KR920017118A - 불휘발성 반도체 기억장치 - Google Patents

불휘발성 반도체 기억장치 Download PDF

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KR920017118A
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Abstract

내용 없음

Description

불휘발성 반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예의 불휘발성 반도체 기억장치에서 있어 메모리 어레이의 구성을 개념적으로 표시한 회로도, 제2도는 실시예의 불휘발성 반도체 기억장치에 있어서 데이타 소거시의 워드선, 비트선 및 소스선의 전위를 표형식으로 표시한 그림.

Claims (2)

  1. 복수의 행 및 복수의 열에 배치된 복수의 메모리셀과 전기복수의 행에 대응하여 설치되는 복수의 워드선과 전기복수의 열에 대응하여 설치되는 복수의 배트선과를 비치하고, 전기복수의 메모리셀의 각각은 대응하는 전기비트선에 접속되는 제1도통단자와 대응하는 전기워드선에 접속되는 제어단자와, 전하를 축적하기 위한 프로팅게이트 영역과 제2도의 도통단자가 있는 전계효과 반도체 소자를 포함하고, 데이터 소거시에, 전기복수의 비트선중 어느것을 선택하는 제1선택수단과, 전기데이타 소거시에, 전기복수의 워드선중 어느 것을 선택하는 제2선택수단과, 전기데이타 소거시에, 전기 제1선택수단에 의해 선택된 전기 어느것의 비트선과, 전기 제2선택수단에 의해 선택된 전기 어느것의 워드선과의 사이에 대응하는 전기 제1도통단자와 대응하는 전기 프로팅 게이트 영역과의 사이에 터널현상이 생기게 하는 소정이 고전압을 인가하는 제1의 전압인가수단과를 다시 비치한 불휘발성 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 전기복수의 메모리셀의 전기 제2도통단자를 공통으로 접속되어 데이타 일괄소거시에 전기 공통으로 접속된 제2도통단자와, 전기복수의 워드선과의 사이에, 전기공통으로 접속된 제2도통단자와 대응하는 전기프로팅 게이트 영역과의 사이에 터널현상이 생기게 하는 소정의 고전압을 인가하는 제2의 전압인가수단을 다시 설치한 불휘발성 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920001708A 1991-02-08 1992-02-06 불휘발성 반도체 기억장치 및 그의 데이타소거방법 KR950008674B1 (ko)

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