TWI688642B - 聚合物組成物及橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜 - Google Patents
聚合物組成物及橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜 Download PDFInfo
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Abstract
本發明提供以高效率賦予配性控制能、燒結特性優異之液晶配向膜、賦予其之聚合物組成物及橫向電場驅動型液晶顯示元件。
本發明係提供[I]一種聚合物組成物，其含有(A)側鏈型高分子、及(B)有機溶劑，其中(A)係在特定溫度範圍展現液晶性之感光性之側鏈型高分子且具有以下述式(0)表示之側鏈，且進而具有由含氮芳香族雜環基、醯胺基及胺基甲酸酯基選出之基之側鏈(a)，
(式中，G係選自下述式(G-1)、(G-2)、(G-3)及(G-4)之基：
(式中，虛線表示鍵結鍵，R50表示氫原子等，J表示O、S、NH或NR51，R51表示碳數1~3之烷基等))；以及提供一種具有液晶配向膜之基板之製造方法，其具有下列步驟：將該組成物塗佈於具有橫電場驅動用之導電膜之基板上形成塗膜之步驟，對所得塗膜照射偏光之紫外線之步驟，以及加熱所得塗膜之步驟。
Description
本發明係關於新穎之聚合物組成物、使用其之橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜、及具有該配向膜之基板之製造方法。進而關於用以製造殘影特性優異之液晶顯示元件之新穎方法。
液晶顯示元件已知為輕量、薄型且低消耗電力之顯示裝置，近年來使用於大型顯示用途等已有驚人之發展。液晶顯示元件係例如藉由具備電極之一對透明基板夾持液晶層而成之構成。而且，液晶顯示元件係使用由有機材料所成之有機膜作為液晶配向膜以使液晶在基板間成為期望之配向狀態。
亦即，液晶配向膜係液晶顯示元件之構成構件，形成於夾持液晶之基板之與液晶鄰接之面上，擔任使該基板間之液晶配向成一定方向之角色。而且，液晶配向膜除了使液晶配向成例如相對於基板平行之方向等之一定方向之角色以外，有時亦要求能控制液晶之預傾角之角 色。如此之液晶配向膜中之控制液晶配向之能力(以下稱為配向控制能)係藉由對構成液晶配向膜之有機膜進行配向處理而賦予。
用以賦予配向控制能之液晶配向膜之配向處理方法，過去以來已知有摩擦法。所謂摩擦法係對基板上之聚乙烯醇或聚醯胺或聚醯亞胺等有機膜，以棉、尼龍、聚酯等布朝一定方向擦拭(摩擦)其表面，使液晶朝擦拭方向(摩擦方向)配向之方法。該摩擦法由於可簡便且比較安定地實現液晶之配向狀態，故已利用於以往之液晶顯示元件之製造製程。而且，液晶配向膜所用之有機膜主要係選擇耐熱性等信賴性或電特性優異之聚醯亞胺系之有機膜。
然而，擦拭由聚醯亞胺等所成之液晶配向膜表面之摩擦法存在有產生粉塵或靜電之問題。且，近年來由於液晶顯示元件之高精細化、或因對應之基板上之電極或液晶驅動用之切換主動元件(active element)所致之凹凸，而無法以布均一地擦拭液晶配向膜之表面，有時無法實現均一之液晶配向。
因此，積極地檢討光配向法作為不進行摩擦之液晶配向膜之另一配向處理方法。
光配向法有各種方法，但利用直線偏光或平行光(collimate light)於構成液晶配向膜之有機膜內形成異向性，且根據其異向性使液晶配向。
主要之光配向法已知有分解型之光配向法。例如，對聚醯亞胺膜照射偏光紫外線，利用分子構造之紫 外線吸收之偏光方向依存性而生成異向之分解。而且，利用未分解而殘留之聚醯亞胺使液晶配向(參照例如專利文獻1)。
又，光交聯型或光異構化型之光配向法亦為已知。例如，使用聚乙烯基桂皮酸酯，照射偏光紫外線，在與偏光平行之2個側鏈之雙鍵部分產生二聚化反應(交聯反應)。接著，使液晶朝與偏光方向正交之方向配向(參照例如，非專利文獻1)。且，使用側鏈上具有偶氮苯之側鏈型高分子時，照射偏光紫外線，在與偏光平行之側鏈之偶氮苯部份產生異構化反應，使液晶朝與偏光方向正交之方向配向(參照例如非專利文獻2)。
如上述之例，利用光配向法進行之液晶配向膜之配向處理方法不需要摩擦，而無產生粉塵或靜電之顧慮。而且，即使對於表面有凹凸之液晶顯示元件之基板仍可施以配向處理，成為適於工業生產製程之液晶配向膜的配向處理方法。
[專利文獻1]日本專利第3893659號公報
[非專利文獻1]M. Shadt等人，Jpn. J. Appl. Phys. 31, 2155(1992)
[非專利文獻2]K. Ichimura等人，Chem. Rev. 100, 1847(2000)
如上述，光配向法作為液晶顯示元件之配向處理方法，與過去以來工業上利用之摩擦法比較，不需要摩擦步驟本身，因此具有大的優點。而且，相較於利用摩擦使液晶控制能大致成為一定之摩擦法相比較，光配向法可改變偏光的光之照射量而控制配向控制能。然而，光配向法在實現與利用摩擦法時之相同程度之配向控制能時，必須大量之偏光的光照射量，有無法實現安定之液晶配向之情況。
例如，上述專利文獻1所記載之分解型之光配向法必須對聚醯亞胺膜照射來自輸出500W之高壓水銀燈之紫外光60分鐘等，而有必要長時間且大量的紫外線照射。且，於二聚化型或光異構化型之光配向法時，有時亦需要數J(焦耳)~數十J左右之大量的紫外線照射。再者，光交聯型或光異構化型之光配向法時，由於液晶配向之熱安定性或光安定性差，因此作為液晶顯示元件時，有發生配向不良或顯示殘影之問題。尤其橫向電場驅動型之液晶顯示元件由於液晶分子係在面內切換，故液晶驅動後容易發生液晶之配向偏移，使起因於AC驅動之顯示殘影成為大的課題。
因此，於光配向法要求實現配向處理之高效率化或安定之液晶配向，且要求可高效率地進行對液晶配向膜賦予高的配向控制能之液晶配向膜或液晶配向劑。
本發明之目的係提供一種能以高效率賦予配向控制能、殘影特性優異之具有橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜之基板及具有該基板之橫向電場驅動型液晶顯示元件。
此外，本發明之目的，除上述目的外，另提供具有提高之電壓保持率之橫向電場驅動型液晶元件及該元件用之液晶配向膜。
本發明人等為達成上述課題而進行積極檢討之結果，發現以下之發明。
〈1〉一種聚合物組成物，[I]其含有(A)側鏈型高分子、及(B)有機溶劑，其中(A)係在特定溫度範圍展現液晶性之感光性之側鏈型高分子且具有以下述式(0)表示之側鏈，且進而具有具有由含氮芳香族雜環基、醯胺基及胺基甲酸酯基選出之基之側鏈(a)，
式中，A、B各獨立表示單鍵、-O-、-CH2-、 -COO-、-OCO-、-CONH-、-NH-CO-、-CH=CH-CO-O-、或-O-CO-CH=CH-；S為碳數1~12之伸烷基，彼等所鍵結之氫原子亦可經鹵基取代；T為單鍵或碳數1~12之伸烷基，彼等所鍵結之氫原子亦可經鹵基取代；X表示單鍵、-COO-、-OCO-、-N=N-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、或-O-CO-CH=CH-，X之數為2時，X可彼此相同亦可不同；P及Q各獨立為由2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5~8之脂環式烴、及彼等之組合所組成之群選出之基；惟，X為-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-時，-CH=CH-所鍵結之側之P或Q為芳香環；l1為0或1，l2為0~2之整數，l1與l2均為0時，T為單鍵時A亦表示單鍵；l1為1時，T為單鍵時B亦表示單鍵；G係選自下述式(G-1)、(G-2)、(G-3)及(G-4)之基
(式中，虛線表示鍵結鍵，R50表示由氫原子、 鹵原子、碳數1~3之烷基、苯基選出之基，R50為複數時可彼此相同亦可不同，t為1~7之整數，J表示O、S、NH或NR51，R51表示由碳數1~3之烷基及苯基選出之基)。
〈2〉上述〈1〉中，(A)成分具有引起光交聯、光異構化、或光-弗蒂斯重排(photo Fries rearrangement)之感光性側鏈。
〈3〉上述〈1〉中，(A)成分具有由下述式(1)~(6)所組成之群選出之任一種感光性側鏈：
式中，A、B、D各獨立表示單鍵、-O-、-CH2-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NH-CO-、-CH=CH-CO-O-、或-O-CO-CH=CH-；S為碳數1~12之伸烷基，彼等所鍵結之氫原子亦可經鹵基取代；T為單鍵或碳數1~12之伸烷基，彼等所鍵結之氫原子亦可經鹵基取代；Y1表示由1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環及碳數5~8之脂環式烴選出之環，或為由該等取代 基選出之相同或不同之2~6個環透過鍵結基B鍵結而成之基，彼等所鍵結之氫原子亦可各獨立經-COOR0(式中，R0表示氫原子或碳數1~5之烷基)、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代；Y2為由2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5~8之脂環式烴、及彼等之組合所組成之群選出之基，彼等所鍵結之氫原子亦可各獨立經-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代；R表示羥基、碳數1~6之烷氧基，或表示與Y1相同之定義；X表示單鍵、-COO-、-OCO-、-N=N-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、或-O-CO-CH=CH-，且X之數為2時，X可彼此相同亦可不同；Cou表示香豆素-6-基或香豆素-7-基，彼等所鍵結之氫原子亦可各獨立經-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代；q1與q2係一者為1另一者為0；q3為0或1；P及Q各獨立為由2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5~8之脂環式烴、及彼等之組合所組成之群選出之基；惟，X為-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-時，-CH=CH-所鍵結之側之P或Q為芳香環； l1為0或1，l2為0~2之整數，l1與l2均為0時，T為單鍵時A亦表示單鍵；l1為1時，T為單鍵時B亦表示單鍵；H及I各獨立為由2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、及該等之組合選出之基。
〈4〉上述〈1〉~〈3〉之任一項中，(A)成分具有由下述式(21)~(31)所組成之群選出之任一種之液晶性側鏈：式中，A、B、q1及q2具有與上述相同之定義；Y3為由1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、及碳數5~8之脂環式烴、及該等之組合所組成之群選出之基，彼等所鍵結之氫原子亦各獨立經-NO2、-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代；R3表示氫原子、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、碳數5~8之脂環式烴、碳數1~12之烷基、或碳數1~12之烷氧基；l表示1~12之整數，m表示0至2之整數，惟，式(25)~(26)中，全部m之合計為2以上，式(27)~(28)中，全部m之合計為1以上，m1、m2及m3各獨立表示1~3之整數；R2表示氫原子、-NO2、-CN、鹵基、1價之苯環、萘 環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、及碳數5~8之脂環式烴、及烷基、或烷基氧基；Z1、Z2表示單鍵、-CO-、-CH2O-、-CH=N-、-CF2-。
〈5〉上述〈1〉~〈4〉之任一者中，組成物進而含有具有烷氧基矽烷基、及於1位及3位均經取代之 脲構造之化合物作為(D)成分。
〈6〉一種具有前述液晶配向膜之基板之製造方法，其係藉由具有下述步驟而獲得被賦予配向控制能之橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜者：[I]將上述〈1〉~〈5〉中任一項之聚合物組成物塗佈於具有橫向電場驅動用之導電膜之基板上，形成塗膜之步驟；[II]對[I]獲得之塗膜照射偏光之紫外線之步驟；[III]加熱[II]所得之塗膜之步驟。
〈7〉一種基板，其具有以如上述〈6〉之製造方法製造之橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜。
〈8〉一種橫向電場驅動型液晶顯示元件，其具有如上述〈7〉之基板。
〈9〉一種液晶顯示元件之製造方法，其係藉由具有下述步驟獲得橫向電場驅動型液晶顯示元件者：準備如上述〈7〉之基板(第1基板)之步驟；獲得具有液晶配向膜之第2基板之步驟，其係藉由具有下列步驟獲得被賦予配向控制能之液晶配向膜者：[I’]將上述〈1〉~〈5〉中任一項所記載之聚合物組成物塗佈於第2基板上形成塗膜之步驟；[II’]對[I’]獲得之塗膜照射偏光之紫外線之步驟；及[III’]加熱[II’]中獲得之塗膜之步驟；以及[IV]以介隔液晶使第1及第2基板之液晶配向膜相對之方式，使第1及第2基板對向配置而獲得液晶顯示元 件之步驟。
〈10〉一種橫向電場驅動型液晶顯示元件，其係藉由如上述〈9〉製造。
〈11〉一種側鏈型高分子，其係如上述〈1〉所記載。
依據本發明，可提供一種能以高效率賦予配向控制能、殘影特性優異之具有橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜之基板及具有該基板之橫向電場驅動型液晶顯示元件。
以本發明之方法製造之橫向電場驅動型液晶顯示元件由於能以高效率賦予配向控制能，故即使長時間連續驅動亦不損及顯示特性。
又，依據本發明，可提供除上述效果外，於液晶配向膜界面可吸附液晶中之離子性雜質，且具有提高之電壓保持率之橫向電場驅動型液晶元件及該元件所用之液晶配向膜。
本發明人等進行積極研究之結果，獲得以下見解因而完成本發明。
本發明之製造方法中所用之聚合物組成物具有可展現液晶性之感光性側鏈型高分子(以下亦簡稱為側鏈型高分 子)，使用前述聚合物組成物獲得之塗膜為具有可展現液晶性之感光性側鏈型高分子之膜。該塗膜不進行摩擦處理，而藉偏光照射進行配向處理。而且，偏光照射後，經歷使該側鏈型高分子膜進行加熱之步驟，成為被賦予配向控制能之塗膜(以下亦稱為液晶配向膜)。此時，僅藉偏光照射展現之異向性成為驅動力，使液晶性之側鏈型高分子本身藉自我組織化而有效地再配向。結果，可實現作為液晶配向膜之高效率配向處理，可獲得被賦予高配向控制能之液晶配向膜。
以下，針對本發明之實施形態加以詳細說明。
〈具有液晶配向膜之基板之製造方法〉及〈液晶顯示元件之製造方法〉
本發明之具有液晶配向膜之基板之製造方法係具有下列步驟：[I]將聚合物組成物塗佈於具有橫向電場驅動用之導電膜之基板上而形成塗膜之步驟，該聚合物組成物含有(A)及(B)：(A)在特定溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子，及進一步具有以上述式(0)表示之側鏈之測鏈型高分子，(B)有機溶劑，[II]對[I]獲得之塗膜照射偏光紫外線之步驟；及 [III]加熱[III]獲得之塗膜之步驟。
藉由上述步驟，可獲得賦予配向控制能之橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜，且可獲得具有該液晶配向膜之基板。
又，除上述所得之基板(第1基板)外，藉由準備第2基板，可獲得橫向電場驅動型液晶顯示元件。
第2基板除使用不具有橫向電場驅動用之導電膜之基板代替具有橫向電場驅動用之導電膜之基板以外，藉由使用上述步驟[I]~[III](由於使用不具有橫向電場驅動用之導電膜之基板，故為方便起見，有時於本申請案中簡稱為步驟[I’]~[III’])，可獲得具有被賦予配向控制能之液晶配向膜之第2基板。
橫向電場驅動型液晶顯示元件之製造方法具有下述步驟[IV]：[IV]隔著液晶使第1及第2基板之液晶配向膜相對之方式，使上述獲得之第1及第2基板對向配置而獲得液晶顯示元件之步驟。藉此可獲得橫向電場驅動型液晶顯示元件。
以下，針對本發明之製造方法具有之[I]~[III]、及[IV]之各步驟加以說明。
步驟[I]係將聚合物組成物塗佈於具有橫向電場驅動用之導電膜之基板上，形成塗膜，該聚合物組成物含有在特 定之溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子，且進而具有以上述式(0)表示之側鏈之側鏈型高分子、有機溶劑及視需要之於分子內具有1個1級胺基及含氮芳香族雜環，且前述1級胺基鍵結於脂肪族烴基或非芳香族環式烴基之胺化合物，進而視需要含有烷氧基矽烷基、與1位及3位均經取代之脲構造之化合物作為(D)成分。
關於基板並無特別限制，但所製造之液晶顯示元件為透過型時，較好使用透明性高之基板。該情況下並無特別限制，可使用玻璃基板、或丙烯酸基板或聚碳酸酯基板等塑膠基板等。
又，考慮對於反射型之液晶顯示元件之應用，亦可使用矽晶圓等不透明基板。
基板具有橫向電場驅動用之導電膜。
至於該導電膜，在液晶顯示元件為透過型時，可列舉為ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)、IZO(Indium Zinc Oxide：氧化銦鋅)等，但並不限於該等。
且，反射型之液晶顯示元件時，導電膜可列舉為鋁等之能使光反射之材料等，但並不限於該等。
於基板上形成導電膜之方法可使用過去習知之手法。
於具有橫向電場驅動用之導電膜之基板上，尤其是導電膜上塗佈聚合物組成物。
本發明之製造方法中使用之該聚合物組成物含有(A)在特定之溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子；(B)有機溶劑；及視需要之(C)分子內具有1個1級胺基及含氮芳香族雜環，且前述1級胺基鍵結於脂肪族烴基或非芳香族環式烴基之胺化合物。
(A)成分係在特定溫度範圍內展現液晶性之感光性側鏈型高分子，且具有以上述式(0)表示之側鏈，且進而具有具有由含氮芳香族雜環基、醯胺基及胺基甲酸酯基所組成之群選出之基之側鏈(a)。
(A)側鏈型高分子只要能以250nm~400nm波長範圍之光進行反應且在100℃~300℃之溫度範圍顯示液晶性即可。
(A)側鏈型高分子較好具有以250nm~400nm波長範圍之光進行反應之感光性側鏈。
(A)側鏈型高分子較好具有用以在100℃~300℃之溫度範圍顯示液晶性之介晶基(mesogenic group)。
(A)側鏈型高分子係於主鏈上鍵結具有感光性之側鏈，可感應光而引起交聯反應、異構化反應、或光弗蒂斯重排。具有感光性之側鏈之構造並無特別限制，但以 感應光而引起交聯反應或光弗蒂斯重排之構造較佳，更好為引起交聯反應者。該情況下，即使暴露於熱等外部應力中，仍可長時間安定的保持所實現之配向控制能。可展現液晶性之感光性之側鏈型高分子膜之構造只要能滿足該特性即無特別限制，但以側鏈構造上具有剛直之介晶成分較佳。該情況下，以該側鏈型高分子作為液晶配向膜時，可獲得安定之液晶配向。
(A)側鏈型高分子介由具有以上述式(0)表示之基，而獲得電壓保持率(VHR)等信賴性高之液晶配向膜。此認為原因係作為液晶配向膜時，藉由以上述式(0)表示之基如交聯劑般作用，而提高膜密度，且減低離子性雜質對液晶之溶出。
且，(A)側鏈型高分子藉由具有具有由含氮芳香族雜環基、醯胺基及胺基甲酸酯基選出之基之側鏈(a)，可進一步提高電壓保持率(VHR)等信賴性。此認為原因係該等基能捕捉離子性雜質之故。
該高分子之構造可為例如具有主鏈與鍵結於其上之側鏈，且其側鏈具有聯苯基、三聯苯基、苯基環己基、苯基苯甲酸酯基、偶氮苯基等介晶成分，與鍵結於前端部且感應光而引起交聯反應或異構化反應之感光性基之構造，或為具有主鏈與鍵結於其上之側鏈，且其側鏈具有亦為介晶成分，且進行光弗蒂斯重排反應之苯基苯甲酸酯基之構造。
可展現液晶性之感光性側鏈型高分子膜之構 造之更具體例較好為具有由烴、(甲基)丙烯酸酯、衣康酸酯、富馬酸酯、馬來酸酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、苯乙烯、乙烯基、馬來醯亞胺、降冰片烯等自由基聚合性基及矽氧烷所組成之群選出之至少1種構成之主鏈，與由以上述式(0)表示之基、與下述式(1)至(6)之至少1種所成之側鏈之構造。
式中，A、B、D各獨立表示單鍵、-O-、-CH2-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NH-CO-、-CH=CH-CO-O-、或-O-CO-CH=CH-； S為碳數1~12之伸烷基，彼等所鍵結之氫原子亦可經鹵基取代；T為單鍵或碳數1~12之伸烷基，彼等所鍵結之氫原子亦可經鹵基取代；Y1表示由1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環及碳數5~8之脂環式烴選出之環，或為由該等取代基選出之相同或不同之2~6個環透過鍵結基B鍵結而成之基，彼等所鍵結之氫原子亦可各獨立經-COOR0(式中，R0表示氫原子或碳數1~5之烷基)、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代；Y2為由2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5~8之脂環式烴、及彼等之組合所組成之群選出之基，彼等所鍵結之氫原子亦可各獨立經-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代；R表示羥基、碳數1~6之烷氧基，或表示與Y1相同之定義；X表示單鍵、-COO-、-OCO-、-N=N-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、或-O-CO-CH=CH-，且X之數為2時，X可彼此相同亦可不同；Cou表示香豆素-6-基或香豆素-7-基，彼等所鍵結之氫原子亦可各獨立經-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代； q1與q2係一者為1另一者為0；q3為0或1；P及Q各獨立為由2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5~8之脂環式烴、及彼等之組合所組成之群選出之基；惟，X為-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-時，-CH=CH-所鍵結之側之P或Q為芳香環；l1為0或1，l2為0~2之整數，l1與l2均為0時，T為單鍵時A亦表示單鍵；l1為1時，T為單鍵時B亦表示單鍵；H及I各獨立為由2價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、及該等之組合選出之基。
側鏈較好為為由下述式(7)~(10)所組成之群選出之任一種感光性側鏈。
式中，A、B、D、Y1、X、Y2、及R具有與上述相同之定義；l表示1~12之整數；m表示0~2之整數，m1、m2表示1~3之整數；n表示0~12之整數(惟n=0時B為單鍵)。
側鏈較好為由下述式(11)~(13)所組成之群選出之任一種之感光性側鏈。
式中，A、X、l、m及R具有與上述相同之定義。
側鏈較好為以下述式(14)或(15)表示之感光性側鏈。
式中，A、Y1、X、l、m1及m2具有與上述相同之定義。
側鏈較好為以下述式(16)或(17)表示之感光性側鏈。
式中，A、X、l及m具有與上述相同之定義。
又，側鏈較好為以下述式(18)或(19)表示之感光性側鏈。
式中，A、B、Y1、q1、q2、m1、及m2具有與上述相同之定義。
R1表示氫原子、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基。
側鏈較好為以下述式(20)表示之感光性側鏈。
式中，A、Y1、X、l及m具有與上述相同之定義。
且，(A)側鏈型高分子較好具有由下述式(21)~(31)所組成之群選出之任一種液晶性側鏈。
式中，A、B、q1及q2具有與上述相同之定義；Y3為由1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、及碳數5~8之脂環式烴、及該等之組合所組成之群選出之基，彼等所鍵結之氫原子亦各獨立經-NO2、-CN、鹵基、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之烷基氧基取代；R3表示氫原子、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、鹵基、1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、碳數5~8之脂環式烴、碳數1~12之烷基、或碳數1~12之烷氧基；l表示1~12之整數，m表示0至2之整數，惟，式(25)~(26)中，全部m之合計為2以上，式(27)~(28)中，全部m之合計為1以上，m1、m2及m3各獨立表示1~3之整數；R2表示氫原子、-NO2、-CN、鹵基、1價之苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、及碳數5~8之脂環式烴、及烷基、或烷基氧基；Z1、Z2表示單鍵、-CO-、-CH2O-、-CH=N-、-CF2-。
上述可展現液晶性之感光性側鏈型高分子可藉由使上述具有感光性側鏈之光反應性側鏈單體及液晶性側鏈單體聚合而獲得。
具有以前述式(0)表示之側鏈之單體之更具體例較好為具有由烴、(甲基)丙烯酸酯、衣康酸酯、富馬酸酯、馬來酸酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、苯乙烯、乙烯基、馬來醯亞胺、降冰片烯等自由基聚合性基及矽氧烷所組成之群選出之至少1種構成之聚合性基，與以上述式(0)表示之側鏈之構造。
該等單體中，作為具有環氧基之單體具體可列舉為例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸(3,4-環氧基環己基)甲酯、烯丙基縮水甘油醚等化合物，其中列舉為(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸(3,4-環氧基環己基)甲酯、3-乙烯基-7-氧雜雙環[4.1.0]庚烷、1,2-環氧基-5-己烯、1,7-辛二烯單環氧化物等。
具有環硫乙烷(thiirane)之單體具體列舉為例如上述具有環氧基之單體之環氧構造取代成環硫乙烷構造者等。
具有氮丙啶之單體具體列舉為例如上述具有環氧基之單體之環氧構造取代成氮丙啶或1-甲基氮丙啶者 等。
具有氧雜環丁基之單體可列舉為例如具有氧雜環丁基之(甲基)丙烯酸酯等。該等單體中，以3-(甲基丙烯醯氧基甲基)氧雜環丁烷、3-(丙烯醯氧基甲基)氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-3-乙基-氧雜環丁烷、3-(丙烯醯氧基甲基)-3-乙基-氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-2-三氟甲基氧雜環丁烷、3-(丙烯醯氧基甲基)-2-三氟甲基氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-2-苯基-氧雜環丁烷、3-(丙烯醯氧基甲基)-2-苯基-氧雜環丁烷、2-(甲基丙烯醯氧基甲基)氧雜環丁烷、2-(丙烯醯氧基甲基)氧雜環丁烷、2-(甲基丙烯醯氧基甲基)-4-三氟甲基氧雜環丁烷、2-(丙烯醯氧基甲基)-4-三氟甲基氧雜環丁烷較佳，列舉為3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-3-乙基-氧雜環丁烷、3-(丙烯醯氧基甲基)-3-乙基-氧雜環丁烷。
具有硫雜環丁基(thietane)之單體較好為例如具有氧雜環丁基之單體之氧雜環丁基取代成硫雜環丁基之單體。
具有氮雜環丁基(azetane)基之單體較好為例如具有氧雜環丁基之單體之氧雜環丁基取代成氮雜環丁基之單體。
上述中，基於取得性等之觀點較好為具有環氧基之單體與具有氧雜環丁基之單體，更好為具有環氧基之單體。其中，基於取得性之觀點，較好為(甲基)丙烯酸縮水甘油酯。
本申請案之(A)成分的聚合物進而具有具有由含氮芳香族雜環基、醯胺基及胺基甲酸酯基所選出之基之側鏈(a)。藉由含有該側鏈(a)，成為液晶配向膜時，可降低離子性雜質之溶出，同時促進前述以式(0)表示之基之交聯反應，或可獲得耐久性更高之液晶配向膜。製造具有側鏈(a)之聚合物時只要使具有側鏈(a)之單體共聚合即可。
該具有側鏈(a)之單體較好為具有由烴、(甲基)丙烯酸酯、衣康酸酯、富馬酸酯、馬來酸酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、苯乙烯、乙烯基、馬來醯亞胺、降冰片烯等自由基聚合性基及矽氧烷所組成之群選出之至少1種構成之聚合性基，與具有含氮芳香族雜環基、醯胺基及胺基甲酸酯基之側鏈之構造。醯胺基及胺基甲酸酯基之NH亦可經取代。可經取代時之取代基列舉為烷基、胺基之保護基、苄基等。
含氮芳香族雜環較好為含有至少1個，較好1個~4個由下述之式[20a]、式[20b]及式[20c](式中，Z2為碳數1~5之直鏈或分支烷基)所組成之群選出之構造之芳香族環式烴。
具體而言，可列舉為吡咯環、咪唑環、噁唑環、噻唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、喹啉環、吡唑啉環、異喹啉環、咔唑環、嘌呤環、噻二唑環、嗒嗪環、吡唑啉環、三嗪環、吡唑啶環、三唑環、吡嗪環、苯咪唑環、苯并咪唑環、噌啉環、菲繞啉環、吲哚環、喹喔啉環、苯并噻唑環、吩噻嗪環、噁二唑環、吖啶環等。進而，該等含氮芳香族雜環之碳原子亦可具有含雜原子之取代基。
該等中，以例如吡啶環較佳。
該等單體中，具有含氮芳香族雜環基之單體具體列舉為例如(甲基)丙烯酸2-(2-吡啶基羰氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-吡啶基羰氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-吡啶基羰氧基)乙酯等。
具有醯胺基或胺基甲酸酯基之單體具體列舉為例如(甲基)丙烯酸2-(4-甲基哌啶-1-基羰基胺基)乙酯、4-(6-甲基丙烯醯氧己氧基)苯甲酸N-(第三丁基氧基羰基)哌啶-4-基酯、4-(6-甲基丙烯醯氧己氧基)苯甲酸2-(第三丁基氧基羰基胺基)乙酯等。
所謂光反應性側鏈單體於形成高分子時，為可形成高分子之側鏈部位具有感光性側鏈之高分子之單體。
具有側鏈之光反應性基較好為下述構造及其衍生物。
光反應性側鏈單體更具體之例較好為具有由烴、(甲基)丙烯酸酯、衣康酸酯、富馬酸酯、馬來酸酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、苯乙烯、乙烯基、馬來醯亞胺、降冰片烯等自由基聚合性基及矽氧烷所組成之群選出之至少1種構成之聚合性基，與由上述式(1)~(6)之至少1種所成之感光性側鏈，較好為例如由上述式(7)~(10)之至少1種所成之感光性側鏈、由上述式(11)~(13)之至少1種所成之感光性側鏈、以上述式(14)或(15)表示之感光性側鏈、以上述式(16)或(17)表示之感光性側鏈、以上述式(18)或(19)表示之感光性側鏈、以上述式(20)表示之感光性側鏈之構造。
本申請案係提供以下述式(1)~(11)表示之新穎化合物(1)~(11)作為光反應性側鏈單體。
式中，R表示氫原子或甲基；S表示碳數2~10之伸烷基；R10表示Br或CN；S表示碳數2~10之伸烷基；u表示0或1；及Py表示2-吡啶基、3-吡啶基或4-吡啶基。
液晶性側鏈單體為源自該單體之高分子可展現液晶性，且該高分子可於側鏈部位形成介晶基之單體。
側鏈具有之介晶基可為聯苯或苯基苯甲酸苯酯等單獨成為介晶構造之基，亦可為如苯甲酸等使側鏈彼此氫鍵結成為介晶構造之基。側鏈具有之介晶基較好為下述構造。
液晶性側鏈單體之更具體例較好為具有由選自由烴、(甲基)丙烯酸酯、衣康酸酯、富馬酸酯、馬來酸酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、苯乙烯、乙烯基、馬來醯亞胺、降冰片烯等自由基聚合性基及矽氧烷所組成之群選出之至少1種構成之聚合性基，與由上述式(21)~(31)之至少一種所成之側鏈之構造。
(A)側鏈型高分子可藉由上述展現液晶性之光反應性側鏈單體、具有以前述式(0)表示之側鏈之單體、具有側鏈(a)之單體之共聚合反應而得。且，可藉由未展現液晶性之光反應性側鏈單體與液晶性側鏈單體、具有以前述式(0)表示之側鏈之單體與具有側鏈(a)之單體之共聚合、或展現液晶性之光反應性側鏈單體與液晶性側鏈單體、與具有以前述式(0)表示之側鏈之單體與具有側鏈(a)之單體之共聚合獲得。再者，在不損及液晶性展現能之範圍內可與其他單體共聚合。
其他單體列舉為例如工業可取得之可自由基聚合反應之單體。
其他單體之具體例列舉為不飽和羧酸、丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、丙烯腈、馬來酸酐、苯乙烯化合物及乙烯化合物等。
不飽和羧酸之具體例列舉為丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、馬來酸、富馬酸等。
丙烯酸酯化合物列舉為例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸萘酯、丙烯酸蒽酯、丙烯酸蒽基甲酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯、丙烯酸甲氧基三乙二醇酯、丙烯酸2-乙氧基乙酯、丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸3-甲氧基丁酯、丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、丙烯酸2-丙基-2-金剛烷酯、丙烯酸8-甲基-8-三環癸酯及丙烯酸8-乙基-8-三環癸酯等。
甲基丙烯酸酯化合物列舉為例如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸萘酯、甲基丙烯酸蒽酯、甲基丙烯酸蒽基甲酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲基丙烯酸甲氧基三乙二醇酯、甲基丙烯酸2-乙氧基乙酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、甲基丙烯酸3-甲氧基丁酯、甲基丙烯酸2-甲基-2-金 剛烷酯、甲基丙烯酸2-丙基-2-金剛烷酯、甲基丙烯酸8-甲基-8-三環癸酯、及甲基丙烯酸8-乙基-8-三環癸酯等。
乙烯基化合物列舉為例如乙烯基醚、甲基乙烯基醚、苄基乙烯基醚、2-羥基乙基乙烯基醚、苯基乙烯基醚、及丙基乙烯基醚等。
苯乙烯化合物列舉為例如苯乙烯、甲基苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯等。
馬來醯亞胺化合物列舉為例如馬來醯亞胺、N-甲基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺、及N-環己基馬來醯亞胺等。
本發明之側鏈型高分子中之以式(0)表示之側鏈之含量，基於信賴性提高、對液晶配向性之影響之觀點，較好為0.1莫耳%~20莫耳%，更好為0.5莫耳%~10莫耳%，又更好為1莫耳%~5莫耳%。
本發明之側鏈型高分子中之光反應性側鏈之含量，基於液晶配向性佳之觀點，較好為20莫耳%~99.9莫耳%，更好為30莫耳%~95莫耳%，又更好為40莫耳%~90莫耳%。
本發明之側鏈型高分子中之液晶性側鏈之含量，基於液晶配向性佳之觀點，較好為80莫耳%以下，更好為10莫耳%~70莫耳%，又更好為20莫耳%~60莫耳%。
本發明之側鏈型高分子中之側鏈(a)之含量，基於信賴性之提高、對液晶配向性之影響之觀點，較好為 20莫耳%以下，更好為10莫耳%以下，又更好為5莫耳%以下。
本發明之側鏈型高分子亦可含有以上述式(0)表示之側鏈、光反應性側鏈、液晶性側鏈及側鏈(a)以外之其他側鏈。其含量在以上述式(0)表示之側鏈、光反應性側鏈、液晶性側鏈及側鏈(a)之含量之合計未達100%時，為其剩餘部分。
本實施形態之側鏈型高分子之製造方法並無特別限制，可利用工業上被處理之廣泛使用的方法。具體而言，可利用液晶性側鏈單體或光反應性側鏈單體之乙烯基，藉由陽離子聚合或自由基聚合、陰離子聚合而製造。該等中基於反應控制容易等之觀點，以自由基聚合最佳。
自由基聚合之聚合起始劑可使用自由基聚合起始劑、可逆加成-斷鏈型鏈轉移(RAFT)聚合試藥等之習知化合物。
自由基熱聚合起始劑係藉由加熱至分解溫度以上而產生自由基之化合物。該自由基熱聚合起始劑列舉為例如酮過氧化物類(甲基乙基酮過氧化物、環己酮過氧化物等)、二醯基過氧化物類(乙醯基過氧化物、苯甲醯基過氧化物等)、過氧化氫類(過氧化氫、第三丁基過氧化氫、異丙苯過氧化氫等)、二烷基過氧化氫類(二-第三丁基過氧化物、二異丙苯基過氧化物、二月桂醯基過氧化物等)、過氧縮酮類(二丁基過氧基環己烷等)、烷基過酯類(過氧基新癸酸第三丁酯、過氧基特戊酸第三丁酯、過氧 基2-乙基環己酸第三戊酯等)、過硫酸鹽類(過硫酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸銨等)、偶氮系化合物(偶氮雙異丁睛、及2,2’-二(2-羥基乙基)偶氮雙異丁睛等)。該自由基熱聚合起始劑可單獨使用1種，或亦可組合2種以上使用。
自由基光聚合起始劑只要藉光照射起始自由基聚合之化合物即無特別限制。該自由基光聚合起始劑可列舉為二苯甲酮、米氏(Michael’s)酮、4,4’-雙(二乙胺基)二苯甲酮、呫噸酮、噻噸酮、異丙基呫噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2-乙基蒽醌、苯乙酮、2-羥基-2-甲基苯丙酮、2-羥基-2-甲基-4’-異丙基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮、異丙基苯偶因醚、異丁基苯偶因醚、2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、樟腦醌、苯并蒽酮(benzanthrone)、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙-1-酮、2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1、4-二甲胺基苯甲酸乙酯、4-二甲胺基苯甲酸異戊酯、4,4’-二(第三丁基過氧基羰基)二苯甲酮、3,4,4’-三(第三丁基過氧基羰基)二苯甲酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、2-(4’-甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(3’,4’-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(2’,4’-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(2’-甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4’-戊氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、4-[對-N,N-二(乙氧羰基甲基)]-2,6-二(三氯甲基)-s-三嗪、1,3-雙(三氯甲基)-5-(2’-氯苯基)-s-三嗪、1,3-雙(三氯甲基)-5-(4’-甲氧基 苯基)-s-三嗪、2-(對-二甲胺基苯乙烯基)苯并噁唑、2-(對-二甲胺基苯乙烯基)苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑、3,3’-羰基雙(7-二乙胺基香豆素)、2-(鄰-氯苯基)-4,4’,5,5’-四苯基-1,2’-聯咪唑、2,2’-雙(2-氯苯基)-4,4’,5,5’-肆(4-乙氧羰基苯基)-1,2’-聯咪唑、2,2’-雙(2,4-二氯苯基)-4,4’,5,5’-四苯基-1,2’-聯咪唑、2,2’-雙(2,4-二溴苯基)-4,4’,5,5’-四苯基-1,2’-聯咪唑、2,2’-雙(2,4,6-三氯苯基)-4,4’,5,5’-四苯基-1,2’-聯咪唑、3-(2-甲基-2-二甲胺基丙醯基)咔唑、3,6-雙(2-甲基-2-嗎啉基丙醯基)-9-正十二烷基咔唑、1-羥基環己基苯基酮、雙(5-2,4-環戊二烯-1-基)-雙(2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基)鈦、3,3’,4,4’-四(第三丁基過氧基羰基)二苯甲酮、3,3’,4,4’-四(第三己基過氧基羰基)二苯甲酮、3,3’-二(甲氧羰基)-4,4’-二(第三丁基過氧基羰基)二苯甲酮、3,4’-二(甲氧羰基)-4,3’-二(第三丁基過氧基羰基)二苯甲酮、4,4’-二(甲氧羰基)-3,3’-二(第三丁基過氧基羰基)二苯甲酮、2-(3-甲基-3H-苯并噻唑-2-亞基)-1-萘-2-基-乙酮、或2-(3-甲基-1,3-苯并噻唑-2(3H)-亞基)-1-(2-苯甲醯基)乙酮等。該等化合物可單獨使用，亦可混合2種以上使用。
自由基聚合法並無特別限制，可使用乳化聚合法、懸浮聚合法、分散聚合法、沉澱聚合法、塊狀聚合法、溶液聚合法等。
可展現液晶性之感光性側鏈型高分子之聚合反應所使用之有機溶劑只要能使生成之高分子溶解者即無特別限制。其具體例列舉於下。
N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、N-甲基己內醯胺、二甲基亞碸、四甲基脲、吡啶、二甲基碸、六甲基亞碸、γ-丁內酯、異丙醇、甲氧基甲基戊醇、二戊烯、乙基戊基酮、甲基壬基酮、甲基乙基酮、甲基異戊基酮、甲基異丙基酮、甲基溶纖素、乙基溶纖素、甲基溶纖素乙酸酯、乙基溶纖素乙酸酯、丁基卡必醇、乙基卡必醇、乙二醇、乙二醇單乙酸酯、乙二醇單異丙基醚、乙二醇單丁基醚、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇第三丁基醚、二丙二醇單甲基醚、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇單乙酸酯單甲基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單乙酸酯單乙基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單乙酸酯單丙基醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲基醚、3-甲基-3-甲氧基丁醇、二異丙基醚、乙基異丁基醚、二異丁烯、乙酸戊酯、丁酸丁酯、丁基醚、二異丁基酮、甲基環己烯、丙基醚、二己基醚、二噁烷、正己烷、正戊烷、正辛烷、二乙基醚、環己酮、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸丙二醇單乙基醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲基乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、二甘醇二甲醚、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、3-甲氧基-N,N-二甲基丙烷醯胺、3-乙氧基-N,N-二甲 基丙烷醯胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙烷醯胺等。
該等有機溶劑可單獨使用，亦可混合使用。再者，即使為不使生成之高分子溶解之溶劑，在不使生成之高分子析出之範圍內，亦可混合於上述有機溶劑中使用。
且，自由基聚合中有機溶劑中之氧由於成為妨礙聚合反應之原因，故有機溶劑較好使用脫氣至能夠自由基聚合程度者。
自由基聚合時之聚合溫度可選擇30℃~150℃之任意溫度，但較好為50℃~100℃之範圍。此外，反應可在任意濃度進行，但濃度過低時難以獲得高分子量之聚合物，濃度過高時反應液之黏性變得過高而難以均一攪拌，故單體濃度較好為1質量%~50質量%，更好為5質量%~30質量%。反應初期係以高濃度進行，隨後，可追加有機溶劑。
上述之自由基聚合反應中，自由基聚合起始劑之比率相對於單體較多時，所得高分子之分子量變小，較少時所得高分子之分子量變大，故自由基起始劑之比率相對於所聚合之單體較好為0.1莫耳%~10莫耳%。且聚合時亦可追加各種單體成分或溶劑、起始劑等。
自利用上述反應獲得之可展現液晶性之感光性之側鏈型高分子之反應溶液回收生成之高分子時，只要將反應溶 液投入弱溶劑中使該等聚合物沉澱即可。沉澱所用之弱溶劑可列舉為甲醇、丙酮、己烷、庚烷、丁基溶纖素、庚烷、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醇、甲苯、苯、二乙基醚、甲基乙基醚、水等。投入弱溶劑中而沉澱之聚合物藉過濾回收後，可在常壓或減壓下，於常溫或加熱進行乾燥。且，使沉澱回收之聚合物再溶解於有機溶劑中、進行再沉澱回收之操作重複2次~10次時，可減少聚合物中之雜質。此時之弱溶劑列舉為例如醇類、酮類、烴等，使用由該等中選出之3種以上之弱溶劑時，由於可更提高純化效率故較佳。
本發明之(A)側鏈型高分子之分子量考慮所得塗膜之強度、塗膜形成時之作業性、及塗膜之均一性時，以GPC(凝膠滲透層析)法測定之重量平均分子量較好為2000~1000000，更好為5000~100000。
本發明所用之聚合物組成物較好以適於液晶配向膜之形成之方式調製成塗佈液。亦即，本發明所用之聚合物組成物較好將用以形成樹脂被膜之樹脂成分溶解於有機溶劑中而調製成溶液。此處，該樹脂成分為包含已說明之可展現液晶性之感光性側鏈型高分子之樹脂成分。此時，樹脂成分之含量較好為1質量%~20質量%，更好為3質量%~15質量%，最好為3質量%~10質量%。
本實施形態之聚合物組成物中，前述樹脂成 分全部可為可展現液晶性之感光性之側鏈型高分子，但在不損及液晶展現能及感光性能之範圍內，亦可混合其等以外之其他聚合物。此時，樹脂成分中之其他聚合物之含量為0.5質量%~80質量%，較好為1質量%~50質量%。
該等其他聚合物列舉為例如由聚(甲基)丙烯酸酯或聚醯胺酸或聚醯亞胺等所成之不為可展現液晶性之感光性側鏈型高分子的聚合物等。
本發明所使用之聚合物組成物可具有作為(C)成分之特定胺化合物，具體而言為分子內具有1個1級胺基與含氮芳香族雜環，且前述1級胺基鍵結於脂肪族烴基或非芳香族環式烴基之胺化合物。該化合物為WO2008/013285號公報中作為(B)成分記載者。藉由含有該胺化合物，作為液晶配向膜時，可降低離子性雜質之溶出，同時促進前述以式(0)表示之基之交聯反應，或獲得耐久性更高之液晶配向膜。
特定之胺化合物只要是本發明中使用之聚合物組成物形成液晶配向膜時能發揮以下之效果i)及/或ii)者，即無特別限制。i)於液晶配向膜界面吸附液晶中之離子性雜質，及/或ii)發揮提高之電子壓保持率。
特定之胺化合物之量只要能發揮上述效果即無特別限制，但在本發明所使用之聚合物組成物100質量份中為0.01~10質量份，較好為0.1~5質量份。
本發明之液晶配向劑中所含之(D)成分為具有烷氧基矽烷基、1位及3位均經取代之脲構造之化合物(以下亦稱為化合物D)。
前述化合物只要是其化合物中具有1個以上之烷氧基矽烷基及1個以上之1位及3位均經取代之脲構造即可，其他構造並無特別限制，但基於取得性之觀點，較佳之例為以下述式(d)表示之化合物。
式中，X102為含碳數1~20之脂肪族烴基、或芳香族烴基之n價有機基，n為1~6之整數，R102表示氫原子、或烷基，n為2以上時，R102與其他R102一起為伸烷基，或n為1至6時亦可藉由鍵結至X102，與X102一起形成環構造，L表示碳數2~20之伸烷基，R103及R104各獨立為碳數1~4之烷基、碳數2~4之烯基、或碳數2~4之炔基，q表示1至3之自然數。
式(d)中之R103及R104各獨立列舉為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基，但基 於原料之取得性、反應性之觀點較好為甲基或乙基。
式(d)中之L列舉為碳數2至20之伸烷基，但基於原料取得性之觀點，較好為三亞甲基。
式(d)中之q較好為2或3，最好為3。
式(d)中之n較好為1、2或3，最好為1或2。
(D)成分之化合物之一樣態為X102為2價有機基，R102為氫原子，L為三亞甲基之化合物(2-1)。
如此以式(2-1)表示之化合物係使二胺與2.05當量之三烷氧基矽烷基丙基異氰酸酯反應而得。
以式(2-1)表示之化合物中之X較好為由下述構造式選出之構造。
(D)成分之化合物之一樣態係X102為2價有機基，R102彼此一起形成伸烷基，且L為三亞甲基之化合物(2-2)。
如此以式(2-2)表示之化合物係使含有2個NH之環狀化合物與2.05當量之三烷氧基矽烷基丙基異氰酸酯反應而得。
以式(2-2)表示之化合物中之X較好為由下述構造式選出之構造。又，方便起見，以包含環內之氮原子予以記載。
(D)成分之化合物之一樣態係X102為2價有機基，R102之一者為氫原子，另一者為與X102鍵結形成環，L為三亞甲基之化合物(2-3)。
如此以式(2-3)表示之化合物係與於二胺與2.05當量之三烷氧基矽烷基丙基異氰酸酯反應而得。
以式(2-3)表示之化合物中之X較好為由下述構造式選出之構造。又，方便起見，以包含環內之氮原子予以記載。
(D)成分之化合物之一樣態係X102為3價有機基，R102為氫原子，L為三亞甲基之化合物(2-4)。
如此以式(2-4)表示之化合物係使三胺化合物與3.05當量之三烷氧基矽烷基丙基異氰酸酯反應而得。
以式(2-4)表示之化合物中之X較好為由下述構造式選出之構造。
(D)成分之化合物之一樣態係X102為1價有機 基，R102為氫原子，L為三亞甲基之化合物(2-5)。
如此以式(2-5)表示之化合物係與單胺與1.05當量之三烷氧基矽烷基丙基異氰酸酯反應而得。
以式(2-5)表示之化合物中之X較好為由下述構造式選出之構造。
(D)成分之化合物之一樣態係X102為1價有機基，R102與X102鍵結形成環，L為三亞甲基之化合物(2-6)。
如此以式(2-6)表示之化合物係使含有1個NH之環狀化合物與1.05當量之三烷氧基矽烷基丙基異氰酸酯反應而得。
以式(2-6)表示之化合物中之X較好為由下述構造式選出之構造。又，方便起見，以包含環內之氮原子予以記載。
又，上述胺與異氰酸酯之反應中，異氰酸酯化合物之使用量相對於NH或NH2基1個基只要反應0.98當量倍~1.2當量倍即可。更好為1.0當量倍~1.05當量倍。
反應溶劑只要對反應為惰性者即無特別限制，列舉為例如己烷、環己烷、苯、甲苯等烴類；四氯化 碳、氯仿、1,2-二氯乙烷等鹵系烴類；二乙基醚、二異丙基醚、1,4-二噁烷、四氫呋喃等醚類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類；乙腈、丙腈等腈類；乙酸乙酯、丙酸乙酯等羧酸酯類；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮等含氮非質子性極性溶劑；二甲基亞碸、環丁碸等含硫非質子性極性溶劑；吡啶、甲基吡啶等吡啶類等。該等溶劑可單獨使用，亦可混合2種以上使用。較好為甲苯、乙腈、乙酸乙酯、四氫呋喃，更好為乙腈、四氫呋喃。
溶劑之使用量(反應濃度)並無特別限制，但亦可不使用溶劑實施反應，且使用溶劑時相對於異氰酸酯化合物亦可使用0.1~100質量倍之溶劑。較好為0.5~30質量倍，更好為1~10質量倍。
反應溫度並無特別限制，例如為-90~150℃，較好為-30~100℃，更好為0℃至80℃。
反應時間通常為0.05至200小時，較好為0.5至100小時。
亦可添加觸媒以縮短反應時間，其例列舉為二丁基錫二月桂酸酯、二辛基錫雙(異辛基硫代乙醇酸酯)、二丁基錫雙(異辛基硫代乙醇酸酯)、二丁基錫二乙酸酯等有機錫化合物；三乙基胺、三甲基胺、三丙基胺、三丁基胺、二異丙基乙基胺、N,N-二甲基環己基胺、吡啶、四甲基丁烷二胺、N-甲基嗎啉、1,4-二氮雜雙環-2,2,2-辛烷、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一碳烯、1,5-二氮雜雙環 [4.3.0]-5-壬烯等胺類；對甲苯磺酸、甲烷磺酸、氟硫酸等有機磺酸；硫酸、磷酸、過氯酸等無機酸；鈦酸四丁酯、鈦酸四乙酯、鈦酸四異丙酯等鈦化合物；參(2-乙基己酸)鉍等鉍系化合物；四級銨鹽等。該等觸媒可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。又，該等觸媒較好為液體，或溶解於反應溶劑中者。
添加觸媒時，相對於具有異氰酸酯基之化合物之總使用量(質量)，可以0.005wt%~100wt%之量使用觸媒，較好為0.5wt%~10wt%，更好為0.1wt%~5wt%。若使用有機錫化合物、鈦化合物、鉍化合物作為觸媒，則較好同樣為0.005wt%~0.1wt%。
本反應可在常壓或加壓下進行，且可為批式亦可為連續式。
較佳之(D)成分之具體例列舉為以S1至S4之任一者表示之化合物。
(D)成分之化合物過多時對液晶配向性或預傾角造成影響，過少時無法獲得本發明之效果。因此，(D)成分之化合物之添加量相對於(A)成分之聚合物較好為0.1~20質量%，更好為1~10質量%。
本發明所用之聚合物組成物中所用之有機溶劑只要能使樹脂成分溶解之有機溶劑即無特別限制。其具體例列舉於下。
N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-甲基己內醯胺、2-吡咯啶酮、N-乙基吡咯啶酮、N-乙烯基吡咯啶酮、二甲基亞碸、四甲基脲、吡啶、 二甲基碸、六甲基亞碸、γ-丁內酯、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、3-乙氧基-N,N-二甲基丙醯胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙醯胺、1,3-二甲基-咪唑啉酮、乙基戊基酮、甲基壬基酮、甲基乙基酮、甲基異戊基酮、甲基異丙基酮、環己酮、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、二甘醇二甲醚、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇第三丁基醚、二丙二醇單甲基醚、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇單乙酸酯單甲基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單乙酸酯單乙基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單乙酸酯單丙基醚、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、三丙二醇甲基醚等。該等可單獨使用，亦可混合使用。
本發明所用之聚合物組成物亦可含有上述(A)、(B)及(C)成分以外之成分。其例可列舉為塗佈聚合物組成物時提高膜厚均一性或表面平滑性之溶劑或化合物、提高液晶配向膜與基板之密著性之化合物等，但並不限於此。
提高膜厚均一性或表面平滑性之溶劑(弱溶劑)之具體例列舉如下。
例如，異丙醇、甲氧基甲基戊醇、甲基溶纖素、乙基溶纖素、丁基溶纖素、甲基溶纖素乙酸酯、乙基溶纖素乙酸酯、丁基卡必醇、乙基卡必醇、乙基卡必醇乙酸酯、乙二醇、乙二醇單乙酸酯、乙二醇單異丙基醚、乙二醇單丁基醚、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲基醚、丙二 醇第三丁基醚、二丙二醇單甲基醚、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇單乙酸酯單甲基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單乙酸酯單乙基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單乙酸酯單丙基醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲基醚、3-甲基-3-甲氧基丁醇、二異丙基醚、乙基異丁基醚、二異丁烯、乙酸戊酯、丁酸丁酯、丁基醚、二異丁基酮、甲基環己烯、丙基醚、二己基醚、1-己醇、正己烷、正戊烷、正辛烷、二乙基醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸丙二醇單乙基醚酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲基乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇、1-苯氧基-2-丙醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、丙二醇-1-單甲基醚-2-乙酸酯、丙二醇-1-單乙基醚-2-乙酸酯、二丙二醇、2-(2-乙氧基丙氧基)丙醇、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯、乳酸正丁酯、乳酸異戊酯等具有低表面張力之有機溶劑等。
該等弱溶劑可使用1種亦可混合複數種使用。使用如上述之溶劑時，較好為以不使聚合物組成物中所含溶劑整體之溶解性顯著下降之方式，為溶劑全體之5質量%~80質量%，更好為20質量%~60質量%。
作為提高膜厚均一性或表面平滑性之化合物 列舉為氟系界面活性劑、聚矽氧系界面活性劑及非離子系界面活性劑等。
更具體列舉為例如EF TOP(註冊商標)EF301、EF303、EF352(TOKEMU PRODUCTS公司製)、MEGAFAC(註冊商標)F171、F173、R-30(DIC公司製)、FLORARD FC430、FC431(住友3M公司製)、ASAHI GUARD(註冊商標)AG710(旭硝子公司製)、SURFLON(註冊商標)S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(AGC Seimi Chemical公司製)等。該等界面活性劑之使用比例相對於聚合物組成物中含有之樹脂成分之100質量份，較好為0.01質量份~2質量份，更好為0.01質量份~1質量份。
作為提高液晶配向膜與基板之密著性之化合物之具體例列舉為如下所示之含有官能性矽烷之化合物等。
列舉為例如3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、2-胺基丙基三甲氧基矽烷、2-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-脲基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、N-乙氧羰基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-乙氧羰基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-三乙氧基矽烷基丙基三伸乙基三胺、N-三甲氧基矽烷基丙基三伸乙基三胺、10-三甲氧基矽烷基-1,4,7-三氮雜癸烷、10-三乙氧基矽烷基-1,4,7-三氮雜癸烷、乙酸9-三甲氧基矽烷基-3,6-二氮雜壬基酯、乙酸9-三乙氧 基矽烷基-3,6-二氮雜壬基酯、N-苄基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苄基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-雙(氧基伸乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-雙(氧基伸乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷等。
再者，除了提高基板與液晶配向膜之密著性以外，為防止構成液晶顯示元件時因背光造成之電特性下降等，亦可於聚合物組成物中含有如下之酚醛塑料(phenoplast)系或含環氧基之化合物之添加劑。以下列示具體之酚醛塑料系添加劑，但並不限於該構造。
具體之含有環氧基之化合物例示為乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、三丙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、丙三醇二縮水甘油醚、2,2-二溴新戊二醇二縮水甘油醚、1,3,5,6-四縮水甘油基-2,4-己二醇、N,N,N’,N’-四縮水甘油基-間-二甲苯二胺、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷、N,N,N’,N’-四縮水甘油基-4,4’-二胺基二苯基甲烷等。
使用提高與基板之密著性之化合物時，其使用量相對於聚合物組成物中所含樹脂成分之100質量份較好為0.1質量份~30質量份，更好為1質量份~20質量份。使用量未達0.1質量份時無法期待密著性提高效果，多於30質量份時會有液晶之配向性變差之情況。
作為添加劑亦可使用光增感劑。較好為無色增感劑及三重態增感劑。
光增感劑有芳香族硝基化合物、香豆素(7-二乙胺基-4-甲基香豆素、7-羥基-4-甲基香豆素)、酮基香豆素、羰基雙香豆素、芳香族2-羥基酮、及經胺基取代之芳香族2-羥基酮(2-羥基二苯甲酮、單或二-對-(二甲胺基)-2-羥基二苯甲酮)、苯乙酮、蒽醌、呫噸酮、噻噸酮、苯并蒽酮、噻唑啉(2-苯甲醯基亞甲基-3-甲基-β-萘并噻唑啉、2-(β-萘基亞甲基)-3-甲基苯并噻唑啉、2-(α-萘基亞甲基)-3-甲基苯并噻唑啉、2-(4-聯酚基亞甲基)-3-甲基苯并噻唑啉、2-(β-萘基亞甲基)-3-甲基-β-萘基噻唑啉、2-(4-聯酚基亞甲基)-3-甲基-β-萘基噻唑啉、2-(對-氟苯甲醯基亞甲基)-3-甲基-β-萘基噻唑啉)、噁唑啉(2-苯甲醯基亞甲基-3-甲基-β-萘基噁唑啉、2-(β-萘基亞甲基)-3-甲基苯并噁唑啉、2-(α-萘甲醯基亞甲基)-3-甲基苯并噁唑啉、2-(4-聯酚基亞甲基)-3-甲基苯并噁唑啉、2-(β-萘甲醯基亞甲基)-3-甲基-β-萘并噁唑啉、2-(4-聯酚基亞甲基)-3-甲基-β-萘并噁唑啉、2-(對-氟苯甲醯基亞甲基)-3-甲基-β-萘并噁唑啉)、苯并噻唑、硝基苯胺(間-或對-硝基苯胺、2,4,6-三硝 基苯胺)或硝基苊(5-硝基苊)、(2-[(間-羥基-對-甲氧基)苯乙烯基]苯并噻唑、苯甲醯基烷基醚、N-烷基化酞酮(phthalone)、苯乙酮縮酮(2,2-二甲氧基苯基乙酮)、萘、蒽(2-萘甲醇、2-萘羧酸、9-蒽甲醇及9-蒽羧酸)、苯并吡喃、偶氮吲哚啶、呋喃香豆素等。
較好為芳香族2-羥基酮(二苯甲酮)、香豆素、酮香豆素、羰基雙香豆素、苯乙酮、蒽醌、呫噸酮、噻噸酮及苯乙酮縮酮。
聚合物組成物中除上述者以外，只要不損及本發明效果之範圍，亦可添加介電體或導電物質以改變液晶配向膜之介電率或導電性等電特性，進而亦可添加交聯性化合物以提高作成液晶配向膜時之膜硬度或緻密度。
將上述聚合物組成物塗佈於具有橫向電場驅動用導電膜之基板上之方法並無特別限制。
塗佈方法在工業上一般係以網版印刷、平版印刷、柔版印刷或噴墨法等進行之方法。至於其他塗佈方法有浸漬法、輥塗佈法、狹縫塗佈法、旋塗法(旋轉塗佈法)或噴佈法等，可依據目的而使用該等。
將聚合物組成物塗佈於具有橫向電場驅動用導電膜之基板上後，可利用加熱板、熱循環型烘箱或IR(紅外線)型烘箱等加熱手段，在50~200℃、較好50~150℃下使溶劑蒸發獲得塗膜。此時之乾燥溫度較好低於側鏈型高分子之液晶相展現溫度。
塗膜厚度太厚時，液晶顯示元件之消耗電力方面變得 不利，太薄時會有液晶顯示元件之信賴性下降之情況，故較好為5nm~300nm，更好為10nm~150nm。
又，[I]步驟後，接續[II]步驟之前，亦可設有將形成有塗膜之基板卻至室溫之步驟。
步驟[II]係對步驟[I]中獲得之塗膜照射偏光之紫外線。對塗膜之膜面照射偏光之紫外線時，係對基板自一定方向透過偏光板照射偏光之紫外線。使用之紫外線可使用波長100nm~400nm範圍之紫外線。較好，依據使用之塗膜種類，透過濾波器等選擇最適當波長。而且，例如以可選擇性誘發光交聯反應之方式，選擇使用波長290nm~400nm之範圍之紫外線。紫外線可使用例如自高壓水銀燈發射之光。
偏光之紫外線的照射量與使用之塗膜有關。照射量較好成為該塗膜中實現與偏光之紫外線之偏光方向平行方向之紫外線之吸光度與垂直方向之紫外線吸光度之差即△A的最大值(以下亦稱為△Amax)之偏光紫外線之量的1%~70%之範圍內，更好成為1%~50%之範圍內。
步驟[III]係加熱於步驟[II]中經偏光之紫外線照射之塗膜。藉由加熱，可對塗膜賦予配向控制能。
加熱可使用加熱板、熱循環型烘箱或IR(紅外線)型烘 箱等加熱手段。加熱溫度可考慮所使用之塗膜之展現液晶性之溫度加以決定。
加熱溫度較好在側鏈型高分子展現液晶性之溫度(以下稱為液晶展現溫度)之溫度範圍內。如塗膜之薄膜表面之情況下，塗膜表面之液晶展現溫度預估低於以整體觀察可展現液晶性之感光性側鏈型高分子時之液晶展現溫度。因此，加熱溫度更好在塗膜表面之液晶展現溫度之溫度範圍內。亦即，偏光紫外線照射後之加熱溫度之溫度範圍較好為將比使用之側鏈型高分子之液晶展現溫度之溫度範圍下限低10℃之溫度設為下限，將比其液晶溫度範圍上限低10℃之溫度設為上限之範圍的溫度。加熱溫度低於上述溫度範圍時，會有塗膜中藉由熱所致之異向性增幅效果不足之傾向，且加熱溫度過於高於上述溫度範圍時，會有塗膜之狀態接近等向性之液體狀態(等向相)之傾向，該情況下，難以利用自我組織化於一方向再配向。
又，液晶展現溫度係指使側鏈型高分子或塗膜表面自固體相相轉移至液體相時之玻璃轉移溫度(Tg)以上，係引起自液晶相相轉移至各向同(isotropic)相(等向相)之各向同相轉移溫度(Tiso)以下之溫度。
加熱後所形成之塗膜厚度，基於步驟[I]所記述之相同理由，較好為5nm~300nm，更好為50nm~150nm。
藉由具有以上步驟，本發明之製造方法可高效率地實現對塗膜之異向性導入。而且，可高效率地製造 附液晶配向膜之基板。
[IV]步驟係使[III]中獲得之於橫向電場驅動用之導電膜上具有液晶配向膜基板(第1基板)，與同樣以上述[I’]~[III’]中獲得之不具有導電膜之附液晶配向膜基板(第2基板)，以隔著液晶使兩者之液晶配向膜相對之方式對向的配置，以習知方法製作液晶胞，而製作橫向電場驅動型液晶顯示元件之步驟。又，步驟[I’]~[III’]係除了於步驟[I]中，使用不具有該橫向電場驅動用導電膜之基板替代具有橫向電場驅動用導電膜之基板以外，可與步驟[I]~[III]同樣進行。步驟[I]~[III]與步驟[I’]~[III’]之差異點由於僅上述導電膜之有無，故省略步驟[I’]~[III’]之說明。
若列舉液晶胞或液晶顯示元件製作之一例，則係準備上述第1及第2基板，將隔離物散佈在一片基板之液晶配向膜上，以使液晶配向膜面成為內側之方式，貼合另一片基板，減壓注入液晶並密封之方法，或者將液晶滴加於散佈有隔離物之液晶配向膜面後貼合基板且進行密封之方法等。此時，一面之基板較好使用具有如橫向電場驅動用之梳齒構造之電極的基板。此時之隔離物直徑較好為1μm~30μm，更好為2μm~10μm。該隔離物直徑將決定夾持液晶層之一對基板間距離，亦即液晶層厚度。
本發明之附塗膜基板之製造方法係將聚合物組成物塗佈於基板上形成塗膜後，照射偏光之紫外線。接 著，藉由進行加熱而高效率地實現對側鏈型高分子膜導入異向性，而製造具備液晶之配向控制能之附液晶配向膜之基板。
本發明所用之塗膜係利用藉由基於側鏈之光反應與液晶性之自我組織化引起之分子再配向原理，實現對塗膜之高效率異向性導入。本發明之製造方法，於側鏈型高分子具有光交聯性基作為光反應性基之構造時，係使用側鏈型高分子於基板上形成塗膜後，照射偏光之紫外線，接著進行加熱後製作液晶顯示元件。
因此，本發明之方法所用之塗膜中，藉由依序進行對塗膜照射偏光紫外線與加熱處理，可作成高效率導入異向性且配向控制能優異之液晶配向膜。
而且，對本發明之方法所用之塗膜，使對塗膜之偏光紫外線照射量與加熱處理之加熱溫度最適化。藉此，可更高效率地實現對塗膜之異向性導入。
高效率地對本發明所用之塗膜導入異向性時之最適偏光紫外線之照射量係對應於該塗膜中使感光性基進行光交聯反應或光異構化反應、或光弗蒂斯重排反應之量最適之偏光紫外線之照射量。對本發明所用之塗膜照射偏光之紫外線之結果，進行光交聯反應或光異構化反應、或光弗蒂斯重排反應之側鏈之感光性基少時，無法成為充分之光反應量。該情況下，即使隨後加熱仍無法進行充分之自我組織化。另一方面，本發明所用之塗膜中，對於具有光交聯性基之構造照射偏光之紫外線之結果，經交聯反 應之側鏈的感光性基過量時，側鏈間之交聯反應過度進行。該情況下，所得塗膜變得剛直，會有妨礙隨後之藉加熱之自我組織化進行之情況。且，本發明所用之塗膜中，對具有光弗蒂斯重排基之構造照射偏光之紫外線之結果，經光弗蒂斯重排反應之側鏈之感光性基變得過量時，塗膜之液晶性過度降低。該情況下，所得膜之液晶性亦降低，會有妨礙隨後藉加熱之自我組織化進行之情況。再者，對於具有光弗蒂斯重排基之構造照射偏光之紫外線時，紫外線之照射量太多時，側鏈型高分子會光分解，而有妨礙隨後之藉加熱之自我組織化進行之情況。
因此，本發明所用之塗膜中，藉由偏光紫外線之照射使側鏈之感光性基進行光交聯反應或光異構化反應、或光弗蒂斯重排反應之最適量較好係成為其側鏈型高分子膜具有之感光性基之0.1莫耳%~40莫耳%，更好為0.1莫耳%~20莫耳%。藉由使進行光反應之側鏈之感光性基的量落在該範圍，可使隨後之藉加熱處理之自我組織化有效地進行，可於膜中高效率地形成異向性。
本發明之方法所用之塗膜藉由偏光之紫外線之照射量最適化，而使側鏈型高分子膜之側鏈中之感光性基之光交聯反應或光異構化反應、或光弗萊斯重排反應之量最適化。因此，與隨後之加熱處理一起，可高效率地實現對本發明所用之塗膜導入異向性。該情況下，關於較佳之偏光紫外線之量，可基於本發明所用之塗膜之紫外線吸收之評價進行。
亦即，針對本發明所用之塗膜，分別測定偏光紫外線照射後之與偏光之紫外線之偏光方向平行方向之紫外線吸收、及垂直方向之紫外線吸收。由紫外線吸收之測定結果，評價該塗膜中之與偏光之紫外線之偏光方向平行方向之紫外線吸光度及垂直方向之紫外線吸光度之差的△A。接著，求出本發明所用塗膜中實現之△A之最大值(△Amax)與實現其之偏光紫外線之照射量。本發明之製造方法中，以實現該△Amax之偏光紫外線照射量作為基準，可決定液晶配向膜之製造中照射之較佳量的偏光紫外線量。
本發明之製造方法中，較好將對本發明所用之塗膜之偏光紫外線之照射量設為實現△Amax之偏光紫外線之量的1%~70%之範圍內，更好設為1%~50%之範圍內。本發明所用之塗膜中，實現△Amax之偏光紫外線之量的1%~50%之範圍內之偏光紫外線之照射量相當於使該側鏈型高分子膜具有之感光性基全體之0.1莫耳%~20莫耳%進行光交聯反應之偏光紫外線之量。
由上述，以本發明之製造方法，為了實現對塗膜之高效率之異向性導入，而以該側鏈型高分子之液晶溫度範圍作為基準，如上述般決定較佳之加熱溫度即可。因此，例如本發明所用之側鏈型高分子之液晶溫度範圍為100℃~200℃時，宜將偏光紫外線照射後之加熱溫度設為90℃~190℃。如此，對本發明所用之塗膜賦予更大的異向性。
如此，由本發明提供之液晶顯示元件顯示對光或熱等之外部應力之高的信賴性。
如上述，以本發明之方法製造之橫向電場驅動型液晶顯示元件用基板或具有該基板之橫向電場驅動型液晶顯示元件成為信賴性優異者，可較好地利用於大畫面且高精細之液晶電視等中。
以下，利用實施例說明本發明，但本發明並不受限於該實施例。
實施例中使用之甲基丙烯酸單體MA1、MA2、具有環氧側鏈之單體之GMA、HBAGE、G1及添加劑T1示於下。
又，MA1及MA2分別如下述合成。亦即，MA1係以專利文獻(WO2011-084546)所記載之合成法合成。MA2係以專利文獻(日本特開平9-118717)所記載之合成法合成。
G1係以下述合成例1所記載之合成法合成。
GMA(甲基丙烯酸縮水甘油酯)、HBAGE(羥基丁基丙烯酸酯縮水甘油醚)、添加劑T1(3-胺基甲基吡啶)係使用可市售購入者。
特定縮水甘油基化合物(C1)之成
於羧酸衍生物(MA2)(18.4g，60mmol)之THF(四氫呋喃)溶液(184g)中添加2滴(COCl)2(草醯氯)(11.4g，90mmol)與DMF(二甲基甲醯胺)，且在室溫反應2小時。以THF(350g)使將該溶液濃縮獲得之固體溶解。在1小時內將該溶液滴加於縮水甘油(glycidol)(8.89g，120mmol)與三乙胺(13.4g，132mmol)之THF溶液(88g)中，且反應18小時。隨後，添加乙酸乙酯(500g)且以水(300g)洗淨有機相3次，以硫酸鎂乾燥。藉過濾去除硫酸鎂後，經濃縮獲得粗產物。所得粗產物使用乙酸乙酯與己烷進行矽膠層析，獲得白色固體之C1(收量：14.9g，69%)。
縮水甘油衍生物(C1)：1H-NMR(CDCl3，δppm)：8.01(d，2H)，7.01(d，2H)，6.01(s，1H)，5.56(s，1H)，4.65-4.61(m，1H)，4.18-4.12(m，3H)，4.02(t，2H)，3.36-3.32(m，1H)，2.91-2.89(m，1H)，2.74-2.72(m，1H)，1.95-1.94(m，3H)，1.86-1.79(m，2H)，1.76-1.69(m，2H)，1.57-1.44(m，4H)。
將化合物[A](63.42g，287mmol)、化合物[B](50.00g，406mmol)、EDC(N-乙基-N’-(3-二甲胺基丙基)碳二醯亞胺鹽酸鹽(93.43g，487mmol)、DMAP(4-二甲胺基吡啶)(4.96g，40.6mmol)、THF(500g)添加於1L之四頸燒瓶中，且在23℃進行反應。以HPLC進行反應追蹤，確認反應結束後，將反應溶液注入於蒸餾水(3L)中，添加乙酸乙酯(1L)，且以分液操作去除水層。隨後，以蒸餾水(1L)洗淨有機層2次後，以硫酸鎂使有機層乾燥。隨後過濾，以蒸發器餾除溶劑，以油狀化合物獲得86.3g之化合物[A1](收率92%)。
1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：8.81-8.79(2H，dd)，7.86-7.85(2H，dd)，6.16-6.14(1H，m)，5.62-5.60(1H，m)，4.63-4.61(2H，m)，5.62-5.60(2H，m)，4.63-4.61(2H，m)，4.52-4.60(2H，m)，1.97-1.95(3H，m)。
在500ml之四頸燒瓶中饋入1-甲基哌啶15.00g、甲苯120g，在5℃下攪拌，且於50分鐘內滴加以甲苯30g稀釋甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯24.40g而成之溶液後，在室溫攪拌3小時。接著，以蒸發器減壓濃縮反應液而調整至約一半重量後，添加庚烷75g。接著，在5℃暫停攪拌析出結晶，並減壓吸氣過濾該結晶後，減壓乾燥，獲得33.26g之化合物[A2](收率：87%，性狀：白色結晶)。
1H-NMR(400MHz)in d6-DMSO：6.65ppm(m，1H)，6.06ppm(s，1H)，5.67ppm(s，1H)，4.08ppm(t，J=6.0Hz，2H)，3.38-3.15ppm(m，6H)，2.22ppm(t，J=4.8Hz，4H)，2.15ppm(s，3H)，1.88ppm(s，3H)。
添加羧酸衍生物[MA2](86.39g，282mmol)、 化合物[C](50.00g，310mmol)、EDC(64.87g，338mmol)、DMAP(3.45g，28.2mmol)、THF(900g)，且在23℃進行反應。以HPLC進行反應追蹤，確認反應結束後，將反應溶液注入於蒸餾水(4L)中，添加乙酸乙酯(1L)，以分液操作去除水層。隨後，以蒸餾水(1L)洗淨有機層2次後，以硫酸鎂使有機層乾燥。隨後過濾，以蒸發器餾除溶劑，以油狀化合物獲得121.7g之化合物[A3](收率96%)。
1H-NMR(400MHz，DMSO-d6，δppm)：7.92(2H，d)，7.01(2H，d)，7.06(1H，t)，6.01(1H，m)，5.65(1H，m)，4.17(2H，t)，4.08(2H，t)，4.05-4.02(2H，m)，3.29-3.26(2H，m)，1.86(3H，s)，1.75-1.72(2H，m)，1.65-1.62(2H，m)，1.50-1.36(17H，m)。
添加羧酸衍生物[MA2](69.17g，286mmol)、化合物[D](50.00g，248mmol)、EDC(51.95g，271mmol)、DMAP(2.76g，22.58mmol)、THF(700g)，且在23℃進行反應。以HPLC進行反應追蹤，確認反應結束後，將反應溶液注入於蒸餾水(4L)中，添加乙酸乙酯(1L)，且以分液操 作去除水層。隨後，以蒸餾水(1L)洗淨有機層2次後，以硫酸鎂使有機層乾燥。隨後過濾，以蒸發器餾除溶劑，以油狀化合物獲得100.9g之化合物[A4](收率91%)。
1H-NMR(400MHz，DMSO-d6，δppm)：7.91(2H，d)，6.92(2H，d)，6.01(1H，s)，5.65(1H，s)，4.14-4.06(2H，m)，3.67-3.60(2H，m)，3.34-3.27(1H，m)，2.98-2.93(1H，m)，1.87(3H，s)，1.79-1.38(24H，m)。
此外，本實施例中使用之試藥之簡寫示於下。
(有機溶劑)
THF：四氫呋喃
NMP：N-甲基-2-吡咯啶酮
BC：丁基溶纖素
PB：丙二醇單丁基醚
(聚合起始劑)
AIBN：2,2’-偶氮雙異丁腈
將4,4’-二胺基二苯基胺20.00g、THF 300g饋入2L四頸燒瓶中，在冰冷攪拌下，於30分鐘內滴加以THF100g稀釋三乙氧基矽烷基丙基異氰酸酯50.90g而成 之溶液後，在室溫攪拌18小時。隨後，減壓濃縮反應液餾除一半左右之THF。接著，在室溫添加乙腈720g，攪拌30分鐘後，在5℃暫停攪拌。使藉此析出之結晶減壓過濾，經減壓乾燥，獲得化合物S1 60.70g(收率：87%，性狀：白色固體)。
1H-NMR(400MHz)in d6-DMSO：8.10ppm(s，2H)，7.61ppm(s，1H)，7.20ppm(d，J=7.6Hz，4H)，6.87ppm(d，J=7.6Hz，4H)，6.04-6.00ppm(m，2H)，3.75ppm(q，J=6.8Hz，12H)，3.34ppm(s，2H)，3.06-3.00ppm(m，4H)，1.50-1.42ppm(m，4H)，1.14ppm(t，J=6.8Hz，18H)，0.58-0.52ppm(m，4H)。
在300ml之四頸燒瓶中饋入1,4-二胺基苯4.00g、THF 60g，在冰冷攪拌下，於1.5小時內滴加以THF 20g稀釋三乙氧基矽烷基丙基異氰酸酯18.76g而成之溶液後，在室溫攪拌18小時。隨後，減壓過濾反應液中析出之結晶，將其移到另一300mL四頸燒瓶中。接著，於其中添加乙腈100g後，在室溫暫停攪拌。使因此析出之結晶減壓過濾，經減壓乾燥，獲得化合物S2 18.98g(收 率：85%，性狀：白色固體)。
1H-NMR(400MHz)in CDCl3：7.60-7.47ppm(br，2H)，6.51ppm(s，4H)，6.46-6.30ppm(br，2H)，3.81ppm(q，J=6.8Hz，12H)，3.24-3.10ppm(m，4H)，1.70-1.57ppm(m，4H)，1.22ppm(t，J=6.8Hz，18H)，0.67-0.62ppm(m，4H)。
將MA1(3.98g)、MA2(5.51g)、GMA(0.04g)、A1(0.07g)溶解於THF(40.0g)中，以隔膜泵進行脫氣後，添加AIBN(0.24g)並進行再次脫氣。隨後在60℃反應6小時，獲得甲基丙烯酸酯之聚合物溶液。將該聚合物溶液滴加於甲醇(300ml)中，過濾所得沉澱物。以甲醇洗淨該沉澱物，經減壓乾燥獲得甲基丙烯酸酯聚合物粉末P11。
使用與聚合物合成例11相同之方法合成表1所示之組成。
[表1]
將N-乙基-2-吡咯啶酮(NEP)(5.1g)添加於聚合物合成11中獲得之甲基丙烯酸酯聚合物粉末P11(0.4g)中，在室溫攪拌1小時使之溶解。於該溶液中添加PB(4.5g)並攪拌，藉此獲得聚合物溶液T11。該聚合物溶液直接作為用於形成液晶配向膜之液晶配向劑。
使用與實施例11相同之方法調整表2所示組成之液晶配向劑，獲得實施例12~25之液晶配向劑T12~T25。
[表2]
使MA1(3.98g)、MA2(5.51g)溶解於THF(40.0g)中，以隔膜泵進行脫氣後，添加AIBN(0.24g)並進行再次脫氣。隨後在60℃反應6小時，獲得甲基丙烯酸酯之聚合物溶液。將該聚合物溶液滴加於甲醇(300ml)中，過濾所得沉澱物。以甲醇洗淨該沉澱物，經減壓乾燥獲得甲基丙 烯酸酯聚合物粉末CP1。
使用與聚合物對照聚合物合成例1相同之方法合成表3所示之組成。
將NEP(5.1g)添加於對照聚合物合成例1獲得之甲基丙烯酸酯聚合物粉末CP1(0.4g)中，在室溫攪拌1小時使之溶解。於該溶液中添加PB(4.5g)並經攪拌，藉此獲得聚合物溶液CT11。該聚合物溶液直接作為用以形成液晶配向膜之液晶配向劑。
使用與對照立11相同之方法調整表4所示組成之液晶配向劑，獲得對照例12~16之液晶配向劑CT12~CT16。
[表4]
以0.45μm之過濾器過濾實施例11中獲得之液晶配向劑(T11)後，旋塗於附透明電極之玻璃基板上，於70℃之加熱板上乾燥90秒後，形成膜厚100nm之液晶配向膜。接著，透過偏光板對塗膜面照射15mJ/cm2之313nm之紫外線後以140℃之加熱板加熱10分鐘，獲得附液晶配向膜之基板。準備2片該附液晶配向膜之基板，於其一基板之液晶配向膜面上設置6μm之間隔物後，以使2片基板之摩擦方向平行之方式組合，留下液晶注入口後密封周圍，製作胞間隙4μm之空胞。以減壓注入法於該空胞中注入液晶MLC-3019(Merck股份有限公司製)，且密封注入口，獲得液晶經平行配向之液晶胞。
使用實施例12~25所得之液晶配向劑T12~T25，對照例11~16所得之液晶配向劑CT11~CT16，同樣作成液晶胞。
將上述準備之IPS模式用液晶胞設置於以使偏光軸正交之方式配置之2片偏光板之間，在未施加電壓之狀態下使背光點亮，以使透過光之亮度為最小之方式調整液晶胞之配置角度。接著，算出使液晶胞自畫素之第2區域成為最暗之角度旋轉至第1區域成為最暗之角度時之旋轉角度作為初期配向方位角。接著，在60℃之烘箱中，在頻率30Hz下施加168小時之16Vpp之交流電壓。隨後，使液晶胞之畫素電極與對向電極之間短路之狀態，直接放置在室溫1小時。放置後，同樣測定配向方位角，算出交流驅動前後之配向方位角之差作為角度△(度)。其他實施例亦同樣測定。其結果，所有實施例中，角度△均為0.1以下。對展現液晶性之側鏈型高分子模照射紫外線後，在液晶展現溫度範圍內加熱，因自我組織化而在高分子整體中高效率地賦予液晶配向能，故長期AC驅動後仍幾乎未觀測到配向方位偏移。
VHR之評價係對所得之液晶胞在70℃之溫度下施加60μs之1V電壓，且測定16.67ms後之電壓，計算電壓可保持至何種程度作為電壓保持率。將液晶胞剛作成後測定之VHR設為VHR1，將VHR1測定後在背光板上進行老化1週後測定之VHR設為VHR2。又，電壓保持率之測定係使用東陽技術公司製之電壓保持率測定裝置VHR-1。
實施例11~25及對照例11~16之液晶配向劑之VHR之結果示於表5。
由表5可知，實施例11~25中，藉由使具有環氧基之單體與具有醯胺基之單體兩者共聚合，相較於未共聚合具有醯胺基之單體之對照例11~16，VHR1更提高。且亦抑制因背光老化造成之VHR(VHR2)之降低。
Claims (8)
- 一種聚合物組成物，[I]其含有(A)側鏈型高分子、及(B)有機溶劑，其中(A)係具有以下述式(0)表示之側鏈及以下述式(2)表示之感光性側鏈，且進而具有具有由含氮芳香族雜環基、醯胺基及胺基甲酸酯基選出之基之側鏈(a)的側鏈型高分子，
- 如請求項1之聚合物組成物，其中(A)成分具有由下述式(21)~(31)所組成之群選出之任一種之液晶性側鏈：
- 一種具有液晶配向膜之基板之製造方法，其係藉由具有下述步驟而獲得被賦予配向控制能之橫向電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜者：[I]將如請求項1或2之組成物塗佈於具有橫向電場驅動用之導電膜之基板上，形成塗膜之步驟；[II]對[I]獲得之塗膜照射偏光之紫外線之步驟；[III]加熱[II]所得之塗膜之步驟。
- 一種基板，其具有以如請求項3之方法製造之橫向 電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜。
- 一種橫向電場驅動型液晶顯示元件，其具有如請求項4之基板。
- 一種液晶顯示元件之製造方法，其係藉由具有下述步驟獲得橫向電場驅動型液晶顯示元件者：準備如請求項4之基板(第1基板)之步驟；獲得具有液晶配向膜之第2基板之步驟，其係藉由具有下列步驟獲得被賦予配向控制能之液晶配向膜者：[I’]將如請求項1或2之聚合物組成物塗佈於第2基板上形成塗膜之步驟；[II’]對[I’]獲得之塗膜照射偏光之紫外線之步驟；及[III’]加熱[II’]中獲得之塗膜之步驟；以及[IV]以介隔液晶使前述第1及第2基板之液晶配向膜相對之方式，使前述第1及第2基板對向配置而獲得液晶顯示元件之步驟。
- 一種橫向電場驅動型液晶顯示元件，其係藉由如請求項6之方法製造。
- 一種側鏈型高分子，其係具有以下述式(0)表示之側鏈及以下述式(2)表示之感光性側鏈，且進而具有具有由含氮芳香族雜環基、醯胺基及胺基甲酸酯基選出之基之側鏈(a)的側鏈型高分子，
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