KR880012020A - 디지탈/아날로그 변환기 - Google Patents

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KR880012020A
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데츠야 이이다
나오키 스가와
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아오이 죠이치
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다케다이 마사다카
도시바마이콤엔지니어링 가부시키가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

디지탈/아날로그 변환기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 디지털/아날로그 변환기를 도시한 회로도.
제2도는 제1도에 도시한 디지털/아날로그 변환기중 특히 스위치 소자와 전류원을 상세하게 도시한 회로도.

Claims (6)

  1. 전원전위 공급단자와 출력단자 사이에 직렬로 연결된 제1전류값 제어수단과 스위치 소자를 갖추어 디지털 신호에 의해 결정된 상기 스위치 소자(S)의 도통상태를 제어함으로써 상기 디지털 값에 대응하는 아날로그 값을 얻을 수 있는 디지털/아날로그 변환회로와, 상기 전원전위 공급단자에 일단이 접속되어 상기 제1전류값
    제어수단(A)과 동일구성인 제2전류 값 제어수단(AO), 상기 제2전류 값 제어수단(AO)에 의한 전류 출력에 대응한 전압을 발생하는 전압 발생수단(RO) 및, 상기 전압 발생수단(RO)에 의해서 발생된 전압과 기준전압을 비교하여 그 비교결과에 따라서 상기 제1 및 제2전류값 제어수단(A,AO)을 각각 제어하는 비교수단(CO)를 구비하여 디지털 신호를 아날로그 신호로 변화시키는 것을 특징으로 하는 디지털/아날로그 변환기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2전류값 제어수단(A,AO)은 동일크기의 MOS 트랜지스터(Q2,QO)로서 동일 반도체상에 형성되어 그 게이트가 상기 비교수단(CO)의 출력단자에 연결되어 있음을 특징으로 하는 디지털/아날로그 변환.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2전류값 제어수단은 각각 직렬로 연결된 MOS 트랜지스터를 포함하게 되며, 모든 MOS 트랜지스터는 동일한 크기로 동일 반도체칩상에 형성되고, 제1전류값 제어수단(A)에 있는 제1MOS 트랜지스터의 게이트와 제2전류값 제어수단(AO)에 있는 제1 MOS 트랜지스터의 게이트는 상기 비교수단(CO)의 출력단자에 연결되며, 상기 제2전류값 제어수단(AO)에 있는 상기 제2MOS 트랜지스터의 게이트와 드레인이 서로 연결되고, 상기 제1전류값 제어수단(A)에 있는 제2MOS 트랜지스터의 게이트는 상기 제2전류값 제어수단(AO)에 있는 제2MOS 트랜지스터의 게이트와 드레인 접속점에 연결된 것을 특징으로 하는 디지털/아날로그 변환기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 스위치 소자(S)는 그의 게이트가 복GH화된 디지털 신호 DML 한 비트를 받도록 연결된 P형 MOS 트랜지스터를 포함하게 됨을 특징으로 하는 디지털/아날로그 변환기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1전류값 제어수단은 상기 전원전위 공급단자에 일단이 연결되고, 타단이 대응하는 스위치 소자(S)의 일단에 연결됨과 더불어 출력단자에 연결되며, 더불어 일단이 다른 스위치 소자(S)에 연결됨과 더불어 타단이 접지단자에 연결되어, 상기 다른 스위치 소자(S)가 복호화된 한 비트의 반전 디지털 신호에 의해 턴온/톤오프됨을 특징으로 하는 디지털/아날로그 변환기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기준전압을 출력단자로부터 인가되는 아날로그 출력의 풀스케일에 대응하는 값을 가지게 됨을 특징으로 하는 디지털/아날로그 변환기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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