TW200418340A - Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer - Google Patents

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Masakazu Murakami
Hideaki Kuwabara
Shunpei Yamazaki
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Description

200418340
玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有一種膜形成裝置的製造系統，其中 膜形成裝置使用能夠藉由蒸氣沉積形成膜的材料（下文中 稱爲蒸發材料），本發明亦關於使用該製造系統以含有有 機化合物的層爲發光層的發光裝置及其製造方法。確切地 說，本發明係關於一種膜的製造方法（蒸氣沉積）及其製 造系統，該製造方法藉由蒸發提供在基底對面的多個蒸發 源的蒸發材料進行膜的形成。 【先前技術】 近幾年，對於具有以自發光之發光元件作爲el元件 的發光裝置的硏究非常活躍。發光裝置又稱有機EL顯示 器或有機發光二極體。由於這些發光裝置有適用於動態畫 面顯示的如快速回應速度，低電壓、低功耗驅動等特徵， 它們作爲用於包括新一代行動電話和攜帶型資訊終端 (PDA )的下一代顯示器備受關注。 用含有有機化合物的層作爲發光層的EL元件具有一 個結構，其中含有有機化合物的層（下文中，稱作EL 層）夾在陽極和陰極之間，藉由對陽極和陰極施加電場 在EL層中産生電致發光。從EL元件得到的發光包括從 單重激發態回到基態的光發射（熒光）和從三重激發態回 到基態的光發射（磷光）。 上述EL層具有以“電洞傳送層、發光層、電子傳送 (2) (2)200418340 層”爲典型的疊層結構。用於形成EL層的EL材料粗略 地分類爲低分子（單體）材料和高分子（聚合物）材料。 低分子材料用蒸氣沉積裝置沉積形成膜。 習知的蒸氣沉積裝置是在基底支架上安裝基底、並胃 有封裝了 EL材料，即蒸發材料的坩堝、用於防止要被 昇華的EL材料上升的閘門、和用於加熱坩堝中EL材料 的加熱器。然後，用加熱器加熱的EL材料被昇華並沉積 在轉動的基底上。這時，爲了達到均勻沉積的目的，基底 和i甘渦之間需要有至少lm或更大的距離。 根據上述蒸氣沉積裝置和上述蒸氣沉積方法，當El 層用蒸氣沉積形成時，幾乎所有被昇華的EL材料附著到 蒸氣沉積裝置的膜形成室（即沉積室）內部的內壁、閘門 或附著防護屏（用於防止蒸發材料附著到膜形成室內壁上 的保護板）上。因而，在形成EL層時，昂貴的EL材料 的利用效率非常低，即大約1 %或更低，這就使發光裝置 的製造成本變得非常昂貴。 另外’根據習知技術的蒸氣沉積裝置，爲了提供均勻 的膜’有必要將基底以等於或大於1 m的距離的間隔從蒸 發源分開。因而，蒸氣沉積裝置本身變的龐大，蒸氣沉積 裝置的每個膜形成室抽氣所需的時間周期延長，因而，膜 形成速率減緩’産量降低。而且，如果是大面積的基 底’基底的中心部和周緣部容易發生膜的厚度不均句的 問題。另外’蒸氣沉積裝置是~種轉動基底的結構，因 而’以大面積基底爲目標時，蒸氣沉積裝置就有了局限 •6- (3) 200418340 性。
另外，有一個問題是EL材料由於氧氣或濕氣的存在 容易被氧化，退化。然而，在用蒸氣沉積法形成膜中，放 入容器（玻璃瓶）中的蒸發材料以預定量被取出並轉移到 安裝在蒸氣沉積裝置內部與要形成有膜的物體相對位置上 的容器（典型的，坩堝、或蒸氣沉積舟）中，在蒸發材料 的轉移操作中，就有混入氧氣或濕氣或雜質到蒸發材料中 的危險性。
另外，當蒸發材料從玻璃瓶轉移到容器中時，蒸發材 料由人手在提供有手套等的膜形成室的預處理室內部轉 移。然而，當預處理室中提供手套時，室內無法抽真空， 操作在大氣壓下進行，這樣，混入雜質的可能性就相當 大。即使轉移操作在處於氮氣氛中的預處理室內部進行， 也很難盡可能地減少濕氣和氧氣。另外，儘管使用自動控 制系統（機器手）不是不可能，由於蒸發材料是粉末狀， 很難製造出能夠進行這種轉移操作的機器手來。因而，在 執行形成E L元件的步驟中，即，從形成下方電極上面的 E L層的步驟到形成上方電極的步驟，很難防止雜質混入 的整合型密閉系統。 【發明內容】 因此’本發明的目的是提供一種蒸氣沉積裝置及其蒸 氣沉積方法，其能夠提高利用E L材料的效率、並在形成 EL層的産量或均勻性上具有優越性。另外，本發明還提 (4) (4)200418340 供利用上述蒸氣沉積裝置以及蒸氣沉積方法製造的發光裝 置和製造該發光裝置的方法。 另外，本發明提供在具有，例如3 20mm X 4 00mm、 3 70mm x 4 70mm、5 5 0mm x 6 50mm、600mm x 7 2 0mm、 6 8 0mm x 8 8 0mm ' 1 000mm x 1 2 0 0mm - 1100mmxl250mm 或 1150mmxl300mm尺寸的大面積基底上有效地蒸氣沉積 EL材料的製造系統。而且，本發明提供的蒸氣沉積裝置 即使在大面積基底上也能得到基底整體性的均勻的膜的厚 另外，本發明提供能夠避免雜質混入E L材料的製造 系統。 爲了貫現上述目標’本發明提供的蒸氣沉積裝置的特 徵在於，基底和蒸發源相對彼此移動。即，在沉積室的內 部’安裝有其內塡充了蒸發材料的容器的蒸發源支架相對 於基底以一定的間距移動。在本說明書中，具備內有移動 的蒸發源支架的蒸氣沉積裝置的製造系統被稱爲移動單元 群集方法。 另外’一個蒸發源支架上可以安裝四個或更多個增 渦’較佳的是六個或八個。也就是說，安裝在蒸發源支架 上的有機化合物不一定是一個或一種，也可以是多個多 種。比如，在坩堝A中放置有傳送電洞能力的有機材 料’在坩堝B中放置將成爲發光層的有機材料，在坦禍c 中放置有電子傳送能力的有機材料，在坩堝D中放置將 成爲陰極緩衝的材料，即可在同一室內連續層疊這些材料 -8 - (5) (5)200418340 層。另外，即使不能在蒸發源支架上安裝多個坦渦，可在 女裝室中安裝多個ί甘渦，將i甘渦按順序交替更換來實施蒸 氣沉積，其結果，可以在同一室內連續層疊這些材料層。 在要提高蒸氣沉積速度較慢的材料的產量的情形中， 可將同一材料分開塡充於多個坦渦中，並同時實施蒸氣沉 積來縮短蒸氣沉積的時間。另外，在使用因沉積速度膜的 質量會受影響的材料的情形中，可將同一材料分開塡充於 多個坩堝中並同時實施蒸氣沉積，其結果是不改變蒸氣沉 積速度和膜的品質而得到預定的膜的厚度。另外，藉由將 不同材料分開塡充於多個單元中並同時實施蒸氣沉積，可 以在有疊層結構的E L層中與各個膜的接觸面上形成蒸發 材料被混和的區域（混合區）。 另外，在製造全色顯示發光裝置的情形中，較佳的 是，比如，在第一室中使用R用的蒸氣沉積掩模選擇地形 成R用的包括電洞注入層、電洞傳送層、發光層、電子傳 送層的疊層，在第二室中使用G用的蒸氣沉積掩模選擇地 形成G用的包括電洞注入層、電洞傳送層、發光層、電子 傳送層的疊層，在第三室中使用B用的蒸氣沉積掩模選擇 地形成B用的包括電洞注入層、電洞傳送層、發光層、電 子傳送層的疊層。因電洞注入層、電洞傳送層、發光層、 電子傳送層的最佳的膜的厚度根據發光元件的發光色的不 同而各不相同，較佳的是，各自按順序形成疊層。 除了在蒸發源支架中作爲發光性的有機化合物提供的 一種材料外，還可以一起提供能夠成爲摻雜物的其他有機 -9 - (6) (6)200418340 化合物（慘雜材料）。較佳的是設計要蒸氣沉積的有機化 合物層由主材料和激發能低於主材料的發光材料（摻雜材 料）構成’因而摻雜物的激發能變得低於電洞傳送區的激 發能和電子傳送層的激發能。由此，可以防止雜質分子激 發體的擴散’可以讓雜質有效地發光。另外，當摻雜物是 載子陷阱類型的材料時，也可以提升複合載子的效率。另 外’本發明包括一種情形，其中能夠把三重態激發能轉變 成發光的材料被加入到混合區作爲雜質。另外，在形成混 合區中，可以向混合區提供濃度梯度。 另外’當在單個蒸發源支架提供多個有機化合物時， 對於蒸發方向較佳的是歪斜以便在要被沉積的物體位置處 交叉’使得有機化合物被混合在一起。可以用調節傾斜度 用的螺釘適當地使容器（坩堝）歪斜來設定蒸氣沉積的方 向。另外，爲了實施共同沉積，蒸發源支架可以提供有四 種蒸發材料（例如，兩種主材料作爲蒸發材料a，兩種摻 雜材料作爲蒸發材料b )。 在蒸發源支架處提供一個可以在沉積室內向X方向或 Y方向（典型的是雙軸台）移動並同時保持水平狀態的機 構。這裏，蒸發源支架在二維平面上以鋸齒形字型移動。 另外’也可根據隔離物的間距適當地調整蒸發源支架的移 動間距。另外，膜的厚度監視器和蒸發源支架結合爲一體 而移動。根據膜的厚度監視器所測出的値調節蒸發源支架 的移動速度，從而使膜的厚度均勻。
例如，將蒸發源支架以 30cm/分鐘〜3 00cm/分鐘向X -10- (7) (7)200418340 方向或Y方向移動。 在本發明的蒸氣沉積裝置中，在蒸氣沉積過程中，基 底和蒸發源支架之間的間距d可以減少到典型的爲3 0cm 或更少，較佳的，20cm或更少，更較佳的，5cm-15cm， 由此顯著地提高蒸發材料的利用效率和産量。 另外’由於基底和蒸發源支架之間的間距d被窄化到 典型的爲30cm或更少，蒸氣沉積掩模有可能要被不利地 加熱。因而，對於蒸氣沉積掩模，較佳的是，使用具有低 熱擴散速率的金屬材料，其很難由於熱而變形（例如，諸 如鎢、鉅、鉻、鎳或鉬的高熔點金屬或包括這些元素的合 金，諸如不銹鋼、鉻鎳鐵合金、鎳基合金的材料）。例 如，有42%的鎳和58%的鐵的低熱擴散合金等。另外， 爲了冷卻要被加熱的蒸氣沉積掩模，可以對蒸氣沉積掩模 提供有迴圈冷卻媒體（諸如冷卻水、冷卻氣體）的機構。 本發明由於蒸發源支架的移動，如果其移動速度快，蒸氣 沉積掩模幾乎不被加熱，所以可以抑制因掩模的熱變形而 引起的劣質膜的形成。 另外，爲了淸潔附著到掩模上被沉積的物質，較佳的 是藉由電漿發生裝置在沉積室的內部産生電漿以蒸發附著 在掩模上的被沉積物質以排出蒸氣到沉積室的外面。所 以，沉積室包括用於引入選自包括Ar、Η、F、NF3和〇 的組中的一種或多種氣體的氣體引入裝置和用於排出蒸發 的被沉積物質的排出裝置。另外，在掩模上另外提供電 極，其中任何一方與高頻功率源連接。據此，較佳的是， -11 - (8) (8)200418340
掩模由導電型材料形成。例如，在以基底閘門作電極’ Ar 的氣體流量爲30sccm，Η2氣爲30sccm’ RF功率爲800W 的條件下，藉由在基底閘門和掩模之間産生電漿’可以淸 潔附著到掩模上被沉積的物質而不損傷掩模。藉由上述構 成，在維護期間沉積室的內部可以被淸潔而不與大氣接 觸。另外，較佳的是，沉積室具有包括只對掩模進行簡便 電漿淸潔的裝置和對整個室內進行強力電漿淸潔的裝置的 兩種裝置。 上述蒸氣沉積裝置中的蒸發源支架包括：容器（通常 爲坩堝）；設置在容器外部經由吸熱構件之加熱器；形成 在加熱器外部的熱絕緣層；其中容納上述元件的外殼；圍 繞外殻外部的冷卻管·，打開和關閉包括坩堝的開口部分的 外殻開口部分的蒸氣沉積閘門；和膜厚感測器。注意也可 以使用能以加熱器固定到其上的狀態進行傳送的容器。此 外，該容器是一個能承高溫、高壓、和低壓的容器，並且 藉由採用如耐熱性金屬（Ti等），氮化硼（BN )的燒結 體、氮化硼（BN )和氮化鋁（A1N )的複合燒結體、石英 或石墨的材料製造。 在本說明書中所揭示的本發明之製造系統的結構是： 一種製造系統，包含： 一裝載室； 與裝載室連接的傳送室； 與傳送室連接的多個沉積室；和 與每個沉積室連接的安裝室， -12 - (9) (9)200418340 其中’母個ί几積室和將丨几積室內真空抽氣的第一真空 抽氣室連接在一起； 其中每個沉積室包括：對準掩模和基底的位置的對準 機構（CCD照相機和制動器）；基底保持機構（支 架）；移動蒸發源支架的移動機構（台）， 其中該蒸發源支架包括至少一個其內密封有蒸發材料 的容器；容器加熱機構（加熱器）；以及提供在容器上的 閘門；和 其中’該安裝室和將安裝室內真空抽氣的第二真空抽 氣室連接在一起； 其中安裝室包括：容器加熱機構（加熱器）；和傳送 容器到沉積室的蒸發源支架的傳送機構（傳送機器人）。 沉積室可以只設置一個蒸發源支架，也可以設置多個 黑發源支架。多個蒸發源支架開始移動計時可以在前一個 蒸發源支架停止之前或停止之後。比如，在蒸發源支架 Α中放置有電洞傳送功能的有機材料，在蒸發源支架β中 放置將成爲發光層的有機材料，在蒸發源支架C中放置有 電子傳送功能的有機材料，在蒸發源支架D中放置將成 爲陰極緩衝的材料，即可在同一室內連續層疊這些材料 層。另外’當下一個蒸發源支架在沉積的膜固化之前開始 移動時’在具有層疊的層結構的EL層中，可以在與各個 膜的介面處形成蒸發材料混合的區域（混合區）。 根據這樣相對彼此移動基底和蒸發源支架，不需要提 供基底和蒸發源之間的長距離，可以實現裝置的小尺寸 -13- (10) (10)200418340 化。另外，由於蒸氣沉積裝置是小尺寸的，被昇華的蒸發 材料在沉積室內部的內壁上的附著和防止屏上的附·著減少 了，蒸發材料可以不被浪費’而被有效利用。另外’根據 本發明的蒸氣沉積方法’沒有必要轉動基底’因而，可以 提供能夠處理大面積基底的蒸氣沉積裝置。另外’藉由在 X軸方向和γ軸方向相對於基底移動蒸發源支架’蒸氣沉 積的膜可以均勻地形成。另外’由於蒸發源支架的移動’ 蒸氣沉積掩模幾乎不被加熱，所以可以抑制因掩模的熱變 形而引起的劣質膜的形成。 如圖3所示的實例，如將容器懸浮在加熱器之上可使 蒸氣沉積停止，由此可以控制蒸氣沉積而不使用閘門。比 如，藉由由諸如石英，陶瓷等製成的提升桿使容器懸浮於 加熱器之上作爲非接觸而使其冷卻。在用提升桿使容器懸 浮使其冷卻的情形中，可使用放熱性較好的金屬材料製成 有薄壁的容器（坩堝）。圖3A顯示兩個單元的橫截面視 圖，其中一個單元處於蒸氣沉積正在進行的狀態，圖3 B 顯示兩個單元都處於正在進行蒸氣沉積的狀態。 在本說明書中所揭示之本發明之製造系統的結構是： 一種製造系統，包含： 一裝載室； 與裝載室連接的傳送室； 與傳送室連接的多個沉積室；和 與每個沉積室連接的安裝室， 其中，每個沉積室和將沉積室內真空抽氣的第一真空 -14- (11) (11)200418340 抽氣室連接在一起； 其中每個沉積室包括：對準掩模和基底的位置的對準 機構（CCD照相機和制動器）；基底保持機構（支 架）；移動蒸發源支架的移動機構（台）， 其中該蒸發源支架包括至少一個其內密封有蒸發材料 的容器；容器加熱機構（加熱器）；以及懸浮容器於蒸發 源支架之上以便使其冷卻的裝置（提升桿）；和 其中，該安裝室和將安裝室內真空抽氣的第二真空抽 氣室連接在一起； 其中安裝室包括：容器加熱機構（加熱器）·，以及傳 送容器到沉積室的蒸發源支架的傳送機構（傳送機器 人）。 此外，由於非發光區擴大之主因”皺縮”乃是因爲包括 被吸收的濕氣的少量濕氣到達含有有機化合物的層中，因 此最好在具有TFT的主動矩陣基底上形成含有有機化合 物的層之前除去殘留在主動矩陣基底中的濕氣（包括吸收 的濕氣）。 本發明藉由使用片式加熱器（通常爲護套加熱器）， 提供用於均勻地加熱多個基底的熱處理室，並在形成含有 有機化合物的層之前在1 00 - 25 0°c的溫度下進行真空加 熱，可以防止或減少皺縮的産生。特別是，當有機樹脂膜 用作中間層絕緣膜或隔板材料時，濕氣很容易被有機樹脂 材料吸收，此外，還有産生除氣的風險。因此，在形成含 有有機化合物層之前在1 00 - 250°C溫度下進行真空加熱 -15- (12) (12)200418340 相當有效。 在上述結構中，該設備的特徵在於多個片式加熱器保 持一定的間距地被安置在傳送室中，並且傳送室和能在多 個基底上進行真空加熱的處理室連接。採用片式加熱器在 基底上均勻地進行真空加熱來除去基底吸收的濕氣’這樣 就可以防止或減少皺縮的産生。 此外，在上述結構中’用於移動蒸發源支架的裝置的 特徵在於其具有以一定間距在X軸方向移動蒸發源支架’ 並以一定間距在y軸方向移動蒸發源支架的功能。因爲在 本發明的蒸氣沉積方法中旋轉基底不是必須的，所以可以 提供對大面積基底實施蒸氣沉積的設備。此外，由於蒸發 源支架相對基底在X軸方向和y軸方向移動，所以形成的 膜相當均勻。 此外，較佳的，在基底周邊部分旋轉蒸發源支架，以 便使膜厚均勻。另外，較佳的，以一定的間距移動蒸發源 支架，以使昇華的蒸發材料的邊緣（折邊）重疊。 在沉積之前將E L材料安置在沉積工作室中的過程以 及沉積過程等，可以被認爲是可能將諸如氧氣或濕氣之類 的雜質混入到E L材料或金屬材料的主要過程。 通常用來儲藏EL材料的容器被置於褐色玻璃瓶中， 用塑膠蓋（帽）封閉此褐色玻璃瓶。用來儲藏EL材料的 容器的氣密性可能不充分。 在習知技術中’用蒸氣沉積方法來進行膜的形成，置 於容器（玻璃瓶）中的蒸發材料以預定數量被提出並轉移 -16- (13) (13)200418340 到安排在沉積設備中對著其上待要形成膜的物體的位置處 的一個容器中（典型爲坩堝或沉積舟）。但在這一轉移操 作中，可能混入雜質。更具體地說，有可能混入引起EL 元件退化的因素之一的氧氣、濕氣、或其他雜質。 例如，當蒸發材料從玻璃瓶轉移到此容器時，可以由 在沉積裝置中提供有手套等的預處理工作室中的工作人員 的手來進行。但當手套被安置在預處理工作室中時，預處 理工作室無法被抽空，操作是在大氣中進行的。即使在氮 氣氣氛中進行此操作，也難於盡可能降低預處理工作室中 的濕氣或氧氣。雖然可以使用機械手，但由於蒸發材料是 粉末狀的，故很難製造用來轉移這樣的蒸發材料的機械 手。因而，很難藉由防止雜質混入的整合型密閉系統來實 施形成EL元件的步驟和實現整個步驟的自動化，這個步 驟即，從形成下方電極上面的EL層的步驟到形成上方電 極的步驟。 因此，本發明採用一種製造系統，其中，不使用典型 爲褐色玻璃瓶之類的習知的容器作爲用來儲藏EL材料的 容器，EL材料或金屬材料被直接儲藏在將要被安置在沉 積裝置中的容器中，被載送之後實施蒸氣沉積，致使能夠 防止雜質與高純度蒸發材料的混合。當EL材料的蒸發材 料被直接儲藏時，得到的蒸發材料不被分別儲藏，並可以 直接對將要安置在沉積裝置中的容器進行昇華提純。根據 本發明的製造系統，應付將來進一步的蒸發材料的超高純 度化成爲可能。另外，金屬材料被直接儲藏在將要被安置 -17- (14) (14)200418340 在沉積裝置中的容器中’以便用電阻器加熱方法進行沉 積。 下面將參考圖4A提出要載送的容器樣式的具體說 明。用於載送且被分割成上部（721a)和下部（721b)的 第二容器包括提供在第二容器上部的用於固定第一容器的 固定器706、用於對固定器加壓的彈簧705、提供在第二 容器下部用於構成氣體路徑來保持第二容器被減壓的氣體 導入埠708、用於固定上容器721a和下容器72115的〇型 環和固定器702。塡充有精製的蒸發材料的第一容器701 被安裝在第二容器中。另外，第二容器可以用含不銹鋼的 材料形成，第一容器可以用含鈦的材料形成。 在材料製造商處，精製的蒸發材料塡充在第一容器 701中。另外，第二容器的上部721a和下部721b藉由0 型環707匹配，用固定器702固定上容器7 21a和下容器 72 1b，將第一容器701密閉地密封在第二容器內部。之 後，藉由氣體導入埠708給第二容器的內部減壓，並用氮 氣氛置換，第一容器701藉由調節彈簧705用固定器706 固定。乾燥劑可以安裝在第二容器的內部。當第二容器的 內部這樣被保持在真空、低壓或氮氣氛中時，可以防止即 使少量的氧氣或濕氣附著到蒸發材料上。 第一容器701在這種狀態下被傳送到發光裝置製造商 處，並直接安裝到沉積室中。之後，蒸發材料藉由加熱昇 華，蒸氣沉積膜被形成。 另外，較佳的是，以同樣方式不與大氣接觸地傳送其 -18- (15) (15)200418340 他部件，比如膜厚度監視器（晶體振蕩器等），閘門等， 並在沉積裝置內安裝這些部件。 採用此沉積裝置的發光裝置製造廠家，最好委託製造 或出售蒸發材料的材料製造廠家完成直接將蒸發材料儲藏 在安置於沉積設備中的容器內的操作。藉由發光裝置製造 廠家與材料製造廠家的共同合作努力減少雜質的混合，在 材料製造廠家獲得的純度非常高的EL材料，可以被保持 原樣不降低純度地由發光裝置製造廠家進行蒸發沉積。 儘管材料製造廠家提供了高純度EL材料，但若在發 光裝置製造廠家實施習知的轉移操作，就不能避免雜質混 入EL材料。所以最終無法保持EL材料的純度，使純度 有了局限性。 針對以上問題，本發明從容器中取出在其中用真空密 封的坩堝（塡充有蒸發材料）而不與大氣接觸，因爲安置 坩堝到蒸發源支架的安裝室與沉積室連接，從安裝室用機 器人載送坩堝到蒸發源支架而不與大氣接觸。另外，較佳 的是，安裝室內提供真空抽氣裝置，並且，提供加熱坩堝 的裝置。， 其次，將參考圖5A和4B說明安裝第一容器91 1到 沉積室的機構，其中第一容器9 1 1在被密閉地密封在第二 容器721a和72 1b中的狀態下被傳送。 圖4A說明安裝室905的橫截面圖，其包括：載裝包 容第一容器的第二容器912的旋轉台907，用於傳送第一 容器的傳送機構，提升機構902a。另外，安裝室90 5被 -19- (16) (16)200418340 安排得與沉積室相鄰，安裝室中的氣氛可以藉由使用氣體 導入埠的控制氣氛的裝置來控制。另外，本發明的傳送機 構不限於圖4B所說明的從第一容器的上方夾住第一容器 以傳送的結構，也可以是夾住第一容器的側面以傳送的結 構。 在這樣的安裝室中，第二容器在取下固定器7 02的狀 態下被安排到旋轉台7 1 3之上。因爲容器內部處於真空狀 態，所以即使取下固定器7 0 2，第二容器也不會脫離，接 下來，安裝室的內部藉由控制氣氛的裝置變成減壓的狀 態。當安裝室內部的壓力和第二容器內部的壓力變得彼此 相等時，就能夠容易地打開第二容器。其次，第二容器的 上部721a藉由提升機構711被卸掉，第二容器的下部和 第一容器藉由旋轉台713以轉動軸712爲軸心旋轉從而被 移動。然後，第一容器70 1藉由傳送機構被載送到沉積室 安裝到蒸發源支架處（圖示未顯示）。 之後，藉由提供在蒸發源支架處的加熱裝置，蒸發材 料昇華，膜開始被形成。在形成膜時，當提供在蒸發源支 架處的閘門（未圖示）打開時，昇華的蒸發材料飛散開到 基底的方向並蒸氣沉積到基底上以形成發光層（包括電洞 傳送層、電洞注入層、電子傳送層和電子注入層）。 另外，完成蒸氣沉積之後，從蒸發源支架提升出第一 容器並載送到安裝室’然後將第一容器搭載在旋轉台907 上的第二容器的下部容器（未圖示）上，並用第二容器的 上部容器72 1 a密閉地密封。這時，較佳的是第一容器、 20- (17) (17)200418340 第二容器的上容器和下容器使用最初傳送時的容器的組合 體密閉地密封。在這種狀態下，安裝室90 5置於大氣壓 下，從安裝室中取出第二容器，用固定器7 02固定後，傳 送到材料製造商處。 圖5顯示一個可以安裝多個第一容器911的安裝室的 實例。圖5A中，安裝室90 5包括可以裝載多個第一容器 911或第二容器912的旋轉台907，用於載送第一容器的 傳送機構902b，提升機構902a。沉積室906包括蒸發源 支架903和用於移動蒸發源支架的裝置（沒有圖顯示）。 圖5A顯示了安裝室的俯視圖，圖5B顯示安裝室內的斜 透視圖。安裝室905被安排得與沉積室906藉由閘閥900 連接，安裝室中的氣氛可以藉由使用氣體導入埠的控制氣 氛的裝置來控制。另外，雖然這裏沒有圖顯示，被卸掉的 上部（第二容器的）9 1 2的放置場所另行提供。 或者，可以在與沉積室連接的預處理室（安裝室）中 提供機器人，將整個蒸發源從安裝室轉移到預處理室，在 預處理室安裝蒸發材料到蒸發源中。也就是說，也可以是 採用蒸發源移動到預處理室的製造系統。以這種方式，能 夠在保持沉積室的淸潔度的情況下安裝沉積源。 此外，本發明還減少了每單個基底的處理時間。如圖 8所示，設有多個沉積室的多室製造設備具有用於向第一 基底上進行沉積的第一沉積室、和用於向第二基底上進行 沉積的第二沉積室。在每個沉積室中同時（並列）層疊多 個有機化合物層，由此減少了每單個基底的處理時間。也 -21 - (18) (18)200418340 就是說，從傳送室取出第一基底並將其放在第一沉積室 中，在第一基底上進行蒸氣沉積。在這期間，從傳送室取 出第二基底並將其放在第二沉積室中，並在第二基底上進 行蒸氣沉積。 在圖8中的傳送室1004a中提供有6個沉積室，因此 可以將6個基底放在各個沉積室中並進行依次和同時蒸氣 沉積。此外，還可以在其中的沉積室的維修期間使用其他 沉積室進行蒸氣沉積，這樣就不用因維修暫停生產線。 作爲本發明的形成含有有機化合物層的蒸氣沉積處理 的一個實例，首先，在安裝室中安裝坩堝於真空密封的容 器中，在安裝室內被真空抽氣後從容器中取出坩堝。然 後，對坩堝實施加熱直到坩堝的溫度上升到溫度 T，但 是，真空度要設定的低於蒸氣沉積時的真空度以便控制蒸 氣沉積不在安裝室內開始。接下來，從安裝室載送加熱後 的坩堝到沉積室。位於沉積室的蒸發源支架提前被加過 熱，安裝好坩堝進一步提升真空度後即可開始蒸氣沉積。 蒸發源支架可以向X方向或Y方向移動，可以在相對的 被固定的基底上形成均勻的膜。另外，提前加熱可以縮短 加熱坩堝的時間。 在本說明書中揭示關於含有有機化合物的層的製造方 法爲： 一種含有有機化合物的層的製造方法，該製造方法包 含以下步驟： 在安裝室安裝塡充有含有有機化合物材料的容器； -22- (19) (19)200418340 在安裝室內實施真空抽氣； 在安裝室將容器加熱至溫度T ; 傳送加熱過的容器到預先加熱至溫度τ的蒸發源支 架； 將基底載入到沉積室； 保持容器的溫度在溫度T並提升沉積室內的真空度使 其真空度高於安裝室，然後對基底實施蒸氣沉積；以及 載送基底。 另外，在本發明中，因含有有機化合物的層可以防止 水分的侵入，較佳的是，在不與大氣接觸的情況下，實施 從形成含有有機化合物的層到密封的處理。 用上述蒸氣沉積裝置形成RGB各個發光層時，如電 洞注入層、電洞傳送層、發光層、電子傳送層中任何一個 層用不同的掩模形成，邊緣部分就容易參差不齊，因而會 引起邊緣部分的電阻値的變化。另外，邊緣部分容易成爲 据齒形狀如圖2 1所示。邊緣部分雖不在發光面積內但會 引起發光元件驅動電壓的上升，還會成爲和相鄰圖素的層 相接部分短路的原因。根據本發明，基底和蒸發源之間間 隔的距離窄到20cm或更少，較佳的，5cm-15cm，而且， 用相同掩模實施的電洞注入層、電洞傳送層、發光層、電 子傳送層的蒸氣沉積，邊緣部分容易一致，相鄰圖素也不 互相接觸。因根據蒸氣沉積的材料，蒸氣沉積的速度，罩 蓋掩模的量會不同，在多層層疊的情形中，較佳的是，形 成能夠罩蓋住下層末端部分的膜。 -23. (20) (20)200418340 以上述製造系統形成的發光元件也是本發明之一。在 本說明書所揭示之發光裝置爲： 一種發光裝置，包含在有絕緣表面的基底上具有包括 陰極，和陰極連接的含有有機化合物的疊層，以及和含有 有機化合物的疊層連接的陽極的發光元件， 其中含有有機化合物的疊層中，至少有兩層以上的邊 緣齊平；和 其中該發光元件被一疊層覆蓋，該疊層包括第一無機 絕緣膜，有吸濕性和透明性的膜，以及第二無機絕緣膜。 在本說明書所揭示之發光裝置的其他結構爲： 一種發光裝置，包含在有絕緣表面的基底上具有包括 陰極，和陰極連接的含有有機化合物的疊層，以及和含有 有機化合物的疊層連接的陽極的發光元件， 其中含有有機化合物的疊層中，提供的疊層的上層能 夠覆蓋疊層的底層的末端；和 其中該發光元件被一疊層覆蓋，該疊層包括第一無機 絕緣膜’有吸濕性和透明性的膜，以及第二無機絕緣膜。 在上述各結構中，其中有吸濕性和透明性的膜的特徵 是其應力比第一無機絕緣膜或第二無機絕緣膜要小，而 且’其有緩和第一無機絕緣膜和第二無機絕緣膜的應力的 效果。 在上述各結構中，其中第一無機絕緣膜或第二無機絕 緣膜的特徵是其包括藉由濺射的方法或CVD的方法獲得 的氮化矽膜’氧化矽膜，氮氧化矽膜，DLC膜，CN膜， -24- (21) 200418340 或這些膜的疊層。其中，較佳的是，第一無機絕緣膜或第
的氮化矽膜。 由矽製成的靶用RF濺射形成的高密集氮化矽膜不但 可以有效地防止因諸如納，鋰，鎂等的鹼性金屬或鹼土金 屬污染TFT引起的臨界値電壓的變動，而且，對氧氣和 濕氣有極高的封閉效果。另外，爲提高封閉效果，理想的 是，附著在氮化矽膜中氧氣和氫氣的含量在10原子％或 更少的範圍，較佳的，1原子％或更少的範圍。 具體的濺射條件是：使用氮氣或氮和稀有氣體的混合 氣體，將壓力設定爲0.1〜1.5Pa，頻率爲13MHz〜40MHz， 電力爲 5〜20W/cm2，基底溫度爲室溫〜3 5 0°C，矽靶 (1〜lOQcm)和基底的距離爲 40mm〜200mm，背壓力爲 1 X 10_3 Pa或更少。還可以對基底背面噴塗稀有氣體。例 如，在流率爲 Ar: N2 = 20sccm: 20sccm，壓力爲 〇.8Pa， 頻率爲 13·56ΜΗζ， 電力爲1 6.5 W/cm2，基底溫度爲 200°C， 矽靶和基底的距離爲60mm， 背壓力爲3 X 1(Γ 5 P a的條件下得到的高密集的氮化矽膜有以下特徵：蝕刻 速度較慢（指用LAL5 00，在20 °C的條件下實施蝕刻的蝕 刻速度，以下相同）爲 9nm或更少， （較佳的是 0·5〜3.5nm或更少），氫的密度較少爲1 X 1〇21 atoms/cm·3 或更少（較佳的是 5 X 102G atoms/cnT3或更少）。這裏的 LAL500 是指日本橋本化成（Hashimoto Chemical)公司生 産的[LAL500 SA緩衝氫氟酸]，即NH4HF2 (7.13%)和 -25- (22) (22)200418340 Ν Η 4 F ( 1 5 · 4 % )的水溶液。 由以上濺射法製成的氮化矽膜，其電容率是 7.0 2〜9.3， 折光率是1.91〜2.13，內應力是4」7 X108dyn/ cm2， 蝕刻速度是 〇·77〜1.31nm/min。內應力數値的正負 號雖根據壓應力或拉應力變化，這裏只取其絕對値。另 外，藉由由以上濺射法製成的氮化矽膜的RBS得到的Si 密度爲 37.3 atomic%，N 密度爲 55.9 atomic%。另外， 藉由由以上濺射法製成的氮化矽膜的SIMS得到的氫氣密 度爲 4 X102G atoms/cm·3，氧氣密度爲 8 X102G atoms/ cnT3，碳密度爲1 X1019 atoms/cnT3。另外，由以上濺射 法製成的氮化矽膜在可視光面積內具有80%或更多的透射 率。 在上述各個結構中，上述以碳作爲主要成分的薄膜包 括具有3〜50nm厚度的類金剛石碳膜（也被稱爲DLC 膜），CN膜，或非晶質膜。DLC膜是碳原子間短距離有 秩序地結合，雖擁有SP3的鍵，但從宏觀尺度上看是非晶 質的結構。DLC膜是由70〜95原子°/〇的碳，5〜30原子％ 的氫組成，D L C膜非常硬有良好的絕緣性。另外，d L C 膜有安定的化學性，是不易變化的薄膜。DLC膜的導熱率 是200〜600W/m.K，在驅動時産生的熱可以釋放出。這類 DLC膜的特徵在於其對諸如濕氣和氧氣等氣體的低透氣 率。另外’根據微硬度測試儀的測量已知這種膜有 1 5〜25GPa的硬度。
DLC膜可以用電漿CVD法（典型地，RF電漿CVD -26- (23) (23)200418340 法，微波CVD法，電子迴旋共振（ECR) CVD法，熱燈 絲 CVD法等），燃燒炎法，濺射法，離子束蒸氣沉積 法，雷射蒸氣沉積法等形成。用以上任何一種膜形成方 法，DLC都可以被形成有良好的粘附性。基底被置於陰極 上形成DLC膜。另外，施加負偏壓，使得細和硬的膜可 以利用離子碰撞到一定程度來形成。 作爲用於DLC膜形成的反應氣體，使用氫氣和碳氫 型氣體（例如，CH4，C2H2，C6H6等）。然後藉由輝光放 電被離子化。所得到的離子被加速以碰撞施加有負偏壓的 陰極以便形成DLC膜。結果是，可以得到細和光滑的 DLC膜。所得到的DLC膜是絕緣膜，其對可見光是透明 或半透明。在本說明書中，所謂“對可見光透明”意思是 可見光的透射率是8 0- 1 00%， “對可見光半透明”意思是 可見光的透射率是50-80%。 作爲用於CN膜形成的反應氣體，可以使用氮氣和碳 氣型氣體（例如’ C2H2，C2H4等）。 在上述各個結構中，上述有吸濕性和透明性的膜的特 徵在於其爲藉由蒸氣沉積而得到材料膜。比如，MgO， Sr02，SrO，CaF2，CaN 等合金膜，或諸如 a-NPD (4，4、 二-[Ν·(萘基）-N-苯基-氨基]-聯苯），浴銅靈（bath〇cupr〇in BCP ) ’ MTDATA(4 ， 4， ， 4，，-tris(N-3- methylphenyl-N-phenyl-amino) triphenylamine)(三合苯 月女二甲基戊嫌甲基胺），Alq3(三-8-經基 啉複合體） 等含有有機化合物的材料膜。所以，上述有吸濕性和透明 -27- (24) (24)200418340 性的膜和構成夾在上述陰極和陽極中間的含有有機化合物 的層的多層中的至少一層有可能是相同材料。 上述有吸濕性和透明性的膜可以是藉田塗敷（噴墨法 或旋塗法）得到的含有有機化合物的聚合材料膜。例如， 聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩（PEDOT)等。 本發明包括但不限於陰極/第一無機絕緣膜/有吸濕性 和透明性的膜/第二無機絕緣膜的疊層結構，也可以進一 步多層化，比如，可以是陰極/有吸濕性和透明性的膜/第 一無機絕緣膜/有吸濕性和透明性的膜/第二無機絕緣膜的 疊層，或陰極/第一無機絕緣膜/有吸濕性和透明性的膜/第 二無機絕緣膜/有吸濕性和透明性的膜/第三無機絕緣膜的 疊層。 另外，上述各個結構中，在主動矩陣型發光裝置的情 形中，發光元件和與該發光元件連接的TFT提供在上述 第一基底上。 此外，作爲佈置在陰極和陽極之間的含有有機化合物 的層的典型實例，上面說明了包含電洞傳送層、發光層和 電子傳送層的三層疊層結構。但是，含有有機化合物的層 的結構沒有特別限制於此。其可使用另一種疊層結構，其 中電洞注入層、電洞傳送層、發光層和電子傳送層按所述 順序層疊在陽極上；或電洞注入層、電洞傳送層、發光 層、電子傳送層和電子注入層按所說順序層疊在陽極上。 也可使用雙層結構或單層結構。熒光顔料等也可添加到發 光層中。而且發光層的例子包括具有電洞傳送能力的發光 •28· (25) (25)200418340 層和具有電子傳送能力的發光層。此外，所有上述層可只 使用低分子量（單體）材料形成，或上述層中的一層或幾 層可使用高分子量（聚合）材料形成。注意在本說明書 中’在陽極和陰極間提供的層一般稱爲包含有有機化合物 的層（EL層）。因此，上述電洞注入層、電洞傳送層、 發光層、電子傳送層和電子注入層都包含在EL層中。此 外’包含有有機化合物的層（EL層）也可包含無機材料 如砂。 注意發光元件（EL元件）具有藉由施加電場得到發 光（電致發光）的含有有機化合物的層（此後稱爲EL 層）、陽極和陰極。有機化合物發光的類型包括從單重激 發態返回到基態的光發射（熒光）和從三重激發態返回到 基態的光發射（磷光）。兩種類型發光都可應用到根據本 發明生産的發光裝置。 此外，在根據本發明的發光裝置中，對用於螢幕顯示 的驅動方法沒有特別限制。例如，可使用點順序驅動法、 線順序驅動法、面順序驅動法等。典型的是使用線順序驅 動法，並且也可適當使用分時灰度等級驅動法和區域灰度 等級驅動法。而且輸入到發光裝置的源線的影像訊號可以 是類比訊號或數位訊號，可根據影像訊號適當設計驅動電 路等。 在本說明書中，形成有陰極、EL層、以及陽極的發 光元件，被稱爲EL元件，它包括其中EL層被形成在排 列成彼此正交的二種條形電極之間的系統（簡單矩陣系 -29 - (26) (26)200418340 統）以及其中EL層被形成在圖素電極與連接到TFT (薄 膜電晶體）的反電極之間且排列成矩障的系統（主動矩陣 系統）。本發明適用於簡單矩陣系統和主動矩陣系統兩 者。 【實施方式】 &下具體說明本發明的實施模式。 實施模式1 這裏用圖1說明在沉積室內以X方向或Y方向移動 蒸發源支架的情況。 圖1A是蒸發源支架204的俯視圖，其上提供有6個 容器（坩堝）202。圖1B是蒸發源支架2 04的橫截面圖。 膜的厚度監視器2 0 1設置在每一個容器處，根據調節傾斜 程度的螺釘2 0 5，相應於基底2 0 0，歪斜地設置其中一方 的容器。和膜的厚度監視器2 0 1 —樣，調節傾斜程度的螺 釘2 05設置在每一個容器處，加熱器203可以一起被歪 斜。在這裏，加熱器2 03作爲加熱機構使用，藉由電阻加 熱實施蒸氣沉積。 也可以提供滑動閘門（沒有圖顯示）以控制蒸氣沉 積。例如，移動蒸發源支架，如果基底200的下方沒有蒸 發源支架’關閉閘門即可停止蒸氣沉積。 如同這樣藉由移動機構206 (典型的是雙軸台）在沉 積室內將蒸發源支架204以X方向或Y方向在二維平面上 •30- (27) 200418340 移動。 圖1顯示在蒸發源支架上提供6個容器的 供在蒸發源支架上的容器的數量並不限於6個 6個以上。圖2A顯示在蒸發源支架上提供8 例。 在要提高蒸氣沉積速度較慢的材料的產量 可將同一材料分開塡充於多個坩堝中並同時實 來縮短蒸氣沉積的時間。另外，在用因沉積速 會受影響的材料的情形中，可將同一材料分開塡 增渦中並同時實施蒸氣沉積，其結果是不改變蒸 度和膜的品質而得到預定的膜的厚度。 圖2B是顯示材料塡充實例的模式圖。在圖 個堪渦當中’其中2個塡充電洞傳送層（htl ) 4個塡充發光層（EML )的材料、剩下2個塡充 層（ETL )的材料。這種情形中，按順序先加熱 將電洞傳送層（HTL)的材料蒸氣沉積，然後， 容器將發光層（EML)的材料蒸氣沉積，最後， 容器將電子傳送層（ETL )蒸氣沉積從而形成疊 計要蒸氣沉積的發光層由主材料和激發能低於主 光材料（摻雜材料）構成的情形中，較佳的是， 當中，放置2種材料於各互相對角的容器中。 上述具有沉積室的多室系統的製造系統（一 於圖7 )，因含有有機化合物的層防止水分的侵 不與大氣接觸的狀態下實施從形成含有有機化合 例，但提 也可以是 容器的實 情形中， 蒸氣沉積 膜的品質 充於多個 氣沉積速 2B 中，8 的材料、 電子傳送 2個容器 加熱4個 加熱2個 層。在設 材料的發 4個容器 個實例示 入，使在 物的層到 -31 · (28) (28)200418340 密封的處理成爲可能。 實施模式2 在實施模式2中，用圖3顯示沒有閘門的蒸發源支架 的實例。 圖3A顯示蒸發源支架3 00的橫截面圖’2個容器 3 02當中，其中的一個顯示蒸氣沉積正在進行中的狀態。 不用閘門來控制蒸氣沉積，而是用提升桿301使坩堝302 不接觸加熱器從而冷卻坩堝，最終使蒸氣沉積停止。 即使關掉加熱器的電源，熱也很難被釋放掉，材料因 此被繼續加熱，由於即使關掉閘門蒸氣沉積還會繼續進 行，這就産生在閘門處的沉積使閘門粘接不能動作的問 題。 上述問題可根據圖3所示的提升桿3 0 1得到解決。爲 用提升桿301使容器302不與加熱器接觸，容器3 02有一 個橫截面結構’其中容器3 02的開口部分的面積比底座部 分的面積大。加熱器的形狀也爲對應容器302的形狀而改 變。使用這種形狀，只需少許提升提升桿即可實現容器與 加熱器的互不接觸。提升桿301可用導熱率低的材料諸如 石英，陶瓷等製成，容器（坩堝）3 02可用導熱率高的材 料，較佳的是，諸如鈦等容易釋放熱的材料。另外，也可 減少容器（i甘渦）302內壁和外壁的厚度使其容易釋放 熱。 放下提升彳千’ΟΙ即爲圖3B的狀態，即2個容器同時 -32- (29) (29)200418340 進行蒸氣沉積。所以，在保持加熱器繼續加熱的狀態下控 制蒸氣沉積成爲可能。另外，雖從打開加熱器的電源加熱 到預定的溫度需要花費時間，但根據本發明，不用提供閘 門只用提升桿即可控制蒸氣沉積，因此可提高産量。 本實施模式可與實施模式1自由組合。 實施模式3 實施模式3用圖6A顯示每個基底在膜的形成時實施 淸潔的流程。 首先，將基底載入沉積室前預先對蒸發源加熱，然 後’將基底載入沉積室開始蒸氣沉積。蒸氣沉積時，用蒸 氣沉積掩模按順序將電洞傳送層（HTL )的材料蒸氣沉 積’然後，將發光層（EML )的材料蒸氣沉積，最後，將 電子傳送層（ETL )蒸氣沉積從而形成疊層。形成單色發 光元件的情形中，可用一蒸氣沉積掩模形成單色發光元 件。然後，將沉積成膜過的基底載出。將基底載出後，爲 了淸潔附著在蒸氣沉積掩模上的沉積物，用等離子産生裝 置在沉積室內産生等離子使附著在掩模上的沉積物蒸發， 然後排出沉積室。 最後’在載入下一個基底前，預先對蒸發源加熱。至 此爲止的流程用圖6A顯示。 另外’當形成全色的發光元件時，每個基底在膜的形 成時實施淸潔的流程將在圖6B顯示。 圖6B顯示在一個沉積室中形成r，g，B的發光層的 -33- (30)200418340 實例。 首先 後，將基 氣沉積掩 料蒸氣沉 積，最後 層。然後 了淸潔附 置在沉積 然後排出 其次 意，將基 用蒸氣沉 的材料蒸 氣沉積， 疊層。然 淸潔附著 其次 載入沉積 源加熱。 傳送層（ (EML ) 蒸氣沉積 出。到此 ’將基底載入沉積室前預先對蒸發源加熱，然 底載入沉積室開始蒸氣沉積。蒸氣沉積時，用蒸 模（第一個）按順序將電洞傳送層（HTL )的材 積，然後，將紅色發光層（EML)的材料蒸氣沉 ’將電子傳送層（ETL )蒸氣沉積從而形成疊 ’將蒸热丨几積過的基底載出。將基底載出後，爲 著在蒸氣沉積掩模上的沉積物，用等離子産生裝 室內産生等離子使附著在掩模上的沉積物蒸發， 沉積室。 ’將沉積有發光層（R)的基底載入沉積室。注 @載入沉積室前需要預先對蒸發源加熱。然後， 掩模（第二個）按順序將電洞傳送層（HTL ) 氣沉積，然後，將綠色發光層（EML)的材料蒸 最後’將電子傳送層（ETL )蒸氣沉積從而形成 & ’將蒸氣沉積過的基底載出。將基底載出後， #蒸氣沉積掩模上的沉積物。 ’將沉積有發光層（R)和發光層（G)的基底 ^ °注意，將基底載入沉積室前需要預先對蒸發 $後，用蒸氣沉積掩模（第三個）按順序將電洞 HTL )的材料蒸氣沉積，然後，將藍色發光層 的材料蒸氣沉積，最後，將電子傳送層（ETL ) 從而形成疊層。然後，將蒸氣沉積過的基底載 步驟，基底上可形成R，G，B的發光層。 -34- (31) (31)200418340 將基底載出後，淸潔附著在蒸氣沉積掩模上的沉積 物。最後，將下一個基底載入沉積室前需要預先對蒸發源 加熱。至此爲止的流程用圖6B顯示。 本實施模式可與實施模式1或實施模式2自由組合。 實施模式4 實施模式4參考圖1 〇說明利用實施模式1說明的蒸 氣沉積裝置形成本發明的發光裝置。 實施模式1所示的蒸氣沉積裝置中，基底和蒸發源之 間的間距窄到2 0 c m或更少，較佳的，5 c m -1 5 c m，而且， 用相同掩模實施的電洞注入層、電洞傳送層、發光層、電 子傳送層的蒸氣沉積，邊緣部分容易一致，相鄰圖素也不 互相接觸。 圖10A顯示蒸氣沉積掩模501和將要被實施蒸氣沉 積的基底500的位置關係。需要注意的是，實際操作中， 蒸氣沉積使用面向下的倒蒸方式，其上下位置正好相反。 在圖10A中，基底500上形成有包括TFT (沒有圖顯 示），與該TFT連接的第一電極508，與覆蓋該第一電極 末端的隔離物（典型的是光敏感性樹脂）5 0 6，以及藉由 塗敷在沒有被該隔離物覆蓋的第一電極的表面上形成的電 洞注入層5 1 0。例如’在基底整個表面上塗敷作爲電洞注 入層起作用的聚（亞乙基二氧基噻吩聚（苯乙烯磺 酸）水溶液（PEDOT/PSS )，然後進行烘烤。特別是，在 用ITO膜作第一電極5 08的材料，表面上存在凸凹和微小 -35- (32) (32)200418340 顆粒的情形中，藉由將PEDOT/PSS的膜的厚度設定爲 30nm或更多，可以減少這些影響。 此外，如果將 PEDOT/PSS塗覆在ITO膜上的頂 部，則因PEDOT / PSS沒有良好的可濕性，較佳的，在用 旋塗法進行PED0T/PSS溶液的第一次塗覆之後用純淨水 淸洗以便增加可濕性。PED0T/PSS的第二次塗覆可以藉 由旋塗法進行，並進行烘焙，由此形成具有良好均勻性的 膜。注意在進行第一塗覆之後用純淨水淸洗基底對提高表 面品質是有效的，並且同時還獲得除去微小顆粒等的效 果。 圖1 1 A顯示觀察第二電極形成後的元件的橫截面 TEM照片。圖1 1B是對應於圖1 1 A的模式圖。在圖1 1 A 中，PEDOT/PSS的90nm左右厚的膜形成在第一電極上。 藉由在隔離物的上末端部分或下末端部分形成有曲率 的曲面，即使使用旋塗法，在隔離物的平緩的側牆上，隨 著遠離第一電極，形成的膜的厚度逐漸變薄，較佳的是， 隔離物具有在其上部沒有作爲電洞注入層的導電性聚合物 的結構。 如圖1 1 A所示，在隔離物的平緩的側牆上雖有很薄 的PED0T/PSS的膜，但在隔離物的上部確認不到作爲電 洞注入層的PED0T/PSS。使用圖1 1 A所示的結構，可以 有效地抑制串擾的發生。 能夠用塗敷形成的材料比如連接導電聚合材料的聚合 吡咯與鈀的材料，可以用來代替PED0T/PSS。 -36- (33) 200418340 然後，對這個基底500實施蒸氣沉積，在和 的開口部分重疊的區域上發光層511和電子傳送 沉積而形成。另外’較佳的是’用電阻加熱法形 極 5 0 7。 圖10A顯示3個圖素當中的一個處於蒸氣 時的截面圖。圖1 〇B顯示一個步驟狀態的俯視 R，G，B的3個圖素處於被沉積後，第二電極 明保護疊層5 02處於已形成的狀態。圖10C顯 的橫截面圖。在圖10B中’用點線圍出的區域 積，剩下的區域是形成在隔離物5 0 6上的部分。 層5 1 1和電子傳送層5 1 2是用相同掩模形成的’ 容易齊平，相鄰圖素也不互相接觸其結果是可以 等發生。由於根據蒸氣沉積的材料，蒸氣沉積的 蓋掩模的量會不同，在多層重疊的情形中，較佳 成下層的層的末端部分能夠被罩蓋的膜。 透明保護疊層5 02用濺射或蒸氣沉積的方法 二電極之上。如圖10C所示，透明保護疊層502 一無機絕緣膜，應力緩和膜及第二無機絕緣膜 成。作爲第一無機絕緣膜和第二無機絕緣膜，可 由濺射或CVD得到的氮化矽膜，氧化矽膜，氮 (SiNO膜（成分比N>0)或SiON膜（成分比 和以碳作爲主要成分的薄膜（諸如DLC膜，CN 些無機絕緣膜雖對水分有很高的封閉效應，但隨 度的增大膜應力也增大，這樣就容易産生剝皮 掩模50 1 層512被 成第二電 沉積狀態 圖，其中 5 0 7和透 示圖 1 0B 是發光面 由於發光 邊緣部分 防止短路 速度，罩 的是，形 形成於第 由包括第 的疊層組 以使用藉 氧化矽膜 N<0 )) 膜）。這 著膜的厚 和膜的剝 -37- (34) (34)200418340 落。但是，如在第一無機絕緣膜和第二無機絕緣膜之間夾 上應力緩和膜，即可以緩和應力的同時還吸收水分。而 且’即使在膜的形成時，出於某種原因在第一無機絕緣膜 上形成微小的氣孔（針尖狀氣孔），應力緩和膜可以塡塞 這些氣孔。然後’進一步在應力緩和膜之上提供第二無機 絕緣膜使其對濕氣和氧氣有極高的封閉效應。 作爲應力緩和膜，較佳的是，使用比無機絕緣膜的應 力小而且有吸濕性的材料。更較佳的是，同時具有透光性 的材料。作爲應力緩和膜還可以使用諸如a-NPD (4，4，-二[N-(萘基）-Ν·苯基-氨基]-聯苯），浴銅靈（bathocupr〇in “ BCP，， ) ， MTDATA(4 ， 4， ， 4，，-tris(N-3- methylphenyl-N-phenyl-amino) t r i p h e n y 1 am i n e)(三合苯 胺三甲基戊烯甲基胺），Alq3(三-8-羥基 啉複合體） 等含有有機化合物的材料膜。這些材料膜有吸濕性，如果 膜的厚度較薄，則幾乎是透明的。另外，MgO，Sr02， SrO有吸濕性和半透明性，可以藉由蒸氣沉積形成薄膜， 因此也可以作爲應力緩和膜。 另外’作爲應力緩和膜，可以使用與夾在陰極和陽極 中間的含有有機化合物的層相同的材料。 用濺射或CVD形成無機絕緣膜，在可以用蒸氣沉積 形成應力緩和膜的情形中，雖需要在蒸氣沉積室和濺射成 膜室（或CVD成膜室）之間來回載送基底，但有不必增 設新的成膜室的有利點。另外，有機樹脂也可以考慮被用 作應力緩和膜’但有機樹脂使用溶劑因而需要焙烤處理， -38- (35) 200418340 所以有增加工作步驟，因溶劑成分引起的污染，因焙 起的損傷，除氣等問題。 經上述步驟形成的透明保護疊層5 02最合適作]^ 有機化合物的層作發光層的發光元件的密封膜。另外 明保護疊層5 0 2有吸濕性，還起除去水分的作用。 另外，第一電極508作爲發光元件的陽極，第二 5 07作爲發光元件的陰極。作爲第一電極5 0 8的材料 以使用從 Ti，TiN，TiSix，NY，Ni，W，WSix， W S i χ N γ，N b N，Μ ο，C r，P t，Z η，S η，I η，或 Μ o 中 的元素，或用上述元素作主要成分的合金材料，或以 物作主要成分的膜，或膜的總厚度在l〇〇nm〜800nm 圍內的這些膜的疊層。另一方面，作爲第二電極507 料，可以使用 MgAg，Mgln，AlLi，CaF2，CaN 等 金，或者周期表中I族或II族元素與鋁藉由共同沉 成的有透光性的膜。 圖12顯示和圖10 —部分不同的實例。圖10C顯 離物具有有曲率的曲面的實例，圖12A顯示用非光 脂作隔離物，隔離物520呈錐形的實例。隔離物520 的部分，因和圖1 0相同所以使用同樣的符號。另外 12B顯示電洞注入層5 22也由蒸氣沉積而形成的實例 種情形中，較佳的是，使用相同掩模形成電洞注 522，發光層511和電子傳送層512。 本實施模式可與實施模式1，實施模式2或實施 3自由組合。 烤引 含有 ，透 電極 ，可 WNX 選出 化合 的範 的材 的合 積形 示隔 敏樹 以外 ，圖 ，這 入層 模式 -39- (36) (36)200418340 在下面的實例中，將對具有上述結構的本發明進行更 詳細的說明。 實施例1 根據本實例，圖7顯示多室系統的製造設備的實例， 其中從第一電極到密封的處理是全自動的。 圖7顯示一個多室製造設備，其包括：閘門l〇〇a -100y ；傳送室 102、104a、108、114 和 118;輸送室 105、107和 111;製備室 101;第一沉積室 106H;第二 沉積室106B ;第三沉積室106G ;第四沉積室106R ;第 五沉積室106E和其他沉積室109、110、112和113, 132 ;用於安裝蒸發源的安裝室 126R、126G、126B、 126E和126H;預處理室103a，103b;密封室116;掩模 儲存室 124 ;密封基底儲存室 130 ;盒子室 120a和 12 0b ;托盤放置台121 ;和取出室1 19。另外，傳送室 l〇4a中提供有傳送基底104c的傳送機構104b，其他的傳 送室中也同樣地各自設有傳送機構。 傳送預先提供有陽極（第一電極）和用於覆蓋該陽極 末端部分的絕緣體（隔離物）的基底到圖7所示的製造系 統中，下文將顯示製造發光裝置的步驟。另外，在製造主 動矩陣型發光裝置的情形中，基底上預先提供有多個與陽 極連接的薄膜電晶體（用於控制電流的TFT )和其他薄膜 電晶體（開關用TFT等），還提供有由薄膜電晶體製成 的驅動電路。另外，圖7所示的製造系統也可用於製作單 -40 - (37) (37)200418340 純矩陣型發光裝置。 首先’基底安裝在盒子室120a或盒子室120b中。當 基底疋大尺寸板時（例如，300mmx360mm)，基底安裝 在盒子室120b中，當基底是普通板（例如，：[27mmx 127mm)時，基底安置在盒子室120a中，然後，載送基 底到托盤放置台121，且在托盤上（例如，30〇mm X 360mm)安裝多個基底。 傳送安裝在盒子室的基底（提供有陽極（第一電極） 和用於覆蓋該陽極末端部分的絕緣體的基底）到傳送室 118° 另外’在將基底安裝到盒子室之前，爲了減少表面的 點缺陷’較佳的是，將介面活性劑（弱鹼）包含於多孔海 綿（典型地，由PVA (聚乙烯醇）或尼龍製成）中，用其 擦拭和淸洗第一電極（陽極）表面以便去除表面的微粒。 作爲淸洗裝置，可使用具有滾刷（用PVA製作）的淸洗 裝置，滾刷與基底表面接觸，同時繞平行於基底表面的軸 線旋轉，或也可使用具有圓盤狀刷子（用 PVA (聚乙烯 醇）製作）的淸洗裝置，圓盤狀刷子與基底表面接觸，同 時繞垂直於基底表面的軸線旋轉。另外，在形成含有有機 化合物的膜之前，較佳的是在真空中實施用於脫氣的退火 操作，以除去包括在基底中的濕氣或其他氣體，可以傳送 基底到與傳送室1 1 8相連接的預處理室1 23中退火。 接下來，從提供有基底傳送機構的傳送室118傳送基 底到製備室101。根據本實施模式的製造系統，安裝在傳 -41 - (38) (38)200418340 送室118的自動裝置可以將基底正面和反面反轉，將自動 裝置反轉到製備室1〇1也就將基底傳送到了製備室1〇1。 在本實施例中，傳送室1 1 8始終維持在大氣壓下。製備室 1 0 1連接到真空抽氣室，較佳的是在真空抽氣之後藉由引 入惰性氣體讓製備室1 0 1處於大氣壓下。 接下來，基底傳送到與製備室1 0 1連接的傳送室 102。較佳的是藉由事先真空抽氣來保持真空，使得濕氣 或氧氣盡可能少的存在於傳送室102的內部。 另外，真空抽氣室提供有磁懸浮型渦輪分子泵、低溫 杲或乾燥泵。由此，連接到製備室的傳送室的最終真空度 可以做到落在l〇- 5— l〇- 6Pa的範圍，而且，可以控制雜 質從泵側和抽氣系統的反向擴散。爲了防止雜質混入到裝 置的內部，使用氮氣稀有氣體等的惰性氣體作爲要引入的 氣體。將要引入到裝置中的這些氣體，在其被引入到設備 之則用氣體精製器局度提純，然後被使用。因而，有必要 提供氣體精製器，使得氣體在被高度提純之後引入到蒸氣 沉積系統中。由此，包括在氣體中的氧、水和其他雜質可 以預先被除去，因而，可以防止雜質混入到設備中。 另外’要除去形成於不要部分的含有有機化合物的膜 的情形中’可以傳送基底到預處理室l〇3a，以便選擇地 除去有機化合物膜的疊層。預處理室103a裝備有電漿發 生裝置’藉由激發選自包含Ar、H、F和Ο的組中的一種 或多種氣體産生電漿進行乾蝕刻。藉由使用掩模，可以有 選擇地只除去不要部分。另外，可以在預處理室l〇3a中 •42· (39) (39)200418340 設置UV照射機構’以便實施紫外線照射作爲陽極的表面 處理。 此外’較佳的在蒸氣沉積形成含有有機化合物的膜之 前進行真空加熱，以便消除皺縮。將基底載送到預處理室 l〇3b，並在真空（等於或低於5xl〇- 3Torr( 0.665Pa)的 壓力，較佳從10— 4到10_ 6Pa)中進行用於除氣的退火， 以便完全除去含在基底中的濕氣和其他氣體。在預處理室 103b中用平板加熱器（典型的是護套加熱器）對多個基 底均勻地加熱。安裝多個這樣的平板加熱器，用平板加熱 器將基底夾在中間從兩面對基底加熱，當然，也可以只從 單面對基底加熱。特別是，如果有機樹脂膜用作中間層絕 緣膜材料或隔離物的材料，有機樹脂材料趨於容易吸收濕 氣，此外，還有産生除氣的危險。因此在形成含有有機化 合物的層之前，進行真空加熱相當有效，具體是在1〇〇-250°C、較佳爲150°C-200°C的溫度下在例如30分鐘或 更長時間的周期內加熱之後，進行3 0分鐘的自然冷卻’ 以便除去吸收的濕氣。 另外，實施真空加熱前，較佳的是，在惰性氣氛的大 氣壓下實施加熱。藉由預先在惰性氣氛的大氣壓下貫施加 熱，可以縮短真空加熱所需的時間。另外’較佳的是’實 施紫外線照射的UV處理來除去基底表面的有機物（微 塵）和提高功函數（使用於陽極的ITO的功函數）。因根 據UV處理的效果而提高的功函數隨著時間的推移會減 弱，實施U V處理後，最好立即傳送基底到真空室貫施真 -43- (40) (40)200418340 空烘烤。 依此，作爲進一步消除收縮現象的較佳的處理步'驟順' 序，是用多孔海綿淸潔基底後’在氮的氣氛中（大氣壓 下）實施2 0 0。C，1小時的熱處理’然後’對陽極表面實 施 3 70秒的紫外線照射後實施30分鐘的真空加熱 (1 5 0。C，冷卻3 0分鐘）。依照适樣的處理步驟順序’可 以高效率地製作發光元件。 實施真空加熱後’從傳送室1 02傳送基底到輸送室 105，然後，從輸送室105傳送基底到傳送室104a而不暴 露於大氣。 然後，適當地傳送基底到與傳送室l〇4a相連接的沉 積室 106R， 106G， 106B， 106E，適當地形成由低分子 (單體）材料製成的有機化合物層諸如電洞注入層，電洞 傳送層、發光層、電子傳送層或電子注入層的。另外，還 可以從傳送室102傳送基底到沉積室106H，實施蒸氣沉 積。 此外，在沉積室112中可以藉由大氣壓下或減壓下的 旋塗法、噴墨法等形成由高分子（聚合）材料製成的電洞 注入層。還可以豎著放置基底真空中藉由噴墨法形成膜。 將聚（乙烯二氧噻吩）/聚（苯乙烯磺酸） (PEDOT/PSS )的水溶液、聚苯胺/樟腦磺酸 (PANI/CSA )的水溶液、PTPDES、Et-PTPDEK、PPBA 等作爲電洞注入層（陽極緩衝層）發揮作用的材料塗敷在 第一電極（陽極）的整個表面上並焙燒。較佳在烘焙室 -44- (41) (41)200418340 1 2 3中進行焙燒。藉由採用旋塗器等塗覆法形成由聚合材 料構成的電洞注入層的情況還可以提高平坦性，對於在其 上形成的膜，可以得到滿意的膜的覆蓋率和均勻性。特別 是，由於發光層的膜的厚度很均勻，因此可以獲得均勻的 光發射。在這種情況下，較佳的在用塗覆法形成電洞注入 層之後和用蒸氣沉積法沉積形成膜之前進行真空加熱（在 100°C- 200QC)。真空加熱可以在預處理室i〇3b中實 施。比如，用海綿淸洗第一電極（陽極）的表面，將基底 傳送到盒子室，傳送到沉積室1 12，在80°C下對藉由旋 塗形成在整個表面上並具有6 Onm的膜厚的聚（乙烯二氧 噻吩）/聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT/PSS)的水溶液的膜 進行預備焙燒1〇分鐘，然後在200°C下進行1小時的正 式焙燒，將基底傳送到在預處理室l〇3b，在不暴露於大 氣的情況下，實施真空加熱（在170 °C下加熱30分鐘， 然後冷卻3 0分鐘）一直到沉積即將開始之前，然後傳送 基底到沉積室106R，106G，106B，用蒸氣沉積法形成發 光層。特別是，在用I TO膜作爲陽極的材料，表面上存在 凸凹和微小顆粒的情形中，藉由將PEDOT/PSS的膜的厚 度設定爲30nm或更多，可以減少這些影響。 此外，如果將PEDOT/PSS塗覆在ITO膜上，則因 PEDOT/PSS沒有良好的可濕性，較佳的在用旋塗法進行 PEDOT/PSS溶液的第一次塗覆之後用純淨水淸洗以便增 加可濕性。PEDOT/ PSS的第二次塗覆可以藉由旋塗法進 行，並進行烘焙，由此形成具有良好均勻性的膜。注意在 -45- (42) (42)200418340 進行第一塗覆之後用純淨水淸洗基底對提高表面品質是有 效的，並且同時還獲得除去微小顆粒等的效果。 此外，如果藉由旋塗用PEDOT/ PSS形成膜時，可以 在整個表面上形成膜’因此較佳從基底的邊緣表面，以及 周邊部分、端部、陰極和下部線路連接的區域選擇地除去 PEDOT/PSS。較佳使用掩模藉由採用 〇2灰化等有選擇地 在預處理室l〇3a中進行除去步驟。 以下將說明沉積室 l〇6R、106G，106B，106E， 1 06H。 在各個沉積室106R、106G’ 106B，106E，106H中安 裝有可移動的蒸發源支架。這樣的蒸發源支架備有多個， 在蒸發源支架上適當地安裝多個塡充有EL材料的容器 (坩堝），蒸發源支架在此狀態下被安裝在沉積室。將基 底以面向下的方式安置，用 CCD等對蒸氣沉積掩模的位 置實施對準，用電阻加熱法等實施蒸氣沉積從而可以有選 擇地形成膜。在掩模儲存室1 24儲存蒸氣沉積掩模，適當 地，在實施蒸氣沉積時傳送其到沉積室。另外，在蒸氣沉 積中，因掩模儲存室處於空閒狀態，可以用來儲存膜形成 後或處理後的基底。另外，沉積室1 3 2是備用的蒸氣沉積 室，其用於形成含有有機化合物的層和金屬材料層。 較佳的是使用以下所說明的製造系統把EL材料安裝 到沉積室中。即，較佳的是使用EL材料被預先在材料製 造商處儲存的容器（有代表性的是坩堝）。另外，在安裝 中，較佳的是安裝坩堝而不與大氣接觸，當從材料製造商 -46 - (43) (43)200418340 處轉移時，較佳的是將坩堝在密閉地密封在第二容器中的 狀態下引入到沉積室中。並且，較佳的是，將連接到相應 的沉積室106R、106G，106B，106H，106E的並具有真空 抽氣裝置的安裝室126R、126G，126B，126H，126E變成 真空或惰性氣體氣氛，在該氣氛下，從第二容器中取出坩 堝，且安裝到沉積室中。另外，圖4及圖5顯示安裝室的 一個實例。根據以上步驟，可以防止坩堝和包含在坩堝中 的EL材料被污染。另外，安裝室126R、126G，126B， 126H，126E可以儲存金屬掩模。 藉由適當地選擇安裝在沉積室l〇6R、106G，106B， 106H ’ 106E的EL材料，整個發光元件被形成可以顯示 單個顔色（具體是白色）或全部顔色（具體是，紅色、綠 色、藍色）光發射的發光元件。比如，在形成綠色的發光 元件的情形中，按順序在沉積室1 〇 6 Η形成電洞傳送層或 電洞注入層，在沉積室106G形成發光層（G)、在沉積 室10 6Ε形成電子傳送層或電子注入層的疊層，然後，形 成陰極即可得到顯示綠色的發光元件。又比如，在形成全 部顔色的發光元件的情形中，在沉積室1 06r用r用的蒸 氣沉積掩模，按順序形成電洞傳送層或電洞注入層，發光 層（R) ’電子傳送層或電子注入層的疊層，在沉積室 1 0 6G用G用的蒸氣沉積掩模，按順序形成電洞傳送層或 電洞注入層，發光層（G)，電子傳送層或電子注入層的 暨層’在沉積室1 0 6 Β用Β用的蒸氣沉積掩模，按順序形 成電洞傳送層或電洞注入層，發光層（Β)，電子傳送層 -47· (44) (44)200418340 或電子注入層的疊層’然後，形成陰極即可得到顯示全部 顔色的發光元件。 另外，在有不同發光顔色的發光層層疊的情形中，顯 示白色光發射的有機化合物層大致分成包括紅色、綠色和 藍色三原色的三波長類型，和使用藍色/黃色或藍綠色/桔 紅色互補色關係的兩波長類型。白色發光元件可以在一個 沉積室內形成。例如，在使用三波長類型以得到白色發光 元件的情形中，在沉積室中準備好載有多個坩堝的多個蒸 發源支架，第一蒸發源支架塡充有芳香二胺（TPD )，第 二蒸發源支架塡充有p-EtTAZ，第三蒸發源支架塡充有 Alqs ’第四蒸發源支架塡充有在Alq3中添加有紅色發光 染料的Nile紅的EL材料，第五蒸發源支架塡充有Alq3， 蒸發源支架在該狀態下安裝在相應的沉積室中。之後，第 一至第五蒸發源支架開始連續地移動，進行對於基底的蒸 氣沉積並形成疊層。具體的，TPD藉由加熱從第一蒸發源 支架昇華，並蒸氣沉積在基底的整個面上。之後，p_ EtTAZ從第二蒸發源支架昇華，Alq3從第三蒸發源支架昇 華’ Alqs : Nile紅從第四蒸發源支架昇華，Alq3從第五蒸 發源支架昇華，並蒸氣沉積在基底的整個面上。之後，形 成陰極即可得到白色發光元件。 根據上述步驟，適當地，形成含有有機化合物的疊層 後’從傳送室1 04a傳送基底到輸送室1 07之後，然後， 從輸送室107傳送基底到傳送室1〇8而不與大氣接觸。 接下來，藉由安裝在傳送室108內部的傳送機構，基 -48- (45) (45)200418340 底被傳送到沉積室1 1 0中以形成陰極。陰極可以採用使用 電阻加熱的蒸氣沉積法形成的金屬膜（由MgAg、Mgln、 CaF2、LiF、CaN等的合金形成或者屬於周期表中族和 Π族的元素和鋁藉由共同沉積方法形成的膜或這些膜層疊 而成的膜）。另外，陰極也可以用濺射法形成。 另外，在製造上面射出型發光裝置的情形中，陰極爲 透明或半透明比較理想。較佳的是，用上述金屬膜的薄膜 (1 nm〜1 Onm )或上述金屬膜的薄膜（1 ηιη〜1 〇nm )和透明 導電膜的疊層形成陰極。這種情形中，可以在沉積室1 〇 9 藉由濺射法形成由透明導電膜（ITO (氧化銦氧化錫合 金）、萄/化姻_化辞合金 （Ιπ2〇3·ΖηΟ)、氧化辞 (ΖηΟ )等）製成的膜。 藉由上述步驟，形成具有層疊的層結構的發光元件。 另外，從傳送室1 〇 8傳送基底到相連接的沉積室 113，在沉積室113形成氮氧化矽膜的保護膜用來密封。 該情形中，沉積室1 1 3的內部提供有矽製成的靶、或者氧 化矽製成的靶，或者氮化矽製成的靶。例如，氮化矽膜可 以在陰極上用矽製成的靶在由氮氣氛或包括氮和氬的氣氛 構成沉積室的氣氛中形成。另外，以碳作爲主要成分的薄 膜（DLC膜，CN膜，或非晶膜）也可作爲保護膜。或 者’另外提供使用CVD法的沉積室。類金剛石碳膜（也 被稱爲DLC膜）可以用電漿CVD法（典型地，RF電漿 CVD法，微波CVD法，電子迴旋共振（ECR) CVD法 等）’熱燈絲CVD法），燃燒炎法，濺射法，離子束蒸 -49- (46) (46)200418340 氣沉積法，雷射蒸氣沉積法等形成。作爲用於膜形成的反 應氣體，使用氫氣和碳氫型氣體（例如，CH4，C2H2 ’ C6H6等）。反應氣體然後藉由輝光放電被離子化。所得 到的離子被加速以碰撞負子偏壓的陰極以便形成DLC 膜。CN膜可以用C2H4，N2作爲反應氣體而形成。所得到 的DLC膜和CN膜對可見光是透明或半透明。在本說明書 中，所謂“對可見光透明”意思是可見光的透射率是8 0 · 1〇〇%， “對可見光半透明”意思是可見光的透射率是so- so% 。 在本實施例中，由包括第一無機絕緣膜，應力緩和膜 和第二無機絕緣膜的疊層製成的保護膜形成在陰極上。例 如，在陰極形成後，基底被傳送到沉積室1 1 3形成第—# 機絕緣膜，然後，傳送基底到沉積室1 3 2用蒸氣沉積？去开多 成具有吸濕性和透明性的應力緩和膜（含有有機$ % % 層），然後再次傳送基底到沉積室1 1 3形成第二無機絕_ 膜。 接下來’在不與大氣接觸的狀態下，從傳送室〗〇 8傳 送其上形成有發光元件的基底到輸送室ηι並從輸送安 111傳送基底到傳送室114，然後，從傳送室114傳送其 上形成有發光元件的基底到封閉室1 1 6。 從外部安裝密封基底到裝載室】17中以備用。注意較 佳的預先在真空內進行退火’以便除去雜質如濕氣。在密 封基底上形成密封材料的情形中，其中該密封材料粘接密 封基底到其上形成有發光兀件的基底，.來、 - 仕&对室內形成密 -50- (47) (47)200418340 封材料’然後，將其上形成有密封材料的密封基底載送給 密封基底儲存室1 3 0。注意還可以在密封室中在密封基底 上形成乾燥劑。注意，雖然這裏顯示了在密封基底上形成 密封材料的例子，但是本發明不限於這種結構。密封材料 還可以形成在其上形成有發光元件的基底上。 接下來’在密封室1 1 6將基底和密封基底粘貼在一 起。藉由提供在密封室1 1 6中的紫外線照射機構用UV光 照射與密封基底粘貼在一起的基底以固化密封材料。這裏 雖用紫外線固化樹脂作爲密封材料，本發明的密封材料並 不特別的限制於紫外線固化樹脂，密封材料可以採用其他 材料，只要它們是粘接材料即可。 接下來，從密封室1 1 6傳送與密封基底粘貼在一起的 基底到傳送室1 1 4並從傳送室1 1 4傳送其到取出室1 1 9並 取出。 如上所述，藉由用圖7所示的製造系統，直到發光元 件密封在密閉的密封空間時發光元件都不暴露於大氣中， 因而，可以製造高可靠性的發光裝置。另外，儘管在傳送 室114中，真空和大氣壓下的氮氣氛被反復替換，較佳的 是在傳送室102、l〇4a和108中始終保持真空狀態。另 外，傳送室1 1 8始終處於大氣壓下。 此外，這裏雖沒有顯示，根據本發明的製作系統提供 有包括控制各個處理室操作的控制裝置，控制在各個處理 室間載送的控制裝置’以及控制移動基底到各個處理室路 徑的實現自動化的控制裝置。 \ -51 · (48) (48)200418340 此外，在圖7所示的製造系統中，將具有作爲陽極的 透明導電膜（或金屬膜（TiN))的基底傳送進來，藉由 在其上形成含有有機化合物的層，然後形成透明或半透明 陰極（例如，薄金屬膜（Al、Ag )和透明導電膜層疊而 成的疊層），可以形成向上（上面）發射型（或者兩面發 射）發光元件。注意，向上（上面）發射型的發光元件是 指一種元件，該元件透射陰極取出在含有有機化合物的層 中産生的光。 此外，在圖7所示的製造系統中，將具有作爲陽極的 透明導電膜的基底傳送進來，藉由在其上形成含有有機化 合物的層，形成由金屬膜（Al、Ag)製成的陰極，還可 以形成底部發射型發光元件。注意，底部（下面）發射型 的發光元件是指一種元件，該元件從透明電極的陽極向 TFT的方向取出在含有有機化合物的層中産生的光，然後 透射基底。 本實施例可任選地與實施模式1至4組合。 實施例2 本例中將介紹一個實例，該實例的製造系統和實施例 1的製造系統一部分相異。具體而言，圖8中顯示了一種 製造系統的例子，其包括安裝有6個沉積室1 006 R、 1006G、1006B、1 006R5、1006G，和 1006B’ 的傳送室 1 004a ° 注意圖8中與圖7相同的部分用相同的參考標記表 -52- (49) 200418340 示。此外，這裏爲了簡明起見省略了與圖7相同的 說明。 圖8中顯示了可以並行製造全色發光元件的設 子。 與實施例1類同，在預處理室l〇3b中對基底 空加熱，然後將基底從傳送室1〇2經過輸送室105 傳送室l〇〇4a。藉由經過沉積室1 006R、1 006G和 的通道在第一基底上疊置膜，並藉由經過 1006R’、1006G’和 1006Β’的通道在第二基底上疊 因此，藉由同時在多個基底上進行蒸氣沉積，可提 率。接下來的處理可以根據實施例1進行，即可以 陰極之後藉由進行密封而完成發光裝置。 此外，可以在不同的三個沉積室內分別疊置R Β顔色的電洞傳送層、發光層和電子傳送層。注意 蒸氣沉積之前進行掩模對準，以便只在預定區域 膜。較佳的對於每種不同顔色採用不同掩模，以便 色混合，在這種情況下需要三個掩模。例如，如果 個基底，可以進行下列處理。第一基底放置在第一 內，並形成含有發射紅光的有機化合物的層。然後 一基底，並放在第二沉積室中，在第一基底上形成 綠色光的有機化合物的層，與此同時將第二基底放 沉積室內，並且在第二基底上形成含有發射紅色光 化合物的層。最後將第一基底放在第三沉積室內， 基底上形成含有發射藍色光的有機化物的層。與此 部分的 備的例 進行真 輸送到 1 006Β ΐ積室 置膜。 局生産 在形成 、G和 ，每個 中形成 防止顔 處理多 沉積室 取出第 含有發 在第一 的有機 在第一 同時將 -53- (50) (50)200418340 第二基底放在第二沉積室內，將第三基底放在第一沉積室 內，以此類推依次進行疊置。 此外，還可以在同一沉積室內疊置R、G和B顔色的 電洞傳送層、發光層和電子傳送層，如果在同一沉積室內 連續疊置R、G和B顔色電洞輸送層、發光層和電子輸送 層，在掩模對準期間藉由位移進行掩模定位，可以選擇地 形成對應R、G和B的三種材料層，在這種情況下該掩模 被共用，並且只用一個掩模。 此外，基底和蒸氣掩模設置在沉積室（未顯示）內。 此外，可以藉由採用CCD照相機（未顯示）確認蒸氣掩 模的對準。其中封閉蒸發材料的容器設置在蒸發源支架 中。沉積室藉由減壓裝置被真空排氣到等於或低於5 X 1 0 " 3Torr ( 0.66 5Pa )、較佳從 10— 4 到 10— 6Pa 的真空 度。此外，在蒸氣沉積期間藉由電阻加熱使蒸發材料預先 昇華（氣化），並在蒸氣沉積期間藉由打開閘門使其向基 底的方向散射。被昇華的蒸發材料向上散射，並藉由形成 在蒸氣沉積掩模中的開口部分選擇地沉積在基底上。注意 所希望膜的沉積速度、蒸發源支架的移動速度和閘門的打 開和關閉可以由微型電腦控制。因此可以藉由蒸發源支架 的移動速度控制蒸氣沉積速度。此外，雖然這裏沒有圖顯 示，可以在採用設置在沉積室內的液晶振蕩器測量沉積膜 的膜厚的同時進行蒸氣沉積。對於藉由採用液晶振蕩器測 量沉積膜的膜厚的情況，可以測量沉積在液晶振蕩器上的 膜的質量的變化，作爲諧振頻率的變化。在該蒸氣沉積裝 -54- (51) 200418340 置中，在蒸氣沉積期間將基底和蒸發源支架之間的間隙距 離d縮短到通常等於或小於30cm、較佳的等於或小於 2 0 cm、更較佳的從5到15cm，因此大大提高了蒸發源材 料利用效率和生産率。此外，提供能在沉積室內在x方 向和 Y方向移動蒸發源支架並使蒸發源支架保持在水平 取向的機構。這裏，蒸發源支架在二維平面中以鋸齒形方 式移動。
此外，如果共同使用電洞輸送層和電子輸送層，首先 形成電洞輸送層，之後用不同掩模選擇地疊置由不同材料 製成的發光層，然後疊置電子輸送層。這種情況下採用3 個掩模。 在圖8中，4個沉積室被連接到傳送室1 〇2。因此如 圖9 A所示的從基底裝載到基底卸載順序的一個實例，4 個基底被裝入各個沉積室按順序或並列實施蒸氣沉積是可 行的。
此外，即使要處理的基底數量略微減少，比如，如圖 9B所示的從基底的裝載到基底的卸載順序的一個實例， 其中即使當第四沉積室正在進行維護時也可以在第一到第 三沉積室中按順序實施蒸氣沉積而不必暫停生產線。 本實施例可任選地與實施模式1至4或實施例1組 合。 實施例3 圖1 3 A和1 3 B顯示根據本發明的蒸氣沉積系統。圖 -55 - (52) (52)200418340 13A是X方向的截面圖（沿點劃線A-A，得到的截面）， 圖1 3 B是俯視圖。另外，擺1 3 A和1 3 B顯示蒸氣沉積正 在進行中的蒸氣沉積系統。 圖1 3 B中，沉積室1 1包括基底保持機構1 2、安裝有 六個坩堝的蒸發源支架17、用於移動蒸發源支架的裝置 (沒有圖顯示）和用於産生低壓氣氛的裝置。另外，沉積 室1 1安裝有基底1 3和蒸氣沉積掩模1 4。沉積室1 1隔閘 門30和安裝室33相互連接，其中安裝室11包括：傳送 第一容器（坩堝）3 4到蒸發源支架的傳送機構3 1 ;分配 第一容器（坩堝）34的旋轉台35;提升內密封有第一容 器的第二容器的提升機構32。 另外，提供基底保持機構1 2用於藉由重力作用固定 由金屬製成的蒸氣沉積掩模14，因而固定了位於蒸氣沉 積掩模之上的基底1 3。注意真空抽氣機構可以引入到基 底保持機構12中，進行真空抽氣以固定掩模。儘管這裏 顯示讓蒸氣沉積掩模與基底保持機構1 2緊密接觸的實 例，爲了防止蒸氣沉積掩模和基底保持機構形成彼此固 定，絕緣體可以提供在蒸氣沉積掩模和基底保持機構彼此 交叉的部分，或者基底保持機構的形狀可以任意的調節以 便於與蒸氣沉積掩模實現點接觸。另外，儘管這裏顯示藉 由基底保持機構12載裝基底和蒸氣沉積掩模二者的實 例，也可以單獨地分別提供用於支撐基底的裝置和另一個 用於支撐蒸氣沉積掩模的裝置。 另外，較佳的是當執行多個圖形時基底保持機構1 2 •56- (53) (53)200418340 形成於切割區（要劃線器劃線的區域）或密封形成區，因 爲蒸氣沉積不能在與基底保持機構12重疊的區域實施。 或者’提供的基底保持機構Ϊ 2與將要成爲平板終端部分 的區域重疊。如圖1 3 B所示，基底保持機構1 2從俯視的 角度看是十字的形狀，這是因爲圖13B顯示的實例爲在一 個基底1 3上形成用點劃線畫出的4個平板。然而，基底 保持機構1 2的形狀不限於這種結構，不對稱形狀也是可 以接受的。附帶地，雖圖中沒有顯示，基底保持機構1 2 是固定在沉積室中的。另外，爲簡單起見，掩模在圖13B 中沒有顯示。 另外’蒸氣沉積掩模和基底的對準可以用c C D相機 (沒有圖顯示）來確認。對準控制可以分別在基底和蒸氣 沉積掩模中安裝對準標記物來實施。蒸發源支架1 7安裝 有塡充了蒸發材料18的容器。沉積室11藉由産生低壓氣 氛被抽真空到 5x10— 3Torr(0.665Pa)或更低的真空度，較 佳的，1 CT 4 — 1 0— 6Pa。 另外，在蒸氣沉積中，蒸發材料藉由電阻加熱被預先 昇華（氣化），並藉由在蒸氣沉積中打開閘門（沒有圖顯 示）向基底13的方向散開。被蒸氣沉積的蒸發材料19向 上的方向飛散開，並藉由提供在蒸氣沉積掩模i 4上的開 口部分選擇地蒸氣沉積在基底1 3上。另外，較佳的，由 微電腦控制沉積速率、蒸發源支架的移動速率、閘門的打 開和關閉。可以藉由控制蒸發源支架的移動速度來控制沉 積速度。 -57· (54) 200418340 另外’儘管沒有圖顯示，用提供在沉積 體振蕩器測量所沉積膜的膜厚度的同時可 積。在用晶體振蕩器測量所沉積膜的膜厚度 由共振頻率變化可以測出沉積在晶體振蕩器 變化。 在圖1 3所示的蒸氣沉積系統中，在蒸 底1 3和蒸發源支架1 7之間間隔的距離d可 的爲 30cm或更少，較佳的，20cm或更少 5cm-15cm，以由此顯著地提升蒸發材料的 量。 在蒸氣沉積系統中，蒸發源支架1 7的 (典型的，坩堝）、隔均勻加熱部件裝備在 熱器、提供在加熱器外側的絕熱層、包含這 環繞在外圓筒周圍的冷卻管和用於開啓和關 開部分的外圓筒的打開部分的蒸氣沉積閘門 器可以是一種容器，其能夠在被固定到容器 傳送。另外，容器用BN燒結體材料、BN ^ 燒結體、石英或石墨這樣能夠耐高溫、高壓 形成。 另外，蒸發源支架1 7提供有可在沉積1 方向或 Y方向移動同時保持水平狀態的； 中，如圖1 3 B所示，蒸發源支架1 7在二維 型移動。另外，蒸發源支架1 7的移動間距 絕緣體之間的間隔匹配。 室 1 1中的晶 U實施蒸氣沉 的情形中，藉 上的膜質量的 氣沉積中，基 以減少到典型 ，更較佳的， HJ用效率和産 構成包括容器 容器外側的加 些的外圓筒、 閉包括坩堝打 。另外，加熱 上的狀態下被 α A1N的複合 和低壓的材料 [1 1內部以X 髮構。該情形 Ρ面上以Ζ字 可以適當地與 -58- (55) 200418340 另外，爲了淸潔附著到掩模上的沉積物質，較佳的是 藉由電漿發生裝置在沉積室的內部産生電漿以蒸發附著在 掩模上的沉積物質，然後排出蒸氣到沉積室的外面。爲了 這個目的，高頻功率源2 0被連接到基底保持機構1 2上。 如上所述，較佳的是基底保持機構1 2用導電材料（諸如 Ti)形成。當産生電漿時，較佳的是金屬掩模與基底保持 機構1 2電隔離一空間，從而防止了電場集中。
根據如上所述，具有移動蒸發源支架機構的沉積室， 沒有必要延長基底和蒸發源支架之間的距離，並可以均勻 地沉積成膜。
因而，根據本實施例，基底和蒸發源支架間的距離可 以縮短，可以實現蒸氣沉積系統的小尺寸化。另外，由於 蒸氣沉積系統變成小尺寸，昇華的蒸發材料在沉積室內部 的內壁上或附著防護屏上的附著可以減少，蒸發材料可以 被有效地利用。另外，根據本實施例的蒸氣沉積方法，沒 有必要轉動基底，因而，可以提供能夠處理大面積基底的 蒸氣沉積系統。 另外，藉由這樣縮短基底和蒸發源支架間的距離，蒸 氣沉積膜可以被厚度薄地並可控地沉積。 另外，本實施例可以任選地與實施模式1至實施模式 4，以及實施例1和實施例2組合。 實施例4 在本實施例中，舉例說明瞭藉由減小有機化合物膜中 -59- (56) (56)200418340 存在的能障提高載子的遷移率的同時，製造如層疊結構的 功能分開那樣的具有多種類型材料的功能的元件。 笑寸方< 減小層暨結構中的能障，現已發現插入載子注入 層的技術非常有效。即，在具有高能障的層疊結構的介 面’插入減少能障的材料，由此能障可以設計成步階形 式。因此’來自電極的載子注入能力增加，的確可以在一 定程度上減小驅動電壓。然而，有一個問題是，因存在層 的數量增加會導致有機介面數量增加。可以認爲這是具有 單層結構的裝置具有驅動電壓和功率效率的最高資料的原 因。反過來說，藉由解決該問題，不但可以發揮層疊結構 的優點（多種材料可以組合使用，不需要複雜的分子設 計），而且可以獲得單結構具有的驅動電壓和功率效率。 在本實施例中’當由多種功能區組成的有機化合物膜 形成在發光元件的陽極和陰極之間時，與具有淸晰介面的 習知層狀結構不同，形成了在第一功能區和第二功能區之 間具有包含形成第一功能區的材料和形成第二功能區的材 料的混合區的結構。 此外，本實施例中的多種功能區組成的有機化合物膜 包括能夠將三重激發能轉換發光的材料作爲摻雜劑添加到 混合區的情況。在形成混合區時，混合區可具有濃度梯 度。 藉由形成這種結構，與習知的結構相比，存在於功能 區之間的能障降低，由此可以認爲載子注入能力提高。 即，藉由形成混合區，可以減少功能區之間的能障。因 -60- (57) 200418340 此，可以降低驅動電壓，也可以抑制亮度退化 如上所述，在本實施例中，對於製造至少 一有機化合物能夠執行功能的區域（第一功能 與形成第一功能區的第一有機化合物不同的桌 物能夠執行功能的區域（第二功能區）的發光 包括該元件的發光裝置，在第一功能區和第二 形成含有形成第一功能區的有機化合物和形成 的有機化合物的混合區。 蒸氣沉積（膜形成）裝置中，在單個沉積 有多個功能區的有機化合物膜，與此對應，安 源。 首先，沉積第一有機化合物。順便提及， 預先蒸發（氣化）第一有機化合物，沉積時打 一有機化合物朝基底方向擴散。因此，形成圈 的第一功能區6 1 0。 沉積第一有機化合物的同時，可以打開第 第二有機化合物。第二有機化合物也預先用電 處於蒸發狀態，打開第二閘門，第二有機化合 方向擴散。這裏，形成由第一有機化合物和第 物組成的第一混合區6 Π。 而後，僅關閉第一閘門，沉積第二有機 此，可以形成第二功能區6 1 2。 在本實施例中，雖然說明了藉由同時沉積 有機化合物形成混合區的方法，但是藉由沉 包括其中第 區）和其中 二有機化合 元件，以及 功能區之間 第二功能區 室中形成具 裝多個蒸發 用電阻加熱 開閘門，第 1 14A所示 一閘門沉積 阻加熱使其 物朝基底的 二有機化合 化合物。因 兩種類型的 第一有機化 -61 - (58) (58)200418340 合物然後在第一有機化合物的沉積氣氛下沉積第二有機化 合物可以在第一功能區和第二功能區之間形成混合區。 接下來，沉積第二有機化合物的同時，打開第三閘門 沉積第三有機化合物。第三有機化合物也預先用電阻加熱 並處於蒸發狀態，打開閘門，第三有機化合物朝基底的方 向擴散。這裏，可以形成由第二有機化合物和第三有機化 合物組成的第二混合區6 1 3。 而後，僅關閉第二閘門，沉積第三有機化合物。因 此，可以形成第三功能區6 1 4。 最後，形成陰極就完成了發光元件的製作。 此外，對於另一有機化合物膜，如圖1 4B所示，使用 第一有機化合物形成第一功能區620之後，形成由第一有 機化合物和第二有機化合物組成的第一混合區62 1，然後 使用第二有機化合物形成第二功能區622。接著，在第二 功能區622形成期間，藉由暫時性地打開第三閘門同時沉 積第三有機化合物，形成第二混合區623。 而後，關閉第三閘門，再次形成第二功能區622。最 後形成陰極以完成發光元件。 由於本實施例中的沉積裝置可以在單個沉積室中形成 具有多個功能區的有機化合物膜，因此功能區的介面沒有 被雜質污染，此外混合區可以形成在功能區的介面。在以 上提到的方式中，可以形成沒有明顯的層狀結構（即，沒 有淸晰的有機介面）並且提供有多種功能的發光元件。 此外，在膜形成之前、膜形成期間、膜形成之後使用 -62- (59) (59)200418340 能夠進行真空退火的膜形成裝置（沉積裝置），藉由在膜 形成期間進行真空退火，混合區中的分子可以更加地配 合。因此，驅動電壓可以降低，亮度退化也可以得到進一 步的抑制。藉由膜形成之後退火（去氣），可以進一步去 除形成在基底上的有機化合物層中如氧、濕氣等雜質，形 成高密度和高純度的有機化合物層。 本實施例可任選地與實施模式1乃至實施模式4、以 及實施例1乃至實施例3組合。 實施例5 本實施例用圖15顯示製造發光裝置（上面發光結 構）的一個實例，其中，發光裝置在有絕緣表面的基底上 具有以有機化合物爲發光層的發光元件。 另外，圖15A是顯示發光裝置的俯視圖，圖15B是 沿圖15A中線A_A，切割構成的橫截面視圖。用點線表示 的1 1 0 1是源極訊號線驅動電路、n 〇 2是圖素部分、丨〗〇 3 疋閘極δΛ號線驅動電路。1 1 〇 4是透明的密封基底、丨丨〇 5 是第一密封材料，第一密封材料u〇5圍成的內側塡充有 第一密封材料〗丨〇 7。第一密封材料1丨〇 5中含有保持基底 間距的間隙材料。 另外’用於傳輸輸入到源極訊號線驅動電路n 〇 1和 閘極汛號線驅動電路〗i 03的訊號的線路丨丨〇8從作爲外部 輸入終端FPC (柔性印刷電路）11〇9接收視頻訊號或時 鐘訊號。儘管這裏只:說明FPC：，此FPC可以附連有印刷 -63 - (60) 200418340 線路板（PWB)。 其次，參考圖1 5 B說明橫截面結構。驅動電 部分形成於基底1110之上，這裏，顯示作爲驅 源極訊號線驅動電路1 1 〇 1和圖素部分Π 02。 另外，源極訊號線驅動電路1 1 〇 1由η通 1123和ρ通道型TFT 1124組合的CMOS電路 外，形成驅動電路的TFT可以藉由衆所周知的 路、PMOS電路或NMOS電路形成。另外，儘 中，顯示在基底之上驅動電路形成的整合型驅 是，整合型驅動器不是必須需要的，驅動電路可 在基底之上，可以在其外。另外，以多晶矽膜作 TFT結構不受特別限制，其可以是頂閘型TFT， 底閘型TFT。 另外，圖素部分1102由多個圖素形成，每 關TFT 1 1 1 1、電流控制TFT 1 1 12，和第一電極 1 1 1 3，第一電極電連接到電流控制TFT 1 1 1 2的 爲電流控制TFT 1112，其可以是η通道型TFT ρ通道型TFT。在其與陽極連接的情形中，較佳 道型TFT。另外，較佳的是適當地提供儲存電容 圖顯示）。另外，無數個被排列的圖素當中，只 素的橫截面被顯示，這裏雖顯示2個TFT用於 素的實例，3個TFT或更多，也可以被適當地用 素。 由於第一電極1 1 13直接接觸到TFT的汲區 路和圖素 動電路的 Μ Μ 丁FT 形成。另 CMOS 電 管本實例 動器，但 以不形成 活性層的 也可以是 個包括開 (陽極） 汲區。作 也可以是 的是P通 器（沒有 有一個圖 此一個圖 於一個圖 ，故第一 -64- (61) (61)200418340 電極1 1 1 3的底層由能夠與汲區形成歐姆接觸的矽組成的 材料構成。與有機化合物層接觸的第一電極1 1 1 3的表 面，最好由功函數大的材料組成。當第一電極由三層疊層 結構，例如氮化鈦膜、鋁基膜、以及氮化鈦膜組成時，第 一電極能夠減小線路電阻，形成對汲區的良好歐姆接觸， 並用作陽極。此外，第一電極1 1 1 3可以由氮化鈦膜，鉻 膜，鎢膜，Zn膜，Pt膜等單層膜，或者三層或更多層的 疊層構成。 而且，在第一電極（陽極）1113的兩端上，形成絕 緣體（稱爲堤壩、隔離物，障礙物，屏障等）1 Π 4。絕緣 體 11 1 4可以由有機樹脂膜或含有矽的絕緣膜組成。此 處，正性光敏丙烯酸樹脂膜被用來形成如圖1 5所示的絕 緣體1 1 1 4。 爲了獲得良好的覆蓋度，最好使絕緣體1 1 1 4的上邊 沿部分或下邊沿部分成爲具有曲率半徑的彎曲形狀。例 如，若正性光敏丙烯酸被用作絕緣體1 1 1 4的材料，則最 好僅僅彎曲絕緣材料的上邊沿部分使其具有曲率半徑（較 佳的爲〇 · 2 μιη- 3 μιη )。在光照下變成不溶於蝕刻劑的負性 光敏材料以及在光照下變成溶於蝕刻劑的正性光敏材料， 都能夠被用於絕緣體1 1 1 4。 可以用由氮化鋁膜、氮氧化鋁膜、以碳爲主要成分的 薄膜，或氮化矽膜製作的保護膜來覆蓋絕緣體1 1 1 4。 藉由使用蒸氣沉積掩模的蒸氣沉積法或用噴墨方法將 含有有機化合物的層1Π5選擇地形成在第一電極（陽 -65- (62) (62)200418340 極）1113。第二電極（陰極）1116形成在含有有機化合 物的層1 1 1 5之上。陰極可使用功函數小的材料（例如 入1，八8，1^、€3，或這些材料的合金^^八6、河§111、 AlLi、CaF2、或CaN)。這裏，爲使光能透射過去，第二 電極1116使用包括厚度薄的金屬薄膜，透明導電膜（由 銦錫氧化合金（ITO)、銦鋅氧化合金（ιη2〇3-ΖηΟ)、氧 化鋅（Ζη Ο )等）製成的疊層。藉由以上步驟形成由包括 第一電極1113(陽極），含有有機化合物的層1115及第 二電極1116(陰極）製成的發光元件1118。這裏顯示的 是發光元件1H8發白色光的實例，因而，提供有由上色 層1131和遮光層1132製成的濾色器（爲簡單起見，外塗 層在這裏沒有圖顯示）。 另外，如果各自選擇地形成能夠得到R，G，B發光 的含有有機化合物的層，不需要濾色器也可以得到全色顯 示。 爲了密封發光元件η 18形成透明保護層1 1 1 7，此透 明保護層爲實施模式1所說明的透明保護疊層。透明保護 疊層由包括第一無機絕緣膜，應力緩和膜及第二無機絕緣 膜的疊層組成。作爲第一無機絕緣膜和第二無機絕緣膜， 可以使用藉由濺射法或CVD法獲得的氮化矽膜’氧化矽 膜，氮氧化矽膜（SiNO膜（成分比Ν>0 )或SiON膜 (成分比N<0 ))和以碳作爲主要成分的薄膜（諸如 DLC膜，CN膜）。這些無機絕緣膜雖對水分有很高的封 閉效應，但隨著膜的厚度的增大膜應力也增大’這樣就容 • 66 - (63) (63)200418340 易産生剝皮和膜的剝落。但是’如在弟一無機絕緣膜和桌 二無機絕緣膜之間夾上應力緩和膜，即可以緩和應力還吸 收水分。而且，即使在膜的形成時，出於某種原因在第一 無機絕緣膜上形成微小的氣孔（針尖狀氣孔），應力緩和 膜可以塡塞這些氣孔。然後，進一步在應力緩和膜之上提 供第二無機絕緣膜使其對水和氧有極高的封閉效應。作爲 應力緩和膜，較佳的是，使用比無機絕緣膜的應力小而且 有吸濕性的材料。更較佳的是，同時具有透光性的材料。 作爲應力緩和膜還可以使用諸如a-NPD (4，4’-二-[N-(萘 基）-N-苯基-氨基]-聯苯），浴銅靈（bathocuproin “ BCP ” ) ， MTDATA(4 ， 4， ， 4，，· t ri s (N - 3- methylphenyl-N-phenyl-amino) triphenyl amine)(三合苯 胺三甲基戊烯甲基胺），Alq3(三-8-羥基 啉複合體） 等含有有機化合物的材料膜。這些材料膜有吸濕性，如果 膜的厚度薄，則幾乎是透明的。另外，Mg0，Sr〇2，Sr0 有吸濕性和透光性，可以藉由蒸氣沉積形成薄膜，該薄膜 也可以作爲應力緩和膜。在實施例5中，用矽製成的靶在 包括氮和氬的氣氛構成的氣氛中形成的膜，也就是說，對 水和鹼性金屬等雜質有極高封閉效果的氮化砂膜用於第一 無機絕緣膜或第二無機絕緣膜，藉由蒸氣沉積的A1q3膜 用於應力緩和膜。爲使光能透射過透明保護疊層，較佳的 是，使透明保護疊層的膜的總厚度盡可能地薄。 另外，爲了密封發光元件1118，在惰性氣體氣氛 中，用第一密封材料1105，第二密封材料11〇7將基底和 -67 - (64) 200418340 < —…， I F綺弟一幣罗 1105 和第〜±4 此外〜：^^料11G7’較佳的是使用環氧㈣ 街封材料1105和第二密封材料11〇7 不滲透濕氣或氧的材料。 - 另外’根據本實例’作爲構成密封基底！ i 04 料’除了玻璃基底或石英基底之外，可以使用包括 (玻璃纖維強化塑膠）、"F (聚氟乙烯）' (Mylar)、聚酯、或丙烯酸樹脂的塑膠基底。另外 第一密封材料1105和第二密封材料11〇7粘接密封 1 1 04之後，可以用第三密封材料覆蓋側面（暴露的 實現進~步的密封。 藉由如上所述密封發光元件於透明保護疊層i i 第一密封材料1 M5和第二密封材料丨1〇7，發光元件 完全地與外界阻斷，所以可以防止諸如濕氣或氧這樣 有機化合物層退化的物質從外界入侵。因而，可以提 度可靠的發光裝置。 若透明導電膜被用作第一電極1 1 1 3，則能夠製 面發光型發光裝置。 雖然本實施模式所示的是以下稱爲上面發射結構 子’其中，含有有機化合物的層被形成在陽極上，而 透明電極的陰極在含有有機化合物的層上形成，但也 採用另一結構，即在陽極上形成含有有機化合物的層 有機化合物層上形成陰極，而有機化合物層中發射的 由透明電極的陽極從TFT的方向取出的發光元件的 材料 脂。 儘量 的材 FRP 邁拉 ，用 基底 面） 17， 可以 加速 供高 造兩 的例 用作 可以 ，在 光藉 結構 -68- (65) (65)200418340 (以下稱爲底面發射結構）。 以下將用圖16說明底面發光結構的發光裝置的一個 實例。 圖1 6 A是顯示發光裝置的俯視圖，圖1 6 B是沿圖 1 6 A中線A - A ’切割構成的橫截面視圖。用點線表示的 1201是源極訊號線驅動電路、12〇2是圖素部分、12〇3是 聞極訊號線驅動電路。1204是密封基底、1205是含有保 持基底間距的間隙材料的密封材料，密封材料1 2 0 5圍成 的內側空間因塡充有惰性氣體（典型的爲氮氣）。被密封 材料1 2 0 5圍成的內側空間用乾燥劑1 207除去少量水分， 所以被充分地乾燥。 另外’用於傳輸輸入到源極訊號線驅動電路1 2 0 1和 閘極訊號線驅動電路1 2 0 3的訊號的線路1 2 0 8從作爲外部 輸入終端的F P C (柔性印刷電路）1 2 〇 9接收視頻訊號或 時鐘訊號。 其次’參考圖1 6 B說明橫截面結構。驅動電路和圖素 部分形成於基底1 2 1 0之上，這裏，顯示作爲驅動電路的 源極訊號線驅動電路1 2 0 1和圖素部分1 2 0 2。另外，源極 訊號線驅動電路1201用η通道型TFT 1223和p通道型 TFT 1224組合的CMOS電路形成。 另外，圖素部分1 202由多個圖素形成，每個包括開 關TFT 121 1、電流控制TFT 1212和由透明導電膜製成的 第一電極（陽極）1213，其中第一電極與電流控制 TFT 1212的汲區有電連接。 -69- (66) (66)200418340 這裏顯示一個結構，其中第一電極！213的一部分和 連接電極重疊，第一電極1213經連接電極電連接到TFT 的汲區。第一電極1 2 1 3較佳的是，使用有透明性而且功 涵數大的導電膜（ITO (銦錫氧化合金）'銦鋅氧化合金 (In2〇3-ZnO )、氧化鋅（ZnO)等）。 而且’在第一電極（陽極）1213的兩端上，形成絕 緣體（稱爲堤壩、隔離物，障礙物，屏障等）1 2 i 4。爲了 獲得良好的覆蓋’最好使絕緣體1 2 1 4的上邊沿部分或下 邊沿部分成爲具有曲率半徑的彎曲形狀.。可以用由氮化銘 膜、氮氧化鋁膜、以碳爲主要成分的薄膜，或氮化矽膜製 作的保護膜來覆蓋絕緣體1 2 1 4。 用使用蒸氣沉積掩模的蒸氣沉積法或用噴墨方法將包 含有有機化合物層1215選擇地形成在第一電極（陽極） 1213上。第一電極（陰極）1216形成在含有有機化合物 的層1 2 1 5之上。陰極可使用功函數小的材料（例如a 1， Ag，Li、Ca，或這些材料的合金 MgAg、Mgln、AlLi、 CaF2、或CaN)。藉由以上步驟形成由第一電極丨213 (陽極），含有有機化合物的層1215及第二電極1216 (陰極）製成的發光元件1218。這裏，發光元件1218按 圖16所示的箭頭方向發光。這裏，發光元件1218是從 R，G或B的單色發光得到的發光元件的一個，藉由各自 選擇地形成能夠得到R，G，B發光的含有有機化合物的 層而形成的3個發光元件，可以得到全色顯示。 形成保護層1 2 1 7來封裝發光元件1 2 1 8，此透明保護 -70- (67) (67)200418340 層1217採用實施模式2所說明的保護疊層。保護疊層由 包括弟一無機絕緣膜，應力緩和膜及第二無機絕緣膜的疊 層組成。 另外，爲了密封發光元件1218，在惰性氣體氣氛 中’用密Θ材料1 2 0 5將基底和密封基底〗2 〇 4粘貼。密封 基底1 204上預先形成有用噴沙淸除法形成的凹部，乾燥 劑1 2 07加添於其內。另外，作爲密封材料12〇5，較佳的 疋使用環氧類樹脂。此外，密封材料丨2 〇 5最好採用儘量 不滲透濕氣或氧的材料。 Λ外’根據本貫例，作爲構成有凹部的密封基底 1 2 04的材料，除了金屬基底，玻璃基底或石英基底之 外，可以使用包括FRP (玻璃纖維增強塑膠）、pvF (聚 氟乙烯）、邁拉（Mylar)、聚酯、或丙烯酸樹脂的塑膠 基底。此外’內側附帶有乾燥劑的金屬罐也可以用來密 封。 本實施例可任選地與實施模式〗至實施模式4或實施 例1至實施模式4組合。 實施例6 藉由實施本發明可以完成各種模組（主動矩陣液晶模 組、主動矩陣EL模組和主動矩陣Ec模組）。也就是說， 錯由貫施本發明完成了所有配備有這些模組的電子器具。 這樣的電子器具包括：視頻相機；數位相機；頭戴式 顯示器（護目鏡型顯示器）；汽車導航系統；投影儀；汽車 -71 - (68) (68)200418340 用身歷聲系統；個人電腦；攜帶型資訊終端（移動電腦、 行動電話或電子書等）等.。圖17到18中顯示了這些示 例。 圖17A是包括以下部件的個人電腦：主體20〇ι ;影 像輸入部分2002;顯示部分2003;以及鍵盤2004等。 圖1 7B是包括以下部件的視頻相機：主體2丨〇1 ;顯 示部分2102 ;聲音輸入部分2103 ;操作開關21〇4 ;電池 2 1 0 5 ;以及影像接收部分2 1 〇 6等。 圖1 7 C是包括以下部件的移動電腦：主體2 2 〇 1 ;視 頻相機部分2 2 0 2 ;影像接收部分2 2 〇 3 ;操作開關2 2 0 4 ; 以及顯示部分2205等。 圖1 7D是利用其中記錄了程式的記錄媒體（以下稱爲 S己錄媒體）的播放機，它包括：主體2 4 ;顯示部分 2402;揚聲器部分2403;記錄媒體2404;以及操作開關 2405等。該裝置利用用於記錄媒體的 dvd(數位通用 盤）、CD等，並可以用於音樂欣賞、電影欣賞、遊戲以及 用於上網。 圖1 7 E是包括以下部件的數位相機：主體2 5 0 1 ;顯 示部分25 02 ;取景器25 03 ·，操作開關25 04 ;以及影像接 收部分（圖中沒有圖顯示）等。
El 1 8 A是包括以下部件的行動電話：主體2 9 〇 1 ;聲 音輸出部分2902 ;聲音輸入部分29〇3 ;顯示部分29〇4 ; 操作開關2905 ;天線2906 ;以及影像輸入部分（CCD，影 像感測器等）2 9 0 7等。 -72- (69) (69)200418340 圖18B是包括以下部件的攜帶型書（電子書）：主體 3 0 0 1 ;顯示部分3 002和3 003 ;記錄媒體3 0.04 ;操作開關 3005和天線3006等。 圖1 8 C是包括以下部件的顯示器：主體3 1 0 1 ;支持 部分3102;以及顯示部分3103等。 另外，圖1 8 C中顯示的顯示器具有小到中間規格或大 規格螢幕，例如5到20英寸的規格。此外，爲了製造具 有這些尺寸的顯示部分，最好利用邊長一米的基底藉由製 作多個圖形來進行批量生産。 如上所述，本發明的可適用範圍非常寬，並且本發明 可以應用於各種領域的電子器具。另外，本實施例的電子 器具可以藉由利用實施模式i到4及實施例1到5中結構 的任何組合來獲得。 實施例7 實施例6說明的電子器具包括其中密封有發光元件的 平板、其中的平板配備有控制器以及包括諸如電源電路之 類的積體電路的模組。此平板和模組都相當於發光裝置的 一種模式。在本實施模式中，將說明模組的具體結構。 圖19A顯示了模組的外貌，其中的面板1 800配備有 控制器1801和電源電路1 802。在面板1 800中提供有： 在各個圖素中提供有發光元件的圖素部分1803、用來選 擇圖素部分1803中的圖素的掃描線驅動電路1804、以及 用來將視頻訊號饋送到被選擇的圖素的訊號線驅動電路 -73- (70) 200418340 1 8 05 ° 在印刷基底1 806中提供有控制器1801和電源 1 8 0 2，從控制器1 8 0 1或電源電路1 8 0 2輸出的各種訊 電源電壓，經由FPC 1807被饋送到面板1800的圖素 1 8 0 3、掃描線驅動電路1 8 0 4、以及訊號線驅動 1 8 05 ° 電源電壓和各種訊號經由配備有多個輸入端子的 (I/F ) 1 8 0 8被饋送到印刷基底1 806。 雖然在本實施模式中用Fpc將印刷基底1806固 面板1 8 0 0，但本發明不局限於這種結構。也可以用 (玻璃上晶片）方式將控制器1801和電源電路1802 提供在面板1 8 00上。 而且，在印刷基底1806中，存在著形成在各個 之間的電容器以及線路本身具有的電阻，由此會引起 電壓和訊號的雜訊或使訊號傳遞變得遲鈍。因此’在 基底1 8 0 6上提供諸如電容器和緩衝器之類的各種元 以便防止電源電壓和訊號的雜訊或訊號傳遞變得遲鈍 圖19B是方塊圖，顯示了印刷基底1 806的結構 送到介面1 8 0 8的各種訊號和電源電壓，被饋送到控 1801和電源電路1802。
控制器 1801具有 A/D轉換器 1 809、鎖相 (PLL) 1810、控制訊號產生部分181 1、以及SRAM 態隨機存取記憶體）1 8 1 2和1 8 1 3。雖然SRAM被用 實施模式中，但能夠採用SDRAM來代替SRAM，且 電路 號和 部分 電路 介面 定到 COG 直接 線路 電源 印刷 件， 〇 。饋 制器 回路 (靜 於本 若能 -74- (71) 200418340 夠高速寫入和讀出資料，則還能夠採用DRAM (動態 存取記憶體）。 經由介面1 8 0 8饋送的視頻訊號，在A/D轉換器 中被並-串列轉換，被輸入到控制訊號發生部分1 8 1 1 對應於R、G、B各種顔色的視頻訊號。而且，基於 介面1 8 0 8饋送的各種訊號，在A/D轉換器1 809中 水平同步訊號、垂直同步訊號、時鐘訊號（CLK )、 交流電壓，被輸入到控制訊號產生部分1 8 11中。 鎖相回路1 8 1 0具有將經由介面1 8 0 8饋送的各種 的頻率和控制訊號產生部分1 8 1 1的工作頻率的相位 相配合功能。控制訊號產生部分1 8 1 1的工作頻率不 與經由介面1 8 08饋送的各種訊號的頻率相同，爲了 彼此同步而在鎖相回路1 8 1 0中調整控制訊號產生 1 8 1 1的工作頻率。 輸入到控制訊號產生部分1 8 1 1的視頻訊號先被 SRAM 18 12和1813，並被儲存。在控制訊號發生 1811中，將儲存在SRAM 18 12中的所有各位元視頻 中對應於整個圖素的視頻訊號一位元一位元地逐個讀 並被饋送到面板1 800的訊號線驅動電路1 8 05。 而且，在控制訊號發生部分1811中，在發光元 光周期內各個位元的資訊被輸入到面板1800的掃描 動電路1 804。 此外，電源電路1 802將預定的電源電壓饋送到 1 8 00的訊號線驅動電路1 8 05、掃描線驅動電路1804 隨機 1809 作爲 經由 産生 以及 訊號 的互 總是 使之 部分 寫入 部分 訊號 出， 件發 線驅 面板 、以 -75- (72) (72)200418340 及圖素部分1803。 接著’用圖20來說明電源電路1 8 02的詳細結構。本 實施模式的電源電路1 802由採用4個開關調整器控制 I 8 60的開關調整器1 8 54以及串聯調整器1 8 5 5組成。 通常，開關調整器比串聯調整器更小而輕，且不僅能 夠降壓而且能夠升壓以及正負反轉。另一方面，串聯調整 器僅僅被用於降壓，但串聯調整器輸出的電壓比開關調整 器具有更高的精度，且幾乎不出現波紋或雜訊。本實施例 的電源電路1 8 02採用二者的組合。 圖2 0所示的開關調整器1 8 5 4具有開關調整器控制 (SWR ) 1 860、衰減器（ATT ) 1 861、變壓器（T ) 1862、電感器（L) 1863、參考電源（Vref) 1864、振盪 電路（OSC) 1865、二極體1860、雙極電晶體 1867、可 變電阻器1868'以及電容器1869。 當諸如外部鋰離子電池（3.6 V )之類的電壓在開關調 整器1 8 5 4中被轉換時，就産生提供給陰極的電源電壓以 及饋送到開關調整器1 8 5 4的電源電壓。 而且，串聯調整器1 8 5 5具有帶隙電路（B G ) 1 8 7 0、 放大器1871、運算放大器1 8 72、電流源1 8 73、可變電阻 器1 8 74、以及雙極電晶體1 8 7 5，且開關調整器1 8 5 4中産 生的電源電壓被饋送到其中。 在串聯調整器1 8 5 5中，利用開關調整器1 8 5 4中産生 的電源電壓，根據帶隙電路1870中産生的一定電壓，來 産生直流的電源電壓，該電源電壓饋送到給各個顔色的發 -76- (73) (73)200418340 光元件的陽極供應電流的線路（電流供應線）。 另外，電流源1 8 7 3的電流在視頻訊號被寫入圖素的 驅動方式中使用。在這種情況下，在電流源1 8 73中産生 的電流饋送到平板1 8 00的訊號線驅動電路1 8 0 5。注意， 在視頻訊號的電壓被寫入圖素的驅動方式的情形中，電流 源1 8 73不一定是必須的。 另外，開關調整器，OSC，放大器，以及運算放大器 可以用TFT構成。 另外，本實施例可以任選地和實施模式1到實施模式 4及實施例1到實施例6組合。 根據本發明，沒有必要轉動基底，因而，可以提供能 夠處理大面積基底的蒸氣沉積裝置（系統）。另外，可以 提供即使使用大面積基底也可以得到均勻的膜的厚度的蒸 氣沉積裝置。 根據本發明，藉由將蒸發材料分開塡充於多個坩堝中 並同時實施蒸氣沉積，可以縮短蒸氣沉積的時間。而且， 根據本發明，沒有閘門也可能控制蒸氣沉積。 另外，根據本發明，基底和蒸發源支架之間的距離可 以縮短，因而可以實現蒸氣沉積裝置的小尺寸化。另外， 由於蒸氣沉積裝置是小尺寸的，附著在沉積室內部的內壁 或附著在防護屏上的昇華的蒸發材料被減少，因而可以被 有效地利用。 另外，本發明可以提供一種製造系統，其可以連續安 排用於實施蒸氣沉積技術的多個沉積室。這樣，在多個沉 -77· (74) (74)200418340 積室中實施並行處理，可以提高發光裝置的産量。 另外’本發明可提供一種製造系統，其能夠從安裝室 傳送塡充有蒸發材料的容器和膜的厚度監視器等到與安裝 室連接的蒸氣沉積裝置中而不暴露於大氣。根據本發明， 蒸發材料的處理變得容易，並可以避免雜質混入蒸發材料 中°根據該製造系統，由材料製造商塡充的容器可以安裝 到蒸氣沉積裝置中而不暴露於大氣，因而，可以防止氧或 水分附著到蒸發材料上，使對應將來的進一步的超高純度 的發光元件成爲可能。 【圖式簡單說明】 附圖中： 圖1 A和1 B是顯示實施模式1的視圖； 圖2A和2B是顯示實施模式1的視圖； 圖3 A和3 B是顯示實施模式2的視圖； 圖4A和是顯示在安裝室中載送坩堝的圖； ® 5A和5B是顯示在安裝室中載送坩堝到蒸發源支 架的圖； 圖6A和6B是顯示實施模式3的視圖； 圖7是顯示根據本發明的實施例1的製造系統的圖； 圖8是顯示根據本發明的實施例1的製造系統的圖； 圖9A和9B顯示根據實施例2的製造系統的順序的 一個實例； 圖10A到i〇C是顯示根據實施模式*的發光面積的 -78… (75) (75)200418340 橫截面圖； 圖11A和11B是顯示根據實施模式4的橫截面的 TEM照片； 圖12A和12B是顯示根據實施模式4的發光面積的 橫截面圖； 圖1 3 A和1 3 B是顯示根據實施例3的製造系統的 圖； 圖1 4 A和1 4B是根據實施例4的元件結構的圖； 圖15A和15B是顯示根據實施例5的發光裝置的 圖； 圖16A和16B是顯示根據實施例5的發光裝置的 圖； 圖17A到17E分別表示實施例6所指電子器具的實 例； 圖1 8 A到1 8 C分別表示實施例6所指電子器具的實 例； 圖1 9 A和1 9B是顯示根據實施例7的模組； 圖20是顯示根據實施例7的方塊圖； 圖21顯示習知的發光裝置。 i要元件對照表 72la上部份容器 72 ib下部份容器 706固定器 •79· (76) (76)200418340 7 05彈簧 7 0 8氣體導入璋 701 第一容器 702固定器 91 1第一容器 905 安裝室 9 0 7旋轉台 912 第二容器 902a提升機構 7 1 3旋轉台 7 1 1拖拉機構 7 1 2旋轉軸 8 03蒸發源支架 902傳送機構 903 蒸發源支架 9 0 6沉積室 9 00 閘閥 9 1 2上部份 200 基底 2 0 1膜厚監視器 202容器 2 0 3加熱器 204蒸發源支架 205傾斜調整螺釘 (77) (77)200418340 206移動機構 3 00蒸發源支架 3 0 1提升桿 3 0 2 坩堝 5 00 基底 5 0 1沉積掩模 5 0 8 第一*電極 5 0 6隔離物 5 1 0電洞注入層 51 1發光層 5 1 2電子傳送層 5 07 第二電極 5 02透明保護疊層 5 2 0隔離物 522電洞注入層 100a-100y 閘門 102、 104a、 108、 114' 118 傳送室 105 、 107 、 111 輸送室 101製備室 106H第一沉積室 106B第二沉積室 106G第三沉積室 106R第四沉積室 106E第五沉積室 -81 - (78) (78)200418340 109、 110、 112、 113、 132 沉積室 126R、126G、126B > 126E、1 26H 安裝室 1 1 6 密封室 1 2 4掩模儲存室 1 3 0 密封基底儲存室 1 20a、1 20b 盒子室 1 2 1托盤放置台 1 19 取出室 l〇4b傳送機構 104c 基底 130a、103b、123 預處理室 1 2 3 烘焙室 1 17裝載室 1 0 0 4 a 傳送室 1006R、 1006G、 1006B、 1006R’、 1006G’、 1006B’ 膜 形成室 1 1沉積室 1 2基底保持機構 1 7蒸發源支架 13 基底 14沉積掩模 3 〇快門 33安裝室 3 1傳送機構 ' -82- (79) (79)200418340 32提升機構 34 第一容器 3 5旋轉台 19已蒸發之蒸發材料 1 8蒸發材料 6 1 0第一功能區 6 1 1第一*混合區 612第_^•功能區 6 1 3 第_•混合區 6 1 4第三功能區 620第一*功能區 6 2 1第一*混合區 622第二功能區 623第二混合區 1 1 〇 1源極訊號線驅動電路 1 102圖素部份 1 103閘極訊號線驅動電路 1 104透明密封基底 1 105第一密封材料 1 107透明第二密封材料 1 1 〇 8接線 1109撓性印刷電路 1 1 10基底
1 123 η通道型TFT •83 (80) (80)200418340 1 124 p通道型TFT 1 1 1 1 開關 TFT 1 1 12電流控制TFT 1113 第一'電極 1114絕緣物質 1 1 1 5含有機化合物層 1 1 1 6第二電極 Π 1 7透明保護層 1118發光裝置 Π3 1 有色層 1 132遮光層 1201源極訊號線驅動電路 1 202圖素部份 1 203閘極訊號線驅動電路 1 204 密封基底 1 2 0 5 密封材料 1 208接線 1210基底
1 223 η通道型TFT
1 224 p通道型TFT
121 1 開關 TFT
1212 電流控制TFT 1213 第一電極 1 2 1 4絕緣物質 -84- (81) (81)200418340 1 2 1 5含有機化合物層 1 2 1 6第二電極 1217保護層 1218發光裝置 2001 主體 2 0 0 2影像輸入部份 2 0 0 3 顯示部份 2 0 0 4 鍵盤 2101 主體 2 1 0 2顯示部份 2 103聲音輸入部份 2 104操作開關 2 1 0 5 電池 2 1 0 6影像接收部份 2201 主體 2202相機部份 2 2 0 3影像接收部份 2204操作開關 22 05顯示部份 2401主體 2402顯示部份 2403揚聲器部份 2 4 0 4記錄媒體 2 4 0 5操作開關 (82) (82)200418340 2501主體 2 5 02顯示部份 2 5 03 取景器 2 5 0 4操作開關 2901主體 2902聲音輸出部份 2903聲音輸入部份 2904顯示部 2 9 0 5操作開關 2906天線 2907影像輸入部份 3001主體 3 0 0 2顯示部份 3 003顯示部份 3004記錄媒體 3 005操作開關 3 0 0 6天線 3 1 01主體 3 102支持部份 3 103顯示部份 1 800面板 1801控制器 1 8 0 2電源電路 1 803圖素部份 (83) (83)200418340 1 8 0 4閘極線驅動電路 1 8 0 5源極線驅動電路 1 8 0 6 印刷基底 1 807 FPC 1 8 0 8 介面 1 809 A /D轉換器 1 8 1 0鎖相迴路 1 8 1 1控制訊號產生部份 18 12 SRAM 18 13 SRAM 1 8 5 4開關調整器 1 8 5 5串列調整器 I 860開關調整器控制 1 8 6 1衰減器 1 862變壓器 1 8 6 3電感器 1 8 6 4參考電源 1865振盪電路 1 866二極體 1 867雙極電晶體 1 868可變電阻器 1 869電容器 1 8 7 0帶隙電路 1871放大器 -87- 200418340 (84) 1 872運算放大器 1 8 7 3電流源 1 874可變電阻器 1 8 75雙極電晶體

Claims (1)

  1. (1) (1)200418340 拾、申請專利範圍 1 · 一種製造系統，包含： 一裝載室； 與裝載室連接的傳送室； 與傳送室連接的多個沉積室； 以及與每個沉積室連接的安裝室， 其中，每個沉積室和將沉積室內真空抽氣的第一真空 抽氣室連接在一起； 其中每個沉積室包含： 對準掩模和基底的位置的對準機構； 基底保持機構； 移動蒸發源支架的移動機構，其中該蒸發源支架包括 至少一個其內密封有蒸發材料的容器； 容器加熱機構；和 提供在容器上的閘門； 其中，該安裝室和將安裝室內真空抽氣的第二真空抽 氣室連接在一起；和 其中安裝室包含： 容器加熱機構；和 傳送容器到沉積室的蒸發源支架的傳送機構。 2 ·如申請專利範圍第1項之製造系統，其中多個平 板加熱器保持間距地重疊安裝在傳送室；和 傳送室與可以真空加熱多個基底的處理室連接。 3 ·如申請專利範圍第1項之製造系統，其中該移動 -89- (2) (2)200418340 蒸發源支架的移動機構具有以一定間距向χ軸移動蒸發 源支架，和以一定間距向Y軸移動蒸發源支架的功能。 4 ·如申請專利範圍第1項之製造系統，其中該容器 的數量等於或多於六個。 5 ·如申請專利範圍第1項之製造系統，其中在蒸發 源支架上提供有調整傾斜程度的螺釘。 6 ·如申請專利範圍第1項之製造系統，其中該裝載 室爲一輸送室。 7 · —種製造系統，包含： 一裝載室； 與裝載室連接的傳送室； 與傳送室連接的多個沉積室； 以及與每個沉積室連接的安裝室， 其中，每個沉積室和將沉積室內真空抽氣的第一真空 抽氣室連接在一起； 其中每個沉積室包含： 對準掩模和基底的位置的對準機構； 基底保持機構； 移動蒸發源支架的移動機構，其中該蒸發源支架包括 至少一個其內密封有蒸發材料的容器； 容器加熱機構；和 懸浮容器於蒸發源支架之上以便使其冷卻的冷卻機 構； 其中，該安裝室和將安裝室內真空抽氣的第二真空抽 -90- (3) (3)200418340 氣室連接在一*起； 其中安裝室包含： 容器加熱機構；和 傳送容器到沉積室的蒸發源支架的傳送機構。· 8 ·如申請專利範圍第7項之製造系統，其中多個平 板加熱器保持間距地重疊安裝在傳送室；和其中傳送室與 可以真空加熱多個基底的處理室連接。 9 ·如申請專利範圍第7項之製造系統，其中該移動 蒸發源支架的移動機構具有以一定間距向X軸移動蒸發 源支架，和以一定間距向Y軸移動蒸發源支架的功能。 1 0 ·如申請專利範圍第7項之製造系統，其中該容器 的數量等於或多於六個。 1 1 ·如申請專利範圍第7項之製造系統，其中在蒸發 源支架上提供有調整傾斜程度的螺釘。 1 2 ·如申請專利範圍第7項之製造系統，其中該裝載 室爲一輸送室。 13. —種含有有機化合物層的製造方法，其包含以下 步驟： 在安裝室安裝塡充有含有有機化合物材料的容器； 在安裝室內實施真空抽氣； 在安裝室將容器加熱至溫度T; 傳送加熱過的容器到預先加熱至溫度T的蒸發源支 架； 載入基底到沉積室； -91 - (4) (4)200418340 保持容器的溫度在溫度T並提升沉積室內的真空度使 其真空度高於安裝室，然後對基底實施蒸氣沉積；和 載送基底。 14· 一種發光裝置，包含一發光元件，該發光元件在 有絕緣表面的基底上包括陰極，和陰極連接的含有有機化 合物的疊層，以及和含有有機化合物的疊層連接的陽極， 其中含有有機化合物的疊層中，至少有兩層以上的邊 緣互相齊平；和 其中該發光元件被一疊層覆蓋，該疊層包括第一無機 絕緣膜，有吸濕性和透明性的膜，以及第二無機絕緣膜。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之發光裝置，其中有吸 濕性和透明性的膜比第一無機絕緣膜或第二無機絕緣膜的 應力小。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項之發光裝置，其中第一 無機絕緣膜或第二無機絕緣膜是氮化矽膜，氧化矽膜，氮 氧化矽膜，DLC膜，CN膜，或這些膜的疊層。 1 7 ·如申請專利範圍第1 4項之發光裝置，其中第一 無機絕緣膜或第二無機絕緣膜是使用用矽製作的靶藉由高 頻率濺射法形成的氮化矽膜。 1 8 ·如申請專利範圍第14項之發光裝置，其中第一 基底上提供有發光元件以及和發光元件連接的TFT。 1 9 ·如申請專利範圍第14項之發光裝置，其中該有 吸濕性和透明性的膜是藉由蒸氣沉積獲得的材料膜。 20·如申請專利範圍第14項之發光裝置，其中有吸 -92 - (5) (5)200418340 濕性和透明性的膜與夾在陰極和陽極之間的含有有機化合 物的疊層中的至少一層採用相同的材料而形成。 2 1 .如申請專利範圍第1 4項之發光裝置，其中該 發光裝置選自由視頻相機、數位相機、顯示器、汽車導航 系統、個人電腦以及攜帶型資訊終端所組成之群之一。 22. —種發光裝置，包括一發光元件，該發光元件在 有絕緣表面的基底上包括陰極，和陰極連接的含有有機化 合物的疊層，以及和含有有機化合物的疊層連接的陽極， 其中含有有機化合物的疊層中，提供的疊層的上層能 夠覆蓋疊層的底層的末端；和 其中該發光元件被一疊層覆蓋，該疊層包括第一無機 絕緣膜’有吸濕性和透明性的膜，以及第二無機絕緣膜。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項之發光裝置，其中有吸 濕性和透明性的膜比第一無機絕緣膜或第二無機絕緣膜的 應力小。 24 ·如申請專利範圍第22項之發光裝置，其中第一 無機絕緣膜或第二無機絕緣膜是氮化矽膜，氧化矽膜，氮 氧化矽膜’ DLC膜，CN膜，或這些膜的疊層。 2 5 ·如申請專利範圍第22項之發光裝置，其中第一 無機絕緣膜或第二無機絕緣膜是使用用矽製作的靶藉由高 頻率濺射法形成的氮化矽膜。 26 ·如申請專利範圍第22項之發光裝置，其中第一 基底上提供有發光元件以及和發光元件連接的TFT。 27 ·如申請專利範圍第22項之發光裝置，其中該有 -93- (6) (6)200418340 吸濕性和透明性的膜是藉由蒸氣沉積獲得的材料膜。 28. 如申請專利範圍第22項之發光裝置，其中有吸 濕性和透明性的膜與夾在陰極和陽極之間的含有有機化合 物的疊層中的至少一層採用相同的材料而形成。 29. 如申請專利範圍第22項之發光裝置，其中發 光裝置選自由視頻相機、數位相機、顯示器、汽車導航系 統、個人電腦以及攜帶型資訊終端所組成之群之一。 3 0 . —種製造系統，包含： 一裝載室； 與裝載室連接的傳送室； 與傳送室連接的多個沉積室； 以及與每個沉積室連接的安裝室， 其中，每個沉積室和將沉積室內真空抽氣的第一真空 抽氣室連接在一起； 其中每個沉積室包含： 對準掩模和基底的位置的CCD相機和制動器； • 一框架； 移動蒸發源支架的台，其中該蒸發源支架包括至少一 個其內密封有蒸發材料的容器； 加熱容器的加熱器；和 提供在容器上的閘門； 其中，該安裝室和將安裝室內真空抽氣的第二真空抽 氣室連接在一起； 其中安裝室包含：加熱容器的加熱器；和傳送容器到 -94- (7) (7)200418340 沉積室的蒸發源支架的傳送機器人。 3 1 ·如申請專利範圍第3 0項之製造系統，其中該容 器的數量等於或多於六個。 3 2 ·如申請專利範圍第3 0項之製造系統，其中在蒸 發源支架上提供有調整傾斜程度的螺釘。 3 3 ·如申請專利範圍第3 0項之製造系統，其中該裝 載室爲一輸送室。 3 4 · —種製造系統，包含： 一裝載室； 與裝載室連接的傳送室； 與傳送室連接的多個沉積室；和 與多個沉積室連接的安裝室， 其中，該多個沉積室和將沉積室內真空抽氣的第一真 空抽氣室連接在一起； 其中多個沉積室包含： 對準掩模和基底的位置的CCD照相機和制動器； 一框架； 移動蒸發源支架的台，其中該蒸發源支架包括至少一 個其內密封有蒸發材料的容器； 加熱容器的加熱器；和 懸浮容器於蒸發源支架之上以便使其冷卻的提升桿； 和 其中，該安裝室和將安裝室內真空抽氣的第二真空抽 氣室連接在一起； -95- (8) (8)200418340 其中安裝室包含：加熱容器的加熱器；和傳送容器到 沉積室的蒸發源支架的傳送機器人。 3 5 ·如申請專利範圍第34項之製造系統，其中該容 器的數量等於或多於六個。 3 6 ·如申請專利範圍第3 4項之製造系統，其中在蒸 發源支架上提供有調整傾斜程度的螺釘。 3 7 ·如申請專利範圍第34項之製造系統，其中該裝 載室爲一輸送室。 -96tf -
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI718446B (zh) * 2017-12-11 2021-02-11 日商愛發科股份有限公司 蒸鍍裝置

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4906018B2 (ja) * 2001-03-12 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法、発光装置の作製方法及び成膜装置
SG142163A1 (en) 2001-12-05 2008-05-28 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
SG149680A1 (en) * 2001-12-12 2009-02-27 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
EP1367659B1 (en) * 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
TWI277363B (en) 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
KR101006938B1 (ko) 2002-09-20 2011-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 제조 시스템 및 발광장치 제작방법
US7211461B2 (en) * 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US7333072B2 (en) * 2003-03-24 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device
JP4493926B2 (ja) 2003-04-25 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
US7211454B2 (en) * 2003-07-25 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate
US7511421B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed metal and organic electrode for organic device
US7504049B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device
US7884403B2 (en) 2004-03-12 2011-02-08 Japan Science And Technology Agency Magnetic tunnel junction device and memory device including the same
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
JP4292128B2 (ja) * 2004-09-07 2009-07-08 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法
KR100592304B1 (ko) * 2004-11-05 2006-06-21 삼성에스디아이 주식회사 가열 용기와 이를 구비한 증착 장치
US8128753B2 (en) * 2004-11-19 2012-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
FR2878863B1 (fr) * 2004-12-07 2007-11-23 Addon Sa Dispositif de depot sous vide a reservoir de recharge et procede de depot sous vide correspondant.
US20060155557A1 (en) * 2005-01-11 2006-07-13 Eastman Kodak Company Customized one time use vapor deposition source
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100671673B1 (ko) * 2005-03-09 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 다중 진공증착장치 및 제어방법
JP4789551B2 (ja) * 2005-09-06 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 有機ｅｌ成膜装置
JP4974504B2 (ja) * 2005-10-13 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置、発光装置の作製方法
KR100722614B1 (ko) * 2005-10-28 2007-05-28 삼성전기주식회사 카메라모듈 및 그 제조방법
US7638168B2 (en) * 2005-11-10 2009-12-29 Eastman Kodak Company Deposition system using sealed replenishment container
KR100704722B1 (ko) * 2005-11-28 2007-04-09 엘지전자 주식회사 연결부 사이에 구조물이 형성된 유기 전계 발광 소자
KR100766898B1 (ko) * 2006-05-16 2007-10-12 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100784953B1 (ko) * 2006-05-23 2007-12-11 세메스 주식회사 다수의 도가니를 이용한 유기발광소자 박막 제작을 위한선형증발원
US20070281574A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing electroluminescent material
DE102006043394A1 (de) * 2006-09-12 2008-03-27 Creavac - Creative Vakuumbeschichtung Gmbh Einrichtung zur schnellen und automatischen Vakuumbeschichtung von Massengütern als Werkstücke
KR101149408B1 (ko) * 2006-11-15 2012-06-01 삼성전자주식회사 연료 전지용 전극의 제조 방법 및 제조 장치
US7879401B2 (en) * 2006-12-22 2011-02-01 The Regents Of The University Of Michigan Organic vapor jet deposition using an exhaust
WO2008156226A1 (en) * 2007-06-20 2008-12-24 Doosan Mecatec Co., Ltd. Apparatus for depositing organic thin film
JP2009043572A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Sony Corp 蒸発源、蒸発源の製造方法、及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO2009049285A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 University Of Delaware Thermal evaporation sources for wide-area deposition
US7968353B2 (en) * 2008-04-15 2011-06-28 Global Solar Energy, Inc. Apparatus and methods for manufacturing thin-film solar cells
US8557045B2 (en) * 2008-08-26 2013-10-15 Colorado State University Research Foundation Apparatus and method for fabricating photovoltaic modules using heated pocket deposition in a vacuum
JP5173699B2 (ja) * 2008-09-25 2013-04-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 有機ｅｌデバイス製造装置
JP2010106357A (ja) * 2008-09-30 2010-05-13 Canon Inc 成膜方法及び成膜装置
WO2010106897A1 (en) 2009-03-18 2010-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
EP2230703A3 (en) 2009-03-18 2012-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus and manufacturing method of lighting device
US20100247747A1 (en) * 2009-03-27 2010-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film Deposition Apparatus, Method for Depositing Film, and Method for Manufacturing Lighting Device
KR101388890B1 (ko) * 2009-04-21 2014-04-23 가부시키가이샤 알박 진공 증착 시스템 및 진공 증착 방법
JP5566669B2 (ja) * 2009-11-19 2014-08-06 昭和電工株式会社 インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法
US8480805B2 (en) * 2010-04-16 2013-07-09 Colorado State University Research Foundation System and method for sealing a vapor deposition source
TW201200614A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating device
CN102312200B (zh) * 2010-06-30 2014-04-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 蒸镀机
JP5797275B2 (ja) 2010-12-13 2015-10-21 ポスコ 連続コーティング装置
WO2012124593A1 (ja) * 2011-03-15 2012-09-20 シャープ株式会社 蒸着粒子射出装置および蒸着装置
US9512520B2 (en) * 2011-04-25 2016-12-06 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate processing system
US20140050850A1 (en) * 2011-11-15 2014-02-20 Panasonic Corporation Vacuum apparatus, method for cooling heat source in vacuum, and thin film manufacturing method
KR101278036B1 (ko) * 2011-11-18 2013-06-24 (주) 오엘이디플러스 도가니 연속 공급 장치를 구비한 οｌｅｄ 증착 설비 및 그 작동 방법
KR20130096370A (ko) * 2012-02-22 2013-08-30 삼성디스플레이 주식회사 유기물 정제장치
JP5674707B2 (ja) * 2012-05-22 2015-02-25 株式会社東芝 表示装置
CN104164649A (zh) * 2013-05-16 2014-11-26 朱兴华 大面积碘化铅厚膜的制备方法及其实施设备
DE102013214493A1 (de) * 2013-07-24 2015-01-29 Rolls-Royce Deutschland Ltd & Co Kg Laserauftragsvorrichtung sowie Verfahren zur Erzeugung eines Bauteils mittels direktem Laserauftrag
CN105579530B (zh) * 2013-09-17 2019-04-05 全南大学校产学协力团 集成导电聚合物粘合剂组合物、其制备方法及包含其的产品
KR102222005B1 (ko) * 2014-01-09 2021-03-04 삼성디스플레이 주식회사 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법
WO2015174318A1 (ja) * 2014-05-16 2015-11-19 シャープ株式会社 封止フィルム、有機ｅｌ素子、及び有機ｅｌ表示装置
CN104073764B (zh) * 2014-06-17 2016-05-18 京东方科技集团股份有限公司 一种用于oled蒸镀的旋转蒸发源装置
JP2016103395A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN104789930B (zh) * 2015-04-24 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备及采用该蒸镀设备的操作方法
CN106256925B (zh) * 2015-06-18 2020-10-02 佳能特机株式会社 真空蒸镀装置、蒸镀膜的制造方法和有机电子器件的制造方法
US11058010B2 (en) * 2016-08-01 2021-07-06 Applied Materials, Inc. Evaporation apparatus for depositing material on a flexible substrate and method therefore
EP4258325A3 (en) * 2018-06-07 2024-01-24 Silanna UV Technologies Pte Ltd Optoelectronic device
DE102018131905B4 (de) * 2018-12-12 2024-04-25 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Verdampfungsanordnung und Verfahren
KR20200086582A (ko) * 2019-01-09 2020-07-17 삼성전자주식회사 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법
CN113061849A (zh) * 2021-04-01 2021-07-02 杭州星河材料科技有限公司 一种高通量热蒸发薄膜制备装置及其应用
CN112877649A (zh) * 2021-04-01 2021-06-01 宁波星河材料科技有限公司 一种便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置及其应用

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2435997A (en) * 1943-11-06 1948-02-17 American Optical Corp Apparatus for vapor coating of large surfaces
US3636305A (en) * 1971-03-10 1972-01-18 Gte Sylvania Inc Apparatus for metal vaporization comprising a heater and a refractory vessel
FR2244014B1 (zh) * 1973-09-17 1976-10-08 Bosch Gmbh Robert
US4023523A (en) * 1975-04-23 1977-05-17 Xerox Corporation Coater hardware and method for obtaining uniform photoconductive layers on a xerographic photoreceptor
US4187801A (en) * 1977-12-12 1980-02-12 Commonwealth Scientific Corporation Method and apparatus for transporting workpieces
JPS6032361A (ja) 1983-08-03 1985-02-19 Hitachi Ltd 半導体装置用電極配線の製造方法
JPS6032361U (ja) * 1983-08-10 1985-03-05 日本真空技術株式会社 真空蒸着装置に於けるるつぼ交換装置
DE3330092A1 (de) * 1983-08-20 1985-03-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen
US4897290A (en) * 1986-09-26 1990-01-30 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Method for manufacturing the substrate for liquid crystal display
US5258325A (en) * 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
US5429884A (en) * 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
JP2688555B2 (ja) * 1992-04-27 1997-12-10 株式会社日立製作所 マルチチャンバシステム
JP3257056B2 (ja) 1992-09-04 2002-02-18 石川島播磨重工業株式会社 真空蒸着装置
KR100291971B1 (ko) * 1993-10-26 2001-10-24 야마자끼 순페이 기판처리장치및방법과박막반도체디바이스제조방법
JPH07192866A (ja) 1993-12-26 1995-07-28 Ricoh Co Ltd 有機薄膜型電界発光素子
JPH09209127A (ja) 1996-02-05 1997-08-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 真空蒸着装置およびその真空蒸着装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP3539125B2 (ja) 1996-04-18 2004-07-07 東レ株式会社 有機電界発光素子の製造方法
US5817366A (en) * 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
US5904961A (en) * 1997-01-24 1999-05-18 Eastman Kodak Company Method of depositing organic layers in organic light emitting devices
JP2848371B2 (ja) * 1997-02-21 1999-01-20 日本電気株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP3508484B2 (ja) * 1997-07-14 2004-03-22 松下電器産業株式会社 機能性薄膜の形成方法及び形成装置
JPH1161386A (ja) * 1997-08-22 1999-03-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子の成膜装置
US6284052B2 (en) * 1998-08-19 2001-09-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber
JP2000068055A (ja) * 1998-08-26 2000-03-03 Tdk Corp 有機ｅｌ素子用蒸発源、この有機ｅｌ素子用蒸発源を用いた有機ｅｌ素子の製造装置および製造方法
JP3782245B2 (ja) * 1998-10-28 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造装置及び製造方法
US6214631B1 (en) * 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
JP4312289B2 (ja) 1999-01-28 2009-08-12 キヤノンアネルバ株式会社 有機薄膜形成装置
JP2000348859A (ja) 1999-06-03 2000-12-15 Chisso Corp 有機ｅｌ素子
US6660409B1 (en) * 1999-09-16 2003-12-09 Panasonic Communications Co., Ltd Electronic device and process for producing the same
JP4040240B2 (ja) * 2000-07-10 2008-01-30 パナソニック コミュニケーションズ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
TW574396B (en) 1999-10-22 2004-02-01 Kurt J Lesker Company Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum
KR20010047128A (ko) * 1999-11-18 2001-06-15 이경수 액체원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US6244212B1 (en) * 1999-12-30 2001-06-12 Genvac Aerospace Corporation Electron beam evaporation assembly for high uniform thin film
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
JP4785269B2 (ja) 2000-05-02 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法及び成膜装置のクリーニング方法
US20020011205A1 (en) * 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
JP4597421B2 (ja) 2000-05-12 2010-12-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2001357973A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Sony Corp 表示装置
EP1167566B1 (en) * 2000-06-22 2011-01-26 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Apparatus for and method of vacuum vapor deposition
MY141175A (en) * 2000-09-08 2010-03-31 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus
JP2002208480A (ja) 2001-01-09 2002-07-26 Tadashi Inoue 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US20030015140A1 (en) * 2001-04-26 2003-01-23 Eastman Kodak Company Physical vapor deposition of organic layers using tubular sources for making organic light-emitting devices
JP2003113466A (ja) * 2001-07-31 2003-04-18 Fuji Photo Film Co Ltd 真空蒸着装置
TWI275319B (en) * 2002-02-05 2007-03-01 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method and method of operating a manufacturing apparatus
SG113448A1 (en) * 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
EP1369499A3 (en) * 2002-04-15 2004-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US20030221620A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
US7230271B2 (en) * 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
JP4286496B2 (ja) 2002-07-04 2009-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 蒸着装置及び薄膜作製方法
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
TWI277363B (en) 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI718446B (zh) * 2017-12-11 2021-02-11 日商愛發科股份有限公司 蒸鍍裝置

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