KR20130131663A - 벤질리딘 프탈이미드 단량체, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 중합체, 이를 포함하는 광배향막 및 이를 포함하는 위상차 필름 - Google Patents

벤질리딘 프탈이미드 단량체, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 중합체, 이를 포함하는 광배향막 및 이를 포함하는 위상차 필름 Download PDF

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Abstract

본 발명은 벤질리딘 프탈이미드 단량체, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 중합체, 이를 포함하는 광배향막 및 이를 포함하는 위상차 필름에 관한 것으로서, 상기 벤질리딘 프탈이미드 단량체는 광배향성 작용기 및 중합 가능한 작용기를 포함하며, 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00024

상기 화학식 1에서, 상기 R1, R2, R3, R4, a, b 및 c는 명세서 정의한 바와 동일하다.
상기 벤질리딘 프탈이미드 단량체는 광 반응에 의한 배향성을 가지며, 열 안정성 및 광 반응률이 우수하다.

Description

벤질리딘 프탈이미드 단량체, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 중합체, 이를 포함하는 광배향막 및 이를 포함하는 위상차 필름{BENZYLIDENE PHTHALIMIDE MONOMER, METHOD FOR PREPARING THE SAME, POLYMER COMPRISING THE SAME, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM COMPRISING THE SAME AND RETARDER FILM COMPRISING THE SAME}
본 발명은 벤질리딘 프탈이미드 단량체, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 중합체, 이를 포함하는 광배향막 및 이를 포함하는 위상차 필름에 관한 것으로서, 액정 디스플레이(LCD) 제조공정 및 삼차원 디스플레이 구현에 필요한 필름을 제조하기 위한 액정 배향용 물질에 관한 것이다.
액정 디스플레이는 기존의 브라운관 디스플레이에 비해 가볍고 부피가 작아서 모바일 폰, 노트북, 자동차 네비게이터 시스템 등의 개인용 디스플레이 용도로 이용되고 있으며, 벽걸이 TV 등 다양한 분야의 대형 디스플레이로 확장됨에 따라 액정 디스플레이에 대해서는 고화질, 고휘도 및 광 시야각이 요구되고 있다.
대부분의 액정 디스플레이는 박막 트랜지스터에 의해서 구동되는 박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD)이다. 액정 디스플레이는 유기발광다이오드(OLED)와는 달리 자체 발광을 할 수 없기 때문에 형광램프 또는 발광다이오드(LED)를 광원으로 이용하여 광원으로부터 나온 빛이 반사되어 분산장치에 의해 액정패널로 입사되고, 박막트랜지스터(TFT)에 인가되는 전압에 의해 개별의 액정 화소를 독립적으로 구동시켜 복굴절율에 따라 변화하는 액정층에 의해 빛을 차단시키기도 하고 통과 시킴으로 고화질의 동화상을 구현하고 있다.
이러한 TFT-LCD에서 액정이 광 스위치로서 사용될 수 있기 위해서는 디스플레이 셀의 가장 안쪽에 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 층 위에 액정이 일정 방향으로 초기 배향되어야만 하는데, 이를 위해 액정 배향막을 사용하고 있다.
현재까지 박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD)에 있어서 액정을 배향하는 방법으로는 폴리이미드 등의 내열성 고분자를 투명 유리 위에 도포하여 고분자 배향막을 성층하고, 부드러운 면이나, 나일론, 레이온 등의 러빙 천을 감싼 회전 롤러를 이용하여 내열성 고분자가 코팅되어 있는 기판을 고속으로 물리적으로 접촉함으로써 액정을 배향시키는 러빙 방법(rubbing method)이 널리 사용되고 있다.
하지만 이러한 러빙 액정 배향 방법은 러빙시 생성되는 정전기로 인하여 박막 트랜지스터가 파손되거나 크로스 트랙 쇼트(cross track short)등이 일어나는 문제점을 갖고 있으며, 물리적인 접촉을 이용하기 때문에 기계적인 스크랫치를 생기게 하거나, 러빙 롤러를 감고 있는 천으로부터 발생되는 미세한 이물 등으로 인해 불량이 발생되어 생산성 향상에 문제가 되고 있다.
따라서 이와 같은 러빙 방법의 문제점을 극복하며, 생산성 향상을 위해서 연구되고 있는 방법이 비접촉 방식의 액정 배향법이 UV, 즉 광에 의한 액정배향(이하 광배향)이다.
광배향이란 선평관된 UV에 의해서 고분자에 결합된 감광성 그룹이 광 반응을 일으키고 이 과정에서 고분자의 주쇄가 일정 방향으로 배열을 하게 됨으로써 결국 액정이 배향되는 광중합형 액정배향막을 형성하는 메커니즘을 말한다.
이와 같은 광배향법의 가능성은 아조벤젠 화합물을 이용해서 밝혀 졌으며(K. Ichimura et al., Langmuir, 4, 1214, 1988) 그 후 폴리말레이미드(H. J. Choi et al., US Patent 6218501), 폴리올레핀(R. H. Herr et al., US Patent 6201087) 등 여러 종류의 고분자 화합물들이 광배향 재료로서 개발되었다.
이 중 신나메이트(cinnamate) 계열의 광반응기를 측쇄에 포함하는 경우 조사된 UV에 의해서 신나메이트의 이중결합이 [2+2] 시클로에디션(Cycloaddition) 반응을 통해 형성된 시클로부탄 고리(cyclobutane ring)에 의해 이방성이 형성되어 우수한 액정 배향을 얻을 수 있다. 그러나 일반적으로 낮은 광반응률 및 취약한 열적 안정성으로 인하여 생성된 시클로부탄의 방향이 조금씩 변하게 되고, 이에 따라 이방성도 변하게 되어 결과적으로 배향막 및 상기 배향막을 채용하는 액정표시장치의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.
미국특허등록 제6218501호 미국특허등록 제6201087호
K. Ichimura et al., Langmuir, 4, 1214, 1988
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 벤질리딘 프탈이미드 단량체는 광 반응에 의한 배향성을 가지며, 열 안정성 및 광 반응율이 우수하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 벤질리딘 프탈이미드 단량체는 광배향성 작용기 및 중합 가능한 작용기를 포함하며, 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, 상기 R1은 중합 가능한 작용기이고, 상기 R2 및 R3는 각각 독립적으로 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 R4는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR-, -NR-CO-, -CO-NR, -NR-CO-O-, -O-CO-NR-, -NR-CO-NR-, -CH=CH-, -C≡C-, -O-CO-O-, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 a는 0 내지 4의 정수이고, 상기 b는 0 내지 4의 정수이고, 상기 c는 0 내지 5의 정수일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 벤질리딘 프탈이미드 단량체의 제조 방법은 프탈릭 무수물과 알코올아민을 반응시켜 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 제조하는 제1 단계, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 알킬 실릴 할라이드를 반응시켜 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 제조하는 제2 단계, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 그리냐르 시약(grignard reagent)과 반응시킨 후 산처리하여 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 제조하는 제3 단계, 그리고 상기 화학식 4로 표시되는 화합물에서 상기 알킬 실릴기를 중합 가능한 작용기로 치환하는 제4 단계를 포함한다.
[화학식 2]
Figure pat00002
[화학식 3]
Figure pat00003
[화학식 4]
Figure pat00004
[화학식 1]
Figure pat00005
상기 화학식 1 내지 4에서, 상기 R1은 중합 가능한 작용기이고, 상기 R2, R3, R6 내지 R8은 각각 독립적으로 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 R4, R5 및 R9는 각각 독립적으로 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR-, -NR-CO-, -CO-NR, -NR-CO-O-, -O-CO-NR-, -NR-CO-NR-, -CH=CH-, -C≡C-, -O-CO-O-, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 a는 0 내지 4의 정수이고, 상기 b는 0 내지 4의 정수이고, 상기 c는 0 내지 5의 정수이고, 상기 d는 0 내지 4의 정수이고, 상기 e는 0 내지 4의 정수일 수 있다.
상기 그리냐르 시약은 하기 화학식 5로 표시될 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00006
상기 화학식 5에 있어서, 상기 X는 할라이드 원자이고, 상기 R2는 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 c는 0 내지 5의 정수일 수 있다.
상기 산처리는 염산, 황산, 질산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 세척하는 것일 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 중합체는 광배향성 작용기 및 중합 가능한 작용기를 포함하는 하기 화학식 6으로 표시되는 벤질리딘 프탈이미드기를 포함한다.
[화학식 6]
Figure pat00007
상기 화학식 6에서, 상기 R1은 중합 가능한 작용기이고, 상기 R2 및 R3는 각각 독립적으로 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 R4는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR-, -NR-CO-, -CO-NR, -NR-CO-O-, -O-CO-NR-, -NR-CO-NR-, -CH=CH-, -C≡C-, -O-CO-O-, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 a는 0 내지 4의 정수이고, 상기 b는 0 내지 4의 정수이고, 상기 c는 0 내지 5의 정수일 수 있다.
상기 중합체는 상기 벤질리딘 프탈이미드기, 그리고 쿠마린(cumarine)기, 칼콘(chalcone)기, 신나메이트(cinnamate)기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 광배향기를 포함할 수 있다.
상기 중합체는 상기 화학식 6으로 표시되는 벤질리딘 프탈이미드기 및 하기 화학식 7로 표시되는 광배향기를 포함할 수 있다.
[화학식 7]
Figure pat00008
상기 화학식 7에 있어서, 상기 R11은 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 R10는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR-, -NR-CO-, -CO-NR, -NR-CO-O-, -O-CO-NR-, -NR-CO-NR-, -CH=CH-, -C≡C-, -O-CO-O-, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 f는 0 내지 4의 정수이고, 상기 g는 0 내지 5의 정수일 수 있다.
상기 중합체는 상기 벤질리딘 프탈이미드기와 상기 광배향기를 99:1 내지 1:99의 몰비로 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 광배향막 또는 위상차 필름은 상기 중합체를 포함한다.
본 발명의 벤질리딘 프탈이미드 단량체는 광 반응에 의한 배향성을 가지며, 열 안정성 및 광 반응율이 우수하다.
도 1은 합성예 4에서 제조된 벤질리딘 프탈이미드 단량체의 1H-NMR 그래프이다.
도 2는 실시예 1에서 제조된 중합체의 1H-NMR 그래프이다.
도 3은 실시예 1에서 얻은 중합체를 포함하는 광배향막에 대한 광배향 특성 평가 결과를 나타내는 사진이다.
이하, 본 발명에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
본 명세서에서 사용되는 용어의 정의는 하기와 같다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한 알킬기는 1차 알킬기, 2차 알킬기 및 3차 알킬기를 포함한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한 할로겐기는 플루오르, 염소, 브롬 및 요오드로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한 모든 화합물 또는 치환기는 치환되거나 비치환된 것일 수 있다. 여기서, 치환된이란 수소가 할로겐 원자, 하이드록시기, 카르복시기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 티오기, 메틸티오기, 알콕시기, 나이트릴기, 알데하이드기, 에폭시기, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 아세탈기, 케톤기, 알킬기, 퍼플루오로알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 알릴기, 벤질기, 아릴기, 헤테로아릴기, 이들의 유도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 대체된 것을 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한 알콕시기는 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 알킬기는 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 시클로알킬기는 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기는 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 아릴기는 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 헤테로아릴기는 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 벤질리딘 프탈이미드 단량체는 광배향성 작용기 및 중합 가능한 작용기를 포함하며, 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00009
상기 화학식 1에서, 상기 R1은 중합 가능한 작용기이다. 상기 중합 가능한 작용기는 본 발명에서 특별히 한정되지 않으나, 아크릴기, 메타크릴기, 에폭시기 및 오르가노 실록산기(organosiloxane)로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, 바람직하게 아크릴기 또는 메타크릴기일 수 있다.
상기 R2 및 R3는 각각 독립적으로 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. 상기 R2는 바람직하게 알콕시기일 수 있고, 상기 알콕시기는 메톡시기 또는 에톡시기일 수 있다.
상기 R4는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR-, -NR-CO-, -CO-NR, -NR-CO-O-, -O-CO-NR-, -NR-CO-NR-, -CH=CH-, -C≡C-, -O-CO-O-, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. 상기 R4는 바람직하게 알킬렌기일 수 있고, 상기 알킬렌기는 메틸렌기 또는 에틸렌기일 수 있다.
상기 a는 0 내지 4의 정수이고, 바람직하게 1 내지 3의 정수이고, 상기 b는 0 내지 4의 정수이고, 상기 c는 0 내지 5의 정수이다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 벤질리딘 프탈이미드 단량체의 제조 방법은 프탈릭 무수물과 알코올아민을 반응시켜 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 제조하는 제1 단계, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 알킬 실릴 할라이드를 반응시켜 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 제조하는 제2 단계, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 그리냐르 시약(grignard reagent)과 반응시킨 후 산처리하여 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 제조하는 제3 단계, 그리고 상기 화학식 4로 표시되는 화합물에서 상기 알킬 실릴기를 중합 가능한 작용기로 치환하는 제4 단계를 포함한다.
우선, 프탈릭 무수물과 알코올아민을 반응시켜 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 제조한다. 상기 알코올아민은 2-에탄올아민일 수 있다. 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 생성된 고체를 용매에 포화시켜 용해시킨 후, 증류수에 넣고 결정화하여 얻을 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00010
상기 화학식 2에서, 상기 R3는 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있고, 상기 R5는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR-, -NR-CO-, -CO-NR, -NR-CO-O-, -O-CO-NR-, -NR-CO-NR-, -CH=CH-, -C≡C-, -O-CO-O-, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
상기 b는 0 내지 4의 정수이고, 상기 d는 0 내지 4의 정수이다.
상기 프탈릭 무수물과 상기 알코올아민의 반응 몰비는 1:1 내지 1:10 일 수 있고, 바람직하게 1:1 내지 1:3 일 수 있다. 상기 프탈릭 무수물의 몰비가 1:1 미만이면 미 반응물이 발생하는 문제가 있을 수 있고, 1:3을 초과하면 부반응 및 과량의 알코올아민을 분리 제거해야 하는 문제가 있을 수 있다.
상기 프탈릭 무수물과 알코올아민을 반응시키는 온도는 100 내지 300℃일 수 있고, 바람직하게 150 내지 250℃일 수 있다. 상기 반응 온도가 100℃ 미만인 경우 미 반응물과 반응속도가 느리게 진행되는 문제가 있을 수 있고, 300℃를 초과하는 경우 부 반응물이 생성되어 원하는 합성물의 수율이 저하되고 분리 제거해야 하는 문제가 있을 수 있다.
상기 프탈릭 무수물과 알코올아민을 반응시키는 시간은 12 시간 내지 48 시간 일 수 있고, 바람직하게 12 시간 내지 24 시간일 수 있다. 상기 반응 시간이 12 시간 미만인 경우 미 반응물이 발생하는 문제가 있을 수 있고, 48 시간을 초과하는 경우 부 반응물이 생성되는 문제가 있을 수 있다.
다음으로, 상기 제조된 화학식 2로 표시되는 화합물과 알킬 실릴 할라이드를 반응시키면 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 제조할 수 있다. 상기 알킬 실릴 할라이드는 트리메릴 실릴 클로라이드, 트리에틸 실릴 클로라이드, 터셔리부틸다이메틸 실릴 클로라이드 또는 터셔리부틸다이에틸 실릴 클로라이드일 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00011
상기 화학식 3에서, 상기 R3, R6 내지 R8은 각각 독립적으로 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있고, 상기 R6 내지 R8은 바람직하게 알킬기일 수 있다.
상기 R9는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR-, -NR-CO-, -CO-NR, -NR-CO-O-, -O-CO-NR-, -NR-CO-NR-, -CH=CH-, -C≡C-, -O-CO-O-, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
상기 b는 0 내지 4의 정수이고, 상기 e는 0 내지 4의 정수일 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 상기 알킬 실릴 할라이드의 반응 몰비는 1:1 내지 1:10 일 수 있고, 바람직하게 1:1 내지 1:3 일 수 있다. 상기 알킬 실릴 할라이드의 몰비가 1:3 미만이면 미 반응물의 발생으로 분리과정에 문제가 있을 수 있고, 1:1를 초과하면 부 반응이 진행되는 문제가 있을 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 상기 알킬 실릴 아민을 반응시키는 온도는 -10 내지 5℃일 수 있고, 바람직하게 0 내지 5℃일 수 있다. 상기 반응 온도가 -10℃ 미만인 경우 미 반응물과 반응속도가 느리게 진행되는 문제가 있을 수 있고, 5℃를 초과하는 경우 발열에 의한 부반응이 발생하는 문제가 있을 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 상기 알킬 실릴 아민을 반응시키는 시간은 12 시간 내지 48 시간일 수 있고, 바람직하게 12 시간 내지 24 시간일 수 있다. 상기 반응 시간이 12 시간 미만인 경우 미 반응물로 인한 분리의 문제가 있을 수 있고, 48 시간을 초과하는 경우 부 반응물이 생성되는 문제가 있을 수 있다.
다음으로, 상기 제조된 화학식 3으로 표시되는 화합물을 그리냐르 시약(grignard reagent)과 반응시킨 후 산처리하면 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 제조할 수 있다.
[화학식 4]
Figure pat00012
상기 화학식 4에서, 상기 R2는 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 R2는 바람직하게 알콕시기일 수 있고, 상기 알콕시기는 메톡시기 또는 에톡시기일 수 있다. 상기 c는 0 내지 5의 정수일 수 있다.
상기 R3, R6 내지 R8, R9, b 및 e는 상기 화학식 3에서 정의된 바와 동일하다.
상기 화학식 3으로 표시되는 화합물과 상기 그리냐르 시약의 반응 몰비는 1:1 내지 1:5일 수 있고, 바람직하게 1:3 내지 1:5일 수 있다. 상기 그리냐르 시약의 몰비가 1:1 미만이면 수율이 낮은 문제가 있을 수 있고, 1:5를 초과하면 부 반응물의 생성으로 인해 분리에 문제가 있을 수 있다.
상기 화학식 3으로 표시되는 화합물과 상기 그리냐르 시약을 반응시키는 온도는 -10 내지 5℃일 수 있고, 바람직하게 -5 내지 0℃일 수 있다. 상기 반응 온도가 -10℃ 미만인 경우 반응속도의 저하로 인한 미반응물이 발생할 수 있고, 0℃를 초과하는 경우 발열로 인한 부 반응물이 생성되는 문제가 있을 수 있다.
상기 화학식 3으로 표시되는 화합물과 상기 그리냐르 시약을 반응시키는 시간은 3 시간 내지 10 시간일 수 있고, 바람직하게 3 시간 내지 5 시간일 수 있다. 상기 반응 시간이 3 시간 미만인 경우 미 반응물 발생 및 이의 분리에 문제가 있을 수 있고, 10 시간을 초과하는 경우 부 반응물이 생성되는 문제가 있을 수 있다.
상기 그리냐르 시약은 하기 화학식 5로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00013
상기 화학식 5에 있어서, 상기 X는 할라이드 원자이고, 바람직하게는 플루오르 또는 클로라이드일 수 있다.
상기 R2 및 c는 상기 화학식 4에서 정의한 바와 동일하다.
상기 산처리는 염산, 황산, 질산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 세척하여 이루어질 수 있으며, 바람직하게 염산을 이용할 수 있다. 상기 산처리를 통하여 상기 프탈이미드와 상기 벤질리딘 사이의 탄소-탄소 이중결합이 형성된다.
마지막으로, 상기 화학식 4로 표시되는 화합물에서 상기 알킬 실릴기를 중합 가능한 작용기로 치환하면 상기 화학식 1로 표시되는 벤질리딘 프탈이미드 단량체를 제조할 수 있다. 상기 중합 가능한 작용기는 아크릴기, 메타크릴기, 에폭시기 및 오르가노 실록산기(organosiloxane)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있으며, 바람직하게는 아크릴기 또는 메타크릴기를 이용할 수 있다. 상기 알킬 실릴기를 중합 가능한 작용기로 치환하는 반응은 상기 중합 가능한 작용기의 종류에 따라서 공지된 방법 중 적절한 방법을 선택하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 중합체는 광배향성 작용기 및 중합 가능한 작용기를 포함하며 하기 화학식 6으로 표시되는 벤질리딘 프탈이미드기를 포함한다.
[화학식 6]
Figure pat00014
상기 화학식 6에서, 상기 R1, R2, R3, R4, a 및 b는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
상기 중합체는 주 골격으로서, 예를 들면 폴리오르가노실록산, 폴리암산, 폴리이미드, 폴리암산 에스테르, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리실록산, 셀룰로오스 유도체, 폴리아세탈, 폴리스티렌 유도체, 폴리(스티렌-페닐말레이미드) 유도체, 폴리(메타)아크릴레이트, 다관능 카본산과 다관능 에폭시 화합물과의 반응물 등을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 중합체는 광배향성기로서 상기 벤질리딘 프탈이미드기 이외에 쿠마린(cumarine)기, 칼콘(chalcone)기, 신나메이트(cinnamate)기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 광배향기를 더 포함할 수 있다. 상기 중합체가 상기 벤질리딘 프탈이미드와 함께 다른 광배향성기를 포함하는 경우 열적 안정성이 향상되면서도 광 반응율도 우수하다.
또한, 상기 다른 광배향성기로는 신나메이트계 광배향성기를 포함하는 것이 바람직하며, 이 경우 상기 중합체는 상기 화학식 6으로 표시되는 벤질리딘 프탈이미드기 및 하기 화학식 7로 표시되는 광배향기를 포함할 수 있다.
[화학식 7]
Figure pat00015
상기 화학식 7에 있어서, 상기 R11은 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있고, 상기 R10는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR-, -NR-CO-, -CO-NR, -NR-CO-O-, -O-CO-NR-, -NR-CO-NR-, -CH=CH-, -C≡C-, -O-CO-O-, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있고, 상기 f는 0 내지 4의 정수일 수 있고, 상기 g는 0 내지 5의 정수일 수 있다.
상기 중합체는 상기 벤질리딘 프탈이미드기와 상기 다른 광배향기를 99:1 내지 1:99의 몰비로 포함할 수 있고, 30:70 내지 70:30의 몰비로 포함할 수 있다. 상기 벤질리딘 프탈이미드기의 몰비가 30 미만인 경우 열적 안정성이 저하될 수 있고, 70을 초과하는 경우 광반응율이 저하될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 광배향막 또는 위상차 필름은 상기 중합체를 포함한다.
상기 중합체를 포함하는 필름을 형성하는 방법은 본 발명에서 한정되지 않으나, 일반적으로 상기 중합체를 유기용매에 1 내지 20 중량%, 1 내지 100cps의 점도로 용해시켜 기판 상에 10 내지 500nm의 두께로 도포하여 형성할 수 있다.
상기 유기용매로는 클로로벤젠(chlorobenzene), N-메틸피롤리돈(NMP), N-에틸피롤리돈(NEP), N,N-디메틸이미다졸리디논(DMI), N,N-디프로필이미다졸리디논(DPI), 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸술폭시드(DMSO), 시클로펜타논, 시클로헥사논, 디클로로에탄, 부틸셀루솔브, 감마부티로락톤 및 테트라히드로퓨란(THF)으로 이루어진 군에서 선택할 수 있다.
상기 유기용매에 용해된 중합체를 기판 상에 10 내지 500nm 범위의 일정 두께로 도포하여 막을 형성시키는데, 이때 도포방법으로는 스핀코팅, 롤 프린팅 방법 등 가능한 종래 방법이 모두 사용될 수 있다.
이 후, 상기 중합체가 도포된 배향막의 표면에 자외선을 조사하여 감광성 고분자 액정 배향막을 제조 한다. 이때, 자외선은 편광자를 이용하여 선형 편광시킨 자외선이나 또는 편광자를 사용하지 않은 비편광된 자외선을 경사 조사 또는 수직 조사하여 필름을 제조할 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
[ 합성예 1: 광반응성 단량체의 합성]
( 합성예 1: 2-(2- 히드록시에틸 ) 이소인돌린 -1,3- 다이온의 합성)
프탈릭 무수물(0.2mol)에 2-에탄올아민(0.3mol)을 넣고 240℃까지 승온하여 교반하였다. TLC로 반응을 확인하여 종결하였다. 생성된 고체를 에탄올에 포화시켜 용해시킨 후, 증류수에 넣고 결정화 하여 얻었다.
( 합성예 2: 2-(2-(( 터셔리부틸다이메틸실릴 ) 옥시 )에틸) 이소인돌린 -1,3- 다이온의 합성)
상기 합성예 1에서 제조된 2-(2-히드록시에틸)이소인돌린-1,3-다이온(0.05mol)을 테트라히드로퓨란 피리딘(0.15mol)에 넣고 0℃에서 교반한 후 테트라히드로퓨란에 녹인 터셔리부틸다이메틸실릴 클로라이드(0.05mol)를 서서히 적하하였다. TLC로 반응 종결을 확인 후 추출하여 유기층을 농축하여 얻었다.
( 합성예 3 : 2- 히드록시에틸 -3-(4- 메톡시벤질리딘 ) 이소인돌린 -1-온의 합성)
질소 분위기하에 상기 합성예 2에서 제조된 2-(2-((터셔리부틸다이메틸실릴)옥시)에틸)이소인돌린-1,3-다이온(16mmol)을 테트라하이드로퓨란에 녹인 후 교반하며, 그리냐르 시약(48mmol)를 서서히 적하하여 반응을 진행시켰다. 반응 완결 후에 2 노르말 염산 수용액을 사용하여 수세척 실시한 후 수층을 제거하고 유기층을 암모늄클로라이드 포화수용액을 사용하여 세척하였다. 유기 층을 농축하여 얻었다.
( 합성예 4: 1-(4- 메톡시벤질리딘 )-3- 옥소이소인돌린 -2-일-에틸 메타아크릴레이트의 합성)
상기 합성예 3에서 제조된 2-히드록시에틸-3-(4-메톡시벤질리딘)이소인돌린-1-온(5mmol)과 메타아크릴릭 무수물(5mmol), 트리에틸아민(7.5mmol), 다이메틸아미노피리딘(0.125mmol)을 메틸렌클로라이드에 녹이고 상온에서 24시간 교반하였다. TLC로 반응 종결 확인하고, 반응물을 묽은 염산을 이용하여 수세척을 하고 중화하였다. 유기층을 증발시키고 정제하였다.
상기 제조된 1-(4-메톡시벤질리딘)-3-옥소이소인돌린-2-일-에틸 메타아크릴레이트에 대하여 1H-NMR 방법을 통하여 그 구조를 확인하였고, 이를 도 1에 나타내었다.
( 합성예 5: 2-( 신나모일옥시 )에틸 메타아크릴레이트의 합성)
아세톤에 신나모일클로라이드(1.7mmol), 2-히드록시에틸아크릴레이트(1.5mmol)을 넣고 트리에틸아민(1.7mmol)을 넣어 상온에서 교반하였다. TLC로 반응 종결 확인 후 에틸 아세테이트와 증류수를 사용하여 층 분리 후 수층을 제거하였다. 유기층을 정제하여 얻었다.
[ 합성예 2: 중합체의 제조]
( 실시예 1: 1-(4- 메톡시벤질리딘 )-3- 옥소이소인돌린 -2-일-에틸 메타아크릴레이트의 중합)
상기 합성예 4에서 합성한 단량체(2mmol)을 벤젠(6.53ml)에 용해시키고, 열 개시제로 AIBN(2000ppm)을 넣고 질소 분위기하에 80℃에서 24시간 교반하였다. 반응액을 클로로포름에 포화시켜 용해시킨 후 과량의 메탄올에 적하하여 침전화 하였다. 얻어진 중합체를 다시 한번 클로로포름에 포화시켜 녹인 후 메탄올에 침전하여 얻었다. 이 침전물을 유리 깔대기로 걸러서 회수한 중합체를 진공오븐에서 50℃로 24시간 동안 건조하여 1-(4-메톡시벤질리딘)-3-옥소이소인돌린-2-일-에틸 메타아크릴레이트의 중합체를 얻었다.
상기 제조된 중합체에 대하여 1H-NMR을 통하여 그 구조를 확인하였고, 이를 도 2에 나타내었다.
( 비교예 1: 2-( 신나모일옥시 )에틸 메타아크릴레이트의 중합)
상기 합성예 5에서 합성한 단량체(2mmol)을 벤젠(6.53ml)에 용해시키고, 열 개시제로 AIBN(2000ppm)을 넣고 질소 분위기하에 80℃에서 24시간 교반하였다. 반응액을 클로로포름에 포화시켜 용해시킨 후 과량의 메탄올에 적하하여 침전화 하였다. 얻어진 중합체를 다시 한번 클로로포름에 포화시켜 녹인 후 메탄올에 침전하여 얻었다. 이 침전물을 유리 깔대기로 걸러서 회수한 중합체를 진공오븐에서 50℃로 24시간 동안 건조하여 2-(신나모일옥시)에틸 메타아크릴레이트의 중합체를 얻었다.
( 실시예 2: 1-(4- 메톡시벤질리딘 )-3- 옥소이소인돌린 -2-일-에틸 메타아크릴레이트와 2-( 신나모일옥시 )에틸 메타아크릴레이트의 공중합)
상기 합성예 4에서 얻은 단량체(2mmol)과 상기 합성예 5에서 얻은 단량체(1mmol)을 벤젠(6.53ml)에 용해시키고, 열 개시제로 AIBN(1000ppm)을 넣고 질소 분위기하에 80℃에서 24시간 교반하였다. 반응액을 클로로포름에 포화시켜 용해시킨 후 과량의 메탄올에 적하하여 침전화하였다. 얻어진 중합체를 다시 한번 클로로포름에 포화시켜 녹인 후 메탄올에 침전하여 얻었다. 이 침전물을 유리 깔대기로 걸러서 회수한 중합체를 진공오븐에서 50℃로 24시간 동안 건조하여 1-(4-메톡시벤질리딘)-3-옥소이소인돌린-2-일-에틸 메타아크릴레이트의 중합체를 얻었다.
( 실시예 3: 1-(4- 메톡시벤질리딘 )-3- 옥소이소인돌린 -2-일-에틸 메타아크릴레이트와 2-( 신나모일옥시 )에틸 메타아크릴레이트의 공중합)
상기 합성예 4에서 얻은 단량체(2mmol)과 상기 합성예 5에서 얻은 단량체(2mmol)을 벤젠(6.53ml)에 용해시키고, 열 개시제로 AIBN(1000ppm)을 넣고 질소 분위기하에 80℃에서 24시간 교반하였다. 이후 중합과정은 상기 실시예 2와 동일하게 하여 중합체를 얻었다.
( 실시예 4: 1-(4- 메톡시벤질리딘 )-3- 옥소이소인돌린 -2-일-에틸 메타아크릴레이트와 2-( 신나모일옥시 )에틸 메타아크릴레이트의 공중합)
상기 합성예 4에서 얻은 단량체(1mmol)과 상기 합성예 5에서 얻은 단량체(2mmol)을 벤젠(6.53ml)에 용해시키고, 열 개시제로 AIBN(1000ppm)을 넣고 질소 분위기하에 80℃에서 24시간 교반하였다. 이후 중합과정은 실시예 2와 동일하게 하여 중합체를 얻었다.
[ 실험예 1: 제조된 공중합체의 광배향성 평가]
실시예 1 내지 4 및 비교예 1에서 얻은 광반응성 중합체의 광반응 효과를 확인하기 위해 cross polarizer 평가를 실시하였다.
각 중합체를 PGMEA에 1wt% 녹이고, 800rpm으로 유리(glass) 위에 스핀-코팅(spin-coating)한 후, 100℃ 오븐에서 약 1분간 베이킹(baking)하였다. 그리고 편광판이 끼워진 UV 노광기를 이용하여 코팅 면 위를 UV 조사를 했다(3mW, 30초). UV조사를 마친 유리 위에 R.M을 도핑하여 1000rpm에서 코팅하고 80℃에서 약 1분간 건조하여 cross polarizer에 넣고 광 반응성을 확인하였다.
상기 실시예 1에서 얻은 중합체를 이용하여 얻은 광배향막에 대한 cross polarizer를 통한 광배향 특성 평가 결과를 도 1에 도시하였다.
상기 도 1을 참조하면, 상기 실시예 1에서 얻은 중합체를 이용하여 얻은 광배향막은 블랙&화이트가 구현되는 것으로 중합체가 광반응성을 가짐을 확인할 수 있다.
그 외의 실시예 2 내지 4 및 비교예 1에 대한 결과는 하기 표 1에 나타내었다. 또한, 실시예 1 내지 4 및 비교예 1에서 제조된 중합체의 열분해 온도(Td)도 측정하였고, 그 결과도 하기 표 1에 나타내었다.
공중합에 투입된 단량체 몰비율 Td(℃) 광배향성
합성예4 단량체 합성예5 단량체
실시예 1 1 0 341.17 ○
실시예 2 1 0.5 333.34 ○
실시예 3 1 1 322.68 ○
실시예 4 0.5 1 309.56 ○
비교예 1 0 1 298.45 ○
상기 표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 4에서 제조된 중합체를 포함하는 광배향막은 광배향성을 가지면서도 열적 안정성이 비교예 1에서 제조된 중합체를 포함하는 광배향막에 비하여 우수함을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (11)

  1. 광배향성 작용기 및 중합 가능한 작용기를 포함하며, 하기 화학식 1로 표시되는 벤질리딘 프탈이미드 단량체.
    [화학식 1]
    Figure pat00016

    (상기 화학식 1에서,
    상기 R1은 중합 가능한 작용기이고,
    상기 R2 및 R3는 각각 독립적으로 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
    상기 R4는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR-, -NR-CO-, -CO-NR, -NR-CO-O-, -O-CO-NR-, -NR-CO-NR-, -CH=CH-, -C≡C-, -O-CO-O-, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
    상기 a는 0 내지 4의 정수이고, 상기 b는 0 내지 4의 정수이고, 상기 c는 0 내지 5의 정수이다)
  2. 제1항에 있어서,
    상기 R1은 아크릴기, 메타크릴기, 에폭시기 및 오르가노 실록산기(organosiloxane)로 이루어진 군에서 선택되는 중합이 가능한 작용기인 것인 벤질리딘 프탈이미드 단량체.
  3. 프탈릭 무수물과 알코올아민을 반응시켜 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 제조하는 제1 단계,
    상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 알킬 실릴 할라이드를 반응시켜 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 제조하는 제2 단계,
    상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 그리냐르 시약(grignard reagent)과 반응시킨 후 산처리하여 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 제조하는 제3 단계, 그리고
    상기 화학식 4로 표시되는 화합물에서 상기 알킬 실릴기를 중합 가능한 작용기로 치환하는 제4 단계
    를 포함하는 하기 화학식 1로 표시되는 벤질리딘 프탈이미드 단량체의 제조 방법.
    [화학식 2]
    Figure pat00017

    [화학식 3]
    Figure pat00018

    [화학식 4]
    Figure pat00019

    [화학식 1]
    Figure pat00020

    (상기 화학식 1 내지 4에서,
    상기 R1은 중합 가능한 작용기이고,
    상기 R2, R3, R6 내지 R8은 각각 독립적으로 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
    상기 R4, R5 및 R9는 각각 독립적으로 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR-, -NR-CO-, -CO-NR, -NR-CO-O-, -O-CO-NR-, -NR-CO-NR-, -CH=CH-, -C≡C-, -O-CO-O-, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
    상기 a는 0 내지 4의 정수이고, 상기 b는 0 내지 4의 정수이고, 상기 c는 0 내지 5의 정수이고, 상기 d는 0 내지 4의 정수이고, 상기 e는 0 내지 4의 정수이다)
  4. 제3항에 있어서,
    상기 그리냐르 시약은 하기 화학식 5로 표시되는 것인 벤질리딘 프탈이미드 단량체의 제조 방법.
    [화학식 5]
    Figure pat00021

    (상기 화학식 5에 있어서,
    상기 X는 할라이드 원자이고,
    상기 R2는 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
    상기 c는 0 내지 5의 정수이다)
  5. 제3항에 있어서,
    상기 산처리는 염산, 황산, 질산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 세척하는 것인 벤질리딘 프탈이미드 단량체의 제조 방법.
  6. 광배향성 작용기 및 중합 가능한 작용기를 포함하며 하기 화학식 6으로 표시되는 벤질리딘 프탈이미드기를 포함하는 중합체.
    [화학식 6]
    Figure pat00022

    (상기 화학식 6에서,
    상기 R1은 중합 가능한 작용기이고,
    상기 R2 및 R3는 각각 독립적으로 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
    상기 R4는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR-, -NR-CO-, -CO-NR, -NR-CO-O-, -O-CO-NR-, -NR-CO-NR-, -CH=CH-, -C≡C-, -O-CO-O-, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
    상기 a는 0 내지 4의 정수이고, 상기 b는 0 내지 4의 정수이고, 상기 c는 0 내지 5의 정수이다)
  7. 제6항에 있어서,
    상기 중합체는 상기 벤질리딘 프탈이미드기, 그리고
    쿠마린(cumarine)기, 칼콘(chalcone)기, 신나메이트(cinnamate)기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 광배향기를 포함하는 것인 중합체.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 중합체는 상기 화학식 6으로 표시되는 벤질리딘 프탈이미드기 및 하기 화학식 7로 표시되는 광배향기를 포함하는 것인 중합체.
    [화학식 7]
    Figure pat00023

    (상기 화학식 7에 있어서,
    상기 R11은 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴기, 헤테로아릴기, 히드록시기, 할로겐 원자, 시아노기, 피리미디닐기, 피리디닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
    상기 R10는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, -O-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-, -NR-, -NR-CO-, -CO-NR, -NR-CO-O-, -O-CO-NR-, -NR-CO-NR-, -CH=CH-, -C≡C-, -O-CO-O-, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고,
    상기 f는 0 내지 4의 정수이고, 상기 g는 0 내지 5의 정수이다)
  9. 제6항에 있어서,
    상기 중합체는 상기 벤질리딘 프탈이미드기와 상기 광배향기를 99:1 내지 1:99의 몰비로 포함하는 것인 중합체.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 중합체를 포함하는 광배향막.
  11. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 중합체를 포함하는 위상차 필름.
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JP2017016089A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 Jsr株式会社 視野角補償フィルム用重合体組成物、視野角補償フィルム、視野角補償フィルムの製造方法、偏光板、液晶表示素子及び有機ｅｌ素子
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