KR100796745B1 - 배선 및 그 형성 방법과 배선을 포함하는 박막 트랜지스터기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
절연 기판 위에 은 박막으로 이루어진 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있고, 은 박막의 표면 및 계면에는 은 합금막이 형성되어 있다. 그 위에 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층이 차례로 형성되어 있다. 저항성 접촉층 위에 은 박막으로 이루어진 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있고, 은 박막의 표면 및 계면에는 은 합금막이 형성되어 있다. 그 위에 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드를 각각 드러내는 접촉 구멍을 갖는 보호막이 형성되어 있고, 그 위에 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드가 형성되어 있다. 이때, 배선의 내부는 은 박막으로 형성되어 있어 배선의 저항을 줄일 수 있으며, 배선의 표면 및 계면에 은 합금막이 형성되어 있어 보호막에 드레인 전극 및 패드를 드러내는 접촉 구멍을 형성할 때와 소스 전극과 드레인 전극 사이의 저항성 접촉층을 제거할 때 은 박막이 식각되는 것을 방지할 수 있다.
은, 은 합금
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 배선에 사용되는 합금 원소의 녹는점과 확산 계수 값을 결정하기 위한 그래프를 도시한 것이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고,
도 3은 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ 선에 대한 단면도이고,
도 4a는 본 발명의 제1 실시예에 따라 제조하는 첫 단계에서의 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고,
도 4b는 도 4a에서 Ⅳb-Ⅳb 선에 대한 단면도이고,
도 5a는 도 4a 다음 단계에서의 배치도이고,
도 5b는 도 5a에서 Ⅴb-Ⅴb 선에 대한 단면도이고,
도 6a는 도 5a 다음 단계에서의 배치도이고,
도 6b는 도 6a에서 Ⅵb-Ⅵb 선에 대한 단면도이고,
도 7a는 도 6a 다음 단계에서의 배치도이고,
도 7b는 도 7a에서 Ⅶb-Ⅶb 선에 대한 단면도이고,
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고,
도 9는 도 8에서 Ⅸ-Ⅸ 선에 대한 단면도이고,
도 10a는 본 발명의 제2 실시예에 따라 제조하는 첫 단계에서의 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고,
도 10b는 도 10a에서 Ⅹb-Ⅹb 선에 대한 단면도이고,
도 11은 도 10b 다음 단계에서의 단면도이고,
도 12 내지 도 14는 도 11 다음 단계에서의 공정을 그 순서에 따라 차례로 도시한 단면도이고,
도 15a는 도 14 다음 단계에서의 배치도이고,
도 15b는 도 15a에서 XⅤb-XⅤb 선에 대한 단면도이고,
도 16a는 도 15a 다음 단계에서의 배치도이고,
도 16b는 도 16a에서 XⅥb-XⅥb 선에 대한 단면도이다.
본 발명은 배선 및 그 형성 방법과 배선을 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중의 하나로서, 전기장을 생성하는 다수의 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 두 기판 사 이의 액정층, 각각의 기판의 바깥 면에 부착되어 빛을 편광시키는 두 장의 편광판으로 이루어지며, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치의 한 기판에는 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 가지는 것이 일반적이며, 이러한 박막 트랜지스터 기판에는 박막 트랜지스터 외에도 게이트선과 외부로부터 신호를 인가받아 게이트선에 전달하는 게이트 패드 등을 포함하는 게이트 배선, 데이터선과 외부로부터 신호를 인가받아 데이터선으로 전달하는 데이터 패드 등을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다.
이러한 액정 표시 장치에서는 화면이 커질수록 배선이 길어지게 되고 배선을 통해 전달되는 신호의 지연이 발생한다. 이러한 신호의 지연을 줄이기 위해서 배선의 저항을 줄이는 것이 바람직하며, 이를 위해 배선의 재료로 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등과 같은 저저항 물질을 사용한다.
그러나, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 배선을 형성했을 때 다음과 같은 문제점이 있다. 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 게이트 배선으로 사용하면 게이트 패드의 알루미늄막이 ITO(indium tin oxide)와 접촉하는 부분에서 산화 또는 부식되어 접촉 특성이 불량해진다. 또한, 데이터 배선에 사용하면 하부의 비정질 규소층의 규소와 알루미늄막의 알루미늄이 반응함으로 인하여 접촉 부분의 저항이 높아지며 ITO 화소 전극과 연결되는 부분에서 접촉 특성이 불량해지는 문제점이 있다. 이를 해결하기 위해 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 단일층으로 형성하지 않고 이중층 이상으로 형성하는 방법이 제시되었으나, 공정 수가 많아 생산성 및 수율이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 내식성이 우수하며 저저항을 갖는 배선을 형성하는 것이다.
이러한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는 은 합금막을 증착한 후 확산시켜 은 박막으로 배선을 형성하고 배선의 표면 및 계면에 은 합금막을 형성한다.
본 발명에 따르면, 기판 위에 은 박막으로 이루어진 배선이 형성되어 있고, 배선의 표면과 계면에 은 합금막이 형성되어 있다. 배선을 덮으며 배선의 일부를 드러내는 접촉 구멍을 갖는 절연막이 형성되어 있고, 배선과 접촉하고 있는 도전층이 형성되어 있다.
여기서, 은 합금막은 적어도 하나 이상의 합금 원소를 포함하고, 합금 원소는 1.5 ×10-12㎠/sec 이상의 확산 계수를 가지고, 녹는점이 1500K 이하인 것이 바람직하며, 그 예로 Ac, Al, Sb, Ba, Cd, Ce, Cs, Cu, Eu, Ga, Ge, Au, In, La, Li, Mg, Mn, Nd, Np, Pu, Po, K, Pr, Pm, Ra, Rb, Se, Sm, Sc, Sn, Na, Sr, Tl, Te, Zn, Pb, Yb를 들 수 있다. 또한, 은 합금막에서 합금 원소가 차지하는 비율이 10at% 이하인 것이 바람직하다.
이러한 배선을 제조하기 위해서 먼저, 기판 위에 은 합금막을 증착하고 패터닝하여 배선을 형성하고, 절연막을 형성한다. 다음, 절연막을 패터닝하여 배선의 일부를 드러내는 접촉 구멍을 형성하고, 접촉 구멍을 통해 배선과 접촉하고 있는 도전층을 형성한다.
여기서, 은 합금막을 증착할 때와 절연막을 형성할 때, 은 합금막의 합금 원소가 배선의 표면 및 계면으로 확산하여 은 합금막을 형성하고 배선의 내부는 은 박막으로 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 접촉 구멍을 형성할 때 사용하는 기체는 CH2F2, CHF3 및 C4
F4 중의 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
이러한 배선의 구조를 적용한 박막 트랜지스터 기판에 대하여 설명한다. 먼저, 절연 기판 위에 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있고, 게이트 배선 위에 게이트 절연막이 형성되어 있다. 게이트 절연막 위에 반도체층이 형성되어 있고, 반도체층 위에 데이터선, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉 구멍을 갖는 보호막이 형성되어 있고, 제1 접촉 구멍을 통해 드레인 전극과 연결되는 화소 전극이 형성되어 있다. 여기서, 게이트 배선 및 데이터 배선 중의 적어도 하나는 은 박막으로 이루어져 있으며, 은으로 이루어진 배선의 표면 및 계면에는 적어도 하나 이상의 합금 원소를 포함하는 은 합금막이 형성되어 있다.
이때, 합금 원소는 1.5 ×10-12㎠/sec 이상의 확산 계수를 가지며, 합금 원소의 녹는점이 1500K 이하인 것이 바람직하며, 그 예로 Ac, Al, Sb, Ba, Cd, Ce, Cs, Cu, Eu, Ga, Ge, Au, In, La, Li, Mg, Mn, Nd, Np, Pu, Po, K, Pr, Pm, Ra, Rb, Se, Sm, Sc, Sn, Na, Sr, Tl, Te, Zn, Pb, Yb을 들 수 있다. 또한, 은 합금막에서 합금 원소가 차지하는 비율이 10at% 이하인 것이 바람직하다.
반도체층과 데이터 배선 사이에 저항성 접촉층이 더 형성되어 있을 수 있고, 데이터 배선과 저항성 접촉층은 동일한 평면적 모양을 가지며, 소스 전극 및 드레인 전극 사이를 제외하고 반도체층과 저항성 접촉층은 동일한 평면적 모양을 가질 수 있다.
한편, 게이트 배선은 게이트선에 연결되어 있는 게이트 패드를 더 포함하며, 데이터 배선은 데이터선에 연결되어 있는 데이터 패드를 더 포함하고, 보호막은 게이트 패드 및 데이터 패드를 각각 드러내는 제2 및 제3 접촉 구멍을 가지고 있으며, 화소 전극과 동일한 층으로 게이트 패드 및 데이터 패드와 각각 연결되는 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드가 더 형성되어 있을 수 있다.
이러한 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판을 제조할 때, 먼저 절연 기판 위에 은 합금막을 증착하고 패터닝하여 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 다음, 게이트 절연막을 형성하고, 반도체층을 형성한다. 다음, 은 합금막을 증착하고 패터닝하여 데이터선, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 다음, 보호막을 형성하고 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉 구멍을 형성한 후, 화소 전극을 형성한다. 여기서, 게이트 배선 및 상기 데이터 배선 중 적어도 어느 하나는 은 합금막의 증착 및 사진 식각 공정을 통하여 형성하며, 은 합금막을 증착할 때와 후속 공정에서 은 합금막의 합금 원소가 배선의 표면 및 계면으로 확산하여 은 합금막을 형성하고 배선의 내부는 은 박막으로 이루어지는 것이 바람직하다.
이때, 제1 접촉 구멍을 형성할 때 사용하는 기체는 CH2F2, CHF3 및 C4
F4 중에 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
한편, 데이터 배선 및 반도체층은 위치에 따라 두께가 다른 감광막 패턴을 이용한 사진 식각 공정으로 함께 형성할 수도 있다. 감광막 패턴은 제1 두께를 가지는 제1 부분, 제1 두께보다 두꺼운 제2 부분, 두께를 갖지 않으며 제1 및 제2 부분을 제외한 제3 부분을 포함하며, 감광막 패턴은 제1 영역, 제1 영역보다 낮은 투과율을 가지는 제2 영역 및 제1 영역보다 높은 투과율을 가지는 제3 영역을 포함하는 광마스크를 이용하여 형성하며, 감광막 패턴에서 제1 부분은 소스 전극과 드레인 전극 사이, 제2 부분은 데이터 배선 상부에 위치하도록 형성한다. 또한, 제1 내지 제3 영역의 투과율을 다르게 조절하기 위해 광마스크에 반투과막 또는 노광기의 분해능보다 작은 슬릿 패턴이 형성되어 있을 수 있다.
반도체층과 데이터 배선 사이에 저항성 접촉층을 더 형성할 수 있으며, 저항성 접촉층을 형성할 때 사용하는 기체는 CH2F2, CHF3 및 C4F
4 중의 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
데이터 배선을 형성한 후 열처리를 실시할 수도 있다.
반도체층, 저항성 접촉층 및 데이터 배선을 한 번의 사진 공정으로 형성할 수 있다.
이러한 본 발명에서는 배선을 은 박막과 같은 저저항 금속으로 형성하여 배 선의 저항을 줄일 수 있다. 또한, 은 박막의 표면과 계면에 확산으로 인한 은 합금막이 형성되어 있어 보호막에 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드를 드러내는 접촉 구멍을 형성할 때 은 박막으로 이루어진 드레인 전극과 패드가 식각되는 것을 방지하며, 소스 전극과 드레인 전극 사이의 저항성 접촉층을 제거할 때 은 박막으로 이루어진 데이터 배선이 식각되는 것을 방지할 수 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 배선 및 그 형성 방법과 배선을 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
반도체 소자, 특히 신호를 전달하는 배선으로는 신호의 지연을 최소화하기 위하여 낮은 비저항을 가지는 은과 같은 금속 물질이 적합하다. 이때, 배선은 외부로부터 신호를 받거나, 외부로 신호를 전달하기 위해 다른 도전층과 연결되어야 하는데, 제조 과정에서 다른 도전 물질과 접촉할 때 쉽게 부식되지 않아야 한다.
이를 위하여 본 발명의 실시예에 따른 배선은 다음과 같은 구조를 갖는 것이 바람직하다. 먼저, 기판 위에 저저항을 가지는 은 박막으로 이루어진 배선이 형성되어 있고, 배선의 표면과 계면에 은 합금막이 형성되어 있다. 배선 위에는 배선을 드러내는 접촉 구멍을 갖는 절연막이 형성되어 있으며 접촉 구멍을 통해 배선과 연결되는 도전층이 형성되어 있다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 배선을 형성하기 위해서, 먼저 기판 위에 은 합금막을 스퍼터링 따위의 방법으로 증착하고 패터닝하여 배선을 형성한다. 이 때, 은 합금막을 증착할 때의 온도에 의해 은 합금막의 합금 원소의 일부가 배선의 표면과 계면으로 확산하여 배선의 내부는 합금 원소의 함량이 낮은 은 박막으로 형성되며 배선의 표면과 계면에 은 합금막이 형성된다. 다음, 절연막을 증착하고 패터닝하여 배선을 드러내는 접촉 구멍을 형성하고 배선과 연결되는 도전층을 형성한다. 여기서, 절연막을 증착하는 온도에서 배선의 합금 원소가 표면과 계면으로 완전히 이동하게 되어 배선은 은 박막으로 이루어지며, 배선의 표면과 계면에 은 합금막이 형성된다.
여기서, 은 합금막은 절연막에 접촉 구멍을 형성할 때 사용하는 식각액 또는 식각 기체에서 은 박막으로 이루어진 배선이 식각되는 것을 방지하는 역할을 한다.
그러면, 은 합금막에서 합금 원소가 배선의 표면과 계면으로 확산하기에 적절한 합금 원소에 대하여 다음에서 설명한다.
본 발명에서는 은 합금막에서 합금 원소의 확산 속도와 녹는점이 매우 밀접한 관계가 있으며, 일정 온도에서 일정 두께의 은 합금막 내에서 합금 원소가 표면과 계면으로 충분히 이동하는 확산 속도를 계산하고 이를 토대로 녹는점을 결정하고 이에 대응되는 합금 원소를 결정하고자 한다.
합금 원소의 확산이 250℃에서 이루어진다고 했을 때, 합금 원소가 0.3㎛ 두께를 갖는 은 박막으로 이루어진 배선에서 10분 동안 이동하는 확산 거리(characteristic diffusion length : 
)는 수학식 1과 같다.
이때, D는 확산 계수를 나타내고, t는 확산 시간을 나타낸다.
수학식 1에 의해 D = 1.5 ×10-12㎠/sec이므로, 확산 계수가 이 수치 이상인 합금 원소를 선택하는 것이 바람직하다.
한편, 0.5 ×Tm (Tm은 합금 원소의 녹는점) 이하의 온도에서 입자 계면 확산이 전체 확산을 지배하므로, 온도(T)는 수학식 2와 같이 된다.
또한, 은과 같이 면심입방격자(FCC)의 결정 구조를 갖는 금속에서, 확산 계수(Db)는 다음의 수학식 3과 같다.
이러한 조건으로부터, 합금 원소가 가져야 하는 녹는점과 확산 계수값의 영역을 정할 수 있다.
도 1은 수학식 3을 그래프로 도시한 것으로, T에 523K(250℃)을 대입한 후 Tm 값에 따른 Db 값을 나타낸 것이다. 여기서, x축은 녹는점(Tm)이고, y축은 확산 계수(Db)이다.
도 1에서와 같이, 합금 원소가 1.5 ×10-12㎠/sec 이상의 확산 계수(Db)를 나타내기 위해서 녹는점(Tm)은 약 1500K(1227℃) 이하이어야 함을 알 수 있다.
1500K보다 낮은 녹는점을 갖는 원소의 예를 들어보면 다음과 같다.
Ac, Al, Sb, Ba, Cd, Ce, Cs, Cu, Eu, Ga, Ge, Au, In, La, Li, Mg, Mn, Nd, Np, Pu, Po, K, Pr, Pm, Ra, Rb, Se, Sm, Sc, Sn, Na, Sr, Tl, Te, Zn, Pb, Yb을 들 수 있다.
따라서, 이들 원소들과 은의 2원계 합금, 3원계 합금 및 4원계 합금이 가능하다. 이때, 은 합금막의 구성 비율은 합금 원소가 하나일 때는 합금 원소의 비율이 0.1at% 내지 10at%이 되도록 한다. 합금 원소가 두 개일 경우(Ag-a-b)에는 a와 b의 비율이 각각 0.1at% 
a
10at%, 0.1at%
b
10at%이고, 두 원소를 합쳤을 때 10at%를 넘지 않도록 한다. 합금 원소가 세 개일 경우(Ag-a-b-c)에는 a,b 및 c의 비율이 각각 0.1at% 
a
10at%, 0.1at%
b
10at%, 0.1at%
c
10at%이고, 세 원소를 합쳤을 때 10at%를 넘지 않도록 한다.
한편, 절연막에 접촉 구멍을 형성할 때 사용하는 식각 기체에서 은 박막에 손상을 주는 원소는 F(fluorin)이므로 F이 적은 CH2F2, CHF3 및 C4
F4 중에 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
이와 같이 은 박막과 표면 및 계면에 형성되어 있는 은 합금막으로 이루어진 배선은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 게이트 배선 또는 데이터 배선으로 사용될 수 있다.
그러면, 이러한 본 발명에 따른 배선을 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
먼저, 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 구조에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고, 도 3은 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 3에서와 같이, 절연 기판(10) 위에 은(Ag)과 같은 저저항 금속으로 이루어진 게이트 배선(21, 22, 23)이 형성되어 있다. 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(21), 게이트선(21)의 일부인 게이트 전극(22), 게이트선(21)의 끝에 연결되어 외부로부터 주사 신호를 인가받아 게이트선(21)으로 전달하는 게이트 패드(23)를 포함한다. 이때, 게이트 배선(21, 22, 23)을 이루는 은 박막의 표면과 계면이 은 합금막(28)으로 둘러싸여 있다. 이는 은 박막과 기판(10)이 직접 접촉하는 경우에 접착력이 좋지 않은데 계면에 형성되어 있는 은 합금막(28)으로 인해 접착력이 향상된다. 또한, 은 합금막(28)은 이후 게이트 패드(23)를 드러내는 접촉 구멍(73)을 형성할 때의 식각 공정에서 은 박막이 식각되는 것을 방지하는 역할을 한다.
여기서, 게이트 배선(21, 22, 23)은 크롬, 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 및 탄탈륨(Ta) 등의 단일막 또는 이중층이나 삼중층으로 형성될 수도 있다. 이중층 이상으로 형성하는 경우에는 한 층은 저항이 작은 물질로 형성하고 다른 층은 다른 물질과의 접촉 특성이 좋은 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
게이트 배선(21, 22, 23)은 질화규소(SiNX) 따위로 이루어진 게이트 절연막(30)으로 덮여 있다.
게이트 절연막(30) 위에는 비정질규소 따위의 반도체로 이루어진 반도체층(41)이 형성되어 있으며, 반도체층(41) 위에는 인(P)과 같은 n형 불순물이 도핑되어 있는 비정질규소 따위의 반도체로 이루어진 저항성 접촉층(52, 53)이 게이트 전극(22)을 중심으로 양쪽으로 분리되어 형성되어 있다.
게이트 절연막(30)과 저항성 접촉층(52, 53) 위에는 은과 같은 저저항 금속으로 이루어진 데이터 배선(61, 62, 63, 64)이 형성되어 있다. 데이터 배선은 세로 방향으로 뻗어 있는 데이터선(61), 데이터선(61)의 일부인 소스 전극(62), 게이트 전극(22)을 중심으로 소스 전극(62)과 마주하는 드레인 전극(63), 데이터선(61)에 연결되어 외부로부터 화상 신호를 인가받아 데이터선(61)에 전달하는 데이터 패드(64)를 포함한다. 이때, 게이트 배선(21, 22, 23)과 마찬가지로 데이터 배선(61, 62, 63, 64)을 이루는 은 박막의 표면과 계면은 은 합금막(68)으로 둘러싸여 있다. 은 합금막(68)은 이후 소스 전극(62)과 드레인 전극(63) 사이의 저항성 접촉층(51)을 제거할 때와 드레인 전극(63)과 데이터 패드(64)를 각각 드러내는 접촉 구멍(72, 74)을 형성할 때의 식각 공정에서 은 박막이 식각되는 것을 방지하는 역할을 한다.
데이터 배선(61, 62, 63, 64) 및 게이트 절연막(30) 위에는 질화규소로 이루 어진 보호막(70)이 형성되어 있다. 보호막(70)은 게이트 절연막(30)과 함께 게이트 패드(23)를 드러내는 접촉 구멍(73)을 가지고 있을 뿐만 아니라, 데이터 패드(64)를 드러내는 접촉 구멍(74)과 드레인 전극(63)을 드러내는 접촉 구멍(72)을 가지고 있다.
보호막(70) 위에는 ITO 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(80), 보조 게이트 패드(83) 및 보조 데이터 패드(84)가 형성되어 있다.
화소 전극(80)은 접촉 구멍(72)을 통하여 드레인 전극(63)과 연결되어 화상 신호를 전달받는다. 보조 게이트 패드(83)와 보조 데이터 패드(84)는 접촉 구멍(73, 74)을 통해 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)와 각각 연결되어 있으며, 이들은 패드(23, 64)와 외부 회로 장치와의 접착성을 보완하고 패드(23, 64)를 보호하는 역할을 한다.
이러한 구조를 갖는 박막 트랜지스터 기판에서, 게이트 배선(21, 22, 23) 및 데이터 배선(61, 62, 63, 64)을 은과 같은 저저항 금속으로 형성하여 배선의 저항을 줄일 수 있다. 또한, 배선의 표면과 계면에 은 합금막(28, 68)이 형성되어 있어 식각 공정으로부터 배선을 보호할 수 있다.
그러면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 도 4a 내지 도 7b, 앞서의 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.
먼저, 도 4a 및 도 4b에서와 같이, 절연 기판(10) 위에 은 합금막을 스퍼터링 따위의 방법으로 증착하고 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 게 이트선(21), 게이트 전극(22) 및 게이트 패드(23)를 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이때, 은 합금막은 앞서 설명한 바와 같이, 은을 주성분으로 하고 확산이 빠른 합금 원소로 이루어지는 것이 바람직하다. 게이트 배선(21, 22, 23)을 형성할 때 은 합금막으로 증착하지만, 증착하는 동안이나 이후 게이트 절연막(30)을 형성하는 공정에서의 열에 의해 합금 원소가 게이트 배선(21, 22, 23)의 표면과 계면으로 이동하여 게이트 배선(21, 22, 23) 내부는 은 박막으로 이루어지고 은 박막의 표면과 계면은 은 합금막(28)으로 형성된다.
다음, 도 5a 및 도 5b에서와 같이, 게이트 절연막(30), 비정질규소층 및 n형 불순물이 도핑된 비정질규소층을 화학 기상 증착법 따위를 이용하여 각각 1,500Å 내지 5,000Å, 500Å 내지 1,500Å 및 300Å 내지 600Å의 두께로 차례로 증착하고, 상부의 두 층을 사진 식각 공정으로 패터닝하여 반도체층(41) 및 저항성 접촉층(51)을 형성한다.
다음, 도 6a 및 도 6b에서와 같이, 은 합금막을 스퍼터링 따위의 방법으로 증착한 후 사진 식각 공정으로 패터닝하여 데이터선(61), 소스 전극(62), 드레인 전극(63) 및 데이터 패드(64)를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이때, 은 합금막은 앞서 설명한 바와 같이, 은을 주성분으로 하고 확산이 빠른 합금 원소로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 게이트 배선(21, 22, 23, 24)과 마찬가지로 데이터 배선(61, 62, 63, 64)을 형성할 때 은 합금막으로 증착하지만, 증착하는 동안이나 이후 보호막(70)을 형성하는 공정 또는 추가로 실시되는 열처리 공정에 의한 열에 의해 합금 원소가 데이터 배선(61, 62, 63, 64)의 표면과 계면으로 이동하여 데이 터 배선(61, 62, 63, 64)이 은 박막으로 이루어지고 은 박막의 표면과 계면이 은 합금막(68)으로 형성된다.
다음, 소스 전극(62)과 드레인 전극(63)으로 가리지 않은 저항성 접촉층(51)을 제거하여 두 부분(52, 53)으로 분리한다.
다음, 도 7a 및 도 7b에서와 같이, 질화규소를 화학 기상 증착법 따위를 이용하여 3,000Å 이상의 두께로 보호막(70)을 형성하고 사진 식각 공정으로 패터닝하여 접촉 구멍(72, 73, 74)을 형성한다.
다음, 앞서의 도 2 및 도 3에서와 같이, ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전 물질을 스퍼터링 따위의 방법으로 400Å 내지 500Å의 두께로 증착하고 사진 식각 공정으로 패터닝하여 화소 전극(80), 보조 게이트 패드(83) 및 보조 데이터 패드(84)를 형성한다.
한편, 은 합금막으로 게이트 배선(21, 22, 23) 및 데이터 배선(61, 62, 63, 64)을 형성하는 경우에, 소스 전극(62)과 드레인 전극(63) 사이의 저항성 접촉층(51)을 제거할 때와 보호막(70)에 접촉 구멍(72, 73, 74)을 형성할 때 사용하는 식각 기체에서 은 합금막의 손상을 가져오는 원소는 F이므로 F이 적은 식각 기체를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, CH2F2, CHF3 및 C4
F4 등과 같은 기체를 사용하는 것이 바람직하며, 저항성 접촉층(51)을 식각할 때는 이들 중 어느 한 기체와 Cl2 또는 HCl를 혼합한 기체를 사용하며, 보호막(70)에 접촉 구멍(72, 73, 74)을 형성할 때는 이들 중 어느 한 기체와 O2를 혼합한 기체를 사용한다.
이러한 방법은 앞에서 설명한 바와 같이, 다섯 번의 사진 식각 공정을 이용하는 제조 방법에 적용할 수 있지만, 네 번의 사진 식각 공정을 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서도 동일하게 적용할 수 있다. 이에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
먼저, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 구조에 대하여 상세히 설명한다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고, 도 9는 도 8에서 Ⅸ-Ⅸ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
먼저, 절연 기판(10) 위에 제1 실시예와 동일하게 은 박막으로 이루어진 게이트선(21), 게이트 전극(22) 및 게이트 패드(23)를 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있고, 게이트 배선(21, 22, 23)의 표면과 계면에는 은 합금막(28)이 형성되어 있다.
게이트 배선(21, 22, 23)은 질화규소 따위로 이루어진 게이트 절연막(30)으로 덮여 있다.
게이트 절연막(30) 위에는 비정질규소 따위의 반도체로 이루어진 반도체층(41)이 형성되어 있으며, 반도체층(41) 위에는 인과 같은 n형 불순물로 도핑되어 있는 비정질규소 따위로 이루어진 저항성 접촉층(52, 53)이 형성되어 있다.
저항성 접촉층(52, 53) 위에는 은 박막으로 이루어진 데이터선(61), 소스 전극(62), 드레인 전극(63) 및 데이터 패드(64)를 포함하는 데이터 배선(61, 62, 63, 64)이 형성되어 있다. 데이터 배선(61, 62, 63, 64)의 표면과 계면에는 은 합금막(68)이 형성되어 있다.
저항성 접촉층(52, 53)은 그 하부의 반도체층(41)과 그 상부의 데이터 배선(61, 62, 63, 64)의 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 하며, 데이터 배선(61, 62, 63, 64)과 동일한 평면적 모양을 가진다.
한편, 반도체층(41)은 박막 트랜지스터의 채널부(C)를 제외하면 데이터 배선(61, 62, 63, 64) 및 저항성 접촉층(52, 53)과 동일한 평면적 모양을 가진다.
데이터 배선(61, 62, 63, 64) 위에는 질화규소 따위로 이루어진 보호막(70)이 형성되어 있다.
보호막(70)은 드레인 전극(63) 및 데이터 패드(64)를 각각 드러내는 접촉 구멍(72, 74)을 가지고 있으며, 게이트 절연막(30)과 함께 게이트 패드(23)를 드러내는 접촉 구멍(73)을 가지고 있다.
보호막(70) 위에는 ITO 또는 IZO 따위의 투명한 도전 물질로 이루어져 있으며, 접촉 구멍(72, 73, 74)을 통하여 드레인 전극(63), 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)와 각각 연결되는 화소 전극(80), 보조 게이트 패드(83) 및 보조 데이터 패드(84)가 형성되어 있다.
그러면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 도 10a 내지 도 16b와 앞서의 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다.
먼저, 도 10a 및 10b에서와 같이, 기판(10) 위에 은을 주성분으로 하고 확산이 빠른 합금 원소로 이루어진 은 합금막을 증착하고 제1 실시예와 동일하게 제1 사진 식각 공정으로 패터닝하여 대부분이 은 박막으로 이루어진 게이트선(21), 게 이트 전극(22) 및 게이트 패드(23)를 포함하는 게이트 배선을 형성하고 배선의 표면과 계면에 은 합금막(28)을 형성한다. 이때, 게이트 배선(21, 22, 23) 내의 은 박막에 합금 원소가 남아 있을 수 있으며, 이는 이후 게이트 절연막(30)을 증착할 때 게이트 배선(21, 22, 23)의 표면 및 계면으로 확산된다.
다음, 도 11에서와 같이, 질화규소로 이루어진 게이트 절연막(30), 비정질규소층(40), 도핑된 비정질규소층(50)을 화학 기상 증착법을 이용하여 각각 1,500 Å 내지 5,000 Å, 500 Å 내지 1,500 Å, 300 Å 내지 600 Å의 두께로 차례로 증착하고, 은 합금막을 스퍼터링 등의 방법으로 증착한다. 이때, 은 합금막은 증착할 때의 온도에 의해 표면 및 계면으로 합금 원소가 확산하여 내부는 대부분이 은 박막(60)이고, 표면 및 계면은 은 합금막(68)으로 된다.
다음, 감광막(110)을 1 ㎛ 내지 2 ㎛의 두께로 도포한 후 위치에 따라 투과율이 다른 마스크(100)를 통하여 감광막(110)에 빛을 조사한 후 제2 사진 공정으로 현상하여 도 12에서와 같이, 감광막 패턴(112, 114)을 형성한다. 이때, 감광막 패턴(112, 114) 중에서 박막 트랜지스터의 채널부(C), 즉 소스 전극(62)과 드레인 전극(63) 사이에 위치한 제1 부분(114)은 데이터 배선부(A), 즉 데이터 배선(61, 62, 63, 64)이 형성될 부분에 위치한 제2 부분(112)보다 두께가 얇게 되도록 하며, 기타 부분(B)의 감광막은 모두 제거한다.
이와 같이, 위치에 따라 감광막의 두께를 달리하는 방법으로 여러 가지가 있을 수 있으며, C 영역의 빛 투과량을 조절하기 위하여 주로 슬릿(slit)이나 격자 형태의 패턴을 형성하거나 반투과막을 사용한다.
이때, 슬릿 사이에 위치한 패턴의 선폭이나 패턴 사이의 간격, 즉 슬릿의 폭은 노광시 사용하는 노광기의 분해능보다 작은 것이 바람직하며, 반투과막을 이용하는 경우에는 마스크를 제작할 때 투과율을 조절하기 위하여 다른 투과율을 가지는 박막을 이용하거나 두께가 다른 박막을 이용할 수 있다.
여기서, 감광막의 제1 부분(114)은 리플로우가 가능한 물질로 이루어진 감광막을 이용하고 빛이 완전히 투과할 수 있는 부분과 빛이 완전히 투과할 수 없는 부분으로 나뉘어진 통상적인 마스크로 노광한 다음 현상하고 리플로우시켜 감광막이 잔류하지 않는 부분으로 감광막의 일부를 흘러내리도록 함으로써 형성할 수도 있다.
다음, 감광막 패턴(114) 및 그 하부의 막들, 즉 은 합금막(68), 은 박막(60), 도핑된 비정질규소층(50) 및 비정질규소층(40)에 대한 식각을 진행한다. 이때, 데이터 배선부(A)에는 데이터 배선과 그 하부의 막들이 그대로 남아 있고, 채널부(C)에는 비정질규소층만 남아 있어야 하며, 나머지 부분(B)에는 게이트 절연막(30)이 드러나야 한다.
먼저, 도 13에서와 같이, 기타 부분(B)의 노출되어 있는 은 합금막(68) 및 은 박막(60)을 제거하여 그 하부의 도핑된 비정질규소층(50)을 노출시킨다. 이 과정에서 감광막 패턴(112, 114)은 거의 식각되지 않는 조건하에서 행하는 것이 좋다.
이렇게 하면, 채널부(C) 및 데이터 배선부(A)의 은 합금막(68) 및 은 박막(60)이 남고 기타 부분(B)에서는 모두 제거되어 그 하부의 도핑된 비정질규소 층(50)이 드러난다. 이때 남은 은 합금막(68) 및 은 박막(60)은 소스 및 드레인 전극(62, 63)이 분리되지 않고 연결되어 있는 점을 제외하면 데이터 배선(61, 62, 63, 64)의 형태와 동일하다.
다음, 도 14에서와 같이, 기타 부분(B)의 도핑된 비정질규소층(50) 및 그 하부의 비정질규소층(40)을 감광막의 제1 부분(114)과 함께 건식 식각 방법으로 동시에 제거한다. 이때의 식각은 감광막 패턴(112, 114)과 도핑된 비정질규소층(50) 및 비정질규소층(40)이 동시에 식각되며 게이트 절연막(30)은 식각되지 않는 조건하에서 행하여야 하며, 특히 감광막 패턴(112, 114)과 비정질규소층(40)에 대한 식각비가 거의 동일한 조건으로 식각하는 것이 바람직하다.
이렇게 하면, 채널부(C)의 제1 부분(114)이 제거되어 은 합금막(68)이 드러나고, 기타 부분(B)의 도핑된 비정질규소층(50) 및 비정질규소층(40)이 제거되어 그 하부의 게이트 절연막(30)이 드러난다. 한편, 데이터 배선부(A)의 제2 부분(112) 역시 식각되므로 두께가 얇아진다.
다음, 애싱(ashing)을 통하여 채널부(C)의 은 합금막(68) 표면에 남아 있는 감광막 찌꺼기를 제거한 후, 채널부(C)의 은 합금막(68)과 은 박막(60)을 제거한다.
다음, 채널부(C)의 은 합금막(68)과 은 박막(60)을 제거하고 감광막의 제2 부분(112)을 제거한 후, 열처리 공정을 실시하여 은 박막(60) 내의 합금 원소를 배선의 표면 및 계면으로 완전히 확산시킨다. 마지막으로, 채널부(C)의 도핑된 비정질규소층(51)을 식각하면, 도 15a 및 도 15b에서와 같이, 소스 전극(62)과 드레인 전극(63)이 분리되면서 데이터 배선(61, 62, 63, 64)과 그 하부의 저항성 접촉층(52, 53) 및 반도체층(41)이 완성된다. 여기서, 비정질규소층(51)을 식각할 때 은 박막은 표면 및 계면에 형성되어 있는 은 합금막에 의해 식각 공정으로부터 보호될 수 있다.
이와 같이 하여 데이터 배선(61, 62, 63, 64)을 형성한 후, 도 16a 및 16b에서와 같이 제1 실시예에서와 동일한 방법으로 질화규소를 화학 기상 증착법으로 증착하여 보호막(70)을 형성하고 제3 사진 식각 공정으로 패터닝하여 접촉 구멍(72, 73, 74)을 형성한다. 이때, 데이터 배선(61, 62, 63, 64)은 표면 및 계면에 은 합금막(68)이 형성되어 있어 식각 공정으로부터 보호될 수 있다.
마지막으로, 앞서의 도 8 및 도 9에서와 같이, 제1 실시예와 같은 방법으로 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전 물질을 스퍼터링 방법으로 400 Å 내지 500 Å 두께로 증착하고 제4 사진 식각 공정으로 패터닝하여 화소 전극(80), 보조 게이트 패드(83) 및 보조 데이터 패드(84)를 형성한다.
이러한 본 발명의 제2 실시예에서는 제1 실시예에 따른 효과뿐만 아니라 데이터 배선(61, 62, 63, 64)과 그 하부의 저항성 접촉층(52, 53) 및 반도체층(41)을 한 번의 사진 공정으로 형성하여 제조 공정을 단순화할 수 있다.
이와 같이 본 발명에서는 게이트 배선 및 데이터 배선을 은 박막과 같은 저저항 금속으로 형성하여 배선의 저항을 줄일 수 있다. 또한, 은 박막의 표면과 계면에 확산으로 인한 은 합금막이 형성되어 있어 보호막에 드레인 전극, 게이트 패 드 및 데이터 패드를 드러내는 접촉 구멍을 형성할 때 은 박막으로 이루어진 드레인 전극과 패드가 식각되는 것을 방지하며, 소스 전극과 드레인 전극 사이의 저항성 접촉층을 제거할 때 은 박막으로 이루어진 데이터 배선이 식각되는 것을 방지할 수 있다.
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- 기판 위에 은 합금막을 증착하고 패터닝하여 배선을 형성하는 단계,절연막을 형성하는 단계,상기 절연막을 패터닝하여 상기 배선의 일부를 드러내는 접촉 구멍을 형성하는 단계,상기 접촉 구멍을 통해 상기 배선과 접촉하고 있는 도전층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 은 합금막을 증착하는 단계 및 절연막을 형성하는 단계에서수식에 따라 구해진 확산 속도(
) 이상의 확산 속도를 갖는 물질로 이루어진 상기 은 합금막의 합금 원소가 상기 배선의 표면 및 계면으로 확산하여 은 합금막을 형성하고 상기 배선의 내부는 은 박막으로 이루어지는 배선의 형성 방법.
- 제6항에서,상기 접촉 구멍을 형성할 때 사용하는 기체는 CH2F2, CHF3 및 C4F 4 중에 어느 하나를 포함하는 배선의 형성 방법.
- 절연 기판,상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,상기 게이트 배선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층,상기 반도체층 위에 형성되어 있는 데이터선, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선,상기 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉 구멍을 갖는 보호막,상기 제1 접촉 구멍을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 포함하며,상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선 중의 적어도 하나는 은 박막으로 이루어져 있으며, 상기 은으로 이루어진 배선의 표면 및 계면에는수식에 따라 구해진 확산 속도(
) 이상의 확산 속도를 갖는 적어도 하나 이상의 합금 원소를 포함하는 은 합금막이 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판.
- 제8항에서,상기 합금 원소는수식에 의해 구해진 상기 합금 원소의 녹는점(Tm) 이하의 녹는점을 갖는 물질로 이루어지는 박막 트랜지스터 기판.
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- 제8항 또는 제9항에서,상기 합금 원소는 Ac, Al, Sb, Ba, Cd, Ce, Cs, Cu, Eu, Ga, Ge, Au, In, La, Li, Mg, Mn, Nd, Np, Pu, Po, K, Pr, Pm. Ra, Rb, Se, Sm, Sc, Sn, Na, Sr, Tl, Te, Zn, Pb, Yb인 박막 트랜지스터 기판.
- 제8항에서,상기 은 합금막에서 상기 합금 원소가 차지하는 비율이 10at% 이하인 박막 트랜지스터 기판.
- 제8항에서,상기 반도체층과 상기 데이터 배선 사이에 형성되어 있는 저항성 접촉층을 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
- 제13항에서,상기 데이터 배선과 상기 저항성 접촉층은 동일한 평면적 모양을 가지는 박막 트랜지스터 기판.
- 제13항에서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이를 제외하고 상기 반도체층과 상기 저항성 접촉층은 동일한 평면적 모양을 가지는 박막 트랜지스터 기판.
- 제8항에서,상기 게이트 배선은 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 패드를 더 포함하며, 상기 데이터 배선은 상기 데이터선에 연결되어 있는 데이터 패드를 더 포함하고,상기 보호막은 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드를 각각 드러내는 제2 및 제3 접촉 구멍을 가지고 있으며,상기 화소 전극과 동일한 층으로 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드와 각각 연결되는 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
- 절연 기판 위에 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계,게이트 절연막을 형성하는 단계,반도체층을 형성하는 단계,데이터선, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계,보호막을 형성하는 단계,상기 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉 구멍을 형성하는 단계,화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선 중 적어도 어느 하나는 은 합금막의 증착 및 사진 식각 공정을 통하여 형성하며, 상기 은 합금막을 증착하는 단계 및 후속 공정 단계에서수식에 따라 구해진 확산 속도(
) 이상의 확산 속도를 갖는 적어도 하나 이상의 상기 은 합금막의 합금 원소가 상기 배선의 표면 및 계면으로 확산하여 은 합금막을 형성하고 상기 배선의 내부는 은 박막으로 이루어지는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제17항에서,상기 제1 접촉 구멍을 형성할 때 사용하는 기체는 CH2F2, CHF3 및 C4 F4 중에 어느 하나를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제17항에서,상기 데이터 배선 및 상기 반도체층은 위치에 따라 두께가 다른 감광막 패턴을 이용한 사진 식각 공정으로 함께 형성하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제19항에서,상기 감광막 패턴은 제1 두께를 가지는 제1 부분, 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 부분, 두께를 갖지 않으며 상기 제1 및 제2 부분을 제외한 제3 부분을 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제20항에서,상기 감광막 패턴은 제1 영역, 상기 제1 영역보다 낮은 투과율을 가지는 제2 영역 및 상기 제1 영역보다 높은 투과율을 가지는 제3 영역을 포함하는 광마스크를 이용하여 형성하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제21항에서,상기 감광막 패턴에서 상기 제1 부분은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이, 상기 제2 부분은 상기 데이터 배선 상부에 위치하도록 형성하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제22항에서,상기 제1 내지 제3 영역의 투과율을 다르게 조절하기 위해 상기 광마스크에 반투과막 또는 노광기의 분해능보다 작은 슬릿 패턴이 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제17항에서,상기 반도체층과 상기 데이터 배선 사이에 저항성 접촉층을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제24항에서,상기 저항성 접촉층을 형성하는 단계에서 사용하는 기체는 CH2F2, CHF3 및 C4F4 중에 어느 하나를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제24항에서,상기 데이터 배선을 형성한 후 열처리를 실시하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제24항에서,상기 반도체층, 상기 저항성 접촉층 및 상기 데이터 배선을 한 번의 사진 공정으로 형성하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제17항에서,상기 게이트 배선은 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 패드를 더 포함하며, 상기 데이터 배선은 상기 데이터선에 연결되어 있는 데이터 패드를 더 포함하고,상기 보호막을 형성하는 단계에서 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드를 각각 드러내는 제2 및 제3 접촉 구멍을 형성하며,상기 화소 전극을 형성하는 단계에서 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드와 각각 연결되는 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
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