RU2015128048A - Источник плазмы - Google Patents
Источник плазмы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015128048A RU2015128048A RU2015128048A RU2015128048A RU2015128048A RU 2015128048 A RU2015128048 A RU 2015128048A RU 2015128048 A RU2015128048 A RU 2015128048A RU 2015128048 A RU2015128048 A RU 2015128048A RU 2015128048 A RU2015128048 A RU 2015128048A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma
- hole
- anode
- forming device
- hollow body
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32321—Discharge generated by other radiation
- H01J37/3233—Discharge generated by other radiation using charged particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32596—Hollow cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/48—Generating plasma using an arc
- H05H1/50—Generating plasma using an arc and using applied magnetic fields, e.g. for focusing or rotating the arc
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Claims (10)
1. Устройство формирования плазмы, содержащее
источник плазмы с полым телом (1) источника плазмы и блоком (5) эмиссии электронов, который обеспечивает возможность эмиссии свободных электронов в полое тело источника плазмы, при этом полое тело (1) источника плазмы имеет первый газовый вход (7а) и отверстие (10) источника плазмы, которое образует отверстие в вакуумную камеру,
а также анод с полым телом (2) анода, при этом полое тело (2) анода имеет второй газовый вход (7b) и отверстие (11) анода, которое образует отверстие в вакуумную камеру,
и источник (8) напряжения, отрицательный полюс которого соединен с блоком (5) эмиссии электронов и положительный полюс которого соединен с полым телом (2) анода,
отличающееся тем, что положительный полюс источника (8) напряжения дополнительно электрически соединен с полым телом источника плазмы через первое параллельно включенное сопротивление (6а).
2. Устройство формирования плазмы по п. 1, отличающееся тем, что положительный полюс источника (8) напряжения электрически соединен через второе параллельно включенное сопротивление (6b) с вакуумной камерой.
3. Устройство формирования плазмы по любому из пп. 1 или 2, отличающееся тем, что у отверстия (10) источника плазмы предусмотрена диафрагма (9р), которой можно при необходимости закрывать отверстие источника плазмы.
4. Устройство формирования плазмы по п. 1, отличающееся тем, что у отверстия (11) анода предусмотрена диафрагма (9а), которой можно при необходимости закрывать отверстие (11) анода.
5. Устройство формирования плазмы по п. 1, отличающееся тем, что отверстие источника плазмы и/или отверстие анода выполнены таким образом, что во время работы может возникать сверхзвуковой поток через отверстие и/или отверстия.
6. Способ нанесения покрытия на подложки путем усиленного плазмой осаждения из газовой фазы (PE-CVD), при этом моно- и/или полимерный газ подается в вакуумную камеру, которая содержит устройство формирования плазмы, и в вакуумной камере посредством устройства формирования плазмы формируется плазма, и на подлежащие покрытию подложки подается отрицательное напряжение, отличающийся тем, что устройство формирования плазмы является устройством формирования плазмы по п. 5, и за счет этого ни внутреннее пространство полого тела источника плазмы, ни внутреннее пространство полого тела анода не подвергаются нанесению покрытия.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102012024340.5A DE102012024340A1 (de) | 2012-12-13 | 2012-12-13 | Plasmaquelle |
| DE102012024340.5 | 2012-12-13 | ||
| PCT/EP2013/003704 WO2014090389A1 (de) | 2012-12-13 | 2013-12-09 | Plasmaquelle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015128048A true RU2015128048A (ru) | 2017-01-17 |
| RU2643508C2 RU2643508C2 (ru) | 2018-02-02 |
Family
ID=49753120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015128048A RU2643508C2 (ru) | 2012-12-13 | 2013-12-09 | Источник плазмы |
Country Status (18)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10032610B2 (ru) |
| EP (1) | EP2932523B1 (ru) |
| JP (1) | JP6362615B2 (ru) |
| KR (1) | KR102106133B1 (ru) |
| CN (1) | CN105144338B (ru) |
| AR (1) | AR093991A1 (ru) |
| BR (1) | BR112015013749B1 (ru) |
| CA (1) | CA2894942C (ru) |
| DE (1) | DE102012024340A1 (ru) |
| ES (1) | ES2625301T3 (ru) |
| HU (1) | HUE033157T2 (ru) |
| MX (1) | MX346874B (ru) |
| MY (1) | MY174916A (ru) |
| PL (1) | PL2932523T3 (ru) |
| PT (1) | PT2932523T (ru) |
| RU (1) | RU2643508C2 (ru) |
| SG (2) | SG10201709310WA (ru) |
| WO (1) | WO2014090389A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102015101294A1 (de) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zum Erzeugen eines Hohlkathodenbogenentladungsplasmas |
| DE102016213830B3 (de) * | 2016-07-27 | 2017-12-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Quell-Hohlkörper sowie EUV-Plasma-Lichtquelle mit einem derartigen Quell-Hohlkörper |
| WO2019246296A1 (en) * | 2018-06-20 | 2019-12-26 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Single beam plasma source |
| CH715878A1 (de) | 2019-02-26 | 2020-08-31 | Oerlikon Surface Solutions Ag Pfaeffikon | Magnetanordnung für eine Plasmaquelle zur Durchführung von Plasmabehandlungen. |
| CN112899662A (zh) * | 2019-12-04 | 2021-06-04 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | Dlc制备装置和制备方法 |
| US20230407723A1 (en) | 2020-11-23 | 2023-12-21 | Schlumberger Technology Corporation | Inflatable packer system for submersible well pump |
Family Cites Families (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3961103A (en) * | 1972-07-12 | 1976-06-01 | Space Sciences, Inc. | Film deposition |
| JPS6011417B2 (ja) | 1979-10-23 | 1985-03-26 | 株式会社東芝 | ホロ−カソ−ド放電装置 |
| GB2064856B (en) * | 1979-10-23 | 1984-06-13 | Tokyo Shibaura Electric Co | Discharge apparatus having hollow cathode |
| US4684848A (en) * | 1983-09-26 | 1987-08-04 | Kaufman & Robinson, Inc. | Broad-beam electron source |
| DE3615361C2 (de) * | 1986-05-06 | 1994-09-01 | Santos Pereira Ribeiro Car Dos | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken |
| JPH01252781A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Joshin Uramoto | 圧力勾配型放電によるプラズマｃｖｄ装置 |
| DE4029270C1 (ru) * | 1990-09-14 | 1992-04-09 | Balzers Ag, Balzers, Li | |
| CA2052080C (en) * | 1990-10-10 | 1997-01-14 | Jesse N. Matossian | Plasma source arrangement for ion implantation |
| DE4216330A1 (de) * | 1991-05-18 | 1992-11-19 | Groza Igor | Verfahren zur ionenplasmabehandlung insbesonders plasmabeschichtung in vakuum mittels verschleissfesten und dekorationsschichten |
| JPH05251391A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 半導体ウエハーのプラズマ処理装置 |
| CH687111A5 (de) * | 1992-05-26 | 1996-09-13 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum Erzeugen einer Niederspannungsentladung, Vakuumbehandlungsanlage hierfuer sowie Anwendung des Verfahrens. |
| US5358596A (en) | 1992-07-02 | 1994-10-25 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method and apparatus for growing diamond films |
| JP3365643B2 (ja) * | 1992-07-06 | 2003-01-14 | 株式会社神戸製鋼所 | イオン注入装置 |
| DE4425221C1 (de) * | 1994-07-16 | 1995-08-24 | Dresden Vakuumtech Gmbh | Verfahren und Einrichtung zum plasmagestützten Beschichten von Substraten in reaktiver Atmosphäre |
| JP3140636B2 (ja) * | 1994-07-26 | 2001-03-05 | 日本電子株式会社 | プラズマ発生装置 |
| JPH09251935A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-09-22 | Applied Materials Inc | プラズマ点火装置、プラズマを用いる半導体製造装置及び半導体装置のプラズマ点火方法 |
| DE29608484U1 (de) * | 1996-05-10 | 1996-09-19 | Dresden Vakuumtech Gmbh | Plasmaerzeugungseinrichtung mit einer Hohlkathode |
| RU2116707C1 (ru) * | 1997-01-06 | 1998-07-27 | Институт сильноточной электроники СО РАН | Устройство для создания низкотемпературной газоразрядной плазмы |
| GB9722650D0 (en) * | 1997-10-24 | 1997-12-24 | Univ Nanyang | Cathode ARC source with target feeding apparatus |
| KR19990041210A (ko) * | 1997-11-21 | 1999-06-15 | 박원훈 | 플라즈마를 이용한 재료표면상의 다양한 특성의 고분자 합성방법 |
| US6101972A (en) * | 1998-05-13 | 2000-08-15 | Intevac, Inc. | Plasma processing system and method |
| DE19902146C2 (de) * | 1999-01-20 | 2003-07-31 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zur gepulsten Plasmaaktivierung |
| DE50008516D1 (de) * | 1999-07-13 | 2004-12-09 | Unaxis Balzers Ag | Anlage und verfahren zur vakuumbehandlung bzw. zur pulverherstellung |
| WO2001011650A1 (en) * | 1999-08-06 | 2001-02-15 | Advanced Energy Industries, Inc. | Inductively coupled ring-plasma source apparatus for processing gases and materials and method thereof |
| DE19951017A1 (de) * | 1999-10-22 | 2001-05-03 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Oberflächen |
| CH696179A5 (de) | 2000-06-08 | 2007-01-31 | Satis Vacuum Ind Vertriebs Ag | Plasma-Verdampfungsquelle für eine Vakuum Beschichtungsanordnung zum Aufbringen von Vergütungsschichten auf optische Substrate. |
| JP3957549B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2007-08-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処埋装置 |
| US6902774B2 (en) * | 2002-07-25 | 2005-06-07 | Inficon Gmbh | Method of manufacturing a device |
| JP4329403B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2009-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US7381311B2 (en) * | 2003-10-21 | 2008-06-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Filtered cathodic-arc plasma source |
| DE102004010261A1 (de) * | 2004-03-03 | 2005-09-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zum Zünden einer Hohlkatodenbogenentladung |
| US7557511B2 (en) | 2005-08-01 | 2009-07-07 | Neocera, Llc | Apparatus and method utilizing high power density electron beam for generating pulsed stream of ablation plasma |
| EP2038911A4 (en) * | 2006-07-06 | 2010-07-07 | Univ Ramot | DEVICE AND METHOD FOR THIN FILM DEPOSITION USING A VACUUM ARC IN A CLOSED CATODE ANODE ASSEMBLY |
| JP4859720B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2012-01-25 | スタンレー電気株式会社 | プラズマ成膜装置 |
| WO2009004762A1 (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-08 | Shinmaywa Industries, Ltd. | 成膜装置及びその運転方法 |
| US20130098872A1 (en) * | 2011-10-20 | 2013-04-25 | Applied Materials, Inc. | Switched electron beam plasma source array for uniform plasma production |
| JP5689051B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2015-03-25 | 株式会社神戸製鋼所 | イオンボンバードメント装置 |
-
2012
- 2012-12-13 DE DE102012024340.5A patent/DE102012024340A1/de not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-12-09 HU HUE13802538A patent/HUE033157T2/en unknown
- 2013-12-09 RU RU2015128048A patent/RU2643508C2/ru active
- 2013-12-09 US US14/651,278 patent/US10032610B2/en active Active
- 2013-12-09 ES ES13802538.2T patent/ES2625301T3/es active Active
- 2013-12-09 CA CA2894942A patent/CA2894942C/en active Active
- 2013-12-09 EP EP13802538.2A patent/EP2932523B1/de active Active
- 2013-12-09 PL PL13802538T patent/PL2932523T3/pl unknown
- 2013-12-09 MX MX2015007567A patent/MX346874B/es active IP Right Grant
- 2013-12-09 BR BR112015013749-0A patent/BR112015013749B1/pt active IP Right Grant
- 2013-12-09 MY MYPI2015701962A patent/MY174916A/en unknown
- 2013-12-09 SG SG10201709310WA patent/SG10201709310WA/en unknown
- 2013-12-09 SG SG11201504651QA patent/SG11201504651QA/en unknown
- 2013-12-09 WO PCT/EP2013/003704 patent/WO2014090389A1/de active Application Filing
- 2013-12-09 CN CN201380065446.6A patent/CN105144338B/zh active Active
- 2013-12-09 KR KR1020157016889A patent/KR102106133B1/ko active IP Right Grant
- 2013-12-09 JP JP2015546892A patent/JP6362615B2/ja active Active
- 2013-12-09 PT PT138025382T patent/PT2932523T/pt unknown
- 2013-12-13 AR ARP130104709A patent/AR093991A1/es active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MX346874B (es) | 2017-03-31 |
| JP6362615B2 (ja) | 2018-07-25 |
| KR102106133B1 (ko) | 2020-05-04 |
| CA2894942C (en) | 2021-01-05 |
| CA2894942A1 (en) | 2014-06-19 |
| JP2016509333A (ja) | 2016-03-24 |
| AR093991A1 (es) | 2015-07-01 |
| SG10201709310WA (en) | 2018-01-30 |
| US10032610B2 (en) | 2018-07-24 |
| KR20150093713A (ko) | 2015-08-18 |
| US20150318151A1 (en) | 2015-11-05 |
| MX2015007567A (es) | 2016-04-15 |
| EP2932523B1 (de) | 2017-02-15 |
| CN105144338B (zh) | 2017-07-14 |
| PL2932523T3 (pl) | 2017-08-31 |
| HUE033157T2 (en) | 2017-11-28 |
| BR112015013749A2 (pt) | 2017-07-11 |
| BR112015013749B1 (pt) | 2021-02-02 |
| SG11201504651QA (en) | 2015-07-30 |
| CN105144338A (zh) | 2015-12-09 |
| WO2014090389A1 (de) | 2014-06-19 |
| DE102012024340A1 (de) | 2014-06-18 |
| ES2625301T3 (es) | 2017-07-19 |
| PT2932523T (pt) | 2017-04-21 |
| EP2932523A1 (de) | 2015-10-21 |
| RU2643508C2 (ru) | 2018-02-02 |
| MY174916A (en) | 2020-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2015128048A (ru) | Источник плазмы | |
| JP2010013676A5 (ru) | ||
| AR095602A1 (es) | Sistema y método de recubrimiento de un sustrato | |
| JP2012243439A5 (ru) | ||
| RU2015137774A (ru) | Устройство для ионной бомбардировки и способ его применения для очистки поверхности подложки | |
| US20130009055A1 (en) | System of electrospray ion generator | |
| NZ704253A (en) | Apparatus and method for the plasma coating of a substrate, in particular a press platen | |
| CN104716009A (zh) | 一种基于真空紫外光电离和大气压电离的复合电离源 | |
| RU2016138745A (ru) | Способ и устройство для создания плазмы, возбуждаемой микроволновой энергией в области электронного циклотронного резонанса (ecr), для осуществления обработки поверхности или нанесения покрытия вокруг нитевидного компонента | |
| WO2012036491A3 (ko) | 누설 전류형 변압기를 이용한 플라즈마 처리장치 | |
| RU2012100143A (ru) | Генератор высокочастотного излучения на основе разряда с полым катодом | |
| RU2015145958A (ru) | Генератор высокочастотного излучения на основе разряда с полым катодом | |
| CN106282957A (zh) | 气相沉积膜设备用抽气陶瓷环 | |
| CN103730320B (zh) | 一种微空心阴极等离子体处理装置 | |
| JP2015218245A5 (ru) | ||
| RU2013123637A (ru) | Способ образования каналов на катоде в несамостоятельном дуговом разряде | |
| RU2012105581A (ru) | Способ нанесения покрытий электронно-лучевым испарением в вакууме | |
| RU2013133581A (ru) | Способ получения интерметаллического антиэмиссионного покрытия на сеточных электродах генераторных ламп | |
| CN203617246U (zh) | 一种微空心阴极等离子体处理装置 | |
| CN205443446U (zh) | 一种等离子体化学气相沉积镀膜装置 | |
| RU2008131791A (ru) | Способ нанесения покрытия на внутреннюю поверхность трубы | |
| RU2015123270A (ru) | Способ нанесения покрытий путем плазменного напыления и устройство для его осуществления | |
| RU2015121444A (ru) | Устройство образования бескапельного ионного потока при электрораспылении анализируемых растворов в источниках ионов с атмосферным давлением | |
| CN103681197A (zh) | 一种毛细玻璃管内壁等离子体处理装置 | |
| RU2015115404A (ru) | Способ сушки веществ в потоке низкотемпературной плазмы с использованием электромагнитного поля |