CN203617246U - 一种微空心阴极等离子体处理装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种微空心阴极等离子体处理装置，包括电极组件、绝缘板和高频电源，所述电极组件包括相互平行设置的第一平板电极和第二平板电极，所述第一平板电极和第二平板电极之间还设置有绝缘板，所述第一平板电极与所述高频电源的负极电连接，所述第二平板电极与所述高频电源的正极电连接，所述第一平板电极、第二平板电极和绝缘板上分别贯穿设置有气孔，所述上部气孔直径尺寸小于所述下部气孔直径尺寸。本实用新型中反应气体从进入气孔，由于上部气孔直径尺寸小于下部气孔直径尺寸，电离后的反应气体进入下部气孔时向两侧溅射，从而形成高浓度离子，实现较大面积处理，提高处理效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及等离子体处理装置领域，更具体的说是涉及一种微空心阴极等离子体处理装置。
背景技术
等离子体是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质，它广泛存在于宇宙中，常被视为是除去固、液、气外，物质存在的第四态。
目前，等离子体装置一般的是在密封容器中设置两个电极形成电场，用真空泵实现一定的真空度，随着气体愈来愈稀薄，分子间距及分子或离子的自由运动距离也愈来愈长，受电场作用，他们发生碰撞而形成离子体，这些离子的活性很高，其能量足以破坏几乎所有的化学键，在任何暴露的材料表面引起化学反应，从而使材料表面的结构、成分和基团发生变化，得到满足实际要求的表面。等离子体反应速度快、处理效率高，而且改性仅发生在材料表面，对材料内部本体材料的性能没有影响，是理想的表面改性手段。
等离子体处理时，传统的平板电极生成的电场范围小，材料处理的面积也就小，而且，反应气体经过传统的平板电极生成的离子浓度也相对比较低。
因此，亟需一种增加处理面积的微空心阴极等离子体处理装置。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种微空心阴极等离子体处理装置。
实现本实用新型目的的技术方案是：一种微空心阴极等离子体处理装置，包括电极组件、绝缘板和高频电源，所述电极组件包括相互平行设置的第一平板电极和第二平板电极，所述绝缘板设置于所述第一平板电极和所述第二平板电极之间，所述第一平板电极与所述高频电源的负极电连接，所述第二平板电极与所述高频电源的正极电连接，所述第一平板电极、第二平板电极和绝缘板上分别贯穿设置有气孔，所述上部气孔直径尺寸小于所述下部气孔直径尺寸。
进一步的，述第一平板电极的厚度尺寸大于所述第二平板电极的厚度尺寸。
进一步的，所述第一平板电极上开设有至少一个第一气孔，所述第二平板电极上开设有至少一个第二气孔，所述绝缘板上开设有至少一个绝缘气孔，所述第一气孔、第二气孔和绝缘气孔的轴心在同一直线上。
进一步的，所述第二气孔的直径尺寸与所述绝缘气孔的直径尺寸相同，所述第一气孔的直径尺寸小于所述第二气孔和所述绝缘气孔的直径尺寸。
进一步的，所述第一气孔的上部直径尺寸小于所述第一气孔的下部直径尺寸，所述第一气孔的下部直径尺寸、所述第二气孔的直径尺寸与所述绝缘气孔的直径尺寸相同。
进一步的，还包括用于放置材料的物料架，所述物料架设置于所述第二平板电极下方。
本实用新型具有积极的效果：本实用新型中反应气体从进入气孔，由于上部气孔直径尺寸小于下部气孔直径尺寸，电离后的反应气体进入下部气孔时向两侧溅射，从而形成高浓度离子，实现较大面积处理，提高处理效率。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中：
图1为本实用新型第一实施例的结构示意图；
图2为本实用新型第二实施例的结构示意图。
其中：1、处理腔，2、第二平板电极，3、第二气孔，4、绝缘板，5、绝缘气孔，6、第一平板电极，7、第一气孔。
具体实施方式
实施例1
如图1所示，作为第一优选实施例，本实施例提供一种微空心阴极等离子体处理装置，包括电极组件、绝缘板 4和高频电源（图中未示出），电极组件包括相互平行设置的第一平板电极6和第二平板电极2，绝缘板4设置于第一平板电极6和第二平板电极2之间，第一平板电极6与高频电源的负极电连接，第二平板电极2与高频电源的正极电连接，第一平板电极6上开设有二个第一气孔7，第二平板电极2上开设有二个第二气孔3，绝缘板4上开设有二个绝缘气孔5，第一气孔7、第二气孔3和绝缘气孔5的轴心在同一直线上，并且第一平板电极6的厚度尺寸大于第二平板电极2的厚度尺寸，第二气孔3的直径尺寸与绝缘气孔5的直径尺寸相同，第一气孔7的直径尺寸小于第二气孔3和绝缘气孔5的直径尺寸。
本实施例中反应气体依次通过第一气孔7、绝缘气孔5和第二气孔3，由于绝缘气孔5和第二气孔3的直径尺寸大于第一气孔7的直径尺寸，电离后的反应气体在绝缘气孔5和第二气孔3中向两侧溅射，从而形成高浓度离子，最后由第二气孔3出来进入下面的处理腔1对材料进行活化反应，实现较大面积处理，提高处理效率。
实施例2
如图2所示，作为第二优选实施例，其余与实施例1相同，不同之处在于，本实施例提供的第一气孔7的上部直径尺寸小于第一气孔7的下部直径尺寸，第一气孔7的下部直径尺寸、第二气孔3的直径尺寸与绝缘气孔5的直径尺寸相同。本实施例中第一气孔7的上部直径尺寸小于第一气孔7的下部直径尺寸，反应气体从第一气孔7的上部进入第一气孔7的下部直径尺寸时，由于下部直径尺寸变大，电离后的反应气体向两侧溅射，形成高浓度离子。
以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1. 一种微空心阴极等离子体处理装置，包括电极组件、绝缘板和高频电源，所述电极组件包括相互平行设置的第一平板电极和第二平板电极，所述绝缘板设置于所述第一平板电极和所述第二平板电极之间，所述第一平板电极与所述高频电源的负极电连接，所述第二平板电极与所述高频电源的正极电连接，其特征在于，所述第一平板电极、第二平板电极和绝缘板上分别贯穿设置有气孔，所述上部气孔直径尺寸小于所述下部气孔直径尺寸。
2. 根据权利要求1所述的微空心阴极等离子体处理装置，其特征在于，所述第一平板电极的厚度尺寸大于所述第二平板电极的厚度尺寸。
3. 根据权利要求1所述的微空心阴极等离子体处理装置，其特征在于，所述第一平板电极上开设有至少一个第一气孔，所述第二平板电极上开设有至少一个第二气孔，所述绝缘板上开设有至少一个绝缘气孔，所述第一气孔、第二气孔和绝缘气孔的轴心在同一直线上。
4. 根据权利要求3所述的微空心阴极等离子体处理装置，其特征在于，所述第二气孔的直径尺寸与所述绝缘气孔的直径尺寸相同，所述第一气孔的直径尺寸小于所述第二气孔和所述绝缘气孔的直径尺寸。
5. 根据权利要求3所述的微空心阴极等离子体处理装置，其特征在于，所述第一气孔的上部直径尺寸小于所述第一气孔的下部直径尺寸，所述第一气孔的下部直径尺寸、所述第二气孔的直径尺寸与所述绝缘气孔的直径尺寸相同。
6. 根据权利要求1-5任一所述的微空心阴极等离子体处理装置，其特征在于，还包括用于放置材料的物料架，所述物料架设置于所述第二平板电极下方。
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| CN201320850822.XU CN203617246U (zh) | 2013-12-23 | 2013-12-23 | 一种微空心阴极等离子体处理装置 |
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| CN201320850822.XU CN203617246U (zh) | 2013-12-23 | 2013-12-23 | 一种微空心阴极等离子体处理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN203617246U true CN203617246U (zh) | 2014-05-28 |
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ID=50769873
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN203617246U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103730320A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-16 | 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 | 一种微空心阴极等离子体处理装置 |
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2013
- 2013-12-23 CN CN201320850822.XU patent/CN203617246U/zh not_active Withdrawn - After Issue
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103730320A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-16 | 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 | 一种微空心阴极等离子体处理装置 |
| CN103730320B (zh) * | 2013-12-23 | 2016-09-28 | 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 | 一种微空心阴极等离子体处理装置 |
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