TW200300932A

TW200300932A - Information recording medium

Info

Publication number: TW200300932A
Application number: TW091134698A
Authority: TW
Inventors: Toshio Ishida; Takeshi Kakuta; Shinji Saito
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date: 2001-11-30
Filing date: 2002-11-29
Publication date: 2003-06-16
Also published as: CN1258179C; CN1421852A; US20030118938A1; TWI296801B; EP1316950A1; US7341820B2

Description

200300932 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、內容、實施方式及圖式簡單說明) (一）發明所屬之技術領域本發明係關於一種光資訊記錄媒體，特別是一種已知利用熱模式之重寫型光資訊記錄媒體。 (二）先前技術向來，已知道一種可以藉由雷射光而以一次爲限地記錄資訊之光資訊記錄媒體。此種光碟又稱爲重寫型CD(所謂 CD-R)，其代表性構造乃是在一透明圓盤狀基板上，依順序層疊由有機色素所構成之記錄層、金等金屬所構成之光反射層、並進一步積層由樹脂製之保護層（包覆層）而成之物。然後，此種CD-R係藉由利用近紅外光域之雷射光（通常繁780奈米附近波長的雷射光）來照射CD-R，使記錄層局部地區因發熱而變形來進行記錄。另一方面，資訊之讀取（苒生）或記錄，則是藉由利用與記錄用之雷射光相同波長之,雷射光來照射，利用記錄層之檢測出的光學特性已改變部分（記錄部分）及未改變部分（未記錄部分）間的反射率差異來進行。近年來，一直要求具有更高記錄密度之光資訊記錄媒體。今了滿足此種期望，因而已提案一種稱爲重寫型數位多 3.Γ能光碟（即所謂的DVD_R)之光碟（例如，「日經新媒體」民：哥「DVD」、1995年發行）。此種DVD-R之構造，該以追纖所照射之雷射光爲目的之導引溝（預溝紋）（〇.74〜〇·8 200300932 微米）係佔CD-R —半以下，在形成像這樣窄的溝寬度之透 · 明圓盤狀基板上，通常具有將依序積層含有有機色素之記錄層、反射層以及保護層的2枚碟片予以貼合在記錄層之內側而成的構造，或者具有將和該碟片相同形狀之圓盤狀保護基板貼合於該記錄層之內側而成之構造。然後’利用可見雷射光（通常爲630奈米〜680奈米之波長範圍的雷射光）照射DVD-R來進行資訊的記錄及再生，而可以比CD-R 更高密度地記錄。 φ 最近，網際網路等之網路及高視覺電視急速地普及化。又，晚近也開始放映HDTV (高解析度電視）了。在此種狀況下，需要有可便宜而簡便地記錄影像資訊之大容量的資訊記錄媒體。就現狀而言，雖然DVD-R做爲大容量記錄媒體之比例十分地多，然而另一方面對於大容量化、高密度化之要求提高，則有有必要開發出因應此種要求之記錄媒體。因此之故，乃進一步開發可以利用比DVD-R更短之波長的光來進行高密度之記錄，以及更大容量的記錄媒體。 · 已知一種記錄再生方法，其係在具有含有機色素之記錄層的光資訊記錄媒體中，從記錄層側朝光反射層側照射波長在530奈米以下之雷射光，來執行資訊之記錄及再生的記錄再生方法（例如，參照專利文獻1〜1 5 )。根據此種方法，其係利用在備有含聚菲啉化合物、偶氮系色素、金屬偶氮系色素、喹酞酮系色素、三甲基酞青色素、二氰基乙烯基苯基構造色素、香豆基化合物、及萘酞菁化合物等之記錄層之的光碟上，照射藍色（波長爲430奈米、488奈米） -7- 200300932 、或藍綠色（波長爲515奈米）的雷射光來進行資訊之記錄及再生。一方面，雖然已知道以相變化型之光碟來做爲DVD’S 而其係採用 G e S b T e等合金層來故爲記錄層，於記錄層上以雷射光瞬間加熱之’而使由結晶狀悲而相變化爲非日曰貝狀態，利用藉著相變化來改變之反射率而使記錄再生之方式。最近，發表一種使用這種相變化型之DVD，而藉藍紫雷射光來進行記錄再生之DVR系統（「丨SOM2000」，第 2 1 0〜2 1 1頁）。依照此種系統，對於所謂高密度化之課題可達成一定之成果。於以上之光資訊記錄媒體中，當記錄層係由有機物所構成的情況，利用接著劑接著包覆層時，就會有所謂的構成記錄層之有機物爲接著劑所溶解之問題。此種問題，雖然是可以藉由在記錄層和包覆層間設置中間層而解決，但是中間層之層厚度爲厚的時候，會造成該中間層之反射率變差之問題。【專利文獻1】在曰本特開平4_74690號公報【專利文獻2】曰本特開平7 - 3 0 4 2 5 6號公報【專利文獻3】曰本特開平7 - 3 0 4 2 5 7號公報【專利文獻4】曰本特開平8 -1 2 7 1 7 4號公報 ~ 8 - 200300932 【專利文獻5】 > 日本特開平1 1 -53758號公報【專利文獻6】日本特開平1 1 -334204號公報【專利文獻7】日本特開平1U34205號公報【專利文獻8】日本特開平1 1 -334206號公報 φ 【專利文獻9】日本特開平1 1 -334207號公報【專利文獻1 0】日本特開2000-43423號公報【專利文獻1 1】日本特開2000-1 0851 3號公報【專利文獻1 2】日本特開2000-1 1 3504號公報 _ 【專利文獻1 3】日本特開2000-149320號公報【專利文獻1 4】日本特開2000-1 588 1 8號公報【專利文獻1 5】日本特開2000-228028號公報 (三）發明內容【發明欲解決之課題】 -9- 200300932 本發明即是鑑於以上之向來的問題點’而以達成以下目的做爲課題。意即：本發明之目的在提供一種具有高反射率、大的載波噪聲比（C/N)、穩定的記錄再生特性的光資訊記錄媒體。【解決課題之手段】解決前述課題之手段詳如下述。意即：本發明提供一種光資訊記錄媒體，其係在基板表面上依序具有記錄層、中間層及包覆層，並通過透鏡開口率NA 爲0.7以上之透鏡，照射波長爲380〜500奈米之雷射光，而使記錄再生之光資訊記錄媒體，其特徵在於：前述記錄層爲有機物層，並且該中間層之層厚度係在1奈米以上但在9奈米以下。較佳爲前述之中間層係由介電體所構成，又且前述之有機物係由苯并三唑衍生物及/或酞菁色素所構成。較佳是該有機物係甴酞菁街生物所構成，前述記錄層之折射率（3S於記錄羯之雪射：衰長係1 .. δ ‘ η ‘ U，前述介電體係爲硫化物及氧化物中之至少一種，並且該中間層之層厚度係在1奈米以上但在9奈米以下。 (四；實施方式以下，說明本發明之光Κ訊記錄媒體之實施態樣。本發 ::::之光資訊記錄媒體，其傷在係在基板表面上依序具有記餘：f、中間層及包覆層，Η通過透鏡開口率ΝΑ爲0.7以二二遼鏡’照射波長爲S 500奈米之雷射光’而使記錄再生之光資訊記錄媒體，其特徵在於：前述記錄層爲有機 200300932 物層，並且該中間層之層厚度係在1奈米以上但在9奈米以下。以下，說明基板和記錄層、其間之反射層各層所具有的形態。〈基板> 可以使用來做爲基板者，係可自使用來做爲習用之光資訊記錄媒體之基板材料的各種材料中任意選取。具體而言，舉例來說，例如可以是玻璃、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸酯等丙烯酸酯樹脂、聚氯乙烯·氯化乙烯共聚物等氯化乙烯系樹脂、環氧樹脂、非晶質聚烯烴、聚酯、銘等金屬；也可依需要倂用。上述之材料，從耐濕性、尺寸安定性、及價格觀點來看 ’較宜是聚碳酸酯、非晶質聚烯烴；特佳是聚碳酸酯。又 ’基板之厚度較宜是0.5〜彳，4毫米。在基板係可以形成追蹤用之導引溝或表示位址信號等資 m Z _凸：:預溝紋）。爲了達成更高記錄密度·’較宜是健用形成比CD-R及DVD-R更狹窄的軌距之預溝紋的基被。預溝紋層之軌距，較宜是在3 〇〇〜.6 0 0奈米。又，預溝紋之深度較宜是在40〜150奈米之範圍。父，爲了改善平面性、及提昇接著力之目的，較宜是:在 G ?:有後述之反射層側之基板表面上，形成一底幣層° k、做爲該底塗層之材料者，.舉例來說，例如7 r4.j以楚聚丙烯酸酯、丙烯酸酯《甲基丙烯酸共聚合物、苯乙烯* 酐共聚合物、聚乙嫌醇' Ν -經甲基丙烯基_胺 '苯乙録“乙烯基甲苯共聚合物 '氣韻醯化聚乙烯、硝基纖維素 200300932 、聚氯乙烯、氯化聚烯烴、聚酯、聚醯亞胺、醋酸乙烯酯· 氯化乙烯共聚合物、乙烯•醋酸乙烯酯共聚合物、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯等高分子物質；及聚矽烷偶合劑等表面改質劑。底塗層係可以在將上述材料溶解或分散於適當溶劑內而調製成塗布液，然後利用旋轉塗布、浸塗、擠壓塗膜等塗敷方法，而將塗布液塗布在基板表面來形成。底塗層之層厚一般爲0.005至20微米範圍，較宜是在0_01至1 〇微米之範圍內。 <反射層> 就反射層而言，可使用對光之反射率高的光反射性物質。該反射率宜是在70%以上。高反射率之光反射性物質，舉例來說，例如是Mg、Se 、丫、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Μη、Re、Fe 、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、lr、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd 、Al、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi 等金屬及半金屬、或不銹鋼。此等光反射性物質係可以單獨使用，或者是使用二種以上之組合、或合金也可以。此等之中較佳的物質係爲Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、AI及不銹鋼。特別是以Au、Ag、Al或其合金更佳，最佳則是Au、Ag或其合金。反射層係可以利用蒸鍍、濺噴、或離子電鍍前述光反射性物質，而使形成在基板或記錄層上。反射層之層厚一般爲10至300奈米之範圍，較宜是在50至200奈米之範圍 200300932 內。以上之反射層，不需要一定是在後述之記錄層的反射率足夠大的情況。 <記錄層> 記錄層係形成於上述之反射層上，並藉著波長爲380〜500 奈米、透鏡開口率N A爲0.7以上之之雷射光，而使資訊之記錄再生變爲可能的有機物層。又，前述記錄層之折射率（η )關於記錄用之雷射波長係1 . 8 $ η $ 1 . 9，較宜是1 · 8 S η€1·89，更宜是 1·85$η$1·89。可做爲前述之有機物者，較宜是選自於三唑系化合物、酞菁化合物、聚菲啉系化合物、胺基丁二烯系化合物、及氰系化合物所組成群類中之至少一種；.酞菁化合物較宜是烷氧基取代物、磺醯胺取代物、胺亞磺醯基取代物、磺酸取代物中之至少一種。又且，可以倂用在日本特開平4 - 7 4 6 9 0號公報、曰本特開平8-127174號公報、日本特開平11-53758號公報、曰本特開平11-334204號公報、日本特開平11-334205號公報、日本特開平11-334206號公報、日本特開平11—334207 號公報、日本特開2000-43423號公報、日本特開2000-1 0 8 5 1 3號公報、及日本特開2 0 0 0 -1 5 8 8 1 8號公報等公報上所記載的色素。更且，上述色素並沒有特別地限定，三唑化合物、三哄化合物、氰化合物、羥甲基氰化合物、胺基丁二烯化合物、酞菁衍生物、桂皮酸化合物、紫哄化合物、吖化合物、 -13- 200300932 氧醇基苯并噚唑化合物、苯并三唑化合物等之有機化合物等有機化合物也適合使用。此等化合物中，特別是以氰化合物、胺基丁二烯化合物、苯并三唑化合物、酞菁衍生物較佳。前述之酞菁衍生物較宜是以下述通式（1)所代表之化合物通式（1):

(在通式（1 )中，R係代表取代基，η代表1至8之整數，门爲2以上之整數時，複數個r係爲同一或相異也可以；Μ 代表2個氫原子、2價至4價之金屬原子、2價至4價之氧金屬原子、或具有配位子之2價至4價的金屬原子。）在酞菁衍生物中，特別是以下述通式（2)所代表之酞菁衍生物較佳。 -14 一 200300932 通式（2):

在通式（2)中，Ra1〜Ra8及R/S1〜R〃8分別代表獨立之氫原子、鹵原子、氨基、硝基、甲酿基、殘基、〖貝基、如原子數1至2 0之取代或未取代的烷基、碳原子數6至1 4之取代或未取代的芳基、碳原子數1至1〇之取代或未取代的雜環基、讀原子數1至20之取代或未取代的院氧基、譏原子數6至14之取代或未取代的條丙氧基、碳原子數2 至2 1之取代或未取代的醯基、碳原子數1至2 0之取代或未取代的烷基楓基、碳原子數6至14之取代或未取代的芳基楓基、碳原子數1至10之取代或未取代的異丙基楓譏原子數1至25之取代或未取代的氨基甲醯基、碳 1二數〇至32之取代或未取代的胺磺醯基、碳原子數2 Ξ:: 之取代或未取代的烷氧羰基、碳原子數7至15之取 :-：：:：未取代的芳氧MS '碳原子數2至21之取代或未取代...至胺基、碳原子數1至20之取代或未取代的磺醯胺 -15- 200300932 基、Ra1〜FT8最好非全部爲氫原子，表具有2個氫原子、2價至4價之金屬原子、2價至4價之氧金屬原子、或具有配位子之2價至4價的金屬原子金屬。R«1〜R"8及 R p〜R μ中至少有8個是氫原子。通式（2)中之Ra1〜Μ8及rp〜γ8較宜是各個獨立爲氫原子、鹵原子、羧基、磺基、碳原子數1至16.之取代或未取代的烷基（例如’甲基、乙基、η-丙基、卜丙基）、碳原子數6至14之取代或未取代吟芳基（例如，苯基、卜甲氧本基、ρ·十八基本基）、碳原子數1至16之取代或未取、代的烷氧基（例如，甲氧基、乙氧基、η_辛氧基）、碳原子數6 至1〇之取代或未取代的芳氧基（例如，酚氧基、ρ-乙氧基酚氧基）、碳原子數1至20之取代或未取代的烷基碼基（例如，甲硫醯基、心丙硫醯基、η..辛硫薩基）_、碳原子數2至 20之胺磺醯基、碳原子數s至之取代_未取代的芳基職基（例_ :固苯基、苯基礙:基）' 碳原；..、， .主c υ a取代或未取代的蒙磺醒基（俩如，甲基胺磺驗薦、^丁 :寧胺硫醯基）、碳原子數1至之院氧取代或未取代的垸賴基( 例如，甲氧羰基、η-丁氧羰基）、碳原子數 ’ ！ 1 &之取代境未取代的芳氧類基（例$:]:酚氧羰基、D,.„ > _ 1 ^ '本 v 士：）、碳原+數2至之取代或未取代的醯胺基丨v 宜、u儿：乙_胺基、污醯胺基…-a醯胺基碳原子數彳至1❹二τ 、 Λ .. .Η乂代琢禾的磺薩1?基：:例$[ΐ ’ ’ 磺醯胺基、3㈣ ' ίιΐοϊ jiSC ^ } 200300932 石貝基、碳原子數1至1 6之取代或未取代的烷基、碳原子數1至1 6之取代或未取代的烷氧基、碳原子數1至20之取代或未取代的烷基碾基、碳原子數6至14之取代或未取代的芳基楓基、碳原子數2至20之胺磺醯基、碳原子數1至1 3之烷氧取代或未取代的烷氧羰基、碳原子數2 Μ 2 1之取代或未取代的醯胺基、碳原子數1至1 8之取代或未取代的磺醯胺基；更且R«1〜RU較宜是氫原子、鹵原子、磺基、碳原子數1至1 6之取代或未取代的烷氧基、碳原子數1至20之取代或未取代的烷基碾基、碳原子數6 至14之取代或未取代的芳基楓基、碳原子數2至20之胺磺醯基、碳原子數2至1 2之取代或未取代的醯胺基、碳原子數1至1 8之取代或未取代的磺醯胺基，而R 〃 1〜R w 是氫原子或鹵原子；R " 1〜R α 8特佳是氫原子、磺基、碳原子數1至20之取代或未取代的烷基楓基、碳原子數7至20 之胺磺醯基，而Μ 1〜R θ 8是氫原子。在前述通式（2)所代表之酞菁衍生物中，及Ra2之任〜者，RU及R “之任一者，R«5及RU之任一者，[^7及 R α 8之任一者的總計4個取代基較宜是不同時爲氫原子。在通式（2)中，Ra1〜Ra1及Μ1〜Μ8亦可以具有取代基，而取代基之實例，舉例來說’例如是如以下所記載之物〇碳原子數1至2 0之鏈狀或環狀的取代或未取代之烷基（例如，甲基、乙基、異丙基、環己基、苄基、苯乙基）、碳原子數6至1 8之取代或未取代的芳基（例如’苯基、氯苯 200300932 基、2,4-二-t-戊基苯基、1-萘基）、碳原子數2至代或未取代的鏈烯基（例如，乙烯基、2 -甲基乙稀基）、炉原子數2至20之取代或未取代的炔基（例如，乙炔基、、2 - 甲基乙炔基、2-苯基乙炔基）、鹵原子（例如，F、ci、p

Br、I) 、氰基、羥基、羧基、碳原子數2至20之取代或未取代的醯基（例如，乙醯基、苯醯基、水楊醯基、三甲基z ^ 基）、碳原子數1至20之取代或未取代的烷氧基（例如，基、丁氧基、環己基羥基）、碳原子數6至20之芳氧如’苯氧基、1-萘氧基、P-甲苯醯基）、碳原子數彳至之取代或未取代的院基硫基（例如，甲硫基、丁硫基、g g 硫基、3_甲氧基丙硫基）、碳原子數6至20之取代或未代的方基硫基（例如，苯基硫基、4-氯苯基硫基）、碳數1至20之取代或未取代的烷基碾基（例如，甲硫釀基、丁烷醯基）、碳原子數6至20之取代或未取代的芳基諷_ < 例如，苯亞磺醯基、對甲苯磺醯基）、碳原子數1至17& 取代或未取代的胺基磺醯基（例如，無取代之胺基磺酶_、甲基胺基磺醯基、乙基胺基磺醯基、η - 丁基胺基磺_基、一甲基胺基磺醯基）、碳原子數1至1 6之取代或未取代的醯胺基（例如，乙醯胺基、苯甲醯胺基）、及碳原子數2革^ 之I 〇之取代或未取代的烷氧羰基（例如，甲氧羰基、乙氧鑛基> ' 5或6員之取代或未取代的雜環基（例如，吡啶基、嚷@ 基、呋喃基、硫氮雜茂基、二氮雜茂基、吡唑啉基等芳香族雜環基；吡咯烷環基、氮己環基、對氧氯己環基、啦喃環基、吡喃環基、二噁烷環基、二硫雜環戊烷環基等雜壤 -18- 200300932 基）。在通式（2)中，Rd〜R«8及RyS1〜R/58之取代基較宜是碳原子數1至1 6之鏈狀或環狀的取代或未取代之烷基、碳原子數6至14之芳基、碳原子數1至16之烷氧基、碳原子數6至14之芳氧基、鹵原子、碳原子數2至17之烷氧羰基、碳原子數1至10之胺基磺醯基、及碳原子數1至10 之醯胺基。其中較佳者爲碳原子數1至10之鏈狀或環狀的烷基、碳原子數6至10之芳基、碳原子數1至10之烷氧基、碳原子數6至10之芳氧基、氯原子、碳原子數2 至11之烷氧羰基、碳原子數1至7之胺基磺醯基、及碳原子數1至8之醯胺基。此等之中，特佳者爲碳原子數1至8之鏈狀或環狀的取代或未取代之烷基、碳原子數1至8之烷氧基、碳原子數 3至9之烷氧羰基、苯基及氯原子；最好是碳原子數1至 6之未取代的烷氧基。 Μ較宜是2至4價之金屬原子；其中，又以銅原子、鎳原子、或鈀原子較佳，更好爲銅原子或鎳原子，最好則是銅原子。通式（1 )或通式（2)所代表之化合物，亦可在任意·位置鍵結而形成高分子聚合物，此時之各單位可以相同或不同，又，鍵結於聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇、纖維素等之聚合物鍵上也可以。在本發明之光資訊記錄媒體中所使用之以通式（1 )或通式 (2 )所代表的酞菁衍生物，係可以單獨使用特定之衍生物， 200300932 亦可將複數種具有不同構造者予以混合使用。尤其是爲了防止記錄層結晶化之目的，較宜是使用取代基之取代位置不同的異構物之混合物。以下，舉例說明在本發明中所使用之酞菁衍生物的較佳具體實施例，然而，本發明並不僅限於此等之物而已。在表1至3中，例如，所謂的Rx/Ry(x及y代表α 1至α 8、/3 1至/3 8中之任一者）標記係代表Rx或Ry中之任一者之意義；從而，具有此標記之化合物爲取代位置異構體之混合物。又，在未取代之情況下，意即以氫原子取代的情形，則省略標記。

- 20- 200300932 衾1

No. 置換基位置及置換基 M (I — 1) R{l]/R(t\ Ra^/Ra\ R"7/RrKR -S02N (0,11,, - i) 2 C u (I 一 2) Ral/Ra2、R^/R“、Rd/R0^、Ra7/Ra8 —S02NH (2 — 5-butoxy—5 —f-amy 1 pheny 1) C u (I - 3) Rq1/Rq2> R°VR°4, rq5/rq6 -S02NH (CH2) 3〇（2，4 一di —卜 amyl — pheny 1 ) Ru7/R°8— S〇3H C u (I 一 4) Ral/Ra2\ Ra3/Rat\ R^b/Ra\ Ra7/R°8 一 S〇2N (3 — methoxypropyl) 2 N i (I — 5) R,j1/Ru2> RuVRtt\ R^VR'^. RuVR,fR -S02NMe (cyclohexyl) N i (I ~ 6) RaVRa2，Ra3/Rc4> Ra5/Ra6> R^/R08 -S02N (3 -j- propox y phenyl) 2 X 1 (I 一 7) Rfll/Ra2, Ra3/RaA, RaS/Ra\ Ra7/Ra& P d —S〇2NH (2—/—amyloxy — carbonyl pheny 1) (]— 8) RaJ/Ra\ Ra2/Ra4, Ra5/Ra\ Ra7/Rag .-S02NH(2., 4, 6 — trimethyl • pheny l ) P d f I 一 9) KuVRu2, Rlx2/Ru\ R(lVR<l\ Rrt7/Rafl S 0 2 (4-morphol ino) Co 、.：— ::0) h〔]/Ra2，Ra3/TRa4、Re5/Ra6、Rff7/R“ -3 0 2 N (C 2 H 5) (4 ~ f 1 u o r o p h e n y 1 ) F e .]1 ) R"VRa2v Ra3/Ra\ Ra5/Ra6 -so2nh (ch2) 3n (c2h5) 2 C u (I 一 12) Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Rc5/R“、ReVRaa — S〇2 (2 — /? — propox y phenyl〉 C u / T . .13) RGVRa2、RaVRa4、Ra5/Ra6、RttVRa3 N i 3 O 2 ( 2 — 一 b u t o x y — 5 — i 一 b u t y 1 ；i e n y 1 ) ~ 4 ) :/RQ2, Ra3/RQ4, RaVRa6, Ra7/Ra" ；J 02 (2—methoxycarbonyl Co e n y ]) -21- 200300932 t<2

No. 置換基位置及置換基 Μ (I - -L5) R al/Ra2、Ra 3/Ra\ R"5/R°6. Ra7 /Ra8 C u 一 SO, (CH2) 4 0 (2 — c h 1 o r o —4 一 f一 amy 1 p h e n y 1 ) (I - -1 6) R aVRa2> R" 3/Ra4、 VRa6、 Ra7 /R°8 P d 一 so2 (CH2) 2〇〇2〇4Η9~- i (I - -1 7) R al/Ra2> Ra 3/Ra4、 RaS/Ro6、 Ra7 /R“ c u — S O ^ (eye 1 o h e x y 1 ) (I - -1 8) R al/Ra\ Ra 3/R0M、 Ra 5/Ra6、 R07 /R “ N i 一 S〇2 Ί4 —（2 — 5* — butoxy -benzoylamino) phenyl) (I 一 19) Rai/RaK Ra3/Ra\ RQ5/RDfi P d 一 S02 (2，6-dichloro —4—me thoxypheny 1) (1-2 0) Rul/Ra2、Ra3/Rtf4、RaI3/R“ Mg -SOsCH (Me) C02CH2 -CH (C2Hb) C4H9-i?

t> α 1 / O ft 2 r? a 3 / Ό a A TD a E (I - -2 1) R al/Ra\ Ra3 /Ra A Ra S/R06、 Ra VRa8 z n — S〇2 Ί2 - -(2 一 e t h ox y e t h ox y) 一 p h e n y 1} R 01/Κβ\ R^3 /Κβ 4 5/R“、 VRW — C2H5 (I - -2 2) K W2、 Ras /Ra 4 Ra S/R06、 RQ 7/rotS c u — S〇2N (CH2I CH2OMe) 2 (I · -2 3} R d/Ra2、 Ra3 /Ra 4 R c 5/R06、 R ° 7/R 08 N i — OCH2CH (C 2h5) c 4H 9 一刀 (I - -2 4) K Ul/R “、 R “ /Ra 4 Ra 5/RoG、 R_a VRa8 z n — OCHMe (p h e n y 1) (I - -2 5) R a 1 〇： 2 Ra3 ,R" 4 、 Ra 5 Q 6 Ra 7、 c u -OCH (5-butyl) (I 一 2 6) Ral、Ra2、 a 3 a 4 0 5 q 6 Ra7、Ra8 —〇CH2CH2〇C3H7 — / S : i C 1 2 (I 一 2 7) Ral/Ra2、 Ra3/Ra4> Ra5XRQ\ Ra7/Rtt8 N l 一卜 a my 1 R^/R32, ~C 1 RW4、RW/R “、 R Ws -22- 200300932 表3 No. 置換基位置及置換基 M (I 一 2 8) R α VRo2、 Ra3 /Ra\ Rd /R “、 R"7/RQ8 1 :n — (2，6 - d i - -e t h o 1 x y p h e n y 1) (I 一 2 9) R al/Ra2、 Ra3 /Ra\ Ra5 /Ra6 c u — so2nhch2< CH2OC 3h7 —i R a 7 / h or 8 一 -SO 3H (I 0) R al/R 心、 R"3 /Rw、 RrtS c u — C〇2CH2CH: ?OC2Hc R cr 7 r nt ft 一 CO 2h (I 一 3 1) R a]/Ra2、 Ra3 /Ru4、 Ra5 /Ru€> Ru 7/RuB c 0 — C〇2CH (Me) C02C3H 7 —，· (1 -3 2) K Ul/Ra2、 Ra3 /Ra4、 RaG /R “、 Ra Vr。8 c u — CONHCH2CH2〇C3 h7- - i (I —3 3) R al/Ra2、 Ra3 /Ra\ RaS /R"6 P d — CON (CH2CH2OC4 Hr -n) 2 R a 7 / 只 cr 8 一 -CO 2H (I -3 4) R 0l/Ra2> R°3 /Ra\ Ra5 /R“、 Ra 7/Ra8 c 0 一 NHCOCH (C2H5) C4H 9一刀 (I -3 5) R al/Ra2, Ra3 /Ra\ R«s /R “、 Ra 7/Ra8 M 8 — NHC〇（2 —刀一 b u t 0 X year b 0 ώ y l — p h e n y 1 ) (I 一 3 6) R al/RnK Rn [/Ra\ R05 /R “、 RQ 7/R08 P d '— nhso2 (2 - / — p r 〇P o x y p he n y 1 ) (I 一 3 7) R al/R02、 Rtt3 丨/R a4、 R a5 /R “、 R a 7/Ru8 z n 一 nhso2 (2 - • /7 — b u to x y — 5 一 t —amy 1 p h e n y 1 ) -2 3 200300932 (1-38)

C5H”一N C5H”一NH

NH-CsH^ NH—CsHh

200300932 記錄層之形成，係可藉由將上述之色素（有機物等）之記錄物質，與結合劑等一起溶解在溶劑中而調製成記錄層塗布液，其次將此種記錄層塗布液塗布於形成在基板表面之反射層上，使形成塗膜同時乾燥之而形成。在該記錄層塗布液中之記錄物質的濃度，一般係在0 · 0彳〜1 5質量。/。之範圍，較宜是0.1〜10質量。/。之範圍，更宜是在0·5〜5質量。/〇之範圍，最宜是在0.5〜3質量％之範圍。又，溶解記錄物質等之處理方法，係適合使用超音波處理、勻化器、加溫等方法。可做爲調製記錄層塗布液時之溶劑者，舉例來說，例如是醋酸丁酯、乳酸乙酯、乙酸溶纖劑等之酯類，甲基乙基酮、環己酮、甲基異丁基酮等之酮類，二氯甲烷、1,2二家：乙烷、氯仿等之氯化烴類，二甲基甲醯胺等之醯胺類， Ε基環己烷等之烴類，四氫呋喃、乙醚、二噚烷等之醚類 ’醇、η -丙醇、異丙醇、η -丁醇、二丙酮醇等之醇類， 3,3-四氟化丙烷等之氟系溶劑，乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚等之二醇醚類等。當考慮上述溶劑所使用的化合物之溶解性時，以單獨_ ::要而進一步添加防氧化劑、U V吸收劑、可塑劑、潤滑劑 g之各種添力□齊U。 Ξ使用結合劑之情形下，可做爲結合劑者，舉例來說， :…：可以是明膠、纖維素衍生物、糊精、松香、橡膠等天会::ί機高分子物質，聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚異丁 -25 - 200300932

鈿等碳氫系樹脂，聚氯乙烯、聚氯亞乙烯、聚氯乙烯·聚乙酞乙烯酉曰共聚物等之乙烯系樹脂，聚丙烯酸甲酯、聚甲丙烯酸甲酯等丙烯酸樹脂，聚乙烯醇、氯化聚乙烯、環氧樹脂樹脂、縮丁醛樹脂、橡膠樹脂、苯酚·甲醛樹脂等熱硬化樹脂之初期縮合物等之合成有機高分子。在倂用結合片!1來做爲gB錄層之材料的情況下，結合劑之使用量，相對於記錄物質計，一般係在0 · 〇 1〜5 〇倍量（質量比）之範圍，較宜是在〇 _ 1 ~ 5倍量（質量比）之範圍。依照此種做法所調製成之塗布液的濃度，一般係在0.0 1〜1 〇質量％之範圍，較宜是在〇·1〜5質量％之範圍。可做爲塗布方法者，舉例來說，例如是噴塗法、旋塗法、浸漬塗布法、輥塗法、刮刀塗法、擠壓塗布法、網版印刷法等。記錄層可爲單層也可以是雙層。記錄層之層厚， —般來說係在z G〜5 u υ示米’ _ _ ’較：g；是在3 ::〜3 0 〇奈兴之範圍，更宜是在ε 〇〜1 ο: 〇惑：笨之範圍t

又且，塗布溫度如是在2 3〜义的話，就不倉著特別的間題，較宜是在24〜40C ’更且是充25〜37C。

爲了防止光碟撓曲，向塗布膜照射紫外線時官是沾尸 :ϊ:之光麗射器（較佳爲 .:豪秒以下，更宜是在享：^到地_定，：興宜是：：

-26 - 200300932 就記錄層而言，爲了進一步提昇記錄層之耐光性，其係可以含有各種之褪色防止劑。可做爲褪色防止劑者，一般係可以使用單態氧阻尼劑。可利用已知的公知專利說明書等之公報上所記載之物，來做爲單態氧阻尼劑。其具體例，舉例來說，例如在日本特開昭5 8 -1 7 5 6 9 3號公報、日本特開昭59-8 1 1 94號公報、日本特開昭60-1 9586 號公報、日本特開昭 60-1 9587號公報、日本特開昭60-35054號公幸g、日本特開昭60-36 1 90號公報、日本特開昭 60-361 91號公報、日本特開昭60-44554號公報、日本特開昭60-44 555號公報、日本特開昭60-44389號公報、日本特開昭60-44390號公報、日本特開昭60-54892號公報、曰本特開昭 60-47069號公報、日本特開昭 63-209995 號公報、日本特開平1 -254924號公報、日本特公平1 -38680 號公報、日本特公平6-26028號公報等各公報；及德國專利第35 039 99號說明書、以及日本化學會誌1 992年10月第1 1 4 1頁等上所記載之物。前述單態氧阻尼劑等褪色防止劑之使用量，相對於所記錄之化合物量計，通常係在0.1〜55質量％之範圍，較宜是在0.5〜45質量％之範圍，更宜是在3〜40質量％之範圍，特佳是在5〜25質量％之範圍。 <中間層> 中間層係形成於上述記錄層與下述之接著層之間。當記錄層上形成有接著層時，接著層之接著劑將會溶解記錄層 -27 - 200300932 之有機物，因而藉由設置中間層使接著劑不直接接觸記錄層，故可以防止接著劑溶解記錄層。從而’在本發明中，該中間層之層厚度係在1奈米以上但在9奈米以下。當該中間層之層厚度不足1奈米時，接著劑將會浸蝕記錄層，而無法達成中間之果效；當超出9奈米時則將致使雷射光之穿透率變差，反射率下降。上述該中間層之層厚度較宜是在2奈米以上但在8奈米以下，更宜是在3奈米以上但在7奈米以下。構成中間層之材料，若是雷射穿透材料的話即可，並沒有特別地限定，但較宜是介電體。比較具體的材料，舉例來說，係爲自 Zn、Si、Ti、Te、Sn、Mo、Ge等氮化物、氧化物、碳化物、及硫化物中所選出之至少1種；也就是說，例如，ZnS、Mo〇2、Ge02、Te〇、Si〇2、Ti 〇2、ZnS-Si02、Sn〇2。較宜是2心-3丨〇2或Si〇2。尤其，較宜是硫化物及氧化物中之至少一種。 ’ <接著層> 接著層係爲了提昇上述記錄層、與後述之包覆層間之密著性而形成之層。構成接著層之材料，較宜是光硬化性樹脂；在彼等之中 ’爲了防止光碟之翹曲之目的，較宜是使用硬化收縮率小之物。此種硬化性樹脂舉例來說，例如可以是大日本油墨化學工業股份有限公司製之、「SD_640」、「SD-347」等之 U V硬化性樹脂（U V硬化性接著劑）。又，接醏層之厚度，爲了使具有彈性，則較宜是在1〜1 〇〇〇微米之範圍；更宜 200300932 是在5〜500微米之範圍；特佳是在1〇〜100微米之範圍。其他形成接著層之材料的例子，舉例如下。該種材料係可以藉著以放射線照射而使之硬化的樹脂，一種在分子中具有2個以上之放射線官能性之雙鍵的樹脂；舉例來說，例如，丙烯酸酯類、丙烯酸醯胺類、甲基丙烯酸酯類、甲基丙烯酸醯胺類、丙烯醯基化合物、乙烯醚類、乙烯酯類等。較宜是具有2官能基以上之丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物。 2官能基之具體實施例係可以使用乙二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、丁二醇二丙烯酸酯、己二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、丙二醇二甲基丙烯酸酯、丁二醇二甲基丙烯酸酯、己二醇二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、三丙二醇二甲基丙烯酸酯等所代表之於脂肪族二醇中加成丙烯酸、甲基丙烯酸之物。又，也可以在使用聚乙二醇、聚丙二醇、聚四亞甲基二醇等之聚醚多醇中加成丙烯酸、甲基丙烯酸之聚醚丙烯酸酯、聚醚甲基丙烯酸酯，或在由公知的二鹼基酸、二醇所得到的聚酯多醇中加成丙烯酸、甲基丙烯酸的聚酯丙烯酸酯、聚酯甲基丙烯酸酯。更且，也可以使用使公知的多醇、二醇和聚異氰酸酯起 200300932 反應的聚胺基甲酸酯中加成丙烯酸、甲基丙烯酸之聚胺基甲酸酯基丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯基甲基丙烯酸酯。 •又，聯酚A、聯酚F、氫化聯酚A、氫化聯酚F、及彼等之伸烷氧化物加成物中加成丙烯酸、甲基丙烯酸之物或異氰酸伸烷基氧化物改性之二甲基丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇、三環癸烷甲醇丙烯酸酯等之具有環狀構造之物。前述之放射線，係可以使用電子線及紫外線來做成。在使用紫外線之情況，必要時可在以下之化合物中添加光聚合起始劑。可使用芳香族酮來做爲光聚合起始劑。芳香族酮並沒有特別地限定，然通常使用生成亮線光譜之水銀燈來做爲紫外線照射光源。以在2 5 4、3 1 3、8 6 5奈米波長上之吸光係數較大者爲佳。其代表例子，係可以使用如苯乙酮、二苯甲酮、苯偶因乙醚、苄基甲基酮縮醇、苄基乙基酮縮醇、苯偶因異丁酮、羥基二苯酮、1-羥基環己基苯酮、2二乙氧基苯乙酮、米契勒氏酮等各種芳香族酮。芳香二酮之混合比例，相對於1 00質量份之化合物（a)計，較宜是2〜15質量份，更宜是3〜10質量份。以預先添加光起始劑之市售物來做爲紫外線硬化型接著劑使用，也沒有關係°可以使用水銀燈來做爲紫外線光源。水銀燈係可使用 2G 4G0W/公分之燈，以〇_3公尺/分鐘〜20公尺/分鐘之度交‘ Η屌。基材與水銀燈間之距離一般較宜是1〜3 〇公分。電子線加速器雖然是可採用掃描方式、雙重掃描方式、矿& ’幕狀光束方式，但較宜是使用比較便宜且輸出功率大’簾幕狀光束方式。電子線特性之加速電壓宜是 -30 - 200300932 量宜〇仟 1000 而不形成酸酯率爲而言當的塗布塑膠積層膜較〜0.2 是在用接可以 100〜1〇00仟伏特，較宜是150〜300仟伏特；吸收線是〇·5〜20Mrad，更宜是1〜10Mrad。當加速電壓在 1 伏特以下的情形下，能量之穿透量將不足，當超過仟伏特時則使用在聚合中的能量效率變差，耗費成本宜。 <包覆層> 包覆層係爲了防止水分侵入光資訊記錄媒體內部而的’並沒有特別地限定是透明之材質，但較宜是聚碳、三乙酸纖維素等；更宜是在23 °C、50 % RH下之吸溼 5%以下之材料。又’所謂之「透明」係指對於記錄光及再生光之光，穿透（穿透率：90 %以上）該光之程度即爲透明之意。包覆層係可將構成接著層之光硬化性樹脂溶解於適溶琵中而調製成塗布液後，於特定溫度下將該塗布液於記錄層上使形成塗布膜，再於該塗布膜上積層如以之马岀加工所得到的三乙酸纖維素膜（TAC膜），從經之TAC膜上照射光使塗布膜硬化而形成。前述TAC 宜是含有紫外線吸收劑之物。包覆層之厚度宜是在〇 · 〇 1 毫米之範圍，較宜是在0.03〜0.1毫米之範圍，更宜 (K 0 ::…0.095毫米之範圍。依照以上所述，在本發明具體實施例中，雖然可利著劑接著透明狀之材料而形成包覆層，然而包覆層也是j E接著劑（接著層）所構成之物。又，在本發明具體實施例之光資訊記錄媒體中，因應記 200300932 錄特性需要可於反射層與記錄層間形成層。例如，也可以設置以提昇記錄層間穿透層，在設有相變化型記錄層之情況放熱用之光穿透層。介電體層也可以是使用由Zn、Si、Ti 、G e等之氮化物、氧化物、碳化物、硫體層，例如較佳是ZnS- Si02之物。光穿透層可以是使用在雷射波長之穿^ 物中的任一種材料。上述介電體層或光穿透層係可以藉由形成。介電體層之厚度較宜是1〜100奈度較宜是2〜50奈米。【實施例】本發明之實施例係詳細說明如下’但此等之物而已。 (實施例1〜9、比較例1〜2 ) 在厚度爲1.1毫米、直徑爲120毫米槽（軌距：3 4 0奈米、槽寬：4 0奈米、槽深型聚碳酸酯（帝人公司製之聚碳酸酯， AD5503)基板的具有導引槽之表面上’ _ 奈米膜厚之反射層；之後’將以下述構與乳酸甲酯混合成3 %，進行超音波處理而調製成色素塗布液。利用旋塗法’於條件下，一邊使轉數於300〜4000「pm 介電體層或光穿透接著性爲目的之光下，也可以設置一、丁e、Sn、Mo、Zr 化物所形成的介電 i率爲9 0 %以上之習用公知的方法來米；光穿透層之厚本發明並非僅限於之具有螺旋狀導引 :1 5奈米）之射出成商品名：泵來特 :塗Ag使形成1 20 造式所示之有機物 2小時使之溶解’ 2 3 °C ' 5 0 % R Η 之變化，一邊塗布該 200300932 色素塗布液。之後，於2 31：、5 0 % R Η下捏和2小時，依照表4中所示各實施例及比較例之厚度噴塗z n S - S i 〇 2，利用旋塗法，以1 0 0〜3 0 0 r p m，塗布U V硬化性接著劑（大日本油墨化學工業股份有限公司製，SD-640)，再疊合聚碳酸酯（純酯帝人公司製，膜厚80微米），一邊使轉數於300到 4 000 rpm間變化，一邊將接著劑廣佈於全面上，然後以uv 燈照射紫外線使之硬化，而製做成各實施例1〜9及比較例 1〜2之試樣。又，在比較例1之試樣中，不噴塗ZnS- Si02

(實施例10〜18、比較例3) 在厚度爲1.1毫米、爲120毫米之具有螺旋狀導引槽（軌距：340奈米、槽寬：4〇奈米、槽深：15奈米）之射出成型聚碳酸酯（帝人公司製之聚碳酸酯，商品名.·水來牛寸 AD5503)基板的具有導引槽之表面上，噴塗八9使形成120 -33 - 200300932 奈米膜厚之反射層；之後，將歐拉若魯布魯-gn(汽巴精密化學公司製）與2,2,3,3，-四氟丙醇混合成3%，進行超音波處理2小時使之溶解，而調製成色素塗布液。利用旋塗法，於2 3 °C、5 0 % R Η之條件下，一邊使轉數於3 0 0〜4 0 0 0 r p m 變化，一邊塗布該色素塗布液。之後，於2 3 °C、5 0 % R Η下捏和2小時，依照表4中所示各實施例及比較例之厚度噴塗Si〇2，利用旋塗法，以1 〇〇〜300 rpm，塗布UV硬化性接著劑（大日本油墨化學工業股份有限公司製，SD-640)，再疊合聚碳酸酯（純酯帝人公司製，膜厚80微米），一邊使轉數於3 0 0到 4 0 0 0 r p m間變化，一邊將接著劑廣佈於全面上，然後以U V燈照射紫外線使之硬化，而製做成各實施例1 0〜1 8及比較例3之試樣。 (實施例1 9〜2 7、比較例4 ) 在厚度爲1.1毫米、直徑爲120毫米之具有螺旋狀導引槽（軌距：340奈米、槽寬：40奈米、槽深：15奈米）之射出成型聚碳酸酯（帝人公司製之聚碳酸酯’商品名：泵來特 AD5503)基板的具有導引槽之表面上，噴塗AgPdCu使形成90奈米膜厚之反射層；之後，將以下述構造式所示之有機物與2，2，3，3，-四氟丙醇混合成3 %，進行超音波處理2 小時使之溶解，而調製成色素塗布液。利用旋塗法’於2 3 °C、50% RH之條件下，一邊使轉數於300〜4000 rpm變化，一邊塗布該色素塗布液。之後，於80 °C進行捏和1小時，依照表4中所示各實施例及比較例之厚度噴塗Z n S -S i〇2，利用旋塗法，以1 0 〇〜3 0 0 r p m，塗布U V硬化性接 200300932 著劑（大日本油墨化學工業股份有限公司製，SD-640)，再疊合聚碳酸酯（純酯帝人公司製，膜厚80微米），一邊使轉數於300到4 000 rpm間變化，一邊將接著劑廣佈於全面上，然後以U V燈照射紫外線使之硬化，而製做成各實施例1 9〜27及比較例4之試樣。【化5】

200300932 表4 中間層之層厚/nm 反射率/% C/N(dB) 實施例1 1 23 33 實施例2 2 21 36 實施例3 3 20 38 實施例4 4 19 39 實施例5 5 18 40 實施例6 6 17 39 實施例7 7 15 37 實施例8 8 13 35 實施例9 9 11 32 實施例10 1 31 32 實施例11 2 29 34 實施例12 3 27 35 實施例13 4 25 35 實施例14 5 23 36 實施例15 6 21 35 實施例16 7 19 34. 實施例17 8 16 32 實施例18 9 13 29 實施例19 1 32 35 實施例20 2 35 38 實施例21 3 36 40 實施例22 4 36 42 實施例23 5 35 45 實施例24 6 33 43 ! 實施例25 7 29 41 實施例26 8 25 40 實施例27 9 20 35 I 比較例1 0 無法記錄比較例2 10 8 25 比較例3 10 8 22 比較例4 10 10 23 200300932 如表4所不’可明白實施例1〜27之光資訊記錄媒體中任一者之中間層的層厚度均在1奈米以上但在9奈米以下，反射率高，且載波噪聲比大。相對的，在比較例1〜4 中之光資訊記錄媒體’未設置中間層，或者中間層的層厚度均在1 0奈米以上’其反射率低，且載波噪聲比小。【發明之效果】依照本發明，將可以提一種持有反射率高、載波噪聲比 (C / N )大、且安定的記錄再生特性之光資訊記錄媒體。

Claims

200300932 拾、申請專利範圍 1 . 一種光資訊記錄媒體，其係在基板表面上依序具有記錄層、中間層及包覆層，並通過透鏡開口率NA爲0.7以上之透鏡，照射波長爲380〜500奈米之雷射光，而使記錄再生之光資訊記錄媒體，其特徵在於：前述記錄層爲有機物層，並且該中間層之層厚度係在1奈米以上但在 9奈米以下。 2 ·如申請專利範圍第1項之光資訊記錄媒體，其中有機物 φ 係由苯并三唑衍生物及/或酞菁衍生物所構成，而且前述之中間層係由介電體所構成。 3 ·如申請專利範圍第2項之光資訊記錄媒體，其中有機物係由酞菁衍生物所構成，前述記錄層之折射率（η )關於記錄用之雷射波長係1 · 8 S n g彳.9，前述介電體係爲硫化物及氧化物中之至少一種’並且該中間層之層厚度係在1 奈米以上但在9奈米以下。 -38 - 200300932 * 陸、(一)、本案指定代表圖爲:第—圖 ' (二）、本代表圖之元件代表符號簡單說明：

柒、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

-4-