KR890001101A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR890001101A
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슈지 기다자와
다까시 오노
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하시모도 나미오
오끼뎅끼 고오교오 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1의 실시예를 표시하는 반도체 기억장치의 회로도.
제2도는 제1도의 회로 각 부의 동작 설명도.
제3도는 EPROM메모리 소자의 등가회로도.d

Claims (9)

  1. (a) 메모리셀이 플로팅 게이트 및 컨트롤 게이트를 가지며 매트릭스 상으로 배치된 복수의 MOS 트랜지스터로서 이루어지는 메모리 매트릭스와, (b) 데이터 소거동작시에 상기 MOS 트랜지스터의 컨트롤 게이트에 접지전위를 공급하는 수단과, (c) 데이터 소거동작시에 메모리 매트릭스의 MOS 트랜지스터의 제1의 전극에 메모리셀의 항복전압 이하이며 또한 해당 항복전압의 근방의 전압을 인가하는 수단과, (d) 데이터 소거동작시에 메모리 매트릭스의 MOS 트랜지스터의 제2의 전극에 MOS 트랜지스터에 전류가 흐르지 않을 정도의 전압을 인가하는 수단을 구비하도록 한 것을 특징으로하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 데이터 독해시에 상기 메모리셀의 플로팅 게이트내의 전하량과 상기 메모리셀의 컨트롤 게이트에 인가되는 전위와에 응하여 상기 메모리셀의 제1의 전극과 제2의 전극과의 사이에 흐르는 전류에 의하여 데이터를 독해하는 수단을 가지는 것을 특징으로하는 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀의 컨트롤 게이트에 해당 메모리셀의 제1의 전극과 제2의 전극과를 도통시키는 전위를 부여하여 또한 제1의 전극에 전압을 부여하여 제1의 전극과 제2의 전극과의 사이에 전류를 흐르게 하는 것에 의하여 상기 메모리셀의 플로팅 게이트내의 전하량을 변화시키는 수단을 가지는 것을 특징으로하는 반도체 기억장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀의 컨트롤 게이트에 상기 메모리셀의 제1의 전극과 제2의 전극과를 비도통으로하는 전위를 부여하여 또한 제1의 전극 또는 제2의 전극에 상기 제1의 전압과 다른 제2의 전압을 부여하는 것에 의하여 상기 메모리셀의 플로팅 게이트내의 전하량을 변화시키는 수단을 가지는 것을 특징으로하는 반도체 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 비도통으로하는 전위는 반도체 기체에 바이어스되는 전위와 동일인 것을 특징으로하는 반도체 기억장치.
  6. 제4항에 있어서 데이터 소거동작시에 상기 제2의 전압은 상기 메모리셀의 제1의 전극 또는 제2의 전극에 항복을 생기게 하지 않는 전압을 인가하는 것을 특징으로하는 반도체 기억장치.
  7. 제4항에 있어서 상기 제2의 전압을 매트릭스 상의 열에 선택적으로 부여하는 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로하는 반도체 기억장치.
  8. 제4항에 있어서 상기 비도통으로하는 전위를 매트릭스 상의 행에 선택적으로 부여하는 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로하는 반도체 기억장치.
  9. 제7항에 있어서 상기 제1 또는 제2의 전압을 상기 열에 부여한 회수를 기억하는 수단을 가지는 것을 특징으로하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880007022A 1987-06-11 1988-06-11 반도체 기억장치 KR950004864B1 (ko)

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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7447069B1 (en) 1989-04-13 2008-11-04 Sandisk Corporation Flash EEprom system
KR100204721B1 (ko) * 1989-08-18 1999-06-15 가나이 쓰도무 메모리블럭으로 분활된 메모리셀 어레이를 갖는 전기적 소거 가능한 반도체 불휘발성 기억장치
JPH0810728B2 (ja) * 1990-02-01 1996-01-31 株式会社東芝 半導体記憶装置
US5218571A (en) * 1990-05-07 1993-06-08 Cypress Semiconductor Corporation EPROM source bias circuit with compensation for processing characteristics
US5313432A (en) * 1990-05-23 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Segmented, multiple-decoder memory array and method for programming a memory array
KR940006611B1 (ko) * 1990-08-20 1994-07-23 삼성전자 주식회사 전기적으로 소거 및 프로그램이 가능한 반도체 메모리장치의 자동 소거 최적화회로 및 방법
KR920006988A (ko) * 1990-09-25 1992-04-28 아오이 죠이치 불휘발성 반도체메모리
JPH05102438A (ja) * 1991-10-04 1993-04-23 Mitsubishi Electric Corp 不揮発性半導体記憶装置
EP0596124B2 (en) * 1991-12-04 2001-12-19 Citizen Watch Co. Ltd. Data carrier
FR2688333B1 (fr) * 1992-03-06 1994-04-29 Sgc Thomson Microelectronics S Dispositif et procede d'effacement par secteurs d'une memoire flash eprom.
US5483485A (en) * 1992-03-25 1996-01-09 Seiko Epson Corporation Nonvolatile semiconductor system with automatic over erase protection
DE4219464A1 (de) * 1992-06-13 1993-12-16 Philips Patentverwaltung Verfahren und Schaltungsanordnung zum Erzeugen einer Programmierspannung
FR2700040B1 (fr) * 1992-12-31 1995-02-17 Gemplus Card Int Carte à puce avec données et programmes protégés contre le vieillissement.
JP2839819B2 (ja) 1993-05-28 1998-12-16 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US5428578A (en) * 1993-08-12 1995-06-27 Texas Instruments Incorporated Biasing circuit and method to achieve compaction and self-limiting erase in flash EEPROMs
JP2848223B2 (ja) * 1993-12-01 1999-01-20 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置の消去方法及び製造方法
DE69428423T2 (de) * 1994-02-21 2002-06-20 St Microelectronics Srl Regelschaltung und Verfahren zum Löschen von nichtflüchtigen Speicherzellen
EP0685853A1 (en) * 1994-05-31 1995-12-06 STMicroelectronics S.r.l. Method for erasing an EEPROM flash memory cell and corresponding erasing circuit
GB9417265D0 (en) * 1994-08-26 1994-10-19 Inmos Ltd Controlling capacitive load
US5933374A (en) * 1998-06-15 1999-08-03 Siemens Aktiengesellschaft Memory with reduced wire connections
US6088268A (en) * 1998-09-17 2000-07-11 Atmel Corporation Flash memory array with internal refresh
JP4248269B2 (ja) * 2003-02-21 2009-04-02 パナソニック株式会社 半導体不揮発性記憶装置
US8363491B2 (en) * 2011-01-28 2013-01-29 Freescale Semiconductor, Inc. Programming a non-volatile memory

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5548396B2 (ko) * 1971-08-09 1980-12-05
JPS5469037A (en) * 1977-11-11 1979-06-02 Sanyo Electric Co Ltd Data erasing method for nonvolatile semiconductor memory element
JPS6014438B2 (ja) * 1979-08-29 1985-04-13 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ−
US4387447A (en) * 1980-02-04 1983-06-07 Texas Instruments Incorporated Column and ground select sequence in electrically programmable memory
US4375087C1 (en) * 1980-04-09 2002-01-01 Hughes Aircraft Co Electrically erasable programmable read-only memory
DE3174417D1 (en) * 1980-12-08 1986-05-22 Toshiba Kk Semiconductor memory device
US4437174A (en) * 1981-01-19 1984-03-13 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
US4451905A (en) * 1981-12-28 1984-05-29 Hughes Aircraft Company Electrically erasable programmable read-only memory cell having a single transistor
JPS616475A (ja) * 1984-06-21 1986-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 自己保持型電磁弁
JPS6130354A (ja) * 1984-06-27 1986-02-12 Hitachi Seiki Co Ltd 金型加工における自動プログラミング装置
JPS6120958A (ja) * 1984-07-10 1986-01-29 Fuji Xerox Co Ltd 無端ベルト状感光体の位置検出方法
JPS6130351A (ja) * 1984-07-19 1986-02-12 N T Tool Kk 浮動式保持具
US4698787A (en) * 1984-11-21 1987-10-06 Exel Microelectronics, Inc. Single transistor electrically programmable memory device and method
JPS61165895A (ja) * 1985-01-17 1986-07-26 Matsushita Electronics Corp 不揮発性メモリの駆動方法

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Publication number Publication date
JPS63308797A (ja) 1988-12-16
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KR950004864B1 (ko) 1995-05-15

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