RU2008133641A - Способ получения частиц физическим осаждением из паровой фазы в ионной жидкости - Google Patents

Способ получения частиц физическим осаждением из паровой фазы в ионной жидкости Download PDF

Info

Publication number
RU2008133641A
RU2008133641A RU2008133641/02A RU2008133641A RU2008133641A RU 2008133641 A RU2008133641 A RU 2008133641A RU 2008133641/02 A RU2008133641/02 A RU 2008133641/02A RU 2008133641 A RU2008133641 A RU 2008133641A RU 2008133641 A RU2008133641 A RU 2008133641A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ionic liquid
deposition chamber
particles
vacuum
deposition
Prior art date
Application number
RU2008133641/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2404024C2 (ru
Inventor
Джеймс Дж. ФИНЛИ (US)
Джеймс Дж. ФИНЛИ
Original Assignee
Ппг Индастриз Огайо, Инк. (Us)
Ппг Индастриз Огайо, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ппг Индастриз Огайо, Инк. (Us), Ппг Индастриз Огайо, Инк. filed Critical Ппг Индастриз Огайо, Инк. (Us)
Publication of RU2008133641A publication Critical patent/RU2008133641A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2404024C2 publication Critical patent/RU2404024C2/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054—Nanosized particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054—Nanosized particles
    • B22F1/056—Submicron particles having a size above 100 nm up to 300 nm
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • C03C17/09—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3657—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having optical properties
    • C03C17/366—Low-emissivity or solar control coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/001—Coating on a liquid substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48—Ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/219—CrOx, MoOx, WOx
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/25—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/25—Metals
    • C03C2217/251—Al, Cu, Mg or noble metals
    • C03C2217/253—Cu
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/25—Metals
    • C03C2217/251—Al, Cu, Mg or noble metals
    • C03C2217/254—Noble metals
    • C03C2217/256—Ag
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/25—Metals
    • C03C2217/268—Other specific metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
    • C03C2218/156—Deposition methods from the vapour phase by sputtering by magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/34—Masking
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Abstract

1. Способ получения частиц, включающий: ! введение ионной жидкости в камеру осаждения; и ! направление одного или более материалов по направлению к ионной жидкости физическим осаждением из паровой фазы для получения частиц в ионной жидкости. ! 2. Способ по п.1, включающий также вакуумирование камеры осаждения. ! 3. Способ по п.2, в котором камеру осаждения вакуумируют для создания вакуума не более 10 мкм Hg. ! 4. Способ по п.2, в котором камеру осаждения вакуумируют для создания вакуума не более 7 мкм Hg. ! 5. Способ по п.1, в котором частицы имеют диаметр не более 500 нм. ! 6. Способ по п.1, в котором частицы имеют диаметр не более 200 нм. ! 7. Способ по п.1, в котором частицы имеют диаметр в интервале от 1 нм до 200 нм. ! 8. Способ по п.1, в котором ионная жидкость включает, по меньшей мере, один катион, выбранный из моно-, ди- и трехзамещенных имидазолиев; замещенных пиридиниев; замещенных пирролидиниев; тетраалкил фосфониев; тетраалкил аммониев; гуанидиниев; изоурониев; и тиурониев. ! 9. Способ по п.1, в котором ионная жидкость включает, по меньшей мере, один анион, выбранный из хлоридов; бромидов; йодидов; тетрафторборатов; гексафторфосфатов; бис(трифторметилсульфонил)имидов; трис (пентафторэтил)трифторфосфатов (FAPs); трифторметансульфонатов; трифторалетатов; метилсульфатов; октилсульфатов; роданидов; органоборатов; и п-толуолсульфонатов. ! 10. Способ по п.1, в котором ионная жидкость выбрана из 1-бутил-3-метилимидазолия гексафторфосфата ([ВМIМ]РF6), 1-гексил-3-метилимидазолия тетрафторбората ([HMIM]BF4), 1-бутил-3-метилимидазолия тетрафторбората ([BMIM]BF4) и 1-этил-3-метилимидазолия трифторметан сульфонамида ([EMIM] (CF3SO2)2N). ! 11. Способ по п.1, в котором ионная жидкость имеет

Claims (28)

1. Способ получения частиц, включающий:
введение ионной жидкости в камеру осаждения; и
направление одного или более материалов по направлению к ионной жидкости физическим осаждением из паровой фазы для получения частиц в ионной жидкости.
2. Способ по п.1, включающий также вакуумирование камеры осаждения.
3. Способ по п.2, в котором камеру осаждения вакуумируют для создания вакуума не более 10 мкм Hg.
4. Способ по п.2, в котором камеру осаждения вакуумируют для создания вакуума не более 7 мкм Hg.
5. Способ по п.1, в котором частицы имеют диаметр не более 500 нм.
6. Способ по п.1, в котором частицы имеют диаметр не более 200 нм.
7. Способ по п.1, в котором частицы имеют диаметр в интервале от 1 нм до 200 нм.
8. Способ по п.1, в котором ионная жидкость включает, по меньшей мере, один катион, выбранный из моно-, ди- и трехзамещенных имидазолиев; замещенных пиридиниев; замещенных пирролидиниев; тетраалкил фосфониев; тетраалкил аммониев; гуанидиниев; изоурониев; и тиурониев.
9. Способ по п.1, в котором ионная жидкость включает, по меньшей мере, один анион, выбранный из хлоридов; бромидов; йодидов; тетрафторборатов; гексафторфосфатов; бис(трифторметилсульфонил)имидов; трис (пентафторэтил)трифторфосфатов (FAPs); трифторметансульфонатов; трифторалетатов; метилсульфатов; октилсульфатов; роданидов; органоборатов; и п-толуолсульфонатов.
10. Способ по п.1, в котором ионная жидкость выбрана из 1-бутил-3-метилимидазолия гексафторфосфата ([ВМIМ]РF6), 1-гексил-3-метилимидазолия тетрафторбората ([HMIM]BF4), 1-бутил-3-метилимидазолия тетрафторбората ([BMIM]BF4) и 1-этил-3-метилимидазолия трифторметан сульфонамида ([EMIM] (CF3SO2)2N).
11. Способ по п.1, в котором ионная жидкость имеет вязкость не более 1110 сП при температуре 23°С.
12. Способ по п.1, в котором стадия осаждения осуществляется магнетронным распылением или электроннолучевым напылением.
13. Способ по п.12, в котором распыление осуществляют в реакционной атмосфере.
14. Способ по п.12, в котором распыление осуществляют атмосфере вакуума.
15. Способ по п.12, в котором распыление осуществляют в инертной атмосфере.
16. Способ по п.1, в котором ионная жидкость включает смесь двух или более ионных жидкостей.
17. Способ по п.1, включающий адаптацию вязкости ионной жидкости.
18. Способ по п.17, в котором стадию адаптации осуществляют добавлением одного или более полимеров или мономеров к ионной жидкости.
19. Способ по п.1, включающий добавление одного или более мономеров или полимеров к ионной жидкости.
20. Способ по п.19, включающий реакцию мономеров или полимеров с образованием полимерного материала, содержащего частицы.
21. Способ получения наночастиц, включающий:
введение ионной жидкости в камеру осаждения;
вакуумирование камеры осаждения для образования вакуума в камере осаждения не более 7 мкм Hg; и
распыление одного или более катодов в камере осаждения для направления одного или более материалов к ионной жидкости для образования наночастиц в ионной жидкости.
22. Способ покрытия ионной жидкости, включающий:
введение ионной жидкости в камеру осаждения;
вакуумирование камеры осаждения для образования вакуума в камере осаждения не более 7 мкм Hg; и
распыление одного или более катодов в камере осаждения для направления одного или более материалов к ионной жидкости для образования покрывающей пленки на ионной жидкости.
23. Композиция, включающая:
ионную жидкость; и
частицы осажденные в ионной жидкости физическим осаждением из паровой фазы.
24. Композиция по п.23, в которой частицы имеют размер не более 500 нм.
25. Композиция по п.23, включающая один или более мономеров или полимеров.
26. Композиция, включающая частицы, изготовленные по способу п.1.
27. Пленка, изготовленная по способу п.21.
28. Устройство для получения частиц, заявленных в пп.1-21, включающее камеру осаждения; и
сосуд для ионной жидкости, сосуд, скомпонованный для захвата материала, поскольку он осаждается физическим процессом осаждения из паровой фазы в камере осаждения, сосуд, включающий входное и выходное отверстия для переноса ионной жидкости в сосуд и/или извлечения ионной жидкости, содержащей частицы, из реактора.
RU2008133641A 2006-01-17 2007-01-17 Способ получения частиц физическим осаждением из паровой фазы в ионной жидкости RU2404024C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US75945706P 2006-01-17 2006-01-17
US60/759,457 2006-01-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008133641A true RU2008133641A (ru) 2010-02-27
RU2404024C2 RU2404024C2 (ru) 2010-11-20

Family

ID=38288207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008133641A RU2404024C2 (ru) 2006-01-17 2007-01-17 Способ получения частиц физическим осаждением из паровой фазы в ионной жидкости

Country Status (11)

Country Link
US (2) US8354355B2 (ru)
EP (1) EP1993960A2 (ru)
JP (1) JP5155881B2 (ru)
KR (1) KR101037615B1 (ru)
CN (1) CN101384515B (ru)
AU (1) AU2007207534B2 (ru)
BR (1) BRPI0706600A2 (ru)
CA (1) CA2636662C (ru)
IL (1) IL192787A (ru)
RU (1) RU2404024C2 (ru)
WO (1) WO2007084558A2 (ru)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2924359B1 (fr) * 2007-11-30 2010-02-12 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation de depot de nanoparticules metalliques par depot physique en phase vapeur
DE102009055828A1 (de) 2008-12-19 2010-07-01 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung metallbeschichteter Partikel
CN101434824A (zh) * 2008-12-25 2009-05-20 中国科学院长春应用化学研究所 一种具有热稳定性的离子液体红外吸收材料及制法
US9007674B2 (en) 2011-09-30 2015-04-14 View, Inc. Defect-mitigation layers in electrochromic devices
KR101479788B1 (ko) * 2009-04-08 2015-01-06 인스콘테크(주) 이온성 액체를 이용한 금속 나노구조체의 제조방법
JP5799362B2 (ja) * 2009-11-11 2015-10-21 国立大学法人名古屋大学 中空ナノ粒子の製法
US8784663B2 (en) * 2009-11-20 2014-07-22 Nokia Corporation Trapping nanostructures
JP5765727B2 (ja) * 2010-11-30 2015-08-19 国立大学法人名古屋大学 ナノ粒子の製造方法及びナノ粒子分散液
JP2012190856A (ja) * 2011-03-08 2012-10-04 Mitsubishi Materials Corp 太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜
JP5760284B2 (ja) * 2011-05-31 2015-08-05 住友化学株式会社 ガスバリア性フィルムの製造装置及びガスバリア性フィルム
TWI525184B (zh) 2011-12-16 2016-03-11 拜歐菲樂Ｉｐ有限責任公司 低溫注射組成物，用於低溫調節導管中流量之系統及方法
US9302452B2 (en) 2012-03-02 2016-04-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Transparent laminates comprising inkjet printed conductive lines and methods of forming the same
CN102554244B (zh) * 2012-03-12 2014-04-09 苏州大学 金属纳米颗粒与碳材料复合物的自组装可控制备方法
CN103668104B (zh) * 2012-09-24 2016-05-25 中国科学院大连化学物理研究所 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法
CN103102075B (zh) * 2013-01-21 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种采用玻璃料进行密封的方法、装置及玻璃料
RU2523469C1 (ru) * 2013-01-23 2014-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет" Способ экстракции цинка из донных осадков ионной жидкостью
KR20160041006A (ko) * 2014-10-04 2016-04-15 한국생산기술연구원 이온성 액체를 이용한 방착방법 및 액체방착설비를 구비한 진공증착장치
CN104393194A (zh) 2014-12-10 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性电极、其制作方法、电子皮肤及柔性显示装置
US9986669B2 (en) * 2015-11-25 2018-05-29 Ppg Industries Ohio, Inc. Transparency including conductive mesh including a closed shape having at least one curved side
CN105445237B (zh) * 2015-12-31 2018-01-05 哈尔滨工业大学 一种外加电场条件下测量液体吸收系数的方法
CN106243813B (zh) * 2016-08-01 2019-05-07 苏州康力丰纳米科技有限公司 一种纳米颗粒抗菌材料加工的方法
RU2650820C1 (ru) * 2016-12-29 2018-04-17 Тимур Эмильевич Габяш Способ получения органозоля
US11045833B2 (en) 2017-02-03 2021-06-29 Massachusetts Institute Of Technology Task specific ionic liquid-impregnated polymeric surface coatings for antibacterial, antifouling, and metal scavenging activity
CN107297507B (zh) * 2017-06-27 2019-09-10 浙江大学 一种亚微米-纳米金属锂颗粒的制备方法
KR102035761B1 (ko) 2017-11-01 2019-10-23 한국과학기술연구원 물리적 기상 증착법을 이용한 탄소-담지 금속산화물 및/또는 합금 나노입자 촉매의 제조방법
CN107866560B (zh) * 2017-12-04 2019-05-31 浙江工业大学 一种分支网状金纳米材料的制备方法
CN109164072A (zh) * 2018-08-07 2019-01-08 北京化工大学 新型溶解性可调的荧光硅量子点、合成及检测汞离子的应用
US11745702B2 (en) 2018-12-11 2023-09-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Coating including electrically conductive lines directly on electrically conductive layer
CN110129109B (zh) * 2019-06-17 2020-10-16 中国科学院兰州化学物理研究所 一种过渡金属硫化物纳米粒子的制备方法及其应用
CN110646996A (zh) * 2019-09-29 2020-01-03 东华大学 一种紫外固化紫精基电致变色器件及其制备方法
CN113295726A (zh) * 2021-04-20 2021-08-24 华东师范大学 一种基于xps技术表征室温离子液体的方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4898790A (en) * 1986-12-29 1990-02-06 Ppg Industries, Inc. Low emissivity film for high temperature processing
US4898789A (en) 1988-04-04 1990-02-06 Ppg Industries, Inc. Low emissivity film for automotive heat load reduction
US6444256B1 (en) 1999-11-17 2002-09-03 The Regents Of The University Of California Formation of nanometer-size wires using infiltration into latent nuclear tracks
US6768119B2 (en) * 2000-04-06 2004-07-27 De La Mora Juan F. Method and apparatus to produce ions and nanodrops from Taylor cones at reduced pressure
JP2003245540A (ja) * 2002-02-25 2003-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd 超微粒子の作製方法
JP2003245450A (ja) * 2002-02-25 2003-09-02 Sanyo Product Co Ltd 遊技機
JP2005035916A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Nisshinbo Ind Inc ハロゲン置換芳香族化合物の製造方法およびハロゲン化反応用溶媒
JP2005048260A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Canon Inc 反応性スパッタリング方法
US7232556B2 (en) 2003-09-26 2007-06-19 Nanoproducts Corporation Titanium comprising nanoparticles and related nanotechnology
JP2005147394A (ja) * 2003-10-23 2005-06-09 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 動圧軸受装置、及び、ディスク駆動装置
CN1260743C (zh) * 2004-01-07 2006-06-21 中山大学 一种制备n－酰基肌氨酸改性水基磁性液体的方法
CN1559663A (zh) * 2004-02-27 2005-01-05 中国科学院上海硅酸盐研究所 纳米微粉的微波辅助离子液体制备方法
US20050248825A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Rockwell Scientific Licensing, Llc Reversible electrodeposition optical modulation device with conducting polymer counter electrode
TWI388640B (zh) * 2004-06-01 2013-03-11 Nitto Denko Corp 壓敏黏合劑組成物、壓敏黏合片及表面保護膜
JP5233279B2 (ja) * 2005-06-10 2013-07-10 株式会社ブリヂストン 超微粒子又は超微粒子集合体の製造方法
JP5232988B2 (ja) * 2006-02-27 2013-07-10 国立大学法人名古屋大学 ナノ粒子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
RU2404024C2 (ru) 2010-11-20
KR101037615B1 (ko) 2011-05-30
WO2007084558A2 (en) 2007-07-26
KR20080086541A (ko) 2008-09-25
WO2007084558A3 (en) 2007-12-21
IL192787A0 (en) 2009-08-03
US8618013B2 (en) 2013-12-31
JP2009525396A (ja) 2009-07-09
JP5155881B2 (ja) 2013-03-06
AU2007207534B2 (en) 2011-01-27
US8354355B2 (en) 2013-01-15
IL192787A (en) 2014-08-31
CN101384515A (zh) 2009-03-11
US20130130045A1 (en) 2013-05-23
CN101384515B (zh) 2012-06-27
EP1993960A2 (en) 2008-11-26
BRPI0706600A2 (pt) 2011-03-29
AU2007207534A1 (en) 2007-07-26
US20100267549A1 (en) 2010-10-21
CA2636662C (en) 2011-08-16
CA2636662A1 (en) 2007-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008133641A (ru) Способ получения частиц физическим осаждением из паровой фазы в ионной жидкости
US20080210633A1 (en) Fluid storage and purification method
US20090320771A1 (en) Ionic liquid mediums for holding solid phase process gas precursors
DE69719507T2 (de) Verfahren zur anwendung eines nicht verdampfbaren getters
Benedikt et al. Mass spectrometry of positive ions and neutral species in the effluent of an atmospheric pressure plasma with hexamethyldisiloxane and oxygen
von Brisinski et al. Plasma electrochemistry in ionic liquids: From silver to silicon nanoparticles
CN104593723A (zh) 一种提高热蒸发制备AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段时效性的方法
Kwon et al. Recent progress of eco-friendly manufacturing process of efficient perovskite solar cells
Li et al. Mass-selected ion beam study on etching characteristics of ZnO by methane-based plasma
CN110156556A (zh) 一种涂装废溶剂收回工艺
WO2006110450A9 (en) Fluid storage and purification method and system
JP2019065007A (ja) 有機材料精製組成物及びそれを利用した有機材料の精製方法
CA2879490C (en) Membranes, azeotropic & catalytic components
Steele et al. On the use of SIFT‐MS and PTR‐MS experiments to explore reaction mechanisms in plasmas of volatile organics: siloxanes
CN112574773A (zh) 一种用于分离芳烃的低共熔溶剂及用于分离芳烃的应用及方法
Boryak et al. Study of water–cryoprotector mixtures by low temperature fast‐atom bombardment mass spectrometry
CN103130273B (zh) 一种真空挥发制备砷化锌的方法
JP4506953B2 (ja) 共重合高分子膜およびその作製方法
DE2325727A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum evakuieren geschlossener systeme
CN107108255A (zh) 含有第iia族元素的氧化锌薄膜制备用组合物及其制备方法
Ding et al. Small-mass graphite preparation for AMS 14C measurements performed at GIGCAS, China
US11946139B2 (en) Atomic layer deposition of lithium boron comprising nanocomposite solid electrolytes
CN106966938A (zh) 高纯二乙基碲的制备方法
Mikheev et al. Analyzing the contents of residual and plasma-supporting gases inside a vacuum deposition unit chamber
Rudd et al. Degradation and gelation during plasma synthesis of nanoparticles in ionic liquids

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140118