060089829A (ko) * 2005-02-04 2006-08-09 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101240642B1 (ko) 2005-02-11 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101251993B1 (ko) * 2005-02-25 2013-04-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
US8305507B2 (en) 2005-02-25 2012-11-06 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel having improved storage capacitance and manufacturing method thereof
JP2006243637A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Sharp Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US7796223B2 (en) * 2005-03-09 2010-09-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus having data lines with curved portions and method
KR101315381B1 (ko) * 2005-03-09 2013-10-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP4817695B2 (ja) * 2005-03-29 2011-11-16 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101189270B1 (ko) * 2005-04-06 2012-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시판 및 그를 포함하는 액정 표시 장치
KR101188601B1 (ko) 2005-04-13 2012-10-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US20060250533A1 (en) * 2005-05-03 2006-11-09 Po-Sheng Shih Pixel structure with improved viewing angle
JP4557800B2 (ja) * 2005-05-24 2010-10-06 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4728045B2 (ja) * 2005-05-30 2011-07-20 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4731206B2 (ja) * 2005-05-30 2011-07-20 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4689352B2 (ja) * 2005-05-30 2011-05-25 シャープ株式会社 表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
KR101160831B1 (ko) 2005-06-01 2012-06-28 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
CN100354739C (zh) * 2005-06-03 2007-12-12 友达光电股份有限公司 像素结构及有源组件阵列基板
TWI304906B (en) * 2005-06-17 2009-01-01 Au Optronics Corp A va type liquid crystal display
KR101157290B1 (ko) * 2005-06-30 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 광시야각과 협시야각의 모드전환이 가능한 액정표시장치 및그 제조방법
KR101237011B1 (ko) * 2005-08-02 2013-02-26 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101152135B1 (ko) * 2005-09-12 2012-06-15 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100962795B1 (ko) * 2005-12-26 2010-06-10 샤프 가부시키가이샤 액티브 매트릭스 기판, 표시 장치, ｔｖ 수상기
US7683988B2 (en) * 2006-05-10 2010-03-23 Au Optronics Transflective liquid crystal display with gamma harmonization
US7589703B2 (en) * 2006-04-17 2009-09-15 Au Optronics Corporation Liquid crystal display with sub-pixel structure
CN100388110C (zh) * 2006-06-15 2008-05-14 友达光电股份有限公司 像素结构与液晶显示面板
KR20080000202A (ko) * 2006-06-27 2008-01-02 삼성전자주식회사 표시기판 및 이를 갖는 표시패널
TWI342975B (en) 2006-08-08 2011-06-01 Au Optronics Corp Polymer stabilized alignment lcd panel
TWI336804B (en) * 2006-08-25 2011-02-01 Au Optronics Corp Liquid crystal display and operation method thereof
TWI321771B (en) * 2006-09-08 2010-03-11 Au Optronics Corp Liquid crystal display and driving method thereof
KR101282403B1 (ko) * 2006-09-19 2013-07-04 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101359918B1 (ko) * 2006-09-26 2014-02-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP4497328B2 (ja) * 2006-10-25 2010-07-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
TWI326493B (en) * 2006-12-15 2010-06-21 Au Optronics Corp Thin film transistor array substrate and pixel structure
JP4899856B2 (ja) * 2006-12-27 2012-03-21 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器
CN100545725C (zh) * 2006-12-28 2009-09-30 中华映管股份有限公司 像素结构与液晶显示面板
KR101413275B1 (ko) * 2007-01-29 2014-06-30 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
TWI366174B (en) * 2007-03-03 2012-06-11 Au Optronics Corp Pixel control device and display apparatus utilizing said pixel control device
JP4876005B2 (ja) * 2007-03-26 2012-02-15 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
TWI406069B (zh) 2007-04-30 2013-08-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 畫素結構及其驅動方法
CN101304032B (zh) * 2007-05-11 2010-07-21 中华映管股份有限公司 像素结构及其驱动方法
JP5542296B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP4989309B2 (ja) 2007-05-18 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR101340054B1 (ko) 2007-06-05 2013-12-11 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 구동방법
TWI351569B (en) * 2007-06-07 2011-11-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure
US7589808B2 (en) * 2007-06-15 2009-09-15 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Wide viewing angle transflective liquid crystal displays
US20080309854A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Zhibing Ge Wide Viewing Angle and Broadband Circular Polarizers for Transflective Liquid Crystal Displays
US7605897B2 (en) * 2007-07-20 2009-10-20 University Of Central Florida Research Foundation Inc. Multi-domain vertical alignment liquid crystal displays with improved angular dependent gamma curves
CN100445822C (zh) * 2007-07-30 2008-12-24 上海广电光电子有限公司 垂直取向模式的液晶显示装置
US7583439B2 (en) * 2007-08-09 2009-09-01 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Wide-angle and broadband polarization converter
CN101364017B (zh) * 2007-08-10 2013-01-02 群康科技(深圳)有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法、液晶显示装置及其驱动方法
CN101369075B (zh) * 2007-08-15 2010-05-26 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示装置及其驱动方法
CN101430439B (zh) * 2007-11-07 2011-04-27 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示装置
KR101371604B1 (ko) * 2007-11-26 2014-03-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN101452166B (zh) * 2007-11-28 2010-06-09 瀚宇彩晶股份有限公司 液晶显示器
KR101409985B1 (ko) * 2008-01-31 2014-06-20 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP4807371B2 (ja) 2008-03-27 2011-11-02 ソニー株式会社 液晶表示装置
WO2009122608A1 (ja) * 2008-03-31 2009-10-08 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機
CN101581858B (zh) * 2008-05-16 2012-02-08 群康科技(深圳)有限公司 垂直配向型液晶显示装置及其驱动方法
US8432344B2 (en) * 2008-05-27 2013-04-30 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
TWI379180B (en) * 2008-12-26 2012-12-11 Delta Electronics Inc Method of calculating recovery commands for numerical controlled system
CN101866087B (zh) * 2009-04-14 2012-03-21 群康科技(深圳)有限公司 子像素结构及液晶显示面板
US8373814B2 (en) 2009-07-14 2013-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and display panel device including the transistor connected to storage capacitor
TWI396918B (zh) * 2009-09-03 2013-05-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 畫素陣列
TW201118460A (en) * 2009-11-20 2011-06-01 Innolux Display Corp Transflective liquid crystal display device and driving method thereof
KR101707212B1 (ko) 2009-12-01 2017-02-28 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP4818451B2 (ja) * 2010-07-08 2011-11-16 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101817791B1 (ko) * 2010-12-14 2018-01-12 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101904169B1 (ko) * 2011-01-17 2018-11-14 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP4949528B2 (ja) * 2011-04-06 2012-06-13 シャープ株式会社 液晶表示装置
TWI493519B (zh) * 2012-03-09 2015-07-21 Au Optronics Corp 畫素電路
CN103412447A (zh) 2013-07-25 2013-11-27 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板和显示装置
TWI502579B (zh) * 2013-12-11 2015-10-01 Au Optronics Corp 顯示面板
CN104637958B (zh) * 2015-03-11 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN104808401B (zh) * 2015-04-15 2018-01-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板
CN108459444A (zh) 2018-03-28 2018-08-28 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置
KR102509111B1 (ko) * 2018-05-17 2023-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6564503B2 (ja) * 2018-07-30 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2019191609A (ja) * 2019-07-25 2019-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP6895574B2 (ja) * 2019-07-25 2021-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 透過型の液晶表示装置
JP7155452B2 (ja) * 2019-12-13 2022-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 透過型液晶表示装置、電子機器
JP6842527B2 (ja) * 2019-12-13 2021-03-17 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP7528185B2 (ja) * 2020-09-18 2024-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP7308341B2 (ja) * 2021-12-03 2023-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 透過型液晶表示装置
CN114355643A (zh) * 2022-01-13 2022-04-15 中国民用航空飞行学院 亮度视角可控型低色偏显示器

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2620240B2 (ja) * 1987-06-10 1997-06-11 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2909266B2 (ja) * 1990-07-23 1999-06-23 ホシデン・フィリップス・ディスプレイ株式会社 液晶表示素子
JP3081357B2 (ja) * 1992-04-15 2000-08-28 富士通株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JPH06102537A (ja) * 1992-09-22 1994-04-15 Toshiba Corp アクティブマトリクス型液晶表示素子
JP3130682B2 (ja) * 1992-10-22 2001-01-31 株式会社東芝 液晶表示素子
JPH06324306A (ja) * 1993-05-11 1994-11-25 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP2590693B2 (ja) * 1993-07-14 1997-03-12 日本電気株式会社 液晶表示装置
JPH07152013A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Nippondenso Co Ltd 液晶表示素子
US5610739A (en) 1994-05-31 1997-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display unit with a plurality of subpixels
TW295652B (zh) * 1994-10-24 1997-01-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3658849B2 (ja) * 1996-03-29 2005-06-08 セイコーエプソン株式会社 液晶表示素子及びその製造方法
JP3092537B2 (ja) * 1997-01-24 2000-09-25 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP3028783B2 (ja) * 1997-04-25 2000-04-04 日本電気株式会社 ネットワークの監視方法と装置
US6335776B1 (en) * 1998-05-30 2002-01-01 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device having an auxiliary electrode formed on the same layer as the pixel electrode
US6593982B2 (en) * 1999-11-01 2003-07-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display with color filter having depressed portion for wide viewing angle
US6642984B1 (en) * 1998-12-08 2003-11-04 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display apparatus having wide transparent electrode and stripe electrodes
US6573964B1 (en) * 1998-12-25 2003-06-03 Fujitsu Display Technologies Corporation Multidomain vertically aligned liquid crystal display device
JP4242963B2 (ja) * 1999-02-10 2009-03-25 三洋電機株式会社 カラー液晶表示装置
JP3969887B2 (ja) * 1999-03-19 2007-09-05 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR100379287B1 (ko) * 1999-06-25 2003-04-10 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 멀티 도메인 액정 표시장치
JP4882140B2 (ja) * 1999-06-25 2012-02-22 日本電気株式会社 マルチドメイン液晶表示装置
US6927824B1 (en) * 1999-09-16 2005-08-09 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display device and thin film transistor substrate
KR100354906B1 (ko) * 1999-10-01 2002-09-30 삼성전자 주식회사 광시야각 액정 표시 장치
KR100635940B1 (ko) 1999-10-29 2006-10-18 삼성전자주식회사 수직 배향형 액정 표시 장치
KR100840308B1 (ko) 2000-06-13 2008-06-20 삼성전자주식회사 도메인 크기가 최적화된 수직 배향 액정 표시 장치
JP3601788B2 (ja) * 2000-10-31 2004-12-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR20020050017A (ko) * 2000-12-20 2002-06-26 윤종용 액정 표시 장치의 제조 방법
TW513604B (en) 2001-02-14 2002-12-11 Au Optronics Corp A thin film transistor liquid crystal display
KR100840310B1 (ko) * 2001-06-28 2008-06-20 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치
JP2003156731A (ja) * 2001-09-07 2003-05-30 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置及びその製造方法
KR100840313B1 (ko) * 2001-10-12 2008-06-20 삼성전자주식회사 광시야각 액정 표시 장치 및 그 기판
TW588171B (en) * 2001-10-12 2004-05-21 Fujitsu Display Tech Liquid crystal display device
US6940573B2 (en) * 2001-11-22 2005-09-06 Samsung Electronics, Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel
KR20030042221A (ko) * 2001-11-22 2003-05-28 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100831229B1 (ko) * 2001-12-10 2008-05-22 삼성전자주식회사 고개구율 액정 표시 장치
TW565720B (en) * 2002-02-20 2003-12-11 Hannstar Display Corp Liquid crystal display with a wide viewing angle
KR100870005B1 (ko) * 2002-03-07 2008-11-21 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP4342200B2 (ja) * 2002-06-06 2009-10-14 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100840326B1 (ko) * 2002-06-28 2008-06-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 박막 트랜지스터 기판
US6922183B2 (en) * 2002-11-01 2005-07-26 Chin-Lung Ting Multi-domain vertical alignment liquid crystal display and driving method thereof
KR100895312B1 (ko) * 2002-12-13 2009-05-07 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
US7019805B2 (en) * 2002-12-31 2006-03-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device having a multi-domain structure and a manufacturing method for the same
KR100961941B1 (ko) * 2003-01-03 2010-06-08 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
KR100961945B1 (ko) * 2003-03-26 2010-06-08 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
KR20040105934A (ko) * 2003-06-10 2004-12-17 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
US7256849B2 (en) * 2003-06-11 2007-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
KR100980016B1 (ko) * 2003-08-04 2010-09-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI413828B (zh) * 2005-11-10 2013-11-01 Samsung Display Co Ltd 具有改良顯示性質之液晶顯示面板以及用於製造該面板之遮罩
US11061285B2 (en) 2006-05-16 2021-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising a dogleg-like shaped pixel electrode in a plane view having a plurality of dogleg-like shaped openings and semiconductor device
US11106096B2 (en) 2006-05-16 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
TWI752316B (zh) * 2006-05-16 2022-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US11435626B2 (en) 2006-05-16 2022-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
US11726371B2 (en) 2006-05-16 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. FFS-mode liquid crystal display device comprising a top-gate transistor and an auxiliary wiring connected to a common electrode in a pixel portion
TWI839708B (zh) * 2006-05-16 2024-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
TWI858965B (zh) * 2006-05-16 2024-10-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US8421974B2 (en) 2006-12-29 2013-04-16 Chimei Innolux Corporation Pixel structure, liquid crystal display structure and methods for forming the same
TWI386735B (zh) * 2007-07-30 2013-02-21 Sony Corp 液晶顯示器

Also Published As

Publication number Publication date
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US20110063560A1 (en) 2011-03-17

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