KR880005621A - 불휘발성 반도체 기억장치 - Google Patents

불휘발성 반도체 기억장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

불휘발성 반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 EPROM의 메모리셀어레이를 나타낸 평면도.
제4도는 본 발명의 메모리셀어레이를 도시한 제3도의 Ⅳ-Ⅳ 단면도.
제8도는 본 발명의 제2 실시예에 따른 EPROM의 메모리셀어레이를 나타낸 평면도.

Claims (17)

  1. 제1도는 전형의 반도체기판(10 ; 50)과, 정보기록 모우드와 정보 독출 모우드 사이에서 역으로 소오스와 드레인으로 사용되도록 서로 떨어져서 상기 반도체 가판(10 ; 50) 위에 형성되는 제2도 전형의 제1 및 제2반도체 층(12,14, ; 52,54), 정보전하를 축적하는 부유게이트를 역할하도록 상기 반도체 기판(10 ; 50) 위에 격리되어 형성되는 제 1도전층(18 ;58)및, 제어게이트로 역할하도록 상기 반도체 기판(10 ; 50) 위에 격리되어 형성되는 제2 도전층(16 ; 56)으로 이루어진 메모리셀을 구비함과 더불어, 상기 제2 도전층(16 ; 56)에 최초로 접지 전위가 공급되는 동안에 사기 제1 및 제2 반도체층(12,14 ; 52,54)으로 바이어스 전압(Vdr ; Vdp)을 공급해서 제2 반도체층 (14,54) 위의 바이어스 전압(Vdr ; Vdp)이 접지전압으로 근잡하고 있으므로 전환에 의해 메모리셀이 선택될 때 상기 제1 반도체층(12 ; 52) 위의 전압전위는 최초로 공급되는 바이어스 전압(Vdr ; Vdp)으로 변함없이 유지되도록 전환되지 않게 유지함에 따라 다른 메모리셀의 제1 능동층과 더불어 공통 배선이 제1 반도체층(12 ; 52)에 접속하게 되어 상기 제1 및 제2 반도체층(12,14 ; 52,54)과 상기 제2 도전층(16 ; 56)이 접속되는 전압적용 수단(B,W,C)을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 제1 및 제2 도전층(12,14)이 상기 반도체 기판(10)위에 병렬로 위치되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  3. 제2항에 있어서, 제1 및 제2 반도체층이 제1 및 제2 확산층(12)(14)으로 이루어지고, 제1 도전층(18)이 상기 제2 확산층(14)근처에 위치하면서 제2도전층(16)이 상기 제1 확산층(12)근처에 위치하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 정보 독출 모우드시 전압적용 수단(B,W,C)온 제2 도전층(16)에 최초로 접지전압을 공급하는 동안 제1 및 제2 확산층(12,14) 위의 바이어스 전압(Vdr)을 공급해서 제2 확산층(14) 위의 바이어스 전압(Vdr)이 떨어뜨리므로 메모리셀을 선택하고, 상기 메모리셀이 선택될 때 제1 확산층(12)의 전위를 바이어스 전압(Vdr)으로 고전되도록 유지하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 정보 기록 모우드시 전압적용 수단(B,W,C)은 제1 및 제2 확산층(12,14)과 제2 도전층(16)에 최초로 접지전압을 공급해서 상기 제2 확산층(14)과 상기 제2 도전층(16)위의 전압레벨이 전환되므로 메모리셀을 선택하고, 상기 메모리셀이 선택될 때 상기 제1 확산층(12)위의 전위를 접지전압으로 고정되도록 유지하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  6. 제2항에 있어서, 제1 및 제2 능동층이 제1 및 제2 확산층(12,14)으로 이루어지고, 제1 도전층(18)이 상기 제1 확산층(12) 근처에 위치하면서 제2 도전층(16)이 상기 제2 확산층(14) 근처에 위치하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  7. 제6항에 있어서, 정보 기록 모우드시 전압적용 수단(B,W,C)은 제2 도전층(16)에 최초로 접지전압을 공급하는 동안 제1 및 제2 확산층(12,14)으로 바이어스 전압(Vdp)을 공급해서 제2 확산층(14) 위의 바이어스 전압(Vdp)이 떨어뜨리므로 메모리셀을 선택하고, 상기 메모리셀이 선택될 때 제1 확산층(12)의 전위를 바이어스 전압(Vdp)으로 고정되도록 유지하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  8. 제7항에 있어서, 정보 독출 모우드시 전압적용 수단(B,W,C)은 제1 및 제2 확산층(12,14)과 제2 도전층(16)에 최초로 접지전압을 공급해서 상기 제2 확산층(14)과 상기 제2 도전층(16)위의 전압레벨이 전환되므로 메모리셀을 선택하고, 상기 메모리셀이 선택될 때 상기 제1 확산층(2)의 전위를 접지전압으로 고정되도록 유지하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  9. 제1항에 있어서, 제1 및 제2 도전층(56,58)이 반도체 기판(50) 위에 서로 격리되어 적층되도록 된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  10. 제9항에 있어서, 제1 능동층은 제2 도전층의 짙게 도우프된 반도체 확산층(52 ; 52)과 제2 도전형의 얕게 도우프된 반도체확산층(53 ; 53)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  11. 제10항에 있어서, 짙게 도우프된 반도체 확산층(52)과 얕게 도우프된 반도체 확산층(53)이 반도체 기판(50)위에 서로 격리되어 적층되도록 된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  12. 제9항에 있어서, 제1 및 제2 반도체층은 다른 깊이로 위치하는 제1 및 제2 확산층(54,70)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  13. 제9항에 있어서, 제1 반도체층은 금속층(72)이 반도체 기판(50) 위에 형성되므로 상기 금속층(72)과 상기 반도체 기판(50)사이에숏트키 접합이 형성되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  14. 제1 도전형의 반도체 기판(10 ; 50)과, 상기 반도체 기판(10 ; 50) 위에 마련되는 병렬비트선(B), 상기 반도체 기판(10 ; 50)에 상기 비트선(B)을 격리교차되어 마련되는 병렬워드선(W)및, 상기 비트선(B)과 상기 워드선(W) 사이의 교차점에 교차되어 상기 반도체 기판(10 ; 50) 위에 형성되는 메모리셀로 이루어지고, 정보기록 모우드와 정보 독출 모우드 사이에서 역으로 소오스와 드레인으로 사용되도록 서로 떨어져서 상기 반도체 기판(10 ; 50) 위에 형성되는 제2 도전형의 제1 및 제2 반도체 확산층(12,14 ; 52,54)과, 정보전하를 축적하기 위해 상기 반도체 기판(10 ; 50) 위에 격리되어 형성되는 부유케이트층(18 ;58) 및, 상기 워드선(W)중 한선에 접속되면서 상기 반도체 기판(10 ; 50) 위에 격리되어 형성되는 제어게이트층(16 ; 56)으로 이루어지는 각 메모리셀을 구비함과 더블어, 상기 제1 확산층(12,52)을 공통배선(C)에 접속하면서 상기 제2 확산층(14 ; 54)을 상기 비트선(B)중 한선에 접속해서 공통배선(C)으로 역할하도록 상기 반도체 기판(10 ; 50) 위에 형성되는 제2 도전형의 제3 확산층(24 ; 64)과, 정보 기록 모우드 및 정보 독출 모우드 중 1모우드에서 상기 워드선(W)이 접지되는 동안 상기 비트선(B)과 상기 공통배선(C)으로 최초로 바이어스 전압(Vdr ; Vdp)을 공급해서 소정의 메모리셀에 접속되는 비트선으로 공급되는 전압이 떨어짐에 따라 소정의 메모리셀을 선택하도록 상기 메모리셀에 접속되는 전압 적용수단(24,26 ; 64,66)을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  15. 제14항에 있어서, 부유게이트층(18)과 제어게이트층(16)이 반도체 기판(10) 위에 병렬로 위치된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  16. 제15항에 있어서, 부유게이트층(18)이 제2 확산층(18) 근처에 위치되면서 제어게이트층(16) 근처에 위치되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  17. 제14항에 있어서, 제어게이트층(56)이 부유게이트층(58) 위에 격리되어 적층되도록 된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870011887A 1986-10-27 1987-10-26 불휘발성 반도체기억장치 KR910000139B1 (ko)

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