TW200405451A - Substrate processing apparatus and processing method thereof - Google Patents

Substrate processing apparatus and processing method thereof Download PDF

Info

Publication number
TW200405451A
TW200405451A TW092116810A TW92116810A TW200405451A TW 200405451 A TW200405451 A TW 200405451A TW 092116810 A TW092116810 A TW 092116810A TW 92116810 A TW92116810 A TW 92116810A TW 200405451 A TW200405451 A TW 200405451A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
recovery
processing
processed
recovery tank
Prior art date
Application number
TW092116810A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI311779B (en
Inventor
Minoru Matsuzawa
Michio Magasaka
Original Assignee
Sipec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sipec Corp filed Critical Sipec Corp
Publication of TW200405451A publication Critical patent/TW200405451A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI311779B publication Critical patent/TWI311779B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Description

玖、發明說明: 【發日月所屬之技術領域】 技術領域 本發明係有關於基板處理裝置及其處理方法,特別是 適合用於分別回收處理過基板後之各種處理液者。 t先前技術3 背景技術 以往,於基板形成半導體元件等之各種製造程序中係 使用對各基板進行濕蝕刻、濕洗淨等藥液處理之葉片式基 板處理裝置。該基板處理裝置係一面使位置固定之基板轉 動(旋轉)一面供給各種藥液而對該基板進行各種處理,且處 理過基板之藥液係藉由旋轉之離心力從基板飛散而回收至 設置於基板側邊之回收槽並進行排出處理。此時,從基板 飛散之藥液與周圍之大氣相互摻雜而以煙霧狀或氣體狀回 收至回收槽。 於習知基板處理中,在回收處理過基板之藥液時,為 了避免酸性藥液與鹼性藥液混合且因化學反應產生鹽並成 為形成粒子之原因,故以不同之基板處理裝置進行藉由酸 性藥液之處理與藉由驗性藥液之處理。 在此,習知基板處理裝置之例子係舉日本專利公開公 報特開平5 — 283395號公報來說明前述藥液回收方法。 第10A及10B圖係習知例之基板處理裝置之概略圖,第 10A圖顯示其截面圖,第log圖顯示其俯視圖。 如第10A及10B圖所示,標號1〇1係被處理對象之基 200405451 板,102係將各種藥液供給至基板ιοί之藥液供給喷嘴,ι〇3 係保持基板101之基板夾頭部,104係與基板夾頭部1〇3連接 之軸,105係使藉由基板夾頭部1〇3保持之基板ι〇1朝軸104 之軸方向旋轉之馬達,106〜108係用以依各種藥液來回收 5 而設置之回收槽,109〜111係設置於各回收槽1〇6〜1〇8之 排液機構’ 112係用以使基板夾頭部1 〇3之高度朝上下方向 移動之升降裝置。 習知例所示基板處理裝置係藉由基板夾頭部1〇3來保 持基板101 ’且驅動馬達105而使基板101—面朝軸1〇4之軸 10 方向旋轉一面從藥液供給喷嘴102將藥液供給至基板1〇1上 並處理基板101。又’藉由馬達105之旋轉,從基板1〇1飛散 之藥液回收至回收槽106。又,業經回收之藥液係由排液機 構109排出。 接者’驅動升降裝置112並使基板1 〇 1之位置朝回收槽 15 之入口位置移動。又,驅動馬達1〇5而使基板ι〇1 一面旋 轉一面從藥液供給喷嘴102將其他藥液供給至基板1〇1上並 處理基板101,且藉由回收槽107回收業經處理之藥液。接 著,驅動升降裝置112並使基板101之位置朝回收槽1〇8之入 口位置移動,與前述相同地再以其他藥液來處理基板1〇1, 2〇 並藉由回收槽108回收該處理過之藥液。在此,回收至回收 槽106〜108之處理過基板101之各種藥液係與周圍之大氣 相互摻雜而以煙霧狀或氣體狀回收,藉由前述方式,則可 分別回收處理過基板1〇1之複數藥液。 然而,由於前述習知基板處理裝置係於其他回收槽之 6 開口部開啟狀態下進行藥液回收,因此會有基板處理後煙 霧狀或氣體狀之藥㈣人其他回收槽之虞。該情形在進行 藉由酸性魏之處理與藉由祕藥液之處理時,則由於會 引起如前錄子之產生,因此特別會成為顯著之問題。為 了防止此種藥液之混人,舉例言之,在進行藉由酸性藥液 之處理與藉由紐料之處理時必彡貞併用基板處理裝置, 但卻會因此導致因藉Φ複數絲處理裝置來處理而造成程 序繁雜之進一步之問題。 目的係提供基板處 本發明係有鑑於前述問題而完成 理裝置及基板處理方法,其係確實崎止於❹多種處理 液並對基板施行各種處理後,在回收這些處理液時藉由同 一裝置構造之連續程序中使用完之各處理液相混合且可靠 性高者。 c發明内容3 發明之揭示 本發明之基板處理裝置包含有:基板保持構件,係用 以保持被處理基板者;基板旋轉構件,係用以使利用前述 基板保持構件保持之被處理基板旋轉者;處理液供給構 件,係用以將複數處理液供給至前述被處理基板上者;及 處理液回收構件,具有複數回收槽,且該回收槽係配置為 包圍利用前述基板保持構件來保持之被處理基板之周圍, 且將藉由前述基板旋轉構件而從前述被處理基板飛散之前 述處理液依其種類分離回收,又,前述處理液回收構件在 藉由一回收槽回收前述處理液時係在關閉其他回收槽之入 口之狀態下來回收。 本發明之基板處理裝置之其他態樣係,前述處理液回 收構件係具有複數柵欄,且藉由使預定栅棚向上方驅動而 形成用以回收該處理液之前述回收槽之導路。 又,本發明之基板處理裝置之其他態樣係,利用前述 基板保持構件保持之前述被處理基板之位置係位於未回收 兩述處理液時之前述栅欄之位置上方。 又’本發明之基板處理裝置之其他態樣係,前述柵欄 係配置為從接近前述被處理基板者依序地重疊以關閉前述 回收槽之入口,且前述處理液回收構件係從遠離前述被處 理基板位置之回收槽依序地進行回收。 又’本發明之基板處理裝置之其他態樣係,前述栅欄 係具有前端部’且該前端部構成為彎曲成反射從前述被處 理基板飛散之前述處理液並導向所選擇之前述回收槽内之 反射面。 又’本發明之基板處理裝置之其他態樣係設置有用以 將前述各回收槽之内部氣體分別排氣之排氣構件。 又本發明之基板處理裝置之其他態樣係設置有用以 將刚述各回收槽之前述處理液分別排出之排液構件。 又本發明之基板處理裝置之其他態樣係設有用以洗 淨前述回收槽内之洗淨構件。 本毛明之基板處理方法包含有:一面使所保持之被處 理基板旋轉-面將複數處理液供給至前述被處理基板上之 私序,及利用具有複數回收槽之處理液回收構件,在藉由 一回收槽回收前述處理液時,在關閉其他回收槽入口之狀 恶下僅藉由前述一回收槽來回收之程序,且該回收槽配置 為包圍前述被處理基板之周圍,且將從前述被處理基板飛 政之兩述處理液依其種類分離回收。 本發明之基板處理方法之其他態樣係,前述處理液回 收構件係具有複數栅欄,且藉由使預定柵欄向上方驅動而 形成用以回收該處理液之前述回收槽之導路。 又’本發明之基板處理方法之其他態樣係,被保持之 A述被處理基板之位置係位於未回收前述處理液時之前述 栅攔之位置上方。 又’本發明之基板處理方法之其他態樣係,前述柵欄 係配置為從接近前述被處理基板者依序地重疊以關閉前述 回收槽之入口,且回收前述處理液之程序係從遠離前述被 處理基板位置之回收槽依序地進行回收。 又,本發明之基板處理方法之其他態樣係,前述栅欄 係具有則端部,且該前端部構成為彎曲成反射從前述被處 理基板飛散之前述處理液並導向所選擇之前述回收槽内之 反射面。 又,本發明之基板處理方法之其他態樣係具有於前述 各回收槽進行内部氣體之分別排氣之排氣程序。 又,本發明之基板處理方法之其他態樣係具有將回收 至前述各回收槽之前述處理液進行排出之排液程序。 又本發明之基板處理方法之其他態樣係具有用以進 行前述回收槽内之洗淨之洗淨程序。 200405451 圖式簡单說明 第1圖係顯示有關本發明之基板處理裝置之實施形態 之概略截面圖。 第2圖係本實施形態之基板處理裝置中升降機構之概 5 略截面圖。 第3圖係本實施形態之基板處理裝置内之俯視截面圖。 第4圖係顯示形成回收槽之栅攔前端部之概略截面圖。 第5圖係顯示形成回收槽之柵欄前端部之概略截面圖。 第6圖係顯示本實施形態之基板處理裝置之藥液回收 10 程序之概略截面圖。 第7圖係顯示本實施形態之基板處理裝置之藥液回收 程序之概略截面圖。 第8圖係顯示本實施形態之基板處理裝置之藥液回收 程序之概略截面圖。 15 第9圖係顯示本實施形態之基板處理裝置之藥液回收 程序之概略截面圖。 第10A及10B圖係習知例之基板處理裝置之概略截面 圖。 t實施方式3 20 較佳實施例之詳細說明 以下一面參照附圖一面說明本發明之基板處理裝置及 其處理方法之具體實施形態。 第1圖係顯示有關本發明之基板處理裝置之實施形態 之概略截面圖。 10 如第1圖所示,該基板處理裝置係設置被處理對象之基 板11 ’且構成為具有用以對該基板11表面進行藉由各種處 理液(藥液)之處理之基板處理部1,與選擇性地分別回收使 用元之各種藥液之藥液回收部2。 5 於基板處理部1中,標號12係將各種藥液供給至基板11 之藥液供給噴嘴,13係保持基板U之基板夾頭部,14係與 基板夾頭部13連接之軸,15係使藉由基板夾頭部13保持之 基板11朝軸14之軸方向旋轉之馬達。 於藥液回收部2中,標號16〜19係用以依各種藥液回收 10而藉由各栅攔3a〜3d區隔之回收槽,20〜23係分別設置於 各回收槽16〜19之排液機構,24〜27係分別設置於各回收 槽16〜19之排氣機構,28係將形成各回收槽16〜19之栅欄 3a〜3d上下驅動且形成各回收槽16〜19之導路之升降機 構。在此,回收槽16係藉由柵欄3a、3b,回收槽17係藉由 15 栅欄3b、3c,回收槽18係藉由栅欄3c、3d,回收槽19係藉 由栅攔3d及分隔板e而分別地形成。各柵欄3a〜3d具有未圖 示但用以藉由純水等來洗淨其内部之洗淨機構,且以耐藥 品性、耐吸水性優異之材料如鐵氟龍(R)來構成。 接著詳細說明升降機構28。 20 第2圖係本實施形態之基板處理裝置中升降機構28之 概略截面圖。如第2圖所示,升降機構28係具有凸輪29與用 以使形成回收槽16〜19之栅欄3a〜3d朝上方驅動之軸30〜 33 〇 本實施形態之基板處理裝置中,藉由使凸輪29旋轉, 11 20〇4〇5451 町透過軸30〜33而從外側柵欄3a朝栅欄3d依序地向上方驅 動。藉由該升降機構28之驅動,則藉由驅動形成各回收槽 之柵欄3a〜3d而可於關閉其他回收槽入口之狀態下依照從 藥液供給喷嘴12供給之各藥液來回收。 5 接著說明形成回收槽16〜19之栅欄3a〜3d之設置狀 態。 第3圖係從上面觀察本實施形態之基板處理裝置内之 截面圖。
本實施形態係顯示有4槽回收槽之情形。回收槽16〜19 10 係形成為藉由圓形栅欄3a〜3d區隔以包圍基板丨丨之周圍, 且各軸30〜33於該等栅攔底面係各回收槽16〜19平均配置 3處(鲁之部分)。又,第3圖所示◦之部分係設有排液口,且 構成為可從該排液口排出業已回收之藥液。再者,第3圖所 示榡號24〜27係設置於各回收槽16〜19且排出業已回收之 氣體之排氣機構。 接著詳細說明回收槽16〜19之入口部。
第4圖係顯示形成回收槽16〜19之柵欄前端部之概略 哉面圖。 第4圖所示之狀態係藥液從藥液供給構件供給至基板 11且藉由回收槽16回收處理過該基板u之藥液時之態樣之 戴面圖。又,僅回收槽16之入口開啟,其他回收槽17〜19 之入口則全部關閉。 如第4圖所示,柵欄3a〜3d之前端部4a〜4d係構成為彎 曲成可僅藉由分別重疊來關閉各回收槽16〜19之狀態之構 12 造。又’刚端部4a〜4d係構成為即便藥液碰觸亦不會附著 而積存之形狀,且構成為藥液不會朝回收槽16〜19外部反 射之形狀。又’舉例言之,構成為若碰觸到前端部4a之藥 液掉落至位在下方之栅欄3b彎曲之前端部仆之前端部分時 5會通過财端部扑〜如而流落至回收槽16外之前端形狀。 又,於前端部4a〜4d不需藉由墊料等來密封,藉由重疊栅 攔3a〜3d ’回收槽内部會成為負壓而構成密閉狀態,且在 利用其他回收槽回收藥液時該藥液不會混入。此時,如第5 圖所示’由於前端部4a〜4d係設定為即使從基板η表面飛 10散之藥液碰觸到前端部4a〜4d,圖式之例中為前端部4a, 該藥液亦會朝回收槽16〜19,圖式之例中為回收槽16之内 部反射且不會朝回收槽16外部飛散之彎曲度,因此可將藥 液確實地回收至僅對應於該藥液之回收槽。 其次說明本實施形態之基板處理裝置中回收處理過基 15 板之藥液之程序。 第6至9圖係顯示本實施形態之基板處理裝置之藥液回 收程序之概略截面圖。 本實施形態係藉由利用4個配置為包圍基板11周圍且 藉由栅攔3a〜3d及分隔板3e來形成之回收槽16〜19回收4 20 種藥液之例子來作說明,然而本發明並不限於此,例如亦 可進一步增設柵攔數而構成5個以上之回收槽。 如第6圖所示,在從藥液喷嘴12供給第1藥液前,藉由 升降機構28使回收槽16之栅欄3a朝上方驅動而開啟其入 口,此時其他回收槽17〜19之入口關閉。 13 200405451 於該狀態下,一面藉由馬達旋轉利用基板夾頭部13 保持之基板Π —面從藥液喷嘴12供給第1藥液來處理基板 11。處理過基板11之第1藥液係藉由馬達15之旋轉而從基板 11飛散且回收至回收槽16。此時,藉由旋轉之離心力從基 5 板飛散之藥液與周圍之大氣相互摻雜而以煙霧狀或氣體狀 回收至回收槽16。回收至回收槽16之藥液係由排液機構2〇 排出,又,所回收之氣體係由排氣機構24排出。 接著,如第7圖所示,在從藥液喷嘴12供給第2藥液前, 藉由升降機構28使回收槽17之柵襴3b朝上方驅動至開啟該 10 回收槽17之入口同時關閉回收槽16入口之位置,此時,由 於回收槽18、19之入口關閉,因此僅回收槽17之入口呈開 啟狀態。 於該狀態下’ 一面藉由馬達15旋轉基板Η 一面從藥液 喷嘴12供給第2藥液來處理基板11。處理過基板u之第2藥 15 液係藉由馬達15之旋轉而從基板11飛散且回收至回收槽 17。此時,藉由旋轉之離心力從基板飛散之藥液與周圍之 大氣相互摻雜而以煙霧狀或氣體狀回收至回收槽17。回收 至回收槽17之藥液係由排液機構21排出,又,所回收之氣 體係由排氣機構25排出。 20 接著,如第8圖所示,在從藥液喷嘴12供給第3藥液前, 藉由升降機構28使回收槽18之栅欄3c朝上方驅動至開啟該 回收槽18之入口同時關閉回收槽ι7入口之位置,此時,由 於回收槽16、19之入口關閉,因此僅回收槽18之入口呈開 啟狀態。 14 200405451 於該狀態下,一面藉由馬達15旋轉基板11一面從藥液 噴嘴12供給第3藥液來處理基板11。處理過基板n之第3藥 液係藉由馬達15之旋轉而從基板11飛散且回收至回收槽 18。 此時,藉由旋轉之離心力從基板飛散之藥液與周圍之 5 大氣相互摻雜而以煙霧狀或氣體狀回收至回收槽18。回收 至回收槽18之藥液係由排液機構22排出,又,所回收之氣 體係由排氣機構26排出。
接著,如第9圖所示,在從藥液喷嘴12供給第4藥液前, 藉由升降機構28使回收槽19之栅欄3d朝上方驅動至開啟該 10 回收槽19之入口同時關閉回收槽18入口之位置,此時,由 於回收槽16、17之入口關閉,因此僅回收槽19之入口呈開 啟狀態。 於該狀態下,一面藉由馬達15旋轉基板11一面從藥液 喷嘴12供給第4藥液來處理基板11。處理過基板π之第4藥 15 液係藉由馬達15之旋轉而從基板11飛散且回收至回收槽
19。 此時,藉由旋轉之離心力從基板飛散之藥液與周圍之 大氣相互摻雜而以煙霧狀或氣體狀回收至回收槽19。回收 至回收槽19之藥液係由排液機構23排出,又,所回收之氣 體係由排氣機構27排出。 20 藉由前述處理,由於在將複數種類之藥液回收至預定 回收槽時不會混入其他回收槽而進行回收,因此可有效地 進行分別回收·分別廢棄。又,亦可構成為使利用基板夾 頭部13保持之基板u位置位於未回收處理液時之栅欄3a〜 3d之位置上方而可順利地進行基板丨丨之搬入及搬出。 15 右#由本實施形態,則可構成確實地防止於使用多種 液並對基板施行各種處理後,在回收這些處理液時使 疋之各處理液相混合且可靠性高之基板處理。 產業上之可利用性 若藉由本發明’則由於在藉由一回收槽回收處理過基 板之處理液時係以關閉其他回收槽入口之狀態下來回收, 因此可防止欲回收之處理液混入其他回收槽 。藉此,例如, 在進行藉由酸性藥液之處理與藉由鹼性藥液之處理時,不 會產生因該混入所造成之形成粒子之原因之鹽,且可在藉 10由同一 t置構造之連續程序中進行基板處理。 又’若藉由本發明之其他特徵,則由於構成為使利用 基板保持構件保持之被處理基板之位置位於形成回收槽之 未回收處理液時之栅欄之位置上方,因此可順利地進行被 處理基板之搬入及搬出。 15 又,若藉由本發明之其他特徵,則由於構成為使形成 回收槽之柵攔之前端部彎曲之構造,因此即使從被處理基 板飛散之處理液碰觸到栅欄之前端部,亦不會飛散至回收 槽外,因此可有效地回收處理液。 【圖式簡單說明】 20 第1圖係顯示有關本發明之基板處理裝置之實施形態 之概略截面圖。 第2圖係本實施形態之基板處理裝置中升降機構之概 略截面圖。 第3圖係本實施形態之基板處理裝置内之俯視截面圖。 16 200405451 第4圖係顯示形成回收槽之栅欄前端部之概略截面圖。 第5圖係顯示形成回收槽之栅欄前端部之概略截面圖。 第6圖係顯示本實施形能竟^ ♦ 化怨之基板處理裳置之藥液回收 程序之概略截面圖。 5 第7圖係顯示本實施形β + Ate步:P田壯m . 計夕悲之基板處理裝置之藥液回收 程序之概略截面圖。 第8圖係顯示本實施形&々Ik?田壯_ 也%悲之基板處理裝置之藥液回收 程序之概略截面圖。
弟9圖係顯示本實施V Afc i 4老田壯 % %怨之基板處理裝置之藥液回收 10 程序之概略截面圖。 第10A及10B圖係習知例之基板處理裝置之概略截面 圖。 囷式之主要元件代表符號表】 I··基板處理部 2···藥液回收部 3a,3b,3c,3d···栅攔 3e···分隔板 4a,4b,4c,4d…前端部 11 ’ 101.··基板 12,102···藥液供給噴嘴 13,103···基板夾頭部 14 ’ 30 ’ 3卜 32,33,1〇4 λ ···季由 15,105…馬達 16 , 17 , 18 , 19 , 106 , 107 , 108.. .回收槽 20 , 21 , 22 , 23 , 109 , 110 , 111.. .排液機構 24,25,26,27...排氣機構 28.. .升降機構 29.. .凸輪 112.. .升降裝置
17

Claims (1)

  1. 拾、申請專利範圍: 1. 一種基板處理裝置,包含有: 基板保持構件,係用以保持被處理基板者; 基板旋轉構件,制崎利料述基板健構件保 持之被處理基板旋轉者; 處理液供給構件,係用以將複數處理液供給至前述 被處理基板上者;及 處理液回收構件,具有複數回收槽,且該回收槽係 配置為包圍利用前述基板保持構件來保持之被處^基 板之周圍’且將藉由前述基板旋轉構件而從前述被處二 基板飛散之前述處理液依其種類分離回收, 2. 3. 4. 5. 又,前述處理液回收構件在藉由1收槽回收前述 處理液時係在關閉其他回_之人π之狀態下來回收。 如申請專利範圍第i項之基板處理裝置,其中前述處理 液回收構件係具有複數栅攔,且藉由使預定柵攔向上方 驅動而形成用以回收該處理液之前述回收槽之導路。 如申請專利範’2項之基板處縣置,其中利用前述 基板保持構件保持之前述被處理基板之位置係位於未 回收前述處理液時之前述栅欄之位置上方。 、 利_第2項之基板處理裝置,其中前述滅 減置為從接近前述被處理絲者依耗^以關閉 前述回收叙Μ,且前述處魏时構件^遠離前 述被處理基板位置之回收槽依序地進行回收。 如申請專鄕圍第2項之基板處理裝置,其中前述補 200405451 係具有前端部,且該前端部構成為彎曲成反射從前述被 處理基板飛散之前述處理液並導向所選擇之前述回收 槽内之反射面。 6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,係設置有用以 5 將前述各回收槽之内部氣體分別排氣之排氣構件。 7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,係設置有用以 將前述各回收槽之前述處理液分別排出之排液構件。 8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,係設有用以洗 淨前述回收槽内之洗淨構件。 10 9· 一種基板處理方法,包含有: 一面使所保持之被處理基板旋轉一面將複數處理 液供給至前述被處理基板上之程序;及 利用具有複數回收槽之處理液回收構件,在藉由一 回收槽回收前述處理液時,在關閉其他回收槽入口之狀 15 悲下僅藉由前述一回收槽來回收之程序,且該回收槽配 置為包圍前述被處理基板之周圍,且將從前述被處理基 板飛散之前述處理液依其種類分離回收。 10·如申請專利範圍第9項之基板處理方法,其中前述處理 液回收構件係具有複數栅欄,且藉由使預定柵欄向上方 20 驅動而形成用以回收該處理液之前述回收槽之導路。 11·如申睛專利範圍第10項之基板處理方法,其中被保持之 月ίι述被處理基板之位置係位於未回收前述處理液時之 前述栅攔之位置上方。 12·如申請專利範圍第1〇項之基板處理方法,其中前述栅攔 19 200405451 係配置為從接近前述被處理基板者依序地重疊以關閉 前述回收槽之入口,且回收前述處理液之程序係從遠離 前述被處理基板位置之回收槽依序地進行回收。 13. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法,其中前述柵欄 5 係具有前端部,且該前端部構成為彎曲成反射從前述被 處理基板飛散之前述處理液並導向所選擇之前述回收 槽内之反射面。 14. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法,係具有於前述 各回收槽進行内部氣體之分別排氣之排氣程序。 10 15.如申請專利範圍第9項之基板處理方法,係具有將回收 至前述各回收槽之前述處理液進行排出之排液程序。 16.如申請專利範圍第9項之基板處理方法,係具有用以進 行前述回收槽内之洗淨之洗淨程序。 20
TW092116810A 2002-06-21 2003-06-20 Substrate processing apparatus and processing method thereof TWI311779B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002181151A JP2004031400A (ja) 2002-06-21 2002-06-21 基板処理装置及びその処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200405451A true TW200405451A (en) 2004-04-01
TWI311779B TWI311779B (en) 2009-07-01

Family

ID=29996621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092116810A TWI311779B (en) 2002-06-21 2003-06-20 Substrate processing apparatus and processing method thereof

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20050244579A1 (zh)
EP (1) EP1536460A4 (zh)
JP (1) JP2004031400A (zh)
KR (1) KR100704594B1 (zh)
CN (1) CN100380601C (zh)
TW (1) TWI311779B (zh)
WO (1) WO2004001828A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI383443B (zh) * 2006-10-03 2013-01-21 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置
US8377251B2 (en) 2008-06-30 2013-02-19 Shibaura Mechatronics Corporation Spin processing apparatus and spin processing method
TWI656594B (zh) * 2016-12-15 2019-04-11 辛耘企業股份有限公司 基板處理裝置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070272357A1 (en) * 2004-03-12 2007-11-29 Sipec Corporation Substrate Treatment Apparatus
JP4531612B2 (ja) * 2005-03-31 2010-08-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR100752246B1 (ko) 2005-03-31 2007-08-29 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
US8544483B2 (en) * 2005-04-01 2013-10-01 Tel Fsi, Inc. Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
JP4796902B2 (ja) * 2005-07-11 2011-10-19 芝浦メカトロニクス株式会社 基板のスピン処理装置
JP2009520362A (ja) * 2005-12-16 2009-05-21 ソリッド ステイト イクイップメント コーポレイション 化学的分離の装置及び方法
JP4637741B2 (ja) * 2005-12-28 2011-02-23 株式会社ジェイ・イー・ティ 基板処理装置
JP2007311446A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置
CN101484974B (zh) 2006-07-07 2013-11-06 Fsi国际公司 用于处理微电子工件的设备和方法以及遮挡结构
KR100797081B1 (ko) * 2006-08-24 2008-01-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2008141010A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100824306B1 (ko) * 2006-12-22 2008-04-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100872877B1 (ko) * 2007-03-06 2008-12-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치
WO2009020524A1 (en) 2007-08-07 2009-02-12 Fsi International, Inc. Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses
JP5705723B2 (ja) 2008-05-09 2015-04-22 テル エフエスアイ インコーポレイテッド 操作において開モードと閉モードとの切り替えを簡単に行う加工チェンバ設計を用いてマイクロ電子加工品を加工するための道具および方法
CN101958228B (zh) * 2009-07-13 2012-06-20 弘塑科技股份有限公司 具有移动式泄液槽的清洗蚀刻机台
JP2012044213A (ja) * 2011-10-26 2012-03-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5693438B2 (ja) 2011-12-16 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
CN107093567B (zh) * 2016-02-18 2019-08-06 顶程国际股份有限公司 环状液体收集装置
TWI797121B (zh) 2017-04-25 2023-04-01 美商維克儀器公司 半導體晶圓製程腔體
CN109570126B (zh) * 2018-12-27 2021-06-22 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 多级药品回收的单片清洗装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0434902Y2 (zh) * 1987-01-13 1992-08-19
JPH0724396A (ja) * 1993-07-12 1995-01-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US5608943A (en) * 1993-08-23 1997-03-11 Tokyo Electron Limited Apparatus for removing process liquid
JP3116297B2 (ja) * 1994-08-03 2000-12-11 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
TW306011B (zh) * 1995-04-19 1997-05-21 Tokyo Electron Co Ltd
US5843527A (en) * 1995-06-15 1998-12-01 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Coating solution applying method and apparatus
US5725663A (en) * 1996-01-31 1998-03-10 Solitec Wafer Processing, Inc. Apparatus for control of contamination in spin systems
TW357389B (en) * 1996-12-27 1999-05-01 Tokyo Electric Ltd Apparatus and method for supplying process solution to surface of substrate to be processed
JP4043593B2 (ja) * 1998-04-30 2008-02-06 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 基板処理装置
JPH11333354A (ja) * 1998-05-27 1999-12-07 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 回転式基板処理装置
JP3929192B2 (ja) * 1998-12-21 2007-06-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW504776B (en) * 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
JP4426036B2 (ja) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI383443B (zh) * 2006-10-03 2013-01-21 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置
US8377251B2 (en) 2008-06-30 2013-02-19 Shibaura Mechatronics Corporation Spin processing apparatus and spin processing method
TWI396233B (zh) * 2008-06-30 2013-05-11 Shibaura Mechatronics Corp A rotation processing device and a rotation processing method
TWI656594B (zh) * 2016-12-15 2019-04-11 辛耘企業股份有限公司 基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN100380601C (zh) 2008-04-09
EP1536460A1 (en) 2005-06-01
KR20050016598A (ko) 2005-02-21
KR100704594B1 (ko) 2007-04-10
US20050244579A1 (en) 2005-11-03
CN1672245A (zh) 2005-09-21
TWI311779B (en) 2009-07-01
JP2004031400A (ja) 2004-01-29
WO2004001828A1 (ja) 2003-12-31
EP1536460A4 (en) 2009-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200405451A (en) Substrate processing apparatus and processing method thereof
JP4319221B2 (ja) 基板処理装置
TWI354324B (en) Substrate processing apparatus and substrate proce
US7399713B2 (en) Selective treatment of microelectric workpiece surfaces
TWI275123B (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
US6854473B2 (en) Method and apparatus for executing plural processes on a microelectronic workpiece at a single processing station
TW201246270A (en) Method of cleaning substrate processing apparatus
TW200910494A (en) Recovery cup cleaning method and substrate treatment apparatus
TW200826182A (en) Substrate processing apparatus
TWI594363B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TW201001593A (en) Substrate treatment apparatus
TW200915403A (en) Substrate processing apparatus
CN1292736A (zh) 处理微电子工件的微环境反应器
TW200410299A (en) System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
TW201424860A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
CN101853781B (zh) 利用相容化学品的基板刷子擦洗和接近清洗干燥程序、接近基板制备程序和实施前述程序的方法、设备和系统
JP2003309102A (ja) 液処理装置および液処理方法
TW200933794A (en) Device and process for wet treating a peripheral area of a wafer-shaped article
CN112997277B (zh) 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法
TWI355298B (en) Apparatus for electroless deposition of metals ont
JP2002299305A (ja) 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2001015402A (ja) 基板処理装置
TW201120976A (en) Wafer cleaning device and cleaning method
JP2001351857A (ja) 基板処理装置
JP4727080B2 (ja) スピン処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees