KR970072485A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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요시노리 오쿠무라
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키타오카 타카시
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Abstract

동일 칩상에 형성하는 MIS형 트랜지스터의 스레시홀드값 조성을 채널 영역에 주입하는 불순물량의 조정만에 의존하는 것에 의해서는, 펀치스루 억제와 채널의 고농도화에 의한 스레시홀드값의 향상을 도모하는 것이 곤란하였다.본 발명에 의하면, 채널 영역의 불순물 농도에 변화를 갖게 할 뿐만 아니라 채널 주입으로 형성하는 불순물층의 형성 깊이를 조정하고, 스레시홀드값이 작은 트랜지스터의 경우는 주변으로부터 얕은 위치에 불순물층을 형성하는 것에 의해, 각각 최적한 특성을 갖는 트랜지스터를 얻는 것이 가능하게 된다.

Description

반도체 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제4도는 본 발명의 실시의 형태 1의 불순물 농도 프로파일을 도시한 도면.

Claims (13)

  1. 반도체 기판의 한 주면위에 적어도 동일 타입의 제1, 제2MIS형 트랜지스터가 형성되고, 상기 제1, 제2MIS형 트랜지스터의 채널 영역의 상기 한 주면으로부터 아래쪽으로의 불순물 농도 프로파일의 크기가 각각 상이한 위치에 잇는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 반도체 기판의 한 주면 위에, 동일 타입이고 스레시홀드값이 소정의 크기인 제1MIS형 트랜지스터와 스레시홀드값이 제1트랜지스터의 스레시홀드값보다 큰 제2MIS형 트랜지스터가 형성되고, 상기 제1, 제2MIS형 트랜지스터의 제1, 제2의 채널 영역에 형성되는 제1, 제2불순물층보다도 상기 제1불순물층이 상기 주면으로부터의 형성 깊이가 깊은 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1, 제2불순물층의 불순물 농도는 형성하는 MIS형 트랜지스터의 스레시홀드값에 따라 각각 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제2항에 있어서, 적어도 상기 제1, 제2채널 영역중 어느것이든 한쪽의 반도체 기판의 주면으로부터 아래쪽으로의 불순물 농도 프로파일이 2개 이상의 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제1, 제2불순물층은 적어도 상이한 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 적어도 반도체 기판의 한 주면 위에 센스 앰프, 주변 회로, 메모리 셀을 각각 구성하는 동일 타입의 제1, 제2, 제3MIS형 트랜지스터가 형성되고, 상기 제1, 제2, 제3MIS형 트랜지스터의 채널 영역의 상기 주면으로부터 아래쪽으로의 불순물 농도 프로파일의 피크가 각각 상이한 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 반도체 기판의 한 주면 위에 동일 타입의 제1, 제2MIS형 트랜지스터가 형성되고, 상기 제1MIS형 트랜지스터의 제1채널 영역에는 상기 한 주면으로부터 소정 거리의 깊이에 위치하는 제1고농도층이 형성되고, 상기 제2MIS형 트랜지스터의 제2채널 영역에는 한 상기 주면으로부터 소정 거리의 깊이에 위치하는 제2고농도층, 상기 제2고농도층과 상기 한 주면의 사이의 상이한 깊이에 위치하는 적어도 1층의 불순물층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1, 제2고농도층에 포함된 불순물과 불순물층에 포함된 불순물은 각각 상이한 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 반도체 기판의 한 주면에 적어도 제1, 제2의 활성 영역을 형성하는 공정과 상기 제1, 제2의 활성 영역에 형성하는 제1, 제2MIS형 트랜지스터의 제1, 제2채널 영역으로 되는 영역에 상이한 이온 주입 에너지로 이온 주입을 행하여, 제1, 제2불순물층을 갖는 제1, 제2채널 영역을 형성하는 공정과 상기 제1, 제2채널 영역위에 게이트 절연막을 형성하는 공정과 상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 공정과 상기 반도체 기판 표면에 상기 제1, 제2채널 영역을 끼워 소스/드레인 영역을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1, 제2불순물층을 형성하는 공정은, 상기제1채널 영역에 선택적으로 제1이온주입 에너지로 이온 주입을 행하여 제1불순물층을 형성하는 공정과 제2채널 영역에 선택적으로 제2이온 주입 에너지로 이온 주입을 행하는 제2불순물층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 반도체 기판의 한 주면에 적어도 제1, 제2활성 영역을 형성하는 공정과 상기 제1, 제2활성 영역에 동일 타입의 제1, 제2MIS형 트랜지스터의 제1, 제2채널 영역으로 되는 영역에 각각 상이한 이온 주입 에너지로 각각 상이한 이온 종류의 이온을 주입하여 제1, 제2불순물층을 갖는 제1, 제2채널 영역을 형성하는 공정과 상기 제1, 제2채널 영역 위에 게이트 절연막을 형성하는 공정과 상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 공정과 상기 반도체 기판 표면에 제1, 제2채널 영역을 끼워 소스/드레인 영역을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 반도체 기판의 한 주면에 센스 앰프, 주변 회로, 메모리 셀을 각각 형성하기 위한 제1, 제2, 제3활성 영역을 형성하는 공정과 상기 제1, 제2, 제3의 활성 영역에 형성하는 제1, 제2, 제3의 MIS형 트랜지스터의 채널 영역으로 되는 영역에 각각 상이한 이온 주입 에너지로 이온 주입을 행하여 제1, 제2, 제3불순물층을 갖는 제1, 제2, 제3채널영역을 형성하는 공정과 제1, 제2, 제3채널 영역 위에 게이트 절연막을 형성하는 공정과 상기 반도체 기판 표면에 상기 제1, 제2, 제3채널 영역을 끼워 소스/드레인 영역을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  13. 반도체 기판이 한 주면에 적어도 제1, 제2활성 영역을 형성하는 공정과 상기 제1, 제2활성 영역에 형성하는 제1, 제2MIS형 트랜지스터의 제1, 제2채널 영역의 상기 한 주면으로부터 소정의 깊이에 제1, 제2고농도층을 형성하는 공정과 상기 제2채널 영역의 상기 한 주면과 상기 제2고농도층의 형성 위치 사이의 상이한 깊이에 불순물층을 형성하는 공정과 상기 제1, 제2채널 영역 위에 게이트 절연막을 형성하는 공정과 상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 공정과 상기 반도체 기판 표면에 상기 제1, 제2채널 영역을 끼워 소스/드레인 영역을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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