CN101384515A - 通过物理气相沉积在离子液体中制备颗粒的方法 - Google Patents

通过物理气相沉积在离子液体中制备颗粒的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101384515A
CN101384515A CNA2007800052004A CN200780005200A CN101384515A CN 101384515 A CN101384515 A CN 101384515A CN A2007800052004 A CNA2007800052004 A CN A2007800052004A CN 200780005200 A CN200780005200 A CN 200780005200A CN 101384515 A CN101384515 A CN 101384515A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ionic liquid
particle
sediment chamber
liquid
deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007800052004A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101384515B (zh
Inventor
J·J·芬利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PPG Industries Ohio Inc
PPG Industries Inc
Original Assignee
PPG Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by PPG Industries Inc filed Critical PPG Industries Inc
Publication of CN101384515A publication Critical patent/CN101384515A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101384515B publication Critical patent/CN101384515B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054—Nanosized particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054—Nanosized particles
    • B22F1/056—Submicron particles having a size above 100 nm up to 300 nm
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • C03C17/09—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3657—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having optical properties
    • C03C17/366—Low-emissivity or solar control coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/001—Coating on a liquid substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48—Ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/219—CrOx, MoOx, WOx
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/25—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/25—Metals
    • C03C2217/251—Al, Cu, Mg or noble metals
    • C03C2217/253—Cu
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/25—Metals
    • C03C2217/251—Al, Cu, Mg or noble metals
    • C03C2217/254—Noble metals
    • C03C2217/256—Ag
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/25—Metals
    • C03C2217/268—Other specific metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
    • C03C2218/156—Deposition methods from the vapour phase by sputtering by magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/34—Masking
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

提供制备颗粒例如纳米颗粒的方法。方法包括向沉积室中引入离子液体；及通过物理气相沉积向离子液体引入或在离子液体上沉积一种或多种材料以在离子液体中形成颗粒。

Description

通过物理气相沉积在离子液体中制备颗粒的方法
有关申请的交叉参考
本申请要求于2006年1月17日提交的美国临时申请60/759,457的优先权，在此通过参考对该临时申请进行完全引用。
发明领域
本发明主要涉及颗粒形成，在一个特别的非限制性实施方案中，涉及在离子液体中形成纳米颗粒。
背景技术
纳米颗粒是尺寸测量为纳米(nm)的微观颗粒。由半导体材料制得的纳米颗粒，如果它们足够小(典型地小于10nm)，也可称为量子点，可发生电子能级量子化。
纳米颗粒具有极大的科学兴趣，因为它们可有效作为大块材料和原子或分子结构间的桥梁。大块材料应具有恒定的物理性能，与尺寸无关，但在纳米尺度，并不是经常这样。可观察到取决于尺寸的性能，例如在半导体颗粒中的量子限制、在一些金属微粒中的表面等离子共振以及在磁性材料中的超顺磁性。因为在生物医学、光学以及电子领域中的多种潜在应用，纳米颗粒研究目前是科学研究的热点区域。
目前，通常使用溶液化学方法形成纳米颗粒。例如，能在还原剂存在下通过四氯金酸的还原制备金纳米颗粒。这使得金离子还原为未电离的金原子，以亚纳米颗粒的形式进行沉积。为了阻止颗粒团聚，通常添加可粘附在纳米颗粒表面上的稳定剂。能使用各种有机配体对纳米颗粒进行功能化以获得具有先进功能性的有机-无机杂化材料。
在适合形成纳米颗粒的同时，这些目前溶液化学方法确实具有一些缺点。例如，在过程中可能需要多次加热和反应步骤。此外，一些需要的反应物可能对工人有害，从而难以进行操作或操作时具有危险。此外，当最终形成纳米颗粒时，通常将它们分类并包装，使得颗粒团聚而并非保持单个颗粒形式。
因此，提供制造纳米颗粒并减少或消除至少一些目前方法具有的问题的方法是有利的。
发明概述
提供制备颗粒的方法。方法包括将离子液体引入沉积室中，通过物理气相沉积向离子液体引导一种或多种材料以在离子液体中提供颗粒。
制备纳米颗粒的方法包括将离子液体引入沉积室中；抽空沉积室以形成1-7微米Hg的真空；在沉积室中溅射一种或多种阴极以向离子液体引入一种或多种材料以便在离子液体中形成纳米颗粒。
发明的组合物包括离子液体和通过物理气相沉积在离子液体中形成的纳米颗粒。
附图简要描述
参考下面附图描述本发明，其中在整篇说明书中相同的参考数值表示相同的部件。
图1是根据发明形成的Cu纳米颗粒吸收率相对于波长的图；
图2和3是Cu纳米颗粒的FESEM(场致发射扫描电子显微镜)；
图4是Cu纳米颗粒的EDX(能量色散X射线)；
图5和6是Ag纳米颗粒的FESEM；
图7是Ag纳米颗粒的XPS(X射线光电子谱)；
图8是Ag纳米颗粒的吸光度相对于波长的图；
图9是氧化钨纳米颗粒的结合能相对于计数(counts)(XPS)的图；
图10和11是氧化钨纳米颗粒的FESEM；
图12是包含氧化钨的纳米颗粒的EDX；
图13是不同基板上Ag-介电叠层的透射率相对于波长的图；
图14是Ir纳米颗粒的FESEM；
图15是Ir纳米颗粒的EDX；及
图16是在不同离子液体中Ag纳米颗粒的吸光度相对于波长的图。
发明的详细说明
如在此使用的空间或方向术语，例如“左”、“右”、“内”、“外”、“上”、“下”等，如附图所示那样论及本发明。然而，应理解本发明能假定多种可替换的方向，因此，这种术语并不认为进行限制。此外，如在此使用的，在说明书和权利要求中使用的所有表示尺寸、物理性能、工艺参数、组分量、反应条件等的数字应理解为在所有情况下由术语“约”加以修饰。因此，除非相反说明，在下面说明书以及权利要求中提及的数值可取决于通过本发明所要获得的所需性能进行变化。至少，并不尝试限制等价原则应用到权利要求的范围，每一数值应当至少根据所报道的有效数位，并通过应用常规的近似技术进行解释。此外，在此公开的所有范围理解为包括开始和结束范围值以及任何和所有包含在其中的子范围。例如，“1-10”范围应认为包括在最小值1和最大值10间并包括它们的任何子范围；即，所有子范围以等于或大于1的最小值开始并以等于或小于10的最大值结束，例如，1-3.3、4.7-7.5、5.5-10等。此外，如在此使用的，术语“在之上形成”、“在之上沉积”、或“在之上提供”指的是在表面上形成、沉积、提供但不必需与表面接触。例如，在基板上形成的涂层并不排除形成的涂层和基板之间具有一层或多层相同或不同组成的其它涂层或薄膜。如在此使用的，术语“聚合物”或“聚合”包括低聚物、均聚物、共聚物和三共聚物，例如由两种或多种单体或聚合物形成的聚合物。此外，认为所有文献，例如但不限制为出版的专利和专利申请等及在此所有参考的网址，通过参考完全进行引用。
在一个非限制性的实施方案中，本发明提供使用物理气相沉积方法在室温下在离子液体(IL)中制备颗粒例如但并不限制为纳米颗粒的方法。在一个非限制性的实施方案中，离子液体引入常规物理气相沉积装置例如常规溅射沉积装置或常规电子束蒸发装置的沉积室中。抽空沉积室，使用一个或多个阴极在离子液体上溅射沉积一种或多种材料。能使用任何常规阴极。适合的阴极包括但不限制为含有金属的阴极、含有半金属的阴极和碳阴极，仅列举几个例子。
离子液体是在小于或等于400℃温度为液体的盐。适于本发明实施的非限制性的离子液体包括阳离子和阴离子的组合。阳离子可包括单、二、和三取代的咪唑鎓、取代的吡啶鎓、取代的吡咯烷鎓、四烷基鏻、四烷基铵、胍鎓(guanidiniums)、异脲鎓(isouroniums)、硫脲鎓(thiouroniums)。阴离子可包括氯离子、溴离子、碘离子、四氟硼酸根、六氟磷酸根、双(三氟甲基磺酰)亚胺根、三(五氟乙基)三氟磷酸根(FAPs)、三氟甲磺酸根、三氟醋酸根、甲基硫酸根、辛基硫酸根、硫氰酸根、有机硼酸根、及对甲苯磺酸根。具体的离子液体非限制性实例包括1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐([BMIM]PF6)、1-己基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐([HMIM]BF4)、1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐([BMIM]BF4)、1-乙基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐([EMIM](CF3SO2)2N)。其它非限制性离子液体可从德国Cologne的Solvent Innovation GmhH获得，在http://www.solvent-innovation.com/index_overview.htm.列出。其它离子液体可从德国Darmstadt的Merk KGaA获得。阳离子和阴离子的变化能产生数百万种能很好地适于具体应用的离子液体。
离子液体也是能反应、再循环和聚合的溶剂。因此，它们在工业中具有广泛用途，例如催化、合成、电化学、医学、传感器、润滑剂及分离。此外，离子液体具有可忽略的蒸气压并具有高热稳定性。就VOC(挥发性有机化合物)而言，与常规有机溶剂，例如醇、甲苯、二氯甲烷(仅举几个例子)相比，这些性能使得它们成为环境友好的溶剂。
在本发明中发现，当通过物理气相沉积(PVD)产生的蒸气在真空中系统中在离子液体上沉积时，生成纳米颗粒，离子液体作为颗粒的稳定的储藏器。在下面实施例中使用磁控溅射作为沉积蒸气的方法。然而，能使用任何在真空中系统中进行的物理沉积方法制备颗粒。本发明优于现有技术的优点是能够在真空系统中含有液体，其中液体对系统的压力具有可以忽略的影响。可获得真空涂覆过程所需的低的底压以及沉积压力，彷佛系统中不具有液体。离子液体的另一优点是它是有助于化学处理的通用溶剂(参见AIChE Journal，(2001年11月)Vol.47，2384-2389页，IL’sin Chemical Processing)。本发明的纳米颗粒引入离子液体中，从而消除了转移到介质中以进一步处理的步骤和/或消除多步化学处理步骤。此外，已经显示，沉积颗粒体积与沉积压力成正比，因此较低的沉积压力不仅理想地适于进行无污染的稳定过程，而且适于持续、可靠制备所需颗粒尺寸范围例如纳米颗粒尺寸范围内的颗粒。如在此使用的，“颗粒”或“纳米颗粒尺寸范围”指的是最大尺寸不大于500nm的颗粒，例如不大于200nm，例如不大于100nm或不大于50nm，或不大于10nm，例如在0.1-200nm的范围，例如在0.5-200nm的范围，例如在1-200nm的范围。在不大于50微米Hg的压力下进行沉积过程，例如不大于20微米Hg，例如不大于10微米Hg，例如不大于7微米Hg，或不大于5微米Hg，例如不大于4微米Hg，例如不大于3微米Hg，或不大于2微米Hg，例如不大于1微米Hg。如所理解的，1微米等于0.001乇。此外，离子液体不需要任何将增加蒸气压并限制本方法在低压力下操作能力的添加剂即可阻止颗粒团聚。能使用增加粘度但不影响蒸气压的添加剂。能混合不同粘度的离子液体以调整最终液体的粘度。
下面非限制性的实施例说明了本发明的各个方面。在这些实施例中，在真空系统中在离子液体上溅射沉积铜、银及氧化钨。在引入液体后，10-6-10-7乇范围的真空系统底压与常规固体基板相比并不显著不同地变化，因为离子液体的蒸气压可以忽略不计。也能够在7微米Hg或更小压力下进行沉积。在沉积过程中压力并不变化。通过沉积到液体中在液体中形成纳米颗粒。
为了说明本发明，下面详细描述制备和表征几种材料的方法。使用滴管用离子液体(IL)润湿透明浮法玻璃基板的表面、覆盖约1.5平方英寸(3.8厘米)深度小于1毫米来制备样品。使用刮刀帮助液体在表面上铺展。含有离子液体的玻璃基板是3英寸(7.6cm)的正方形。然后基板置于载板上，放置在Airco Temescal ILS 1600真空涂布机的入口舱(lock)中，在进入沉积室前抽真空，使底压小于10-6乇。在1-7微米Hg之间通过DC磁控溅射沉积所有涂层。基板以120英寸/分钟的速度(3m/min)在溅射靶下移动。在含有离子液体的样品进入沉积室后或在沉积过程中压力不发生变化。使用Tencor P1触针式外形仪测量涂层厚度，除非有其它说明。
实施例1
这个实施例说明铜纳米颗粒的形成。以1.5kW恒定功率、508伏特电压、2.95安培电流、在氩气气氛中在4微米Hg压力下由铜靶沉积铜。基板通过靶20次。在沉积后，从沉积室中取出样品。如所希望的，环绕离子液体(上述[BMIM]PF6)的玻璃表面区域覆盖铜膜。然而，离子液体并未发生变化，除了透射显现红褐色的颜色，在约4分钟后发展为带绿色的成分。如果含有铜的离子液体在真空下在涂布机中放置至少4分钟，然后取出，那么离子液体为红褐色颜色而不呈现绿色。然而，在约4分钟后颜色发生变化，如先前描述的。如果在从涂布机取出时用玻璃板覆盖样品，溶液保持红褐色并且不发展为绿色。这表明在离子液体中一些铜颗粒由于气氛中的氧和水蒸汽可形成铜氧化物或铜氢氧化物，和/或一些颗粒发生团聚。
当通过用丙酮清洗将含有铜的离子液体从玻璃基板表面除去收集到收集盘中时，曾具有离子液体的位置处不具有涂层，具有由铜膜形成的明显边界。这表明在离子液体上沉积的铜保留在离子液体中，在沉积前或沉积过程中在液体-薄膜边界没有发生脱气、飞溅或反应。使用边界测量薄膜厚度为353nm。由自溅射的铜膜的XRF测量获得的密度计算，等于约344μg/平方厘米的铜。
分别使用LEO 1530SEM和Noran Vantage EDS/EDX，通过FESEM(场致发射扫描电子显微镜)及EDX(能量色散X射线)分析对本方法形成的铜颗粒进行分析。使用这种分析的优点是可对颗粒进行可视观测，并可使用FESEM分析颗粒尺寸，使用EDX进行元素鉴定。从离子液体体积中取出团聚的颗粒，因为来自离子液体的背景信号与颗粒信号相互影响，减少离子液体量增加了颗粒信号强度。从离子液体中仅取出团聚颗粒或由于取出过程而团聚的颗粒。在盘中使用丙酮另外稀释含有铜的离子液体若干次，在每次稀释后用滤纸除去丙酮和离子液体，进一步用50％异丙醇-去离子水混合物进行稀释，然后倒出液体，从而取出颗粒。过程使得团聚的铜颗粒保留在稀释离子液体的剩余物中，然后其一部分被转移到
Figure A200780005200D00111
牌胶带上进行FESEM分析。未团聚的颗粒悬浮在离子液体中。通过分光光度测定证实存在未团聚的颗粒。
分光光度测定和分析是通过观察在特定波长存在吸收峰来确定存在纳米颗粒的另一测量技术。特别地，使用在特征波长的金属表面等离子共振(SPR)(其是颗粒材料及尺寸和含有颗粒介质的函数)确定在溶液中在离子液体中金属纳米颗粒的存在。这种技术的优点是颗粒保持在溶液中并处于不团聚的状态。减去小的来自离子液体的背景信号，或者如果离子液体信号与样品信号相比可以忽略，那么离子液体信号可忽略不计。如上所述，样品也可与大气隔离进行密封，并进行测量。
使用分光光度测定分析含有铜的离子液体样品(即在稀释前的离子液体，如在实施例1中讨论的)以确定铜纳米颗粒的存在。测试的样品显示不包括任何可视的团聚颗粒。测量样品的两种类型的吸收光谱：在从涂布机取出后暴露于大气的样品(称为是“暴露的”)，以及在从涂布机取出后用透明浮法玻璃板覆盖、立即密封的样品(称为是“密封的”)。使用Perkin-Elmer Lambda 2 UV/VIS/NIR分光光度计在300-1100nm测量暴露的样品。对于紫外光谱区的透光度，使用石英池(curvets)(Fisher Far UV矩形1mm)容纳暴露的样品。测量两个暴露的样品：含有铜的离子液体和含有铜并用相同类型的附加离子液体稀释的样品(称为是“稀释的”)。
使用可从BYK Gardner USA获得的TCS分光光度计在400-700nm间测量密封样品。使用TCS分光光度计，这是因为浮法玻璃在紫外区域几乎不可穿透，透射率从小于350nm快速下降(对于2.3mm厚度，350nm83％到300nm 3.5％)。然而，在可见光谱区具有特征吸收波长。
图1显示3种含有铜的离子液体的吸收率。密封样品在约580nm显示出吸收峰。这归因于最大尺寸不大于100nm的铜纳米颗粒的表面等离子共振(SPR)吸收。相信对于暴露的以及稀释的Cu样品，在500nm处急剧开始的吸收表明存在铜氧化物和铜氢氧化物纳米颗粒。
图2和3显示在Scotch牌胶带上的剩余离子液体中的团聚铜颗粒样品的FESEM。由于难以从离子液体中完全取出铜因此限于该取样的颗粒，显示出颗粒最大尺寸不大于100nm。它们表示颗粒尺寸的上限。图4中的EDX分析显示来自离子液体中的铜和背景磷(P)。
实施例2
这个实施例说明银纳米颗粒的形成。以与实施例1描述的沉积铜的方法类似的方式沉积银。以3.0kW恒定功率、599伏特电压、5.0安培在氩气气氛中在4微米Hg压力下沉积银。基板在银靶下通过10次。通过在丙酮中清洗将含有银的离子液体从玻璃基板上除去收集到收集盘中。在薄膜和未涂覆的含有离子液体的区域间的边界测量银膜厚度为463nm。由自溅射的银膜的XRF测量获得的密度计算，等于约470μg/平方厘米的银。在盘中用丙酮另外稀释含有银的离子液体若干次，在每次稀释后用滤纸除去丙酮和离子液体，从而取出颗粒。然后使丙酮蒸发直到剩有团聚的银纳米颗粒的薄膜。然后将薄膜转移到Scotch牌胶带上进行FESEM和EDX分析。未团聚的颗粒保留在悬浮液中，当除去丙酮时获得未团聚的颗粒。以用于铜的相同方式通过分光光度测定证实存在未团聚的颗粒。FESEM图像显示由尺寸小于10nm至多约100nm的颗粒形成的团聚的银(参见图5和6)。通过EDX分析证实存在元素银的颗粒。使用ThermoElectron ThetaProbe(Thermo Electron Corporation，West Sussex，England)通过XPS(X射线光电子光谱)进一步对Scotch牌胶带上的取出银样品进行分析以检测银是否与离子液体反应。如所希望的，样品的表面显示出碳、氧和氟污染物。在使用以2kV加速电压的氩离子轰击(溅射)除去表面污染物后，仅留有银。这通过存在银金属3d5/2光电子得以证实。图7显示固定在胶带上的银的XPS强度。在溅射60秒后F1s信号消失而Ag3d信号增强，表明仅存在银颗粒，没有与离子液体反应。0信号归因于胶带。
也以所述测量铜的描述方式进行含有银的离子液体的分光光度测定。在沉积后将暴露于大气的含有银的离子液体转移到石英池在Lambda2上测量。一些团聚的纳米颗粒从溶液中分离，并且测试样品不包括任何可视的团聚颗粒。图8在光谱中显示样品在约410nm处的银的强吸收峰。这是由于银纳米颗粒的表面等离子共振(SPR)吸收。这种测量与XPS测量一起表明不存在与离子液体或大气(水份或氧)的反应。
这些分析的结果表明通过在离子液体中沉积银产生银纳米颗粒。颗粒具有至多100nm、例如至多50nm、或至多10nm的最大尺寸。
此外，这些结果表明对于铜和银，最大量的纳米颗粒进入溶液中离子液体中并保留在溶液中离子液体中，任何超过该最大值的颗粒将进行团聚。
实施例3
这个实施例说明氧化钨纳米颗粒的形成。以上述方法沉积氧化钨。在50％ O2和50％ Ar的活性气体气氛中通过在4微米Hg压力下流动沉积钨靶。以3.0kW恒定功率、486伏特电压、6.24安培电流操作靶。基板在靶下通过10次。通过在丙酮中清洗将含有氧化钨的离子液体从玻璃基板上除去收集到收集盘中。氧化钨117nm厚(以上述方式测定)。当透射观察时含有氧化钨的离子液体具有黄色外观。相信这种呈色是由于在离子液体中存在氧化钨或等离子体与离子液体发生反应。最初在盘中用丙酮稀释含有氧化钨的离子液体并用滤纸除去丙酮和离子液体，从而取出颗粒。然而发现，不具有可视的团聚，任何除去丙酮稀释的离子液体的努力导致吸收液体和WO3。因此，使丙酮蒸发。然后将剩余的离子液体溶液与50％异丙醇-50％去离子水混合物进行混合，结果形成含有氧化钨的溶液的小的液滴(直径小于1mm)。将液滴转移到硅基板上，在SPIPlasma-Prep II等离子灰化器中处理以除去一些离子液体，使用FESEM、EDX和XPS进行分析。XPS证实液滴含有WO3。XPS图(参见图9)显示对于硅基板上的样品，在35.8eV的氧化钨峰在4F7/2和4F5/2峰间具有2.2eV分裂。(参见http://srdata.nist.gov/xps/index.htm XPS峰位的材料数据库)。FESEM图像(参见图10和11)显示氧化钨的单个颗粒。图像显示颗粒也显示出不大于约120nm的最大尺寸，例如不大于50nm、或不大于10nm。颗粒也显示出轮廓分明的球形。EDX(参见图12)证实存在元素钨。
实施例4
这个实施例说明增加离子液体粘度以改变沉积材料的性能。
发现离子液体的粘度决定当通过PVD在离子液体上沉积材料时是否形成纳米颗粒或薄膜。为了对此进行说明，通过在离子液体中溶解聚合物增加离子液体的粘度，在溶液上磁控溅射沉积不同材料。
通过在0.14克/ml[BMIM]PF6浓缩物中添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP)粉末(类型NP-K30，由GAF公司市售获得)制得粘稠溶液。然后在90℃加热该溶液35分钟以获得透明、非常粘稠的粘溶液，当冷却到室温(21℃)时没有明显流动。在3”×3”(7.6cm×7.6cm)、2.3mm厚的玻璃板上溶液铺展形成直径约1.5英寸(3.8cm)的圆，在固定到12”×12”(36.5cm×36.5cm)载板上前使表面“平滑”几分钟，并置于真空室中。
通过在PVP-离子液体溶液上磁控溅射沉积制备两个样品。以与早先描述的对于银和铜的方法类似的方式沉积银制备第一样品。在1kW恒定功率、476伏特电压、2.1安培在氩气气氛中在4微米Hg压力下沉积银。基板在银靶下通过30次。在玻璃基板上的银层估计300nm厚。沉积第二样品以形成多层用于玻璃上的常规类型的低发射率涂层。涂层包括以下通过磁控溅射顺序沉积的层：Zn2SnO4/Zn-10重量％Sn/Ag/Ti/Zn2SnO4/Zn-10重量％Sn/Ag/Ti/Zn2SnO4(在此称为“Ag介电叠层”)。已知这种类型涂层作为“高T/低E”(高透射率/低发射率)涂层，在美国专利4,898,789和4,898,790中进行了描述。在沉积后，从沉积室中取出涂层并进行可视检测。与在纯离子液体中沉积的纳米颗粒样品的形貌相比，在PVP-离子液体溶液上出现涂层。溶液上涂层的通常形貌通常与邻近玻璃表面上的涂层相同。由于下面流体的不均匀性质，镀银层具有轻徽折皱形貌。多层涂层具有一些裂纹，可能是由于溶液的流动并粘附到涂层上。在覆盖的正方形陪替式陪养皿中储存10月后，多层涂层仍然具有与当初沉积时相同的一般形貌。由于边缘暴露，裂纹周围的涂层会轻微劣化。对于这种类型涂层，这是可以预料到的。在相同时期后，如邻近的玻璃表面上的一部分银涂层那样一部分银涂层具有光译。而其它部分失去光泽。图13中的光谱显示PVP-离子液体溶液和涂覆有Ag-介电叠层的玻璃基板在10月后的300-2500nm间的百分比透射率。与玻璃基板相比，透射率在可见光区(400-780nm)轻微降低，而在太阳红外辐射光区(800-2500nm)轻微增加。这是由于在PVP-离子液体溶液上的涂层中具有裂纹。考虑到涂层不受保护(当商业使用时，这些涂层在单元的干燥惰性气体中进行密封)而且在PVP-离子液体溶液上10月，表明[BMIM]PF6对基于银的涂层的腐蚀作用可以忽略。
尽管没有测量溶液的粘度，可理解粘度对于决定在溶液上沉积的材料的形式即颗粒或薄膜具有明显影响。纯的[BMIM]PF6粘度的公布值是312厘泊(cP)。在非限制性的实施方案中，对于实施本发明合适的离子液体粘度在室温(23℃)可不大于1500cP，例如不大于1110cP，例如66-1110cP。当溶液粘度增加时，颗粒不再进入溶液，而是在溶液上形成薄膜，即沉积材料的流动(flux)看起来表现得更像是固体表面而不是液体表面。在溶液中形成颗粒的粘度范围将影响颗粒的性能例如尺寸与形状。这能通过降低离子液体中溶质浓度并在溶液上进行沉积获得。能使用任何可进入具有离子液体的溶液中并适于PVD的材料。
对于上述实施例，在沉积前添加聚合物以控制薄膜或颗粒形成。如果需要溶液或颗粒或薄膜的特定性能，那么能在沉积前或在沉积后或者在沉积前并在沉积后添加不同量的聚合物或离子液体。例如，如果需要在不同于溶液最终粘度的粘度具有特定颗粒尺寸，那么对制备特定颗粒尺寸的溶液进行涂覆，在沉积后添加附加的聚合物或离子液体以获得最终聚合物-离子液体溶液的所需粘度。聚合物可以是相同或不同的聚合物。还可调整离子液体，可与聚合物或聚合物组合一起添加离子液体组合以获得所需溶液。在所有情况下，聚合物可由单体替代，单体可在沉积后进行聚合。在可替换的应用中，可除去聚合物而留有离子液体或清洗掉溶液中的离子液体和聚合物，以制备用于后续处理成例如颜料薄片的自支撑膜(free standing film)。在另一应用中，具有在溶液上沉积的涂层或溶液中颗粒的层可与其它材料例如有机或无机层或更具体的为聚合物或玻璃层进行叠层。
离子液体的粘度可影响离子液体中颗粒的尺寸分布。如果粘度足够高，可在离子液体上沉积一层或多层薄膜。随后能以常规方式溶解或除去离子液体以留有薄膜，其能用于颜料或引入具有或不具有颜料的介质中。对于在其中具有分散颗粒的各种离子液体，离子液体可作为颗粒的进一步处理的载体或作为进一步处理步骤的反应物。
实施例5
这个实施例说明在离子液体中制备纳米颗粒催化剂的方法。
可在防护剂例如表面活性剂、聚合物或有机配体(以避免颗粒团聚)存在下通过金属化合物的还原或氧化，化学获得具有受控尺寸和组成的稳定的过渡金属纳米颗粒。最近已经报告了过渡金属催化剂在离子液体中的化学合成和使用。离子液体使得能够制备过渡金属纳米颗粒并使其稳定，能够容易进行催化剂重复利用并进行产品分离。使用在离子液体中的纳米颗粒的优点是能够在催化反应中多次重复利用催化剂而没有显著的催化活性损失。已经制备了Ir和Ru以制备催化剂体系。
在离子液体中物理气相沉积提供可替换的方法，其仅需要一个步骤过程，没有化学副产物，在能够容易重复利用并无需在沉积前或沉积后添加试剂以阻止颗粒团聚的稳定介质中制备纳米颗粒，尽管在沉积后可以添加试剂。
为了进行说明，通过在[BMIM]PF6和[BMIM]BF4的溶液上进行Ir磁控溅射沉积制备样品。以与前面描述的对于银和铜的方法类似的方式由Ir靶沉积铱来制备样品。在3kW恒定功率、电590伏特电压、5.08安培在100％氩气气氛中在4微米Hg压力下沉积铱。基板在铱靶下通过15次。在从沉积室中取出后透射观察，含有Ir的离子液体具有呈褐色的外观。使用扫描电子显微镜(SEM)测量横截面，玻璃上的铱层120nm厚。
含有Ir纳米颗粒的[BMIM]BF4转移到碳基底上进行FESEM分析。在碳基底上放置少量(约5滴)进行FESEM分析。使用少量去离子水稀释离子液体溶液，引起Ir纳米颗粒团聚。使水干燥，导致纳米颗粒团聚的稀释和干燥过程重复几次。在图中显示Ir纳米颗粒的FESEM。图15中EDX证实存在Ir。
实施例6
除上面讨论的材料外，在离子液体([BMIM]PF6)上磁控溅射沉积Ti、TiO2、Zn2SnO4、Si-10重量％Al氧化物、锌-10重量％氧化锡和Ag氧化物。也在离子液体上沉积多层涂层。涂层包括下面通过磁控溅射顺序沉积的层：Zn2SnO4/Zn-10重量％Sn/Ag/Ti/Zn2SnO4/Zn-10重量％Sn/Ag/Ti/Zn2SnO4。在另外的由1-乙基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐([EMIM](CF3SO2)2N)、1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐([BMIM]BF4)、1-己基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐([HMIM]BF4)构成的离子液体上以在此描述的方式通过磁控溅射沉积铜和银。如图16所示，如在此描述的，这些含有银的液体的分光光度测定及[BMIM]PF6的测定显示，在约410nm显示出强吸收峰，这是由于离子液体溶液中银纳米颗粒的表面等离子共振(SPR)吸收。如从图14中可知，颗粒显示出比200nm小许多，例如不大于50nm、例如不大于10nm团聚纳米颗粒的结构。
相信，任何可通过物理气相沉积(PVD)进行沉积的材料当在离子液体中沉积时会导致稳定的纳米颗粒溶液。例如，可通过PVD例如磁控溅射沉积或碳弧在离子液体上沉积碳，以制备碳纳米颗粒，例如碳纳米管。通过磁控溅射沉积在[BMIM]PF6中沉积铟锡氧化物(ITO)纳米颗粒。ITO纳米颗粒可用于制备在可见光区不进行吸收的导电颗粒。通过磁控溅射沉积在[BMIM]PF6中沉积二氧化钛纳米颗粒。二氧化钛纳米颗粒可用于制备纳米催化剂。
实施例7
作为从通过在此描述的方法制备的含有纳米颗粒的离子液体电解液电化学沉积含有聚合物的纳米颗粒的实例，在含有银纳米颗粒的[BMIM]PF6电解质溶液中从EDOT(3，4-乙烯基二氧噻吩)单体溶液通过电化学沉积生长导电聚合物PEDOT(聚3，4-乙烯基二氧噻吩)。直接在TEM栅格上制备薄膜。TEM测量显示在导电聚合物基质中具有Ag纳米颗粒。
这种方法允许在电沉积过程中通过应用适合的电压形成从中性(绝缘的)到完全掺杂(导电)的具有各种掺杂水平的导电聚合物薄膜。除在电色显示和有机光发射装置应用外，这种杂化材料在热电和光电装置的应用也是感兴趣的。
方法不限制为上述材料，可适于任何可电化学聚合的单体和任何类型的纳米颗粒。
含有纳米颗粒的离子液体的其它应用包括杀虫剂、电池、颜料、润滑剂、化妆品。基板例如薄膜、过滤器、织物和纳米孔陶瓷可用含有纳米颗粒的离子液体浸渍，取决于应用、基板类型或基板预处理，基板可清洗除去离子液体，在基板孔隙中留有分布的纳米颗粒。基板可是挠性的或刚性的或透明的或不透明的。一种特别适合的薄膜是由PPGIndustries，Inc制造的
Figure A200780005200D00181
薄膜。
对粒子性能的作用
因为用于这些实验的基板进行移动，在离子液体中收集较宽尺寸分布的颗粒，如FESEM图像所示。通过沉积参数例如应用到靶的功率或基板速度(包括在固定基板上的沉积)和基板-靶距离、气体和真空室压力决定沉积的材料形式特别是颗粒的尺寸和形状。源和基板间角度(当基板移动时不予考虑)显著影响颗粒的尺寸和形状。选择与源成直线的固定基板、屏蔽低角度入射颗粒将提供更均匀颗粒分布。或者，在基板上从源收集颗粒(作为自源的距离和/或角度函数)将导致颗粒尺寸分布。此外，已经显示颗粒体积与压力成正比，从而表明具有与真空系统和颗粒相容的液体的重要性。离子液体性质例如粘度、温度、厚度、化学组成将影响颗粒的性质。特别是，溅射是可精确控制尺寸的原子沉积过程。可改变或混合合金靶或共溅射靶和气体组成以沉积材料，例如从氩-氧-氮气体混合物沉积氮氧化物。然而，可控制其它方法例如热或电子束蒸发或阴极电弧沉积以高沉积速率制备从纳米颗粒到几百微米的宽尺寸范围的颗粒。由上述讨论可知，离子液体无需包括表面活性剂以阻止颗粒团聚。
含有颗粒的液体的反应
含有纳米颗粒的离子液体可与其它材料结合以赋予所得的混合物附加特征。通常，在现有技术中描述了使用离子液体的几种类型聚合，包括均聚、统计学的共聚、嵌段共聚和聚合物-离子液体复合物。可使用通过本发明方法制得的含有纳米颗粒的离子液体进行这些类型聚合以避免如现有技术所述的多步处理步骤。
例如，暴露的含有铜、银、或氧化银的离子液体与氰基丙烯酸酯(Permabond910FS粘结剂)结合以形成塑性物质。如另一实施例，含有银的离子液体与尿烷低聚物/甲基丙烯酸酯单体掺和物(Kemkert KaoOptical粘结剂300)结合，在320-380nm UV下固化。混合物夹在两片透明浮法玻璃间，然后UV固化以制备玻璃/聚合物(由固化混合物构成的)/玻璃叠层。在另一实施例中，Elvacite丙烯酸树脂溶于DowanolPM(二醇醚PM)中，在溶液中添加含有纳米颗粒的[BMIM]BF4和[BMIM]PF6。含有Ir纳米颗粒的[BMIM]BF4形成凝胶，并加热到132℃ XXX分钟以形成塑性物质。在丙酮清洗塑性物质以除去残余物。塑性物质保持初始含有离子液体溶液的褐色，表明存在Ir纳米颗粒。在相同的溶液中添加通过在此描述的方法制得的含有ZnO的[BMIM]BF6和含有ITO纳米颗粒的[BMIM]BF6，在132℃加热12小时以形成塑性物质，表明纳米颗粒可引入塑性基板中。
由上述讨论可知，可将在其中分散有颗粒或其上形成薄膜或两者都有的离子液体进一步处理为各种产品。例如，可向离子液体添加添加剂或反应物以形成固体，例如引入颗粒或薄膜的塑料制品。或离子液体可用于进一步处理或反应的溶剂。
在液体中进行沉积的装置
在离子液体中进行沉积的装置包括作为离子液体储存器的容器。将容器放置在当通过物理气相沉积过程沉积材料时将其时捕获的位置。容器可含有将离子液体输送到容器和/或将含有颗粒的离子液体从容器中取出的进口和出口。容器可含有冷却或加热离子液体的任意常规装置。出入口能够在受控环境例如真空或惰性气氛中进行提取。提取能够传送液体进行进一步处理。
可与离子液体一起使用现有技术中描述的含有液体的其它方式。这些包括常规VEROS技术或其改进，或常规VERL技术或其改进，例如分别如S.Yatsuya，Y.Tsukasaki，K.Mihama and R.Uyeda，J.Cryst.Growth：43，490(1978)and I.Nakatani，T.Furubayashi，J.Magn.Magn.Mater.122(1993)10描述的。
本领域技术人员容易理解在不脱离上述说明书中公开的思想的条件下可对本发明进行改变。认为这种改变包括在本发明的范围内。因此，在上文具体描述的特别实施方案仅是说明性的，而不限制本发明的范围，由附加权利要求和其任何及全部等同方式给出本发明的完全范围。

Claims (28)

1.制备颗粒的方法，包括:
向沉积室中引入离子液体；及
通过物理气相沉积向离子液体引入一种或多种材料以在离子液体中提供颗粒。
2.权利要求1的方法，还包括将沉积室抽空。
3.权利要求2的方法，其中将沉积室抽空以提供不大于10微米Hg的真空。
4.权利要求2的方法，其中将沉积室抽空以提供不大于7微米Hg的真空。
5.权利要求1的方法，其中所述颗粒具有不大于500nm的直径。
6.权利要求1的方法，其中所述颗粒具有不大于200nm的直径。
7.权利要求1的方法，其中所述颗粒具有1-200nm的直径。
8.权利要求1的方法，其中所述离子液体包括至少一种选自下面的阳离子:单、二、和三取代的咪唑鎓、取代的吡啶鎓、取代的吡咯烷鎓、四烷基鏻、四烷基铵、胍鎓、异脲鎓、硫脲鎓。
9.权利要求1的方法，其中所述离子液体包括至少一种选自下面的阴离子:氯离子、溴离子、碘离子、四氟硼酸根、六氟磷酸根、双(三氟甲基磺酰)亚胺根、三(五氟乙基)三氟磷酸根(FAPs)、三氟甲磺酸根、三氟醋酸根、甲基硫酸根、辛基硫酸根、硫氰酸根、有机硼酸根、及对甲苯磺酸根。
10.权利要求1的方法，其中所述离子液体选自1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐([BMIM]PF6)、1-己基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐([HMIM]BF4)、1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐([BMIM]BF4)和1-乙基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐([EMIM](CF3SO2)2N)。
11.权利要求1的方法，其中所述离子液体在23℃的温度具有不大于1110cP的粘度。
12.权利要求1的方法，其中通过磁控溅射或电子束蒸发进行沉积步骤。
13.权利要求12的方法，在反应气氛中进行溅射。
14.权利要求12的方法，其中在真空的气氛中进行溅射。
15.权利要求12的方法，其中在惰性气氛中进行溅射。
16.权利要求1的方法，其中所述离子液体包括两种或多种离子液体的混合物。
17.权利要求1的方法，包括调节离子液体的粘度。
18.权利要求17的方法，其中通过向离子液体添加一种或多种聚合物或单体进行调节步骤。
19.权利要求1的方法，包括向离子液体添加一种或多种单体或聚合物。
20.权利要求19的方法，包括使单体或聚合物进行反应以形成含有颗粒的聚合材料。
21.制备纳米颗粒的方法，包括:
向沉积室中引入离子液体；
抽空沉积室以在沉积室中形成不大于7微米Hg的真空；及
在沉积室中溅射一种或多种阴极以向离子液体引入一种或多种材料以便在离子液体中提供纳米颗粒。
22.涂覆离子液体的方法，包括:
向沉积室中引入离子液体；
抽空沉积室以在沉积室中形成不大于7微米Hg的真空；及
在沉积室中溅射一种或多种阴极以向离子液体引入一种或多种材料以便在离子液体上形成涂膜。
23.组合物，包括:
离子液体；及
通过物理气相沉积在离子液体中沉积的颗粒。
24.权利要求23的组合物，其中颗粒具有不大于500nm的尺寸。
25.权利要求23的组合物，包括一种或多种单体或聚合物。
26.通过权利要求1的方法制得的包括颗粒的组合物。
27.通过权利要求21的方法制得的薄膜。
28.制备颗粒的装置，包括:
沉积室；及
离子液体的容器，设计容器以当在沉积室中通过物理气相沉积过程进行沉积时捕获材料，容器包括将离子液体输送到容器和/或将含有颗粒的离子液体从容器中取出的进口和出口。
CN2007800052004A 2006-01-17 2007-01-17 通过物理气相沉积在离子液体中制备颗粒的方法 Expired - Fee Related CN101384515B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US75945706P 2006-01-17 2006-01-17
US60/759,457 2006-01-17
PCT/US2007/001226 WO2007084558A2 (en) 2006-01-17 2007-01-17 Method of producing particles by physical vapor deposition in an ionic liquid

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101384515A true CN101384515A (zh) 2009-03-11
CN101384515B CN101384515B (zh) 2012-06-27

Family

ID=38288207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800052004A Expired - Fee Related CN101384515B (zh) 2006-01-17 2007-01-17 通过物理气相沉积在离子液体中制备颗粒的方法

Country Status (11)

Country Link
US (2) US8354355B2 (zh)
EP (1) EP1993960A2 (zh)
JP (1) JP5155881B2 (zh)
KR (1) KR101037615B1 (zh)
CN (1) CN101384515B (zh)
AU (1) AU2007207534B2 (zh)
BR (1) BRPI0706600A2 (zh)
CA (1) CA2636662C (zh)
IL (1) IL192787A (zh)
RU (1) RU2404024C2 (zh)
WO (1) WO2007084558A2 (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102554244A (zh) * 2012-03-12 2012-07-11 苏州大学 金属纳米颗粒与碳材料复合物的自组装可控制备方法
CN103102075A (zh) * 2013-01-21 2013-05-15 京东方科技集团股份有限公司 一种采用玻璃料进行密封的方法、装置及玻璃料
CN103668104A (zh) * 2012-09-24 2014-03-26 中国科学院大连化学物理研究所 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法
CN105445237A (zh) * 2015-12-31 2016-03-30 哈尔滨工业大学 一种外加电场条件下测量液体吸收系数的方法
CN106243813A (zh) * 2016-08-01 2016-12-21 王学锋 一种纳米颗粒抗菌材料加工的方法
US9698367B2 (en) 2014-12-10 2017-07-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Flexible electrode and method for manufacturing the same, electronic skin and flexible display device
CN107297507A (zh) * 2017-06-27 2017-10-27 浙江大学 一种亚微米‑纳米金属锂颗粒的制备方法
CN107866560A (zh) * 2017-12-04 2018-04-03 浙江工业大学 一种分支网状金纳米材料的制备方法
CN110129109A (zh) * 2019-06-17 2019-08-16 中国科学院兰州化学物理研究所 一种过渡金属硫化物纳米粒子的制备方法及其应用
CN110646996A (zh) * 2019-09-29 2020-01-03 东华大学 一种紫外固化紫精基电致变色器件及其制备方法
CN113295726A (zh) * 2021-04-20 2021-08-24 华东师范大学 一种基于xps技术表征室温离子液体的方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2924359B1 (fr) * 2007-11-30 2010-02-12 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation de depot de nanoparticules metalliques par depot physique en phase vapeur
DE102009055828A1 (de) 2008-12-19 2010-07-01 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung metallbeschichteter Partikel
CN101434824A (zh) * 2008-12-25 2009-05-20 中国科学院长春应用化学研究所 一种具有热稳定性的离子液体红外吸收材料及制法
US9007674B2 (en) 2011-09-30 2015-04-14 View, Inc. Defect-mitigation layers in electrochromic devices
KR101479788B1 (ko) * 2009-04-08 2015-01-06 인스콘테크(주) 이온성 액체를 이용한 금속 나노구조체의 제조방법
JP5799362B2 (ja) * 2009-11-11 2015-10-21 国立大学法人名古屋大学 中空ナノ粒子の製法
US8784663B2 (en) * 2009-11-20 2014-07-22 Nokia Corporation Trapping nanostructures
JP5765727B2 (ja) * 2010-11-30 2015-08-19 国立大学法人名古屋大学 ナノ粒子の製造方法及びナノ粒子分散液
JP2012190856A (ja) * 2011-03-08 2012-10-04 Mitsubishi Materials Corp 太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜
JP5760284B2 (ja) * 2011-05-31 2015-08-05 住友化学株式会社 ガスバリア性フィルムの製造装置及びガスバリア性フィルム
TWI525184B (zh) 2011-12-16 2016-03-11 拜歐菲樂Ｉｐ有限責任公司 低溫注射組成物，用於低溫調節導管中流量之系統及方法
US9302452B2 (en) 2012-03-02 2016-04-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Transparent laminates comprising inkjet printed conductive lines and methods of forming the same
RU2523469C1 (ru) * 2013-01-23 2014-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет" Способ экстракции цинка из донных осадков ионной жидкостью
KR20160041006A (ko) * 2014-10-04 2016-04-15 한국생산기술연구원 이온성 액체를 이용한 방착방법 및 액체방착설비를 구비한 진공증착장치
US9986669B2 (en) * 2015-11-25 2018-05-29 Ppg Industries Ohio, Inc. Transparency including conductive mesh including a closed shape having at least one curved side
RU2650820C1 (ru) * 2016-12-29 2018-04-17 Тимур Эмильевич Габяш Способ получения органозоля
WO2018144984A1 (en) * 2017-02-03 2018-08-09 Massachusetts Institute Of Technology Task specific ionic liquid-impregnated polymeric surface coatings for antibacterial, antifouling, and metal scavenging activity
KR102035761B1 (ko) 2017-11-01 2019-10-23 한국과학기술연구원 물리적 기상 증착법을 이용한 탄소-담지 금속산화물 및/또는 합금 나노입자 촉매의 제조방법
CN109164072A (zh) * 2018-08-07 2019-01-08 北京化工大学 新型溶解性可调的荧光硅量子点、合成及检测汞离子的应用
US11745702B2 (en) 2018-12-11 2023-09-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Coating including electrically conductive lines directly on electrically conductive layer

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4898790A (en) * 1986-12-29 1990-02-06 Ppg Industries, Inc. Low emissivity film for high temperature processing
US4898789A (en) 1988-04-04 1990-02-06 Ppg Industries, Inc. Low emissivity film for automotive heat load reduction
US6444256B1 (en) 1999-11-17 2002-09-03 The Regents Of The University Of California Formation of nanometer-size wires using infiltration into latent nuclear tracks
US6768119B2 (en) * 2000-04-06 2004-07-27 De La Mora Juan F. Method and apparatus to produce ions and nanodrops from Taylor cones at reduced pressure
JP2003245450A (ja) * 2002-02-25 2003-09-02 Sanyo Product Co Ltd 遊技機
JP2003245540A (ja) 2002-02-25 2003-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd 超微粒子の作製方法
JP2005035916A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Nisshinbo Ind Inc ハロゲン置換芳香族化合物の製造方法およびハロゲン化反応用溶媒
JP2005048260A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Canon Inc 反応性スパッタリング方法
US7232556B2 (en) 2003-09-26 2007-06-19 Nanoproducts Corporation Titanium comprising nanoparticles and related nanotechnology
JP2005147394A (ja) * 2003-10-23 2005-06-09 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 動圧軸受装置、及び、ディスク駆動装置
CN1260743C (zh) * 2004-01-07 2006-06-21 中山大学 一种制备n－酰基肌氨酸改性水基磁性液体的方法
CN1559663A (zh) * 2004-02-27 2005-01-05 中国科学院上海硅酸盐研究所 纳米微粉的微波辅助离子液体制备方法
US20050248825A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Rockwell Scientific Licensing, Llc Reversible electrodeposition optical modulation device with conducting polymer counter electrode
TWI388640B (zh) * 2004-06-01 2013-03-11 Nitto Denko Corp 壓敏黏合劑組成物、壓敏黏合片及表面保護膜
WO2006132308A1 (ja) * 2005-06-10 2006-12-14 Bridgestone Corporation 超微粒子又は超微粒子集合体の製造方法
JP5232988B2 (ja) * 2006-02-27 2013-07-10 国立大学法人名古屋大学 ナノ粒子の製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102554244A (zh) * 2012-03-12 2012-07-11 苏州大学 金属纳米颗粒与碳材料复合物的自组装可控制备方法
CN103668104A (zh) * 2012-09-24 2014-03-26 中国科学院大连化学物理研究所 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法
CN103668104B (zh) * 2012-09-24 2016-05-25 中国科学院大连化学物理研究所 用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法
CN103102075A (zh) * 2013-01-21 2013-05-15 京东方科技集团股份有限公司 一种采用玻璃料进行密封的方法、装置及玻璃料
US9698367B2 (en) 2014-12-10 2017-07-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Flexible electrode and method for manufacturing the same, electronic skin and flexible display device
CN105445237B (zh) * 2015-12-31 2018-01-05 哈尔滨工业大学 一种外加电场条件下测量液体吸收系数的方法
CN105445237A (zh) * 2015-12-31 2016-03-30 哈尔滨工业大学 一种外加电场条件下测量液体吸收系数的方法
CN106243813A (zh) * 2016-08-01 2016-12-21 王学锋 一种纳米颗粒抗菌材料加工的方法
CN106243813B (zh) * 2016-08-01 2019-05-07 苏州康力丰纳米科技有限公司 一种纳米颗粒抗菌材料加工的方法
CN107297507A (zh) * 2017-06-27 2017-10-27 浙江大学 一种亚微米‑纳米金属锂颗粒的制备方法
CN107297507B (zh) * 2017-06-27 2019-09-10 浙江大学 一种亚微米-纳米金属锂颗粒的制备方法
CN107866560A (zh) * 2017-12-04 2018-04-03 浙江工业大学 一种分支网状金纳米材料的制备方法
CN107866560B (zh) * 2017-12-04 2019-05-31 浙江工业大学 一种分支网状金纳米材料的制备方法
CN110129109A (zh) * 2019-06-17 2019-08-16 中国科学院兰州化学物理研究所 一种过渡金属硫化物纳米粒子的制备方法及其应用
CN110646996A (zh) * 2019-09-29 2020-01-03 东华大学 一种紫外固化紫精基电致变色器件及其制备方法
CN113295726A (zh) * 2021-04-20 2021-08-24 华东师范大学 一种基于xps技术表征室温离子液体的方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007084558A2 (en) 2007-07-26
US20130130045A1 (en) 2013-05-23
EP1993960A2 (en) 2008-11-26
CA2636662C (en) 2011-08-16
CA2636662A1 (en) 2007-07-26
WO2007084558A3 (en) 2007-12-21
RU2008133641A (ru) 2010-02-27
AU2007207534B2 (en) 2011-01-27
US8354355B2 (en) 2013-01-15
JP2009525396A (ja) 2009-07-09
BRPI0706600A2 (pt) 2011-03-29
KR101037615B1 (ko) 2011-05-30
IL192787A0 (en) 2009-08-03
US20100267549A1 (en) 2010-10-21
KR20080086541A (ko) 2008-09-25
JP5155881B2 (ja) 2013-03-06
IL192787A (en) 2014-08-31
CN101384515B (zh) 2012-06-27
AU2007207534A1 (en) 2007-07-26
RU2404024C2 (ru) 2010-11-20
US8618013B2 (en) 2013-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101384515B (zh) 通过物理气相沉积在离子液体中制备颗粒的方法
Kim et al. Effect of particle size and amorphous phase on the electrochromic properties of kinetically deposited WO3 films
Bagheri et al. Preparation and characterization of cellulose-ZnO nanocomposite based on ionic liquid ([C 4 mim] cl)
Zhang et al. Room-temperature fabrication of TiO2-PHEA nanocomposite coating with high transmittance and durable superhydrophilicity
Zaier et al. Generating highly reflective and conductive metal layers through a light-assisted synthesis and assembling of silver nanoparticles in a polymer matrix
Leitzke et al. Electrochemical properties of WO3 sol-gel thin films on indium tin oxide/poly (ethylene terephthalate) substrate
Chadwick et al. Combinatorial aerosol assisted chemical vapour deposition of a photocatalytic mixed SnO 2/TiO 2 thin film
Aegerter et al. Versatile wet deposition techniques for functional oxide coatings
Nguyen et al. Formation mechanism of transparent Mo6 metal atom cluster film prepared by electrophoretic deposition
Mane et al. Room temperature synthesis of compact TiO2 thin films for 3-D solar cells by chemical arrested route
Tasaso et al. Synthesis of Nano-WO3 particles with polyethylene glycol for chromic film
Imanishi et al. Formation of Au nanoparticles in an ionic liquid by electron beam irradiation
Ferrara et al. Synthesis and characterization of sol–gel silica films doped with size-selected gold nanoparticles
Shehata et al. Cu and Ag nanoparticles films deposited on glass substrate using cold cathode ion source
Jana et al. Synthesis, characterization and electrocatalytic activity of SnO2, Pt–SnO2 thin films for methanol oxidation
Suzuki et al. A nanoparticle-mist deposition method: Fabrication of high-performance ITO flexible thin films under atmospheric conditions
Schulz et al. CdTe thin films from nanoparticle precursors by spray deposition
Kim et al. Self-cleaning performance of sol–gel-derived TiO 2/SiO 2 double-layer thin films
Ibáñez et al. Optimization of spray pyrolysis zirconia coatings on aluminized steel
Munishamaiah Improved dielectric properties of microwave irradiated sol-gel derived SiO2–TiO2 thin film
Fonseca et al. Enhancement of surface properties of sol gel tin dioxide thin films with addition of surfactant in the precursor solution
Anuar et al. Influence of pH on the properties of chemical bath deposited Ni4S3 thin films
Hagiri et al. Preparation and characterization of silver orthophosphate photocatalytic coating on glass substrate
Alehdaghi et al. Facile preparation of ZnO nanostructured thin films via oblique angle ultrasonic mist vapor deposition (OA-UMVD): A systematic investigation
Miyagi et al. Effects of substrate temperature and sputtering gas composition on physical properties and photocatalytic activities of WOx thin films deposited via radiofrequency sputtering

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120627

Termination date: 20150117

EXPY Termination of patent right or utility model