KR960035092A - 다층 도전막, 및 이것을 사용한 투명 전극판 및 액정표시장치 - Google Patents

다층 도전막, 및 이것을 사용한 투명 전극판 및 액정표시장치 Download PDF

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Abstract

본 다층 도전막은 은기재 금속재료로 형성된 은기재 층을 가지고 있다.
은기재 층의 한쪽 표면에는 제1투명 산화물 층이 구비되며 은기재 층의 다른쪽 표면에는 제2투명 산화물층이 구비된다. 제1 및 제2투명 산화물 층은 산화인듐과 실질적으로 금속원소가 은에 대한 고용성을 갖지 않는 적어도 하나의 2차 금속산화물의 혼합산화물 재료로 독립적으로 형성된다.

Description

다층 도전막, 및 이것을 사용한 투명 전극판 및 액정표시장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 다층 도전막을 적용할 수 있는 투명형 액정표시장치를 나타내고, 제4도는 본 발명의 다층도전막을 적용할 수 있는 반사형 액정표시장치를 나타낸다.

Claims (16)

  1. 은기재 금속재료로 형성되고 제1 및 제2표면을 갖는 은기재 층, 상기 은기재 층의 상기 제1표면에 구비된 제1투명 산화물 층, 및 상기 은기재 층의 상기 제2표면에 구비된 제2투명 산화물 층으로 이루어지며, 상기 제1 및 제2투명 산화물 층은 산화인듐과 실질적으로 금속원소가 은에 대한 고용성을 갖지 않는 적어도 하나의 2차 금속산화물의 혼합산화물 재료로 독립적으로 형성되는 다층 도전막.
  2. 제1항에 있어서, 실질적으로 은에 대한 고용성을 갖지 않는 상기 금속원소는 티탄, 지르코늄, 탄탈, 니오븀, 하프늄, 세륨, 비스무트, 게르마늄, 규소, 크롬, 및 이들 원소의 두가지 이상의 조합물로 구성되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다층 도전막.
  3. 제1항에 있어서, 실질적으로 은에 대한 고용성을 갖지 않는 상기 금속원소는 상기 인듐을 합한 총 원자량의 5 내지 50원자%를 차지하는 것을 특징으로 하는 다층 도전막.
  4. 제1항에 있어서, 상기 은기재 금속재료는 은 이동을 방지하는 다른 원소와 은의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층 도전막.
  5. 제4항에 있어서, 상기 다른 원소는 알루미늄, 구리, 니켈, 카드뮴, 금, 아연, 마그네슘, 및 이들 원소의 두가지 이상의 조합물로 구성되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다층 도전막.
  6. 제4항에 있어서, 상기 다른 원소는 주석, 인듐, 티탄, 세륨, 규소, 및 이들 원소의 두가지 이상의 조합물로 구성되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다층 도전막.
  7. 제1항에 있어서, 상기 은기재 층은 두께가 2 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 다층 도전막.
  8. 제7항의 다층 도전막을 투명 기판상에 구비하여 이루어지는 투명 전극판.
  9. 제8항에 있어서, 상기 은기재 금속재료는 구리 및/또는 금 0.1 내지 3원자%를 함유하는 것을 특징으로 하는 투명 전극판.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2투명 산화물 층은 굴절률이 2.1 이상인 것을 특징으로 하는 투명 전극판.
  11. 제10항에 있어서, 실질적으로 은에 대한 고용성을 갖지 않는 상기 금속원소는 세륨, 티탄, 지르코늄, 하프늄, 탄탈, 및 이들 원소의 두가지 이상의 조합물로 구성되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 투명 전극판.
  12. 제10항에 있어서, 실질적으로 은에 대한 고용성을 갖지 않는 상기 금속원소는 세륨 또는 티탄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 전극판.
  13. 제8항에 있어서, 상기 다층 도전막은 폭50nm 이하의 최소 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 전극판.
  14. 관찰자측 전극판, 이 관찰자측 전극판에 대향하여 배열된 배면측 전극판, 및 이들 전극판 사이에 밀봉된 액정재료로 이루어지며, 상기 전극판중의 적어도 하나는 제8항에 따른 투명 전극판으로 구성되는 액정표시장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 은기재 층은 두께가 50nm 이상인 것을 특징으로 하는 다층 도전막.
  16. 투명 전극이 구비된 관찰자측 전극판, 광반사 전극이 구비되고 상기 관찰자측 전극판에 대향하여 배열된 배면측 전극판, 및 이들 전극판 사이에 밀봉된 액정재료로 이루어지며, 상기 광반사 전극은 제15항의 다층 도전막으로 구성되는 액정표시장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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TW (1) TW496985B (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100796745B1 (ko) * 2000-10-26 2008-01-22 삼성전자주식회사 배선 및 그 형성 방법과 배선을 포함하는 박막 트랜지스터기판 및 그 제조 방법
KR20170021618A (ko) 2015-08-18 2017-02-28 고려대학교 산학협력단 IGZO/Ag/IGZO 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명 전극 및 그 제조방법
KR20170021619A (ko) 2015-08-18 2017-02-28 고려대학교 산학협력단 AZO/Ag/AZO 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명 전극 및 그 제조방법
KR20170024751A (ko) 2015-08-26 2017-03-08 고려대학교 산학협력단 TiO2/Ag/TiO2 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명 전극 및 그 제조방법

Families Citing this family (126)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7202497B2 (en) * 1997-11-27 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4014710B2 (ja) * 1997-11-28 2007-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
TW409261B (en) * 1998-01-13 2000-10-21 Toppan Printing Co Ltd A electrode plate with transmission-type or reflection-type multilayer electroconductive film, and the process for producing the electrode plate
US6379509B2 (en) 1998-01-20 2002-04-30 3M Innovative Properties Company Process for forming electrodes
US6262697B1 (en) * 1998-03-20 2001-07-17 Eastman Kodak Company Display having viewable and conductive images
CN1138173C (zh) * 1998-04-08 2004-02-11 精工爱普生株式会社 液晶装置及电子装置
EP1183570A1 (en) 1999-05-14 2002-03-06 3M Innovative Properties Company Ablation enhancement layer
US6753047B1 (en) * 1999-06-10 2004-06-22 Ppg Industries Ohio, Inc. Electrodes for liquid crystal cells
WO2001048764A1 (fr) * 1999-12-28 2001-07-05 Tdk Corporation Film conducteur transparent et son procede de production
US6652981B2 (en) * 2000-05-12 2003-11-25 3M Innovative Properties Company Etching process for making electrodes
JP3384397B2 (ja) * 2000-05-25 2003-03-10 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、その製造方法および電子機器
JP3384398B2 (ja) 2000-05-25 2003-03-10 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、その製造方法および電子機器
EP1213599A3 (en) * 2000-12-07 2004-08-18 Furuya Metal Co., Ltd. Heat resistant reflecting layer
KR100379824B1 (ko) * 2000-12-20 2003-04-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판
KR100776505B1 (ko) * 2000-12-30 2007-11-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 화소전극 제조 방법
US20020110673A1 (en) * 2001-02-14 2002-08-15 Ramin Heydarpour Multilayered electrode/substrate structures and display devices incorporating the same
US6762124B2 (en) 2001-02-14 2004-07-13 Avery Dennison Corporation Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure
KR100750922B1 (ko) * 2001-04-13 2007-08-22 삼성전자주식회사 배선 및 그 제조 방법과 그 배선을 포함하는 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US6727970B2 (en) 2001-06-25 2004-04-27 Avery Dennison Corporation Method of making a hybrid display device having a rigid substrate and a flexible substrate
US6856086B2 (en) * 2001-06-25 2005-02-15 Avery Dennison Corporation Hybrid display device
JP4234006B2 (ja) * 2001-07-17 2009-03-04 出光興産株式会社 スパッタリングターゲットおよび透明導電膜
JP4634673B2 (ja) * 2001-09-26 2011-02-16 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US6962756B2 (en) * 2001-11-02 2005-11-08 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Transparent electrically-conductive film and its use
KR100825102B1 (ko) * 2002-01-08 2008-04-25 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100491931B1 (ko) * 2002-01-25 2005-05-30 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 반사 필름, 반사형 액정 표시소자 및 상기 반사 필름을형성하기 위한 스퍼터링 타겟
US20030168431A1 (en) * 2002-02-25 2003-09-11 Ritdisplay Corporation Etchant composition for silver alloy
US20030206256A1 (en) * 2002-05-06 2003-11-06 Drain Kieran F. Display device with backlight
EP1501671A4 (en) * 2002-05-08 2007-03-21 Target Technology Co Llc SILVER ALLOY THIN FILM REFLECTOR AND TRANSPARENT ELECTRICAL CONDUCTOR
US7566360B2 (en) * 2002-06-13 2009-07-28 Cima Nanotech Israel Ltd. Nano-powder-based coating and ink compositions
US7736693B2 (en) * 2002-06-13 2010-06-15 Cima Nanotech Israel Ltd. Nano-powder-based coating and ink compositions
US7601406B2 (en) * 2002-06-13 2009-10-13 Cima Nanotech Israel Ltd. Nano-powder-based coating and ink compositions
US6811815B2 (en) 2002-06-14 2004-11-02 Avery Dennison Corporation Method for roll-to-roll deposition of optically transparent and high conductivity metallic thin films
US7217344B2 (en) * 2002-06-14 2007-05-15 Streaming Sales Llc Transparent conductive film for flat panel displays
KR101002537B1 (ko) * 2002-08-02 2010-12-17 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟, 소결체, 이들을 사용하여 제조한 도전막,유기 el 소자, 및 이것에 사용하는 기판
JP2004145095A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP3841040B2 (ja) * 2002-10-25 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US20040121146A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Xiao-Ming He Composite barrier films and method
WO2004066354A2 (en) * 2003-01-16 2004-08-05 Target Technology Company, Llc Photo-voltaic cells including solar cells incorporating silver-alloy reflective and/or transparent conductive surfaces
US20070037402A1 (en) * 2003-02-05 2007-02-15 Kazuyoshi Inoue Method for manufacturing semi-transparent semi-reflective electrode substrate, reflective element substrate, method for manufacturing same, etching composition used for the method for manufacturing the reflective electrode substrate
US20060075849A1 (en) * 2003-02-10 2006-04-13 Marcus Verschuuren Composition comprising silver metal particles and a metal salt
JP4062171B2 (ja) 2003-05-28 2008-03-19 ソニー株式会社 積層構造の製造方法
JP2005011793A (ja) * 2003-05-29 2005-01-13 Sony Corp 積層構造の製造方法および積層構造、表示素子ならびに表示装置
US6950157B2 (en) * 2003-06-05 2005-09-27 Eastman Kodak Company Reflective cholesteric liquid crystal display with complementary light-absorbing layer
US7417264B2 (en) 2003-12-22 2008-08-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Top-emitting nitride-based light emitting device and method of manufacturing the same
KR100624416B1 (ko) 2003-12-23 2006-09-18 삼성전자주식회사 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
US8038857B2 (en) * 2004-03-09 2011-10-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Thin film transistor, thin film transistor substrate, processes for producing the same, liquid crystal display using the same, and related devices and processes; and sputtering target, transparent electroconductive film formed by use of this, transparent electrode, and related devices and processes
KR20050091291A (ko) * 2004-03-11 2005-09-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
US20050237473A1 (en) * 2004-04-27 2005-10-27 Stephenson Stanley W Coatable conductive layer
US20060062898A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Eastman Kodak Company Method of making a display sheet comprising discontinuous stripe coating
US20090002621A1 (en) * 2004-10-07 2009-01-01 Ryoji Minakata Transparent Electrode and Liquid Crystal Display Device Provided With the Same
CN100446079C (zh) * 2004-12-15 2008-12-24 日本电气株式会社 液晶显示装置、其驱动方法及其驱动电路
US7630029B2 (en) * 2005-02-16 2009-12-08 Industrial Technology Research Institute Conductive absorption layer for flexible displays
CN101142519B (zh) * 2005-03-18 2011-06-15 富士通株式会社 显示元件
US7557875B2 (en) * 2005-03-22 2009-07-07 Industrial Technology Research Institute High performance flexible display with improved mechanical properties having electrically modulated material mixed with binder material in a ratio between 6:1 and 0.5:1
US8218120B2 (en) * 2005-03-31 2012-07-10 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7564528B2 (en) * 2005-05-20 2009-07-21 Industrial Technology Research Institute Conductive layer to reduce drive voltage in displays
DE102005027961A1 (de) * 2005-06-16 2007-01-04 Siemens Ag Semitransparente Multilayer-Elektrode
KR101168729B1 (ko) * 2005-08-16 2012-07-26 삼성전자주식회사 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법
KR20070040027A (ko) * 2005-10-11 2007-04-16 삼성전자주식회사 표시패널용 어레이 기판, 이의 제조 방법, 이를 갖는표시패널 및 이를 갖는 액정표시장치
JP4805648B2 (ja) * 2005-10-19 2011-11-02 出光興産株式会社 半導体薄膜及びその製造方法
JP5165379B2 (ja) * 2005-11-21 2013-03-21 出光興産株式会社 透明導電膜並びにそれを用いた基板、電子機器及び液晶表示装置
US20070159574A1 (en) * 2006-01-06 2007-07-12 Eastman Kodak Company Common transparent electrode for reduced voltage displays
KR100833489B1 (ko) * 2006-02-21 2008-05-29 한국전자통신연구원 실리콘 나노 점을 이용한 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
WO2007117004A1 (ja) * 2006-04-07 2007-10-18 Nippon Sheet Glass Company, Limited 光輝性顔料およびその製造方法、該光輝性顔料を含む化粧料、塗料、インク、または樹脂組成物
US7507449B2 (en) 2006-05-30 2009-03-24 Industrial Technology Research Institute Displays with low driving voltage and anisotropic particles
US7754295B2 (en) 2006-06-29 2010-07-13 Industrial Technology Research Institute Single substrate guest-host polymer dispersed liquid crystal displays
US8339031B2 (en) * 2006-09-07 2012-12-25 Saint-Gobain Glass France Substrate for an organic light-emitting device, use and process for manufacturing this substrate, and organic light-emitting device
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080302414A1 (en) * 2006-11-02 2008-12-11 Den Boer Willem Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
JP5261397B2 (ja) 2006-11-17 2013-08-14 サン−ゴバン グラス フランス 有機発光素子用の電極、その酸エッチング、及び、それを組み込んだ有機発光素子
US8334452B2 (en) 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
FR2913146B1 (fr) * 2007-02-23 2009-05-01 Saint Gobain Electrode discontinue, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et leurs fabrications
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
KR100813854B1 (ko) * 2007-04-23 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
US20080308146A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8498464B2 (en) * 2007-09-27 2013-07-30 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Intrinsic co-registration for modular multimodality medical imaging systems
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
FR2924274B1 (fr) 2007-11-22 2012-11-30 Saint Gobain Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication
FR2925981B1 (fr) 2007-12-27 2010-02-19 Saint Gobain Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant.
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090316060A1 (en) 2008-06-18 2009-12-24 3M Innovative Properties Company Conducting film or electrode with improved optical and electrical performance
KR101352118B1 (ko) * 2008-08-08 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시장치 및 이의 제조방법
FR2936358B1 (fr) 2008-09-24 2011-01-21 Saint Gobain Procede de fabrication d'un masque a ouvertures submillimetriques pour grille electroconductrice submillimetrique, masque a ouverture submillimetriques, grille electroconductrice submillimetrique.
JP4642891B2 (ja) * 2008-09-25 2011-03-02 株式会社シンクロン 光学フィルターの製造方法
FR2936362B1 (fr) 2008-09-25 2010-09-10 Saint Gobain Procede de fabrication d'une grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une grille surgrille, grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une surgrille
US8022291B2 (en) * 2008-10-15 2011-09-20 Guardian Industries Corp. Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
FR2944145B1 (fr) 2009-04-02 2011-08-26 Saint Gobain Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee
US9581870B2 (en) 2009-08-13 2017-02-28 3M Innovative Properties Company Conducting film or electrode with improved optical and electrical performance for display and lighting devices and solar cells
KR20110020055A (ko) * 2009-08-21 2011-03-02 엘지이노텍 주식회사 백라이트 유닛
DE102009051796A1 (de) * 2009-11-03 2011-05-05 Kramer & Best Process Engineering Gmbh Thermisch belastbares Schichtsystem
US20110168252A1 (en) * 2009-11-05 2011-07-14 Guardian Industries Corp. Textured coating with etching-blocking layer for thin-film solar cells and/or methods of making the same
US8502066B2 (en) * 2009-11-05 2013-08-06 Guardian Industries Corp. High haze transparent contact including insertion layer for solar cells, and/or method of making the same
US20110186120A1 (en) * 2009-11-05 2011-08-04 Guardian Industries Corp. Textured coating with various feature sizes made by using multiple-agent etchant for thin-film solar cells and/or methods of making the same
JP5257372B2 (ja) * 2009-11-30 2013-08-07 住友金属鉱山株式会社 酸化物蒸着材と透明導電膜および太陽電池
FR2955575B1 (fr) 2010-01-22 2012-02-24 Saint Gobain Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat.
ES2364309B1 (es) * 2010-02-19 2012-08-13 Institut De Ciencies Fotoniques, Fundacio Privada Electrodo transparente basado en la combinación de óxidos, metales y óxidos conductores transparentes.
TW201240098A (en) * 2011-03-23 2012-10-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Reflective display and thin film transistor array substrate
US20130005139A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Guardian Industries Corp. Techniques for manufacturing planar patterned transparent contact and/or electronic devices including same
US8747959B2 (en) 2011-06-30 2014-06-10 Guardian Industries Corp. Planar patterned transparent contact, devices with planar patterned transparent contacts, and/or methods of making the same
US8860135B2 (en) 2012-02-21 2014-10-14 United Microelectronics Corp. Semiconductor structure having aluminum layer with high reflectivity
US20150093500A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 Intermolecular, Inc. Corrosion-Resistant Silver Coatings with Improved Adhesion to III-V Materials
KR102099970B1 (ko) 2013-11-01 2020-04-10 삼성전자주식회사 투명 전도성 박막
KR102341963B1 (ko) 2014-05-23 2021-12-22 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시건 광전자 및 광자 공학 응용을 위한 도핑된 귀금속 초박막
US10197522B2 (en) * 2015-03-18 2019-02-05 Materion Corporation Multilayer constructs for metabolite strips providing inert surface and mechanical advantage
US10378098B2 (en) 2015-03-18 2019-08-13 Materion Corporation Methods for optimized production of multilayer metal/transparent conducting oxide (TCO) constructs
KR20170040863A (ko) 2015-10-05 2017-04-14 삼성디스플레이 주식회사 투광성 도전막 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
CN105845752B (zh) * 2016-04-04 2017-07-11 广州新视界光电科技有限公司 一种应用于柔性光电器件的透明导电薄膜及其制备方法
JP2018147486A (ja) * 2017-03-06 2018-09-20 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. 電極接続構造物、タッチセンサー及び画像表示装置
CN106814513A (zh) * 2017-04-01 2017-06-09 深圳市华星光电技术有限公司 Ips型阵列基板及液晶显示面板
US10987902B2 (en) 2017-07-10 2021-04-27 Guardian Glass, LLC Techniques for laser ablation/scribing of coatings in pre- and post-laminated assemblies, and/or associated methods
US11148228B2 (en) 2017-07-10 2021-10-19 Guardian Glass, LLC Method of making insulated glass window units
KR102106817B1 (ko) * 2018-10-30 2020-05-14 재단법인대구경북과학기술원 색순도 조절 다층 구조 필터 및 이의 제조 방법
KR20210095259A (ko) 2020-01-22 2021-08-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
IT202000012613A1 (it) * 2020-05-27 2021-11-27 3Sun S R L Cella solare e modulo di celle solari
KR102464780B1 (ko) * 2020-09-02 2022-11-09 주식회사 에스앤에스텍 도전막을 구비하는 블랭크마스크 및 이를 이용하여 제작된 포토마스크
DE102021106874A1 (de) 2021-03-19 2022-09-22 Mundorf Eb Gmbh Silber-Kupfer-Gold-Legierung
KR102667756B1 (ko) * 2021-10-18 2024-05-20 성균관대학교산학협력단 고분자 보호층을 포함하는 다층 투명 전극 및 이의 제조방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4166876A (en) * 1977-03-28 1979-09-04 Teijin Limited Transparent, electrically conductive laminated structure and process for production thereof
JPS60120575A (ja) * 1983-12-05 1985-06-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US4734174A (en) * 1986-12-17 1988-03-29 Polaroid Corporation Electrochemical formation of thin-film electrodes
JPH02124748A (ja) * 1988-07-27 1990-05-14 Nippon Sheet Glass Co Ltd 熱線反射性合せ板
EP0467955A1 (en) * 1989-04-11 1992-01-29 CPFilms, Inc. Transparent conductive coatings
JP3226953B2 (ja) * 1991-02-14 2001-11-12 旭硝子株式会社 積層ガラス構造
JPH04340522A (ja) * 1991-05-16 1992-11-26 Mitsui Toatsu Chem Inc 透明導電性フィルム
DE4239355A1 (de) * 1992-11-24 1994-05-26 Leybold Ag Transparentes Substrat mit einem transparenten Schichtsystem und Verfahren zur Herstellung eines solchen Schichtsystems

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100796745B1 (ko) * 2000-10-26 2008-01-22 삼성전자주식회사 배선 및 그 형성 방법과 배선을 포함하는 박막 트랜지스터기판 및 그 제조 방법
KR20170021618A (ko) 2015-08-18 2017-02-28 고려대학교 산학협력단 IGZO/Ag/IGZO 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명 전극 및 그 제조방법
KR20170021619A (ko) 2015-08-18 2017-02-28 고려대학교 산학협력단 AZO/Ag/AZO 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명 전극 및 그 제조방법
KR20170024751A (ko) 2015-08-26 2017-03-08 고려대학교 산학협력단 TiO2/Ag/TiO2 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명 전극 및 그 제조방법

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