KR910003839A - 데이타 저장셀로 강자성체를 사용하는 반도체 집적회로장치 - Google Patents

데이타 저장셀로 강자성체를 사용하는 반도체 집적회로장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

데이터 저장셀로 강자성체를 사용하는 반도체 집적회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예 1인 플래너 구조를 사용하는 메모리 장치에서 메모리셀의 주요부를 나타낸 단면도,
제2도는 제1도에 도시된 메모리셀의 주요부의 평면도,
제3도는 제1도에 도시된 메모리셀의 등가회로도,
제4도는 제1도에 도시된 메모리셀의 정보축적용 용량 소자의 강자성체막의 분극인가 전압 히스테리시스 특성도.

Claims (9)

  1. MISFET의 하나의 반도체영역에 접속된 제1의 전극, 상기 제1의 전극과 대향해서 배치된 제2의 전극 및 상기 제1 및 제2의 전극 사이에 인가된 전압에 의해 분극 방향이 히스테리시스 곡선을 그리면서 변화하는 상기 제1 및 제2의 전극사이에 마련된 강자성체막을 갖는 정보축적용 용량소자와 메모리셀 선택용 MISFET로 구성된 직렬회로를 포함하는 다수의 메모리셀의 각각이 소정의 방법으로 배열된 메모리셀 어레이와 선택상태에서 메모리 셀내의 상기 정보축척용 용량소자의 상기 제1 및 제2의 전극사이에 상기 강자성체막의 히스테리시스 곡선의 분극 반전 전압이상의 전압을 인가함과 동시에 비선택상태에서 메모리셀내의 상기 정보축척용 용량소자의 상기 제1 및 제2의 전극사이에 분극반전전압 이하의 전압을 인가하는 수단을 포함하는 반도체 집적회로장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 메모리셀 어레이에서 비선택상태의 메모리셀내의 상기 정보축적용 용량소자의 상기 제1 및 제2의 전극사이에 인가된 상기 분극반전전압 이하의 전압은 상기 히스테리시스 곡선의 포화전압의 1/2에 해당하는 전압인 반도체 집적회로장치.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 메모리셀 어레이에서 상기 선택상태 및 상기 비선택 상태의 메모리셀의 상기 제2의 전극은 동일전위인 반도체 집적회로장치.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 강자성체막은 지르콘산티탄산납으로 형성되는 반도체집적회로장치.
  5. MISFET의 하나의 반도체영역에 접속된 제1의 전극, 상기 제1의 전극과 대향해서 배치된 제2의 전극 및 상기 제1 및 제2의 전극 사이에 인가된 전압에 의해 분극 방향이 히스테리시스 곡선을 그리면서 변화하는 상기 제1 및 제2의 전극사이에 마련된 강자성체막을 갖는 정보축적용 용량소자와 메모리셀 선택용 MISFET로 구성된 직렬회로를 포함하는 다수의 메모리셀의 각각이 소정의 방법으로 배열된 메모리셀 어레이, 상기 메모리셀 어레이내의 모든 메모리셀의 상기 정보축척용 용량소자의 상기 제1 및 제2의 전극사이에 상기 강자성체막의 히스테리시스 곡선의 분극 반전전압 이상의 전압을 인가하는 것에 의해 상기 강자성체마그이 분극방향을 한쪽방향으로 정렬시키는 수단, 상기 모든메모리셀중의 소정의 메모리셀의 상기 정보 축적용 용량소자의 상기 강자성체막에 광을 조사하는 것에 의해 상기 강자성체막의 분극방향을 대향하는 방향으로 반전시키는 수단과 상기 모든 메모리셀의 상기 정보축적용 용량소자의 상기 강자성체막의 분극방향을 전기적으로 검출하는 수단을 포함하는 반도체 집적회로장치.
  6. 전계효과 트랜지스터의 게이트 절연막과 게이트 전극사이에 마련되어 상기 게이트 절연막과 상기 게이트 전극상이에 인가된 전압에 의해 분극방향이 히스테리시스곡선을 그리면서 변화하는 강자성체막을 갖는 다수의 메모리셀의 각각이 소정의 방법으로 배열된 메모리셀 어레이, 상기 메모리셀 어레이의 모든 메모리셀의 상기 게이트 전극과 기판사이에 상기 강자성체막의 히스테리시스곡선의 분극반전전압 이상의 전압을 인가하는 것에 의해 상기 강자성체막의 분극방향을 한쪽방향으로 정렬시키는 수단, 상기 모든 메모리셀중의 소정의 메모리셀의 상기 정보축적용 용량소자의 상기 강자성체막에 광을 조사하는 것에 의해 상기 강자성체막의 분극방향을 대향하는 방향으로 반전시키는 수단과 상기 모든 메모리셀의 상기 정보축적용 용량소자의 상기 강자성체막의 분극방향을 전기적으로 검출하는 수단을 포함하는 반도체 집적회로장치.
  7. 반도체기판, 각각이 반도체 스위칭소자와 상기 반도체 스위칭소자에 직렬로 접속된 용량소자를 갖는 다수의 메모리셀을 포함하며, 상기 반도체 스위칭소자는 상기 스위칭소자가 도전성일 때 전류가 흐르는 상기 반도체기판내에 형성된 제1 및 제2의 주반도체영역과 제어전극을 갖고, 상기 용량소자는 제1 및 제2의 전극과 상기 제1 및 제2의 전극사이에 끼워진 강자성체막을 가지며, 상기 메모리셀의 용량소자의 상기 제1의 전극은 상기 제1의 주반도체영역의 일부로 구성되고, 상기 메모리셀 용량소자의 제2의 전극은 서로 일체로 되도록 단일의 공통도체막으로 구성되며, 상기 강자성체막은 상기 제1 및 제2의 전극사이에 인가된 전압에 따라서 분극이 변화하고 상기 인가된 전압이 분극반전전압에 도달하도록 변화할 때 분극방향이 반전되는 메모리셀 어레이, 하나의 열상에 있는 메모리셀의 스위칭소자의 제2주반도체 영역에 공통으로 각각 접속된 다수의 제2의 도체와 데이터의 라이트 또는 데이터의 리드를 위해 선택된 메모리 셀의 용량소자의 제1 및 제2의 전극사이에 분극 반전전압 이상의 제1의 전압을 인가하고, 데이터의 라이트 또는 데이터의 리드를 위해 선택되지 않는 메모리셀의 용량소자의 제1 및 제2의 전극사이에 상기 분극 반전전압 이하의 제2의 전압을 인가하도록 상기 제1 및 제2의 도체와 단일의 공통 도체에 전기적으로접속된 어드레스신호 발생수단을 포함하는 반도체 메모리장치.
  8. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 또 상기 장치의 동작이 비동작상태로 되어 종료할 때, 라이트된 데이터를 유지하기 위해 상기 강자성체막의 분극방향을 안정화시키도록 상기 메모리셀 어레이의 메모리셀의 상기 용량소자를 조건부로 하는 수단을 포함하는 반도체 메모리장치.
  9. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 장치의 동작이 동작상태로 되어 개시될 때, 상기 제1 및 제2의 전극사이에 상기 분극반전전압 이하의 전압을 인가하도록 상기 용량소자의 상기 제1 및 제2의 전극에 소정의 전압이 인가된 후에 상기 메모리셀의 상기 스위칭소자의 제어전극에 동작전압을 인가하는 수단을 포함하는 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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