KR950003875A - 액정 표시소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따르면, 표시매체층이 TFT 기판과 대향기판사이에 끼워진다. 상기 표시매체층에는 수지벽이 복수의 구획된 전극이 형성되는 영역이외에 각각 형성되고, 상기 구획된 전극이 형성되는 영역에 대응하는, 각각의 수지벽 사이의 영역들에 형성된다. 상기 수지벽과 액정영역들사이의 계면에 디스클리네이션라인이 형성된다. 액정표시장치에 있어서, 액정영역의 액정분자는 방사상으로 배향되며 적어도 하나의 액정도메인이 각 액정영역에 형성된다.

Description

액정 표시소자 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 의한 실시예 1의 액정표시소자의 단면도, 제 2 도는 제 1 도에 보인 액정표시소자의 제조에 사용되는 포토마스크의 평면도, 제 3 도는 제 1 도에 도시한 액정표시소자의 1화소를 편경현미경으로 관찰한 평면도, 제 4 도는 제 1 도에 도시한 액정표시소자의 1화소에 있어서 전압의 인가시 발생되는 디스클리네이션 라인의 상태도, 제 5 도는 본 발명의 변형예에 의한 액정표시소자를 편광현미경으로 관찰한 평면도, 제 6 도는 본 발명의 1실시예에 있어서의 액정분자의 배향상태를 보인 평면도, 제 7 도는 본 발명의 1실시예에 있어서의 액정분자의 다른 배향상태를 보인 평면도.

Claims (32)

  1. 기판중 적어도 하나가 투명하고, 각 화소가 표시의 단위인 복수의 화소를 각각 한정하는 2매의 기판 ; 및 상기 2매의 기판사이에 형성되고, 고분자재료로 된 지지매체와, 이 지지매체에 있어서 상기 고분자 재료로 형성되는 지지벽에 의해 둘러싸이고, 상기 복수의 화소영역에 거의 상당하는 사이즈를 각각 갖는 복수의 액정영역에 각각 충전되어 있는 액정을 갖는 표시매체층을 구비하며, 상기 복수의 액정영역에 충전되어 있는 액정의 분자가 상기 기판의 표면과 평행한 가상평면내에서 축대칭으로 배향되고, 상기 복수의 액정영역의 각각에는 적어도 하나의 액정 도메인이 배치되어 있는 액정표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 액정영역의 각각에 하나의 액정도메인이 배치되어 있는 액정표시소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 액정영역의 각각에 하나의 액정도메인이 배치되고, 각 도메인내의 액정분자는 각각 축대칭으로 배향되며, 각 도메인의 외측에는 상기 고분자재료로 형성되는 지지벽이 존재하는 액정표시소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 2매의 기판표면에 유기재료 및 무기재료로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 재료로 된 박막이 배치되어 있는 액정표시소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2매의 기판은 편광판 사이에 끼워져 있는 액정표시소자.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 액정의 굴절율이방성 △n과 상기 기판들간의 셀두께 d의 곱 △n·d는 300~650nm의 범위에 있는 액정표시소자.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 액정을 상기 2매의 기판사이에 주입시 상기 2매의 기판간의 트위스트각이 45~150˚의 범위에 있는 액정표시소자.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 액정은 20℃에서의 점도 μ가 50mPa·s이하이고, 유전율이방성 △ε가 +3(1kHz)이상인 액정표시소자.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 액정은 액정의 광선투과율이 초기상태에서 90%로 변화할 때 TN셀에 있어서 25℃에서의 전압-광선투과율특성에서 전압 V10이 2V이하인 상태를 만족하는 액정표시소자.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 액정의 굴절율이방성 △n과 상기 기판들간의 셀두께 d의 곱 △n·d가 1000~1400nm의 범위에 있고, 셀중에 존재하는 액정의 트위스트각이 45~150°의 범위에 있는 액정표시소자.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 액정의 굴절율이방성 △n과 상기 기판들간의 셀두께 d의 곱 △n·d가 550~800nm의 범위에 있고, 셀중에 존재하는 액정의 트위스트각이 240~300˚의 범위에 있는 액정표시소자.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 지지벽이 상기 2매의 기판의 각각에 달하고 있는 액정표시소자.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 화소내에 존재하고 있는 액정영역의 배향이 중심축이 적어도 한쪽의 기판에 대해 거의 직교하고 있는 액정표시소자.
  14. 제 1 항에 있어서, 전압의 인가시 디스클리네이션 라인이 액정영역의 주위에 형성되는 액정표시소자.
  15. 제 1 항에 있어서, 액정영역내의 액정분자들이 기판들의 표면과 평행하도록 축대칭으로 배향되고, 액정영역의 배향 중심축이 기판에 수직방향으로 배열되며, 지지벽의 고분자재료가 상기 중심축에 대해 대칭으로 배향되어, 전압의 인가시 디스클리네이션 라인이 액정영역에 형성되지 않는 액정표시소자.
  16. 제 1 항에 있어서, 액정영역내의 액정분자가 기판의 표면과 평행하게 되도록 축대칭으로 배향되고, 액정영역의 배향 중심축이 기판에 수직방향으로 배열되며, 지지벽의 고분자재료가 한 방향으로 배향되어, 이에 따라 전압인가시에 디스클리네이션 라인이 액정영역내에 형성되지 않는 액정표시소자.
  17. 제 1 항에 있어서, 고분자가 기판들사이에 존재하고 액정영역내의 액정이 액정영역의 배향중심축에 대해 축대칭 프리틸트각을 가지며, 이에 따라 전압인가시에 디스클리네이션 라인이 액정영역내에 형성되지 않는 액정표시소자.
  18. 제 1 항에 있어서, 액정분자가 방사상으로 배향되어 있는 도메인의 중심부에 대응하도록 블랙마스크가 기판들중 한쪽에 제공되어 있는 액정표시소자.
  19. (1) 그중 적어도 한쪽이 투명한 2매의 기판사이에 액정화합물 및 광중합성화합물을 포함하는 혼합물을 제공하는 단계 ; (2) 상기 2매의 기판사이의 혼합물에, 소정의 조사강도변화를 갖는 광을 조사하고 이 혼합물에 그의 중합반응에 따른 상분리를 일으켜, 수지로 된 지지벽과 액정을 규치적으로 분포시키는 단계를 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 광중합개시제가 상기 혼합물에 첨가되는 액정표시소자의 제조방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기 공정(2)에서, 상기 지지벽과 액정의 규칙적분포는 상기 2매의 기판에 의해 한정되는 복수의 화소의 배열피치에 대응하여 결정되는 액정표시소자의 제조방법.
  22. 제19항에 있어서, 상기 공정 (2)에서, 지지벽에 의해 둘러싸인 액정분자가 기판의 표면과 평행한 가상평면내에서 축대칭으로 배향되도록 하기 위한 배향처리공정을 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
  23. 제22항에 있어서, 액정분자의 축대칭 배향의 중심부에 대응하는 차광칩을 상기 2매의 기판중 어느 기판에 형성하는 공정을 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
  24. 제19항에 있어서, 상기 혼합물에 파장 300nm 이하의 단파장영역의 자외광 성분이 차단된 상태로 규칙적인 조사강도변화를 갖는 광을 조사하는 액정표시소자의 제조방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 단파장영역의 자외광성분을 자외선커트필터를 사용하여 차단하는 액정표시소자의 제조방법.
  26. 제24항에 있어서, 상기 단파장영역의 좌외광 성분을, 공기에 대한 광선투과율을 100%로 할때, 파장 300nm에서의 광선투과율이 공기에 대해 10%이하이고 파장 350nm에서의 광선투과율이 적어도 40%이상으로 되도록 하는 무기 및 유기재료를 사용하여 차단하는 액정표시소자의 제조방법.
  27. 제19항에 있어서, 상기 광을 조사시, 상기 혼합물에 전계 및 자계중 적어도 한쪽을 실질적으로 제어하면서 인가하는 액정표시소자의 제조방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 전계는 표시를 위한 전극을 사용하여 인가되는 액정표시소자의 제조방법.
  29. 제19항에 있어서, 소정의 조사강도 변화를 갖는 광이 포토마스크를 사용하여 형성되는 액정표시소자의 제조방법.
  30. 기판들중 적어도 하나가 투명한 전극기판사이에 액정화합물, 광중합성화합물, 액정성 광중합성화합물을 포함하는 혼합물을 셀에 주입하는 공정 ; 및 전장 및 자장중 적어도 한쪽을 상기 혼합물에 인가하면서 규칙적인 조사강도변화를 갖는 광을 상기 혼합물에 조사하는 공정을 포함하며, 이에 따라 중합반응에 따른 상분리를 일으키는 액정표시소자의 제조방법.
  31. 제30항에 있어서, 상기 광을 조사할때의 상기 셀의 온도를 적어도 사용될 액정의 아이소트로픽 온도이상으로 설정하고, 그후 셀을 냉각시키는 액정표시소자의 제조방법.
  32. 제19항에 있어서, 상기 광중합성 화합물은 플루오르화된 화합물을 포함하는 액정표시소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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