JP2003228882A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高反射率で、キャリア・ノイズ比が大きく、
安定した記録再生特性をもつ光情報記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 基板表面に、記録層、中間層、及びカバ
ー層をこの順に有し、波長が３８０〜５００ｎｍのレー
ザー光を、レンズ開口率ＮＡが０．７以上のレンズを通
して照射し記録再生する光情報記録媒体であって、前記
記録層が有機物の層であり、前記中間層の層厚が１ｎｍ
以上９ｎｍ以下である光情報記録媒体である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、特にヒートモードによる追記型光情報録媒体に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、レーザー光により一回限りの
情報の記録が可能な光情報記録媒体（光ディスク）が知
られている。この光ディスクは、追記型ＣＤ（所謂ＣＤ
−Ｒ）とも称され、その代表的な構造は、透明な円盤状
基板上に有機色素からなる記録層、金等の金属からなる
反射層、さらに樹脂製の保護層（カバー層）がこの順に
積層したものである。そしてこのＣＤ−Ｒへの情報の記
録は、近赤外域のレーザ光（通常は７８０ｎｍ付近の波
長のレーザー光）をＣＤ−Ｒに照射することにより行わ
れ、記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度
上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの
生成）によりその部分の光学的特性が変化することによ
り情報が記録される。一方、情報の読み取り（再生）も
また記録用のレーザー光と同じ波長のレーザー光をＣＤ
−Ｒに照射することにより行われ、記録層の光学的特性
が変化した部位（記録部分）と変化していない部位（未
記録部分）との反射率の違いを検出することにより行わ
れている。

【０００３】近年、記録密度のより高い光情報記録媒体
が求められている。このような要望に対して、追記型デ
ジタル・ヴァーサタイル・ディスク（所謂ＤＶＤ−Ｒ）
と称される光ディスクが提案されている（例えば、「日
経ニューメディア」別冊「ＤＶＤ」、１９９５年発
行）。このＤＶＤ−Ｒは、照射されるレーザ光のトラッ
キングのための案内溝（プレグルーブ）がＣＤ−Ｒの半
分以下（０．７４〜０．８μｍ）という狭い溝幅で形成
された透明な円盤状基板上に、通常、有機色素を含有す
る記録層、反射層、および保護層をこの順に積層したデ
ィスク２枚を記録層を内側にして貼り合わせた構造、あ
るいはこのディスクと同じ形状の円盤状保護基板とを記
録層を内側にして貼り合わせた構造を有している。そし
て、このＤＶＤ−Ｒへの情報の記録および再生は、可視
レーザー光（通常は、６３０ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲の
波長のレーザー光）を照射することにより行われてお
り、ＣＤ−Ｒより高密度の記録が可能である。

【０００４】最近、インターネット等のネットワークや
ハイビジョンＴＶが急速に普及している。また、ＨＤＴ
Ｖ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｔｅｌｅｖｉｓ
ｉｏｎ）の放映開始も間近にひかえている。このような
状況の下で、画像情報を安価簡便に記録することができ
る大容量の記録媒体が必要とされている。ＤＶＤ−Ｒは
現状では大容量の記録媒体としての役割を十分に果たし
ているが、大容量化、高密度化の要求は高まる一方であ
り、これらの要求に対応できる記録媒体の開発も必要で
ある。このため、ＤＶＤ−Ｒよりも更に短波長の光で高
密度の記録を行なうことができる、より大容量の記録媒
体の開発が進められている。

【０００５】有機色素を含む記録層を有する光情報記録
媒体において、記録層側から反射層側に向けて波長５３
０ｎｍ以下のレーザー光を照射することにより、情報の
記録および再生を行う記録再生方法が知られている（例
えば、特許文献１〜１５参照。）。これらの方法では、
ポルフィリン化合物、アゾ系色素、金属アゾ系色素、キ
ノフタロン系色素、トリメチンシアニン色素、ジシアノ
ビニルフェニル骨格色素、クマリン化合物、ナフタロシ
アニン化合物等を含有する記録層を備えた光ディスク
に、青色（波長４３０ｎｍ、４８８ｎｍ）又は青緑色
（波長５１５ｎｍ）のレーザ光を照射することにより情
報の記録および再生を行っている。

【０００６】一方、ＤＶＤとして相変化型の光ディスク
が知られているが、これは、記録層としてＧｅＳｂＴｅ
等の合金層を採用し、記録層にレーザー光で瞬間的に加
熱して、結晶状態からアモルファス状態に相変化させ、
相変化により変わる反射率を利用して記録再生する方式
である。最近、この相変化型のＤＶＤを用いて、青紫レ
ーザーにより記録再生をおこなうＤＶＲシステムが発表
された（「ＩＳＯＭ２０００」２１０〜２１１頁）。こ
のシステムにより、高密度化という課題に対しては一定
の成果が達成された。

【０００７】以上の光情報記録媒体において、記録層が
有機物からなる場合、カバー層を接着剤によって接着す
ると、記録層を構成する有機物が接着剤に溶解するとい
う問題があった。この問題は、記録層とカバー層との間
に中間層を設けることにより解決することができるが、
中間層の層厚が厚いと該中間層により反射率の低下を招
くという問題があった。

【０００８】

【特許文献１】特開平４−７４６９０号公報

【特許文献２】特開平７−３０４２５６号公報

【特許文献３】特開平７−３０４２５７号公報

【特許文献４】特開平８−１２７１７４号公報

【特許文献５】特開平１１−５３７５８号公報

【特許文献６】特開平１１−３３４２０４号公報

【特許文献７】特開平１１−３３４２０５号公報

【特許文献８】特開平１１−３３４２０６号公報

【特許文献９】特開平１１−３３４２０７号公報

【特許文献１０】特開２０００−４３４２３号公報

【特許文献１１】特開２０００−１０８５１３号公報

【特許文献１２】特開２０００−１１３５０４号公報

【特許文献１３】特開２０００−１４９３２０号公報

【特許文献１４】特開２０００−１５８８１８号公報

【特許文献１５】特開２０００−２２８０２８号公報

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の従来
の問題点に鑑みてなされたものであり、以下の目的を達
成することを課題とする。即ち、本発明の目的は、高反
射率で、キャリア・ノイズ比（Ｃ／Ｎ）が大きく、安定
した記録再生特性をもつ光情報記録媒体を提供すること
にある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する手段
は以下の通りである。即ち、基板表面に、記録層、中間
層、及びカバー層をこの順に有し、波長が３８０〜５０
０ｎｍのレーザー光を、レンズ開口率ＮＡが０．７以上
のレンズを通して照射し記録再生する光情報記録媒体で
あって、前記記録層が有機物の層であり、かつ前記中間
層の層厚が１ｎｍ以上９ｎｍ以下であることを特徴とす
る光情報記録媒体である。

【００１１】前記中間層は誘電体からなり、また前記有
機物はベンゾトリアゾール誘導体及び／又はフタロシア
ニン色素であることことが好ましい。

【００１２】前記有機物がフタロシアニン誘導体であ
り、前記記録層の屈折率（ｎ）が記録に用いられるレー
ザー波長において１．８≦ｎ＜１．９であり、かつ前記
誘電体が硫化物及び酸化物の少なくともいずれか一種で
あり、かつ前記中間層の層厚が１ｎｍ以上９ｎｍ以下で
あることが好ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の光情報記録媒体の
実施の形態について説明する。本発明の光情報記録媒体
は、基板表面に、記録層、中間層、及びカバー層をこの
順に有し、波長が３８０〜５００ｎｍのレーザー光を、
レンズ開口率ＮＡが０．７以上のレンズを通して照射し
記録再生する光情報記録媒体であり、前記記録層が有機
物の層であり、かつ前記中間層の層厚が１ｎｍ以上９ｎ
ｍ以下であることを特徴としている。以下、基板と記録
層との間に反射層を有する形態の各層について説明す
る。

【００１４】＜基板＞基板としては、従来の光情報記録
媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意
に選択して使用することができる。具体的には、ガラ
ス；ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等の
アクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等
の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリ
オレフィン；ポリエステル；アルミニウム等の金属；等
を挙げることができ、所望によりこれらを併用してもよ
い。上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および低価
格等の点から、ポリカーボネート、アモルファスポリオ
レフィンが好ましく、ポリカーボネートが特に好まし
い。また、基板の厚さは、０．５〜１．４ｍｍとするこ
とが好ましい。

【００１５】基板には、トラッキング用の案内溝または
アドレス信号等の情報を表わす凹凸（プレグルーブ）が
形成されている。より高い記録密度を達成するためにＣ
Ｄ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べて、より狭いトラックピッチ
のプレグルーブが形成された基板を用いることが好まし
い。プレグルーブのトラックピッチは、３００〜６００
ｎｍである。また、プレグルーブの深さ（溝深さ）は、
４０〜１５０ｎｍの範囲である。

【００１６】なお、後述する反射層が設けられる側の基
板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下
塗層を形成することが好ましい。該下塗層の材料として
は、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・
メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重
合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリル
アミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルス
ルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビ
ニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミ
ド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸
ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
カーボネート等の高分子物質；シランカップリング剤等
の表面改質剤；を挙げることができる。下塗層は、上記
材料を適当な溶剤に溶解または分散して塗布液を調製し
た後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エ
クストルージョンコート等の塗布法により基板表面に塗
布することにより形成することができる。下塗層の層厚
は、一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好まし
くは０．０１〜１０μｍの範囲である。

【００１７】＜反射層＞反射層には、レーザ光に対する
反射率が高い光反射性物質が用いられる。当該反射率と
しては、７０％以上である。反射率の高い光反射性物質
としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔ
ｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属および半金属ある
いはステンレス鋼を挙げることができる。これらの光反
射性物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の
組合せで、または合金として用いてもよい。これらのう
ちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ａｕ、Ａｌおよびステンレス鋼である。特に好ましく
は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌあるいはこれらの合金であり、最
も好ましくは、Ａｕ、Ａｇあるいはこれらの合金であ
る。

【００１８】反射層は、前述した光反射性物質を蒸着、
スパッタリングまたはイオンプレーティングすることに
より基板上に形成することができる。反射層の層厚は、
一般的には１０〜３００ｎｍの範囲とし、５０〜２００
ｎｍの範囲とすることが好ましい。以上の反射層は、後
述する記録層の反射率が十分大きい場合には必ずしも必
要ではない。

【００１９】＜記録層＞記録層は、上記反射層上に形成
され、波長が３８０〜５００ｎｍで、レンズ開口率ＮＡ
が０．７以上のレーザ光により情報の記録再生が可能な
有機物の層である。また、記録層の屈折率（ｎ）は、記
録に用いられるレーザー波長において、１．８≦ｎ＜
１．９が好ましく、より好ましくは、１．８≦ｎ＜１．
８９であり、さらに好ましくは、１．８５＜ｎ＜１．８
９である。

【００２０】前記有機物としては、トリアゾール系化合
物、フタロシアニン化合物、ポリフィリン系化合物、ア
ミノブタジエン系化合物、シアニン系化合物等でこれら
の少なくとも一種であることが好ましく、フタロシアニ
ン化合物としては、アルコキシ置換体、スルホンアミド
置換体、スルフォモイル置換体、スルホン酸置換体のつ
いてものの少なくとも一種であることが好ましい。

【００２１】また、特開平４−７４６９０号公報、特開
平８−１２７１７４号公報、同１１−５３７５８号公
報、同１１−３３４２０４号公報、同１１−３３４２０
５号公報、同１１−３３４２０６号公報、同１１−３３
４２０７号公報、特開２０００−４３４２３号公報、同
２０００−１０８５１３号公報、および同２０００−１
５８８１８号公報等に記載されている色素を併用するこ
とができる。さらに、上記色素には限定されず、トリア
ゾール化合物、トリアジン化合物、シアニン誘導体、メ
ロシアニン化合物、アミノブタジエン化合物、フタロシ
アニン誘導体、桂皮酸化合物、ビオロゲン化合物、アゾ
化合物、オキソノールベンゾオキサゾール化合物、ベン
ゾトリアゾール誘導体等の有機化合物も好適に用いられ
る。これらの化合物の中では、ベンゾトリアゾール誘導
体、フタロシアニン誘導体が特に好ましい。

【００２２】前記フタロシアニン誘導体としては、下記
一般式（１）で表されるフタロシアニン誘導体が好まし
い。

【００２３】

【化１】 ［一般式（１）中、Ｒは置換基を表し、ｎは１から８の
整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは同
一でも異なっていてもよく、Ｍは２個の水素原子、２価
から４価の金属原子、２価から４価のオキシ金属原子、
又は配位子を有する２価から４価の金属原子を表す。］

【００２４】フタロシアニン誘導体の中でも、特に、下
記一般式（２）で表されるフタロシアニン誘導体が好ま
しい。

【００２５】

【化２】

【００２６】一般式（２）中、Ｒ^α1〜Ｒ^α8及びＲ^β1
〜Ｒ^β8は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、
シアノ基、ニトロ基、ホルミル基、カルボキシル基、ス
ルホ基、炭素数１から２０の置換もしくは無置換のアル
キル基、炭素数６から１４の置換もしくは無置換のアリ
ール基、炭素数１から１０の置換もしくは無置換のヘテ
ロ環基、炭素数１から２０の置換もしくは無置換のアル
コキシ基、炭素数６から１４の置換もしくは無置換のア
リールオキシ基、炭素数２から２１の置換もしくは無置
換のアシル基、炭素数１から２０の置換もしくは無置換
のアルキルスルホニル基、炭素数６から１４の置換もし
くは無置換のアリールスルホニル基、炭素数１から１０
のヘテリルスルホニル基、炭素数１から２５の置換もし
くは無置換のカルバモイル基、炭素数０から３２の置換
もしくは無置換のスルファモイル基、炭素数２から２０
の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、炭素
数７から１５のアリールオキシカルボニル基、炭素数２
から２１の置換もしくは無置換のアシルアミノ基、炭素
数１から２０の置換もしくは無置換のスルホニルアミノ
基、Ｒ^α1〜Ｒ^α8すべてが水素原子であることはなく、
Ｍは２個の水素原子、２価から４価の金属原子、２価か
ら４価のオキシ金属原子、又は配位子を有する２価から
４価の金属原子を表す。Ｒ^α1〜Ｒ^α8及びＲ^β1〜Ｒ^β8
のうち少なくとも８つは水素原子である。

【００２７】一般式（２）において、Ｒ^α1〜Ｒ^α8及び
Ｒ^β1〜Ｒ^β8は好ましくは、それぞれ独立に水素原子、
ハロゲン原子、カルボキシル基、スルホ基、炭素数１か
ら１６の置換もしくは無置換のアルキル基（例えば、メ
チル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル）、炭素数
６から１４の置換もしくは無置換のアリール基（例え
ば、フェニル、ｐ−メトキシフェニル、ｐ−オクタデシ
ルフェニル）、炭素数１から１６の置換もしくは無置換
のアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−オ
クチルオキシ）、炭素数６から１０の置換もしくは無置
換のアリールオキシ基（フェノキシ、ｐ−エトキシフェ
ノキシ）、炭素数１から２０の置換もしくは無置換のア
ルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル、ｎ−
プロピルスルホニル、ｎ−オクチルスルホニル）、炭素
数６から１４の置換もしくは無置換のアリールスルホニ
ル基（例えば、トルエンスルホニル、ベンゼンスルホニ
ル）、炭素数０から２０の置換もしくは無置換のスルフ
ァモイル基（メチルスルファモイル基、ｎ−ブチルスル
ファモイル）、炭素数１から１７のアルコキシカルボニ
ル基（例えば、メトキシカルボニル、ｎ−ブトキシカル
ボニル）、炭素数７から１５の置換もしくは無置換のア
リールオキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボ
ニル、ｍ−クロロフェニルカルボニル）、炭素数２から
２１の置換もしくは無置換のアシルアミノ基（例えば、
アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ｎ−ヘキシルアミ
ノ）、炭素数１から１８のスルホニルアミノ基（例え
ば、メタンスルホニルアミノ、ｎ−ブタンスルホニルア
ミノ）である。

【００２８】Ｒ^α1〜Ｒ^α8及びＲ^β1〜Ｒ^β8は、さらに
好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル
基、スルホ基、炭素数１から１６の置換もしくは無置換
のアルキル基、炭素数１から１６の置換もしくは無置換
のアルコキシ基、炭素数１から２０のアルキルスルホニ
ル基、炭素数６から１４の置換もしくは無置換のアリー
ルスルホニル基、炭素数２から２０のスルファモイル
基、炭素数１から１３のアルコキシカルボニル基、炭素
数２から２１の置換もしくは無置換のアシルアミノ基、
炭素数１から１８のスルホニルアミノ基であり、さらに
好ましくは、Ｒ^α1〜Ｒ^α8が水素原子、ハロゲン原子、
スルホ基、炭素数１から１６の置換もしくは無置換のア
ルコキシ基、炭素数１から２０の置換もしくは無置換の
アルキルスルホニル基、炭素数６から１４の置換もしく
は無置換のアリールスルホニル基、炭素数２から２０の
置換もしくは無置換のスルファモイル基、炭素数２から
１２のアシルアミノ基、炭素数１から１８のスルホニル
アミノ基であり、Ｒ^β1〜Ｒ ^β8が水素原子またはハロゲ
ン原子であり、特に好ましくは、Ｒ^α1〜Ｒ^α8が水素原
子、スルホ基、炭素数１から２０の無置換のアルキルス
ルホニル基、炭素数６から１４の無置換のアリールスル
ホニル基、炭素数７から２０の無置換のスルファモイル
基であり、Ｒ^β1〜Ｒ^β8が水素原子である。

【００２９】前記一般式（２）で表されるフタロシアニ
ン誘導体におけるＲ^α1及びＲ^α2のいずれか一方、Ｒ
^α3及びＲ^α4のいずれか一方、Ｒ^α5及びＲ^α6のいずれ
か一方、Ｒ^α7及びＲ^α8のいずれか一方の計４つの置換
基は同時に水素原子ではないことが好ましい。

【００３０】一般式（２）において、Ｒ^α1〜Ｒ^α8及び
Ｒ^β1〜Ｒ^β8はさらに置換基を有していてもよく、該置
換基の例としては、以下に記載のものを挙げることがで
きる。炭素数１〜２０の鎖状または環状の置換もしくは
無置換のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イ
ソプロピル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、フェネ
チル基）、炭素数６〜１８の置換もしくは無置換のアリ
ール基（例えば、フェニル基、クロロフェニル基、２，
４−ジ−ｔ−アミルフェニル基、１−ナフチル基）、炭
素数２〜２０の置換もしくは無置換のアルケニル基（例
えば、ビニル基、２−メチルビニル基）、炭素数２〜２
０の置換もしくは無置換のアルキニル基（例えば、エチ
ニル基、２−メチルエチニル基、２−フェニルエチニル
基）、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素数２
〜２０の置換もしくは無置換のアシル基（例えば、アセ
チル基、ベンゾイル基、サリチロイル基、ピバロイル
基）、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキ
シ基（例えば、メトキシ基、ブトキシ基、シクロヘキシ
ルオキシ基）、炭素数６〜２０のアリールオキシ基（例
えば、フェノキシ基、１−ナフトキシ基、ｐ−メトキシ
フェノキシ基）、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換
のアルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、ブチルチオ
基、ベンジルチオ基、３−メトキシプロピルチオ基）、
炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリールチオ基
（例えば、フェニルチオ基、４−クロロフェニルチオ
基）、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキル
スルホニル基（例えば、メタンスルホニル基、ブタンス
ルホニル基）、炭素数６〜２０の置換もしくは無置換の
アリールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル
基、パラトルエンスルホニル基）、炭素数１〜１７の置
換もしくは無置換のカルバモイル基（例えば、無置換の
カルバモイル基、メチルカルバモイル基、エチルカルバ
モイル基、ｎ−ブチルカルバモイル基、ジメチルカルバ
モイル基）、炭素数１〜１６の置換もしくは無置換のア
シルアミノ基（例えば、アセチルアミノ基、ベンゾイル
アミノ基）、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のア
シルオキシ基（例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキ
シ基）、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルコ
キシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エ
トキシカルボニル基）、５もしくは６員の置換もしくは
無置換のヘテロ環基（例えば、ピリジル基、チエニル
基、フリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾ
リル基等の芳香族ヘテロ環基；ピロリジン環基、ピペリ
ジン環基、モルホリン環基、ピラン環基、チオピラン環
基、ジオキサン環基、ジチオラン環基等のヘテロ環
基）。

【００３１】一般式（２）において、Ｒ^α1〜Ｒ^α8およ
びＲ^β1〜Ｒ^β8の置換基として好ましいものは、炭素数
１〜１６の鎖状または環状の置換もしくは無置換のアル
キル基、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜１６
のアルコキシ基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、
ハロゲン原子、炭素数２〜１７のアルコキシカルボニル
基、炭素数１〜１０のカルバモイル基、炭素数１〜１０
のアシルアミノ基である。その中でも好ましいものは、
炭素数１〜１０の鎖状または環状のアルキル基、炭素数
６〜１０のアリール基、炭素数１〜１０のアルコキシ
基、炭素数６〜１０のアリールオキシ基、塩素原子、炭
素数２〜１１のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜７
のカルバモイル基、炭素数１〜８のアシルアミノ基であ
る。その中で特に好ましいものは、炭素数１〜８の鎖状
分岐または環状の置換もしくは無置換のアルキル基、炭
素数１〜８のアルコキシ基、炭素数３〜９のアルコキシ
カルボニル基、フェニル基および塩素原子であり、置換
基として最も好ましいものは炭素数１〜６の無置換のア
ルコキシ基である。

【００３２】Ｍは２価から４価の金属原子であることが
好ましく、中でも、銅原子、ニッケル原子、又はパラジ
ウム原子が好ましく、さらに銅原子またはニッケル原子
が好ましく、特に銅原子が好ましい。

【００３３】一般式（１）又は一般式（２）で表される
化合物は、任意の位置で結合して多量体を形成していて
もよく、この場合の各単位は互いに同一でも異なってい
てもよく、またポリスチレン、ポリメタクリレート、ポ
リビニルアルコール、セルロース等のポリマー鎖に結合
していてもよい。

【００３４】本発明の光情報記録媒体に用いられる一般
式（１）又は一般式（２）で表されるフタロシアニン誘
導体は、特定の誘導体単独で使用してもよく、また構造
の異なったものを複数種混合して用いてもよい。特に記
録層の結晶化を防ぐ目的で、置換基の置換位置が異なる
異性体の混合物を使用することが好ましい。

【００３５】以下に、本発明で用いられるフタロシアニ
ン誘導体の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれら
に限定されるものではない。表１〜４において、例え
ば、Ｒ^x／Ｒ^y（ｘおよびｙは、α１〜α８、β１〜β８
のいずれかを表わす）という表記はＲ^xまたはＲ^yのいず
れか一方という意味を表しており、従ってこの表記のあ
る化合物は置換位置異性体の混合物である。また無置換
の場合、即ち水素原子が置換している場合は表記を省略
している。

【００３６】

【表１】

【００３７】

【表２】

【００３８】

【表３】

【００３９】

【化３】

【００４０】記録層は、上記色素（有機物等）等の記録
物質を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して記録層塗
布液を調製し、次いでこの記録層塗布液を基板表面に形
成された反射層上に塗布して塗膜を形成したのち乾燥す
ることにより形成される。記録層塗布液中の記録物質の
濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好
ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは
０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質
量％の範囲である。また、記録物質等を溶解処理する方
法としては、超音波処理、ホモジナイザー、加温等の方
法を適用することができる。

【００４１】記録層塗布液を調製する際の溶剤として
は、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、セロソルブ
アセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジク
ロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等
の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；
メチルシクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラ
ン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノ
ール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタ
ノールジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，
３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ素系溶
剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；等を挙
げることができる。

【００４２】上記溶剤は使用する記録物質の溶解性を考
慮して単独で、あるいは二種以上を組み合わせて使用す
ることができる。塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ
吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて
添加してもよい。

【００４３】結合剤を使用する場合に、結合剤の例とし
ては、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロ
ジン、ゴム等の天然有機高分子物質；ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭
化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、
ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系
樹脂；ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル
等のアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリ
エチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導
体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹
脂の初期縮合物等の合成有機高分子；等を挙げることが
できる。記録層の材料として結合剤を併用する場合に、
結合剤の使用量は、一般に記録物質に対して０．０１倍
量〜５０倍量（質量比）の範囲にあり、好ましくは０．
１〜５倍量（質量比）の範囲にある。このようにして調
製される塗布液中の記録物質の濃度は、一般に０．０１
〜１０質量％の範囲にあり、好ましくは０．１〜５質量
％の範囲にある。

【００４４】塗布方法としては、スプレー法、スピンコ
ート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート
法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げるこ
とができる。記録層は単層でも重層でもよい。また、記
録層の層厚は、一般に２０〜５００ｎｍの範囲にあり、
好ましくは３０〜３００ｎｍの範囲にあり、より好まし
くは５０〜１００ｎｍの範囲にある。また、塗布温度と
しては、２３〜５０℃であれば特に問題はないが、好ま
しくは２４〜４０℃、さらに好ましくは２５〜３７℃で
ある。

【００４５】ディスクの反りを防止するため、塗布膜へ
の紫外線の照射はパルス型の光照射器（好ましくは、Ｕ
Ｖ照射器）を用いて行うのが好ましい。パルス間隔はｍ
ｓｅｃ以下が好ましく、μｓｅｃ以下がより好ましい。
１パルスの照射光量は特に制限されないが、３ｋＷ／ｃ
ｍ²以下が好ましく、２ｋＷ／ｃｍ²以下がより好まし
い。また、照射回数は特に制限されないが、２０回以下
が好ましく、１０回以下がより好ましい

【００４６】記録層には、該記録層の耐光性を向上させ
るために、種々の褪色防止剤を含有させることができ
る。褪色防止剤としては、一般的に一重項酸素クエンチ
ャーが用いられる。一重項酸素クエンチャーとしては、
既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用す
ることができる。その具体例としては、特開昭５８−１
７５６９３号公報、同５９−８１１９４号公報、同６０
−１８３８７号公報、同６０−１９５８６号公報、同６
０−１９５８７号公報、同６０−３５０５４号公報、同
６０−３６１９０号公報、同６０−３６１９１号公報、
同６０−４４５５４号公報、同６０−４４５５５号公
報、同６０−４４３８９号公報、同６０−４４３９０号
公報、同６０−５４８９２号公報、同６０−４７０６９
号公報、同６３−２０９９９５号公報、特開平４−２５
４９２号公報、特公平１−３８６８０号公報、および同
６−２６０２８号公報等の各公報、ドイツ特許３５０３
９９号明細書、そして日本化学会誌１９９２年１０月号
第１１４１頁等に記載のものを挙げることができる。

【００４７】前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止
剤の使用量は、記録するための化合物の量に対して、通
常０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは、０．
５〜４５質量％の範囲、更に好ましくは、３〜４０質量
％の範囲、特に好ましくは５〜２５質量％の範囲であ
る。

【００４８】＜中間層＞中間層は、上記記録層と後述す
る接着層との間に形成される。記録層上に接着層を形成
すると、接着層の接着剤が記録層の有機物を溶解してし
まうが、中間層を設けることにより、接着剤が記録層に
直接接触せず、記録層が接着剤によって溶解されるのを
防止することができる。そして、本発明においては、該
中間層の層厚を１ｎｍ以上９ｎｍ以下としている。該中
間層の層厚が１ｎｍ未満では、接着剤が記録層まで浸出
し、中間層の役割を果たせず、９ｎｍを超えるとレーザ
ー光の透過率が低下し反射率の低下を招く。上記中間層
の層厚としては、より好ましくは、２ｎｍ以上８ｎｍ以
下であり、特に好ましくは、３ｎｍ以上７ｎｍ以下であ
る。

【００４９】中間層を構成する材料としては、レーザー
光を透過する材料であれば、特に制限はないが、誘電体
であることが好ましく、より具体的には、Ｚｎ、Ｓｉ、
Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇｅ等の窒化物、酸化物、炭
化物、及び硫化物の少なくといずれか１種からなる材
料、すなわち、ＺｎＳ、ＭｏＯ₂、ＧｅＯ₂、ＴｅＯ、Ｓ
ｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂が
挙げられ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、あるいはＳｉＯ₂が好まし
い。特に、硫化物及び酸化物の少なくともいずれか一種
が好ましい。

【００５０】＜接着層＞接着層は、上記中間層と、後述
するカバー層との密着性を向上させるために形成される
層である。接着層を構成する材料としては、光硬化性樹
脂が好ましく、なかでもディスクの反りを防止するた
め、硬化収縮率の小さいものが好ましい。このような光
硬化性樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業
（株）製の「ＳＤ−６４０」、「ＳＤ−３４７」等のＵ
Ｖ硬化性樹脂（ＵＶ硬化性接着剤）を挙げることができ
る。また、接着層の厚さは、弾力性を持たせるため、１
〜１０００μｍの範囲が好ましく、５〜５００μｍの範
囲がより好ましく、１０〜１００μｍの範囲が特に好ま
しい。

【００５１】接着層を形成する材料の他の例を挙げる。
該材料は、放射線照射により硬化可能な樹脂であって、
分子中に２個以上の放射線官能性の２重結合を有する樹
脂であり、アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、
メタクリル酸エステル類、メタクリル酸アミド類、アリ
ル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類などが
あげられる。好ましくは２官能以上のアクリレート化合
物、メタクリレート化合物である。

【００５２】２官能の具体例としては、エチレングリコ
ールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレ
ート、ブタンジオールジアクリレート、ヘキサンジオー
ルジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレー
ト、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエ
チレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアク
リレート、エチレングリコールジメタクリレート、プロ
ピレングリコールジメタクリレート、ブタンジオールジ
メタクリレート、ヘキサンジオールジメタクリレート、
ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレン
グリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコー
ルジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタク
リレート、トリプロピレングリコールジメタクリレート
などに代表される脂肪族ジオールにアクリル酸、メタク
リル酸を付加させたものを用いることができる。

【００５３】また、ポリエチレングリコール、ポリプロ
ピレングリコール、ポリテトラメチレングリコールなど
のポリエーテルポリオールにアクリル酸、メタクリル酸
を付加したポリエーテルアクリレート、ポリエーテルメ
タクリレートや公知の二塩基酸、グリコールから得られ
たポリエステルポリオールにアクリル酸、メタクリル酸
を付加させたポリエステルアクリレート、ポリエステル
メタクリレートも用いることができる。さらに、公知の
ポリオール、ジオールとポリイソシアネートを反応させ
たポリウレタンにアクリル酸、メタクリル酸を付加させ
たポリウレタンアクリレート、ポリウレタンメタクリレ
ートを用いてもよい。

【００５４】また、ビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｆ、水素化ビスフェノールＡ、水素化ビスフェノールＦ
やこれらのアルキレンオキサイド付加物にアクリル酸、
メタクリル酸を付加させたものやイソシアヌル酸アルキ
レンオキサイド変性ジアクリレート、イソシアヌル酸ア
ルキレンオキサイド変性ジメタアクリレート、トリシク
ロデカンジメタノールジアクリレート、トリシクロデカ
ンジメタノールジメタクリレートなどの環状構造を有す
るものも用いることができる。

【００５５】前記放射線としては、電子線および紫外線
を使用することができる。紫外線を使用する場合には以
下の化合物に光重合開始剤を添加することが必要とな
る。光重合開始剤として芳香族ケトンが使用される。芳
香族ケトンは、特に限定されないが、紫外線照射光源と
して通常使用される水銀灯の輝線スペクトルを生ずる。
２５４，３１３，８６５ｎｍの波長において吸光係数の
比較的大なるものが好ましい。その代表例としては、ア
セトフェノン、ベンゾフェノン、ベンゾインエチルエー
テル、ベンジルメチルケタール、ベンジルエチルケター
ル、ベンゾインイソブチルケトン、ヒドロキシジメチル
フェニルケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニ
ルケトン、２−２ジエトキシアセトフェノン、Ｍｉｃｈ
ｌｅｒ’ｓケトンなどがあり、種々の芳香族ケトンが使
用できる。芳香族ケトンの混合比率は、化合物（ａ）１
００質量部に対し０．５〜２０質量部、好ましくは２〜
１５質量部、さらに好ましくは３〜１０質量部である。
紫外線硬化型接着剤としてあらかじめ光開始剤を添加し
たものが市販しており、それを使用してもかまわない。
紫外線光源としては、水銀灯が用いられる。水銀灯は２
０〜２００Ｗ／ｃｍのランプを用い速度０．３ｍ／分〜
２０ｍ／分で使用される。基体と水銀灯との距離は一般
に１〜３０ｃｍであることが好ましい。

【００５６】電子線加速器としてはスキャニング方式、
ダブルスキャニング方式あるいはカーテンビーム方式が
採用できるが、好ましいのは比較的安価で大出力が得ら
れるカーテンビーム方式である。電子線特性としては、
加速電圧が１００〜１０００ｋＶ、好ましくは１５０〜
３００ｋＶであり、吸収線量として０．５〜２０Ｍｒａ
ｄ、好ましくは１〜１０Ｍｒａｄである。加速電圧が１
０ｋＶ以下の場合は、エネルギーの透過量が不足し１０
００ｋＶを超えると重合に使われるエネルギー効率が低
下しコスト的に好ましくない。

【００５７】＜カバー層＞カバー層は、光情報記録媒体
内部への水分の侵入を防ぐために形成され、透明な材質
であれば特に限定されないが、好ましくはポリカーボネ
ート、三酢酸セルロース等であり、より好ましくは、２
３℃５０％ＲＨでの吸湿率が５％以下の材料である。な
お、「透明」とは、記録光および再生光の光に対して、
該光を透過する（透過率：９０％以上）ほどに透明であ
ることを意味する。

【００５８】カバー層は、接着層を構成する光硬化性樹
脂を適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗
布液を所定温度で記録層上に塗布して塗布膜を形成し、
該塗布膜上に、例えばプラスチックの押出加工で得られ
た三酢酸セルロースフィルム（ＴＡＣフィルム）をラミ
ネートし、ラミネートしたＴＡＣフィルムの上から光を
照射して塗布膜を硬化させて形成される。前記ＴＡＣフ
ィルムとしては、紫外線吸収剤を含むものが好ましい。
カバー層の厚さは、０．０１〜０．２ｍｍの範囲であ
り、好ましくは０．０３〜０．１ｍｍの範囲、より好ま
しくは０．０５〜０．０９５ｍｍの範囲である。

【００５９】以上のように、本実施の形態においては、
透明なフィルム状の材質を接着剤（接着層）で接着して
カバー層を形成したが、カバー層は、接着剤（接着層）
のみからなるものであってもよい。

【００６０】また、本実施の形態の光情報記録媒体にお
いては、反射層と記録層との間に、記録層の特性に応じ
て誘電体層または光透過層を形成することができる。例
えば、記録層との接着性向上のための光透過層を設けて
もよく、相変化型の記録層を設けた場合には、放熱のた
めの誘電体層を設けてもよい。誘電体層としては、Ｚ
ｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇｅ等の窒化物、
酸化物、炭化物、硫化物からなる材料を使用することが
好ましく、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂のようなものであってもよ
い。光透過層としては、レーザー波長で９０％以上の透
過率があるものであれば如何なる材料をも使用すること
ができる。

【００６１】上記誘電体層または光透過層は、従来公知
の方法により形成することができる。誘電体層の厚さ
は、１〜１００ｎｍとすることが好ましく、光透過層の
厚さは、２〜５０ｎｍとすることが好ましい。

【００６２】

【実施例】本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明
はこれに限定されるものではない。

【００６３】（実施例１〜９、比較例１〜２）厚さ１．
１ｍｍ、直径１２０ｍｍのスパイラル状のグルーブ（ト
ラックピッチ：３４０ｎｍ、溝深さ：４０ｎｍ、溝幅：
１５０ｎｍ）を有する射出成形ポリカーボネート樹脂
（帝人社製ポリカーボネート、商品名：パンライトＡＤ
５５０３）基板のグルーブを有する面上に、Ａｇをスパ
ッタして１２０ｎｍの膜厚の反射層を形成し、その後、
下記構造式で示される有機物を乳酸メチルと混合し３％
として２時間超音波処理を行って溶解し色素塗布液を調
製した。この色素塗布液をスピンコート法により回転数
を３００〜４０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃５
０％ＲＨの条件で塗布した。その後、２３℃５０％ＲＨ
で２時間アニールを行い、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂を各実施例
及び比較例毎に表５に示す厚さとなるようにスパッタ
し、ＵＶ硬化接着剤（大日本インキ化学工業（株）製Ｓ
Ｄ−６４０）をスピンコート法により１００〜３００ｒ
ｐｍで塗布し、ポリカーボネートシート（ピュアエース
帝人社製、膜厚８０μｍ）を重ね合わせ、３００ｒｐｍ
から４０００ｒｐｍまで変化させながら全面に接着剤を
広げた後、ＵＶ照射ランプにて紫外線を照射して硬化さ
せ、実施例１〜９及び比較例１〜２のサンプルを作製し
た。なお、比較例１のサンプルにおいては、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ₂をスパッタしていない。

【００６４】

【化４】

【００６５】（実施例１０〜１８、比較例３）厚さ１．
１ｍｍ、直径１２０ｍｍのスパイラル状のグルーブ（ト
ラックピッチ：３４０ｎｍ、溝深さ：４０ｎｍ、溝幅：
１５０ｎｍ）を有する射出成形ポリカーボネート樹脂
（帝人社製ポリカーボネート、商品名：パンライトＡＤ
５５０３）基板のグルーブを有する面上に、Ａｇをスパ
ッタして１２０ｎｍの膜厚の反射層を形成し、その後、
オラゾールブルーＧＮ（ｃｉｂａファインケミカル社
製）を２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールと
混合して３％とし２時間超音波処理を行って溶解し色素
塗布液を調製した。この色素塗布液をスピンコート法に
より回転数を３００〜４０００ｒｐｍまで変化させなが
ら２３℃５０％ＲＨの条件で塗布した。その後、２３℃
５０％ＲＨで２時間アニールを行い、ＳｉＯ₂を各実施
例及び比較例毎に表５に示す厚さとなるようにスパッタ
して中間層を形成し、ＵＶ硬化接着剤（大日本インキ化
学工業（株）製ＳＤ−６４０）をスピンコート法により
１００〜３００ｒｐｍで塗布し、ポリカーボネートシー
ト（ピュアエース帝人社製、膜厚８０μｍ）を重ね合わ
せ、３００ｒｐｍから４０００ｒｐｍまで変化させなが
ら全面に接着剤を広げた後、ＵＶ照射ランプにて紫外線
を照射して硬化させ、各実施例１０〜１８及び比較例３
のサンプルを作製した。

【００６６】（実施例１９〜２７、比較例４）厚さ１．
１ｍｍ、直径１２０ｍｍのスパイラル状のグルーブ（ト
ラックピッチ：３４０ｎｍ、溝深さ：４０ｎｍ、溝幅：
１５０ｎｍ）を有する射出成形ポリカーボネート樹脂
（帝人社製ポリカーボネート、商品名：パンライトＡＤ
５５０３）基板のグルーブを有する面上に、ＡｇＰｄＣ
ｕをスパッタして９０ｎｍの膜厚の反射層を形成し、そ
の後、下記構造式で示される有機物を２，２，３，３−
テトラフルオロプロパノールと混合して３％とし２時間
超音波処理を行って溶解し色素塗布液を調製した。この
色素塗布液をスピンコート法により回転数を３００〜４
０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃５０％ＲＨの条
件で塗布した。その後、８０℃で１時間アニールを行
い、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂を各実施例及び比較例毎に表５に
示す厚さとなるようにスパッタし、ＵＶ硬化接着剤（大
日本インキ化学工業（株）製ＳＤ−６４０）をスピンコ
ート法により１００〜３００ｒｐｍで塗布し、ポリカー
ボネートシート（ピュアエース帝人社製、膜厚８０μ
ｍ）を重ね合わせ、３００ｒｐｍから４０００ｒｐｍま
で変化させながら全面に接着剤を広げた後、ＵＶ照射ラ
ンプにて紫外線を照射して硬化させ、実施例１９〜２７
及び比較例４のサンプルを作製した。

【００６７】

【化５】

【００６８】［評価］前記各実施例及び比較例の光情報
記録媒体を、波長４０５ｎｍ、レンズ開口率ＮＡ０．８
５のレーザーを搭載したディスクドライブ装置（ＤＤＵ
−１０００、パルステック工業（株）製）を用いて２Ｔ
信号を６ｍＷで記録しその反射率、Ｃ／Ｎを測定した。
結果を表５に示す。

【００６９】

【表４】

【００７０】表５より、実施例１〜２７の光情報記録媒
体はいずれも中間層の層厚が１ｎｍ以上９ｎｍ以下であ
り、高反射率で、キャリア・ノイズ比が大きいことが分
かる。これに対して比較例１〜４の光情報記録媒体は、
中間層を設けていないか、あるいは中間層の層厚が１０
ｎｍであり、低反射率で、キャリア・ノイズ比が小さか
った。

【００７１】

【発明の効果】本発明によれば、高反射率で、キャリア
・ノイズ比（Ｃ／Ｎ）が大きく、安定した記録再生特性
をもつ光情報記録媒体を提供することができる。

フロントページの続き (72)発明者 斉藤 真二 神奈川県小田原市扇町２丁目12番１号 富 士写真フイルム株式会社内 (72)発明者 御子柴 尚 神奈川県南足柄市中沼210番地 富士写真 フイルム株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA22 EA31 EA37 EA41 FA01 FA14 FA21 FA25 FA27 FB42 FB45 5D029 JA04 JB46 JC06 LB07

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板表面に、記録層、中間層、及びカバ
   ー層をこの順に有し、波長が３８０〜５００ｎｍのレー
   ザー光を、レンズ開口率ＮＡが０．７以上のレンズを通
   して照射し記録再生する光情報記録媒体であって、 前記記録層が有機物の層であり、かつ前記中間層の層厚
   が１ｎｍ以上９ｎｍ以下であることを特徴とする光情報
   記録媒体。
2. 【請求項２】 前記有機物がベンゾトリアゾール誘導体
   及び／又はフタロシアニン誘導体からなり、かつ前記中
   間層が誘電体からなることを特徴とする請求項１に記載
   の光情報記録媒体。
3. 【請求項３】 前記有機物がフタロシアニン誘導体であ
   り、前記記録層の屈折率（ｎ）が記録に用いられるレー
   ザー波長において１．８≦ｎ＜１．９であり、前記誘電
   体が硫化物及び酸化物の少なくともいずれか一種であ
   り、かつ前記中間層の層厚が１ｎｍ以上９ｎｍ以下であ
   ることを特徴とする請求項２に記載の光情報記録媒体。