KR930005258A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930005258A
KR930005258A KR1019920014072A KR920014072A KR930005258A KR 930005258 A KR930005258 A KR 930005258A KR 1019920014072 A KR1019920014072 A KR 1019920014072A KR 920014072 A KR920014072 A KR 920014072A KR 930005258 A KR930005258 A KR 930005258A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate electrode
semiconductor layer
forming
conductivity type
channel region
Prior art date
Application number
KR1019920014072A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960012916B1 (ko
Inventor
데루히코 오카다
히로타다 구리야마
요시오 고오노
Original Assignee
시키모리야
미쓰비시덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시키모리야, 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 filed Critical 시키모리야
Publication of KR930005258A publication Critical patent/KR930005258A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960012916B1 publication Critical patent/KR960012916B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78636—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with supplementary region or layer for improving the flatness of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
    • H01L29/78678—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with inverted-type structure, e.g. with bottom gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명에 기인한 제1의 실시예에 있어서의 박막 트랜지스터의 단면구조도,
제2도는 이 발명에 기인한 제1실시예에 있어서의 박막 트랜지스터의 제1의 제조공정을 표시하는 단면도,
제3도는 이 발명에 기인한 제1의 실시예에 있어서의 박막트랜지스터의 제2의 제조공정을 표시하는 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체층과 상기 게이트전극과 상기 반도체층사이에 개재시켜서 형성된 절연막을 구비하고, 상기 반도체층은 제1도전형의 채널영역과, 이 채널영역을 좌우양측에서 끼고 있는 위치에 저2도전층의 소스/드레인영역을 갖고, 상기 게이트전극은, 상기 채널영역에 대향하는 주면과, 이 주면의 좌우양측에 위치하는 측벽을 갖고, 상기 절연막은 모든 영역에서 상기 반도체층표면에 접해서 형성되는 동시에, 적어도 상기 채널영역에 대향하는 상기 게이트전극의 주면에서 상기 게이트전극에 접해서 형성되고, 상기 반도체층은, 상기 채널영역과, 상기 소스/드레인 영역과의 경계 근방의 위치의 굴곡각이 90°를 넘도록 형성되어 있는 반도체장치.
  2. 절연체상에 형성되고 중앙평탄부와 이 중앙평탄부의 좌우양단으로부터 좌우양측에 하강하는 경사측벽을 갖는 게이트전극과, 이 게이트전극의 상기 중앙평탄부의 좌우 양단으로부터 상기 경사측벽에 따라 접하도륵 형성된 제1절연층과 상기 게이트전극 및 상기 제1절연층의 표면상에 형성된 제2절연층과, 이 제2절연층의 표면상에 형성된 제1도전형의 반도체층을 구비하고, 상기 제1도전형의 반도체층은, 상기 게이트전극의 상기 중앙평탄부에 대향하는 위치에, 제1도전형의 채널 영역과 이 채널영역을 좌우양측으로부터 끼고 있는 위치에 제2도전형의 소스 드레인 영역을 갖는 반도체장치.
  3. 절연체의 표면에 도체층을 형성하는 공정과, 이 도체층의 표면에 산화막을 형성하는 공정과, 이 산화막의 표면의 소정의 위치에 레지스트막을 형성하고 이 레지스트막을 마스크로해서 상기 산화막을 에칭하는 공정과 이 레지스트막을 제거하는 공정과, 상기 산화막을 마스크로해서 열산화를 하고 중앙평탄부와 이 중앙 평탄부의 좌우 양측으로부터 좌우양측에 하강하는 경사측벽을 갖는 게이트전극과, 이 게이트전극의 상기 중앙평탄부의 좌우양단으로부터 상기 경사측벽에 따른 열산화막으로 되는 제1절연층을 구성하는 공정과, 상기 산화막을 제거한 후 상기 게이트 전극 및 상기 제1절연층의 표면상에 제2절연층을 형성하는 공정과 이 제2절연층의 표면상에 제 1도전형의 반도체층을 형성하는 공정과, 이 반도체의 상기 게이트전극의 중앙평탄부에 대향하는 위치의 표면에 마스크를 형성하고 제2도전형의 불순물을 주입함으로써 상기 제1도전형의 반도체층의 상기 게이트 전극의 중앙평탄부에 대향하는 위치에 제1도전형의 채널영역을, 이 채널영역을 좌우양측에서 끼운위치에 제2도전형의 소스/드레인 영역을 형성하는 공정을 구비한 반도체장치의 제조방법.
  4. 중앙평탄부와 이 양측으로부터 소정의 경사각을 갖고 하방으로 퍼져서 형성된 측벽을 갖은 게이트전극과, 이 게이트전극의 상기 중앙평탄부 및 측벽에 따라 형성된 절연막과, 이 절연막의 표면에 따라 형성된 반도체층을 구비하고, 상기 반도체층은, 상기 게이트전극의 중앙평탄부에 대향하는 위치에 제1도전형의 채널영역을 갖는 동시에, 이 채널영역을 좌우양측에서 끼고 있는 위치에 제2도전형의 소스/드레인 영역을 갖는 반도체장치.
  5. 절연체의 표면에 도체층을 형성하는 공정과, 이 도체층의 표면에 중앙평탄부와 이 중앙평탄부의 좌우양단에서 소정의 경사각을 이루고 하방으로 펴진 경사측벽으로 된 레지스트막을 형성하는 공정과 이 레지스트막을 마스크로해서 상기 도체층을 에칭함으로써 중앙평탄부와 이 중앙평탄부의 좌우양단으로부터 소정의 경사각을 이루고 하방으로 퍼진 경사측벽으로되는 게이트전극을 형성하는 공정과, 이 게이트 전극의 중앙평탄부 및 경사측벽에 따라 절연막을 형성하는 공정과, 이 절연막의 표면에 따라 제1도전형의 반도체층을 형성하는 공정과, 이 반도체층의 상기 게이트 전극에 대향하는 위치의 표면에 마스크를 형성하고 제2도전형의 불순물을 주입함으로서 상기 제1도전형의 반도체층의 상기 게이트 전극에 대향하는 위치에 제1도전형의 채널영역을, 이 채널영역을 좌우양측에서 끼고 있는 위치에 제2도전형의 소스/드레인 영역을 형성하는 공정을 구비한 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920014072A 1991-08-08 1992-08-05 반도체장치 및 그 제조방법 KR960012916B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP91-199434 1991-08-08
JP3199434A JP2901163B2 (ja) 1991-08-08 1991-08-08 半導体装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930005258A true KR930005258A (ko) 1993-03-23
KR960012916B1 KR960012916B1 (ko) 1996-09-25

Family

ID=16407758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920014072A KR960012916B1 (ko) 1991-08-08 1992-08-05 반도체장치 및 그 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5550390A (ko)
EP (2) EP0528290B1 (ko)
JP (1) JP2901163B2 (ko)
KR (1) KR960012916B1 (ko)
DE (2) DE69232381T2 (ko)

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2503864C3 (de) * 1975-01-30 1981-09-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement
JPS55132072A (en) * 1979-03-31 1980-10-14 Toshiba Corp Mos semiconductor device
JPS5688354A (en) * 1979-12-20 1981-07-17 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit device
JPS57132365A (en) * 1981-02-10 1982-08-16 Toshiba Corp Nonvolatile semiconductor memory storage
JPS58124261A (ja) * 1982-01-21 1983-07-23 Toshiba Corp 半導体装置
JPS58218169A (ja) * 1982-06-14 1983-12-19 Seiko Epson Corp 半導体集積回路装置
JPS59108360A (ja) * 1982-12-14 1984-06-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH0616560B2 (ja) * 1982-12-17 1994-03-02 セイコー電子工業株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
DE3533032A1 (de) * 1985-09-17 1987-03-19 Standard Elektrik Lorenz Ag Duennschicht-feldeffekt-transistor und ein verfahren zu seiner herstellung
JP2892683B2 (ja) * 1989-05-29 1999-05-17 株式会社日立製作所 半導体記憶装置およびその製造方法
JPS62190761A (ja) * 1986-02-18 1987-08-20 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
JPS63104373A (ja) * 1986-10-20 1988-05-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH01229229A (ja) * 1988-03-09 1989-09-12 Seikosha Co Ltd 非晶質シリコン薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH01268064A (ja) * 1988-04-20 1989-10-25 Hitachi Ltd 多結晶シリコン薄膜の形成方法
JPH01276672A (ja) * 1988-04-27 1989-11-07 Seikosha Co Ltd 逆スタガー型非晶質シリコン薄膜トランジスタ
JPH022175A (ja) * 1988-06-14 1990-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JPH0348463A (ja) * 1989-03-01 1991-03-01 Mitsubishi Electric Corp 薄膜トランジスタ
JPH0341774A (ja) * 1989-07-10 1991-02-22 Sharp Corp 薄膜トランジスタ
JPH03293773A (ja) * 1990-04-12 1991-12-25 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタメモリ
JPH04505833A (ja) * 1990-10-05 1992-10-08 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 基準構造の地形の伝搬地形による装置の自己アライメント
JPH04162668A (ja) * 1990-10-26 1992-06-08 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE69220432T2 (de) 1998-01-22
EP0771035B1 (en) 2002-01-23
EP0771035A1 (en) 1997-05-02
JPH0547793A (ja) 1993-02-26
EP0528290B1 (en) 1997-06-18
DE69232381T2 (de) 2002-11-14
US5550390A (en) 1996-08-27
KR960012916B1 (ko) 1996-09-25
DE69232381D1 (de) 2002-03-14
JP2901163B2 (ja) 1999-06-07
DE69220432D1 (de) 1997-07-24
EP0528290A1 (en) 1993-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930005257A (ko) 박막 전계효과 소자 및 그의 제조방법
KR940003098A (ko) 반도체 장치
KR970060510A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR940027104A (ko) 트랜지스터 제조방법
KR890011110A (ko) 집적회로 제조방법
KR920020756A (ko) 반도체 장치 및 그의 제조방법
KR910005464A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR920010963A (ko) Soi형 종채널 fet 및 그 제조방법
KR930006972A (ko) 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
KR920020755A (ko) 박막전계효과소자(薄膜電界效果素子) 및 그의 제조방법
KR890013796A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR930001484A (ko) Dmos 트랜지스터를 제조하기 위한 방법
KR880700473A (ko) Mos 트렌치 트랜지스터 장치 및 그 제조 방법
KR930011297A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR920022562A (ko) 반도체 집적 회로 제조방법
KR970024267A (ko) 트렌치 DMOS 트랜지스터와 그의 제조방법(a trench DMOS and a method of fabricating the same)
KR970013411A (ko) 일방향, 경사형 채널 반도체 디바이스 형성 방법
KR930005258A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
JPH027475A (ja) 電界効果トランジスタ
KR920005383A (ko) 오프셋 게이트 구조 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR970052316A (ko) 반도체 장치의 콘택구조 및 그 형성방법
KR950004604A (ko) 에스오아이(soi)트랜지스터 구조 및 제조방법
KR950030279A (ko) 반도체소자 및 그 제조방법
KR930015070A (ko) 반도체 장치 및 그 제작방법
KR960019772A (ko) 반도체소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080911

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee