KR920020666A - 테스트 패턴 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제조공정 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 측면확산 측정 참고도.
Claims (2)
- 실린콘기판에 소징두께의 산화막을 힝성하는 단계, 상기 산화막상에 포토/에치공정을 실시하여 중앙부위의 소정폭만큼을 제거하는 단계, 상기 산화막이 제거된 부위에 소정형의 이온을 주입하고 드라이브인 공정을 실시하여 상기 이온을 실리콘 기판내에 확산시킴으로써 이온 확산층을 형성하는 단계, 전체적으로 도우프된 폴리실리콘막을 증착하고 상기 산화막의 표면을 앤드 포인트로 에치하여 상기 산화막이 제거된 부위에만 도우프된 폴리실리콘막을 남기는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 테스트 패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 약 1500Å두께로 형성하고 중앙부위를 약 0.3μm정도 제거하는 것을 특징으로 하는 테스트 패턴 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005773A KR940003564B1 (ko) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 테스트 패턴 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005773A KR940003564B1 (ko) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 테스트 패턴 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920020666A true KR920020666A (ko) | 1992-11-21 |
| KR940003564B1 KR940003564B1 (ko) | 1994-04-23 |
Family
ID=19313112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910005773A KR940003564B1 (ko) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 테스트 패턴 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940003564B1 (ko) |
-
1991
- 1991-04-11 KR KR1019910005773A patent/KR940003564B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940003564B1 (ko) | 1994-04-23 |
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