KR910020920A - 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

전계효과트랜지스터 및 그 제조방법 Download PDF

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히데아끼 아리마
마꼬독 오이
가오루 모도니미
히로시 마쓰이
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시기 모리야
미쓰비시뎅끼 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

전계효과트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예를 표시한 DRAM의 메모셀어레이부의 단면 구조도.

Claims (3)

  1. 반도체기판의 표면에 형성된 한쌍의 불순물영역과, 상기 한쌍의 불순물영역간에 위치하고, 상기 반도체기판의 표면상에 게이트산화막을 사이에 두고 형성된 게이트전극과, 상기 게이트전극상에 형성된 제1의 상부산화막과 상기 게이트전극 및 상기 제1의 상부산화막의 양측면에 각각 형성된 한쌍의 제1의 측벽절연막과를 가지는 제1의 절연층과, 상기 한쪽의 불순물영역에 접속되고 상기 한쪽의 제1의 측벽절연막의 측면에 접하는 것과 아울러 그 한쪽끝이 상기 게이트전극위에 절연막을 사이에두고 연장조재된 도전층과 상기 도전층상에 형성된 제2의 상부산화막과 상기 도전층 및 상기 제2의 상부 산화막의 한측면에 형성되고 그 하면 측끝이 상기 다른쪽의 제1의 측벽절연막의 표면상에 위치하는 제2의 측벽절연막과를 가지는 제2의 절연층과를 포함하는 전계효과트랜지스터.
  2. 반도체기판의 표면에 형성된 한쌍의 불순물영역과, 상기 한쌍의 불순물영역간에 위치하고, 상기 반도체기판의 표면상에 게이트산화막을 사이에 두고 형성된 게이트전극과, 상기 게이트전극상에 형성된 제1의 상부산화막과 상기 게이트 전극 및 상기 제1의 상부산화막의 양측면에 각각 형성된 한쌍의 제1의 측벽절연막과를 가지는 제1의 절연층과, 상기 한쪽의 불순물영역에 접속되고 상기 그 한쪽의 제1의 측벽절연막의 측면에 접하는 것과 아울러 그 한쪽끝이 상기 게이트전극상에 절연막을 사이에 두고 연장 존재된 제1의 도전층과, 상기 제1의 도전층상에 형성된 제2의 상부산화막과 상기 제1의 도전층 및 상기 제2의 상부산화막의 한측면에 형성되고 그 하면측끝이 상기 다른쪽의 제1의 측벽절연막의 표면상에 위치하는 제2의 측벽절연막과를 가지는 제2의 절연층과, 상기 다른쪽의 불순물영역에 접속되고 상기 다른쪽의 제1의 측벽절연막의 측면 및 상기 제2의 측벽절연막의 측면에 접하려 형성되는 것과 아울러 상기 제1의 도전층과 전기적으로 절연된 제2의 도전층과를 포함하는 전계효과 트랜지스터.
  3. 반도체기판상에 전극층을 형성하고 상기 전극층의 상부를 덮는 제1의 상부산화막과 측면부를 덮는 제1의 측벽 절연막으로 이루어지는 제1의 절연층을 형성하고 상기 반도체기판의 상기 제1의 측벽절연막에 인접하는 영역에 불순물영역을 형성하는 스텝과, 상기 반도체기판의 상면 및 상기 제1의 절연층상에 도전층 및 제2의 절연층을 형성하여 제1의 절연층의 상부에 그 끝면을 가지는 형상으로 패터닝 하는 스텝과, 상기 반도체기판상의 전면에 제3의 절연층을 형성하는 스텝과, 상기 제3의 절연층을 에칭하여 상기 제1의 절연층의 상면에 위치하는 상기도전층의 측면에 접하고 또한 상기 제1의 측벽절연막의 표면상에 그 하면측 끝이 위치하도록 제2의 측벽절연막을 형성하는 스텝과를 포함하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910003631A 1990-05-01 1991-03-07 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법 KR940005890B1 (ko)

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