RU2013114414A - Диэлектрический слой затвора для электронных устройств - Google Patents
Диэлектрический слой затвора для электронных устройств Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013114414A RU2013114414A RU2013114414/04A RU2013114414A RU2013114414A RU 2013114414 A RU2013114414 A RU 2013114414A RU 2013114414/04 A RU2013114414/04 A RU 2013114414/04A RU 2013114414 A RU2013114414 A RU 2013114414A RU 2013114414 A RU2013114414 A RU 2013114414A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- dielectric layer
- polymer
- gate dielectric
- group
- polycycloolefin
- Prior art date
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract 69
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 claims abstract 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 26
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract 8
- 125000000332 coumarinyl group Chemical group O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims abstract 8
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract 8
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 claims abstract 8
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims abstract 8
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Natural products C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 150000003923 2,5-pyrrolediones Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 claims abstract 4
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 claims abstract 4
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims abstract 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims abstract 4
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 claims abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 53
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims 8
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims 8
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 claims 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 2
- 125000004642 (C1-C12) alkoxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- HECLRDQVFMWTQS-UHFFFAOYSA-N Dicyclopentadiene Chemical compound C1C2C3CC=CC3C1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000005553 heteroaryloxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 claims 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 0 *OC(C1C(C2)C=CC2C1)=O Chemical compound *OC(C1C(C2)C=CC2C1)=O 0.000 description 4
- CJIZZDVRKPHIRG-UHFFFAOYSA-N NNNOC(C1[IH][IH]1)(C1C(C2)C=CC2C11)C1(C1[IH][IH]1)[IH]I Chemical compound NNNOC(C1[IH][IH]1)(C1C(C2)C=CC2C11)C1(C1[IH][IH]1)[IH]I CJIZZDVRKPHIRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F32/00—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F232/00—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F32/00—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
- C08F32/02—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having no condensed rings
- C08F32/04—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having no condensed rings having one carbon-to-carbon double bond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L45/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having no unsaturated aliphatic radicals in side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic or in a heterocyclic ring system; Compositions of derivatives of such polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/478—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a layer of composite material comprising interpenetrating or embedded materials, e.g. TiO2 particles in a polymer matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/88—Passivation; Containers; Encapsulations
Abstract
1. Диэлектрический слой затвора, находящийся в контакте с полупроводниковым слоем в электронном устройстве, где указанный диэлектрический слой затвора включает полициклоолефиновый полимер или полимерную композицию, содержащую полициклоолефиновый полимер.2. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором полициклоолефиновый полимер является полимером норборненового типа.3. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором полициклоолефиновый полимер содержит первый тип повторяющейся единицы, имеющей боковую, способную к сшиванию группу.4. Диэлектрический слой затвора по п. 3, в котором боковая, способная к сшиванию группа является латентной, способной к сшиванию группой.5. Диэлектрический слой затвора по п. 3, в котором боковая, способная к сшиванию группа является малеимидной, 3-моноалкилмалеимидной, 3,4-диалкилмалеимидной, эпоксидной, винильной, ацетильной, инденильной, циннаматной или кумариновой группой, или боковая способная к сшиванию группа содержит замещенный или незамещенный малеимидный фрагмент, эпоксидный фрагмент, винильный фрагмент, циннаматный фрагмент или кумариновый фрагмент.6. Диэлектрический слой затвора по п. 3, в котором первый тип повторяющейся единицы, имеющей боковую, способную к сшиванию группу, является производным какого-либо одного из следующих мономеров:где n является целым числом от 1 до 8, Qи Qкаждый независимо друг от друга является -H или -CH, и R′ является -H или -OCH.7. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором полициклоолефиновый полимер содержит второй тип повторяющейся единицы, которая является отличной от повторяющейся единицы первого типа.8. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в
Claims (41)
1. Диэлектрический слой затвора, находящийся в контакте с полупроводниковым слоем в электронном устройстве, где указанный диэлектрический слой затвора включает полициклоолефиновый полимер или полимерную композицию, содержащую полициклоолефиновый полимер.
2. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором полициклоолефиновый полимер является полимером норборненового типа.
3. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором полициклоолефиновый полимер содержит первый тип повторяющейся единицы, имеющей боковую, способную к сшиванию группу.
4. Диэлектрический слой затвора по п. 3, в котором боковая, способная к сшиванию группа является латентной, способной к сшиванию группой.
5. Диэлектрический слой затвора по п. 3, в котором боковая, способная к сшиванию группа является малеимидной, 3-моноалкилмалеимидной, 3,4-диалкилмалеимидной, эпоксидной, винильной, ацетильной, инденильной, циннаматной или кумариновой группой, или боковая способная к сшиванию группа содержит замещенный или незамещенный малеимидный фрагмент, эпоксидный фрагмент, винильный фрагмент, циннаматный фрагмент или кумариновый фрагмент.
6. Диэлектрический слой затвора по п. 3, в котором первый тип повторяющейся единицы, имеющей боковую, способную к сшиванию группу, является производным какого-либо одного из следующих мономеров:
где n является целым числом от 1 до 8, Q1 и Q2 каждый независимо друг от друга является -H или -CH3, и R′ является -H или -OCH3.
7. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором полициклоолефиновый полимер содержит второй тип повторяющейся единицы, которая является отличной от повторяющейся единицы первого типа.
8. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором полициклоолефиновый полимер содержит один или более типов повторяющихся единиц формулы I
где Z выбирают из -CH2-, -CH2-CH2- или -O-, m является целым числом от 0 до 5, каждый из R1, R2, R3 и R4 независимо выбирают из H, C1-C25 гидрокарбильной, C1-C25 галогенгидрокарбильной или C1-C25 пергалогенкарбильной группы.
9. Диэлектрический слой затвора по п. 8, в котором полициклоолефиновый полимер содержит один или более типов повторяющихся единиц формулы I и один или более типов повторяющихся единиц формулы II
где Z выбирают из -CH2-, -CH2-CH2- или -O-, m является целым числом от 0 до 5, каждый из R1, R2, R3 и R4 и R5, R6, R7 и R8 независимо выбирают из H, C1-C25 гидрокарбильной, C1-C25 галогенгидрокарбильной или C1-C25 пергалогенкарбильной группы, и где повторяющиеся единицы формулы I отличаются от повторяющихся единиц формулы II.
10. Диэлектрический слой затвора по одному или более пп. 8 или 9, в котором повторяющиеся единицы формулы I и формулы II независимо друг от друга являются образованными мономерами норборненового типа, выбранными из групп, состоящих из следующих подформул:
где "Me" означает метил, "Et" означает этил, "OMe-п" означает пара-метокси, "Ph" и "C6H5" означают фенил, "C6H4" означает фенилен, "C6F5" означает пентафторфенил, "OAc" означает ацетат, "PFAc" означает -OC(O)-C7F15, и для каждой из приведенных выше подформул, имеющих метиленовую мостиковую группу, такой метиленовый мостик включает ковалентную связь или -(CH2)p-, и p является целым числом от 1 до 6.
11. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором полимерная композиция содержит смесь из первого полициклоолефинового полимера и второго полициклоолефинового полимера.
12. Диэлектрический слой затвора по п. 11, в котором первый полициклоолефиновый полимер содержит один или более типов повторяющихся единиц формулы I, и второй полициклоолефиновый полимер содержит один или более типов повторяющихся единиц формулы II:
где Z выбирают из -CH2-, -CH2-CH2- или -O-, m является целым числом от 0 до 5, каждый из R1, R2, R3 и R4 и R5, R6, R7 и R8 независимо выбирают из H, C1-C25 гидрокарбильной, C1-C25 галогенгидрокарбильной или C1-C25 пергалогенкарбильной группы, и где повторяющиеся единицы формулы I отличаются от повторяющихся единиц формулы II.
13. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором полимер или полимерная композиция дополнительно содержит один или более растворителей, сшивающий агент, необязательный реакционноспособный растворитель, стабилизатор, УФ сенсибилизатор и термический сенсибилизатор.
14. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором указанный полимер или полимерная композиция содержит одну или более повторяющиеся единицы, содержащие способную к сшиванию группу, и диэлектрический слой затвора дополнительно содержит промотор адгезии, который является соединением, содержащим поверхностно-активную функциональную группу и способную к сшиванию функциональную группу, которая является способной к сшиванию со способной к сшиванию группой повторяющейся единицы полимера или полимерной композиции.
15. Диэлектрический слой затвора по п. 14, в котором промотор адгезии является соединением формулы III:
где G является поверхностно-активной группой, A′ является простой связью или спейсером, связывающей или мостиковой группой, и P является способной к сшиванию группой.
16. Диэлектрический слой затвора по п. 14, в котором поверхностно-активная группа промотора адгезии является силановой группой, предпочтительно формулы SiR12R13R14, или силазановой группой, предпочтительно формулы -NH-SiR12R13R14, где R12, R13 и R14 каждую независимо выбирают из галогена, силазана, C1-C12-алкокси, C1-C12-алкиламино, необязательно замещенного C5-C20-арилокси или необязательно замещенного C2-C20-гетероарилокси, и где один или два из R12, R13 и R14, кроме того, могут означать C1-C12-алкил, необязательно замещенный C5-C20-арил или необязательно замещенный C2-C20-гетероарил.
17. Диэлектрический слой затвора по п. 14, в котором способную к сшиванию группу промотора адгезии выбирают из малеимидной, 3-моноалкилмалеимидной, 3,4-диалкилмалеимидной, эпоксидной, винильной, ацетильной, инденильной, циннаматной или кумариновой группы, или способная к сшиванию группа содержит замещенный или незамещенный малеимидный фрагмент, эпоксидный фрагмент, винильный фрагмент, циннаматный фрагмент или кумариновый фрагмент.
18. Диэлектрический слой затвора по п. 17, в котором промотор адгезии является соединением, имеющим следующую структуру:
где SiR12R13R14 является таким, как определено по п. 16, A′ является таким, как определено в п. 16, и R10 и R11 каждый независимо является H или AC1-C6 алкильной группой.
19. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором указанный полимер или полимерная композиция содержит одну или более повторяющиеся единицы, имеющие способную к сшиванию группу, и диэлектрический слой затвора содержит сшивающий агент, который является соединением, содержащим две или более способных к сшиванию функциональные группы, которые являются способными к сшиванию со способной к сшиванию группой повторяющейся единицы полимера или полимерной композиции.
20. Диэлектрический слой затвора по п. 19, в котором сшивающий агент является соединением формулы IV1 или IV2:
где X является A″-X′-A″, X′ является O, S, NH или простой связью, A″ является простой связью или спейсером, связывающей или мостиковой группой, P имеет значение, как в п. 15, и m является 2, 3 или 4.
21. Диэлектрический слой затвора по п. 19, в котором способную к сшиванию группу сшивающего агента выбирают из малеимидной, 3-моноалкилмалеимидной, 3,4-диалкилмалеимидной, эпоксидной, винильной, ацетильной, инденильной, циннаматной или кумариновой группы, или способная к сшиванию группа содержит замещенный или незамещенный малеимидный фрагмент, эпоксидный фрагмент, винильный фрагмент, циннаматный фрагмент или кумариновый фрагмент.
22. Диэлектрический слой затвора по п. 21, в котором сшивающий агент является соединением следующей формулы:
где R10 и R11 независимо друг от друга являются H или C1-C6 алкильной группой, A″ имеет значение, как в п. 21, и ее предпочтительно выбирают из (CZ2)n, (CH2)n-(CH=CH)p-(CH2)n, (CH2)n-O, (CH2)n-O-(CH2)n, (CH2)n-C6Q10-(CH2)n или C(O)-O, где каждый n независимо является целым числом от 0 до 12, p является целым числом от 1 до 6, Z независимо является H или F, C6Q10 представляет собой циклогексил, который является замещенным Q, Q независимо является H, F, CH3, CF3 или OCH3.
23. Диэлектрический слой затвора по п. 1, в котором полимерная композиция дополнительно содержит растворитель, имеющий свойства ортогональной растворимости по отношению к органическому полупроводниковому слою.
24. Полициклоолефиновый полимер или полимерная композиция, содержащая полициклоолефиновый полимер, где полимер содержит одну или более повторяющиеся единицы, имеющие способную к сшиванию группу, и дополнительно содержащая промотор адгезии, как определено в одном или более из пунктов 14-18.
25. Полициклоолефиновый полимер или полимерная композиция, содержащая полициклоолефиновый полимер, где полимер содержит одну или более повторяющиеся единицы, имеющие способную к сшиванию группу, и дополнительно содержащая сшивающий агент, как определено в одном или более из пунктов 19-22.
26. Полимер или полимерная композиция по п. 24 или 25, где полициклоолефиновый полимер является таким, как определено в одном или более из пунктов 3-6.
27. Полимерная композиция, которая содержит растворитель, способный к сшиванию полимер норборненового типа и один или более сшивающих агентов, УФ сенсибилизатор и промотор адгезии.
28. Полимерная композиция по п. 27, где полимер норборненового типа содержит повторяющиеся единицы, производные мономера норборненового типа, выбранные из DMMIMeNB, DMMIEtNB, DMMIPrNB или DMMIBuNB.
29. Полимерная композиция по п. 27, где УФ сенсибилизатор является CPTX и растворитель является MAK, циклогексаноном или циклопентаноном.
30. Полимерная композиция по п. 27, где сшивающим агентом является DMMI-бутил-DMMI, DMMI-пентил-DMMI или DMMI-гексил-DMMI.
31. Полимерная композиция по п. 27, где промотором адгезии является DMMI-пропил-Si(OEt)3, DMMI-бутил-Si(OEt)3, DMMI-бутил-Si(OMe)3 или DMMI-гексил-Si(OMe)3.
32. Диэлектрический слой затвора, находящийся в контакте с полупроводниковым слоем в электронном устройстве, указанный диэлектрический слой затвора содержит или сформирован из полимера или полимерной композиции, как определено в одном или более из пп. 27-31.
33. Диэлектрический слой затвора или полимерная композиция, которая содержит полициклоолефиновый полимер, содержащий повторяющиеся единицы, производные мономера норборненового типа, выбранного из BuNB, HexNB, OctNB, DecNB, NBC4F9 или PPVENB.
34. Диэлектрический слой затвора или полимерная композиция, которая содержит полициклоолефиновый полимер, содержащий способную к сшиванию повторяющиеся единицы, производные мономера норборненового типа, выбранного из EONB, MGENB, DMMIMeNB, DMMIEtNB, DMMIPrNB, DMMIBuNB или DMMIHxNB,
35. Диэлектрический слой затвора или полимерная композиция по п. 33 или 34, которая содержит полициклоолефиновый полимер, содержащий повторяющиеся единицы, производные мономера норборненового типа, выбранного из BuNB, HexNB, OctNB, DecNB, и повторяющиеся единицы, производные мономера норборненового типа, выбранного из EONB, MGENB, DMMIMeNB, DMMIEtNB, DMMIPrNB, DMMIBuNB или DMMIHxNB.
36. Применение полициклоолефинового полимера или полимерной композиции, содержащей полициклоолефиновый полимер, как определено в одном или более из пп. 1-35, для формирования диэлектрического слоя затвора, находящийся в контакте с полупроводниковым слоем в электронном устройстве.
37. Электронное устройство, содержащее диэлектрический слой затвора, находящийся в контакте с органическим полупроводниковым слоем, в котором указанный диэлектрический слой затвора формируется из полимера или полимерной композиции, как определено в одном или более из пп. 1-35.
38. Электронное устройство по п. 37, которое является органическим полевым транзистором (OFET), тонко-пленочным транзистором (TFT), интегральной схемой (ИС) или меткой радиочастотной идентификации (RFID).
39. Электронное устройство по п. 37 или 38, которое является верхним затвором или нижним затвором OFET.
40. Способ изготовления нижнего затвора OFET по п. 39, который включает следующие стадии: a) нанесение электрода затвора (5) на подложку (1), b) нанесение слоя диэлектрического материала, содержащего полициклоолефиновый полимер, или содержащего полимерную композицию, содержащую полициклоолефиновый полимер, как определено в одном или более из пунктов 1-35, на электрод затвора (5) и подложку (1), чтобы сформировать диэлектрический слой затвора (4), c) нанесение слоя органического полупроводникового материала (3) на диэлектрический слой затвора (4), d) нанесение электродов (2) истока и стока на, по меньшей мере, часть органического полупроводникового слоя (3), e) необязательно нанесение другого слоя (6), который является, например, изоляционным и/или защитным, и/или стабилизирующим, и/или адгезивным слоем на электродах истока и стока (2) и на органическом полупроводниковом слое (3).
41. Способ изготовления верхнего затвора OFET по п. 39, который включает следующие стадии: a) нанесение электродов (2) истока и стока на подложку (1), b) нанесение слоя органического полупроводникового материала (3) на подложку (1) и электроды истока и стока (2), c) нанесение слоя диэлектрического материала, содержащего полициклоолефиновый полимер, или содержащего полимерную композицию, содержащую полициклоолефиновый полимер, как определено в одном или более из пп. 1-35, на OSC слой (3), чтобы сформировать диэлектрический слой затвора (4), d) нанесение электрода затвора (5) на, по меньшей мере, часть диэлектрического слоя затвора (4), e) необязательно нанесение другого слоя (6), который является, например, изоляционным, и/или защитным, и/или стабилизирующим, и/или адгезивным слоем, на электрод (5) затвора и на диэлектрический слой затвора (4).
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP10009118 | 2010-09-02 | ||
| EP10009118.0 | 2010-09-02 | ||
| US37979910P | 2010-09-03 | 2010-09-03 | |
| US61/379,799 | 2010-09-03 | ||
| PCT/EP2011/004282 WO2012028279A1 (en) | 2010-09-02 | 2011-08-26 | Gate insulator layer for electronic devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013114414A true RU2013114414A (ru) | 2014-10-10 |
Family
ID=44534260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013114414/04A RU2013114414A (ru) | 2010-09-02 | 2011-08-26 | Диэлектрический слой затвора для электронных устройств |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9175123B2 (ru) |
| EP (2) | EP2676979B1 (ru) |
| JP (2) | JP6097216B2 (ru) |
| KR (1) | KR101842735B1 (ru) |
| CN (3) | CN105038069B (ru) |
| DE (1) | DE112011102917T5 (ru) |
| GB (1) | GB2497451A (ru) |
| RU (1) | RU2013114414A (ru) |
| SG (1) | SG187955A1 (ru) |
| TW (1) | TWI618723B (ru) |
| WO (1) | WO2012028279A1 (ru) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101702484B1 (ko) * | 2009-05-25 | 2017-02-06 | 바스프 에스이 | 가교결합성 유전체 및 이의 제조 방법 및 용도 |
| EP2676979B1 (en) * | 2010-09-02 | 2016-07-13 | Merck Patent GmbH | Gate insulator layer for electronic devices |
| GB2496564A (en) | 2010-09-02 | 2013-05-15 | Merck Patent Gmbh | Interlayer for electronic devices |
| US9082981B1 (en) | 2012-01-16 | 2015-07-14 | Polyera Corporation | Curable polymeric materials and related electronic devices |
| EP2814855B1 (en) | 2012-02-15 | 2017-07-26 | Merck Patent GmbH | Planarization layer for organic electronic devices |
| CN104245783B (zh) * | 2012-04-25 | 2017-12-12 | 默克专利股份有限公司 | 用于有机电子器件的堤岸结构 |
| US9171961B2 (en) * | 2012-07-11 | 2015-10-27 | Polyera Corporation | Coating materials for oxide thin film transistors |
| CN104641482B (zh) * | 2012-09-04 | 2017-12-29 | 默克专利股份有限公司 | 有机电子器件中介电结构的表面改性方法 |
| KR102112890B1 (ko) | 2012-09-21 | 2020-05-19 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 반도체 제제 |
| US9261782B2 (en) | 2012-09-25 | 2016-02-16 | Promerus, Llc | Maleimide containing cycloolefinic polymers and applications thereof |
| WO2014072016A1 (en) * | 2012-11-08 | 2014-05-15 | Merck Patent Gmbh | Method for producing organic electronic devices with bank structures, bank structures and electronic devices produced therewith |
| US9035287B2 (en) * | 2013-02-01 | 2015-05-19 | Polyera Corporation | Polymeric materials for use in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors |
| CN105324408B (zh) * | 2013-06-27 | 2018-06-22 | 巴斯夫欧洲公司 | 作为电介质的复分解聚合物 |
| US9356248B2 (en) * | 2013-08-16 | 2016-05-31 | Palo Alto Research Center Incorporated | Organic thin-film transistor |
| KR101718941B1 (ko) | 2013-09-30 | 2017-03-22 | 주식회사 엘지화학 | 광반응기를 갖는 고리형 올레핀 화합물 및 광반응성 중합체 |
| JP6577482B2 (ja) * | 2014-03-12 | 2019-09-18 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機電子組成物及びそのデバイス |
| JP6118287B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2017-04-19 | 富士フイルム株式会社 | 半導体素子及び半導体素子の絶縁層形成用組成物 |
| EP3142160A4 (en) * | 2014-05-08 | 2017-05-24 | Fujifilm Corporation | Semiconductor element and insulating layer-forming composition |
| TWI659046B (zh) | 2015-05-06 | 2019-05-11 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 作爲永久介電材料的順丁烯二醯亞胺及環烯烴單體之聚合物 |
| US10147895B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-12-04 | Flexterra, Inc. | Curable polymeric materials and their use for fabricating electronic devices |
| CN107922741A (zh) * | 2015-08-31 | 2018-04-17 | 日本瑞翁株式会社 | 树脂组合物 |
| DE102015119939A1 (de) * | 2015-11-18 | 2017-05-18 | ALTANA Aktiengesellschaft | Vernetzbare polymere Materialien für dielektrische Schichten in elektronischen Bauteilen |
| KR20180088652A (ko) | 2015-11-30 | 2018-08-06 | 프로메러스, 엘엘씨 | 광산발생제 및 염기 함유 영구유전체조성물 |
| KR102465353B1 (ko) | 2015-12-02 | 2022-11-10 | 삼성전자주식회사 | 전계 효과 트랜지스터 및 이를 포함하는 반도체 소자 |
| WO2017140404A1 (en) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | Merck Patent Gmbh | Formulation of an organic functional material |
| EP3433884B1 (en) | 2016-03-22 | 2023-01-11 | Promerus, LLC | Diazirine containing organic electronic compositions and device thereof |
| US10879474B2 (en) * | 2016-05-18 | 2020-12-29 | Promerus, Llc | Organic dielectric layer and organic electronic device |
| TWI732994B (zh) * | 2017-02-09 | 2021-07-11 | 日商住友電木股份有限公司 | 光配向膜形成用組成物及由其衍生之ｌｃｄ器件 |
| WO2019130336A1 (en) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | Indian Institute Of Technology, Guwahati | Method for the fabrication of solution process, ultra-low operating voltage, stable organic field effect transistor |
| WO2019130337A1 (en) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | Indian Institute Of Technology, Guwahati | Method for the fabrication of ultralow voltage operated, reduced bias stress, multi-layer dielectric system comprising n-type organic field effect transistors |
| JP2021512184A (ja) | 2018-01-19 | 2021-05-13 | フレックステッラ・インコーポレイテッド | 有機誘電体材料及びそれらを含むデバイス |
| JP2021529420A (ja) | 2018-06-28 | 2021-10-28 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ | 電子デバイスの製造方法 |
| TWI794520B (zh) * | 2018-06-29 | 2023-03-01 | 日商住友電木股份有限公司 | 作為 3d 列印材料之聚環烯烴單體及由能夠產生光酸之化合物活化之催化劑 |
| US11059938B2 (en) | 2018-10-05 | 2021-07-13 | Industrial Technology Research Institute | Film composition and a film prepared thereby |
| CN109698276A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-30 | 广州天极电子科技有限公司 | 一种薄膜晶体管器件及其制备方法 |
| WO2020165270A1 (en) | 2019-02-12 | 2020-08-20 | The University Of Southampton | Device comprising piezoelectrically active layer and method for producing such device |
| US11639405B2 (en) | 2019-05-31 | 2023-05-02 | Promerus, Llc | Fast photocurable polycycloolefin compositions as optical or 3D printing materials |
| CN111848930B (zh) * | 2020-07-30 | 2021-07-13 | 清华大学 | 可溶性聚苯并呋喃及其制备方法与在合成5-取代苯并呋喃的应用 |
| KR102476024B1 (ko) * | 2021-01-19 | 2022-12-08 | 한국화학연구원 | 유기절연체 형성용 조성물 및 이를 포함하는 유기 절연체 및 박막 트랜지스터 |
| DE102021125407A1 (de) | 2021-09-30 | 2023-03-30 | Polymer Competence Center Leoben Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Dielektrikums für einen Kondensator und Verfahren zur Herstellung eines Kondensators und Kondensator |
| CN114316215B (zh) * | 2022-01-27 | 2023-07-04 | 安徽建筑大学 | 一种自交联成炭本征阻燃聚双环戊二烯工程材料及其制备方法 |
| CN116217805A (zh) * | 2023-01-07 | 2023-06-06 | 中北大学 | 一种降冰片烯基三铵类阳离子聚合物及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1278780A (en) | 1968-12-24 | 1972-06-21 | Agfa Gevaert | Photodimerisation and photopolymerisation of bis-maleimides |
| US4565873A (en) * | 1978-08-30 | 1986-01-21 | Ciba-Geigy Corporation | Silanes containing imide groups |
| US5468819A (en) | 1993-11-16 | 1995-11-21 | The B.F. Goodrich Company | Process for making polymers containing a norbornene repeating unit by addition polymerization using an organo (nickel or palladium) complex |
| US5789757A (en) | 1996-09-10 | 1998-08-04 | The Dexter Corporation | Malemide containing formulations and uses therefor |
| US5861235A (en) | 1996-06-26 | 1999-01-19 | Dow Corning Asia, Ltd. | Ultraviolet-curable composition and method for patterning the cured product therefrom |
| US6890847B1 (en) | 2000-02-22 | 2005-05-10 | Micron Technology, Inc. | Polynorbornene foam insulation for integrated circuits |
| AU2001279056A1 (en) | 2000-07-28 | 2002-02-13 | Goodrich Corporation | Optical waveguides and methods for making the same |
| US6423780B1 (en) * | 2001-02-07 | 2002-07-23 | Loctite | Heterobifunctional monomers and uses therefor |
| US6690029B1 (en) | 2001-08-24 | 2004-02-10 | University Of Kentucky Research Foundation | Substituted pentacenes and electronic devices made with substituted pentacenes |
| GB0130321D0 (en) * | 2001-12-19 | 2002-02-06 | Avecia Ltd | Electronic devices |
| ATE525757T1 (de) | 2001-12-19 | 2011-10-15 | Merck Patent Gmbh | Organischer feldeffekttransistor mit organischem dielektrikum |
| US20060020068A1 (en) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Edmund Elce | Photosensitive compositions based on polycyclic polymers for low stress, high temperature films |
| US7674847B2 (en) | 2003-02-21 | 2010-03-09 | Promerus Llc | Vinyl addition polycyclic olefin polymers prepared with non-olefinic chain transfer agents and uses thereof |
| WO2005007676A2 (en) | 2003-07-10 | 2005-01-27 | Rajadhyaksha V J | Glycopeptides for the treatment of als and other metabolic and autoimmune disorders |
| EP1808866A1 (en) * | 2003-11-28 | 2007-07-18 | Merck Patent GmbH | Organic semiconducting layer formulations comprising polyacenes and organic binder polymers |
| US7378456B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-05-27 | Promerus Llc | Directly photodefinable polymer compositions and methods thereof |
| US20050192409A1 (en) * | 2004-02-13 | 2005-09-01 | Rhodes Larry F. | Polymers of polycyclic olefins having a polyhedral oligosilsesquioxane pendant group and uses thereof |
| US7385221B1 (en) | 2005-03-08 | 2008-06-10 | University Of Kentucky Research Foundation | Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith |
| JP2007150246A (ja) | 2005-11-02 | 2007-06-14 | Ricoh Co Ltd | 有機トランジスタ及び表示装置 |
| JP2007251093A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Nippon Zeon Co Ltd | ゲート絶縁膜、有機薄膜トランジスタ、該トランジスタの製造方法及び表示装置 |
| JP2008130910A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Nippon Zeon Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ |
| CN101622289A (zh) * | 2006-12-06 | 2010-01-06 | 普罗米鲁斯有限责任公司 | 可直接光限定的聚合物组合物及其方法 |
| US8053515B2 (en) | 2006-12-06 | 2011-11-08 | Promerus Llc | Directly photodefinable polymer compositions and methods thereof |
| TWI332284B (en) | 2006-12-29 | 2010-10-21 | Ind Tech Res Inst | A battery electrode paste composition containing modified maleimides |
| JP4872735B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2012-02-08 | 住友ベークライト株式会社 | マレイミド基含有ポリノルボルネンを用いた新規光導波路 |
| JP2008244362A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体回路、電気光学装置および電子機器 |
| JP5657379B2 (ja) * | 2007-04-25 | 2015-01-21 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ | 電子装置の製造方法 |
| US8309952B2 (en) * | 2007-08-28 | 2012-11-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | Thin film transistor and method for manufacturing the same |
| EP2277944A3 (en) | 2009-07-24 | 2012-01-04 | Electronics and Telecommunications Research Institute | Composition for organic dielectric and organic thin film transistor formed using the same |
| GB2496564A (en) | 2010-09-02 | 2013-05-15 | Merck Patent Gmbh | Interlayer for electronic devices |
| EP2676979B1 (en) * | 2010-09-02 | 2016-07-13 | Merck Patent GmbH | Gate insulator layer for electronic devices |
-
2011
- 2011-08-26 EP EP13004590.9A patent/EP2676979B1/en active Active
- 2011-08-26 KR KR1020137008514A patent/KR101842735B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-26 CN CN201510255696.7A patent/CN105038069B/zh active Active
- 2011-08-26 RU RU2013114414/04A patent/RU2013114414A/ru not_active Application Discontinuation
- 2011-08-26 CN CN201510255678.9A patent/CN104877292A/zh active Pending
- 2011-08-26 SG SG2013013982A patent/SG187955A1/en unknown
- 2011-08-26 WO PCT/EP2011/004282 patent/WO2012028279A1/en active Application Filing
- 2011-08-26 JP JP2013526346A patent/JP6097216B2/ja active Active
- 2011-08-26 EP EP11749739.6A patent/EP2611841B1/en active Active
- 2011-08-26 CN CN201180042505.9A patent/CN103261250B/zh active Active
- 2011-08-26 DE DE112011102917T patent/DE112011102917T5/de not_active Withdrawn
- 2011-08-26 GB GB1303582.9A patent/GB2497451A/en not_active Withdrawn
- 2011-09-01 TW TW100131548A patent/TWI618723B/zh active
- 2011-09-01 US US13/223,884 patent/US9175123B2/en active Active
-
2015
- 2015-08-11 US US14/823,066 patent/US9647222B2/en active Active
-
2017
- 2017-02-16 JP JP2017027227A patent/JP6334020B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012028279A9 (en) | 2012-05-31 |
| GB2497451A (en) | 2013-06-12 |
| GB2497451A8 (en) | 2013-06-19 |
| KR101842735B1 (ko) | 2018-03-27 |
| CN103261250A (zh) | 2013-08-21 |
| KR20130114121A (ko) | 2013-10-16 |
| US20150372246A1 (en) | 2015-12-24 |
| SG187955A1 (en) | 2013-03-28 |
| CN104877292A (zh) | 2015-09-02 |
| TW201219432A (en) | 2012-05-16 |
| CN105038069A (zh) | 2015-11-11 |
| US20120056183A1 (en) | 2012-03-08 |
| EP2611841A1 (en) | 2013-07-10 |
| JP2017141446A (ja) | 2017-08-17 |
| CN105038069B (zh) | 2017-10-17 |
| DE112011102917T5 (de) | 2013-09-05 |
| JP6097216B2 (ja) | 2017-03-15 |
| EP2676979A1 (en) | 2013-12-25 |
| US9647222B2 (en) | 2017-05-09 |
| CN103261250B (zh) | 2016-11-09 |
| US9175123B2 (en) | 2015-11-03 |
| GB201303582D0 (en) | 2013-04-10 |
| WO2012028279A1 (en) | 2012-03-08 |
| TWI618723B (zh) | 2018-03-21 |
| EP2676979B1 (en) | 2016-07-13 |
| JP2013541191A (ja) | 2013-11-07 |
| EP2611841B1 (en) | 2015-10-28 |
| JP6334020B2 (ja) | 2018-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013114414A (ru) | Диэлектрический слой затвора для электронных устройств | |
| JP2013541191A5 (ru) | ||
| RU2014147079A (ru) | Блочные структуры для органических электронных устройств | |
| KR102172938B1 (ko) | 광가교결합제로서의 다이아지린 화합물 및 이를 포함하는 광이미지화 가능한 조성물 | |
| CN102224611B (zh) | 可光固化聚合物电介质及其制备方法和用途 | |
| EP1620885B1 (en) | Organic polymers, electronic devices, and methods | |
| JP2017522613A5 (ru) | ||
| CA2523346A1 (en) | Organic polymers, laminates, and capacitors | |
| CN105555822A (zh) | 可曝光成像的材料和相关的电子器件及方法 | |
| KR101491046B1 (ko) | 광배향막용 조성물 및 광배향막 | |
| CN111095091B (zh) | 液晶取向剂、液晶取向膜及液晶表示元件 | |
| KR20200110391A (ko) | 유전체 재료 | |
| KR101426236B1 (ko) | 유기절연막 조성물 및 그를 이용한 박막 트랜지스터 기판 및 디스플레이 장치 | |
| Kim et al. | Photocurable propyl-cinnamate-functionalized polyhedral oligomeric silsesquioxane as a gate dielectric for organic thin film transistors | |
| US20220155683A1 (en) | Photo-patternable cross-bred organic semiconductor polymers for organic thin-film transistors | |
| JP2012123283A (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置 | |
| KR20130131663A (ko) | 벤질리딘 프탈이미드 단량체, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 중합체, 이를 포함하는 광배향막 및 이를 포함하는 위상차 필름 | |
| US10879474B2 (en) | Organic dielectric layer and organic electronic device | |
| TW201915037A (zh) | 感放射線性樹脂組成物、半導體元件、顯示裝置、硬化膜及其製造方法 | |
| JPWO2018043529A1 (ja) | 水蒸気バリア性を有する位相差膜及びその製造方法 | |
| US8436068B2 (en) | Composition and polymer | |
| KR20220120621A (ko) | 박리층 형성용 조성물 및 박리층 | |
| US20220010071A1 (en) | Polyimide Precursor, Polyimide Precursor Composition, Polyimide Film, Method for Preparing the Same, and Use Thereof | |
| US20200075867A1 (en) | Compound and thin film transistor and electronic device | |
| KR101702595B1 (ko) | 박막 트랜지스터용 게이트 절연막 형성제 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20140827 |