RU2004117774A - Ферроэлектрический или электретный запоминающий контур - Google Patents
Ферроэлектрический или электретный запоминающий контур Download PDFInfo
- Publication number
- RU2004117774A RU2004117774A RU2004117774/09A RU2004117774A RU2004117774A RU 2004117774 A RU2004117774 A RU 2004117774A RU 2004117774/09 A RU2004117774/09 A RU 2004117774/09A RU 2004117774 A RU2004117774 A RU 2004117774A RU 2004117774 A RU2004117774 A RU 2004117774A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- storage circuit
- storage
- electrode
- electrically conductive
- ferroelectric
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000011232 storage material Substances 0.000 claims 16
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims 2
- 239000008204 material by function Substances 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 claims 1
- LRTTZMZPZHBOPO-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[Hf] Chemical compound [B].[B].[Hf] LRTTZMZPZHBOPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003491 array Methods 0.000 claims 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N azanylidynevanadium Chemical compound [V]#N SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 hafnium nitride Chemical class 0.000 claims 1
- WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N hafnium;methane Chemical compound C.[Hf] WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 claims 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920000131 polyvinylidene Polymers 0.000 claims 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 abstract 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/101—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including resistors or capacitors only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Claims (24)
1. Ферроэлектрический или электретный запоминающий контур (С), преимущественно ферроэлектрический или электретный запоминающий контур с повышенной стойкостью к усталости, содержащий ферроэлектрическую или электретную ячейку памяти с запоминающим материалом (2), обладающим гистерезисом и способным поляризоваться с переходом в состояние положительной или отрицательной поляризации, соответствующее заданному уровню поляризации, а также первый и второй электроды (1а, 1b), непосредственно или косвенно контактирующие с запоминающим материалом таким образом, что при подаче на электроды соответствующих напряжений к запоминающему материалу (2) может быть приложена разность потенциалов, приводящая к поляризации или деполяризации ячейки памяти или к переключению между противоположными состояниями поляризации ячейки памяти, или к вынужденному временному изменению состояния поляризации в ячейке памяти или уровня поляризации, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один из электродов (1а, 1b) содержит, по меньшей мере, один функциональный материал (3), способный физически и/или химически встраивать в свой объем атомные или молекулярные частицы, содержащиеся в электродном или в запоминающем материале (2) ячейки памяти и обнаруживающие тенденцию к миграции в форме подвижных заряженных и/или нейтральных частиц из электродного материала в запоминающий материал (2) или в обратном направлении, с соответствующим ослаблением вредного воздействия на функциональные свойства электродного или запоминающего материала ячейки памяти.
2. Запоминающий контур (С) по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один функциональный материал обладает электрическими и/или химическими свойствами, совместимыми с аналогичными свойствами электродного материала.
3. Запоминающий контур (С) по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один функциональный материал (3) имеет относительную диэлектрическую проницаемость, которая равна или превышает относительную диэлектрическую проницаемость запоминающего материала (2).
4. Запоминающий контур (С) по п.1, отличающийся тем, что функциональный материал (3) имеет относительную диэлектрическую проницаемость, которая остается, по существу, неизменной при встраивании в него указанных атомных или молекулярных частиц.
5. Запоминающий контур (С) по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один функциональный материал (3) имеет проводимость, которая остается, по существу, неизменной при встраивании в него указанных атомных или молекулярных частиц.
6. Запоминающий контур (С) по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один функциональный материал (3) равномерно распределен по электродному материалу.
7. Запоминающий контур (С) по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один функциональный материал (3) находится в той части электродного материала, которая выходит на поверхность, по меньшей мере, одного электрода (1а, 1b) и находится в контакте с запоминающим материалом (2).
8. Запоминающий контур (С) по п.7, отличающийся тем, что в указанной части электродного материала в виде отдельных слоев находятся два или более функциональных материалов (3).
9. Запоминающий контур (С) по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один функциональный материал (3) находится в одном или более поверхностных слоях (3а, 3b), по меньшей мере, одного электрода (1а, 1b), выполненных в виде одного или более промежуточных слоев между, по меньшей мере, одним электродом (1а, 1b) и запоминающим материалом (2).
10. Запоминающий контур (С) по п.9, отличающийся тем, что в двух или более промежуточных слоях (3а, 3b, 4а, 4b) содержатся два или более функциональных материалов (3).
11. Запоминающий контур (С) по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один функциональный материал представляет собой один или более материалов из группы, включающей алмазоподобный нанокомпозитный тонкопленочный материал, электропроводящий карбидный материал, электропроводящий оксидный материал, электропроводящий боридный материал, электропроводящий нитридный материал, электропроводящий силицидный материал, электропроводящий материал на основе углерода и электропроводящий полимерный или сополимерный материал.
12. Запоминающий контур (С) по п.11, отличающийся тем, что электропроводящий карбидный материал выбран из группы материалов, включающей карбид тантала, карбид титана, карбид циркония и карбид гафния.
13. Запоминающий контур (С) по п.11, отличающийся тем, что электропроводящий оксидный материал представляет собой один или более материалов, выбранных из группы, включающей бинарные оксиды, тройные оксиды, допированные или недопированные бинарные оксиды и дотированные или недопированные тройные оксиды.
14. Запоминающий контур (С) по п.11, отличающийся тем, что электропроводящий боридный материал представляет собой один или более материалов, выбранных из группы, включающей борид гафния, борид циркония и борид хрома.
15. Запоминающий контур (С) по п.11, отличающийся тем, что электропроводящий нитридный материал представляет собой один или более материалов, выбранных из группы, включающей нитрид титана, нитрид циркония, нитрид гафния, нитрид тантала, нитрид ванадия, нитрид ниобия и нитрид хрома.
16. Запоминающий контур (С) по п.11, отличающийся тем, что указанный электропроводящий силицидный материал представляет собой силицид титана.
17. Запоминающий контур (С) по п.11, отличающийся тем, что указанный электропроводящий материал на основе углерода представляет собой один или более материалов, выбранных из группы, включающей графитообразный углерод, фуллерены и вещества с цианогруппами (CN).
18. Запоминающий контур (С) по п.11, отличающийся тем, что электропроводящий полимерный или сополимерный материал представляет собой один или более материалов, выбранных из группы, включающей допированный полипиррол, допированные производные полипиррола, допированный полианилин, допированные производные полианилина, допированные политиофены и допированные производные политиофенов.
19. Запоминающий контур (С) по п.1, отличающийся тем, что ферроэлектрический или электретный запоминающий материал представляет собой полимерный или олигомерный материал или смесь или композит, содержащие указанный полимерный или олигомерный материал.
20. Запоминающий контур (С) по п.19, отличающийся тем, что ферроэлектрический или электретный полимерный запоминающий материал представляет собой один или более материалов, выбранных из группы, включающей поливинилиденфторид (ПВФ), поливинилиден с одним из его сополимеров, тройные полимеры, основанные на сополимерах ПВФ и трифторэтилена (П(ВФ-ТрФЭ)), найлоны с нечетным номером марки, найлоны с нечетным номером марки с любыми из их сополимеров, цинополимеры и цинополимеры с любыми из их сополимеров.
21. Запоминающий контур (С) по п.1, отличающийся тем, что электродный материал выбран из группы материалов, включающей алюминий, платину, золото, титан, медь, их сплавы и композиты на их основе.
22. Запоминающий контур (С) по п.1, отличающийся тем, что запоминающий материал (2) введен в состав запоминающего контура (С) посредством физического или химического осаждения из паров или процесса центрифугирования или окунания, электродный материал введен в состав запоминающего контура (С) посредством физического или химического осаждения из паров, а, по меньшей мере, один функциональный материал (3) введен в состав запоминающего контура (С) посредством физического или химического осаждения из паров или процесса, основанного на использовании раствора.
23. Запоминающий контур (С) по п.22, отличающийся тем, что запоминающий материал (2), первый и второй электроды (1а, 1b) и, по меньшей мере, один промежуточный слой (3а, 3b), в случае его наличия, выполнены в виде тонких пленок в составе запоминающего контура, соответственно представляющего собой тонкопленочное устройство.
24. Запоминающий контур (С) по п.1, отличающийся тем, что множество подобных запоминающих контуров (С) образует набор с матричной адресацией, а ячейки памяти в запоминающих контурах (С) образуют отдельные зоны в цельном слое ферроэлектрического или электретного тонкопленочного запоминающего материала (2), тогда как первый и второй электроды (1а, 1b) образуют соответственно части первой и второй электродных решеток, каждая из которых содержит множество параллельных полосковых электродов (1а, 1b), при этом электроды (1b) второй электродной решетки ориентированы под углом, предпочтительно ортогонально по отношению к электродам (1а) первой электродной решетки, цельный слой ферроэлектрического или электретного тонкопленочного запоминающего материала (2) расположен между электродными решетками, так что ячейки памяти запоминающего контура (С) образованы в зонах цельного слоя, соответствующих скрещиванию электродов (1а, 1b) первой и второй электродных решеток, причем набор запоминающих контуров (С), сформированных электродными решетками и цельным слоем запоминающего материала (2), в котором образованы ячейки памяти, реализует интегральное ферроэлектрическое или электретное запоминающее устройство с матричной адресацией, в котором адресация соответствующих ячеек памяти для выполнения операций записи и считывания производится посредством электродов (1а, 1b) электродных решеток, присоединенных к внешним драйверным, управляющим и считывающим контурам.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20015735 | 2001-11-23 | ||
| NO20015735A NO20015735D0 (no) | 2001-11-23 | 2001-11-23 | Barrierelag |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2004117774A true RU2004117774A (ru) | 2006-01-10 |
| RU2269830C1 RU2269830C1 (ru) | 2006-02-10 |
Family
ID=19913059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2004117774/09A RU2269830C1 (ru) | 2001-11-23 | 2002-11-22 | Ферроэлектрический или электретный запоминающий контур |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1446806B1 (ru) |
| JP (1) | JP2005510078A (ru) |
| KR (1) | KR100603670B1 (ru) |
| CN (1) | CN100449640C (ru) |
| AT (1) | ATE291273T1 (ru) |
| AU (1) | AU2002366187B2 (ru) |
| CA (1) | CA2464082C (ru) |
| DE (1) | DE60203321T2 (ru) |
| ES (1) | ES2238638T3 (ru) |
| NO (1) | NO20015735D0 (ru) |
| RU (1) | RU2269830C1 (ru) |
| WO (1) | WO2003044801A1 (ru) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE58903298D1 (de) * | 1989-06-29 | 1993-02-25 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur identifikation integrierter halbleiterschaltkreise. |
| JP2005083961A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | ▲高▼木 敏行 | 歪センサー |
| NO321555B1 (no) * | 2004-03-26 | 2006-05-29 | Thin Film Electronics Asa | Organisk elektronisk innretning og fremgangsmate til fremstilling av en slik innretning |
| US7205595B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-04-17 | Intel Corporation | Polymer memory device with electron traps |
| NO20041733L (no) * | 2004-04-28 | 2005-10-31 | Thin Film Electronics Asa | Organisk elektronisk krets med funksjonelt mellomsjikt og fremgangsmate til dens fremstilling. |
| NO321280B1 (no) * | 2004-07-22 | 2006-04-18 | Thin Film Electronics Asa | Organisk, elektronisk krets og fremgangsmate til dens fremstilling |
| US7808024B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-10-05 | Intel Corporation | Ferroelectric polymer memory module |
| NO322202B1 (no) * | 2004-12-30 | 2006-08-28 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmate i fremstillingen av en elektronisk innretning |
| US7768014B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and manufacturing method thereof |
| JP4749162B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| NO324809B1 (no) * | 2005-05-10 | 2007-12-10 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmate til dannelse av ferroelektriske tynnfilmer, bruk av fremgangsmaten og et minne med et minnemateriale av ferroelektrisk oligomer |
| US7868320B2 (en) | 2005-05-31 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP4939838B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2012-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
| EP1798732A1 (en) * | 2005-12-15 | 2007-06-20 | Agfa-Gevaert | Ferroelectric passive memory cell, device and method of manufacture thereof. |
| KR100994866B1 (ko) * | 2006-02-09 | 2010-11-16 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100796643B1 (ko) | 2006-10-02 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 폴리머 메모리 소자 및 그 형성 방법 |
| EP2286988A1 (de) * | 2008-12-13 | 2011-02-23 | Bayer MaterialScience AG | Ferroelektret-Zwei- und Mehrschichtverbund und Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR101042519B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2011-06-20 | 한국과학기술원 | 멀티 비트 저장 가능한 메모리 장치 |
| JP4774130B1 (ja) * | 2010-12-02 | 2011-09-14 | 株式会社サクラクレパス | エレクトレット性微粒子又は粗粉の製造方法 |
| RU2578305C2 (ru) * | 2011-03-08 | 2016-03-27 | Юбло Са, Женева | Композиционный материал, содержащий благородный металл, способ получения и применение такого материала |
| US10242989B2 (en) * | 2014-05-20 | 2019-03-26 | Micron Technology, Inc. | Polar, chiral, and non-centro-symmetric ferroelectric materials, memory cells including such materials, and related devices and methods |
| US10399166B2 (en) * | 2015-10-30 | 2019-09-03 | General Electric Company | System and method for machining workpiece of lattice structure and article machined therefrom |
| WO2017090559A1 (ja) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 東レ株式会社 | 強誘電体記憶素子、その製造方法、ならびにそれを用いたメモリセルおよびそれを用いた無線通信装置 |
| CN111403417B (zh) * | 2020-03-25 | 2023-06-16 | 无锡舜铭存储科技有限公司 | 一种存储器件的结构及其制造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02158173A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-18 | Seiko Epson Corp | 記憶装置 |
| JPH03126275A (ja) * | 1989-10-12 | 1991-05-29 | Seiko Epson Corp | 非線形２端子素子 |
| JPH0418753A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Olympus Optical Co Ltd | 強誘電体メモリ |
| US5432731A (en) * | 1993-03-08 | 1995-07-11 | Motorola, Inc. | Ferroelectric memory cell and method of sensing and writing the polarization state thereof |
| JPH0764107A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Sharp Corp | 非線形素子基板の製造方法 |
| TW322578B (ru) * | 1996-03-18 | 1997-12-11 | Matsushita Electron Co Ltd | |
| JPH1022470A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| NO309500B1 (no) * | 1997-08-15 | 2001-02-05 | Thin Film Electronics Asa | Ferroelektrisk databehandlingsinnretning, fremgangsmåter til dens fremstilling og utlesing, samt bruk av samme |
| US6284654B1 (en) * | 1998-04-16 | 2001-09-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical vapor deposition process for fabrication of hybrid electrodes |
| JP2000068465A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Nec Corp | 半導体装置及びその形成方法 |
| JP3668079B2 (ja) * | 1999-05-31 | 2005-07-06 | 忠弘 大見 | プラズマプロセス装置 |
| JP3956190B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2007-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体キャパシタアレイ及び強誘電体メモリの製造方法 |
| NO20005980L (no) * | 2000-11-27 | 2002-05-28 | Thin Film Electronics Ab | Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmåte ved dens fremstilling |
-
2001
- 2001-11-23 NO NO20015735A patent/NO20015735D0/no unknown
-
2002
- 2002-11-22 CA CA002464082A patent/CA2464082C/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-22 JP JP2003546352A patent/JP2005510078A/ja active Pending
- 2002-11-22 KR KR1020047005847A patent/KR100603670B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-11-22 EP EP02803576A patent/EP1446806B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-22 ES ES02803576T patent/ES2238638T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-22 AT AT02803576T patent/ATE291273T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-11-22 AU AU2002366187A patent/AU2002366187B2/en not_active Ceased
- 2002-11-22 RU RU2004117774/09A patent/RU2269830C1/ru not_active IP Right Cessation
- 2002-11-22 DE DE60203321T patent/DE60203321T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-22 WO PCT/NO2002/000437 patent/WO2003044801A1/en active IP Right Grant
- 2002-11-22 CN CNB028232593A patent/CN100449640C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1589479A (zh) | 2005-03-02 |
| NO20015735D0 (no) | 2001-11-23 |
| KR100603670B1 (ko) | 2006-07-20 |
| ES2238638T3 (es) | 2005-09-01 |
| KR20040051614A (ko) | 2004-06-18 |
| DE60203321T2 (de) | 2006-02-02 |
| WO2003044801A1 (en) | 2003-05-30 |
| RU2269830C1 (ru) | 2006-02-10 |
| JP2005510078A (ja) | 2005-04-14 |
| DE60203321D1 (de) | 2005-04-21 |
| CN100449640C (zh) | 2009-01-07 |
| CA2464082A1 (en) | 2003-05-30 |
| AU2002366187A1 (en) | 2003-06-10 |
| EP1446806B1 (en) | 2005-03-16 |
| ATE291273T1 (de) | 2005-04-15 |
| EP1446806A1 (en) | 2004-08-18 |
| AU2002366187B2 (en) | 2006-07-13 |
| CA2464082C (en) | 2007-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2004117774A (ru) | Ферроэлектрический или электретный запоминающий контур | |
| US6878980B2 (en) | Ferroelectric or electret memory circuit | |
| US6809955B2 (en) | Addressable and electrically reversible memory switch | |
| US20050116256A1 (en) | Molecular memory device | |
| US7026702B2 (en) | Memory device | |
| Scott et al. | Nonvolatile memory elements based on organic materials | |
| JP5572165B2 (ja) | グラフェンメモリセルおよびその製造方法 | |
| CN1819296A (zh) | 存储元件、微电子器件、其制造方法及存储信息的方法 | |
| RU2008100080A (ru) | Устройство хранения данных | |
| US20070267627A1 (en) | Organic memory device and fabrication method thereof | |
| WO2002091385A1 (en) | Molecular memory cell | |
| WO2005106890A1 (en) | An organic electronic circuit with functional interlayer and method for making the same | |
| WO2010035980A2 (ko) | 비휘발성 기억소자 및 비휘발성 기억소자의 정보기록방법과 정보판독방법 | |
| JP2006519483A (ja) | 有機メモリ装置及びそのためのドライバ回路 | |
| Zhang et al. | Organic electronic memory devices | |
| WO2005086627A2 (en) | Three-terminal electrical bistable devices | |
| TW200849581A (en) | Organic electronic memory component, memory component arrangement and method for operating an organic electronic memory component | |
| ES2246042T3 (es) | Celda de memoria. | |
| CN1190796C (zh) | 具有基准电位的集成存储器与这种存储器的运行方法 | |
| RU2786791C1 (ru) | Способ формирования полимерного мемристора на основе двухслойной структуры полупроводниковый полимер-сегнетоэлектрический полимер | |
| JPH0760907B2 (ja) | 電気制御素子およびその応用装置 | |
| NO317912B1 (no) | Ferroelektrisk eller elektret minnekrets | |
| JPH0555664A (ja) | 強誘電体メモリ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20081123 |