TW200301940A - Thin film transistor device and method of manufacturing the same and liquid crystal display device - Google Patents

Description

200301940 玖、發明說明 (發明說明應欽明：發明所屬之姑分七 Jljk Ji- I， 7. 月所屬之技術領域、先剛技術、内容、實施方式及圖式簡單說明） 【潑^明戶斤屬之^拍^術^領^ 】 發明領域 本發明係有關薄膜電晶體裝置、其製造方法和液晶顯 5不器裝置，特別是有關在液晶顯示器裝置或類似裝置之絕 緣基板上面形成的薄膜電晶體裝置、其製造方法和液晶顯 示器裝置。

【先前技術J 發明背景 10 液晶顯示器裝置具有重量輕、厚度薄、耗電量低等特 色且其應用領域相當廣泛，例如行動式終端機、攝影機 之觀景器、筆記型電腦等。尤其是，以薄膜電晶體（下文 中縮寫成“TFT”)作為切換元件之主動矩陣液晶顯示器裝置 常用於要求高品質與高解析度顯示器之用途上，例如電腦 15顯示器或類似裝置。 於主動矩陣液晶顯示器裝置中，使用了以多晶矽薄膜 作為工作層（下文中稱為“pSi_TFT，，）之TFT，原因在於其高 度之驅動能力。最近幾年，隨著多晶石夕薄膜成形技術之進 步’為降低成本與提升功能，完成了在同一基板上面形成 2〇顯示區之薄膜電晶體（下文稱為像素TFT)和顯示區外之周 圍電路部分中的TFT這種結構之研究。 由方；像素TFT乃用以驅動液晶，因此必須將高電墨施 加於其等之閘極和汲極上，故此類像素TFT必須針對閘極 電壓和汲極電壓提供相當高的擊穿電壓。相反地，周圍電 200301940 玖、發明說明 路4刀中的TFT需要較低的耗電量和高速運作。 為了達到此需求，於專利發表（KOKAI)Hei 10-170953 ㈣，已經提出在同-基板上面，像素TFT中所形成之閘 彖膜#乂厚％周圍電路部分之tft中所形成的閘絕緣膜 5 較薄之範例。 第1圖中繪不了液晶顯示器裝置的一個截面構造圖， 其中在同―基板上面形成之絕緣膜，其厚度於像素TFT中 與周圍電路部分之TFT中乃互不相同。在此例巾，亦施加 问壓於周圍電路部分中的某些tft上，因此周圍電路部分 10中白勺TFT使用了與像素TFT相同之結構。 根據上述之液晶顯示器裝置製造方法，以多晶矽薄膜 衣成之島狀半V體薄膜4a、朴上面形成了以氧化石夕薄膜製 成的閘、、、巴緣膜。同時，藉由改變較厚部分與較薄部分中的 絕緣膜疊層數目，可調整薄膜之厚度。尤其是如下所述， 連、’’λ形成夕層、纟巴緣膜並蝕刻不需要之絕緣膜。 亦即於基板的整個表面上形成第一絕緣膜，接著將較 厚邛刀之TFT成形區中的第一絕緣膜5進行蝕刻而留下，其 匕區域中的这種第_絕緣膜5則被移除。 之後，於整個表面上依此順序形成第二絕緣膜和金屬 薄膜接著將金屬薄膜進行圖案製作程序。因在匕，於較薄 4刀之丁FT成形g中，第一閘電極&在第二絕緣膜以上面 形成，同打，於較厚部分之丁FT成形區中，第二閘電極7b 在由第一絕緣膜5與第二絕緣膜6a所組成之層狀結構上面 形成方、是，在較薄部分之TFT成形區中，具有由第二絕 200301940 玖、發明說明 緣膜6a組成之單層結構的第一閘絕緣膜於第一閘電極以下 方形成；同時，於較厚部分之TFT成形區中，具有由第一 及第二絕緣膜5、6b組成之雙層結構的第二間絕緣膜於第 二閘電極7b下方形成。 5 •，於較厚部分之TFT中，ϋ常應該抑制因熱電子 造成的‘ON’特性惡化，且應降低‘〇FF，電流。有鑑於此， 如第5圖中所示，該結構具有其中問電極乃下方之通道區 4be與高濃度雜質區4ba、伽之間的區域中乃配置了低濃 度雜質區4bc、4bd之LDD(輕摻雜沒極）結構。若從上侧觀 1〇看，則通道區4be與低濃度雜質區4bc、4bd之間的邊界大 體上位於間電極75邊緣正下方。於有些案例中，與低濃度 雜貝區4bc、4bd對應之區域可形成不掺入雜質的偏移區。 標準TFT係於較薄部分中形成，具有LDD結構之tft 則於較厚部分中形成。因此如第6A圖中所示，於較薄部分 15之TFT成形區中，首先在第一絕緣膜71上面形成第一間電 極72。之後，於較厚部分之TFT成形區中，形成一侧寬度 較閘電極成形區寬LDD區之防蝕光罩73a，接著以第一閘 電極72和防|虫光罩73a作為光罩，將離子植入。因此，第 -閘電極72兩側之島狀半導體薄膜乜中形成了高濃度雜質 2〇區4抑、4讣，且防蝕光軍73&兩側之島狀半導體薄膜私中 形成了高濃度雜質區4ba、4bb。 之後移除防蝕光罩73a，接著如第诏圖中所示，於較 厚部分之TFT成形區中，在比防钱光罩…成形區為窄之區 域中形成新的防钱光罩73b，之後利用防姓光罩別將離子 200301940 玫、發明說明 植入因此’防飯光罩73b邊緣與高濃度雜質區4aa、4ab 迖緣之間的區域中形成了低濃度雜質區偏、4bd。於此例 中夾在低/辰度雜質區4bc、4bd之間的區域乃作為通道區 4be ° 5 之後，以第一閘電極72和防蝕光罩73b作為光罩，將 第、、巴、’彖膜71加以蝕刻。因此如第5圖中所示，第一絕緣 膜71a係於第一間電極72下方形成，而第一絕緣膜川殘留 於防餘光罩73b下方。接著移除防#光罩73b，之後於整個 表面上形成第二絕緣膜和金屬膜。 10 _接著將金屬膜進行圖案製作程序，之後如第5圖中所 於車乂薄邛为之TFT成形區中，第二閘電極75在通道區 e上方形成。接著以第二閘電極乃作為光罩，將第二絕 膜加以蝕刻，而留下第二絕緣膜％。因此，具有由第 一及第二絕緣膜爪、74_成之雙層結構的第二閘絕緣膜 15於第二閘電極7 5下方形成。 -傻，可冑由標準步驟形成如第5圖中緣示之薄膜電 晶體裝置。在此例中，第5圖之參考數字76代表第一中間 層絕緣f代表接觸孔、％至77d代表綠電極 而78代表第二中間層絕緣膜。 φ然而如第2圖中所示，第1圖繪示之習知技藝製造方法 “係利用乾式钱刻法姓刻第_絕緣膜5。在此例中，較 =分之TFT成形區中的島狀半導體薄膜&表面、特別是 ^區之表面，乃暴露於㈣氣體之電漿中。因此，“ 島狀半導體薄㈣表面上產生了破壞層13，所衍生之問題 20 200301940 玖、發明說明 在於較溥部分中的TFT特性比較厚部分中的TFT特性退化。 相反地，如第3A圖中所示，利用濕式蝕刻法，以氫氟 酸或類似溶液蝕刻第一絕緣膜5。在此例中，由於不易取 付島狀半導體薄膜4a、4b對底層氧化矽薄膜3之選擇性蝕 · /J匕例故此底層氧化石夕薄膜3亦於過蚀刻時被姓刻，而 - 使氧化石夕薄膜3中，於島狀半導體薄膜4a、4b之邊緣部分 下方產生“刮除部分” 14。 為了避免此情況，如第把圖中所示，形成了作為閘電 極之第二絕緣膜6及金屬膜7，接著如第4A及4B圖中所示 · ’以防#光|將金屬膜7進行圖案製作程序而形成問電極 以。若依此進行，則因較薄部分中的TFT之閘絕緣膜僅由 第二絕緣膜6a所形成，其厚度較薄，故島狀半導體薄膜乜 邊緣部分之刮除部分處的第二絕緣膜仏中容易產生裂紋， 於疋’產生之問題在於較薄部分中的丁FT之問極擊穿電壓 15 大大地降低。 此外’島狀半導體薄膜4a之邊緣部分藉由蚀刻而縮;咸 鲁 使其頂端形成銳角。有鑑於此，除非於島狀半導體薄膜 4a之邊緣部分產生到除部分，否則當施加閉極電壓時，特 ♦ 別是較薄部分之TFT中會造成電場集中現象。因此，產生 · 2〇之問題在於所謂#寄生TFT會較標準運作更迅速。 而且，為防止這些情況，使用了僅將較薄部分中的 丁打之島狀半導體薄膜4a邊緣部分加以覆蓋的—個結構， 通常此結構係利用光罩從基板】上表面曝光之方式形成。 在此例中，從確保光罩邊緣精確度及排列精確度之觀點而 10 200301940 玖、發明說明 吕，島狀半導體薄膜4a、4b之1f v % i _ 心見度必須設成相當大，於是 TFT之小型化受到限制。 此外，於第6A及6B圖中絡；七明h 口甲、、會不之習知技藝製造方法中 ，小型化獲致改善，因此不易右I _ 易在兼顧两濃度雜質區4ba、 4bb、低〉辰度雜質區4bc、4bdik pa雪n μ興閘電極75之間相互配置的 情況下形成LDD結構，此乃有礙小型化。 再者’如弟5圖中所示’分別制田 刀別利用各項步驟，將閘絕 緣膜姓刻成多層絕緣膜7113、74 _ 於疋，廷些步驟耗時且 費力’因此必須簡化這些步驟。 【明内】 發明概要 首先，本發明之目的在提供一個具有TFT之薄膜電晶 體裂置’其tFT之絕緣膜於同—基板上面分別具有不同之 θ又且k厚。卩刀中具有LDD結構；此薄膜電晶體裝置能 防止其特性與擊穿電壓之退化，並抑制卫作層邊缘部分處 之寄生TFT運作。 曰其次’本發明之目的在提供一種能夠形成這種薄膜電 晶體裝置、同時達到步驟簡化進而使裝置小型化之製造方 法。 第―，本發明之目的在提供一種使用薄膜電晶體裝置 之液晶顯示器裝置。 释本毛月之申明專利範圍第j項中發表的一個薄膜電晶 體裳置製造方法，其步驟包括在—透明基板的_個表面上 屯成-層第-島狀半導體薄膜及—層第二島狀半導體薄膜 200301940 ίο 15 20 玖、發明說明 心成層用於復盖第一島狀半導體薄膜及第二島狀半導 體薄膜之第-絕緣膜；於第—絕緣膜上面形成一層負光阻 膜；藉由一個遮蔽住第-島狀半導體薄膜整個區域之光罩 自光源將負光阻膜曝光；自透明基板之背面將負光阻 ;膜曝光；藉將負光阻膜顯影而形成-個防關案，1於朝 向第-島狀半導體薄膜周圍之内側區域中具有一個開口部 分；姓刻防餘圖牵之D M A丄 一開邛刀中的第一絕緣膜；移除防蝕 圖案，於透明基板的整個表面上形成一層第二絕緣膜，接 著在其上面形成一層導電膜；於第一島狀半導體薄膜上方 之導電膜上面形成第—光罩圖案，並於第二島狀半導體薄 膜上方之導電膜上面形成第二光罩圖案；以及以第-光軍 圖案作為光罩，姓刻導電膜而形成第-閘電極，並以第二 光罩圖案作為光軍，韻刻導電膜而形成第二閘電極。 根據本發明，於具有較+ 、有季乂厚厚度之第一閘絕緣膜的薄膜一體成㈣域中，第—島狀半導體薄膜之周圍部分 一_緣膜成形之前係由第_絕緣膜所覆蓋。因此，若作 r-問絕緣膜之第二絕緣膜與作為第—閘電極之導電膜 層*於第一絕緣膜上面， 、 、 島狀半導體薄膜位於第一 閘電極下方之周圍部分係 刀係由弟一絕緣膜及第二絕緣膜 。因此，當施加閘極電壓時， 皿 ^ 了猎減少弟一島狀半導體舊 膜周圍部分之電場密度 4 1万止可生溥朕電晶體之運作。 同才方、具有較厚部分之第一閘絕 成形區域中，係以第一島狀半導心P 顿"曰曰體 牛¥to潯膜作為光罩， 源從玻璃基板背面照射在第一 *先 仕弟島狀+導體薄膜上方

12 200301940 玖、發明說明 阻膜未曝光區上面，因此該未曝光區能以自調方式，於光 線能從第一島狀半導體薄膜周圍繞射的範圍之内曝光，第 T島狀半導體薄膜周圍部分能非常精確地被第—絕緣膜覆 1。於疋，第一島狀半導體薄膜之尺寸邊緣於通道寬度方 5向可減至最小，而使薄膜電晶體達到最小化。 本發明之申請專利範圍第3項中發表的—個薄膜電晶 體裝置製造方法，其步驟包括在一基板上面形成一層第一 島狀半導體薄膜及-層第二島狀半導體薄膜；形成一層用 於覆蓋第一島狀半導體薄膜及第二島狀半導體薄膜之半導 10體薄膜，之後於半導體薄膜上面形成一層絕緣膜，·利用選 擇性地姓刻第二島狀半導體薄膜上方之絕緣膜，形成一個 絕緣膜圖案；將絕緣膜圖案下方及其它區域中的半導體薄 膜氧化，以在第一島狀半導體薄膜上面形成一層由藉將半 $體薄膜氧化而成之絕緣膜所組成的第—閘絕緣膜，並於 第島狀半&體薄膜上面形成一層由藉將半導體薄膜氧化 而成之，.-巴緣膜與絕緣膜圖案兩者所組成的第二閉絕緣膜； 以及於第-閘絕緣膜上面形成第一開電極，並於第二間絕 緣膜上面形成第二閘電極。 根據本毛明’當藉由餘刻半導體薄膜上面之絕緣薄膜 而形成了作為第二閘絕緣膜之一部份的絕緣膜時，第一島 狀半導體薄膜係由底層之半導體㈣㈣著，因此，第- 島狀半導i專勝之通逼區並不會暴露於絕緣膜之蚀刻氣體 的電漿中，故可防止具有較薄第一問絕緣膜之薄膜電晶體 4 K匕口此此確保具有較厚第二問絕緣膜之薄膜電晶 13 200301940 玖、發明說明 體和具有較薄第一閘絕緣膜之薄膜電晶體兩者均擁有優良 特性。 而且，第一及第二島狀半導體薄膜之底層基板亦受半 導體薄膜保護，s此，即使絕緣膜於基板表面上形成，帛 ‘ 5 一及第二島狀半導體薄膜之邊緣部分處並不會產生“刮除 、 部分’，。而若其未受保護，則蝕刻基板表面上之氧化矽薄 膜4會在邊緣部分產生“刮除部分，，。 此外，虽藉由蝕刻半導體薄膜上面之絕緣薄膜而形成 了作為第二閘絕緣膜之一部份的絕緣膜時，由於半導體薄 φ w膜對絕緣膜之敍刻劑具有抗钱性，因此薄膜厚度不會減少 。在此實施例中，由於第一閘絕緣膜乃藉氧化半導體薄膜 而形成故可相當精確地控制第一閘絕緣膜之薄膜厚度。 本發明之申請專利範圍第7項中發表的一個薄膜電晶 體I置製造方法，其步驟包括在一基板上面形成一層第一 半‘體薄膜，於第一半導體薄膜上面連續形成一層第一絕 、、彖膜、-層第二半導體薄膜與一層第二絕緣膜；利用選擇 I*生地餘刻第二絕緣膜’形成一個第二絕緣膜圖案；選擇性 地餘刻第二半導體薄膜，以形成一層不含第二絕緣膜圖案 ♦ 2島狀第二半導體薄膜與—層含有第二絕緣膜圖案之島狀 . 20弟一半導體薄膜；藉由第一絕緣膜’將第二絕緣膜圖案與 其它區域下方之島狀第二半導體薄膜氧化，且將第一半導 體薄膜中未被島狀第二半導體薄膜覆蓋之區域氧化，以形 f-層由第-半導體薄膜中被不含第二絕緣膜圖案之島狀 第半導月丑薄膜覆1的一個區域組成之第一島狀半導體薄 14 200301940 玖、發明說明 膜’且亦於形成-層由第-半導體薄膜中被含有第二絕緣 膜圖案之島狀第二半導體薄膜覆蓋的_個區域組成之第二 島狀半導體薄膜’接著在卜島狀半導體薄膜上面形成_ 層由藉將第二半導體薄膜氧化而成之絕緣膜與第—絕緣膜 所組成的第—㈣緣膜，之後於第二島狀半導體薄膜上面 形成-層由第二絕緣膜圖案、一層藉將第二半導體薄膜氧 化而成之絕緣膜以及第—絕緣膜所組成的第二問絕緣膜； 以及於第-閘絕緣膜上面形成第_閘電極，並於第二問絕 緣膜上面形成第二閘電極。 10 15

，根據本發明，當藉由_半導料膜上面之絕緣薄膜 而形成了作為第二閉絕緣膜之—部份的絕緣膜時，第一島 狀半導體薄膜係由底層之第二半導體薄膜保護著，因此， 第一島狀半導體薄膜之通道區並不會暴露”二絕緣膜之 餘刻氣體的電漿中’故可防止具妹薄第—閘絕緣膜之薄 膜電晶體特性退化，因此能確保具有較厚第二㈣緣膜之

薄膜電晶體和具有較薄第—閘絕緣膜之薄膜電晶體兩者均 擁有優良特性。 同時，將第二半導體薄膜上面之作為第二閘絕緣膜較 厚部分的第二絕緣膜加以蝕刻，接著將第二半導體薄膜氧 2〇化’並選擇性地氧化第二半導體薄膜下方的第一半導體薄 膜，而形成第一及第二島狀半導體薄膜。以此方式，由於 底層基板表面並未暴露於蝕刻氣體等之中，因此第一及第 -島狀半導體薄膜之邊緣部分處並不會產生所謂的“刮除 部分”。 15 200301940 玖、發明說明 緣膜1匕1’!藉由㈣第二絕緣膜而形成了作為第二閉絕 之射η Γ'的絕緣膜時，第二半導體薄膜對第二絕緣膜 之蝕刻劑具有抗蝕性， 5 10 15 20 尽度不會減少。在此實施 、弟一閘絕緣膜係由藉將第二半導體薄膜氧化而 、、《緣_第_絕緣心者所組成，故可相當精確地控 制弟—閘絕緣膜之薄膜厚度。 本發明之申請專利範圍第u項中發表的一個薄 體裳置包括有—顆第-賴電晶體，其包含了-層具有r ，源/>及區、以在其間置入一個通道區之第一島狀半導體 物’-層由第一島狀半導體薄膜之通道區上面形成之第 -絕緣膜製成的第-問絕緣膜；以及一個由第一開絕緣膜 上面形成之第—導電膜製成的第—閘電極；以及1第二 薄膜電晶體，其包含了一層具有一對源/沒區、以在其間 置入-個通道區之第二島狀半導體薄膜；_層由第二島狀 +導體薄膜之通道區上面形成之第一絕緣膜及第二絕緣膜 μ的第二問絕緣膜；以及一個由第二閘絕緣膜上面形成 之弟二導電膜製成的第二間電極’第_薄膜電晶體和第二 潯膜電晶體兩者均於同一基板上面形成；其中第一薄膜電 晶體乃藉由第二絕緣膜’於第—島狀半導體薄膜侧面部分 =緣上方及第一閘電極上面提供了由第二導電膜形成的 ，場弛豫電極’並且第二薄膜電晶體藉由第一絕緣膜，於 第二閘電極下方及第二島狀半導體薄膜侧面部分之邊緣上 方提供了由第一導電膜形成的電場弛豫電極。 根據本發明，於第一薄膜電晶體裝置中，乃藉由第一 16 200301940 玫、發明說明 島狀半導體薄膜兩側邊緣上方之第二氧化石夕薄膜，於第一 問電極上面提供了電場弛豫電極。因此，相較由第一島狀 f導體薄膜、第—絕緣膜與第—閘電極所形成之電容，此 處之可生電容比由第_閘電極和電場弛豫電極形成之 靜電電容大。因此，若TFT的閘極利用交流電驅動，則作 用於第-島狀半導體薄膜兩側邊緣部分之間極電位變化會 減緩，故可抑制第一島狀半導體薄膜兩側邊緣部分處形: 之寄生電晶體運作。 ίο 且於第二薄膜電晶體裝置中，乃藉由第二島狀半導體 相兩側邊緣上方之第一氧化石夕薄膜，於第二閘電極下方 提供了電場弛豫電極。因此，若電場他豫電極之電位乃設

f Μ 半導體薄膜兩側邊緣部分之通道無法導電X 丁之电位’可抑制第二島狀半導體薄膜兩侧邊緣部分之通 15 20 道的導電性，且由於能隔離第二間電極之電㈣應，因此 可抑制寄生電晶體之開啟〇N。 B曰 轉壯ΪΓΓ申請專利範圍第12項中發表的一個薄膜電 万法其步驟包括在一基板上面形成—層第 島狀半導體薄膜及一層第- 層罘一島狀+導體薄膜；形成一 於覆蓋第一島狀半導體舊膣月楚^ 驭層用 千㈣频及弟二島狀半導 絕緣膜；於整個表面上形 $ 、之弟 地_第—導“1^ 接著選擇性 " 以在弟—島狀半導體薄膜上方之第一 - ^極’於整個表面上連續形成一； 弟-絕緣膜及―層帛二”； 曰 個光罩圖案，接著以先…弟粗上面形成一 者先罩圖案作為光罩，將第二導電膜進 17 200301940 玖、發明說明 行側蝕刻，以形成一 ^ 見又較光罩圖案窄之第二閘電極； 以光罩圖案作為光罩， 、，〜 將弟一、、、巴緣膜施以非等向性蝕刻， 亚以弟一閘電極和光星_茔 韭楚a 罩囷案作為光罩，將第-絕緣膜施以 緣Μ ^ ^㈣，因而在第—閘電極T方形成—層由第一絕 Γ:製成之第一問絕緣膜，且在第二問電極下方形成由 弟一絕緣膜及第二絕緣膜 、斤、、、成之弟二閘絕緣膜；移除光 卓圖案，以第一閘電極作 利用離子植入方式將一 隹貝植入第一島狀半導I#壤勝 ^ 古、、曲^ ¥體轉，而於第-閘電極兩側形成 ίο 15 20 ’广貝£ ’亚以第二閘電極和第二閘絕緣膜作為光罩 於】用離子植入方式將雜質植入第二島狀半導體薄膜，而 電極;彡成—對高^雜質區；以及以第二閉 包拉作為先罩，於離子能穿 弟一閘電極周圍部分之第二 ==個條件下，利用離子植入方式將雜質植入第 下方开，^轉’而在第二閘電極兩側之第二閘絕緣膜 下方形成一對低濃度雜質區。 =本發明，利__第二導電膜進行側㈣ 同=一個寬度較光罩圖案窄的第二間電極。此外，利用 軍圖案將第一及第二絕緣膜進行非等向性蝕 2❹第Γ1電極寬的第二閉絕緣膜。接著在離子無法 ，广 〃弟—閉絶緣肤之條件下，執行離子植入 王予而形成兩濃度雜質區。此外 電極卻能穿過第二間絕緣膜之停件下二去…-閘 而” 侪件τ，執行離子植入程序 、曲声弟一島狀半導體薄膜中形成低濃度雜質區。因此，低 展度雜質區與高濃度雜質區自通道末端依序在第二島狀半 18 200301940 玖、發明說明 導體薄膜中形成，而使第二閘電極下方之通道區能置入其 間。 ’、 因此，若將側蝕刻之寬度調整為LDD區所需的寬度， 則可使用間電極和閘絕緣膜而不需增加曝光光罩之數目， 5以自調方式形成LDD結構。 而且，由於分別具不同厚度之第一及第二閘絕緣膜可 利用-個姓刻步驟形成，故可簡化形成步驟。在此例中， :第及第一島狀半導體薄膜中的通道區並非共同暴露 純刻氣體之電漿中，因此能防止第—及第二島狀半導體 10 /專膜中的通道區表面產生損壞層。 15 本發明之申請專利範圍第16項中發表的一個液晶顯示 器=置，括有一顆第一薄膜電晶體；一顆第二薄膜電晶體 •’第一薄膜電晶體及第二薄膜電晶體係於—基板上面形成 ’一個接至第二薄膜電晶體之源/汲區的像素電極；以及 一條與像素電極交又之儲存電容匯流排線；其中第一薄膜 電晶體包含了一層具有一對源/汲區、以在其間置入一個 二區之第^狀半導體薄膜；—層由第—島狀半導體薄 胲之通逼區上面形成之第一絕緣膜製成的第一間絕緣膜； 20

以及一個由第一間絕緣膜上面形成之第一導電膜製成的第 一閘電極，第二薄膜電體 、 日日筱匕3 了一層具有一對源/汲區 、在-間置A j固通這區之第二島狀半導體薄膜，且該 對中任何一個均接至像素電極；-層由第二島 ⑷ 上面形成之弟一絕緣膜及第二絕緣 膜从成的第二間絕緣膜；以及 田第一閘、纟巴緣版上面形 19 200301940 玖、發明說明 成之第二導電膜製成的第二閘電極，且錯存電容匯流排線 係由第-導電膜形成，而使接至像素電極之第二絕緣膜及 第二導電膜乃依此順序層疊於儲存電容匯流排線上面的一 個部分區域内。 根據本發明，顯示器部分中的儲存電容匯流排線與第 -缚膜電晶體之之第一間電極係由相同材料形成。而且， ίο 膜 形成 接至像素電極之第二絕緣膜及第二導電膜乃依此順序層最 ::存電容匯流排線上面，換言之，在所形成之電容器： 。。中，其令-根電極係由儲存電容匯流排線形成，而電容 益絕緣膜由與第二閘絕緣膜之第二絕緣膜相同的材料形成 :其它電極則由以第二閉電極相同材料製成之第二導電 件2此’由於形成之閉絕緣膜通常較薄，導致電容器元 15 20 製成_1雷^」IT0錢製成之其它電極和以中間層絕緣膜 衣 電容器絕緣膜的電容元#，H ν 之恭办 合兀件，其母早位面積具有更高 匯：二此將縮小形成儲存電容器所需的儲存電容 1排線面積、亦即光«面積，因此能增加孔徑比。 器裝置月之申明專利範圍第17項中發表的-個液晶顯示 U有—顆第—薄臈電晶體；一顆第二薄膜電晶體 ./電晶體及第二薄膜電晶體係於-基板上面形成 丨電晶體之源/汲區的像素電極；以及 心卞與像素電極交 電晶體包含了—思 容匯流排線；其中第一薄膜 通道區之第/具有一對源/汲區、以在其間置入-個 之弟-島狀半導體薄膜；一層由第—島狀半導體薄 20 200301940 玖、發明說明 胺之通道區上面形成之笛 /成之弟-緣職成的第1絕緣膜； 以及一個由第一閘絕緣膜 心成之弟一導電膜製成的第 一閘黾極，第二薄膜電晶體包 、+朴 匕s 了一層具有一對源/汲區 、以在/、間置入一個通道區 义乐一島狀丰導體薄膜，且該 對源α區之中任何—個均接至像素電極；—層由第 狀半導體薄膜之通道區i s j + 、 上面形成之第一絕緣膜及第二絕緣 膜製成的第二閘絕緣膜· 膜以及—個由第二閘絕緣膜上面形 成之第二導電膜製成的第二 ， , 一 ]包極，亚且儲存電容匯流排 ίο 15 20 Α膜形成，儲存電容匯流排線在其之部分區 ，提t、了 f員第二薄膜電晶體，該第三薄膜電晶體包含 ^個由儲存電容匯流排線形成之閘電極、_層具有接至 :象素電極之源/汲區的第三島狀半導體薄膜、以及一層由 第一絕緣膜製成之閘絕緣膜。 根據本發明，提供了利用以第一閘電極相同材料f成 ，：導電膜建構而成的儲存電容匯流排線，以及在本身 之口F刀區域中含有儲存電容匯流排線閘電極的第三薄膜電 晶體。且於第三薄膜電晶體中，第三島狀半導體薄膜之源 ^及區乃接至其内的像素電極，且問絕緣膜係由與第二間 、巴、、彖膜之第-絕緣膜相同的材料製成。 屙右於閘電極上面施加了始終能將通道區打開之閑極電 ^ ’則第三島狀半導體薄膜可作為具有低阻抗值的電極， 成之具有儲存電容匯流排線的儲存電容器元件作為 、们屯極、乐一絕緣膜作為電容器絕緣膜、而第三島狀半 導體薄膜作為其它電極。 21 200301940 玖、發明說明 因此，由於形成之閘絕緣膜通常較薄，導致電容器元 件較諸具有以IT0作為其它電極和以中間層絕緣膜作為電 容器絕緣膜的儲存電容元件，其每單位面積具有更高之= 谷。再者，此將縮小形成儲存電容器所需的儲存電容匯流 · 5排線面積、亦即光遮蔽面積，因此能增加孔徑比。 _ 圖式簡單說明 第1圖繪示了習知技藝中的一個薄膜電晶體裝置截面 圖； 第2圖繪示了習知技藝中薄膜電晶體裝置製造方法之 鲁 10問題的截面圖； 第3 Α及3Β圖繪示了習知技藝中薄膜電晶體裝置製造 方法之另一問題的截面圖； 第4A圖繪示了習知技藝中薄膜電晶體裝置製造方法之 中間步驟的平面圖，而第46圖之上側視圖繪示了同一薄膜 5電晶體裝置製造方法的另一個中間步驟之平面圖，第4B圖 之下側視圖則係沿此上側視圖之χιν-χιν線段所取的一個 戴面圖； · 第5圖繪示了習知技藝中另一個薄膜電晶體裝置之截 面圖； · 第6Α及6Β圖繪示了習知技藝中另一個薄膜電晶體裝 - 置製造方法之問題的截面圖； 第7圖繪不了本發明第一項實施例之薄膜電晶體裝置（ 备射型液曰日顯示裔裝置）的一個組態方塊圖； 第8圖纟胃不了本發明第一項實施例之薄膜電晶體裝置 22 200301940 玖、發明說明 的平面圖； 第9A至9P圖繪示了本發明第一項實施例之薄膜電晶體 裝置製造方法的若干截面圖； 第10A圖繪示了本發明第一項實施例之薄膜電晶體裝 5置製造方法的中間步驟之平面圖，而第10B圖之上側視圖 繪示了同一薄膜電晶體裝置製造方法的另一個中間步驟之 平面圖，第4B圖之下側視圖則係沿此上側視圖之π·π線段 所取的一個截面圖。 第11Α圖繪不了本發明第一項實施例之薄膜電晶體裝 10置製造方法的另一個中間步驟之平面圖，而第11B圖之上 側視圖繪示了同一薄膜電晶體裝置製造方法的另一個中間 步驟之平面圖，第4B圖之下側視圖則係沿此上側視圖之 III-III線段所取的一個截面圖； 第12A至12H圖繪示了本發明第二項實施例之薄膜電 15 晶體裝置製造方法的若干截面圖； 第13A至13D圖繪示了本發明第二項實施例之另一種 薄膜電晶體裝置製造方法的截面圖； 第14A至14F圖繪不了本發明第三項實施例之薄膜電晶 體裝置製造方法的截面圖； 20 第15圖繪不了本發明第三項實施例之另一種薄膜電晶 體裝置製造方法的截面圖； 第16A圖繪示了本發明第三項實施例之薄膜電晶體裝 置的平面圖，而第16B圖為沿著第16A圖之v_v線段所取的 一個戴面圖； 23 200301940 玖、發明說明 第17 A圖緣不了本發明第三項實施例之另一種薄膜電 晶體裝置的平面圖，而第17B圖為沿著第17A圖之VII-VII 線段所取的一個截面圖； 第18圖繪不了具有本發明第四項實施例之薄膜電晶體 5裝置的一個液晶顯示器裝置截面圖； 第19A圖同樣係沿著第18圖之IX-IX線段所取的一個截 面圖，而第19B圖為同樣沿著第18圖之χ—χ線段所取的戴 面圖； 第20圖繪不了具有本發明第五項實施例之薄膜電晶體 10裝置的一個液晶顯示器裝置平面圖； 第21A圖同樣係沿著第20圖之χιι_χπ線段所取的一個 截面圖’而第21B圖為同樣沿著第2〇圖之χιπ_χπι線段所 取的截面圖。 C 】 15較佳實施例之詳細說明 下文將參看諸幅附圖說明本發明之各項實施例。 (弟一實施例） (薄膜電晶體裝置之結構） 第7圖繪示了本發明第一項實施例之薄膜電晶體裝置（ 20發射型液晶顯示器裝置）的一個組態方塊圖，第8圖則綠示 了顯示器部分之其中一個像素的組態平面圖，下述範例中 將說明此例中的XGA(丨〇24x768像素）模式液晶顯示器裝置。 個像素係由R(紅色）、G(綠色）及6(藍色）三個畫素組成。 此第一貫施例中的夜晶顯示器裝置包括一個控制電路 200301940 玖、發明說明 101、一個垂直驅動器102、一個閘極驅動器1〇3與一個顯 示器部分104。顯示器訊號RGB、水平同步訊號Hsync、垂 直同步訊號Vsync等訊號係從電腦之類的外部裝置（未示出） 傳到此液晶顯示器裝置，高電壓Vh(18V)、低電壓Vl(33v 5或5V)及接地電位VGND則由電源供應器（未示出）提供。 本文中，顯示器部分104分別於水平方向及垂直方向 配置了 3072 (1〇24xGRB)x768個像素，每個像素由n-通道 型TFT 105(下文稱之為“卜型打丁”，若未特別提及，則丁 意指η-型TFT)、接於此TFT 105之源電極的顯示單元（液晶 10 單元）1〇6與儲存電容107組成。 顯示單元106係由一對電極組成，其中一根電極接至 TFT 105之源電極的像素電極11〇，而其另一根電極乃配置 於CF基板上面之電極（未示出），液晶（未示出）則密封於這 些電極之間。 15 同日$，顯不器部分104配置了 3072條朝垂直方向延伸 之貝料匯流排線1G8、768條朝水平方向延伸之閘極匯流排 線109、以及若干條同樣朝水平方向延伸之儲存電容匯流 排線。朝水平方向排列之像素的各TFT ι〇5間電極係接 至相間極匯流排線1G9，朝垂直方向排列之像素的各TFT 2〇 105;及電極則接至相同資料匯流排線⑽，且館存電容匯流 排^ ill與像素電極11〇交又，並構成了儲存電容之成 ^兒極的其中一個電極。儲存電容1〇7之像素電極1_與 儲存電容匯流排線Π!成一對電極，而配置在一對電極Z 心的中間層絕緣膜則作為電容絕緣膜。 25 200301940 玫、發明說明 控制電路HH收到水平同步訊號吻此及垂直同步訊號 Vsync後’接著輸出一個於水平同步週期開始時啟動之資 料啟動訊號D SI、一個將水平同步週期分成預定間隔之資 料時脈DCLK、-個於垂直同步週期開始時啟動之閉極啟 5動訊號⑽以及一個將垂直週期分成預定間隔之間極時脈 GCLK。此控制電路1〇1係由n_sTFT及p_通道型TFT(p_型 TFT)構成，兩者均透過低電壓Vl運作。 垂直驅動器102係由一個移位暫存器1〇2a、一個水平 移位态102b和一個類比開關1 〇2c組成。 〇 移位暫存态102a具有3072個輸出電極，此移位暫存器 102a係由資料啟動妣號DSI啟動，接著於資料時脈DCLK輸 出之同時，自每個輸出電極連續輸出一個低電壓（3·3ν或 5V)之有效訊號。此移位暫存器1〇2&係由卜型及ρ·型 TFT構成，兩者均透過低電壓Vl運作。 〕 水平移位器102b具有3072個輸入電極和3〇72個輸出電 極，此水平移位器l〇2b將移位暫存器1〇〜輸出之低電壓有 效訊號轉換成高電壓（18V)訊號，接著輸出此高電壓訊號 。此水平移位器l〇2b係由透過低電壓Vl運作之心型丁打及 p-型TFT與透過高電壓γΗ運作之n-型TFT及p-型TFT構成。 3 類比開關l〇2c亦具有3072個輸入電極和3072個輸出電 極，類比開關1 〇2c之輸出電極乃分別接至對應的資料匯流 排線108。當類比開關102c收到來自水平移位器1〇孔之有 效訊號時，其將輸出顯示器訊號RGB(R訊號、G訊號及b 汛唬之中任一個訊號）至與收到有效訊號之輸入電極相對 200301940 玖、發明說明 應的輸出電極。此類比開關1〇2c係由^型TFT及口_型TFT構 成’兩者均透過高電壓VH運作。 換θ之’垂直驅動器1〇2係於資料時脈DClk輸出之同 日守，在水平同步週期中連續地輸出R訊號、G訊號及Β訊號 5至顯示器部分10 4的3 〇 7 2條資料匯流排線丨〇 8。 閘極驅動器103係由一個移位暫存器1〇3a、一個水平 移位姦103b和一個輸出緩衝器1〇3c組成。 移位暫存器103a具有768個輸出電極。移位暫存器 l〇3a係由閘極啟動訊號啟動，接著於閘極時脈gclk輸出 之同日守，自每個輸出電極連續輸出低電壓（3.3卩或5v)之水 平讯號。此移位暫存器l〇3a係由^型丁卩丁及厂型1^丁構成， 兩者均透過低電壓VL運作。 水平移位|§ l〇3b具有768個輸入電極和3〇72個輸出電 極，輸出緩衝器1〇3c之各輸出電極則分別接至對應的問極 b匯流排線109。輸出缓衝器職透過與輪入端相對應之輸 出端，將水平移位器職所輪出之水平訊號送往間極匯流 排線109。此輸出緩衝器1〇3c係由〜型TFT及p_型tft構成 ’兩者均透過低電壓vH運作。 換言之，閘極驅動器103係於閘極時脈GCL·出之同 2〇時’在垂直同步週期中連續地輸出水平訊號至顯示器部分 104的3072條閘極匯流棑線丨〇9。 當水平訊號送達閘極匯流排線109時，會開啟顯示器 部分104之TFT 105。此時當顯示器訊號RGB(R訊號、G訊 號及B訊號之中任-個訊號）送達資料匯流排線⑽時，會 27 200301940 玖、發明說明 將此顯示器訊號RGB載入顯示單元（液晶單元）1〇6及儲存電 容1〇7。接著，顯示單兀（液晶單元）106中的液晶分子傾斜 角會因應顯示訊號RGB而改變，因而改變顯示單元1 之 透光度，故可藉由控制每個像素之顯示單元1〇6透光度而 5 顯示所需影像。 於下列貫施例中’顯示為部分1 〇4中所提供之τρτ稱為 像素TFT，同時於垂直驅動器102和閘極驅動器1〇3提供之 TFT中，由高電壓（18V)驅動之TFT稱為高壓驅動TFT。此 外，於控制電路ιοί、垂直驅動器102及閘極驅動器1〇3所 1〇提供之TFT中，由低電壓（3·3 V或5 V)驅動之TFT稱為低壓 驅動TFT。 (用於液晶顯示器裝置中的薄膜電晶體結構） 下文將說明上述三種型式之TFT結構。本文中由於高 S驅動TFT與像素TFT具有幾乎相同之結構，故以像素τρτ 15代為說明，而此處將省略高壓驅動TFT之敘述。同時由於 P-型TFT與n-型TFT具有幾乎相同之結構，此處將省略p—型 TFT之敘述。 第9P圖之左側視圖繪示了低壓驅動TFT結構的一個截 面圖，而該圖之右側視圖繪示了像素TF 丁結構的截面圖。 2〇這些視圖均繪示了沿第8圖之I-Ι線段所取的一個橫截面圖 〇 如第9P圖之左側視圖中所示，於低壓驅動丁卩丁中，首 先在一片玻璃基板21上面形成一層由氮化矽薄膜22a及氧 化矽薄膜22b組成之層狀結構底層絕緣膜22，並於此底層 28 200301940 玖、發明說明 絕緣膜22上面形成一層以多晶矽薄膜製成、並作為τρτ工 作層的第一島狀半導體薄膜24a，此第一島狀半導體薄膜 24a中則形成一對作為TFT源極/汲極之高濃度雜質區（歐姆 接觸區）24aa、24ab，以在其間置入一個通道區24扣。 5 有一層由厚度為30 nm2氧化矽（Si〇2)薄膜28a製成的 閘絕緣膜在底層絕緣膜22及第一島狀半導體薄膜24a上面 形成，亚有一根閘電極29a在氧化矽薄膜28a上面形成。於 低壓驅動TFT中，通道區側面之高濃度雜質區24抑、24讣 的兩邊幾乎位於閘電極29a邊緣之正下方。有一層厚度為 1〇 % nm之氧化矽薄膜31及一層厚度為35〇 nm之氮化矽（siN) 薄膜32層疊於氧化矽薄膜28a及閘電極29a上面，氮化矽薄 膜32上面則形成了若干電極（一個源極和一個汲極、 34b。這些電極34a、3仆係透過埋入接觸孔33&、3补之金 屬而和南濃度雜質區24aa、24ab通電，其中接觸孔33a、 15 33b係分別自氮化矽薄膜32的一個上表面通往高濃度雜質 區 24aa、24ab 〇 如上所述，於低壓驅動TFT中，閘絕緣膜僅由厚度為 3〇 11111之氧化矽薄膜28a形成，且未提供LDD區，使其可在 低電壓下完成向速運作。由於高濃度雜質區24aa、24ab能 2〇以自调方式隨閘電極29a形成，故可輕易地製成小型化裝 置。在此例中，低壓驅動丁不提供Ldd區，然而由於 這類TFT係由低電壓驅動，故熱電子之數量相當少，因此 可避免ON特性之降低以及因熱電子所造成的〇FF電流增加。 接著如第9P圖之右側視圖中所示，於像素TFT中，玻 29 200301940 玖、發明說明

璃基板21上面形成了具有上述相同層狀結構之底層絕緣膜 22，並於此底層絕緣膜22上面形成一層以多晶矽薄膜製成 、並作為TFT工作層之第二島狀半導體薄膜24a，第二島狀 半導體薄膜24b中則形成一對作為TFT源極/汲極之η-型高 5 濃度雜質區（歐姆接觸區）24ba、24bb，以在其之間置入一 個通道區24be。而且，作為η-型低濃度雜質區之LDD區 24bc、24bd係於通道區24be側面的這些η-型高濃度雜質區 24ba、24bb之末端部分處形成。 有一層藉將厚度為90 nm之氧化矽薄膜25a與厚度為30 10 nm之氧化石夕薄膜2 8b層疊而成的閘極氧化膜於底層絕緣膜 22及第二島狀半導體薄膜24b上面形成，接著在氧化矽薄 膜28b上面形成一個閘電極29b。閘電極29b係與閘極匯流 排線109 —體成形，且儲存電容匯流排線111與閘電極29b 由相同材質製成。 15 於此像素TFT中，若從上側觀之，則LDD區24bc、

24bd在通道區24be側之邊緣幾乎分別位於閘電極29b的兩 邊正下方。在像素TFT中，由於係以正負訊號作為顯示器 訊號，除非在源極側與汲極側均提供LDD區24bc、24bd， 否則會因熱電子而導致電晶體特性退化。 20 閘電極29b之暴露面上方覆蓋了厚度為350 nm之氧化 矽薄膜31及氮化矽薄膜32，氮化矽薄膜32上面則形成了若 干電極（源極/汲極）34〇、34d。這些電極34a、34b係透過埋 入接觸孔33c、33d之金屬而和高濃度雜質區24ba、24bb通 電，其中接觸孔33c、33d係分別自氮化矽薄膜32之上表面 30 200301940 玫、發明說明 通往鬲滾度雜質區24ba、24bb。源極/汲極34(：、34d中的源 極/汲極34c係於汲極側與資料匯流排線一體成形。 如上所述，根據這些像素TFT，由於閘絕緣膜係由厚 度為120 nm之厚氧化矽薄膜（氧化矽薄膜25a +氧化矽薄膜 5 28b)形成，像素TFT之擊穿電壓相當高，因此這類像素 TFT可透過高電壓驅動。 於此例中，本文省略了高壓驅動TFT之說明，與像素 TFT的一個不同點在於這種高壓驅動TFT僅於高電壓作用 之汲極側具有LDD區，而且周圍電路中的高壓驅動卜型 10 TFT並不提供LDD區，此處將省略其敘述。此原因在於p_ 型TFT範例中，由於係以孔作為載體，因此很少產生熱載 體，且除非提供了 LDD區，否則這種熱載體絕不會干擾電 晶體特性。 (薄膜電晶體裝置製造方法） 15 接著將參看第9A至9P圖及第11A至11B圖說明此第一 貝把例之薄膜電晶體裝置製造方法。在此例中，第9a至9P 圖之左側視圖為低壓驅動TFT成形區的截面圖，而其右側 視圖為像素TFT成形區之截面圖。同時，第1 〇A圖乃第9K 圖的一個平面圖，其係整個低壓驅動TFT製造步驟之中間 2〇部分。第10B圖之上視側圖乃第9L圖的一個平面圖，其同 樣為整個低壓驅動TFT製造步驟之中間部分，第丨〇B圖之 下視側圖則係沿此上側視圖之IMI線段所取的一個截面圖 。弟11A圖為第9K圖的一個平面圖，其係整個像素tft製 造步驟之中間部分。第11B圖之上側視圖為第儿圖的一個 31 200301940 玖、發明說明 平面圖，其同樣係整個像素TFT製造步驟之中間部分，而 第ΠB圖之下側視圖乃沿此上側視圖之ΠΙ_ΙΠ線段所取的一 個截面圖。 如第9Α圖中所示，首先利用電漿cvd法形成厚度大約 5 50 nm之氮化矽薄膜22a及厚度200 nm的氧化矽薄膜22b， 作為玻璃基板21上面的底層絕緣膜，接著在氧化石夕薄膜 22b上面形成一層厚度大約5〇 nm之非晶矽薄膜24。 之後’為了減少非晶石夕薄膜24中的氫含量，於溫度 450°C下進行退火。接著以準分子雷射照射在非晶矽薄膜 10 24上面，使非晶矽薄膜24轉變成多晶矽薄膜。 之後，於多晶矽薄膜上面塗光阻劑，接著透過選擇性 曝光及頒景> 步驟形成預定的一個防钮光罩（未示出）。之後 如第9B圖中所示，利用此防蝕光罩，將多晶矽薄膜進行乾 蝕刻，僅在預定區域上留下由多晶矽薄膜製成之第一及第 15二島狀半導體薄膜24a、24b，接著移除防蝕光罩。 之後如第9C圖中所示，利用電漿CVD法在玻璃基板21 的整個上表面形成厚度為9〇 nm之第一氧化矽薄膜（第一絕 緣膜）25，接著以塗佈法在第一氧化矽薄膜25上面形成負 光阻膜26。之後’利用能夠遮蔽低壓驅動『FT成形區内之 2〇整個第一島狀半導體薄膜24a面積的一個光罩將負光阻膜 26曝光，因此，負光阻膜26之未曝光區會留在低壓驅動 TF丁成形區中的第一島狀半導體薄膜24a上方區域中，其係 比第一島狀半導體薄膜24a成形區為寬。 之後如第9D圖中所示，令負光阻膜26自玻璃基板21背 32 200301940 玖、發明說明 面曝光，此時曝光光源被第一島狀半導體薄膜24a遮蔽， 同時由於光線會在周圍部分造成繞射現象，因此負光阻膜 26之預定内部區域上方乃從第一島狀半導體薄膜24&的周 圍曝光。 5 之後如第卯圖中所示，將負光阻膜26顯影，因此負光 阻膜26會在内側區域形成一個開口部分，而非在第一 島狀半導體薄膜24a之周圓。 之後如第9F圖中所示，透過以顯影方式在負光阻膜^ 中形成之開口部分26a，將第-氧化石夕薄膜25進行乾钮刻 1〇，因此第-氧切薄膜25會在内側區域形成—個開口部分 25a,而非在第一島狀半導體薄膜24a之周圓，亦即第一氧 化石夕薄膜25仍覆蓋著第一島狀半導體薄膜％之周圍部分 。接著移除負光阻膜26。 之後如第9G圖巾所示，利用電漿CVD法在玻璃基板21 U的整個上表面形成厚度為3〇⑽之第二氧化石夕薄膜（第二絕 緣膜）28。 之後如第糊中所示，於第二氧切薄膜28上面形咸 厚度大約300 ηπ^Α1，銘_敍：鈥含量為2%)薄膜削 溥膜）29，接著在A1_Nd薄膜29上面形成光阻膜如。 20

之後如第91圖中所示，利用選擇性將光阻膜30曝光及 顯影之方式，在欲形成各TFT^極輕域中形成防姓光 罩恤、邊。接著如第9續中所示，利用防#光罩術、 3〇b將Al-Nd潯膜29進行#刻，而形成低i驅動抓之間電 極29a與像素TFT的閘電極2外。 33 200301940 玖、發明說明 之後如第9K圖中所示，利用防蝕光罩3〇a、3〇b將第二 氧化石夕薄膜2 8進行非等向性|虫刻，此時若從上側觀之，低 壓驅動TFT成形區係如第1 〇A圖中所示，且若從上側觀之 ’像素TFT成形區如第11A圖中所示。 5 之後如第儿圖中所示，留在玻璃基板21上方且未被防 蝕光罩30a、30b覆蓋之第一氧化矽薄膜25係利用蝕刻方式 移除。此時在低壓驅動TFT成形區中，如第1〇B圖中所示 ，欲覆蓋第一島狀半導體薄膜24a之氧化矽薄膜25b、28a 仍位於閘電極29a下方之其中閘電極29a係橫跨第一島狀半 10導體薄膜24a周圍部分的區域。同時如第UB圖所示，於像 素TFT成形區中，欲覆蓋第二島狀半導體薄膜2朴之氧化矽 薄膜25a、28b仍位於閘電極29b下方之其中間電極29b係橫 跨第二島狀半導體薄膜2413周圍部分的區域。在此例之高 壓驅動TFT成形區中，欲覆蓋島狀半導體薄膜24b之厚氧化 15矽膜與薄氧化矽膜兩者同樣維持於閘電極下方。 接著移除防i虫光罩30a、30b。 之後如第9M圖中所示，於25 keV之加速電壓及 7xl014cm2之劑量下，以離子植入方式將磷（p)植入第一及 第二島狀半導體薄膜24a、24b，該電壓允許p離子穿過閘 20電極29a、29b及閘絕緣膜28b、25b，卻不允許離子穿過閘 絕緣膜28a。因此，第一島狀半導體薄膜24a中未被低壓驅 動TFT成形區内之閘電極29&覆蓋的區域會形成高濃度雜質 區(源極/汲極區）24aa、24ab，同時，第二島狀半導體薄膜 24b中未被像素TFT成形區内之閘電極2扑及閘絕緣膜2扑、 34 200301940 玖、發明說明 25b所覆盍的區域會形成高濃度雜質區（源極/汲極區）24ba 、24bb，此時高壓驅動TFT成形區内之島狀半導體薄膜中 亦會形成高濃度雜質區（源極/汲極區）。 接著於70 keV之加速電壓及2xl〇13cm-2之低劑量下以 5離子植入方式將磷植入，該電壓不允許P離子穿過閘電極 29a、29b，卻允許p離子穿過閘絕緣膜28b、25b。因此， 像素TFT成形區中的閘電極29b邊緣與閘絕緣膜28]^、2%邊 、’彖之間^形成低浪度雜質區（低濃度源極/汲極區、 24Μ，此時作為低濃度雜質區之LDD區亦在高壓驅動TFT 10成形區之島狀半導體薄膜中的汲極側面形成。在此例中， 低壓驅動TFT成形區中的離子植入加速電壓相當高，因此 肖隹子月b牙透弟一島狀半導體薄膜24a，故雜質不會進入第 一島狀半導體薄膜24a。 之後如第9N圖中所示，利用電漿CVD法在玻璃基板21 15的整個上表面形成厚度為9〇 nm之氧化矽薄膜31。此外， 亦在其上面形成厚度為350 nm之氮化矽薄膜32。 之後如第90圖中所示，於低壓驅動TFT成形區中形成 了右干個牙過鬲濃度雜質區24aa、24ab上面之氮化矽薄膜 32及氧化矽薄膜31的接觸孔33a、33b，且於像素τρτ成形 20區中形成了若干個穿過高濃度雜質區2伽、2伽上面之氮 化矽薄膜32及氧化矽薄膜31的接觸孔33c、33d。 之後如第9P圖中所示，將一層厚度為⑽㈣之”薄膜 :一層厚度為200 _之A：[薄膜及一層厚度為5〇細之丁， 膜連續沈積於玻璃基板21的整個上表面，因而將接觸孔 35 200301940 玖、發明說明 33a、33b、33c、33d埋入這些金屬薄膜，且於氮化矽薄膜 32上面形成一層金屬層狀薄膜。之後利用光微影技術形成 -個防I虫光罩（未示出），接著利用此防钱光罩將金屬薄膜 進仃乾蝕刻，以此方式形成了與低壓驅動汀丁之高濃度雜 5貝區24抑、24北接觸的源/汲電極34a、34b，同時形成了與 像素TFTi*濃度雜質區24ba、2伽接觸的源/汲電極w 、34d ° 在此例中，液晶顯示器裝置之顯示器部分1〇4中的資 料匯流排線108係與源/汲電極34aS34d同時形成，且於控 10制電路101、垂直驅動器1()2與閘極驅動器1G3之成形區域 中，預定之佈線圖案係與源/汲電極…及⑷同時形成。 之後塗上感光樹脂，依序形成一層厚度為3 〇 _的樹脂薄 膜。 如上所述，完成了薄膜電晶體裳置。為了製造液晶顯 15 示器裝置，連續執行下列步驟。 之後，於樹脂薄膜35的-個預定區域内，藉由佈線圖 案形成一個ϋ往源/汲電極34d之通孔著利用濺鑛法在 玻璃基板21的整個上表面形成_層厚度為7〇⑽之㈣（氧 化銦錫）賴。之後利用標|光微影步.驟，將IT〇薄膜進行 圖案製作程序而形成-根與像素TFT之源極側雜質區通電 的像素電極36。接著在破璃基板21的整個上表面形成__層 決定液晶分子起始狀態（未施加電壓時）排列方向之配向膜（ 未示出）。 以此方法完成了液晶顯示器裂置的TFT基板。 36 200301940 玖、發明說明 液晶顯示器裝置之對置基板係利用眾所周知的方法形 成，更詳細地說，用於遮蓋像素之間區域使其免受光線照 射的黑矩陣係由玻璃基板上面之Cr(鉻）形成，且於玻璃基 板上面形成紅色、綠色及藍色之彩色濾光片，而使具有紅 5色、綠色或藍色之中任-種顏色的彩色渡光片配置了每個 像素。接著在玻璃基板的整個上表面形成一個由汀〇薄膜 製成之透明電極，並於透明電極上面形成配向膜。 液晶顯示器面板乃藉將以此方式製成之TFT基板與對 置基板貼在一起而構成，接著將液晶注入其間，並將其注 10入口加以密封。之後將偏光板配置於此液晶顯示器面板的 兩面，並於背面配置一個背光源，而完成液晶顯示器裝置。 如上所述，依據本發明第一項實施例，於第9F圖中繪 不之低壓驅動TFT成形區中，第一島狀半導體薄膜24a之周 圍部分係由厚氧化矽膜25所覆蓋，其於閘絕緣膜28成形前 15乃作為高壓驅動TFT之厚閘絕緣膜的一部分。於此狀態下 ，隨即將作為閘絕緣膜之第二氧化矽薄膜28及作為閘電極 之金屬薄膜29層疊於厚氧化矽薄膜25上面。之後如第儿圖 中所示，利用與第一島狀半導體薄膜24a交叉之條狀防蝕 光罩3〇a，以蝕刻方式形成閘電極29a與閘絕緣膜28a。因 20而如第10B圖中所示，位於閘電極29a下方之第一島狀半導 體薄膜24a周圍部分除了氧化矽薄膜28a之外還被厚氧化矽 薄膜25b復盍。因此，當施加閘極電壓時，可藉由減弱第 島狀半導體薄膜24a周圍部分處之電場密度而防止寄生 TFT運作。 37 200301940 玖、發明說明 而且如第9C及9D圖中所示，於低壓驅動TFT成形區中 ，當以第一島狀半導體薄膜24a作為光罩時，曝光源係從 玻璃基板21背面照射在第一島狀半導體薄膜24&上方的負 光阻膜26未曝光區，因此該未曝光區能以自調方式，於光 5線自第一島狀半導體薄膜24a周圍繞射的範圍之内曝光， 故第一島狀半導體薄膜24a周圍部分能非常精確地被氧化 矽薄膜25覆蓋。於是，第一島狀半導體薄膜24a之尺寸邊 緣於通道寬度方向可減至最小，而使TFT達到最小化。 (第二實施例） 10 其次，下文將參看諸幅附圖說明本發明之第二項實施 例。 (用於液晶顯示器裝置中的薄膜電晶體裝置結構） 下文將參看第12H圖說明第二實施例之液晶顯示器裝 置中使用的薄膜電晶體裝置結構。本文中由於高壓驅動 15 TFT與像素TFT具有幾乎相同之結構，下文係以像素TFT代 為說明，而此處將省略高壓驅動TFT之敘述。同時由於卜 型TFT與型TFT具有幾乎相同之結構，此處將省略其敘 述0 第12H圖之左側視圖繪示了卜通道型低壓驅動丁結 20構的一個戴面圖，而第12H圖之右側視圖繪示了 η-通道型 像素TFT結構的戴面圖。 如第12H圖之左側視圖中所示，首先於玻璃基板21上 面形成由50⑴^厚之氮化矽薄膜22a及200 nm厚之氧化矽薄 膜22b組成的層狀結構底層絕緣膜22，並在此底層絕緣膜 38 200301940 玖、發明說明 22上面形成由40 nm厚之多晶矽薄膜製成、並作為TFT工作 層的第一島狀半導體薄膜24a，第一島狀半導體薄膜24a中 則形成一對作為TFT源極/汲極之高濃度雜質區（歐姆接觸 區）24aa、24ab，以將通道區24ac置入其間。 5 有一層由厚度大約30 nm之氧化矽薄膜28a製成的第一 閘絕緣膜51a於底層絕緣膜22及第一島狀半導體薄膜24a上 面形成，此閘絕緣膜51a乃藉將非晶矽薄膜氧化而成。 同日守，苐一閘絕緣膜5 1 a上面形成了第一閘電極“a， 通道區側面之南濃度雜質區24aa、24ab的兩邊幾乎位於閘 10 電極54a邊緣之正下方。 有一層厚度為370 nm之氮化矽薄膜55(第一中間層絕 緣膜）於第一閘絕緣膜51a與第一閘電極54a上面形成，氮 化矽薄膜55上面則形成了 一對源/汲電極57a、5几。這些 源/汲電極57a、57b係透過埋入接觸孔56a、56b之金屬而和 15高濃度雜質區24aa、24ab通電，其中接觸孔56a、56b係從 虱化矽薄膜55的一個上表面與高濃度雜質區24犯、24吐相 通。

如上所述，由於第一閘絕緣膜51a僅由厚度大約3〇 nm 之氧化石夕薄膜形成，且未提供Ldd區，因此低麼驅動tft 月匕方、低包壓下進行高速運作。而且由於高濃度雜質區以⑽ “4ab此以自调方式隨第一閘電極54a形成，故可輕易地 衣成小型化裝置。在此例中，低壓驅動打丁並不提供 區由於這顯丁FT係由低電壓驅動，故熱電子之數量相當 J，因此可避免0N特性之降低以及因熱電子所造成的〇FF 39 200301940 玖、發明說明 電流增加。 接著如第12H圖之右側視圖中所示，於像素τρτ中， 玻璃基板21上面形成了具有上述相同層狀結構之底層絕緣 膜22，並於底層絕緣膜22上面形成第二島狀半導體薄膜 - 5 2仆，作為TFT之工作層。第二島狀半導體薄膜24b中則形 、 成一對作為TFT源極/汲極之歐姆接觸區的n_型高濃度雜質 區24ba、24bb，以將通道區24be置入其間。而且，n_型低 濃度雜質區（LDD區）24bc、24bd係分別於通道區24be側面 的這些高濃度雜質區24ba、24bb邊緣部分處形成。 ® 0 底層絕緣膜22及第二島狀半導體薄膜24b上面層疊了 厚度大約10 nm之氧化矽薄膜51a與一層厚度為1〇〇 nm之氧 化矽薄膜52b，接著在氧化矽薄膜52b上面形成第二閘電極 54b。由第二閘電極54b下方之氧化矽薄膜5u及氧化矽薄 膜52a組成之層狀結構則構成了第二閘絕緣膜。 ; 於此像素TFT中，若從上側觀之，則LDD區以心、 24bd在通道區24be侧之邊緣幾乎分別位於閘電極54b的兩 邊正下方。在像素TFT中，由於係以正負訊號作為顯示？ φ 吼號，除非在源極側與汲極側均提供LDD區24bc、2仆d， 否則會因熱電子而導致電晶體特性退化。 ‘ 第二閘電極54b與矽絕緣膜51a上面形成了厚度為37〇 . 麵之氮化石夕薄膜55，氮化石夕薄膜55上面則形成了 —對源/ 汲電極57c、57d，這些源/汲電極57c、57d係透過接觸孔 56c、56d而和高濃度雜質區24以、以⑽接觸。 如上所述，根據上述之像素TFT，由於第二閘絕緣膜 40 200301940 玖、發明說明 係由厚度為110 nm之厚氧化矽薄膜（氧化矽薄膜51a +氧化 石夕薄膜52a)形成，故像素TFT之擊穿電壓相當高，因此這 類像素TFT可透過高電壓驅動。 於此例中，本文省略了高壓驅動TFT之說明，與像素 5 TFT的一個不同點在於這種高壓驅動TFT僅於高電壓作用 之汲極側具有LDD區，且周圍電路中的高壓驅動^型吓丁 並不&供LDD區，此處將省略其敘述。此原因在於型 TFT範例中，由於係以孔作為載體，因此甚少產生熱載體 ，且除非提供了 LDD區，否則這種熱載體絕不會干擾電晶 10 體特性。 (用於液晶顯示器裝置中的薄膜電晶體製造方法） 15 20 其次，下文將參看第12A至12H圖說明本實施例之液 晶顯示器裝置中的薄膜電晶體裝置製造方法。第12八至 12H圖之左側視圖繪示了低壓驅動TFT成形區的截面圖， 而其右側視圖繪示了像素TFT成形區之截面圖。 如第12A圖中所示，首先利用電漿CVD法連續形成厚 度大約50 nm之氮化矽薄膜22a及厚度2〇〇 nm的氧化矽薄膜 22b，作為玻璃基板21上面的底層絕緣膜，接著在氧化矽 /專膜22b上面形成厚度大約4〇 ^^之非晶石夕薄膜24。 之後，為了減少非晶矽薄膜中的氲含量，於溫度 C下進行退火。接著以準分子雷射照射在非晶秒薄膜上面 ，使非晶矽薄膜轉變成多晶矽薄膜。 接著透過曝光及 之後利用此防蝕

之後，於多晶矽薄膜上面塗光阻劑 顯影步驟形成預定之防蝕光罩（未示出） 41 200301940 ίο 15 20 玖、發明說明 光罩’將夕晶石夕薄膜進行乾钮刻，僅在預定區域内留下由 多晶石夕薄膜製成之第-島狀半導體薄膜％及第二島狀半 導體薄膜24b，接著移除防蝕光罩。 之後利用電漿CVD法在玻璃基板21上側的整個表面上 形成厚度為1〇 nm之非晶矽薄膜51，接著形成厚度為⑽ nm之氧化石夕薄膜（絕緣膜）52。 ，接著利用塗佈法於氧化石夕薄膜52上面形成光阻膜，之 後如第12B圖中所示，透過曝光及顯影步驟於像素tft成 形區内形成一個防蝕光罩53。 接著透過防餘光罩S3，利用稀釋過的氫版酸將氧化石夕 薄膜52進行濕钮刻，此時利用對稀釋過之氯敦酸具有抗姓 性、且於氧化石夕薄膜52下方成形之非晶石夕薄膜川乍為姓刻 擒片/因此^錄光罩53下方形成了氧切薄膜圖案（絕 彖膜圖案）52a。接著移除防钱光罩53。 ―之後如第12C圖中所示，利用高壓氧化法，藉將包含 了氧切薄膜圖案52a的整個非晶石夕薄媒Η氧化而形成氧 化石夕薄膜（將半導體薄膜氧化而形成之絕緣膜灿。高壓氧 化過程係於5耽之溫度下，將蒸汽麼力調至2赂氧化— 個小時而完成。在此例中’可利用眾所周知的熱氧化法、 %漿氧化法等取代高壓氧化法。 因此’由氧化石夕薄膜5U製成之第—閘絕緣膜係於第 ―“半導體薄膜243上面形成，且由氧切薄膜51a及氧 …薄膜圖案52a組成之第二間絕緣膜於第二島狀半導體 薄膜24b上面形成。

42 200301940 玖、發明說明 之後如第12D圖中所示，利㈣錢法形成厚度為則 nm之Al-Nd薄膜，接著利用防蝕光罩（未示出）钱刻A〗·則薄 膜。因此，低壓驅動TFT成形區中的第一間絕緣膜5u上面 形成了第-間電極54a，而像素TFT成形區中的第二間絕緣 5膜51a及52a上面形成了第二間電極5仆。此時第二問電極 54b係於較第二閘絕緣膜52a之上表面更小、且位於比第二 閘絶緣膜52a之周圍部分更内側的一個區域中形成。接著 移除防蝕光罩53。 之後如第12E圖中所示，以第一閘電極54a作為光罩， 1〇利用離子植人方式將高濃度鱗植人第_島狀半導體薄膜 24a，同時以第二閘電極54b和第二閘絕緣膜5丨&及作為 光罩，利用離子植入方式將高濃度磷植入第二島狀半導體 薄膜24b。此時係將加速電壓設成25 而劑量定為& cm2，作為離子植入條件。因此，位於第一問電極54a兩 15側之第一島狀半導體薄膜24a中形成了 η-型高濃度雜質區 a 24ab，且苐一閘絕緣膜51 a、52a兩側之第二島狀半 導體薄臈24b中形成了 n_型高濃度雜質區鳩、2伽。

接著在不允許P離子穿過第一及第二閘電極、卻允許1> 離子牙過第一及第二島狀半導體薄膜24&、2朴與第二閘絕 2〇緣膜5la、52a之條件下，以離子植入方式將低濃度磷植入 第一島狀半導體薄膜24b，其中加速電壓乃設成而 劑里低至2x1ο1。cm_2，作為離子植入條件。因此，介於第 一閘兒極5413邊緣與高濃度雜質區24ba、24bb邊緣之間的 第二島狀半導體薄膜2仆中形成了 η-型低濃度雜質區（LDD 43 200301940 玖、發明說明 區）24bc、24bd 之後如第12F圖中所示，利用電漿CVD法在玻璃基板 21的整個表面上形成厚度大約約37〇11111之氮化矽薄膜55。 之後如第12G圖中戶斤示，㈣防姓光罩（未示出）、同 5時使用SF6氣體，將氮化石夕薄膜（第—中間層絕緣膜）55進行 乾姓刻，而於第-島狀半導體薄膜24a中的高濃度雜質區 24aa、24ab上面形成穿過氮化矽薄膜55之接觸孔5^、5化 。同時，於第二島狀半導體薄膜24b中的高濃度雜質區 24ba、24bb上面形成穿過氮化矽薄膜55之接觸孔兄…56d 10 。接著移除防蝕光罩。 之後如第12H圖中所不，利用濺鍍法將厚度為5〇 之 Ti薄膜、厚度為100 nm2A1薄膜及厚度為5〇 nm2Ti薄膜 連續沈積於玻璃基板21上側的整個表面上，因而將這些金 屬薄膜埋入接觸孔56a、56b、56c、56d，且於氮化矽薄膜 15 32上面形成了由這些金屬薄膜構成之層狀薄膜。之後利用 光微影技術形成一個防蝕光罩（未示出），接著利用此防蝕 光罩將金屬層狀薄膜進行乾蝕刻，以此步驟形成了與低壓 驅動TFT之高濃度雜質區（源/汲區）24aa、24北接觸的源/汲 電極57a、57b，同時形成了與像素TFT之高濃度雜質區（源 20 /及區）24ba、24bb接觸的源/汲電極57c、57d。 在此例中，顯示器部分104中的資料匯流排線1〇8係與 源/沒區57&至57(1同時形成，且於控制電路1〇1、垂直驅動 器102與閘極驅動器1〇3之成形區域中形成了預定之佈線圖 案0 44 200301940 坎、發明說明 之後塗上感光樹脂，形成厚度為3 · 0 # m的樹脂薄膜（ 第二中間層絕緣膜）58。如上所述，完成了薄膜電晶體裝 置。接著執行下列步驟，以製造液晶顯示器裝置。 之後，於源/汲電極57d上面之樹脂薄膜58中形成通孔 5 。接著利用濺鍍法在玻璃基板21上側的整個表面上形成厚 度為70 nm之;[T0(氧化銦錫）薄膜。之後利用標準光微影步 驟將ΙΤΟ薄膜進行圖案製作程序而形成一根與像素『FT 之源極侧雜質區接觸的像素電極6〇。接著在玻璃基板21上 側的整個表面上形成決定液晶分子起始狀態（未施加電壓 1〇時）排列方向之配向膜（未示出）。 以此方法完成了液晶顯示器裝置的TFT基板。 液晶顯示器裝置之對置基板係利用眾所周知的方法形 成，更詳細地說，用於遮蓋像素之間區域使其免受光線照 射的黑矩陣係由玻璃基板上面之Cr(鉻）形成，且於玻璃基 15板上面形成紅色、綠色及藍色之彩色濾光片，而使具有紅 色綠色或監色之中任一種顏色的彩色濾光片配置了每個 像素。接著在玻璃基板上側的整個表面上形成由IT〇薄膜 製成之透明電極，並於透明電極上面形成配向膜。 液晶顯不器面板乃藉將以此方式製成之TFT基板與對 20置基板貼在一起而構成，接著將液晶注入其間，並將其注 入口加以密封。之後將偏光板配置於此液晶顯示器面板的 兩面，並於背面配置一個背光源，而完成液晶顯示器裝置。 >如上所述，依據第二項實施例，如第i2B圖中所示， 當餘刻氧化石夕薄膜而形成了作為第二閘絕緣膜之一部份的 45 200301940 玖、發明說明 絕緣膜時，第一島狀半導體薄膜24a係由底層之非晶矽薄 膜51保護著，因此，第一島狀半導體薄膜24a之通道區並 不會暴露於氧化矽薄膜52之蝕刻氣體的電漿中，故可防止 低電壓驅動TFT厚度較薄部分之TFT特性退化，因此能同 5時確保像素TFT2較厚部分中的TF丁與較薄部分中的TFT具 有優良特性。 而且，位於第一及第二島狀半導體薄膜24a、24b下方 之氧化矽薄膜22b亦受非晶矽薄膜51保護，故即使氧化矽 薄膜22b於基板表面上形成，第一及第二島狀半導體薄膜 10 24a、24b之邊緣部分處並不會產生“刮除部分，，。若其未受 保4，則蝕刻基板21表面上之氧化矽薄膜22b時會在邊緣 部分產生“刮除部分，，。 此外，當蝕刻氧化矽薄膜52而形成了作為第二閘絕緣 膜之一部份的絕緣膜時，非晶矽薄膜51乃對氧化矽薄膜^ 15之蝕刻劑具有抗蝕性，因此薄膜厚度不會減少。在此實施 例中，由於第一閘絕緣膜51a乃藉氧化非晶矽薄膜51而形 成，故可精讀地控制第一閘絕緣膜5 1 a之薄膜厚度。 於上述實施例中，非晶矽薄膜51係直接在第一及第二 島狀半導體薄膜24a、24b上面形成。可形成用於覆蓋第一 20及第二島狀半導體薄膜24a、24b之氧化矽薄膜，接著在其 上面形成非晶矽薄膜51及氧化矽薄膜52。因此除了上述效 果之外，當藉將非晶矽薄膜51氧化而形成第一閘絕緣膜時 ，可進一步控制第一閘絕緣膜之薄膜厚度。在此例中，第 一閘絕緣膜之薄膜厚度係由覆蓋第一島狀半導體薄膜 46 200301940 玖、發明說明 之氧化石夕薄膜與藉將非晶石夕薄膜51氧化而形成之氧化石夕薄 膜仏所構成，且第二閘絕緣膜係由覆蓋第二島狀半導體 缚膜24b之氧化石夕薄膜與藉將非晶石夕薄膜51氧化而形成之 氧化矽薄膜5 la和氧化矽薄膜52a所形成。 5 (另一種薄膜電晶體裝置製造方法） 第13A至13D圖繪示了本發明第二項實施例之另一種 薄膜電晶體裝置製造方法的截面圖。

如第13A圖中所示，與第一實施例一樣，首先於玻璃 基板21上面形成厚度為5〇 nm之氮化石夕薄膜仏、厚度為 W 200 nm之氧切薄膜22b以及厚度為4()⑽之非晶妙薄膜。 接著將準分子雷射照射在非晶石夕薄膜上，使非晶石夕薄膜轉 變成多晶矽薄膜（第一半導體薄膜）24。 之後’利用電裝CVD法形成一層1〇 nm厚之第一氧化 石夕薄膜（第一絕緣膜）62、一層1〇 nm厚之非晶石夕薄膜（第二 15半導體薄膜）63以及一層1〇〇⑽厚之第二氧化石夕薄膜（第二 絕緣膜）64。

20 個防姓光罩65。接著利用防姓光罩65、同時使用稀釋過 氫氟酸’將氧切薄膜6條刻㈣成第二氧切薄膜圖 (第二絕緣膜圖案）64a。之後移除防蝕光罩&。 之後如第UC圖中所示，形成新的一個防钱光罩（未 出)。接著利用此新的防钮光罩’使用含氟之崎體 非晶石夕薄膜63進行絲刻，因而形成第_島狀非晶石夕薄 (不含第二'絕緣膜圖案之第二島狀半導體薄膜）仏及第二 47 200301940 玖、發明說明 狀非晶石夕薄膜（含有第二絕緣膜圖案之第二島狀半導體薄 膜）63b。之後移除防蝕光罩65。 接著利用高壓氧化法，將位於第二氧化矽薄膜圖案 64a及其它部分下方的第一島狀非晶石夕薄膜仏和第二島狀 5非晶石夕薄膜63b予以氧化，同時透過第一氧化石夕薄膜⑽ 夕曰曰石夕薄膜24中未被第一島狀非晶石夕薄膜心覆蓋之區域 及多晶石夕薄膜24中未被第二島狀非晶石夕薄膜㈣覆蓋之區 2加以氧化。因此如第13D圖中所示，由多晶石夕膜製成之 第島狀半‘體薄膜24&係於被第一島狀非晶矽薄膜63a覆 10盍之區域中形成；同時，由多晶石夕薄膜製成之第二島狀半 導體薄膜24b係於被第二島狀非晶矽薄膜63b覆蓋之區域中 形成。換言之，第一島狀半導體薄膜24a於其上面配置了 由第一氧化矽薄膜62與藉將第一島狀非晶矽薄膜63a氧化 而成之絕緣膜所製成的第一閘絕緣膜65。同時，第二島狀 15半導體薄膜24b於其上面配置了由第一氧化矽薄膜62及藉 將第二島狀非晶矽薄膜63b氧化而成之絕緣膜製成的絕緣 膜65與第二氧化矽薄膜圖案64a所組成之第二閘絕緣膜。 其後’經由第12D至12F圖中繪示之類似步驟形成薄膜 電晶體裝置。接著透過第一及第二實施例所述之液晶顯示 2〇器裝置製造方法中的標準步驟製成液晶顯示器裝置。 如上所述，根據第二項實施例之另一種薄膜電晶體裝 置製造方法，如第13B圖中所示，當蝕刻氧化矽薄膜64而 化成了作為弟二閘絕緣膜之一部份的絕緣膜64a時，第一 島狀半導體薄膜24a係由底層之非晶矽薄膜63保護著，因 48 200301940 玫、發明說明 此’第一島狀半導體薄膜24a之通道區並不會暴露於氧化 矽薄膜64之蝕刻氣體的電漿中，故可防止厚度較薄部分之 TFT特性退化，因此能同時確保較厚部分中的丁ft與較薄 部分中的TFT具有優良特性。 ** 5 而且如第130圖中所示，將非晶矽薄膜63上面之氧化 一 矽薄膜64進行蝕刻，作為第二閘絕緣膜之較厚部分。接著 選擇性地氧化非晶矽薄膜63下方的多晶矽薄膜24，而形成 第一及第二島狀半導體薄膜24a、24b。以此方式，底層氧 化矽薄膜22b不會暴露於蝕刻氣體中。因此，第一及第二 翁| 1〇島狀半導體薄膜24a、24b之邊緣部分處不會因蝕刻底層之 氧化石夕薄膜22b而產生“刮除部分，，。 此外，當蝕刻氧化矽薄膜64而形成了作為第二閘絕緣 膜之一部份的絕緣膜時，非晶矽薄膜63乃對氧化矽薄膜料 之蝕刻劑具有抗蝕性，因此非晶矽薄膜之厚度不會減少。 15在此實施例中，由於第一閘絕緣膜係由氧化非晶矽薄膜63 而成之絕緣膜63a與第一氧化矽薄膜62所形成，故可精確 地控制第一閘絕緣膜之薄膜厚度。 (第三實施例） 其次，下文將參看諸幅附圖說明本發明第三項實施例 20之薄膜電晶體裝置製造方法的結構。 · 於第三實施例之薄膜電晶體裝置中，由具有薄閘絕緣 膜（稱為厚度較薄部分中的TFT)之η-型TFT及p-型TFT其中 至少任一個所組成之TFT和由具有厚閘絕緣膜（稱為厚度較 厚部分中的TFT)之n_型TFT及p-型TFT其中至少任一個所 49 200301940 玖、發明說明 組成之TFT係安裝於同一基板上，下文將敘述厚度較薄部 分中的η-型TFT及厚度較厚部分中的的心型丁卩丁之結構。 第16A圖中繪示了從上側觀看厚度較薄部分中的TFT 時之平面圖，而第14F圖之左側視圖為沿著第丨6A圖中Iv_ 5 IV線段所取的一個截面圖，且第16B圖為沿著第16A圖之 V-V線段所取的截面圖。 第16A及14F圖之左側視圖中繪示了較薄部分中的的 TF T(第一薄膜電晶體）之組成元件，更詳細地說，較薄部 分中的TFT包括了由厚度大約50 nm之多晶石夕膜製成的第一 10島狀半導體薄膜24a、一層由厚度為30 nm之第一氧化石夕薄 膜（第一絕緣膜）製成的第一閘絕緣膜81 a、以及由厚度為3 〇 nm之第一Al-Nd(第一導電膜）製成的第一閘電極82。有一 對η·型源/>及區24aa、24ab於第一島狀半導體薄膜24a中形 成’以在其間置入通道區24ac，第一島狀半導體薄膜2乜 15中的通道區24“上面則連續形成第一閘絕緣膜81a與第一 閘電極82。 同時，較薄部分中的TFT包括了由厚度為4〇〇 nm之氮 化矽薄膜製成的第一中間層絕緣膜87、於第一中間層絕緣 膜87中形成之接觸孔87a、87b、由卩薄膜（2〇〇 nm)/Ai薄膜 20 (2〇0 nm)/Ti薄膜（20〇 nm)組成之三層結構金屬膜製成的源/ 汲電極88a、88b、以及由厚度為4〇〇 nm之氮化矽薄膜製成 的第二中間層絕緣膜89。第一中間層絕緣膜87覆蓋了第一 島狀半導體薄膜24a及第一閘電極82，第一島狀半導體薄 膜24a中形成之源/汲電極24aa、24ab分別透過接觸孔^^、 50 200301940 玖、發明說明 87b接至源/汲電極88a、88b，第二中間層絕緣膜89則覆蓋 源/汲電極88a、88b。 此外，如第16A及16B圖中所示，較薄部分中的丁乃 藉由第一閘電極82上面及第一島狀半導體薄膜24a兩側邊 5緣上方之第二氧化矽薄膜（第二絕緣膜）83b提供了由厚度為 300 nm之第二Al-Nd薄膜（第二導電膜）所製成的電場弛豫 電極84c至84f。 其次，下文將說明較厚部分中的TFT。第17A圖繪示 了從上側觀看較厚部分中的TFT之平面圖，而第14F圖之 10右側視圖為沿著第17A圖之VI-VI線段所取的一個截面圖， 且第17B圖為沿著第17A圖之νιι_νπ線段所取的截面圖。 第17Α及14F圖之右側視圖中繪示了較厚部分中的 TFT(第二薄膜電晶體）之組成元件，更詳細地說，較厚部 分中的TFT包括了由厚度大約5〇咖之多晶矽薄膜製成的第 15二島狀半導體薄膜24a、一層由厚度為30 nm之第一氧化矽 薄膜8 la及厚度為7〇 nm之第二氧化矽薄膜8孙組成的第二 閘絶緣膜、以及由厚度為3〇〇 nm之第二A1_Nd薄膜（第二導 電膜）製成的第二閘電極84a。有一對η-型源/汲區24ba、 24bb於第二島狀半導體薄膜24b中形成，以在其間置入通 2〇運區24be，通道區24be上面則連續形成第二閘絕緣膜與第 二閘電極84a。 此外，較厚部分中的TFT(第二薄膜電晶體）具有氮化 矽薄膜（第一中間層絕緣膜）87、源/汲電極88c、88d、以及 一層覆蓋源/汲電極88c、88d之氧化矽薄膜（第二中間層絕 51 200301940 玖、發明說明 賴）89。氮切薄膜87覆蓋了第二島狀半導體薄膜2仆及 第二閘電極84a，源/沒電極88c、88d則透過氮化石夕薄肋 中所形成的接觸孔87e、87d分別接至第二島狀半導體薄膜 24b中形成之源/汲區24ba、24bb。 此外，如第17A及17B圖中所示，較厚部分中的玎丁乃 藉由第二島狀半導體薄膜24b兩側邊緣上方之第一氧化矽 薄膜川，於第二閘電極84a下方提供了由第一㈣d薄膜 製成之電場弛豫電極82b、82c。 10 15 如上所述，根據本發明第三項實施例之薄膜電晶體裝 置，於較薄部分中的TFT中，乃藉由第一島狀半導體薄膜 24a兩側邊緣上方之第二氧切薄膜咖，於第_閘電㈣ 上面提供了電場弛豫電極84c至84f。因此，相較由第一島 狀半導體薄膜24a、第-氧切薄膜81a與第—閘電極82所 形成之電容’此部分處之寄生電容比由第_閘電極82和電 場弛豫電極84c至84f形成之靜電電容大。因此，若TFT的 閘極利用交流電驅動，則作用於第—島狀半導體薄膜Ha

20 兩側邊緣部分之閘極電位變化會減緩，故可抑制第一島狀 半導體薄膜兩側邊緣部分處形成之寄生電晶體運作。 且於較厚部分中的TFT中，藉由第二島狀半導體薄膜 ⑽兩側邊緣上方之第一氧化石夕薄膜川，於第二閘電極

84a下方提供了電場弛豫電極㈣、82。。根據此結構，電 場弛豫電極82b、82e之電位乃設成其中第二島狀半導體薄 膜鳥兩側邊緣部分之通道無法導電時之電位，其抑制了 弟一島狀半導體薄膜24b兩側邊緣部分之通道的導電性。 52 200301940 玖、發明說明 同4，藉由隔離弟一閘電極84a之電場感應，可抑制寄生 電晶體之開啟ON。 其次，下文將參看第14A至14F圖說明第三項實施例之 薄膜電晶體裝置製造方法。 5 如第14A圖中所示，首先於玻璃基板21上面以層疊方 式連續形成50 nm厚之氮化石夕薄膜22a及250 nm厚之氧化石夕 薄膜22b。在此例中，若情況允許，可省略氮化矽薄膜22&。 之後’於基板上面形成厚度為5〇 nm之非晶矽薄膜。 接著在400 C之溫度下進行退火，完成脫氫程序。之後利 10用能量為300 mJ/cm2之準分子雷射將非晶矽薄膜退火，而 使其轉變成多晶矽薄膜。接著將多晶矽薄膜進行圖案製作 程序，形成第一及第二島狀半導體薄膜24a、2仆。 之後，利用CVD法形成用於覆蓋第一及第二島狀半導 體薄膜24a、24b、且厚度為3〇 之第一氧化石夕薄膜（第一 Η絕緣膜）81，接著利用PVD法於整個表面上形成厚度為3〇〇 ⑽之第一落Nd薄膜（第—導電膜），之後使用含有碟酸及 醋酸之溶液，透過防蝕光罩（未示出）選擇性地蝕刻第一 Μ — 则薄膜，而於第一島狀半導體薄膜％上方之第一氧化石夕 薄膜上面形成第一閘電極82。 20 此時如第ΠΑ及17B圖中所+ 山斤 α τ所不，由弟一 A1_Nd薄膜製成 之電場弛豫電極82b、82c#於筮-* UL 1、、· 你於弟一島狀半導體薄膜24b兩 側邊緣上方及第一氧化石夕薄滕μ品 /浔胰8 1上面之與較厚部分中的 TFT第二閘電極84a相交之範圍内形成。 之後以，方I虫光罩（未不出）蓋住較薄部分中的成 53 200301940 玖、發明說明 形區。接著利用含氫氟酸之溶液將氧化矽薄膜進行輕蝕刻 ，之後移除防蝕光罩。此處若選擇氮化矽薄膜作為較薄部 分中的TFT之閘絕緣膜81材料，且選擇鉻（Cr)作為第一閘 電極82材料，則這些材料對含氫氟酸之溶液具有抗蝕性。 5因此，較薄部分中的TFT成形區並不需以防蝕光罩覆蓋。 之後如第14B圖中所示，利用CVD法在整個表面上形 成厚度為70 nm之第二氧化矽薄膜（第二絕緣膜）83，接著利 用PVD法形成厚度為300 nm之第二A1-Nd薄膜（第二導電膜） 84 〇 10 之後如第14C圖中所示’於第二Al-Nd薄膜84上面形成 防蝕光罩（光罩圖案）85。接著利用防蝕光罩85並同時使用 含磷酸及醋酸之溶液，藉將第二AI_Nd薄膜84進行濕蝕刻 而移除第二Al-Nd薄膜84上面未被防蝕光罩85覆蓋之範圍 。之後將防蝕光罩下方之第二A丨_Nd薄膜84進行側蝕刻， 15形成一側寬度較防姓光罩窄了LDD區之寬度的第二間電極 84a 〇 此時如第16A及16B圖中所示，藉由第一島狀半導體 薄膜24a兩側邊緣上方之第二氧化矽薄膜83b、83^，於第 一閘電極24a上面形成由第二从则_製成之電場弛豫電 20 極 84c至 84f。 之後如第14D圖中所示，使用含有CHF3之㈣氣體， 透過同-防姓光罩85將第二氧化石夕薄膜83進行非等向性蝕 刻’接著根據第-間電極82和防钱光罩85，將第一氧化石夕 薄膜81進行非等向性飯刻，因此，第-閘電極82下方形成 54 200301940 玖、發明說明 了由第一氧化石夕薄膜81a製成之第一絕緣膜，同時於第二 閘電極84a下方形成由第一及第二氧化矽薄膜81b ' 83a製 成之第二閘絕緣膜86。 在此例中，如第15圖中所示，可於第一及第二島狀半 5 導體薄膜24a、24b及其它區域上面留下厚度大約1〇 nm之 第一氧化矽薄膜81c。接著移除防蝕光罩85。 之後如第14E圖中所示，以第一閘電極82作為光罩， 利用離子植入方式將高濃度的磷（雜質）植入第一島狀半導 體薄膜24a。因此，第一閘電極82之兩側上面形成了高濃 1〇度雜質區24aa、24ab。同時，以第二閘電極84a和第二閘 絕緣膜83a、811^作為光罩，利用離子植入方式將高濃度的 夕本U隹貝）植入第二島狀半導體薄膜24b。因此，第二閘電極 84a之兩側上面形成了一對高濃度雜質區以⑽、24讣，此 時係將加速電壓設成10 keV且劑量定為lxl〇1Vcm2,作為 離子植入條件。 之後，以第二閘電極84a作為光罩，於p離子能穿過第 二閘電極84a周圍部分之第 二閘絕緣膜83a、8lb的條件下

lxl〇14/cm2， 作為離子植入條件。

在此例中，右混合了 p -通道型丁FT P-通道型TFT之工作層， p %追型1FT，則不以光罩蓋住 於植入磷離子前後利用 10 keV之 55 200301940 玖、發明說明 加速電壓及1 X 1 〇16/cm2的劑量將高濃度硼離子植入。因此 ’由於磷離子濃度係由p-通道型TFT之工作層中的硼獲得 補償，故p-通道型TFT之工作層變成ρ·型。 之後，於400°C之溫度下進行退火，完成第一及第二 5島狀半導體薄膜24a、24b之脫氫程序。接著在25〇 mJ/cm2 之條件下利用雷射照射方式進行退火，而將第一及第二島 狀半導體薄膜24a、24b中的石粦激活。 之後如第14F圖中所示，利用CVD法形成一層厚度為 300 nm之氮化矽薄膜（第一中間層絕緣膜）。接著將第一氮 10化石夕薄膜87進行圖案製作程序，於較薄部分之τρτ成形區 中的高濃雜質區24aa、24ab上面形成接觸孔87&、87b，並 同時在較厚部分之TFT成形區中的高濃度雜質區24ba、 24bb上面形成接觸孔87c、87d。 之後利用PVD法形成一層厚度為2〇〇 nm、且由一層薄 15膜/一層A1薄膜7一層Ti組成的三層結構金屬薄膜，接著將 三層金屬薄膜進行圖案製作程序，透過接觸孔87a、87b分 別形成與南濃度雜質區24aa、24ab接觸之源/汲電極88a、 88b，同柃透過接觸孔87(：、87d分別形成與高濃度雜質區 24ba、24bb接觸之源/汲電極88c、88d。 〇 之後，利用CVD法形成一層厚度為400 nm、且用於覆 蓋源/汲電極88a至88d之氮化石夕薄膜（第二中間層絕緣膜）89 ，於是完成了薄膜電晶體裝置。 如弟14F圖之右側視圖中所示，於製造液晶顯示器裝 置之TFT基板與液晶顯示器裝置的案例中，源/汲電極剛 56 200301940 玖、發明說明 上面之氮化石夕薄膜89中形成了一個通孔89a，接著形成ιτ〇 溥膜，之後將ΙΤ〇薄膜進行圖案製作程序，藉由通孔州形 成與源/汲電極88d接觸的一個像素電極9〇。之後，依照第 -及第二實施例中敘述之製造方法執行諸項步驟。 5 %上所述，於本發明第三項實施例之薄膜電晶體裝置 製造方法中，如第14C圖中所示，彻防姓光罩85制. 薄膜進行側钮刻，形成-側寬度較防姓光罩85小了咖區 之寬度的第二閘電極84a。此外，利用防姓光扑將氧化

石夕薄膜83、81進行非等向性韻刻，形成_側寬度較第H W電極84a大了 LDD區之寬度的第二問絕緣膜％。接著如第 HE圖中所示，於離子植入期間，在離子無法穿過第二間 絕緣膜86之條件下，以高劑量進行離子植入程序。此外， 於離子能穿過第二閘絕緣膜86之條件下，以低劑量進行離 子植入程序。因此，第二島狀半導體薄膜2仆中形 15 LDD結構。 以此方式，可使用閘電極84a和閘絕緣膜％而不需增 加曝光光罩之數目，以自調方式形成]^]〇〇結構。 而且如第i4C及14D圖中所示，由於分別具不同厚度 之閘絕緣膜8U' 86可利用一個钱刻步驟一次形成，故= 2〇簡化形成步驟。在此例中’由於第一及第二島狀半導體薄 膜24a 24b中的通道區並非共同暴露於蝕刻氣體之電漿中 ，因此能防止第一及第二島狀半導體薄膜24a、⑽中的通 道區表面產生損壞層。 (弟四貫施例） 57 200301940 玖、發明說明 人下文將參看諸幅附圖說明本發明第四實施例中 衣有溥膜電晶體裝置的一個液晶顯示器裝置結構。 如第一實施例所述之液晶顯示器裝置中，較薄部分中 的(第一薄膜電晶體）及較厚部分中的TFT(第二薄膜電 曰曰體）係於同一基板上面形成，同時，較薄部分中的TFT用 於周圍電路部分，而較厚部分中的TFT用於顯示器部分， 且ί幸乂厚部分中的TFT類似之TFT亦用於處理周圍電路部 分中的高電壓之緩衝器部分。 由於此第四實施例具有顯示器部分之結構中的一項特 〇色，特別是接至儲存電容匯流排線之儲存電容元件的結構 ’因此下文主要將說明這種結構。 第18圖纟胃示了從上側觀看本發明第四項實施例之液晶 頦不器裝置時，於顯示器部分中的一個像素之結構，沿第 8囷之VIII-VIII線段所取的一個截面圖則纟會示了 τρτ之橫 15截面圖，並繪示於第141?圖之右側視圖中。第19A圖係同樣 沿著第18圖之IX-IX線段所取的截面圖，而第19B圖為沿著 第18圖之χ-χ線段所取的截面圖。 如第1 8圖中所示，首先透過較厚部分中的TF丁之源/汲 電極88d將一個像素電極110(90)接至源/汲區24bb，接著令 2〇儲存電容匯流排線nl(82C)與像素電極90交叉。儲存電容 匯流排線82c與較厚部分中的TFT之第一閘電極82係由相同 材料形成，此排線乃接至較厚部分中的TFT之源/汲電極。 資料匯流排線108與源/汲電極88c係由相同材料形成 ，此排線乃接至較厚部分中的TFT之另一個源/汲電極以以 58 200301940 玖、發明說明 。同時，閘極匯流排線109與較厚部分中的TFT之第二閘電 極84a係由相同材料形成，此排線乃接至第二閘電極84&。 如弟14F圖之右側視圖中所示，較厚部分中的τρτ包 含了第二島狀半導體薄膜24b、由第一及第二氧化矽薄膜 5 81b、83a組成之第二閘絕緣膜86、以及由第二Ai-Nd薄膜 製成的第二閘電極84a。第二島狀半導體薄膜24b具有一對 源/汲區2扑&、24bb，以在其間置入通道區24be，且其之中 任何一個均接至像素電極9〇。第二閘絕緣膜86及第二閘電 極84a則於通道區24be上面連續形成。 1〇 分別如第19A及19B圖之右側視圖中所示，儲存電容 匯流排線82c係由第一 A1-Nd薄膜形成，第二氧化矽薄膜 83d及第二A1-Nd薄膜84f則連續層疊於儲存電容匯流排線 82c之部分區域上面，並且如第19八圖中所示，第二 薄膜84f乃接至較厚部分中的TFT之源/汲電極。之後如 15第19B圖之左側視圖中所*，第二A1-Nd薄膜辦透過源/沒 電極88d接至像素電極9〇。在此例巾，源/汲電極_係由 一層Ti薄膜88da/一層A1薄膜88db/一層Ti薄膜88如所組成 之三層結構。由於第14F圖中以相同符號表示之元件係與 第14F圖中的相同元件一致，本文將省略其說明。 !〇 在此例中，由於較薄部分中的TFT與第HF圖之左側 視圖中的TFT具有相同結構，本文將省略其說明。 如上所述，依據本發明第四項實施例之液晶顯示器裝 置，顯示器部分中的儲存電容匯流排線1〇8與較薄部分中 的丁FT之第一閘電極82係由相同材料形成。並且所提供之 59 200301940 玫、發明說明 電容元件中，其中一根電極係由儲存電容匯流排線1〇8形 成，而電容絕緣膜83d由與第二閘絕緣膜86之第二絕緣膜 83a相同的材料形成，其它電極84f則由與第二閘電極84a 相同之材料形成。 因此，由於形成之閘絕緣膜通常較薄，導致電容器元 件較諸具有以ITO薄膜製成之其它電極和以中間層絕緣膜 製成之電容器絕緣膜的電容元件，其每單位面積具有更高 之電容。於是，由於能夠縮小形成儲存電容器所需的儲存 電容匯流排線108面積、亦即光遮蔽面積，故可增加孔徑 10 比。

中的共同步驟所形成。

極88a至88d同時形成。 之後，於第三

7潯膜89形成之後 而於源/汲電極88d 60 200301940 玖、發明說明 上面形成通孔89a，之後利用PVD法形成厚度為1〇〇 nm之 ITO薄膜’接著將ITO薄膜進行圖案製作程序而形成像素電 極90。 之後’於玻璃基板21的整個上表面形成決定液晶分子 5 起始狀態（未施加電壓時）排列方向之配向膜（未示出）。 以此方法完成了液晶顯示器裝置的TFT基板。 液晶顯示器裝置之對置基板係利用眾所周知的方法形 成，換言之，用於遮蓋像素之間區域使其免受光線照射的 黑矩陣係由玻璃基板上面之Cr(鉻）所形成，且於玻璃基板 1〇上面形成紅色、綠色及藍色之彩色濾光片，而使具有紅色 、綠色或藍色之中任一種顏色的彩色濾光片配置了每個像 素。接著在玻璃基板的整個上表面形成由IT〇薄膜製成之 透明電極，並於透明電極上面形成配向膜。 液晶顯不器面板乃藉將以此方式製成之TFT基板與對 15置基板貼在一起而形成，接著將液晶密封於其之間的一個 空間内。之後將偏光板配置於此液晶顯示器面板的兩面， 並於为面配置背光源，而完成液晶顯示器裝置。 (第五實施例） 其次，下文將參看諸幅附圖㉟明本發明第五項實施例 20中裝有薄膜電晶體裝置的一個液晶顯示器裝置結構。 如同第四實施例之液晶顯示器裝置，第五實施例之液 晶頦不器裝置包括於基板上面形成之較薄部分中的TFT、 較厚部分中的T F T、接至較厚部分中的T F τ之源/汲區的像 素電極i 1〇(9〇)和資料匯流排線1〇8(88c)、接至較厚部分中 61 200301940 玖、發明說明 的TFT之閘電極的閘極匯流排線i〇9(84a)、以及和像素電 極9 0交叉之儲存電容匯流排線11丨（8 2 c)。 與第四實施例的一個不同之處在於顯示器部分，尤其 是接於儲存電容匯流排線lll(82c)之儲存電容元件的結構。 5 第20圖繪示了從上側觀看本發明第五項實施例之液晶 顯不器裝置時，顯示器部分之其中一個像素的結構平面圖 ，沿第20圖之χΐ-χι線段所取的一個截面圖則為之橫截 面圖，並繪示於第14F圖之右側視圖中。第21A圖係沿第2〇 圖之ΧΠ-ΧΠ線段所取的截面圖，而第21B圖為沿著第2〇圖 10 之ΧΙΙΙ-ΧΠΙ線段所取的截面圖。 由於顯示為裝置之組成元件中，較薄部分中的Tft及 較厚部分中的TFT係與第四實施例具有相同結構’此處將 省略其細節說明。 15 20

如第21A及21B圖中所示，儲存電容匯流排線82c(iu 係由第一 Al-Nd薄膜（第一導電膜）形成，其材料與較薄新 刀中的TFTU電極82相同。排線之部分區域中配置 了以儲存電容匯流排線82e作為電極之儲存電容元件，儲 存電容it件則由-個以儲存電容匯流排線…製成之電極 、由材f與較薄部分㈣之第1絕緣膜8U相同的第 一氧切薄膜81e製成之電容絕緣膜、以及由材質與第一 及第二島狀半導體薄膜24a、24b相同之第三島狀半導體薄 製成的其它電極建構而成。儲存電容匯流排線心兩 側之第三島狀半導體薄膜％中形成了—對卜型雜質區， 該對P-型雜質區之其中任何—個係接至像素電㈣，、換言 62 200301940 玖、發明說明 之乃構成了與ρ·通道型第三薄膜電晶體相同之結構，其係 以儲存電容匯流排線82c作為第三閘電極、以第一氧化矽 薄膜81e作為第三閘絕緣膜、以第三島狀半導體薄膜^作 為工作層、以及以一對ρ·型雜質區作為源/汲區。 下文將說明使用p-通道型第三薄膜電晶體之理由，亦 即若以η-通道型TFT作為像素TFT，則〇1^電流會相當高， 且像素之儲存電荷數量容易增加 同時，若以η-通道型 TFT作為像素TFT，且亦利用第ηΑ及ηΒ圖中繪示 的一個 10 15 結構防止寄生TFT之感應，則最好應將施於像素订丁之電 場弛豫電極82a、82b上的電壓設為負值。此外，若將像素 TFT之電場弛豫電#82a、82b與儲存電容元件的閘電極（儲 存電容匯流排線）82e設成相等電位，則可減少電源供應器 之數目。如上所述’由於負電位乃作用於儲存電容元件之 閘電極（儲存電容匯流排線）82e，若第三薄膜電晶體由卜通 道型TFT構成，則可使通道始終維持於⑽之狀態，亦即能 以第三島狀半導體薄膜24c作為電極。

其次’下文將說明第五項實施例之液晶顯示器裝置製 造方法，此時第三實施例之薄膜電晶體裝置製造方法乃: 以形成薄膜電晶體裝置。在此例中’儲存電㈣流排線 2〇 82c等係利用下述之TFT等閘電極成形步驟中的#同步驟; 形成。 ^

當第一及第二島狀半導體薄膜24a、2仆形成時 島狀半導體薄膜24c即利用圖案製作程序同時形^ 一閘絕緣膜81a及部分之第二閘絕緣膜％藉將第一 ，第三 ;當第 氧化石夕 63 200301940 玫、發明說明 薄膜81進行圖案製作程序而形成時，由第一氧化石夕薄膜 81e製成之閘絕緣膜即利用圖案製作程序同時形成；當第 -閘電極82藉將第-a刚薄膜進行圖案製作程序而形成 時，儲存電容匯流排線82c即利用圖案製作程序同時形成。 5 之後，於第三實施例中敘述之氮化矽薄膜89形成之後 ，藉將氮化矽薄膜89進行圖案製作程序而於源/汲電極88d 上面形成通孔89a，之後利用PVD法形成厚度為1〇〇 ^^之 ITO薄膜，接著將IT0薄膜進行圖案製作程序而形成像素電 極90 〇 10 之後，於玻璃基板21的整個上表面形成決定液晶分子 起始狀態（未施加電壓時）排列方向之配向膜（未示出）。 以此方法完成了液晶顯示器裝置的TFT基板。 液晶顯示器裝置之對置基板係利用眾所周知的方法形 成，換言之，用於遮蓋像素之間區域使其免受光線照射的 15黑矩陣係由玻璃基板上面之Cr(鉻）所形成，且於玻璃基板 上面形成紅色、綠色及監色之彩色濾光片，而使具有紅色 、綠色或藍色之中任一種顏色的彩色濾光片配置了每個像 素。接著在玻璃基板的整個上表面形成由IT〇薄膜製成之 透明電極’並於透明電極上面形成配向膜。 20 液晶顯示器面板乃藉將以此方式製成之TFT基板與對 置基板貼在一起而構成，接著將液晶密封於其之間的一個 空間内。之後將偏光板配置於此液晶顯示器面板的兩面， 並於背面配置背光源’而完成液晶顯示器裝置。 如上所述，根據本發明之第五項實施例，提供了由下 64 200301940 玖、發明說明 5 10 15 列兀件構成之儲存電容元件，換言之，儲存電容元件包含 了 一個使用由與較薄部分中的TFT之第-閘電極82相同材 料製成的儲存電容匯流排線1〇8之電極、由與第二間絕緣 膜86之第-絕緣膜8lb相同材料製成的電容絕緣膜…、以 及由”第i弟_島狀半導體薄膜^、爲相同材料製成 之其它電極。

因此，由於形成之閘絕緣膜通常較薄，較諸以ΙΊΓ0作 2其它電極且財間層絕緣膜作為電容H絕緣膜之儲存電 容讀’可得到每單位面積具有更高電容之電容器元 因此，由於能_小形成儲存電㈣所需的财電容匯流 排線108面積、亦即光遮蔽面積，故可增加孔捏比。 口％，右形成具有第17A及17B圖之電場弛豫電極8以 82b的像素TFT，彳自_個儲存電容匯流排⑽。提供電 壓給儲存電容元件之閘電極82c與電場弛豫電極…、㈣ 。於疋’不f增加額外之佈線即可提供電壓給儲存電容元

件之閘電極82c與電場弛豫電極82&、8几，故可防止孔徑 比減少。 上文乃特別根據諸項實施例說明了本發明，然而本發 明亚不侷限於上述實施例中特別揭示之範例，且於未偏離 2〇本發明諸項要點之範圍内，對上述實施例所做之變更均包 含於本發明之範圍内。 舉例而5 ’薄膜電晶體裝置適用於上述之液晶顯示器 衣置’然而14種薄膜電晶體裝置亦適用於有機el顯示器裝 置。 65 200301940 玖、發明說明 同妗，以其中氮化石夕薄 、及乳化矽潯膜係層疊於玻璃 =上面之透明基板作為基板，“除了具有從背面照射 曝光源之”的製造方料，亦可使心透明基板。 【圖式簡單說明】 弟Ϊ圖、纟會示了習知技蔽中的一 农T的個潯膜電晶體裝置截面 圖； 第2圖繪示了習知技蓺中簿 +曰 农Τ專版包日日體裝置製造方法之 問題的截面圖；

第3 Α及3 Β圖綠示了習知姑黏士 — X白矣技蟄中溽膜電晶體裝置製造 10 方法之另一問題的截面圖； 第4A圖繪示了習知技藝中薄膜電晶體裝置製造方法之 中間步驟的平面圖，而第4B圖之上側視圖緣示了同一薄膜 電晶體裝置製造方法的另一個中間步驟之平面圖，第仙圖 之下側視圖則係沿此上側視圖之χιν-χιν線段所取的一個 15 截面圖；

第5圖繪示了習知技藝中另一個薄膜電晶體裝置之截 面圖； 弟6 Α及6Β圖緣示了習知技藝中另一個薄膜電晶體裝 置製造方法之問題的戴面圖； 20 第7圖繪示了本發明第一項實施例之薄膜電晶體裝置（ 發射型液晶顯示器裝置）的一個組態方塊圖； 弟8圖纟會示了本發明弟一項實施例之薄膜電晶體裝置 的平面圖； 第9 A至9P圖繪示了本發明第一項實施例之薄膜電晶體 66 200301940 玖、發明說明 裝置製造方法的若干戴面圖； 第10A圖、.、曰不了本發明第一項實施例之薄膜電晶體裝 置製造方法的中間步驟之平面圖，而第1〇B圖之上側視圖 繪示了同-薄膜電晶體裝置製造方法的另一個中間步驟之 5平面圖，第4B圖之下側視圖則係沿此上側視圖之㈣線段 所取的一個截面圖。 第11A圖、、曰了本餐明第一項實施例之薄膜電晶體裝 置製造方法的另一個中間步驟之平面圖，而第UB圖之上 側視圖繪示了同一薄膜電晶體裝置製造方法的另一個中間 10步驟之平面圖，第4B圖之下侧視圖則係沿此上側視圖之 III-III線段所取的一個截面圖； 第12A至12H圖繪示了本發明第二項實施例之薄膜電 晶體裝置製造方法的若干戴面圖； 第13A至13D圖繪示了本發明第二項實施例之另一種 15 薄膜電晶體裝置製造方法的截面圖； 第14A至14F1M會示了本發明第三項實施例之薄膜電晶 體裝置製造方法的截面圖； 第15圖繪示了本發明第三項實施例之另一種薄膜電晶 體裝置製造方法的戴面圖； 20 第16A圖繪不了本發明第三項實施例之薄膜電晶體裝 置的平面圖，而第16B圖為沿著第16A圖之v_v線段所取的 一個截面圖；

第17 A圖纟胃示了本發明第三項實施例之另一種薄膜電 晶體裝置的平面圖，而第17B圖為沿著第17A圖之VII· VII 67 200301940 玖、發明說明 線段所取的一個截面圖； 第18圖繪不了具有本發明第四項實施例之薄膜電晶體 裝置的一個液晶顯示器裝置截面圖； 第19A圖同樣係沿著第丨8圖之ιχ·ιχ線段所取的一個截 5面圖，而第19Β圖為同樣沿著第18圖之Χ-Χ線段所取的截 面圖； 第20圖繪示了具有本發明第五項實施例之薄膜電晶體 裝置的一個液晶顯示器裝置平面圖； 第21Α圖同樣係沿著第2〇圖之χπ·χΙΓ^^段所取的一個 10截面圖’而第21Β®為同樣沿著第20圖之ΧΙΙΙ-ΧΙΙΙ線段所 取的截面圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 1、21…基板 4be 、24ac、24be...通道區 3 、 22b 、 25 、 25a 、 25b 、 5、 6 、 6a 、 6b 、 22 、 64a、 28、28a、28b、31、55、 71、 71a 、 71b 、 74a 、 81b、 51a 、 52 、 52a 、 62 、 64 、 81 76、 78···絕緣膜 、81a 、 81b 、 81e 、 83 、 83a 7...- 金屬膜 、83b、83d···氧化矽薄膜 7a、 7b 、 29a 、 29b 、 54a、 4a 、 4b 、 24a 、 24b 、 24c 54b 、72、75、82、 82c、 …島狀半導體薄膜 84a …閘電極 4ba、4bb、24aa、24ab、 9c、 .30a、30b、53、 65、 24ba、24bb…高濃度雜質區 73a 、73b、85...防I虫光罩 4bc、4bd、24bc、24bd 13.. •破壞層 …低濃度雜質區 14.. •刮除部分 68 200301940 玖、發明說明 22a 、 32 、 55 、 87 、 89 …氮化矽薄膜 24 ' 51 、 63 、 63a 、 63b …非晶矽薄膜 24aa、24ab、57a、57b、 57c、57d、77a、77b、77c 、24ba、24bb··.源/沒區 24bc、24bd...LDD區 25a、26a··.開 口部分 25b、28、51a、65、81a、 81b、83a、86···閘絕緣膜 26、30···光阻膜 29、84、84f...Al_Nd薄膜 33a 、 33b 、 33c 、 33d 、 56a 、56b、56c、56d、76a、 76b、76c、76d、87a ' 87b 、87c、87d···接觸孔 34a、34c···源極 34b、34d···；；及極 j 5、5 8 · · ·樹脂溥膜 36、60、90、ii〇···像素電極 64a···氧化矽薄膜圖案 77d 、 88a 、 88b 、 88c 、 88d···源/汲電極 81e···電容絕緣膜 82a 、 82b 、 82c 、 84c至84f …電場弛豫電極 84a、109···閘極匯流排線 87、89·.·中間層絕緣膜 88c、108··.資料匯流排線 88da、88dc...Ti 薄膜 88db...A卜薄膜 89a...通孔 101·.·控制電路 102·.·垂直驅動器 102a、103a…移位暫存器 102b、103b···水平移位器 102c···類比開關 103···閘極驅動器 l〇3c···輸出緩衝器 104···顯示器部分

105...TFT 106…顯示單元（液晶單元） 107…儲存電容 111、108、82c··.儲存電容 匯流排線

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Claims (1)

1. 200301940 ίο 15 20 拾、申請專利範圍 L 一種薄膜電晶體裝置製造方法，其步驟包括·· 於一透明基板的一^表面上形成一 島狀半 導體薄膜及一層第二島狀半導體薄膜； 形成-層用於覆蓋第一島狀半導體薄膜及第二島 狀半導體薄膜之第一絕緣膜·， 於第絕緣膜上面形成一層負光阻膜； 藉由-個遮蔽住第一島狀半導體薄膜整個區域之 光罩，自一光源將負光阻膜曝光； 自透明基板之背面將負光阻膜曝光； 藉將負光阻膜顯影而形成一個防 向第-島狀半導體薄膜周圍之内側區域中具有:個:; 口部分； 蝕刻防蝕圖案之開口部分中的第-絕緣膜； 移除防蝕圖案； 於透明基板的整個表面上形成一層第二絕緣膜， 妾耆在其上面形成一層導電膜； 於第一島狀半導體薄膜+ 錢上方之導電膜上面形成第 元罩圖案，並於第_良 、弟一島狀+導體薄膜上方之導電膜 上面形成第二光罩圖案；以及 、 -=，_為光罩，導電膜而形成第 而开^第’Γ第二光軍圖案作為光罩，敍刻導電膜 1771小成弟二閘電極。 1::專利範圍第1項之薄膜電晶體裝置製造方法，I …明基板背面將負光阻膜曝光之步驟中，用於暖

   70 拾、申請專利範圍 光之光源係一 g-線、h-線、I·線、準分子雷射或紫外線。 3·種/專膜電晶體裝置製造方法，其步驟包括： 於一基板上面形成一層第一島狀半導體薄膜及一 層第二島狀半導體薄膜； 形成一層用於覆蓋第一島狀半導體薄膜及第二島 狀半導體薄膜之半導體薄膜，之後於半導體薄膜上面 形成一層絕緣膜； 利用選擇性地钱刻第二島狀半導體薄膜上方之絕 緣膜’形成一個絕緣膜圖案； 將絕緣膜圖案下方及其它區域中的半導體薄膜氧 化，以在第一島狀半導體薄膜上面形成一層由藉將半 導體薄膜氧化而成之絕緣膜所組成的第一閘絕緣膜， 亚於第二島狀半導體薄膜上面形成一層由藉將半導體 薄膜氧化而成之絕緣膜與絕緣膜圖案所組成的第二間 絕緣膜；以及 於第一閘絕緣膜上面形成第一閘電極，並於第二 閘絕緣膜上面形成第二閘電極。 4. 如:請專利範圍第3項之薄膜電晶體裝置製造方法，其 I [島狀半導體薄膜及第二島狀半導體薄膜係由多 日日夕薄膜形成，而半導體薄膜由非晶石夕薄膜形成。 5. 如申請專利範圍第3項之薄膜電晶體裝置製造方法，其 t在藉由選擇性蝕刻第二島狀半導體薄膜上方之絕緣 肤而开4個絕緣膜圖案的步驟中，半導體薄膜乃用 作蝕刻絕緣膜時的一個蝕刻擋片。 拾、申請專利範圍 如申睛專利範圍第3項之薄膜電晶體裝置製造方法，其 步驟更包括： 於半導體薄膜成形之前，形成一層用於覆蓋第一 島狀半導體薄膜及第二島狀半導體薄膜之絕緣膜； 其中第一閘絕緣膜係由一層用於覆蓋第一島狀半 導體薄膜之絕緣膜與一層藉將半導體薄膜氧化而成的 繞緣膜所組成，而第二閘絕緣膜係由一層用於覆蓋第 島狀半導體薄膜之絕緣膜、一層藉將半導體薄膜氧 化而成之絕緣膜以及一個絕緣膜圖案所組成。 7·種溥膜電晶體裝置製造方法，其步驟包括： 於一基板上面形成一層第一半導體薄膜； 於第一半導體薄膜上面連續形成一層第一絕緣膜 、一層第二半導體薄膜與一層第二絕緣膜； 利用選擇性地蝕刻第二絕緣膜，形成一個第二絕 緣膜圖案； 選擇性地蝕刻第二半導體薄膜，以形成一層不含 第一絕緣膜圖案之島狀第二半導體薄膜與一層含有第 二絕緣膜圖案之島狀第二半導體薄膜； 藉由第一絕緣膜，將第二絕緣膜圖案與其它區域 下方之島狀第二半導體薄膜氧化，且將第一半導體薄 膜中未被島狀第二半導體薄膜覆蓋之區域氧化，以形 ' 第半‘體薄膜中被不含第二絕緣膜圖案之 島71大第一半導體薄膜覆蓋的一個區域組成之第一島狀 " 且亦於形成一層由第一半導體薄膜中被 200301940 5 10 15 20 拾、申請專利範圍 含有第二絕緣膜圖案之島狀第二半導體_覆蓋的- 個£域組成之第二島狀半導體薄膜，以在第—島狀斗 導體薄膜上面形成一芦由益 — I層由稭將第二半導體薄膜氧化而 成之絕緣膜盘第一绍絡^ ^ 、弟、吧緣膜所組成的第一閘絕緣膜，並 於第二島狀半導體薄膜上面形成-層由第二絕緣膜圖 案、一層藉將第二半導體薄膜氧化而成之絕緣膜以及 第一絕緣膜所組成的第二閘絕緣膜；以及 於第-閘絕緣膜上面形成第一問電極，並於第二 閘絕緣膜上面形成第二閘電極。 8·如:請專利範圍第7項之薄膜電晶體裝置製造方法，其 "-半導體薄膜係一層多晶矽薄膜，而第二半導體 薄膜為一層非晶矽薄膜。 9·如申請專利範圍第7項之薄膜電晶體裝置製造方法，其 中在藉由:¾擇性餘刻第二絕緣膜而形成一個第二絕緣 膜圖案之步驟中，第二半導體薄膜乃用作餘刻第二絕 緣膜時的一個蝕刻擋片。 巴 10·如申請專利範圍第7項之薄膜電晶體裝置製造方法，其 中在選擇性地蝕刻第二半導體薄膜以形成一層不含第 二絕緣膜圖案之島狀第二半導體薄膜與-層含有第二 絕緣膜圖案之島狀第二半導體薄膜的步乐_絕 緣膜乃用作選擇性钱刻第二半導體薄膜時的一個餘刻 擋片。 11 · 一種薄膜電晶體裝置，其包括有：

   顆第一薄膜電晶體，其包含了 一層具有一對 源/ 73 200301940 拾、申請專利|g匱 汲區、以在其問署λ , 、]置入一個通道區之第一島狀半導體薄 膜’層由第島狀半導體薄膜之通道區上面形成之 一閘絕緣膜；以及一個由第一閘 一導電膜製成的第一閘電極；以 第一絕緣膜製成的第 絕緣膜上面形成之第 及 ^顆第一薄膜電晶體，其包含了一層具有一對源/ /及區以在其間置入一個通道區之第二島狀半導體薄

   膜；一層由第二島狀半導體薄膜之通道區上面形成之 第一絕緣膜及第二絕緣膜製成的第二問絕緣膜；以及 個由第m緣膜上面形成之第二導電膜製成的第 -閘包極’第-薄膜電晶體和第二薄膜電晶體兩者均 於同一基板上面形成； 其中第一薄膜電晶體乃藉由第二絕緣膜，於第一 島狀半導體薄膜側面部分之邊緣上方及第-閘電極上 面提供了由第二導電膜形成的電場弛豫電極，並且

   第二薄膜電晶體藉由第一絕緣膜，於第二閘電極 下方及第二島狀半導體薄膜側面部分之邊緣上方提供 了由第一導電膜形成的電場弛豫電極。 12.一種薄膜電晶體裝置製造方法，其步驟包括： 於一基板上面形成一層第一島狀半導體薄膜及一 層第二島狀半導體薄膜； 七成層用於覆i第一島狀半導體薄膜及第二島 狀半導體薄膜之第一絕緣膜； 於整個表面上形成一層第一導電膜，接著選擇性 74 200301940 拾、申請專利範圍 ㈣刻第一導電膜，以在第一島狀半導體薄膜上方之 第一絕緣膜上面形成一個閘電極； 於整個表面上連續形成-層第二絕緣膜及一層第 二導電膜； 於弟一 電膜上面形成_俯伞罢㈤也 個7案，接著以光 罩圖案作為光罩，將第-導 弟一 ^電膜進行側蝕刻，以形成 一個寬度較光罩圖案窄之第二閘電極； 以光罩圖案作為光罩， — 性# W，、，、# 、第一、纟巴緣膜施以非等向 ^ 亚以第一閘電極和光罩 ίο 15 20 个7t皁圖案作為光罩， :緣=非等向叫因而在第一閘電極下* 屯成-層由弟—絕緣膜所製成 第二閘電極下方开,… 弟閘緣膜，且在 卜万幵V成由弟一絕緣膣- 成之第二閘絕緣膜； 、弟—、、·巴緣膜所組 移除光罩圖案； 以第-閉電極作為光罩，利用 雜質植入第一島壯生、# _ 方式將一 形成宾、、曹疮私# …十 閘電極兩側 作為光罩… 第-閘電極和第二間絕緣膜 作為先罩，利用離子 ^ 々式將雜質植入第二島狀半 區；以及 間’極兩側形成-對高濃度雜質 以第二閘電極作為光罩， 極周圍部分之第- ;每子能穿過第二閘電 植入方式將雜質植入望· α“件下，利用離子 貝值入弟二島狀半逡雕 閘電極兩侧之第二溥朕，而在第二 一閑絕緣膜下方 ^成一對低濃度雜質 一乐島狀+導體薄膜，而於第一 75 200301940 拾、申請專利範圍 區。 13·如申請專利範圍第12項之薄膜電晶體裝置製造方法， 其中在以光罩圖案作為光罩而將第二絕緣膜施以非等 向性蝕刻、並以第一閘電極和光罩圖案作為光罩而將 5 苐、纟巴緣膜施以非等向性钱刻之步驟中，乃留下了第 一絕緣膜，而使第一島狀半導體薄膜及第二島狀半導 體薄由第一絕緣膜覆蓋。 14.如申請專利範圍第12項之薄膜電晶體裝置製造方法， 其中在整個表面上形成一層第一導電膜、接著選擇性 10 '也蝕刻第-導電膜’以在第-島狀半導體薄膜上方之 第一絕緣膜上面形成一個閘電極的步驟中，乃藉由第 絶緣膜，於即將形成第二閘電極之區域中及第二島 狀半導體薄膜兩側邊緣上面形成由第一導電膜所製成 之電場弛豫電極。 15 I5·如申請專利範圍第12項之薄膜電晶體裝置製造方法， 其中在第二導電膜上面形成一個光罩圖案、接著以光 罩圖案作為光罩而將第二導電膜進行側餘刻，以形成 一個寬度較光罩圖案窄之第二閘電極的步驟中，乃藉 20 纟第二絕緣膜，於第-島狀半導體薄膜兩側邊緣上方 形成由第二導電膜所製成之電場弛豫電極。 16.一種液晶顯示器裝置，其包括有： 一顆第一薄膜電晶體； 顆第一溥胰電晶體，第一薄膜電晶體及第二薄 膜電晶體係於一基板上面形成； 76 200301940 ig、申請專利範匱 個接至第二薄膜電晶體之源/汲區的像素電極； 以及 ίο 15 一條與像素電極交叉之儲存電容匯流排線，· /、中第薄膜電晶體包含了一層具有一對源/汲區 、以在其間置人-個通道區之第—島狀半導體薄膜，· 層由第一島狀半導體薄膜之通道區上面形成之第一 絕緣膜製成的第一閘絕緣膜；以及一個由第一閘絕緣 膜上面形成之第一導電膜製成的第一閘電極， 第一薄膜電晶體包含了一層具有一對源/没區、以 在其間置入一個通道區之第二島狀半導體薄膜，且該 對源Λ及區之中任何—個均接至像素電極；-層由第二 島狀半‘體薄膜之通道區上面形成之第一絕緣膜及第 :彖膜衣成的第二閘絕緣膜；以及一個由第二閘絕 彖膜上面形成之第二導電膜製成的第二問電極，並且 儲存電容匯流排線係由第-導電膜形《，且接至 像素電極之第二絕緣膜及第二導電膜乃依此順序層疊 於儲存電容匯流排線上面的_個部分區域内。 ·-種液晶顯示器裝置，其包括有：

   20 一顆第一薄膜電晶體； 一顆第二薄膜電晶體，第-臈電晶體係於一基板上面形成； 薄膜電晶體及第二薄 一個接至第二薄膜電 曰曰體之源/沒區其中任何一 的像素電極；以及 九卞與像素電極交又之株左 存電容匯流排線； 個 77 200301940 拾、申請專利範圍 、其中第-薄膜電晶體包含了一層具有一對源/汲區 以在其間置人_個通道區之第_島狀半導體薄膜； 層由第-島狀半導體薄膜之通道區上面形成之第一 絕緣膜製成的第一閘絕緣膜；以及一個由第一間絕緣 膜上面形成之第一導電膜製成的第一閘電極， 第一薄膜電晶體包含了一層具有一對源/汲區、以 在其間置入一個通道區之第二島狀半導體薄膜，且該 對源/汲區之中任何一個均接至像素電極；一層由第二 島狀半導體薄膜之通道區上面形成之第一絕緣膜及第 二絕緣膜製成的第二閘絕緣膜；以及一個由第二閘絕 緣膜上面形成之第二導電膜製成的第二閘電極，並且 儲存電容匯流排線係由第一導電膜形成，且在其 之部分區域内提供了一顆第三薄膜電晶體，該第三薄 膜電晶體包含了一個由儲存電容匯流排線形成之閘電 極、一層具有源/汲區且該對源/汲區之中任何一個均接 至像素電極的第三島狀半導體薄膜、以及一層由第一 絕緣膜製成之閘絕緣膜。 18·如申請專利範圍第17項之液晶顯示器裝置，其中第一 薄膜電晶體及第二薄膜電晶體係一 ^通道型電晶體， 而第三薄膜電晶體為P-通道型電晶體。 19·如申請專利範圍第17項之液晶顯示器裝置，其中第一 溥膜電晶體、第二薄膜電晶體及第三薄膜電晶體係由 相同半導體薄膜形成。 78