RU2643508C2 - Источник плазмы - Google Patents

Источник плазмы Download PDF

Info

Publication number
RU2643508C2
RU2643508C2 RU2015128048A RU2015128048A RU2643508C2 RU 2643508 C2 RU2643508 C2 RU 2643508C2 RU 2015128048 A RU2015128048 A RU 2015128048A RU 2015128048 A RU2015128048 A RU 2015128048A RU 2643508 C2 RU2643508 C2 RU 2643508C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plasma
anode
hollow body
plasma source
hole
Prior art date
Application number
RU2015128048A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2015128048A (ru
Inventor
Зигфрид КРАССНИТЦЕР
Юрг ХАГМАНН
Original Assignee
Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон filed Critical Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон
Publication of RU2015128048A publication Critical patent/RU2015128048A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2643508C2 publication Critical patent/RU2643508C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32321—Discharge generated by other radiation
    • H01J37/3233—Discharge generated by other radiation using charged particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32596—Hollow cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/48—Generating plasma using an arc
    • H05H1/50—Generating plasma using an arc and using applied magnetic fields, e.g. for focusing or rotating the arc
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к устройству формирования плазмы. Устройство содержит источник плазмы с полым телом (1) источника плазмы и блоком (5) эмиссии электронов для эмиссии свободных электронов в полое тело источника плазмы, при этом полое тело (1) источника плазмы имеет первый газовый вход (7а) и отверстие (10) источника плазмы, которое образует отверстие к вакуумной камере, а также анод с полым телом (2) анода. При этом полое тело (2) анода имеет второй газовый вход (7b) и отверстие (11) анода, которое образует отверстие к вакуумной камере, и источник (8) напряжения, отрицательный полюс которого соединен с блоком (5) эмиссии электронов. Положительный полюс источника (8) напряжения дополнительно электрически соединен с полым телом источника плазмы через первое параллельно включенное сопротивление (6а). Техническим результатом является повышение стабильности процесса нанесения покрытия за счет исключения нанесения покрытия на источник плазмы и полый анод. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

Данное изобретение относится к устройству формирования плазмы для формирования плазмы и к способу формирования плазмы в вакуумной установке для нанесения покрытий, например, с целью плазменного травления, нагревания, азотирования и осаждения слоев с помощью процессов усиленного плазмой осаждения из газовой фазы (PE-CVD).
Изобретение основано на источнике плазмы, который работает по принципу термической эмиссии электронов и приложения отрицательного напряжения к нагреваемому эмиттеру (эффект Шотки) или по принципу источника плазмы с полым катодом. Согласно изобретению для устройства формирования плазмы в качестве анода применяется электрически ограниченное полое пространство, которое установлено, например, с выступом на вакуумном приемнике. Это полое пространство после выключения плазмы закрывается обтюраторным механизмом, за счет чего предотвращаются загрязнения, вызванные следующими этапами процесса. Предпочтительно включение источника плазмы обеспечивается с помощью параллельно включённых сопротивлений.
Ниже приводится в качестве примера подробное пояснение изобретения со ссылками на сопровождающие чертежи, на которых изображено:
Фиг. 1 - устройство формирования плазмы, содержащее источник плазмы, полый анод, а также средства для облегчения зажигания;
Фиг. 2 - распределение травления: скорость травления в виде функции положения подложки;
Фиг. 3а-3f - варианты расположения источника плазмы и полого анода;
Фиг. 4 - расположение источника плазмы и полого анода в установках с большей высотой загрузки;
Фиг. 5 - несколько полых тел анода с переключательным блоком;
Фиг. 6а-6b - полое тело источника плазмы и полое тело анода с устройствами 13а и 13b формирования магнитного поля.
На Фиг. 1 показано устройство формирования плазмы согласно изобретению для обработки деталей, например, до или во время нанесения покрытия в вакуумной установке. Показана вакуумная камера 3 с установленным на ней через изоляторы с электрической изоляцией с помощью фланца полым телом 1 источника плазмы, которое является частью источника плазмы. Кроме того, источник плазмы содержит блок 5 эмиссии электронов, который используется в качестве средства для формирования свободных электронов. Это средство выступает в полое тело 1 источника плазмы, так что электроны формируются в полом теле 1 источника плазмы. Например, в качестве такого блока 5 эмиссии электронов пригодна вольфрамовая нить, которая нагрета до температуры примерно 2700 – 3000 К. За счет приложения напряжения с помощью источника 8 напряжения к блоку 5 эмиссии электронов он становится эмиттером электронов. Через газовый вход 7а в полое тело 1 источника плазмы подается газ. Газ ионизируется с помощью свободных электронов, формируемых блоком 5 эмиссии электронов. В качестве газа пригоден, например, аргон.
Положительный полюс источника 8 напряжения электрически соединен с полым телом 1 источника плазмы через включенное параллельно источнику плазмы сопротивление (PSsR). При включении источника напряжения, через это параллельное сопротивление 6а может протекать ток, за счет чего обеспечивается возможность подачи энергии в плазму в полом теле 1 источника плазмы. Возникающая за счет этого в полом теле 1 источника плазмы плазма проходит через предусмотренное в полом теле 1 источника плазмы отверстие 10 источника плазмы в пространство вакуумной камеры 3 и заполняет его.
На вакуумной камере 3 установлено через изоляторы 4 электрически изолированно с помощью фланцев другое полое тело, которое в последующем называется полым телом 2 анода. Вакуумная камера 3 и полое тело 2 анода соединены друг с другом через анодное отверстие 11. Полое тело 2 анода электрически соединено непосредственно с положительным полюсом источника 8 напряжения. В полом теле 2 анода предусмотрен газовый вход 7b, через который в полое тело 2 анода подается газ. Это может быть, например, аргон.
Дополнительно к этому, стенка вакуумной камеры 3 соединена через второе параллельное сопротивление 6b с источником 8 напряжения. За счет этого обеспечивается возможность прохождения разрядного тока от блока 5 эмиссии электронов к стенке камеры. Поскольку полое тело 2 анода непосредственно соединено с положительным полюсом источника 8 напряжения, то ток проходит предпочтительно через полое тело 2 анода для разряда, и в полом теле анода образуется плазма. За счет этого замыкается пригодный для большого тока путь, который может принимать очень большой ток разряда при низком напряжении. Ток может составлять вплоть до нескольких сотен А при напряжении примерно 16-100 В.
Свойства формируемой таким способом плазмы очень сильно зависят от отверстия 10 источника плазмы и отверстия 11 анода. Вдоль этих отверстий происходит ускорение электронов за счет падения потенциала и за счет присутствия, например, атомов газа аргона очень сильная их ионизация, а именно, перед и внутри отверстий. Эти отверстия предпочтительно имеют диаметр между 4 мм и 30 мм. Предпочтительно, диаметры составляют примерно 12 мм. Расстояние между источником плазмы и полым анодом составляет между 200 и 400 мм. Расстояние отверстий до подлежащих обработке подложек составляет между 200 и 400 мм.
Другие характерные рабочие параметры в данном примере:
Подача газа аргона: 50-200 см3/с в источник плазмы и/или полый анод
Ток разряда: 200 А
Напряжение разряда источника плазмы: 16-30 В
Напряжение разряда полого анода: 16-100 В.
Преобразуемая в источнике плазмы и полом аноде мощность должна отводиться с помощью известных специалистам в данной области техники мер (не изображено на Фиг. 1).
С помощью описанного выше устройства формирования плазмы можно осуществлять устойчивый плазменный процесс.
В устройстве формирования плазмы согласно изобретению можно отказаться от обычно необходимого технического обслуживания перед началом каждого процесса, в частности, когда анод с помощью диафрагм может быть защищен от покрытия. Для процесса травления диафрагма перед отверстием анода открывается, так что в полом аноде может возникать плазма. Для возможного последующего процесса нанесения покрытия, например электродугового испарения или распыления, диафрагму можно закрывать с помощью обтюратора. То же относится, соответственно, к отверстию 10 источника плазмы к вакуумной камере.
Поскольку сам анод активно используется в качестве источника плазмы, то значительно повышается объем плазмы по сравнению с уровнем техники. Устройство формирования плазмы можно предпочтительно использовать, например, при плазменном травлении, плазменном нагревании и при нанесении покрытия PE-CVD.
При плазменном нагревании можно использовать, например, аргон и водород, за счет чего формируется атомный водород, который имеет высокую реактивность и пригоден, например, для удаления органических остатков.
В рамках нанесения покрытия PE-CVD можно применять, например, аргон в качестве газа для продувки для источника плазмы и полого анода. Если в рамках нанесения покрытия в вакуумную камеру подается, например, С2Н2 и/или СН4 или газ другого мономера или полимера, то в плазме при применении отрицательного напряжения подложки осаждается содержащий углерод слой, например слой DLC (алмазообразного углерода). Если отверстия 10, 11 источника плазмы и полого анода имеют соответствующую форму, то там образуется сверхзвуковой поток. Это вместе с высокой плотностью энергии приводит к тому, что не происходит нанесения покрытия на источник плазмы и/или полый анод. Поэтому соответствующие внутренние поверхности остаются по существу без покрытия и тем самым электрически проводящими, что значительно способствует стабильности процесса.
На Фиг. 3 показаны варианты расположения источника плазмы и полого анода, которые образуют устройство формирования плазмы согласно изобретению. При этом острие стрелки всегда направлено к полому аноду, а конец стрелки лежит вблизи источника плазмы. Соединения выполнены в соответствии с Фиг. 1. На Фиг. 3а показано простое соединение с помощью фланца с боковой стенкой вакуумной камеры. На Фиг. 3b, 3c, 3d и 3f показано присоединение с помощью фланцев двух источников плазмы и двух полых анодов, при этом направления тока имеют различную пространственную ориентацию. На Фиг. 3 схематично показано соединение с помощью фланца источника плазмы с крышкой вакуумной камеры и соединение с помощью фланца полого анода с дном вакуумной камеры. Также в вакуумных камерах с большей высотой загрузки могут быть расположены друг над другом два устройства формирования плазмы согласно изобретению. Это показано схематично на Фиг. 4.
Упомянутые в данном описании параллельные сопротивления 6а и 6b предпочтительно лежат между 10 Ом и 100 Ом включительно, особенно предпочтительно между 20 Ом и 50 Ом включительно.
Может быть предпочтительным использование лишь плазмы, которая формируется на теле анода. В соответствии с этим, в другом предпочтительном варианте выполнения данного изобретения осуществляется электрическое управление несколькими полыми телами анода по меньшей мере через одно полое тело источника плазмы посредством одновременного, или последовательного, или перекрывающегося включения переключателей переключательного блока 12. Это показано на Фиг. 4, при этом средства для зажигания разряда здесь для упрощения не изображены.
Согласно другому варианту выполнения данного изобретения можно повышать напряжение разряда на аноде за счет использования магнитных полей. За счет этого происходит ускорение ионов, формируемых у входного отверстия полого тела анода и в связи с этим имеющих высокую энергию частиц. Магнитные поля можно использовать также на полом теле источника плазмы.
На Фиг. 6а и 6b показаны полое тело источника плазмы и полое тело анода с устройствами 13а и 13b формирования магнитного поля.
В то время как магнитное поле полого тела 13b источника плазмы обеспечивает направление электронов и тем самым ионов в вакуумный приемник, магнитное поле 13а на полом теле анода вызывает отклонение электронов и тем самым повышение падения напряжения перед анодом (эффект Холла). Этот потенциал ускоряет в свою очередь ионизированные атомы газа и придает им повышенную энергию.

Claims (10)

1. Устройство формирования плазмы, содержащее
- источник плазмы с полым телом (1) источника плазмы и блоком (5) эмиссии электронов, который обеспечивает возможность эмиссии свободных электронов в полое тело источника плазмы, при этом полое тело (1) источника плазмы имеет первый газовый вход (7а) и отверстие (10) источника плазмы, которое образует отверстие в вакуумную камеру,
- а также анод с полым телом (2) анода, при этом полое тело (2) анода имеет второй газовый вход (7b) и отверстие (11) анода, которое образует отверстие в вакуумную камеру,
- и источник (8) напряжения, отрицательный полюс которого соединен с блоком (5) эмиссии электронов и положительный полюс которого соединен с полым телом (2) анода,
отличающееся тем, что положительный полюс источника (8) напряжения дополнительно электрически соединен с полым телом источника плазмы через первое параллельно включенное сопротивление (6а).
2. Устройство формирования плазмы по п. 1, отличающееся тем, что положительный полюс источника (8) напряжения электрически соединен через второе параллельно включенное сопротивление (6b) с вакуумной камерой.
3. Устройство формирования плазмы по любому из пп. 1 или 2, отличающееся тем, что у отверстия (10) источника плазмы предусмотрена диафрагма (9р), которой можно при необходимости закрывать отверстие источника плазмы.
4. Устройство формирования плазмы по п. 1, отличающееся тем, что у отверстия (11) анода предусмотрена диафрагма (9а), которой можно при необходимости закрывать отверстие (11) анода.
5. Устройство формирования плазмы по п. 1, отличающееся тем, что отверстие источника плазмы и/или отверстие анода выполнены таким образом, что во время работы может возникать сверхзвуковой поток через отверстие и/или отверстия.
6. Способ нанесения покрытия на подложки путем усиленного плазмой осаждения из газовой фазы (PE-CVD), при этом моно- и/или полимерный газ подается в вакуумную камеру, которая содержит устройство формирования плазмы, и в вакуумной камере посредством устройства формирования плазмы формируется плазма, и на подлежащие покрытию подложки подается отрицательное напряжение, отличающийся тем, что устройство формирования плазмы является устройством формирования плазмы по п. 5 и за счет этого ни внутреннее пространство полого тела источника плазмы, ни внутреннее пространство полого тела анода не подвергаются нанесению покрытия.
RU2015128048A 2012-12-13 2013-12-09 Источник плазмы RU2643508C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012024340.5A DE102012024340A1 (de) 2012-12-13 2012-12-13 Plasmaquelle
DE102012024340.5 2012-12-13
PCT/EP2013/003704 WO2014090389A1 (de) 2012-12-13 2013-12-09 Plasmaquelle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015128048A RU2015128048A (ru) 2017-01-17
RU2643508C2 true RU2643508C2 (ru) 2018-02-02

Family

ID=49753120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015128048A RU2643508C2 (ru) 2012-12-13 2013-12-09 Источник плазмы

Country Status (18)

Country Link
US (1) US10032610B2 (ru)
EP (1) EP2932523B1 (ru)
JP (1) JP6362615B2 (ru)
KR (1) KR102106133B1 (ru)
CN (1) CN105144338B (ru)
AR (1) AR093991A1 (ru)
BR (1) BR112015013749B1 (ru)
CA (1) CA2894942C (ru)
DE (1) DE102012024340A1 (ru)
ES (1) ES2625301T3 (ru)
HU (1) HUE033157T2 (ru)
MX (1) MX346874B (ru)
MY (1) MY174916A (ru)
PL (1) PL2932523T3 (ru)
PT (1) PT2932523T (ru)
RU (1) RU2643508C2 (ru)
SG (2) SG10201709310WA (ru)
WO (1) WO2014090389A1 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015101294A1 (de) * 2015-01-29 2016-08-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zum Erzeugen eines Hohlkathodenbogenentladungsplasmas
DE102016213830B3 (de) * 2016-07-27 2017-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Quell-Hohlkörper sowie EUV-Plasma-Lichtquelle mit einem derartigen Quell-Hohlkörper
WO2019246296A1 (en) * 2018-06-20 2019-12-26 Board Of Trustees Of Michigan State University Single beam plasma source
CH715878A1 (de) 2019-02-26 2020-08-31 Oerlikon Surface Solutions Ag Pfaeffikon Magnetanordnung für eine Plasmaquelle zur Durchführung von Plasmabehandlungen.
CN112899662A (zh) * 2019-12-04 2021-06-04 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 Dlc制备装置和制备方法
US20230407723A1 (en) 2020-11-23 2023-12-21 Schlumberger Technology Corporation Inflatable packer system for submersible well pump

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1162647A2 (de) * 2000-06-08 2001-12-12 Satis Vacuum Industries Vertriebs - AG Kathodenelektrode für Plasmaquellen und Plasmaquelle einer Vakuum-Beschichtungsanordnung
US20040018320A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 Guenther Nicolussi Method of manufacturing a device
RU2004130588A (ru) * 2003-10-21 2006-04-10 ЗАО "Центр научно-технических исследований" (UA) Источник фильтрованной плазмы катодной дуги
US20070026160A1 (en) * 2005-08-01 2007-02-01 Mikhail Strikovski Apparatus and method utilizing high power density electron beam for generating pulsed stream of ablation plasma

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3961103A (en) * 1972-07-12 1976-06-01 Space Sciences, Inc. Film deposition
JPS6011417B2 (ja) 1979-10-23 1985-03-26 株式会社東芝 ホロ−カソ−ド放電装置
GB2064856B (en) * 1979-10-23 1984-06-13 Tokyo Shibaura Electric Co Discharge apparatus having hollow cathode
US4684848A (en) * 1983-09-26 1987-08-04 Kaufman & Robinson, Inc. Broad-beam electron source
DE3615361C2 (de) * 1986-05-06 1994-09-01 Santos Pereira Ribeiro Car Dos Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken
JPH01252781A (ja) * 1988-03-31 1989-10-09 Joshin Uramoto 圧力勾配型放電によるプラズマｃｖｄ装置
DE4029270C1 (ru) * 1990-09-14 1992-04-09 Balzers Ag, Balzers, Li
CA2052080C (en) * 1990-10-10 1997-01-14 Jesse N. Matossian Plasma source arrangement for ion implantation
DE4216330A1 (de) * 1991-05-18 1992-11-19 Groza Igor Verfahren zur ionenplasmabehandlung insbesonders plasmabeschichtung in vakuum mittels verschleissfesten und dekorationsschichten
JPH05251391A (ja) * 1992-03-04 1993-09-28 Tokyo Electron Tohoku Kk 半導体ウエハーのプラズマ処理装置
CH687111A5 (de) * 1992-05-26 1996-09-13 Balzers Hochvakuum Verfahren zum Erzeugen einer Niederspannungsentladung, Vakuumbehandlungsanlage hierfuer sowie Anwendung des Verfahrens.
US5358596A (en) 1992-07-02 1994-10-25 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method and apparatus for growing diamond films
JP3365643B2 (ja) * 1992-07-06 2003-01-14 株式会社神戸製鋼所 イオン注入装置
DE4425221C1 (de) * 1994-07-16 1995-08-24 Dresden Vakuumtech Gmbh Verfahren und Einrichtung zum plasmagestützten Beschichten von Substraten in reaktiver Atmosphäre
JP3140636B2 (ja) * 1994-07-26 2001-03-05 日本電子株式会社 プラズマ発生装置
JPH09251935A (ja) * 1996-03-18 1997-09-22 Applied Materials Inc プラズマ点火装置、プラズマを用いる半導体製造装置及び半導体装置のプラズマ点火方法
DE29608484U1 (de) * 1996-05-10 1996-09-19 Dresden Vakuumtech Gmbh Plasmaerzeugungseinrichtung mit einer Hohlkathode
RU2116707C1 (ru) * 1997-01-06 1998-07-27 Институт сильноточной электроники СО РАН Устройство для создания низкотемпературной газоразрядной плазмы
GB9722650D0 (en) * 1997-10-24 1997-12-24 Univ Nanyang Cathode ARC source with target feeding apparatus
KR19990041210A (ko) * 1997-11-21 1999-06-15 박원훈 플라즈마를 이용한 재료표면상의 다양한 특성의 고분자 합성방법
US6101972A (en) * 1998-05-13 2000-08-15 Intevac, Inc. Plasma processing system and method
DE19902146C2 (de) * 1999-01-20 2003-07-31 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Einrichtung zur gepulsten Plasmaaktivierung
DE50008516D1 (de) * 1999-07-13 2004-12-09 Unaxis Balzers Ag Anlage und verfahren zur vakuumbehandlung bzw. zur pulverherstellung
WO2001011650A1 (en) * 1999-08-06 2001-02-15 Advanced Energy Industries, Inc. Inductively coupled ring-plasma source apparatus for processing gases and materials and method thereof
DE19951017A1 (de) * 1999-10-22 2001-05-03 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Oberflächen
JP3957549B2 (ja) * 2002-04-05 2007-08-15 株式会社日立国際電気 基板処埋装置
JP4329403B2 (ja) * 2003-05-19 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE102004010261A1 (de) * 2004-03-03 2005-09-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zum Zünden einer Hohlkatodenbogenentladung
EP2038911A4 (en) * 2006-07-06 2010-07-07 Univ Ramot DEVICE AND METHOD FOR THIN FILM DEPOSITION USING A VACUUM ARC IN A CLOSED CATODE ANODE ASSEMBLY
JP4859720B2 (ja) * 2007-03-16 2012-01-25 スタンレー電気株式会社 プラズマ成膜装置
WO2009004762A1 (ja) * 2007-07-02 2009-01-08 Shinmaywa Industries, Ltd. 成膜装置及びその運転方法
US20130098872A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Applied Materials, Inc. Switched electron beam plasma source array for uniform plasma production
JP5689051B2 (ja) * 2011-11-25 2015-03-25 株式会社神戸製鋼所 イオンボンバードメント装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1162647A2 (de) * 2000-06-08 2001-12-12 Satis Vacuum Industries Vertriebs - AG Kathodenelektrode für Plasmaquellen und Plasmaquelle einer Vakuum-Beschichtungsanordnung
US20040018320A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 Guenther Nicolussi Method of manufacturing a device
RU2004130588A (ru) * 2003-10-21 2006-04-10 ЗАО "Центр научно-технических исследований" (UA) Источник фильтрованной плазмы катодной дуги
US20070026160A1 (en) * 2005-08-01 2007-02-01 Mikhail Strikovski Apparatus and method utilizing high power density electron beam for generating pulsed stream of ablation plasma

Also Published As

Publication number Publication date
MX346874B (es) 2017-03-31
JP6362615B2 (ja) 2018-07-25
KR102106133B1 (ko) 2020-05-04
CA2894942C (en) 2021-01-05
CA2894942A1 (en) 2014-06-19
JP2016509333A (ja) 2016-03-24
AR093991A1 (es) 2015-07-01
SG10201709310WA (en) 2018-01-30
US10032610B2 (en) 2018-07-24
KR20150093713A (ko) 2015-08-18
US20150318151A1 (en) 2015-11-05
MX2015007567A (es) 2016-04-15
EP2932523B1 (de) 2017-02-15
CN105144338B (zh) 2017-07-14
PL2932523T3 (pl) 2017-08-31
HUE033157T2 (en) 2017-11-28
BR112015013749A2 (pt) 2017-07-11
RU2015128048A (ru) 2017-01-17
BR112015013749B1 (pt) 2021-02-02
SG11201504651QA (en) 2015-07-30
CN105144338A (zh) 2015-12-09
WO2014090389A1 (de) 2014-06-19
DE102012024340A1 (de) 2014-06-18
ES2625301T3 (es) 2017-07-19
PT2932523T (pt) 2017-04-21
EP2932523A1 (de) 2015-10-21
MY174916A (en) 2020-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2643508C2 (ru) Источник плазмы
JP4814986B2 (ja) カーボンナノチューブ成長方法
JP6491752B2 (ja) 薄膜製造用仮想陰極蒸着（ｖｃｄ）
Yukimura et al. Carbon ion production using a high-power impulse magnetron sputtering glow plasma
JPS6237365A (ja) ア−ク点孤装置を有するア−クコ−テイング装置
KR101352496B1 (ko) 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법
JPH06212433A (ja) 真空室内で基板を被覆する装置及び方法
EP2840163B1 (en) Deposition device and deposition method
JP3406769B2 (ja) イオンプレーティング装置
JP6657422B2 (ja) 電荷量を調整できるプラズマ工程装置
CN113366600A (zh) 等离子体源的用于执行等离子体处理的电极装置
JP2007277638A (ja) 基材表面処理装置及び基材表面処理方法
KR20040012264A (ko) 고효율 마그네트론 스퍼터링 장치
JP3971288B2 (ja) カーボンナノチューブ成膜装置
RU2423754C2 (ru) Способ и устройство для изготовления очищенных подложек или чистых подложек, подвергающихся дополнительной обработке
JP2009102726A (ja) 膜形成装置
JP4767613B2 (ja) 成膜装置
JPH04236774A (ja) プラズマ源
JPH0633244A (ja) 薄膜形成装置及びその動作方法
JP5105325B2 (ja) 直流プラズマを用いた成膜装置
JP2012253160A (ja) 配線部材及び配線部材の製造方法
Ito et al. Characterization of intense pulsed aluminum ion beam by magnetically insulated diode with vacuum arc ion source
JP2001003163A (ja) イオンプレーティング蒸着装置
Kim et al. Development of High Flux Metal Ion Plasma Source for the Ion Implantation and Deposition
JPH04221065A (ja) 薄膜形成装置