JP2009525396A - 物理的蒸着によるイオン性液体中の粒子の生成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2006年1月17日出願の米国仮特許出願第60/759,457号に対して優先権を主張し、この仮特許出願の全体を本明細書中で参考として援用する。
本発明は、粒子の形成に一般的に関し、1つの特定の非限定的な実施形態において、イオン性液体中にナノ粒子を形成することに関する。
ナノ粒子は、その寸法がナノメートル(nm)で測定される微細粒子である。ナノ粒子が、電子のエネルギー準位の量子化が起こる程に十分に小さい(典型的に10nm未満)場合、半導体材料でできているナノ粒子を量子ドットと呼ぶ場合もある。
粒子を製造するための方法が提供される。該方法は、イオン性液体を蒸着室中へ導入する工程、および物理的蒸着により1種類または複数の材料を該イオン性液体に誘導し、該イオン性液体中に粒子を提供する工程を包含する。
本明細書中で使用される場合、「左」、「右」、「内部」、「外部」、「上」、「下」などの空間的または方向的な用語は、図面において示されるように本発明に関係する。しかしながら、本発明は様々な代替の方向性を想定し得ることが理解されるべきであり、したがって、そのような用語が限定としては考慮されるべきでない。更に、本明細書中で使用される場合、明細書および特許請求の範囲において使用される、寸法、物理的特徴、処理パラメータ、成分の量、反応条件などを表現する全ての数字は、用語「約」によって、全ての例において修飾されるように理解されるべきである。したがって、反対に示されない場合、以下の明細書および特許請求の範囲において記載される数値は、本発明によって得られることが求められる所望の特性に依存して変更できる。少なくとも、特許請求の範囲の権利範囲に対する均等論の適用を制限することを企図しておらず、各々の数値は、報告される有効数字の数を考慮して、通常の概数技法を適用することによって、少なくとも構成されるべきである。更に、本明細書において開示される全ての範囲は、範囲の最初および最後の値ならびにそこに含まれる任意および全ての部分範囲を包含するよう理解されるべきである。例えば、「1〜10」と言及される範囲は、最小値1と最大値10と(最小値1と最大値10とを含む)の間の任意および全ての部分範囲;即ち、最小値1以上で始まり最大値10以下で終わる全ての部分範囲、例えば、1〜3.3、4.7〜7.5、5.5〜10などを含むように考えられるべきである。更に、本明細書中で使用される場合、用語「の上に形成される」、「の上に蒸着される」、または「の上に提供される」は、上に形成、蒸着、または提供されることを意味するが、必ずしも表面と接触している必要はない。例えば、基材「の上に形成される」コーティング層は、その形成されたコーティング層と基材との間に配置される、同一または異なる組成物の他のコーティング層またはフィルムが1つまたは複数存在することを除外しない。本明細書中で使用される場合、用語「重合体」または「重合体の」は、オリゴマー、単独重合体、共重合体、およびターポリマー、例えば、2種以上の単量体または重合体から形成される重合体、を含む。さらに、本明細書において引用される発行された特許および特許出願などの、しかし限定されない全ての文書、ならびに全てのウェブサイトは、それらの全体が「参考として援用される」と考えられる。
この実施例は、銅ナノ粒子の形成を例示する。銅ターゲットより、1.5kWの一定出力、508ボルトの電圧、および2.95アンペアの電流で、アルゴンガス雰囲気中、4ミクロンHgの圧力で、銅を蒸着した。基材は、20回、ターゲットの下を通過させた。蒸着後、試料をチャンバーより取除いた。予想通り、イオン性液体(上述の[BMIM]PF6)を囲んでいるガラス表面の領域は、銅フィルムで覆われていた。しかしながら、赤褐色に見えた透過色を除いてILは不変に見えたが、約4分後に緑がかった成分が現れてきた。少なくとも4分間、真空下で塗工機内に銅含有ILが残存した場合は取除き、ILは緑がかった色合いのない赤褐色であった。しかしながら、その色合いは、前述の通り約4分後には現れた。塗工機から取除く際に試料がガラス板で覆われている場合、溶液は赤褐色のままで緑がかった色合いは現れなかった。これは、大気中の酸素および水蒸気のために幾つかの銅粒子が酸化銅または水酸化銅をIL中に形成している場合があること、ならびに/あるいは幾つかの粒子が凝集していることを示す。
この実施例は、銀ナノ粒子の形成を例示する。銅のための実施例1中で記載された方法と同様にして、銀を蒸着した。3.0kWの一定出力、599ボルトの電圧、および5.0アンペアで、アルゴンガス雰囲気中、4ミクロンHgの圧力で、銀を蒸着した。基材は、10回、銀ターゲットの下を通過させた。アセトン中で濯ぐことにより、銀含有ILをガラス基材より回収皿中に除去した。フィルムとILを載せていた非コーティング領域との境界において測定すると、銀フィルム厚は463nmであった。これは、スパッタされた銀フィルムのXRF測定より導出される密度より計算される通り、平方cm当たり約470μgの銀と等しい。粒子の除去は、アセトンを数回加えて皿の中の銀含有ILを希釈し、それぞれの希釈後に濾紙によってアセトンおよびILを除去して行った。次いで、凝集した銀ナノ粒子のフィルムが残るまで、アセトンを蒸発させた。次いで、FESEMおよびEDX分析のため、フィルムをスコッチ商標のテープに移送した。凝集していない粒子が懸濁液中に残っており、アセトンを除去する際に除去した。凝集していない粒子の存在を、銅のために使用した方法と同様に分光光度測定により確かめた。FESEM像は、10nm未満から約100nmまでの寸法の範囲の粒子より形成された凝集された銀を示した(図5および6参照)。元素の銀の粒子の存在を、EDX分析により確認した。スコッチ商標のテープ上の抽出された銀の試料を、サーモエレクトロン社ThetaProbe(サーモ エレクトロン社、ウェストサセックス州、英国)を使用してXPS(X線光電子分光法)により更に分析し、いずれの銀がILと反応したかを検出した。予想通り、試料の表面は、炭素、酸素およびフッ素の汚染を示した。アルゴンイオンボンバードメント(スパッタリング)を使用して2kVの加速電圧で表面の汚染を除去後は、銀のみが残った。これは、銀金属の3d5/2の光電子の存在より確認した。図7は、テープ上に載せられた銀に対するXPS強度を示す。60秒のスパッタリング後、フッ素の1sの信号が消失し、銀の3dの信号が増加しており、銀粒子のみが存在しておりイオン性液体と反応していないことを示す。酸素の信号は、テープによるものである。
この実施例は、酸化タングステンナノ粒子の形成を例示する。上記の方法で、酸化タングステンを蒸着した。50%のO2および50%のArの反応性ガス雰囲気流中、4ミクロンHgの圧力で、タングステンターゲットを蒸着した。3.0kWの一定出力、486ボルトの電圧、および6.24アンペアの電流で、ターゲットを作動した。基材は、10回、ターゲットの下を通過させた。アセトン中で濯ぐことで、酸化タングステン含有ILをガラス基材から回収皿へ除去した。酸化タングステンは、117nm厚であった(上記のようにして決定された)。酸化タングステン含有ILは、透過して見ると黄色の外観であった。この着色は、IL中に酸化タングステンが存在しているか、またはILとプラズマの反応によると考えられる。粒子の除去は、最初に酸化タングステン含有ILを皿の中でアセトンによって希釈し、アセトンおよびILを濾紙により除去することで行った。しかしながら、凝集の目に見える証拠はなく、アセトン希釈ILを除去する試みは、いずれも液体およびWO3の両者を吸収する結果となることが見出された。結果として、アセトンを蒸発させた。次いで、残っているIL溶液を50%イソプロパノール−50%脱イオン水混合物と混合し、酸化タングステン含有溶液の小さい液滴(1mm未満の直径)が形成される結果となった。その液滴をシリコン基材に移し、SPI社Plasma−Prep IIプラズマ灰化機中で処理してある程度のILを除去し、FESEM、EDXおよびXPSを使用して分析した。XPSにより、液滴がWO3を含むことを検証した。XPSチャート(図9参照)は、シリコン基材上の試料について、4F7/2および4F5/2ピークの間で2.2eV隔てて35.8eVに酸化タングステンのピークを示している。(XPSのピーク位置に関する材料のデータベースについては、http://srdata.nist.gov/xps/index.htmを参照)。FESEM像(図10および11参照)には、酸化タングステンの個々の粒子を示した。その像は、約120nm以下、例えば50nm以下、または10nm以下の最大寸法を有する粒子を示す。粒子は、はっきりした球のように見えた。EDX(図12参照)により、タングステン元素の存在を確認する。
この実施例は、ILの粘度を増加させると蒸着される材料の特性が変化することを例示する。
この実施例は、IL中にナノ粒子触媒を生成するための方法を例示する。
上で議論した材料に加え、Ti、TiO2、Zn2SnO4、Si−10重量%酸化アルミニウム、亜鉛−10重量%酸化スズ、および酸化銀を、IL([BMIM]PF6)上にマグネトロンスパッタ蒸着した。多層コーティングも、IL上に蒸着した。コーティングは、一連のマグネトロンスパッタリングにより蒸着された以下の層を含んでいた:Zn2SnO4/Zn−10重量%Sn/Ag/Ti/Zn2SnO4/Zn−10重量%Sn/Ag/Ti/Zn2SnO4。1−エチル−3−メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホンアミド([EMIM](CF3SO2)2N)、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート([BMIM]BF4)、および1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート([HMIM]BF4)からなる追加のIL上に、本明細書において記載したようにマグネトロンスパッタリングにより、銅および銀を蒸着した。図16に示すように、本明細書において記載したように測定したこれらの銀含有液体の分光光度測定は、[BMIM]PF6に対する測定と併せて、約410nmに強い吸収ピークを示したが、IL溶液中の銀ナノ粒子に対する表面プラズモン共鳴(SPR)吸収に起因している。図14から認められるように、該粒子は、50nm以下など、10nm以下などの200nmよりはるかに小さいナノ粒子の凝集を示すテクスチャを示している。
本明細書において記載された方法により生成されたナノ粒子含有IL電解質からの、ナノ粒子含有重合体の電気化学的析出の一例として、EDOT(3,4−エチレンジオキシチオフェン)単量体溶液より、銀ナノ粒子含有[BMIM]PF6電解質溶液中で、導電性高分子PEDOT(ポリ3,4−エチレンジオキシチオフェン)を電気化学的析出により成長させた。フィルムを、TEMグリッド上に直接成長させた。TEM測定は、導電性高分子マトリックス中にAgナノ粒子が存在することを示した。
これらの実験で基材は移動していたため、FESEM像中で例示されるように、IL中に広い粒子径分布が集積された。蒸着された材料の形態、特に粒子の寸法および形状は、ターゲットに印加される電力、または基材の速度(静止した基材上の蒸着を含む)および基材−ターゲットの間隔、ガスおよび真空室の圧力などの蒸着パラメータによって決定される。供給源と基材との間の角度は、基材が動いている場合は考慮されないが、粒子の寸法および形状を強く決定する。供給源から直接的な線上に静止した基材を選び、低角入射粒子を遮蔽することで、より均一な粒子分布が得られよう。または、供給源から基材上に粒子を回収することは、供給源からの距離および/または角度の関数として、粒子径が分布する結果となる。さらに、粒子の体積は圧力に比例し、よって真空系および粒子の両方に適合する液体を有する重要性が説明されることが示された。粘度、温度、厚さ、化学的組成などのILの特性が、粒子の特性に影響する。特に、スパッタリングは、寸法を正確に制御できる原子蒸着プロセスである。合金ターゲットまたは共スパッタターゲット、およびガス組成物は、改変または混合でき、アルゴン−酸素−窒素ガス混合物からのオキシ窒化物などの材料を蒸着する。しかしながら、熱蒸着もしくは電子ビーム蒸着、または陰極アーク蒸着などの他の方法を制御でき、ナノ粒子から数百マイクロメートルの寸法の広い範囲にわたり高い蒸着速度で粒子を生成する。上の議論より認められる通り、粒子の凝集を防ぐ界面活性剤をILは含む必要がない。
ナノ粒子を含むILを他の材料と混合することにより、得られる混合物中で追加の特徴を付与することができる。一般に、ILを使用する幾つかの型の重合が当技術分野において記載されており、単独重合、統計的共重合、ブロック共重合および重合体−イオン性液体複合物が挙げられる。これらの型の重合は本発明の方法で作製されたナノ粒子を含むILを使用して行うことができ、当技術分野において記載されるような多数の処理工程を避けられる。
IL中に蒸着するための装置は、ILのための貯留体として働くことができる容器からなる。容器は、物理的蒸着プロセスにより材料が蒸着されている際には、材料を捕捉する位置にある。容器は、容器中にILを移送するおよび/または容器から粒子を含むILを取出すための入口および出口を備えることができる。容器は、ILを冷却または加熱する任意の従来の装置を備えることができる。出入口によって、制御された環境、例えば、真空または不活性雰囲気中での取出しが可能となる。その取出しによって、更なるプロセスのための液体の移送が可能となる。
Claims (28)
- イオン性液体を蒸着室中へ導入する工程、および
物理的蒸着により1種または複数の材料を該イオン性液体に誘導し、該イオン性液体中に粒子を提供する工程、
を含む、粒子を製造するための方法。 - 前記蒸着室を排気する工程を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記蒸着室を排気し、10ミクロンHg以下の真空を提供する、請求項2に記載の方法。
- 前記蒸着室を排気し、7ミクロンHg以下の真空を提供する、請求項2に記載の方法。
- 前記粒子が、500nm以下の直径を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記粒子が、200nm以下の直径を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記粒子が、1nm〜200nmの範囲内の直径を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記イオン性液体が、一置換、二置換、および三置換されたイミダゾリウム;置換されたピリジニウム;置換されたピロリジニウム;テトラアルキルホスホニウム;テトラアルキルアンモニウム;グアニジニウム;イソウロニウム;およびチオウロニウムより選択される少なくとも1種類のカチオンを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記イオン性液体が、クロリド;ブロミド;ヨード;テトラフルオロボレート;ヘキサフルオロホスフェート;ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド;トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート(FAP);トリフルオロメタンスルホネート;トリフルオロアセテート;メチルスルフェート;オクチルスルフェート;チオシアネート;有機ボレート;およびp−トルエンスルホネートより選択される少なくとも1種類のアニオンを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記イオン性液体が、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスフェート([BMIM]PF6)、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート([HMIM]BF4)、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート([BMIM]BF4)、および1−エチル−3−メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホンアミド([EMIM](CF3SO2)2N)より選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記イオン性液体が、23℃の温度において1110cP以下の粘度を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記蒸着工程が、マグネトロンスパッタリングまたは電子ビーム蒸着により行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記スパッタリングが、反応性雰囲気中で行われる、請求項12に記載の方法。
- 前記スパッタリングが、真空雰囲気中で行われる、請求項12に記載の方法。
- 前記スパッタリングが、不活性雰囲気中で行われる、請求項12に記載の方法。
- 前記イオン性液体が、2種類以上のイオン性液体の混合物を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記イオン性液体の粘度を調節する工程を包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記調節工程が、1種類または複数の重合体または単量体を前記イオン性液体に添加することで行われる、請求項17に記載の方法。
- 1種類または複数の単量体または重合体を前記イオン性液体に添加する工程を包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記単量体または重合体を反応させて、前記粒子を含む高分子材料を形成する工程を包含する、請求項19に記載の方法。
- イオン性液体を蒸着室中へ導入する工程、
該蒸着室を排気し、該蒸着室中に7ミクロンHg以下の真空を形成する工程、および
該蒸着室中の1つまたは複数のカソードをスパッタリングし、1種類または複数の材料を該イオン性液体に誘導し、該イオン性液体中にナノ粒子を提供する工程、
を含むナノ粒子を製造するための方法。 - イオン性液体を蒸着室中へ導入する工程;
該蒸着室を排気し、該蒸着室中に7ミクロンHg以下の真空を形成する工程;および
該蒸着室中の1つまたは複数のカソードをスパッタリングし、1種類または複数の材料を該イオン性液体に誘導し、該イオン性液体上にコーティングフィルムを形成する工程、
を含むイオン性液体をコーティングするための方法。 - イオン性液体、および
物理的蒸着により該イオン性液体中に蒸着された粒子
を含む組成物。 - 前記粒子が、500nm以下の寸法を有する、請求項23に記載の組成物。
- 1種類または複数の単量体または重合体を含む、請求項23に記載の組成物。
- 請求項1に記載の方法により作製される粒子を含む、組成物。
- 請求項21に記載の方法により作製される、フィルム。
- 蒸着室、および
イオン性液体用の容器
を備える粒子を作製するための装置であって、
該容器が、蒸着室中において物理的蒸着プロセスにより材料を蒸着するときにその材料を捕捉するように構成されており、該容器中にイオン性液体を移送する、および/または該容器から粒子含有イオン性液体を取出すための入口および出口を備える、装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011058976A1 (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-19 | 国立大学法人名古屋大学 | 中空ナノ粒子の製法、中空ナノ粒子及びその分散液 |
JP2012117097A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Nagoya Univ | ナノ粒子の製造方法及びナノ粒子分散液 |
JP2012190856A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜 |
JP2012246467A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機薄膜の製造方法、積層体及び基板 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2924359B1 (fr) * | 2007-11-30 | 2010-02-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation de depot de nanoparticules metalliques par depot physique en phase vapeur |
DE102009055828A1 (de) | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur Herstellung metallbeschichteter Partikel |
CN101434824A (zh) * | 2008-12-25 | 2009-05-20 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种具有热稳定性的离子液体红外吸收材料及制法 |
US9007674B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-04-14 | View, Inc. | Defect-mitigation layers in electrochromic devices |
KR101479788B1 (ko) * | 2009-04-08 | 2015-01-06 | 인스콘테크(주) | 이온성 액체를 이용한 금속 나노구조체의 제조방법 |
US8784663B2 (en) * | 2009-11-20 | 2014-07-22 | Nokia Corporation | Trapping nanostructures |
TWI525184B (zh) | 2011-12-16 | 2016-03-11 | 拜歐菲樂Ip有限責任公司 | 低溫注射組成物,用於低溫調節導管中流量之系統及方法 |
US9302452B2 (en) | 2012-03-02 | 2016-04-05 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Transparent laminates comprising inkjet printed conductive lines and methods of forming the same |
CN102554244B (zh) * | 2012-03-12 | 2014-04-09 | 苏州大学 | 金属纳米颗粒与碳材料复合物的自组装可控制备方法 |
CN103668104B (zh) * | 2012-09-24 | 2016-05-25 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法 |
CN103102075B (zh) * | 2013-01-21 | 2015-05-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种采用玻璃料进行密封的方法、装置及玻璃料 |
RU2523469C1 (ru) * | 2013-01-23 | 2014-07-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет" | Способ экстракции цинка из донных осадков ионной жидкостью |
KR20160041006A (ko) * | 2014-10-04 | 2016-04-15 | 한국생산기술연구원 | 이온성 액체를 이용한 방착방법 및 액체방착설비를 구비한 진공증착장치 |
CN104393194A (zh) | 2014-12-10 | 2015-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性电极、其制作方法、电子皮肤及柔性显示装置 |
US9986669B2 (en) * | 2015-11-25 | 2018-05-29 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Transparency including conductive mesh including a closed shape having at least one curved side |
CN105445237B (zh) * | 2015-12-31 | 2018-01-05 | 哈尔滨工业大学 | 一种外加电场条件下测量液体吸收系数的方法 |
CN106243813B (zh) * | 2016-08-01 | 2019-05-07 | 苏州康力丰纳米科技有限公司 | 一种纳米颗粒抗菌材料加工的方法 |
RU2650820C1 (ru) * | 2016-12-29 | 2018-04-17 | Тимур Эмильевич Габяш | Способ получения органозоля |
US11045833B2 (en) | 2017-02-03 | 2021-06-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Task specific ionic liquid-impregnated polymeric surface coatings for antibacterial, antifouling, and metal scavenging activity |
CN107297507B (zh) * | 2017-06-27 | 2019-09-10 | 浙江大学 | 一种亚微米-纳米金属锂颗粒的制备方法 |
KR102035761B1 (ko) | 2017-11-01 | 2019-10-23 | 한국과학기술연구원 | 물리적 기상 증착법을 이용한 탄소-담지 금속산화물 및/또는 합금 나노입자 촉매의 제조방법 |
CN107866560B (zh) * | 2017-12-04 | 2019-05-31 | 浙江工业大学 | 一种分支网状金纳米材料的制备方法 |
CN109164072A (zh) * | 2018-08-07 | 2019-01-08 | 北京化工大学 | 新型溶解性可调的荧光硅量子点、合成及检测汞离子的应用 |
US11745702B2 (en) | 2018-12-11 | 2023-09-05 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Coating including electrically conductive lines directly on electrically conductive layer |
CN110129109B (zh) * | 2019-06-17 | 2020-10-16 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 一种过渡金属硫化物纳米粒子的制备方法及其应用 |
CN110646996A (zh) * | 2019-09-29 | 2020-01-03 | 东华大学 | 一种紫外固化紫精基电致变色器件及其制备方法 |
CN113295726A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-08-24 | 华东师范大学 | 一种基于xps技术表征室温离子液体的方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003245540A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 超微粒子の作製方法 |
JP2005035916A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Nisshinbo Ind Inc | ハロゲン置換芳香族化合物の製造方法およびハロゲン化反応用溶媒 |
JP2005048260A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Canon Inc | 反応性スパッタリング方法 |
JP2005147394A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-06-09 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 動圧軸受装置、及び、ディスク駆動装置 |
US20050266238A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-01 | Tatsumi Amano | Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive sheet and surface protecting film |
WO2006132308A1 (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Bridgestone Corporation | 超微粒子又は超微粒子集合体の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4898790A (en) * | 1986-12-29 | 1990-02-06 | Ppg Industries, Inc. | Low emissivity film for high temperature processing |
US4898789A (en) | 1988-04-04 | 1990-02-06 | Ppg Industries, Inc. | Low emissivity film for automotive heat load reduction |
US6444256B1 (en) | 1999-11-17 | 2002-09-03 | The Regents Of The University Of California | Formation of nanometer-size wires using infiltration into latent nuclear tracks |
US6768119B2 (en) * | 2000-04-06 | 2004-07-27 | De La Mora Juan F. | Method and apparatus to produce ions and nanodrops from Taylor cones at reduced pressure |
JP2003245450A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-02 | Sanyo Product Co Ltd | 遊技機 |
US7232556B2 (en) | 2003-09-26 | 2007-06-19 | Nanoproducts Corporation | Titanium comprising nanoparticles and related nanotechnology |
CN1260743C (zh) * | 2004-01-07 | 2006-06-21 | 中山大学 | 一种制备n-酰基肌氨酸改性水基磁性液体的方法 |
CN1559663A (zh) * | 2004-02-27 | 2005-01-05 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 纳米微粉的微波辅助离子液体制备方法 |
US20050248825A1 (en) * | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Rockwell Scientific Licensing, Llc | Reversible electrodeposition optical modulation device with conducting polymer counter electrode |
JP5232988B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2013-07-10 | 国立大学法人名古屋大学 | ナノ粒子の製造方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003245540A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 超微粒子の作製方法 |
JP2005035916A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Nisshinbo Ind Inc | ハロゲン置換芳香族化合物の製造方法およびハロゲン化反応用溶媒 |
JP2005048260A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Canon Inc | 反応性スパッタリング方法 |
JP2005147394A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-06-09 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 動圧軸受装置、及び、ディスク駆動装置 |
US20050266238A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-01 | Tatsumi Amano | Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive sheet and surface protecting film |
WO2006132308A1 (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Bridgestone Corporation | 超微粒子又は超微粒子集合体の製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011058976A1 (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-19 | 国立大学法人名古屋大学 | 中空ナノ粒子の製法、中空ナノ粒子及びその分散液 |
US8999225B2 (en) | 2009-11-11 | 2015-04-07 | National University Corporation Nagoya University | Method for producing hollow nanoparticle comprising deposition on/in an ionic liquid, hollow nanoparticle, and dispersion liquid thereof |
JP5799362B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2015-10-21 | 国立大学法人名古屋大学 | 中空ナノ粒子の製法 |
JP2012117097A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Nagoya Univ | ナノ粒子の製造方法及びナノ粒子分散液 |
JP2012190856A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜 |
JP2012246467A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機薄膜の製造方法、積層体及び基板 |
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