JP2012246467A - 有機薄膜の製造方法、積層体及び基板 - Google Patents
有機薄膜の製造方法、積層体及び基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012246467A JP2012246467A JP2011121854A JP2011121854A JP2012246467A JP 2012246467 A JP2012246467 A JP 2012246467A JP 2011121854 A JP2011121854 A JP 2011121854A JP 2011121854 A JP2011121854 A JP 2011121854A JP 2012246467 A JP2012246467 A JP 2012246467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film layer
- organic thin
- inorganic thin
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 198
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 24
- -1 laminated body Substances 0.000 title description 25
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 18
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 10
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O Imidazolium Chemical compound C1=C[NH+]=CN1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 claims description 5
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims description 5
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 181
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 26
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 19
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009512 pharmaceutical packaging Methods 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(CC)C(CC)=CC=C3SC2=C1 GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLKIVXXYTZKNMI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-dodecylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 MLKIVXXYTZKNMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- URSAGXOMYPJSFX-UHFFFAOYSA-N 10-[8-(9h-acridin-10-yl)octyl]-9h-acridine Chemical compound C12=CC=CC=C2CC2=CC=CC=C2N1CCCCCCCCN1C2=CC=CC=C2CC2=CC=CC=C21 URSAGXOMYPJSFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZHUBCULTHIFNO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dihydroxy-1,5-bis[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2,4-dimethylpentan-3-one Chemical compound C=1C=C(OCCO)C=CC=1CC(C)(O)C(=O)C(O)(C)CC1=CC=C(OCCO)C=C1 LZHUBCULTHIFNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJKGAPPUXSSCFI-UHFFFAOYSA-N 2-Hydroxy-4'-(2-hydroxyethoxy)-2-methylpropiophenone Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=C(OCCO)C=C1 GJKGAPPUXSSCFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPXVRLXJHPTCPW-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-(4-propan-2-ylphenyl)propan-1-one Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 QPXVRLXJHPTCPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004864 4-thiomethylphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910016467 AlCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910017008 AsF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEXPATUULZFWTK-UHFFFAOYSA-N CC1=C(C(=O)P(OCC(C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)=O)C(=CC(=C1)C)C Chemical compound CC1=C(C(=O)P(OCC(C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)=O)C(=CC(=C1)C)C XEXPATUULZFWTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910018286 SbF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 125000003670 adamantan-2-yl group Chemical group [H]C1([H])C(C2([H])[H])([H])C([H])([H])C3([H])C([*])([H])C1([H])C([H])([H])C2([H])C3([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000005708 carbonyloxy group Chemical group [*:2]OC([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910001872 inorganic gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005740 oxycarbonyl group Chemical group [*:1]OC([*:2])=O 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- UFUASNAHBMBJIX-UHFFFAOYSA-N propan-1-one Chemical compound CC[C]=O UFUASNAHBMBJIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRIOVPPHQSLHCZ-UHFFFAOYSA-N propiophenone Chemical class CCC(=O)C1=CC=CC=C1 KRIOVPPHQSLHCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
【解決手段】真空中でイオン液体モノマーを重合させて成膜することを特徴とする有機薄膜の製造方法;かかる製造方法で得られた有機薄膜層13と、無機薄膜層(第一の無機薄膜層12及び第二の無機薄膜層14)とが積層されたことを特徴とする積層体1。
【選択図】図1
Description
このようなハイバリア性を有するガスバリア性フィルムとして従来は、例えば、真空環境下で、有機薄膜層と無機薄膜層が積層された積層体が開示されている(特許文献1参照)。
本発明は、真空中でイオン液体モノマーを重合させて成膜することを特徴とする有機薄膜の製造方法を提供する。
本発明の有機薄膜の製造方法においては、前記重合がラジカル重合であることが好ましい。
本発明の有機薄膜の製造方法においては、前記イオン液体モノマーがイミダゾリウム系カチオンを含むことが好ましい。
本発明の有機薄膜の製造方法においては、前記イオン液体モノマーが、アクリレート骨格又はスチレン骨格をカチオン部に有することが好ましい。
また、本発明は、上記本発明の製造方法で得られた有機薄膜層と、無機薄膜層とが積層されたことを特徴とする積層体を提供する。
また、本発明は、樹脂基材上に、無機薄膜層及び透明導電膜層が積層され、これら層の間にさらに有機薄膜層が積層された積層体であって、前記有機薄膜層が上記本発明の製造方法で得られたものであることを特徴とする積層体を提供する。
また、本発明は、上記本発明の製造方法で得られた有機薄膜層、無機薄膜層及び透明導電膜層が、樹脂基材上に積層されたことを特徴とする基板を提供する。
本発明の基板においては、前記樹脂基材の材質が、ポリエステル系樹脂及びポリオレフィン系樹脂からなる群から選ばれる一種以上であることが好ましい。
<有機薄膜の製造方法>
本発明の有機薄膜の製造方法は、真空中でイオン液体モノマーを重合させて成膜することを特徴とする。
本発明の製造方法では、有機薄膜の形成材料として、蒸気圧が極めて低いイオン液体モノマーを使用することで、真空チャンバー内等の真空成膜環境中へ、原料である有機化合物が拡散せず、有機薄膜層中への異物の混入が顕著に抑制される。
そして、前記イオン液体モノマーとは、イオン液体を構成するカチオン部又はアニオン部に、重合性官能基を有するモノマーであり、カチオン部に重合性官能基を有するものが好ましい。
前記一般式(2)中、R21及びR22はそれぞれ独立に水素原子又は炭化水素基であり、少なくとも一方は炭化水素基である。
前記一般式(3)中、R31、R32、R33及びR34はそれぞれ独立に水素原子又は炭化水素基であり、少なくとも一つは炭化水素基である。
前記一般式(4)中、R41、R42、R43及びR44はそれぞれ独立に水素原子又は炭化水素基であり、少なくとも一つは炭化水素基である。
前記一般式(5)中、R51、R52、R53、R54、R55及びR56はそれぞれ独立に水素原子又は炭化水素基である。
前記一般式(6)中、R61、R62、R63、R64及びR65はそれぞれ独立に水素原子又は炭化水素基である。
前記一般式(7)中、R71は炭化水素基である。
R11、R12、R21、R22、R31、R32、R33、R34、R41、R42、R43、R44、R51、R52、R53、R54、R55、R56、R61、R62、R63、R64、R65及びR71における炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基が例示できる。
前記直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、2−エチルヘキシル基、3,7−ジメチルオクチル基が例示できる。なかでも、炭素数が1〜5であるものがより好ましく、1〜3であるものが特に好ましい。
前記環状のアルキル基は、単環構造及び多環構造のいずれでも良く、炭素数が3〜10であることが好ましく、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基が例示できる。
前記アリール基は、単環構造及び多環構造のいずれでもよく、炭素数が6〜10であることが好ましく、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基が例示できる。
前記アリールアルキル基としては、前記アルキル基から一つの水素原子を除いたアルキレン基に前記アリール基が結合した一価の基が例示できる。
前記アルキルアリール基としては、前記アリール基から一つの水素原子を除いたアリーレン基に前記アルキル基が結合した一価の基が例示できる。
炭素原子が置換される置換基としては、酸素原子(−O−)、硫黄原子(−S−)、窒素原子(−NH−)、カルボニル基(−C(=O)−)、カルボニルオキシ基(−C(=O)−O−)、オキシカルボニル基(−O−C(=O)−)、式「−NH−C(=O)−」で表される基が例示できる。
水素原子が置換される置換基としては、上記と同様のアルキル基又はアリール基や、水酸基、シアノ基、アミノ基、アミド基が例示できる。
そして、前記一般式(1)、(2)及び(7)で表されるカチオン部の場合、前記重合性官能基は、R11、R12、R21、R22及びR71のいずれかを構成する一つ以上の水素原子を置換して結合していてもよいし、R11、R12、R21、R22及びR71に含まれない炭素原子に結合している一つ以上の水素原子を置換して結合していてもよい。
また、前記イオン液体モノマーは、調製が容易で重合が進行し易いことから、(メタ)アクリレート骨格(CH2=CH−C(=O)−O−、CH2=C(CH3)−C(=O)−O−)又はスチレン骨格(CH2=CH−C6H4−、)をカチオン部に有することが好ましく、アクリレート骨格又はスチレン骨格をカチオン部に有することがより好ましい。
イオン液体モノマーの塗布方法は、特に限定されず、例えば、各種コーターを使用する常法でよい。
イオン液体モノマーの塗布量は、目的とする有機薄膜の厚みに応じて適宜調節すれば良い。
本発明においては、真空中で重合させることで、水分や酸素等の反応阻害要因の影響を低減できるので、速やか且つ確実に有機薄膜を形成できる。
前記重合開始剤は、公知のものを使用すればよく、特に限定されない。
ラジカル重合に好適な光重合開始剤としては、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ベンゾイン類、チオキサントン類、プロピオフェノン類、ベンジル類、アシルホスフィンオキシド類等が例示できる。より具体的には、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、2−[4−(メチルチオ)メチル−1−フェニル]−2−モルフォリノプロパノン、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンジルメチルケタール、ベンゾフェノン、ベンジルメチルベンゾイルギ酸塩、2−エチルアントラキノン、チオキサントン、ジエチルチオキサントン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド(市販品:商品名「LUCIRIN TPO」(BASF社)、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルエトキシホスフィンオキシド(市販品:「LUCIRIN TPO−L」(BASF社))、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキシド(市販品:「イルガキュア(IRGACURE)819」(チバ・ガイギー社(Ciba−Geigy Co.))、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン(市販品:「DAROCURE1173」(チバ・ガイギー社))、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン(市販品:「イルガキュア2959」(チバ・ガイギー社))、4−(2−アクリル酸オキシエトキシ)フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(市販品:「イルガキュア184」(チバ・ガイギー社))、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−ドデシルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、2−メチル−2−モルフォリノ(4−チオメチルフェニル)プロパン−1−オン(市販品:「イルガキュア907」(チバ・ガイギー社))、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン(市販品:「IRGACURE369」(チバ・ガイギー社))、N,N’−オクタメチレンビスアクリジン(市販品:「アデカオプトマー(ADEKA OPTOMER)N1717」(アデカ社(ADEKA Corp.))が例示できる。
(第一の実施形態)
本発明の積層体は、上記本発明の製造方法で得られた有機薄膜層と、無機薄膜層とが積層されたことを特徴とする。
本発明の積層体は、前記有機薄膜層中への異物の混入が抑制され、さらに前記有機薄膜層が前記無機薄膜層表面の凹凸部位を被覆して平坦化するので、ガスを遮断する能力が高く、ガスバリア性積層体として好適であり、その組成を調節することでハイバリア性を有するものとなる。また、有機薄膜層を含んでいることにより柔軟性を有するので、屈曲させても優れたガスバリア性を維持でき、耐屈曲性に優れる。
ここに示す積層体1は、樹脂基材(以下、単に基材と略記する)11上に、第一の無機薄膜層12、有機薄膜層13及び第二の無機薄膜層14が、この順に積層されてなる。本発明においては、このような、二層の無機薄膜層の間に有機薄膜層が挟まれたものを好ましい構成として例示できる。
前記樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル系樹脂;ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン系樹脂;ポリアミド系樹脂;ポリカーボネート系樹脂;ポリスチレン系樹脂;ポリビニルアルコール系樹脂;エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物;ポリアクリロニトリル系樹脂;アセタール系樹脂;ポリイミド系樹脂が例示できる。これらの樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低いという観点から、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂が好ましく、PET、PENが特に好ましい。
また、前記樹脂は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて使用できる。
例えば、無機ガスバリア層であれば、その材質はガスバリア性を有するものであれば特に限定されず、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、鉄、コバルト、亜鉛、金、銀、銅等の金属;酸化ケイ素、酸炭化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化インジウム、酸化カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ホウ素、酸化亜鉛、酸化セリウム、酸化ハフニウム、酸化バリウム等の無機酸化物;窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化マグネシウム等の窒化物等が例示できる。
有機薄膜層13の厚みは、1〜100μmであることが好ましく、1〜60μmであることがより好ましい。下限値以上とすることで、第一の無機薄膜層12の表面の凹凸部位を被覆することによる平坦化の効果がより向上する。さらに、第一の無機薄膜層12形成時に発生した微細な無機化合物の異物(無機パーティクル)が、第一の無機薄膜層12上に残存していても、これを埋没させて有機薄膜層13自体の表面を平坦化する効果がより向上する。
例えば、図1では、基材の片面に有機薄膜層及び無機薄膜層が積層されたものを示しているが、有機薄膜層及び無機薄膜層は、基材の両面に積層されていてもよい。この場合、積層されている有機薄膜層及び無機薄膜層の組み合わせ及び積層順は、両面で同じでもよいし、異なっていてもよい。
また、図1では、積層体として、基材上に第一の無機薄膜層、有機薄膜層及び第二の無機薄膜層が、この順に積層されたものを示しているが、本発明の積層体は、有機薄膜層と無機薄膜層とが積層されていればよく、有機薄膜層及び無機薄膜層の積層順並びに積層数は、目的に応じて適宜設定すればよい。
前記プライマーコート層は、例えば、基材と無機薄膜層との接着性を向上させることが可能な公知のプライマーコート剤を用いて形成できる。
前記ヒートシール性樹脂層は、適宜公知のヒートシール性樹脂を用いて形成できる。
前記接着剤層は、適宜公知の接着剤を用いて形成でき、このような接着剤層により、複数の積層体同士を接着させてもよい。
ここに示す製造装置9は、真空チャンバー91の内部に、無機薄膜層を形成する第一の無機薄膜層形成室92及び第二の無機薄膜層形成室94、有機薄膜層を形成する有機薄膜層形成室93、並びに基材11を搬送するための第一のロール95及び第二のロール96を備える。なお、ここでは、基材11として長尺のものを例示している。
また、基材11は、第一のロール95及び第二のロール96により、図中の矢印方向及びその逆方向に連続的に搬送可能となっている。
したがって、基材11は、矢印方向に搬送された場合、第一の無機薄膜層形成室92、有機薄膜層形成室93及び第二の無機薄膜層形成室94の内部をこの順に連続して通過可能となっている。
まず、真空チャンバー91の内部を所望の圧力となるまで減圧して、真空状態とする。そして、真空状態を維持したまま、基材11を第一のロール95から繰り出して矢印方向に搬送し、第一の無機薄膜層形成室92の内部に移動させ、無機薄膜層形成手段92aにより、基材11上に第一の無機薄膜層12を積層する。
ターゲットの種類としては、ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン等が例示できる。また、製膜時に必要に応じて、酸素や窒素等のガスを所定量加えてもよい。
また、第一の無機薄膜層12の表面に凹凸部位があっても、これを被覆することにより平坦化できる。さらに、第一の無機薄膜層12形成時に発生した微細な無機化合物の異物(無機パーティクル)が、第一の無機薄膜層12上に残存していても、これを埋没させて有機薄膜層13自体の表面を平坦化できる。
また、本発明の積層体は、樹脂基材上に、無機薄膜層及び透明導電膜層が積層され、これら層の間にさらに有機薄膜層が積層された積層体であって、前記有機薄膜層が上記本発明の製造方法で得られたものであることを特徴とする。
図3は、かかる本発明の積層体を例示する概略断面図である。
透明導電膜層15は、低抵抗のものを形成できることから、物理気相成長(PVD)法で形成することが好ましい。PVD法の具体例としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法(パルスレーザーディポシッション、PLD法)が挙げられるが、成膜速度、成膜面積の広さ、成膜面の均一性、エッチング特性等の観点から、イオンプレーティング法、スパッタ法が好ましい。また、イオンプレーティング法としては、屈曲しても導電性が低下し難く、成膜速度が速く、陰極がガス雰囲気にさらされないため長寿命であり、成膜を安定して長時間連続して行うことが可能であることから、圧力勾配型プラズマガン(浦本ガンと呼ばれる)を用いるイオンプレーティング法が好ましい。
本発明の基板は、上記本発明の製造方法で得られた有機薄膜層、無機薄膜層及び透明導電膜層が、樹脂基材上に積層されたことを特徴とする。
本発明の基板は、上記本発明の積層体を備えたものが好ましく、例えば、図3に示す積層体2をかかる基板としてもよく、有機薄膜層、無機薄膜層及び透明導電膜層の積層順並びに積層数を適宜変更して、基板としてもよい。
本発明の基板は、フレキシブル基板として好適であり、ガスを遮断する能力が高いハイバリア性を有するものとすることもでき、且つ耐屈曲性に優れるので、例えば、有機EL素子、有機薄膜太陽電池等の電子デバイス用として特に好適である。
Claims (8)
- 真空中でイオン液体モノマーを重合させて成膜することを特徴とする有機薄膜の製造方法。
- 前記重合がラジカル重合であることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜の製造方法。
- 前記イオン液体モノマーがイミダゾリウム系カチオンを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の有機薄膜の製造方法。
- 前記イオン液体モノマーが、アクリレート骨格又はスチレン骨格をカチオン部に有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機薄膜の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法で得られた有機薄膜層と、無機薄膜層とが積層されたことを特徴とする積層体。
- 樹脂基材上に、無機薄膜層及び透明導電膜層が積層され、これら層の間にさらに有機薄膜層が積層された積層体であって、
前記有機薄膜層が請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法で得られたものであることを特徴とする積層体。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法で得られた有機薄膜層、無機薄膜層及び透明導電膜層が、樹脂基材上に積層されたことを特徴とする基板。
- 前記樹脂基材の材質が、ポリエステル系樹脂及びポリオレフィン系樹脂からなる群から選ばれる一種以上であることを特徴とする請求項7に記載の基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011121854A JP5760284B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | ガスバリア性フィルムの製造装置及びガスバリア性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011121854A JP5760284B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | ガスバリア性フィルムの製造装置及びガスバリア性フィルム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012246467A true JP2012246467A (ja) | 2012-12-13 |
JP2012246467A5 JP2012246467A5 (ja) | 2014-04-10 |
JP5760284B2 JP5760284B2 (ja) | 2015-08-05 |
Family
ID=47467227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011121854A Active JP5760284B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | ガスバリア性フィルムの製造装置及びガスバリア性フィルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5760284B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013186971A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置、成膜方法 |
JP2014235811A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 住友化学株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
CN104793389A (zh) * | 2015-05-06 | 2015-07-22 | 严锋 | 一种电控智能调光基材组件 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003165175A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-10 | Seiko Epson Corp | 配向膜、配向膜の形成方法、液晶装置、並びに投射型表示装置 |
JP2004524958A (ja) * | 2001-02-13 | 2004-08-19 | シグマ テクノロジーズ インターナショナル,インコーポレイティド | 固体ポリマー構造体形成プロセス及び固体ポリマー構造体 |
JP2005082737A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Toray Ind Inc | アイオノマー層を有するフィルム |
JP2005169267A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
JP2005264135A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機・無機複合体組成物、プラスチック基板、ガスバリア性積層フィルムおよび画像表示素子 |
JP2009066986A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Fujifilm Corp | 表面機能性材料及びその製造方法 |
JP2009525396A (ja) * | 2006-01-17 | 2009-07-09 | ピーピージー インダストリーズ オハイオ インコーポレーテツド | 物理的蒸着によるイオン性液体中の粒子の生成方法 |
WO2012136529A1 (en) * | 2011-04-05 | 2012-10-11 | Bayer Materialscience Ag | A process for multi-layer continuous roll-to-roll coating |
-
2011
- 2011-05-31 JP JP2011121854A patent/JP5760284B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004524958A (ja) * | 2001-02-13 | 2004-08-19 | シグマ テクノロジーズ インターナショナル,インコーポレイティド | 固体ポリマー構造体形成プロセス及び固体ポリマー構造体 |
JP2003165175A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-10 | Seiko Epson Corp | 配向膜、配向膜の形成方法、液晶装置、並びに投射型表示装置 |
JP2005082737A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Toray Ind Inc | アイオノマー層を有するフィルム |
JP2005169267A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
JP2005264135A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機・無機複合体組成物、プラスチック基板、ガスバリア性積層フィルムおよび画像表示素子 |
JP2009525396A (ja) * | 2006-01-17 | 2009-07-09 | ピーピージー インダストリーズ オハイオ インコーポレーテツド | 物理的蒸着によるイオン性液体中の粒子の生成方法 |
JP2009066986A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Fujifilm Corp | 表面機能性材料及びその製造方法 |
WO2012136529A1 (en) * | 2011-04-05 | 2012-10-11 | Bayer Materialscience Ag | A process for multi-layer continuous roll-to-roll coating |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013186971A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置、成膜方法 |
JP2014235811A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 住友化学株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
CN104793389A (zh) * | 2015-05-06 | 2015-07-22 | 严锋 | 一种电控智能调光基材组件 |
CN104793389B (zh) * | 2015-05-06 | 2018-01-16 | 严锋 | 一种电控智能调光基材组件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5760284B2 (ja) | 2015-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104379340B (zh) | 层叠体 | |
CN104736336B (zh) | 气体阻隔性膜的制造方法、气体阻隔性膜和电子设备 | |
CN104903090B (zh) | 气体阻隔性膜 | |
TWI615273B (zh) | 透明積層薄膜、透明導電性薄膜及氣體阻隔性積層薄膜 | |
TWI580580B (zh) | 多層結構體及使用其之裝置、以及該等之製造方法 | |
TW201002527A (en) | Gas barrier laminated film for organic devices | |
EP3602648A1 (en) | Transfer articles | |
CN104220254A (zh) | 阻气膜层叠体、电子装置用构件、及电子装置 | |
KR20110118142A (ko) | 적층체, 그 제조 방법, 전자 디바이스 부재 및 전자 디바이스 | |
CN103249766B (zh) | 成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备 | |
WO2016031876A1 (ja) | ガスバリア性積層フィルム及びその製造方法 | |
JP5760284B2 (ja) | ガスバリア性フィルムの製造装置及びガスバリア性フィルム | |
KR20140136437A (ko) | 플라즈마 cvd법에 의하여 형성된 화학 증착막 | |
KR101391373B1 (ko) | 디스플레이 장치 봉지용 조성물, 디스플레이 장치의 봉지 방법 및 디스플레이 패널 | |
TWI672391B (zh) | 積層膜及可撓性電子裝置 | |
JP6321166B2 (ja) | 有機電子装置用封止部材 | |
CN102834466A (zh) | 成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备 | |
TWI821315B (zh) | 樹脂膜、導電性膜及積層膜之製造方法 | |
WO2014103756A1 (ja) | ガスバリア性フィルム | |
JP5598080B2 (ja) | ガスバリア性シートの製造方法 | |
EP3337847A1 (en) | Composite article and methods of making the same | |
JPWO2016009778A1 (ja) | 複合フィルム | |
CN111093973A (zh) | 阻气膜及阻气膜的制造方法 | |
JP5895855B2 (ja) | ガスバリア性フィルムの製造方法 | |
JP6106552B2 (ja) | フレキシブル電子デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140226 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5760284 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |