DE4425221C1 - Verfahren und Einrichtung zum plasmagestützten Beschichten von Substraten in reaktiver Atmosphäre - Google Patents
Verfahren und Einrichtung zum plasmagestützten Beschichten von Substraten in reaktiver AtmosphäreInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zum
plasmagestützten Beschichten von Substraten in einer reakti
ven Atmosphäre, insbesondere zur Abscheidung isolierender
Schichten, wobei das Plasma mit einer Niedervoltbogenentla
dungsplasmaquelle erzeugt wird und ein leitfähiges Material,
vorzugsweise ein Metall, mit einem Vakuumbogenverdampfer
verdampft wird.
Nach dem Stand der Technik sind eine Vielzahl unterschiedli
cher Verfahren sowie Einrichtungen zur plasmagestützten
Beschichtung bekannt. Für die vorliegende Erfindung sind
insbesondere die Lösungen relevant, die zur Erzeugung des
Plasmas eine Niedervoltbogenentladung einsetzen. Das plasma
gestützte Beschichten hat dabei vorteilhafte Auswirkungen auf
die Qualität der abgeschiedenen Schicht, insbesondere die
Haftfestigkeit und die Dichte der Schicht.
In der DE 42 28 499 C1 wird ein Verfahren und eine Einrich
tung beschrieben, bei denen die Katode einer Niedervoltboge
nentladung (z. B. Hohlkatode) und eines Vakuumbogenverdamp
fers gleichzeitig elektrisch mit einer anodischen Elektrode
verbunden sind. Damit kann während der Verdampfung des Tar
gets eines Vakuumbogenverdampfers ständig und unabhängig
davon mittels der Niedervoltbogenentladung ein intensives
Plasma erzeugt werden. Die Niedervoltbogenentladung kann aber
auch selbständig für die Plasmabehandlung der Substrate, z. B.
zur Ionenreinigung, eingesetzt werden. Nachteilig ist
dabei, daß das Verfahren bzw. die Einrichtung nur zur Ab
scheidung von metallisch leitenden Schichten eingesetzt
werden kann. Bei der Beschichtung werden durch konstruktive
Gestaltungen zwar vorzugsweise die Substrate beschichtet, es
ist aber nicht auszuschließen, daß auch die anodische Elek
trode beschichtet wird. Das ist vertretbar, wenn sich auf der
anodischen Elektrode leitfähige Schichten abscheiden. Wenn
jedoch isolierende Schichten abgeschieden werden, dann wird
die Einrichtung unbrauchbar, da die anodische Elektrode nach
kurzer Zeit derart beschichtet ist, daß sie isolierend abge
deckt ist und ihre Wirkung als Elektrode verliert.
Die DE 42 21 361 C1 gibt ein Verfahren und eine Einrichtung
zur plasmagestützten Beschichtung an, die besonders für die
Abscheidung isolierender Schichten geeignet sind. Dabei
brennt die Niedervoltbogenentladung gegen eine Anode, die
drahtförmige Anodenstäbe aus hochschmelzendem Material auf
weist. Diese drahtförmigen Anodenstäbe erhitzen sich während
der Niedervoltbogenentladung derart hoch, daß sich darauf
keine Schicht, insbesondere keine isolierende Schicht ab
scheiden kann. Damit bleiben mindestens die
Anodenstäbe der Anode der Niedervoltbogenentladung, auch bei
der plasmagestützten Abscheidung von isolierenden Schichten,
metallisch rein und damit leitfähig.
Nachteilig an dieser Lösung ist die sehr hohe Wärmestrahlung
der glühenden Anodenstäbe. Damit ist die Einrichtung für
viele wärmeempfindliche Substrate nicht einsetzbar.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein Verfahren und
eine Einrichtung zur plasmagestützten Beschichtung von Sub
straten zu schaffen, mit denen in einer reaktiven Atmosphäre
insbesondere isolierende Schichten zuverlässig und mit gerin
ger thermischer Belastung der Substrate abgeschieden werden
können.
Die Erfindung löst die Aufgabe für das Verfahren mit den
kennzeichnenden Mitteln des Anspruchs 1 und für die Einrich
tung mit den kennzeichnenden Mitteln des Anspruchs 4. Vor
teilhafte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen gekenn
zeichnet.
Der Kern der Erfindung liegt dabei darin, daß die Oberfläche
des Targets eines Vakuumbogenverdampfers nach Abschluß eines
Beschichtungszyklusses immer metallisch rein ist und minde
stens zum Zünden der Niedervoltbogenentladung als Anode
eingesetzt wird. Derartig kann eine Niedervoltbogenentladung
problemlos und stabil gezündet werden. Das Target des Vakuum
bogenverdampfers ist dabei mit einer Anode für die Nieder
voltbogenentladung elektrisch verbunden, die sich an einer
gegen Beschichtung mit einer isolierenden Schicht geschützten
Lage befindet. Erst wenn sich in der Beschichtungskammer ein
intensives Plasma ausgebildet hat, ist es möglich, das Target
des Vakuumbogenverdampfers als Anode von der Niedervoltboge
nentladung abzuschalten. Die Niedervoltbogenentladung brennt
danach zwischen der Katode und der eigentlichen Anode stabil
weiter. Aufgrund der besonderen Bedingungen bei der Abschei
dung isolierender Schichten ist es erforderlich, die eigent
liche Anode der Niedervoltbogenentladung derart einzuhausen
und gegenüber der Katode zurückzusetzen, daß eine unmittel
bare Zündung der Niedervoltbogenentladung zwischen der Katode
und der Anode nicht möglich ist, oder zumindest nur instabil
möglich ist.
Zur weiteren Vergrößerung der Anodenfläche und damit zur
weiteren Stabilisierung der Zündung der Niedervoltbogenentla
dung ist es vorteilhaft, daß zum Abschluß eines Beschich
tungszyklusses eine besondere Fläche mit reinem Targetmateri
al vom Vakuumbogenverdampfer bedampft wird und diese Fläche
beim nächsten Zünden der Niedervoltbogenentladung vorteilhaft
als zusätzliche Anodenfläche eingesetzt werden kann. Je
größer die als Anode einer Niedervoltbogenentladung einge
setzte Fläche ist, um so sicherer erfolgt die Zündung.
Die erfindungsgemäße Einrichtung gemäß Anspruch 4 besteht im
wesentlichen aus einem Schaltelement mit dem mindestens zum
Zünden der Vakuumbogenentladung das Target des Vakuumbogen
verdampfers an die Anode der Niedervoltbogenentladung ge
schaltet werden kann, wobei die Anode und die Katode der
Niedervoltbogenentladung gemeinsam derart eingehaust sind,
daß sie vor einer Beschichtung mit isolierendem Material
weitgehend geschützt sind. Zusätzlich mündet ein Inertgaszu
führung in die Einhausung, mit der ein Inertgasstrom gegen
die in die Einhausung eindringenden schichtbildenden Partikel
erzeugt werden kann.
Insbesondere zum Schutz der Anode des Vakuumbogenverdampfers
gegen Beschichtung mit isolierendem Material ist es vorteil
haft, auch den Vakuumbogenverdampfer mit seiner Anode und
Katode weitgehend einzuhausen und in die Einhausung einen
Inertgasstrom einzuleiten.
Zur Vergrößerung der Anodenfläche, mindestens während der
Zündphase der Niedervoltbogenentladung, ist es vorteilhaft
vor dem Target des Vakuumbogenverdampfers eine Schwenkblende
anzuordnen, die nach Abschluß der Beschichtung der Substrate
vorteilhafterweise in einer neutralen Atmosphäre, über das
Target geschwenkt und beschichtet wird. Mindestens zur Zün
dung der Niedervoltbogenentladung wird diese Blende an das
elektrische Potential des Targets des Vakuumbogenverdampfers
gelegt und vom Target weggeschwenkt, derart daß die beschich
tete Fläche offen der Katode der Niedervoltbogenentladung
gegenüberliegt.
Zur Verminderung der Einwirkung der Strahlungswärme von der
heißen Katode der Niedervoltbogenentladung auf die Substrate
ist es vorteilhaft die optische Linie zwischen der Katode der
Niedervoltbogenentladung und Substratanordnung durch Blenden
zu unterbrechen. Die Niedervoltbogenentladung kann in glei
cher Weise mit einer Glühkatode wie mit einer Hohlkatode
realisiert werden.
Isolierende Beschichtungen sind in vielseitiger Weise be
kannt, sehr häufig sind es zum Beispiel optisch transparente
und kratzfeste Schichten oder auch Schichten, die die Gleit
eigenschaft der Substrate verbessern. Die Substrate sind
dabei häufig sehr temperaturempfindlich, zum Beispiel opti
sche Linsen aus einem Kunststoff. Mit dem erfindungsgemäßen
Verfahren und der Einrichtung können derartige Substrate in
vorteilhafter Weise problemlos beschichtet werden.
Die Erfindung soll nachfolgend an einem Ausführungsbeispiel
näher erläutert werden.
Die zugehörige Zeichnung zeigt eine erfindungsgemäße Ein
richtung mit einer Hohlkatode als Niedervoltbogenplasmaquelle
und einem Vakuumbogenverdampfer.
Im Ausführungsbeispiel soll eine metallhaltige Kohlenstoff
schicht (Me-C:H) plasmagestützt auf Stahl abgeschieden wer
den. Im Beispiel wird als Metall Titan eingesetzt. Derartige
Schichten haben extrem geringe Reibkoeffizienten und eignen
sich zur Herstellung von schmiermittelfreien Lagerelementen.
Die erfindungsgemäße Einrichtung weist innerhalb der Vakuum
kammer 1 einen Vakuumbogenverdampfer 2 auf, der in bekannter
Weise aus einem Target 3, einer zugehörigen Anode 4 und einer
Stromquelle 5 besteht. Als Plasmaquelle ist erfindungsgemäß
eine Niedervoltbogenplasmaquelle 6 angeordnete, die im Bei
spiel aus einer Hohlkatode 7 und einer zugehörigen Anode 8
besteht. Die Stromversorgung der Niedervoltbogenplasmaquelle
6 erfolgt über die Stromquelle 9.
Die Substrate 10 sind auf einem Substrathalter 11 gehaltert
und dem Vakuumbogenverdampfer 2 gegenüber angeordnet.
Als erfindungswesentliches Element weist die Einrichtung das
Schaltelement 12 auf, mit welchem das Target 3 wahlweise in
einen elektrischen Stromkreis zur Anode 4 des Vakuumbogenver
dampfers 2 oder an die Anode 8 der Niedervoltbogenplasma
quelle 6 geschaltet werden kann. Die Hohlkatode 7 und die
Anode 8 der Niedervoltbogenplasmaquelle 6 sind gemeinsam mit
einer Einhausung 15 umgeben. In die Einhausung 15 mündet eine
Inertgaszuführung 16 ein. In ähnlicher Weise ist auch der
Vakuumbogenverdampfer 2 mit seinem Target 3 und der Anode 4
von einer Einhausung 17 umgeben, in die eine Inertgaszufüh
rung 18 einmündet.
Oberhalb des Targets 3 ist eine Schwenkblende 19 angeordnet,
die um den Drehpunkt 20 schwenkbar ist. Die Betätigung der
Schwenkblende 19 erfolgt über einen Elektromagnet 21. Die
Schwenkblende 19 ist elektrisch über die Leitung 22 mit dem
Schaltelement 12 verbunden.
Nachfolgend soll das erfindungsgemäße Verfahren unter Aus
nutzung der erfindungsgemäßen Einrichtung in seinem erfin
dungsgemäßen Zusammenwirken näher beschrieben werden.
Nach der Beschickung der Substrathalterung 11 mit den Sub
straten 10 wird die Vakuumkammer 1 in bekannter Weise evaku
iert. Danach wird das Schaltelement 12 so geschaltet, daß die
Kontakte A, B und C miteinander verbunden sind. Damit liegt
das Target 3 des Vakuumbogenverdampfers 2 und die Schwenk
blende 19 auf dem gleichen Potential wie die Anode 8 der
Niedervoltbogenplasmaquelle 6. Wenn nachfolgend mit der
Stromquelle 9 eine Spannung zwischen der Katode 7 der Nieder
voltbogenplasmaquelle 6 und der Anode 8 gelegt wird, dann
wirkt das Target 3 und die mittels des Elektromagneten 21
aufgeklappte Schwenkblende 19 als Zusatzanode der Nieder
voltbogenplasmaquelle 6. Während die Anode 8 der Niedervolt
bogenplasmaquelle 6 zur Katode 7 für eine sichere Zündung der
Niedervoltbogenentladung relativ ungünstig liegt, bildet die
saubere Oberfläche des Targets 3 aus einem leitenden Ver
dampfungsmaterial, im Beispiel Titan, und die mit Titan
bedampfte Unterseite der Schwenkblende 19 eine vorteilhafte
große Anodenfläche zur Katode 7. Bei einer entsprechenden
Stromzuführung über die Stromquelle 9 erfolgt eine problem
lose Zündung der Niedervoltbogenentladung zwischen der Katode
7 und dem Target 3 mit der Schwenkblende 19. Innerhalb der
Vakuumkammer 1 bildet sich ein intensives Plasma aus. Unter
diesen Bedingungen kann das Schaltelement 12 nach der Zündung
umgeschaltet werden, derart daß die Kontakte D und E ver
bunden werden. Damit entfällt das Target 3 und die Schwenk
blende 19 als Anodenfläche für die Niedervoltbogenentladung.
Diese brennt jedoch in stabiler Weise selbständig zwischen
der Katode 7 und der Anode 8 weiter. Nach diesem Vorgang der
Zündung der Niedervoltbogenplasmaquelle kann in bekannter
Weise eine Plasmabehandlung der Substrate 10, zum Beispiel
eine Ionenbeschußreinigung, durchgeführt werden. Zur eigent
lichen Beschichtung wird danach in die Vakuumkammer 1 über
den Reaktivgaseinlaß 25 ein Kohlenwasserstoffgas, im Beispiel
Äthylen, eingelassen und über die Stromquelle 5 der Vakuumbo
genverdampfer 2 gezündet. Das Target 3, im Beispiel Titan,
wird verdampft und auf den Substraten 10 wird eine Misch
schicht aus Titan und amorphem Kohlenstoff plasmagestützt
abgeschieden.
Diese metallhaltige amorphe Kohlenstoffschicht scheidet sich
zwangsweise auch an allen übrigen Einbauteilen innerhalb der
Vakuumkammer 1 ab und bildet eine isolierende Beschichtung in
äquivalenter Weise wie auf den Substraten 10. Verfahrensty
pisch bleibt lediglich das Target 3, welches ständig ver
dampft wird, metallisch blank.
Zum Abschluß des Beschichtungszyklus wird die Schwenkblende
19 über das Target 3 geklappt und mit einer abschließenden
leitenden Schicht aus Titan beschichtet. Der nächste Be
schichtungszyklus erfolgt in der gleichen Weise wie bereits
vorher beschrieben wurde, wobei jetzt in besonderem Maße
außer der Oberfläche des Targets 3 und der Unterseite der
Schwenkblende 19 alle Einbauteile mit einer isolierenden
Schicht beschichtet sind.
Zum weitestgehenden Schutz der Anode 8 vor einer isolierenden
Beschichtung ist diese innerhalb der Einhausung 15 angeord
net, wobei zusätzlich in der Einhausung 15 über die Inert
gaszuführung 16 ein leichter innerer Überdruck gegenüber der
Vakuumkammer 1 erzeugt wird. Das Einströmen von schichtbil
denden Partikeln in die Einhausung 15 und insbesondere auf
die Anode 8 wird damit stark vermindert. In ähnlicher Weise
ist auch der Vakuumbogenverdampfer 2 mit einer Einhausung 17
versehen, damit die Anode 4 weitestgehend unbeschichtet
bleibt.
Der Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung besteht insbesondere
darin, daß trotz der unvermeidlichen Ausbildung von isolie
renden Beschichtungen auf grundsätzlich allen Einbauteilen in
der Vakuumkammer 1 in sicherer Weise eine stabile Nieder
voltbogenentladung gezündet werden kann.
Claims (10)
1. Verfahren zum plasmagestützten Beschichten von Substraten
(10) in einer reaktiven Atmosphäre, wobei das Plasma
mittels einer Niedervoltbogenplasmaquelle (6) erzeugt und
ein Metall mit einem Vakuumbogenverdampfer (2) verdampft
wird, bei dem das Target (3) des Vakuumbogenverdampfers
(2) mindestens zum Zünden der Niedervoltbogenentladung
als Anode der Niedervoltbogenplasmaquelle (6) geschaltet
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
zum Abschluß eines Beschichtungszyklusses eine Fläche,
die mindestens zum Zünden der Niedervoltbogenentladung an
die Anode (8) der Niedervoltbogenplasmaquelle (6) ge
schaltet wird, vom Vakuumbogenverdampfer (2) mit Metall
bedampft wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Target (3) des Vakuumbogenverdampfers (2) mindestens
zum Zünden der Niedervoltbogenentladung von der Anode (4)
des Vakuumbogenverdampfers (2) elektrisch getrennt wird.
4. Einrichtung zum plasmagestützten Beschichten von Sub
straten (10) in einer reaktiven Atmosphäre, mit einer
Niedervoltbogenplasmaquelle (6), deren Anode (8) und
Katode (7) sich in räumlicher Nähe befinden und gemeinsam
eingehaust sind, wobei in die Einhausung (15) eine Inert
gaszuführung (16) einmündet, und mit einem Vakuumbogen
verdampfer (2), dessen Target (3) mittels eines Schalt
elements (12) mit der Anode (8) der Niedervoltbogenplas
maquelle (6) verbunden werden kann.
5. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
der Vakuumbogenverdampfer (2) vor dem Target (3) eine
Schwenkblende (19) aufweist, die vom Target (3) wegge
schwenkt werden kann und mindestens zum Zünden der Nie
dervoltbogenentladung mittels eines Schaltelements mit
der Anode (8) der Niedervoltbogenplasmaquelle (6) ver
bunden werden kann.
6. Einrichtung nach Anspruch 4 und 5, dadurch gekennzeich
net, daß das Target (3) des Vakuumbogenverdampfers (2)
und die Schwenkblende (19) gemeinsam mittels eines
Schaltelements (12) mit der Anode (8) der Niedervoltbo
genplasmaquelle (6) verbunden werden können.
7. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
das Target (3) des Vakuumbogenverdampfers (2) und die zu
gehörige Anode (4) gemeinsam eingehaust sind.
8. Einrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
in die Einhausung (17) eine Inertgaszuführung (18) ein
mündet.
9 Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
mittels eines Schaltelements oder des Schaltelements
(12), welches das Target (3) des Vakuumbogenverdampfers
(2) mit der Anode (8) der Niedervoltbogenplasmaquelle (6)
verbindet, das Target (3) von der Anode (4) des Vakuumbo
genverdampfers (2) elektrisch getrennt werden kann.
10. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die optische Linie zwischen der Katode (7) der Nieder
voltbogenplasmaquelle (6) und der Substratanordnung durch
Blenden unterbrochen ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19944425221 DE4425221C1 (de) | 1994-07-16 | 1994-07-16 | Verfahren und Einrichtung zum plasmagestützten Beschichten von Substraten in reaktiver Atmosphäre |
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Publications (1)
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DE4425221C1 true DE4425221C1 (de) | 1995-08-24 |
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