KR950004286A - 독출전용 기억장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 메모리의 독출 여유를 넓히고, 패턴을 축소하며, 피크전류를 감소시키는 독출회로나 이것을 이용한 독출방식을 실시하는 것이 가능한 반도체 기억장치를 제공한다.
4값 이상의 데이터를 1메모리셀에 기록하는 반도체 기억장치에서 워드선(W1,W2,…)에 크게 다른 복수의 전위를 공급하는 전압가변회로(9)를 부가한다. 그리고, 이 회로를 이용해서 워드선에 인가되는 전압이 크기를 바꾸면서 데이터를 독출한다. 그 독출동작은 소정의 메모리셀을 전압의 크기를 바꾸는 것으로 그 메모리셀을 독출하도록 복수회로 나누어 행한다. 이 전압 가변회로의 전압은 메모리셀의 임계치에 동일한 전압을 이용하기 때문에 메모리셀을 이용하는 것도 가능하고, 또한 전원전압을 감압하여 공급한다.

Description

독출전용 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 기억장치 회로도의 메모리셀 부분을 나타낸 회로도.

Claims (4)

  1. 매트릭스상으로 배치된 복수의 메모리셀(M1~M4)과, 이 메모리셀(M1~M4)의 게이트가 접속되어 있는 복수의 워드선(W1~Wn), 상기 메모리셀(M1~M4)의 드레인이 접속되어 있는 복수의 비트선(B1~B4), 상기 워드선(W1~Wn)에 적어도 1개 이상의 전위를 공급하는 전압가변회로(9), 독출동작시에 있어서 상기 복수의 메모리셀(M1~M4)중에서 독출되는 소정의 메모리셀을 적어도 2개 이상 내부적으로 순차선택하는 수단을 갖춘 비트선선택수단(3,4), 이 비트선선택수단(3,4)에 의해 선택된 소정의 비트선의 전위를 검출하여 상기 복수의 메모리셀(M1~M4)중으로부터 독출되는 메모리셀에 흐르는 전류를 감지하는 감지증폭기(5), 적어도 2개 이상의 래치회로(71~74) 및, 상기 내부적으로 순차 선택된 적어도 2개 이상의 메모리셀의 상기 감지증폭기 (5)의 출력을 상기 래치회로(71~74)에 각각 래치하는 순차회로(61~64)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 매트릭스상으로 배치된 복수의 메모리셀(M1~M4)과, 이 메모리셀(M1~M4)의 게이트가 접속되어 있는 복수의 워드선(M1~Wn), 상기 메모리셀(M1~M4)의 드레인이 접속되어 있는 복수의 비트선(B1~B4)및, 상기 워드선(W1~Wn)에 적어도 1개 이상의 전위를 공급하는 전압가변회로(9)를 구비하고, 상기 전압가변회로(9)는 상기 메모리셀을 구성하는 소정의 적어도 1개 이상의 트랜지스터 또는 이 메모리셀의 특성과 동등의 특성을 갖춘 적어도 1개 이상의 트랜지스터에 의해 구성되는 기준 트랜지스터(M01,M10,M11)에 의해 상기 워드선(W1~Wn)에 공급되는 복수의 전위를 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 매트릭스상으로 배치된 복수의 메모리셀(M1~M4)과, 이 메모리셀(M1~M4)의 게이트가 접속되어 있는 복수의 워드선(W1~Wn), 상기 메모리셀(M1~M4)의 드레인이 접속되어 있는 복수의 비트선(B1~B4)및, 상기 워드선(W1~Wn)에 적어도 1개 이상의 전위를 공급하는 전압가변회로(9)를 구비하고, 상기 전압 가변회로(9)는 상기 메모리셀을 구성하는 소정의 적어도 1개 이상의 트랜지스터 또는 이 메모리셀의 특성과 동등의 특성을 갖춘 적어도 1개 이상의 트랜지스터에 의해 구성되는 기준 트랜지스터(M01,M10,M11)의 게이트에, 상기 워드선에 공급하는 복수의 전위와 동등의 전위를 공급하는 수단을 갖추고, 상기 기준 트랜지스터(M01,M10,M11)의 드레인이 접속되며, 상기 기준 셀에 흐르는 전류를 감지하는 기준 감지증폭기(Tr31,Tr11;Tr41,Tr 22;Tr51,Tr33)를 구비하고, 이 기준 감지증폭기(Tr31,Tr11;Tr41,Tr22;Tr51,Tr33)의 출력에 의해 상기 감지증폭기의 출력을 이 감지증폭기에 접속된 래치회로에서 래치하든가, 또는 상기 감지증폭기에 접속된 출력회로에 의해 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 기준 트랜지스터가 상기 메모리셀과 동일한 임계치의 트랜지스터, 상기 메모리셀과 임계치가 다르던가 전류특성이 같은 트랜지스터, 상기 메모리셀과 같은 임계치에서 전류특성이 이 메모리셀의 전류특성의 명배의 전류특성을 갖춘 트랜지스터, 상기 메모리셀과 같은 임계치에서 전류특성이 이 메모리셀의 전류특성의 명배의 전류특성을 갖춘 트랜지스터, 또는 상기 메모리셀과 임계치가 다르고, 전류특성이 이 메모리셀의 전류특성의 몇배의 전류특성을 갖춘 트랜지스터중 적어도 어느 1개 이상의 트랜지스터에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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