JPS60120575A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS60120575A JPS60120575A JP58229595A JP22959583A JPS60120575A JP S60120575 A JPS60120575 A JP S60120575A JP 58229595 A JP58229595 A JP 58229595A JP 22959583 A JP22959583 A JP 22959583A JP S60120575 A JPS60120575 A JP S60120575A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アモルファス珪素を含む非単結晶または単結
晶半導体上に、酸化インジュームまたは酸化スズを主成
分とする透光性導電膜（以下ＴＣＯという）と、その上
面にアルミニューム、銀、銅、マクネシューム、チタン
、ニッケルまたはクロムまたはこれらを主成分とする混
合物、化合物または多層状の導電性金属（以下側という
）と、その上面に昇華性絶縁膜（Ｓｕｂｌｉｍａｔｉｏ
ｎ Ｉｎ５ｕｌｕｃｔｏｒ以下Ｓｌという）である−酸
化珪素（ＳｉＯ）を主成分とした被膜との積層膜を設け
、この積層膜に溝状の開溝または穴状の開孔（以下単に
開溝という）をこの開溝またはその近傍にＣＭ、ＴＣＯ
等の残存物を存在させることなく形成させる半導体装置
に関する。
晶半導体上に、酸化インジュームまたは酸化スズを主成
分とする透光性導電膜（以下ＴＣＯという）と、その上
面にアルミニューム、銀、銅、マクネシューム、チタン
、ニッケルまたはクロムまたはこれらを主成分とする混
合物、化合物または多層状の導電性金属（以下側という
）と、その上面に昇華性絶縁膜（Ｓｕｂｌｉｍａｔｉｏ
ｎ Ｉｎ５ｕｌｕｃｔｏｒ以下Ｓｌという）である−酸
化珪素（ＳｉＯ）を主成分とした被膜との積層膜を設け
、この積層膜に溝状の開溝または穴状の開孔（以下単に
開溝という）をこの開溝またはその近傍にＣＭ、ＴＣＯ
等の残存物を存在させることなく形成させる半導体装置
に関する。
一般に、積層膜に対しレーザ光を照射して開溝を形成す
る（以下ＬＳという）際、下地をアモルファス珪素を含
む非単結晶または単結晶半導体としている。一般に１８
００〜２２００℃の高温照射が行われるパルスレーザ光
により、かかる半導体は照射に伴っていわゆるレーザア
ニール現象が起こり、照射された部分が多結晶化し結晶
粒の成長がおきる。
る（以下ＬＳという）際、下地をアモルファス珪素を含
む非単結晶または単結晶半導体としている。一般に１８
００〜２２００℃の高温照射が行われるパルスレーザ光
により、かかる半導体は照射に伴っていわゆるレーザア
ニール現象が起こり、照射された部分が多結晶化し結晶
粒の成長がおきる。
また、さらにレーザ出力が大きい場合はこの半導体も溶
融し、半導体内に開溝を形成させるとともに、その開講
またはその近傍には多結晶化した珪素と大気の酸素とが
反応した生成物が多量に残存しててしまう。
融し、半導体内に開溝を形成させるとともに、その開講
またはその近傍には多結晶化した珪素と大気の酸素とが
反応した生成物が多量に残存しててしまう。
しかし、本発明はかかる半導体自体の変質を防ぎ、かつ
この半導体上の導電膜をＴｃｏとＣＭとの２層膜とし、
この被膜を選択的にレーザ加工をするため導電膜に照射
される熱の外部への放散を防ぐとともに、レーザ光照射
により容易に昇華して除去されるＳｌを積層して形成し
、導電性被膜の電極形成を行うことを特徴としている。
この半導体上の導電膜をＴｃｏとＣＭとの２層膜とし、
この被膜を選択的にレーザ加工をするため導電膜に照射
される熱の外部への放散を防ぐとともに、レーザ光照射
により容易に昇華して除去されるＳｌを積層して形成し
、導電性被膜の電極形成を行うことを特徴としている。
本発明はこのレーザ加工により積層膜のそれで形成され
る開溝でさらにこの開溝下の半導体の表面またはその近
傍の非単結晶半導体内に１０００Å以下（半導体の厚さ
に比べて十分薄い厚さ）の絶縁化を施す領域を形成する
ことを特長としている。
る開溝でさらにこの開溝下の半導体の表面またはその近
傍の非単結晶半導体内に１０００Å以下（半導体の厚さ
に比べて十分薄い厚さ）の絶縁化を施す領域を形成する
ことを特長としている。
従来、半導体上の導体のレーザ加工を行う目的において
、まったく本発明のごとき構造を有せしめることが不可
能であった。
、まったく本発明のごとき構造を有せしめることが不可
能であった。
加えて、半導体上の電極用の導電膜がＴＣＯのみまたは
ＳＭである昇華性金属であり、かつ耐熱性を有し熱伝導
度の低いクロムのみにおいては、レーザ光照射で半導体
に対しても十分法＜ （０，５〜２μ）損傷または変質
をさせてしまい、この半導体の損傷なく導電性材料のみ
を分離して開溝を形成し、２つの領域を絶縁することは
まったく不可能であった。
ＳＭである昇華性金属であり、かつ耐熱性を有し熱伝導
度の低いクロムのみにおいては、レーザ光照射で半導体
に対しても十分法＜ （０，５〜２μ）損傷または変質
をさせてしまい、この半導体の損傷なく導電性材料のみ
を分離して開溝を形成し、２つの領域を絶縁することは
まったく不可能であった。
しかし半導体表面上に、ＴＣＯとその上面にクロムを主
成分とする被膜の２層膜を形成しこの２層膜にＬＳ処理
を行う場合において、半導体を損傷することな（開講を
形成することが初めて可能となった。
成分とする被膜の２層膜を形成しこの２層膜にＬＳ処理
を行う場合において、半導体を損傷することな（開講を
形成することが初めて可能となった。
しかしこのＴＣＯとクロムとの２層膜即ち前者が例えば
１０００人、後者が３００ＯＡの厚さにおいて、そのシ
ー１−抵抗が５〜７Ω／口と大きく、半導体装置の電極
として今−歩であった。また機械的にはクロムがきわめ
て固いため半導体にストレス、クランクを与えてしまう
という他の欠点もあった。
１０００人、後者が３００ＯＡの厚さにおいて、そのシ
ー１−抵抗が５〜７Ω／口と大きく、半導体装置の電極
として今−歩であった。また機械的にはクロムがきわめ
て固いため半導体にストレス、クランクを与えてしまう
という他の欠点もあった。
即ち、以下の項目の全てを満たす半導体装置がめられて
いた。
いた。
（１）シート抵抗は０．５Ω／口またはそれ以下である
こと、 （２）ＬＳ処理により半導体に損傷を与えないこと、（
３）電極−半導体界面の反応を誘発することなく長期信
頼性が保証されること、 （４）これらの全てを満たすマスクレスプロセス即ちレ
ーザスクライブプロセスによる半導体装置であること、 がめられていた。
こと、 （２）ＬＳ処理により半導体に損傷を与えないこと、（
３）電極−半導体界面の反応を誘発することなく長期信
頼性が保証されること、 （４）これらの全てを満たすマスクレスプロセス即ちレ
ーザスクライブプロセスによる半導体装置であること、 がめられていた。
本発明はかかる全てを満たし、また生産性を−Ｆげない
方法であって、実験的に初めて見し）だされたものであ
った。
方法であって、実験的に初めて見し）だされたものであ
った。
また本発明においては、被加工物を洗浄溶液に浸し、超
音波洗浄法で残存物を除去してしまうことにより、また
は洗浄と同時に絶縁膜を工・クランクすることによりＳ
ｉＯと開講の残存物とを溶去してこの開溝により隔てら
れていた２つの導電膜の抵抗を１０３Ω／ｃｍ （５０
〜１００μｒｌＪの開溝で１ｃｍあたり１０’Ωの意味
）以上の分離抵抗を有せしめたものである。以下に図面
に従って本発明の詳細をさらに説明する。
音波洗浄法で残存物を除去してしまうことにより、また
は洗浄と同時に絶縁膜を工・クランクすることによりＳ
ｉＯと開講の残存物とを溶去してこの開溝により隔てら
れていた２つの導電膜の抵抗を１０３Ω／ｃｍ （５０
〜１００μｒｌＪの開溝で１ｃｍあたり１０’Ωの意味
）以上の分離抵抗を有せしめたものである。以下に図面
に従って本発明の詳細をさらに説明する。
第１図は本発明の第１図（Ｃ）の本発明の半導体装置を
作るための作製工程を示す。
作るための作製工程を示す。
第１図（Ａ）に基板例えばガラス単結晶半導体、有機樹
脂、ステンレス等の金属基板（１）を有し、この上面に
公知のプラズマ気相反応法により水素化アモルファス珪
素等の非単結晶半導体（４）を例えば０．５μの厚さに
形成させた。
脂、ステンレス等の金属基板（１）を有し、この上面に
公知のプラズマ気相反応法により水素化アモルファス珪
素等の非単結晶半導体（４）を例えば０．５μの厚さに
形成させた。
この半導体は図面ではＮ型半導体（３’Ｈ型アモルファ
ス半導体（２）＜０．５μ）、Ｎ型微結晶化半導体（５
００Ａ）＜３＞とよりなる非単結晶半導体（４）として
いる。
ス半導体（２）＜０．５μ）、Ｎ型微結晶化半導体（５
００Ａ）＜３＞とよりなる非単結晶半導体（４）として
いる。
さらにこの上面に電子ビーム蒸着法により酸化スズまた
は酸化インジューム等の透光性導電膜［ＪちＩＴＯ（酸
化スズを１０重量％以下含有する酸化インジューム、即
ち、酸化インジュームを主成分とする透光性導電膜）（
５）を１００〜３０００人の厚さに形成し、さらにこの
上面にＣＭとしてのＡＩ、ＡＨ，Ｃｕ。
は酸化インジューム等の透光性導電膜［ＪちＩＴＯ（酸
化スズを１０重量％以下含有する酸化インジューム、即
ち、酸化インジュームを主成分とする透光性導電膜）（
５）を１００〜３０００人の厚さに形成し、さらにこの
上面にＣＭとしてのＡＩ、ＡＨ，Ｃｕ。
Ｍｇ＋ Ｔ＋ ＋ Ｎ＋またはＣｒを主成分とする導電
性金属（６）を５００〜４０００人の厚さに電子ビーム
蒸着法により作製した。さらに同じ電子ビーム蒸着法に
より、ＳｉＯ（７）を５００〜５０００人の厚さに積層
して積層体（９）を作製した。
性金属（６）を５００〜４０００人の厚さに電子ビーム
蒸着法により作製した。さらに同じ電子ビーム蒸着法に
より、ＳｉＯ（７）を５００〜５０００人の厚さに積層
して積層体（９）を作製した。
第１図（、Ｂ）に示すごとく、第１図（Ａ）の被加工物
にＹＡＧレーザ（波長１．０６μ、０４５６μ、平均出
力０．１〜５Ｗ、パルス中２０〜１５０ｎ秒、繰り返し
周波数１〜３０ＫｌｌＺ、焦点距離５０１１Ｉｍ、スキ
ャンスピード１０〜３００ｃｍ ／分）を照射した。こ
の’ＪＡＧレーザの代わりに窒素レーザ（波長３３７ｎ
ｍ 、１〜３３０ｍＷ、パルス中０．３〜Ｉｏｎ秒）を
用いてもよい。すると積層膜（９）のそれぞれは概略同
一形状を有する開溝（８）が形成され、領域（１１入領
域（１２）に積層体（９）を分離することができ先。さ
らにこの開溝下にはこのレーザ加工と同時またはその後
の酸化プロセスにより酸化物領域（１０）を構成させた
。
にＹＡＧレーザ（波長１．０６μ、０４５６μ、平均出
力０．１〜５Ｗ、パルス中２０〜１５０ｎ秒、繰り返し
周波数１〜３０ＫｌｌＺ、焦点距離５０１１Ｉｍ、スキ
ャンスピード１０〜３００ｃｍ ／分）を照射した。こ
の’ＪＡＧレーザの代わりに窒素レーザ（波長３３７ｎ
ｍ 、１〜３３０ｍＷ、パルス中０．３〜Ｉｏｎ秒）を
用いてもよい。すると積層膜（９）のそれぞれは概略同
一形状を有する開溝（８）が形成され、領域（１１入領
域（１２）に積層体（９）を分離することができ先。さ
らにこの開溝下にはこのレーザ加工と同時またはその後
の酸化プロセスにより酸化物領域（１０）を構成させた
。
このレーザ加工において、その開溝形成の機構は以下の
ごとくに考えられる。即ち、本発明における透光性導電
膜は透光性を有する昇華性被膜である。また、ＳｉＯも
昇華性であり、かつ絶縁性即ち熱伝導度が小さく、また
レーザ光１．０６μの波長光の反射防止膜となるため、
照射光を導電性金属に十分吸収させることができる。即
ち導電性金属も上下ともに昇華性の被膜で覆い、パルス
照射光により昇温することにより昇華温度以上の温度に
数＋０秒でなり、ＴＣＯ，ＳｉＯがはじけるように気化
し、その眉間のＣＭをも除去するものと推定される。
ごとくに考えられる。即ち、本発明における透光性導電
膜は透光性を有する昇華性被膜である。また、ＳｉＯも
昇華性であり、かつ絶縁性即ち熱伝導度が小さく、また
レーザ光１．０６μの波長光の反射防止膜となるため、
照射光を導電性金属に十分吸収させることができる。即
ち導電性金属も上下ともに昇華性の被膜で覆い、パルス
照射光により昇温することにより昇華温度以上の温度に
数＋０秒でなり、ＴＣＯ，ＳｉＯがはじけるように気化
し、その眉間のＣＭをも除去するものと推定される。
さらにこの昇華により気化熱を奪うため、半導体は多結
晶化するに必要な温度にまで昇温されす、または半導体
自体の損傷または変質を防ぐ。加えて、ＴＣＯ（５）が
レーザ光が照射された高温の導電性金属（ＣＭＸ ６
）を半導体内に溶解し合金化することを防ぐことができ
るものと考えられる。
晶化するに必要な温度にまで昇温されす、または半導体
自体の損傷または変質を防ぐ。加えて、ＴＣＯ（５）が
レーザ光が照射された高温の導電性金属（ＣＭＸ ６
）を半導体内に溶解し合金化することを防ぐことができ
るものと考えられる。
さらにこのため本発明においては、この基板全体を洗浄
液例えば水、アセトン、アルコール、トリクレン、フレ
オン液体に浸漬し、超音波洗浄を行った。すると残存物
（１３）は単に半導体（４）上に残置しているのみであ
り、半導体と反応して溶融していないため、容易に除去
することができた。また希弗酸（４８％弗酸を１０〜１
００倍に希釈したもの）を用いて残存物を除去するに加
えてこの上面のＳｉＯを同時に溶去してしまってもよい
。
液例えば水、アセトン、アルコール、トリクレン、フレ
オン液体に浸漬し、超音波洗浄を行った。すると残存物
（１３）は単に半導体（４）上に残置しているのみであ
り、半導体と反応して溶融していないため、容易に除去
することができた。また希弗酸（４８％弗酸を１０〜１
００倍に希釈したもの）を用いて残存物を除去するに加
えてこの上面のＳｉＯを同時に溶去してしまってもよい
。
第１図（Ｃ）はＳｉＯを溶去してしまった場合の積層体
および開溝の形状の縦断面図を模型的に示したものであ
る。
および開溝の形状の縦断面図を模型的に示したものであ
る。
この図面において、半導体（２）上にＴＣＯ（５）、Ｃ
ＭとしてのＡＩ＋ＡｇＪｇ＋Ｃｕ、Ｔｉの第１の導電性
金属（１６）と、この上面にクロムの第２の導電性金属
（１Ｂ’）とを有せしめて、半導体上の電極とすること
ができた。さらにこの積層膜には開溝が概略同一形状を
有して設けられ、この開溝下には絶縁性領域（１０）が
構成されている。
ＭとしてのＡＩ＋ＡｇＪｇ＋Ｃｕ、Ｔｉの第１の導電性
金属（１６）と、この上面にクロムの第２の導電性金属
（１Ｂ’）とを有せしめて、半導体上の電極とすること
ができた。さらにこの積層膜には開溝が概略同一形状を
有して設けられ、この開溝下には絶縁性領域（１０）が
構成されている。
この超音波洗浄により、２つの領域間の抵抗も１．５に
Ω以上とすることができ、アイソレイション抵抗を１０
倍も向上させることができた。
Ω以上とすることができ、アイソレイション抵抗を１０
倍も向上させることができた。
このため２つの領域間の電気的アイソレイションを行う
ことができた。加えて開溝により露呈した半導体部はレ
ーザアニールにより多結晶化したり、またえぐられて四
部が形成されたりすることがなかった。
ことができた。加えて開溝により露呈した半導体部はレ
ーザアニールにより多結晶化したり、またえぐられて四
部が形成されたりすることがなかった。
このことは半導体自体の光照射を調べても、単結晶、多
結晶に特有の低い吸収をするのではなく水素化アモルフ
ァス半導体特有の強い光照射をしていたことより推定す
ることができた。
結晶に特有の低い吸収をするのではなく水素化アモルフ
ァス半導体特有の強い光照射をしていたことより推定す
ることができた。
さらにこのアイソレイションの抵抗も、１週間を経ても
まったくその値を変化させることなく安定していた。こ
のことは、半導体に数百Å以下の厚さでレーザ加工と同
時にきわめて薄（レーザ酸化または絶縁化が起きたもの
と推定される。
まったくその値を変化させることなく安定していた。こ
のことは、半導体に数百Å以下の厚さでレーザ加工と同
時にきわめて薄（レーザ酸化または絶縁化が起きたもの
と推定される。
本発明における半導体はアモルファス珪素のみならず、
５ＪｘＣｔ−ｘ （０＜ ｘ ＜ １ン、 Ｓｉ７ Ｎ
４−１（（Ｑ ＜ ｘ ＜４ ）、 ５ｉｘＧｅ ｌ−
Ｘ （’０ ＜ ｘ ＜ ｌ ）、５ｉｘＳｎ １−ｘ
（０＜ ｘ＜１）等の非単結晶半導体または単結晶珪
素、ＧａＡｓ。
５ＪｘＣｔ−ｘ （０＜ ｘ ＜ １ン、 Ｓｉ７ Ｎ
４−１（（Ｑ ＜ ｘ ＜４ ）、 ５ｉｘＧｅ ｌ−
Ｘ （’０ ＜ ｘ ＜ ｌ ）、５ｉｘＳｎ １−ｘ
（０＜ ｘ＜１）等の非単結晶半導体または単結晶珪
素、ＧａＡｓ。
ＧｕＡＩＡｓ等の単結晶半導体であってもよいことはい
うまでもない。
うまでもない。
第２図は本発明の他の構造を示す。
即ち、第２図（Ａ）において、基板（１）上の半導体（
４）上ニＴＣＯ（５入第１１７）ＣＭ （１６）、クロ
ムの第２の導電性金１１ｍ１ｔ （１６’）、ＳｉＯ（
７） ヨリなっている。この構造は第１図（Ｂ）におい
て、この後の洗浄をアセトン、トリクレンまたフレオン
溶液にて超音波洗浄した結果得られたものである。
４）上ニＴＣＯ（５入第１１７）ＣＭ （１６）、クロ
ムの第２の導電性金１１ｍ１ｔ （１６’）、ＳｉＯ（
７） ヨリなっている。この構造は第１図（Ｂ）におい
て、この後の洗浄をアセトン、トリクレンまたフレオン
溶液にて超音波洗浄した結果得られたものである。
図面において、積層膜（９）のそれぞれの被膜は概略同
一形状の開溝部を有している。
一形状の開溝部を有している。
また第２図（Ｂ）は基板（１）上の半導体（４）上にＴ
ＣＯ（５人けとしてのＡＩ＋Ｍｇ＋Ａｇ＋Ｃｕ、Ｎ＋＋
Ｃｒの導電性金属（６）とその上にＳｉＯ（７）が設け
られたものである。
ＣＯ（５人けとしてのＡＩ＋Ｍｇ＋Ａｇ＋Ｃｕ、Ｎ＋＋
Ｃｒの導電性金属（６）とその上にＳｉＯ（７）が設け
られたものである。
これは第１図（Ａ）において導電性金属を１層として形
成し、さらにアセトン等の非エツチング液にて超音波洗
浄をしたものである。
成し、さらにアセトン等の非エツチング液にて超音波洗
浄をしたものである。
もちろん第２図（Ｂ）においてＳｉＯ（７）を溶去して
しまい、積層体としてＴＣＯ（５）およびけ（６ンのみ
として形成してもよい。
しまい、積層体としてＴＣＯ（５）およびけ（６ンのみ
として形成してもよい。
以下に実施例を示し、本発明を補完する。
実施例１
第１図において、基板は透光性導電膜を有するガラスま
たは有機樹脂（１）上にＰ型５ｉｘＣ＋ｘ （０＜ ｘ
＜ Ｉ Ｘ１００〜３００人＞＜３’＞アモルファス
珪素（２）を０．５μ、低抵抗の微結晶Ｎ型珪素（３）
を５００人の厚さに形成した非単結晶半導体とした。
たは有機樹脂（１）上にＰ型５ｉｘＣ＋ｘ （０＜ ｘ
＜ Ｉ Ｘ１００〜３００人＞＜３’＞アモルファス
珪素（２）を０．５μ、低抵抗の微結晶Ｎ型珪素（３）
を５００人の厚さに形成した非単結晶半導体とした。
さらに、ＩＴＯ（５）を１０５ＯＡ （コ（７） Ｉ
Ｔｏ Ｏ） ’Ｊ −ト抵抗は２０Ω／口）の厚さに電
子ビーム蒸着法により１乍製した。その上にＴｉ （２
０人）−八ｇ （５００人）−アルミニュームの第１の
ＣＭ （１６）を２０００人、さらに昇華性金属のクロ
ム（１６’）を５００人の厚さに電子ビーム法により作
製した。この積層膜のシート抵抗は０．１Ω／口であっ
た。これはＩＴＯ（１０５０人）とクロム（２０００人
）の２層膜でのシート抵抗が５．８Ω／口であるため、
さらに１／６０に下げることができた。
Ｔｏ Ｏ） ’Ｊ −ト抵抗は２０Ω／口）の厚さに電
子ビーム蒸着法により１乍製した。その上にＴｉ （２
０人）−八ｇ （５００人）−アルミニュームの第１の
ＣＭ （１６）を２０００人、さらに昇華性金属のクロ
ム（１６’）を５００人の厚さに電子ビーム法により作
製した。この積層膜のシート抵抗は０．１Ω／口であっ
た。これはＩＴＯ（１０５０人）とクロム（２０００人
）の２層膜でのシート抵抗が５．８Ω／口であるため、
さらに１／６０に下げることができた。
さらにＳｉＯ（７）を同様の電子ビーム蒸着法により２
５００人の厚さに形成して積層体（９）を構成させた。
５００人の厚さに形成して積層体（９）を構成させた。
かかる被加工面にＹＡＧし〜ザ光を照射した。条件は周
波数３ＫＩｌｚ、平均出力０．８Ｗ、 ｉ作スピード１
２０ ｃｍ／分、焦点距離５０ｎ＋ｍ、光径５０μとし
た。
波数３ＫＩｌｚ、平均出力０．８Ｗ、 ｉ作スピード１
２０ ｃｍ／分、焦点距離５０ｎ＋ｍ、光径５０μとし
た。
この操作スピードは３０〜２００ｃｍ ／分において実
施可能であった。
施可能であった。
かくして第１図（Ｂ）のどと（開ｉ１ｊ （８）により
２つの領域（ＩＩ ＞、＜ １２ ）を作製した。
２つの領域（ＩＩ ＞、＜ １２ ）を作製した。
この実施例は、開溝の中が４０ｍｍにおいて、３５ΩＣ
１４０Ｑ／ｃｍンであった。これを１ ／ｌ０ＩＩＰ溶
液中に浸し、２９．５ Ｋ１１ｚの超音波周波数での洗
浄を約５分間行７た。するとこの場合は６５０Ω（２，
６に９７ｃｍ）に向上することができた。
１４０Ｑ／ｃｍンであった。これを１ ／ｌ０ＩＩＰ溶
液中に浸し、２９．５ Ｋ１１ｚの超音波周波数での洗
浄を約５分間行７た。するとこの場合は６５０Ω（２，
６に９７ｃｍ）に向上することができた。
以上の説明より明らかなごとく、本発明は透光性導電膜
（５）とその上に金属導体（１６）クロみ（１６’）を
主成分とする被膜さらに絶縁性被膜であるＳｉＯ（７）
とを形成させ、かがる積層膜に対しレーザ加工を行い、
その開溝での電気的アイソレイションを行うことができ
た。またエツチングによりＳｉＯ（７）を溶去されてお
り、その縦断面図が第１図（Ｃ）示されている。
（５）とその上に金属導体（１６）クロみ（１６’）を
主成分とする被膜さらに絶縁性被膜であるＳｉＯ（７）
とを形成させ、かがる積層膜に対しレーザ加工を行い、
その開溝での電気的アイソレイションを行うことができ
た。またエツチングによりＳｉＯ（７）を溶去されてお
り、その縦断面図が第１図（Ｃ）示されている。
実施例２
実施例１においてＬＳの後これらすべてをアセトン中に
て超音波洗浄を行った。すると第２図（Ａ）の縦断面図
を得ることができた。
て超音波洗浄を行った。すると第２図（Ａ）の縦断面図
を得ることができた。
実施例３
この実施例を第２図（Ｂ）に基づき示す。
即ち、実施例工と同様に基板（１）上に半導体（４）と
その上面にＩＴＯ（５）、金属導体（６）、５ｉＯ（７
）を積層化し、金属導体を２層膜ではなくＡ１゜Ａｇ、
Ｃｕまたはこれらの混合物または化合物の導電性を有し
非昇華性金属のみとした。
その上面にＩＴＯ（５）、金属導体（６）、５ｉＯ（７
）を積層化し、金属導体を２層膜ではなくＡ１゜Ａｇ、
Ｃｕまたはこれらの混合物または化合物の導電性を有し
非昇華性金属のみとした。
かくしてＬＳを行った。するとスキャンスピードが２０
〜４０ｃｍ／分において第１図（Ｂ）に示すごとき開溝
（８）を有せしめることができた。
〜４０ｃｍ／分において第１図（Ｂ）に示すごとき開溝
（８）を有せしめることができた。
即ち実施例１はＳｉＯと透光性金属との間に昇華性の金
属のクロムをサンドウィッチした。しかしこの実施例は
しない場合である。その結集積層体の層の数を減少させ
ることができた。
属のクロムをサンドウィッチした。しかしこの実施例は
しない場合である。その結集積層体の層の数を減少させ
ることができた。
しかしＬＳにおける操作スピードは最大４０ｃ＋ｎ ／
秒であり、実施例１の３０〜２００ｃｍ ／秒に比べて
１／４のスピードであった。
秒であり、実施例１の３０〜２００ｃｍ ／秒に比べて
１／４のスピードであった。
これば実施例１のクロム等照射光に対し反射率が小さく
、また実施例２のＡＩ、Ｃｕ、Ａｇは反射光が大きいた
め大きなレーザエネルギを必要とするものと思われる。
、また実施例２のＡＩ、Ｃｕ、Ａｇは反射光が大きいた
め大きなレーザエネルギを必要とするものと思われる。
電気伝導度は導体のため０．３Ω／−以下を有し、また
半導体表面を損傷させることなくそれぞれの導体を電極
として開溝によりアイソレイションをすることが可能と
なった。
半導体表面を損傷させることなくそれぞれの導体を電極
として開溝によりアイソレイションをすることが可能と
なった。
なお本発明において、ＴＣＯはＩＴＯのみならず酸化ス
ズ、酸化アンチモン、酸化インジューム等の昇華性材料
において実施することができる。
ズ、酸化アンチモン、酸化インジューム等の昇華性材料
において実施することができる。
本発明において、導電性金属としてＡ１のみではな（Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｍｇ＋Ｔｉまたはこれらの混合物、化合物ま
たは多層膜のこれらの金属を主成分とする導体に対して
も適用することが可能である。またクロムを主成分とす
る被膜として、９０％以上の純度を有するクロム、また
はこの中にマグネシュ−ム、ニッケル、マンガン、モリ
ブデン等の金属を昇華性を妨げない範囲で添加してもよ
い。さらに、またクロム中に■価のホウ素または７価の
リンの不純物を添加して電気伝導度を向上されることは
有効であった。
ｇ、Ｃｕ、Ｍｇ＋Ｔｉまたはこれらの混合物、化合物ま
たは多層膜のこれらの金属を主成分とする導体に対して
も適用することが可能である。またクロムを主成分とす
る被膜として、９０％以上の純度を有するクロム、また
はこの中にマグネシュ−ム、ニッケル、マンガン、モリ
ブデン等の金属を昇華性を妨げない範囲で添加してもよ
い。さらに、またクロム中に■価のホウ素または７価の
リンの不純物を添加して電気伝導度を向上されることは
有効であった。
本発明は半導体装置としてきの応用として平面型ディス
プレイ等へのマスクレスプロセスによる電極形成技術と
してきわめて重要である。
プレイ等へのマスクレスプロセスによる電極形成技術と
してきわめて重要である。
第１図は本発明の作製工程を示す縦断面図である。
第２図は本発明の他の構造の縦断面図を示す。
孝２６ｉ
）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体と、該半導体上の酸化インジュームまたは酸
化スズを主成分とする透光性導電膜と、該導電膜上にア
ルミニューム、銀、銅、マグネシュームまたはチタンを
主成分とする第１の導電性金属膜と、クロムを主成分と
する第２の導電性金属膜とよりなる導電性金属と、該金
属上に一酸化珪素膜との積層膜が設けられていることを
特徴とする半導体装置。 ２、半導体と、該半導体上の酸化インジュームまたは酸
化スズを主成分とする透光性導電膜と、該導電膜上にア
ルミニューム、銀、銅、マグネシュームまたはチタンを
主成分とする第１の導電性金属と、該金属上にクロムを
主成分とする第２の導電膜との積層膜が設けられたこと
を特徴とする半導体装置。 ３、半導体と、該半導体上の酸化インジュ−ムまたは酸
化スズを主成分とする透光性導電膜と、該導電股上にア
ルミニューム、銀、銅、マグネシュ−ム、チタン、ニッ
ケルまたはクロム酸とする半導体装置。 ４、特許請求の範囲第１項および第２項において、積層
膜を構成する多層被膜は互いに概略同一形状の開溝が設
けられたことを特徴とする半年導体は非単結晶性を有し
、さらに開溝下の非単結晶半導体は絶縁性の領域を有す
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58229595A JPS60120575A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58229595A JPS60120575A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60120575A true JPS60120575A (ja) | 1985-06-28 |
Family
ID=16894640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58229595A Pending JPS60120575A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60120575A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0733931A2 (en) * | 1995-03-22 | 1996-09-25 | Toppan Printing Co., Ltd. | Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same |
-
1983
- 1983-12-05 JP JP58229595A patent/JPS60120575A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0733931A2 (en) * | 1995-03-22 | 1996-09-25 | Toppan Printing Co., Ltd. | Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same |
| EP0733931A3 (en) * | 1995-03-22 | 1997-08-13 | Toppan Printing Co Ltd | Multi-layer, electrically conductive film, transparent electrode substrate and liquid crystal display using this |
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