KR960039259A - 불순물 농도 프로파일 측정방법 - Google Patents

불순물 농도 프로파일 측정방법 Download PDF

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Abstract

확산층의 에칭과 확산층상에 형성된 전극의 사용에 의한 시이트 저항 및/또는 홀 저항의 측정의 조합을 반복하는 것에 의해 반도체 기판의 확산층에 대한 불순물 농도 프로파일이 측정된다.
작은 양 만큼의 확산층 에칭이 확산층의 깊이 방향으로 정렬된 제1부분들에 반복되고 깊이 방향으로 정렬된 근접한 제2부분들의 에칭에 후속된다. 에칭은 상기 부분들에 대한 고저항을 생성하기 위해 확산층의 부분들로 비활성 이온을 주입하는 것에 의해 대체될 수 있다.

Description

불순물 농도 프로파일 측정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 불순물 농도 프로파일 측정방법에 대한 흐름도.

Claims (15)

  1. 반도체 확산 영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법에 있어서, 상기 확산영역의 표면에 복수의 전극을 형성하는 공정, 상기 확산영역의 상기 표면을 주어진 양만큼 에칭하는 공정, 상기 전극을 사용하여 상기 확산 영역의 상기 에칭된 표면의 시이트 저항 및 홀저항 중 하나 이상을 측정하는 공정, 상기 시이트 저항 및 홀저항 중 하나의 상기 측정치를 대응하는 불순물 농도로 변환하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 확산 영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  2. 제1항에 있어서, 적어도 상기 에칭공정 및 상기 측정공정은 상기 확산 영역의 상이한 부분에 대해 주기적인 순서로 복수회 반복되는 것을 특징으로 하는 반도체 확산 영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반복되는 에칭공정은 깊이방향으로 정렬된 상기 확산영역의 제1부분들에 대한 복수의 연속적인 에칭과, 상기 깊이방향으로 정렬된 상기 확산영역의 제2부분들에 대한 복수의 후속하여 연속적인 에칭을 포함하고, 상기 제2부분들은 상기 확산영역의 상기 표면에 나란한 방향으로 상기 제1부분들에 근접하는 것을 특징으로 하는 반도체 확산영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전극형성 공정전에 마스크 패턴을 형성하는 공정을 또한 포함하고, 상기 마스크 패턴은 상기 전극용 및 상기 제1부분용 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 확산 영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2영역중 하나는 마스크 패턴의 이온 밀링에 의해 상기 마스크 패턴으로 부터 노출되는 것을 특징으로 하는 반도체 확산영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  6. 제1항에 있어서, 불순물 이온을 주입하고 확산시켜 확산층을 형성하는 공정을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 확산 영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 이온 주입시 상기 불순물 이온의 에너지 비정보다 큰 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 확산 영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  8. 반도체 확산 영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법에 있어서, 상기 확산영역의 표면에 복수의 전극을 형성하는 공정, 비활성 이온을 상기 확산영역의 일부에 주입하는 공정, 상기 전극을 사용하여 상기 확산영역의 상기 에칭된 표면의 시이트 저항 및 홀저항 중 하나 이상을 측정하는 공정, 상기 시이트 저항 및 홀저항 중 하나의 상기 측정치를 대응하는 불순물 농도로 변환하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 확산영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  9. 제8항에 있어서, 적어도 상기 주입공정 및 상기 측정공정은 주기적인 순서로 복수회 반복되는 것을 특징으로 하는 반도체 확산 영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 반복되는 주입공정은 깊이 방향으로 정렬된 상기 확산영역에 제1부분들에 대한 복수의 연속적인 주입과, 상기 깊이방향으로 정렬된 상기 확산영역의 제2부분들에 대한 복수의 후속하여 연속적인 주입을 포함하고, 상기 제2부분들은 상기 확산영역의 상기 표면에 나란한 방향으로 상기 제1부분들에 근접하는 것을 특징으로 하는 반도체 확산영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전극형성 공정전에 절연막으로 이루어진 마스크 패턴을 형성하는 공정을 또한 포함하고, 상기 마스크 패턴은 상기 전극용 및 상기 제1부분용 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 확산영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2영역중 하나는 마스크 패턴의 이온 밀링에 의해 상기 마스크 패턴으로 부터 노출되는 것을 특징으로 하는 반도체 확산영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  13. 제8항에 있어서, 불순물 이온을 주입하고 확산시켜 확산층을 형성하는 공정을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 확산 영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 이온 주입시 상기 불순물 이온의 에너지 비정보다 큰 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 확산 영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
  15. 제8항에 있어서, 상기 비활성 이온은 Ga 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 확산 영역에 대한 불순물 농도 프로파일 측정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960013326A 1995-04-27 1996-04-27 불순물 농도 프로파일 측정방법 KR100193402B1 (ko)

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