RU2013111293A - Светоизлучающее устройство, имеющее силикатные люминофоры с модифицированной поверхностью - Google Patents

Светоизлучающее устройство, имеющее силикатные люминофоры с модифицированной поверхностью Download PDF

Info

Publication number
RU2013111293A
RU2013111293A RU2013111293/28A RU2013111293A RU2013111293A RU 2013111293 A RU2013111293 A RU 2013111293A RU 2013111293/28 A RU2013111293/28 A RU 2013111293/28A RU 2013111293 A RU2013111293 A RU 2013111293A RU 2013111293 A RU2013111293 A RU 2013111293A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light emitting
fluorinated
emitting device
phosphor
light
Prior art date
Application number
RU2013111293/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2569167C2 (ru
Inventor
Чунг Хоон ЛИ
Вальтер ТЕВС
Гундула РОТ
Детлеф СТАРИК
Original Assignee
Сеул Семикондактор Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сеул Семикондактор Ко., Лтд. filed Critical Сеул Семикондактор Ко., Лтд.
Priority claimed from PCT/KR2011/005842 external-priority patent/WO2012023737A2/en
Publication of RU2013111293A publication Critical patent/RU2013111293A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2569167C2 publication Critical patent/RU2569167C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342—Silicates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991—Coated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991—Coated
    • Y10T428/2993—Silicic or refractory material containing [e.g., tungsten oxide, glass, cement, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991—Coated
    • Y10T428/2998—Coated including synthetic resin or polymer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

1. Светоизлучающее устройство, содержащее:первый светоизлучающий диод; иповерхностно-модифицированный люминофор, выполненный с возможностью поглощать свет, излучаемый из первого светоизлучающего диода, и с возможностью излучать свет, имеющий отличную от поглощенного света длину волны, причем поверхностно-модифицированный люминофор содержит:силикатный люминофор; ифторированное покрытие, расположенное на силикатном люминофоре.2. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом фторированное покрытие выполнено с возможностью создавать гидрофобные поверхностные центры, причем фторированное покрытие содержит фторированный неорганический агент, фторированный органический агент, или же как фторированный неорганический агент, так и фторированный органический агент.3. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом поверхностно-модифицированный люминофор дополнительно содержит влагозащитный слой, содержащий оксид, расположенный на фторированном покрытии или расположенный между фторированным покрытием и силикатным люминофором.4. Светоизлучающее устройство по п. 3, при этом оксид содержит по меньшей мере один из MgO, AlO, YO, LaO, GdO, LuOи SiO.5. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом силикатный люминофор содержит люминофор на основе силиката щелочноземельного металла, и при этом фторированное покрытие содержит фторированный барьерный слой, образованный фторированием люминофора на основе силиката щелочноземельного металла с использованием фтор-функционализованного органосилана, имеющего общую формулу Si(OR)Х, где R = СН, СНили высшие алканы, а Х содержит фтор-функционализованный органический лиганд.6. Светоизлучающее у�

Claims (16)

1. Светоизлучающее устройство, содержащее:
первый светоизлучающий диод; и
поверхностно-модифицированный люминофор, выполненный с возможностью поглощать свет, излучаемый из первого светоизлучающего диода, и с возможностью излучать свет, имеющий отличную от поглощенного света длину волны, причем поверхностно-модифицированный люминофор содержит:
силикатный люминофор; и
фторированное покрытие, расположенное на силикатном люминофоре.
2. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом фторированное покрытие выполнено с возможностью создавать гидрофобные поверхностные центры, причем фторированное покрытие содержит фторированный неорганический агент, фторированный органический агент, или же как фторированный неорганический агент, так и фторированный органический агент.
3. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом поверхностно-модифицированный люминофор дополнительно содержит влагозащитный слой, содержащий оксид, расположенный на фторированном покрытии или расположенный между фторированным покрытием и силикатным люминофором.
4. Светоизлучающее устройство по п. 3, при этом оксид содержит по меньшей мере один из MgO, Al2O3, Y2O3, La2O3, Gd2O3, Lu2O3 и SiO2.
5. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом силикатный люминофор содержит люминофор на основе силиката щелочноземельного металла, и при этом фторированное покрытие содержит фторированный барьерный слой, образованный фторированием люминофора на основе силиката щелочноземельного металла с использованием фтор-функционализованного органосилана, имеющего общую формулу Si(OR)3Х, где R = СН3, С2Н5 или высшие алканы, а Х содержит фтор-функционализованный органический лиганд.
6. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом поверхностно-модифицированный люминофор имеет общую формулу (Me1+Me2+Me3+)x∙(Si, P, Al, B, V, N, C, Ge)y∙(O, N)z:(A, F, S), где А представляет собой активатор, выбранный из группы лантаноидов и/или марганца, F представляет собой фиксированный на поверхности или пришитый фтор или соединение фтора, и S представляет собой дополнительное покрытие с нефторированными слоеобразующими материалами, Ме1+ представляет собой одновалентный металл, Ме2+ представляет собой двухвалентный металл, а Ме3+ представляет собой трехвалентный металл, выбранный из группы III или лантаноидов, некоторая часть Si может быть замещена на Р, Al, B, V, N, Ge или С, и 0<x<5, 0<y<12 и 0<z<24.
7. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом поверхностно-модифицированный люминофор имеет формулу Sr3-x-y-zCaxBaySiO5:Euz, F, S, где F представляет собой фиксированный на поверхности или пришитый фтор или содержащее фтор соединение, а S представляет собой дополнительное покрытие, содержащее нефторированные материалы, и 0≤x≤2, 0≤y≤2 и 0<z<0,5.
8. Светоизлучающее устройство по п. 7, при этом 0≤x≤0,05, 0≤y≤0,5 и 0<z<0,25.
9. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом силикатный люминофор содержит люминофор на основе силиката щелочноземельного металла, причем люминофор на основе силиката щелочноземельного металла содержит:
первый элемент замещения, замещающий часть ионов щелочноземельного металла в силикатном люминофоре, причем первый элемент замещения содержит двухвалентный ион, выбранный из Mg и Zn, одновалентный ион, выбранный из группы щелочных металлов, или трехвалентный ион, выбранный из группы редкоземельных металлов; и
второй элемент замещения, замещающий часть кремния, причем второй элемент замещения содержит по меньшей мере один, выбранный из группы Р, B, V, N, Ge и С.
10. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом первый светоизлучающий диод и люминофор объединены в корпусе.
11. Светоизлучающее устройство по п. 10, дополнительно содержащее: второй светоизлучающий диод в упомянутом корпусе, при этом второй светоизлучающий диод выполнен с возможностью излучать свет с большей длиной волны пика эмиссии, чем у люминофора.
12. Светоизлучающее устройство по п. 10, при этом корпус дополнительно содержит подложку, на которой установлен первый светоизлучающий диод.
13. Светоизлучающее устройство по п. 12, при этом подложка содержит печатную плату или рамку с выводами.
14. Светоизлучающее устройство по п. 13, дополнительно содержащее формовочный элемент, инкапсулирующий первый светоизлучающий диод,
при этом поверхностно-модифицированный люминофор расположен внутри этого формовочного элемента.
15. Светоизлучающее устройство по п. 10, при этом корпус содержит теплоотвод, на котором установлен первый светоизлучающий диод.
16. Светоизлучающее устройство по п. 1, при этом первый светоизлучающий диод содержит множество светоизлучающих ячеек.
RU2013111293/28A 2010-08-14 2011-08-11 Светоизлучающее устройство, имеющее силикатные люминофоры с модифицированной поверхностью RU2569167C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010034322.6 2010-08-14
DE102010034322A DE102010034322A1 (de) 2010-08-14 2010-08-14 Oberflächenmodifizierter Silikatleuchtstoffe
KR1020100137026A KR101752428B1 (ko) 2010-08-14 2010-12-28 표면 개질된 발광체를 갖는 발광 장치
KR10-2010-0137026 2010-12-28
PCT/KR2011/005842 WO2012023737A2 (en) 2010-08-14 2011-08-11 Light emitting device having surface-modified silicate luminophores

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013111293A true RU2013111293A (ru) 2014-09-20
RU2569167C2 RU2569167C2 (ru) 2015-11-20

Family

ID=45528286

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013111302/05A RU2013111302A (ru) 2010-08-14 2011-07-29 Поверхностно-модифицированные силикатные люминофоры
RU2013111293/28A RU2569167C2 (ru) 2010-08-14 2011-08-11 Светоизлучающее устройство, имеющее силикатные люминофоры с модифицированной поверхностью

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013111302/05A RU2013111302A (ru) 2010-08-14 2011-07-29 Поверхностно-модифицированные силикатные люминофоры

Country Status (10)

Country Link
US (2) US8945421B2 (ru)
EP (2) EP2603571A4 (ru)
JP (2) JP2013536283A (ru)
KR (2) KR101761855B1 (ru)
CN (2) CN103068953A (ru)
BR (2) BR112013003416B1 (ru)
DE (1) DE102010034322A1 (ru)
RU (2) RU2013111302A (ru)
TW (2) TWI541325B (ru)
WO (1) WO2012023714A2 (ru)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101241650B1 (ko) 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
EP3561514A1 (en) 2009-09-23 2019-10-30 Crystalplex Corporation Passivated ii-vi semiconductor nanoparticles
US9196785B2 (en) 2010-08-14 2015-11-24 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having surface-modified quantum dot luminophores
US9614129B2 (en) 2010-08-14 2017-04-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having surface-modified luminophores
US9234129B2 (en) 2010-08-14 2016-01-12 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Surface-modified quantum dot luminophores
DE102010034322A1 (de) 2010-08-14 2012-02-16 Litec-Lp Gmbh Oberflächenmodifizierter Silikatleuchtstoffe
EP3929965A1 (en) * 2011-06-20 2021-12-29 Crystalplex Corporation Stabilized nanocrystals
DE102012203419A1 (de) 2011-07-29 2013-01-31 Osram Ag Leuchtstoff und Leuchtstofflampe denselben enthaltend
JP2013040236A (ja) * 2011-08-11 2013-02-28 Sekisui Chem Co Ltd 表面処理蛍光体の製造方法及び表面処理蛍光体
KR101772588B1 (ko) * 2011-08-22 2017-09-13 한국전자통신연구원 클리어 컴파운드 에폭시로 몰딩한 ｍｉｔ 소자 및 그것을 포함하는 화재 감지 장치
TWI464235B (zh) * 2012-11-21 2014-12-11 Lextar Electronics Corp 螢光體組成物及應用其之發光二極體元件
CN109971459A (zh) * 2013-02-25 2019-07-05 皇家飞利浦有限公司 经涂覆的发光颗粒、发光转换器元件、光源、照明器以及制造经涂覆的发光颗粒的方法
DE102013106573B4 (de) * 2013-06-24 2021-12-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement, Gassensor mit strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelements
EP3148712B1 (en) 2014-05-29 2021-08-18 Crystalplex Corporation Dispersion system for quantum dots
US10144815B2 (en) * 2015-09-29 2018-12-04 Portland State University Modified nano-clays and coating compositions including the same
RU2664143C2 (ru) * 2016-03-21 2018-08-15 Закрытое Акционерное Общество "Научно-производственная фирма "Люминофор" Способ нанесения защитной пленки на поверхность частиц люминофора
JP7175265B2 (ja) 2016-05-19 2022-11-18 クリスタルプレックス コーポレーション カドミウムフリー量子ドット、調整可能な量子ドット、量子ドット含有ポリマー、それらを含有する物品、フィルム、および３ｄ構造ならびにそれらの作製および使用方法
CN106316373A (zh) * 2016-07-29 2017-01-11 江苏罗化新材料有限公司 一种大功率光源用氟化物荧光透明陶瓷的制备方法
JP6720944B2 (ja) 2017-08-31 2020-07-08 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体の製造方法、窒化物蛍光体及び発光装置
CN112585665B (zh) * 2018-08-28 2023-04-18 夏普株式会社 显示装置
RU202047U1 (ru) * 2020-11-16 2021-01-28 Сергей Григорьевич Никифоров Комбинированный источник излучения
CN115627161A (zh) * 2022-10-13 2023-01-20 英特美光电（苏州）有限公司 一种硅酸盐荧光粉的包膜方法

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5222584A (en) * 1975-08-14 1977-02-19 Fujitsu Ltd Method for protective treatment of fluorescent substance
JPS52156188A (en) * 1976-06-21 1977-12-26 Sony Corp Fluorescent substance
EP0550937B1 (en) 1992-01-07 1997-03-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Low-pressure mercury discharge lamp
WO1997027267A1 (fr) 1996-01-22 1997-07-31 Kasei Optonix, Ltd. Phosphore pouvant etre stimule par la lumiere
JP3234526B2 (ja) 1996-08-29 2001-12-04 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ用蛍光体の製造方法
US5792509A (en) * 1997-02-07 1998-08-11 Industrial Technology Research Institute Phosphor particle with antireflection coating
DE19806213B4 (de) 1998-02-16 2005-12-01 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Kompakte Energiesparlampe
US6346326B1 (en) 1998-10-15 2002-02-12 Sarnoff Corporation Coated moisture impervious red phosphors
JP2002069442A (ja) 2000-09-01 2002-03-08 Showa Denko Kk シリカ被膜発光体粒子
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP4019649B2 (ja) 2001-04-27 2007-12-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2003041247A (ja) 2001-07-31 2003-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイ装置
EP2017901A1 (en) 2001-09-03 2009-01-21 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting DEV
JP4096619B2 (ja) * 2002-05-17 2008-06-04 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイ装置の製造方法
JP4228098B2 (ja) * 2002-08-29 2009-02-25 東ソー株式会社 アルカリ土類金属珪酸塩蛍光体及び発光素子
JP2004168846A (ja) 2002-11-19 2004-06-17 Asahi Glass Co Ltd 複合微粒子およびその製造方法
US20030173540A1 (en) 2003-02-19 2003-09-18 Mortz Bradford K Long persistent phosphor incorporated within a settable material
JP2005003436A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 輝尽性蛍光体の製造方法と、それを用いた放射線画像変換パネル及びその製造方法
JP4516793B2 (ja) 2003-08-22 2010-08-04 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP2005068343A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Nichia Chem Ind Ltd 真空紫外線励起蛍光体およびプラズマディスプレイパネル
JP4322774B2 (ja) * 2003-12-05 2009-09-02 株式会社東芝 蛍光体およびこれを用いた発光装置
WO2006068359A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
JP4645089B2 (ja) 2004-07-26 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置および蛍光体
JP4530755B2 (ja) * 2004-07-28 2010-08-25 株式会社東京化学研究所 橙色蛍光体
US7601276B2 (en) * 2004-08-04 2009-10-13 Intematix Corporation Two-phase silicate-based yellow phosphor
US20060027785A1 (en) * 2004-08-04 2006-02-09 Intematix Corporation Novel silicate-based yellow-green phosphors
JP4562453B2 (ja) 2004-08-10 2010-10-13 富士フイルム株式会社 エレクトロルミネッセンス蛍光体、その製造方法、及びエレクトロルミネッセンス素子
WO2006059828A1 (en) 2004-09-10 2006-06-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins
JP2008523169A (ja) * 2004-12-07 2008-07-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 放射線源とルミネッセンス材料を含む照明システム
JP2006232949A (ja) 2005-02-23 2006-09-07 Matsushita Electric Works Ltd 蛍光体粒子の処理方法、発光装置、蛍光体粒子
JP2006286672A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
CN104759615A (zh) 2005-04-01 2015-07-08 三菱化学株式会社 无机功能材料原料用合金粉末及荧光体
JP5245222B2 (ja) * 2005-08-10 2013-07-24 三菱化学株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置
CN101336479A (zh) * 2005-12-01 2008-12-31 沙诺夫公司 防潮磷光体和led发光器件
US20070125984A1 (en) 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
JP4961828B2 (ja) * 2006-05-12 2012-06-27 ソニー株式会社 ナノ粒子−樹脂複合材料の製造方法
JP2009013186A (ja) * 2007-06-29 2009-01-22 Mitsubishi Chemicals Corp 被覆蛍光体粒子、被覆蛍光体粒子の製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置、および照明装置
WO2009028818A2 (en) * 2007-08-28 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
US7915627B2 (en) 2007-10-17 2011-03-29 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
KR20090040097A (ko) 2007-10-19 2009-04-23 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
JP5369295B2 (ja) * 2007-11-08 2013-12-18 住友金属鉱山株式会社 表面被覆ストロンチウムシリケート蛍光体粒子及びその製造方法並びに該蛍光体粒子を具備する発光ダイオード
DE102007056342A1 (de) 2007-11-22 2009-05-28 Merck Patent Gmbh Oberflächenmodifizierte Konversionsleuchtstoffe
CN101939857B (zh) 2008-02-07 2013-05-15 三菱化学株式会社 半导体发光装置、背光源、彩色图像显示装置以及这些中使用的荧光体
JP4618330B2 (ja) 2008-05-21 2011-01-26 ソニー株式会社 蛍光体とその製造方法、及び、蛍光体を用いた発光デバイス並びに表示デバイス
DE102009044255A1 (de) 2009-10-15 2011-04-28 Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh Erdalkalimetallsilikat-Leuchtstoffe und Verfahren zur Verbesserung ihrer Langzeitstabilität
JP2011111506A (ja) * 2009-11-25 2011-06-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 波長変換粒子、波長変換部材及び発光装置
CN102822313B (zh) * 2010-03-31 2014-11-26 积水化学工业株式会社 表面处理荧光体以及表面处理荧光体的制造方法
DE102010034322A1 (de) 2010-08-14 2012-02-16 Litec-Lp Gmbh Oberflächenmodifizierter Silikatleuchtstoffe

Also Published As

Publication number Publication date
TWI541325B (zh) 2016-07-11
BR112013003416B1 (pt) 2022-01-11
TWI522444B (zh) 2016-02-21
TW201211208A (en) 2012-03-16
KR101752428B1 (ko) 2017-07-05
RU2569167C2 (ru) 2015-11-20
KR20120023496A (ko) 2012-03-13
EP2603937B1 (en) 2016-11-23
TW201211209A (en) 2012-03-16
US20120205674A1 (en) 2012-08-16
WO2012023714A2 (en) 2012-02-23
US20120037850A1 (en) 2012-02-16
DE102010034322A1 (de) 2012-02-16
BR112013003417A2 (pt) 2020-10-27
EP2603937A4 (en) 2014-10-22
BR112013003416A2 (pt) 2020-10-27
CN103068953A (zh) 2013-04-24
RU2013111302A (ru) 2014-09-20
JP2013541828A (ja) 2013-11-14
JP2013536283A (ja) 2013-09-19
US8581286B2 (en) 2013-11-12
EP2603571A4 (en) 2014-10-22
KR101761855B1 (ko) 2017-07-27
US8945421B2 (en) 2015-02-03
BR112013003417B1 (pt) 2021-10-13
EP2603937A2 (en) 2013-06-19
EP2603571A2 (en) 2013-06-19
WO2012023714A3 (en) 2012-05-18
CN103081140A (zh) 2013-05-01
KR20120023495A (ko) 2012-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013111293A (ru) Светоизлучающее устройство, имеющее силикатные люминофоры с модифицированной поверхностью
KR101055769B1 (ko) 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
JP2010500458A5 (ru)
JP5863291B2 (ja) 平面発光モジュール
JP2011501865A5 (ru)
TW200619356A (en) Novel silicate-based yellow-green phosphors
WO2006108013A3 (en) Novel silicate-based yellow-green phosphors
EP1566426A3 (en) Phosphor converted light emitting device
JP5039164B2 (ja) 発光装置
JP2008508734A (ja) 低い色温度を有する光源
JP4825923B2 (ja) 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置
RU2010110543A (ru) Люминофоры на основе нестехиометрических тетрагональных силикатов меди и щелочноземельного металла и способ их получения
TW200639235A (en) Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
EP2031039A3 (en) Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
KR20110042122A (ko) 알파-사이알론 형광체
JP5768024B2 (ja) 蛍光材料およびこれを用いた発光装置
JP2015506396A5 (ru)
WO2014025980A8 (en) Green-emitting (oxy) nitride- based phosphors and light-emitting devices using the same
KR20150083099A (ko) Eu-활성화된 발광단
EP2574653A3 (en) Light emitting module and phosphor
JPWO2017119022A1 (ja) 発光装置
JP6010638B2 (ja) 発光装置
JP4592457B2 (ja) 赤色蛍光体およびこれを用いた発光装置
RU2012102243A (ru) Светоизлучающее устройство, использующее люминесцентные вещества с оксиортосиликатными люминофорами
JP2013091776A (ja) 蛍光材料およびこれを用いた発光装置