KR20180014831A - 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법 - Google Patents

터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180014831A
KR20180014831A KR1020187001328A KR20187001328A KR20180014831A KR 20180014831 A KR20180014831 A KR 20180014831A KR 1020187001328 A KR1020187001328 A KR 1020187001328A KR 20187001328 A KR20187001328 A KR 20187001328A KR 20180014831 A KR20180014831 A KR 20180014831A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
tunnel dielectric
dielectric layer
present
substrate
Prior art date
Application number
KR1020187001328A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102100065B1 (ko
Inventor
팀 데니스
스콧 해링톤
제인 마닝
데이비드 스미스
앤 발트하우어
Original Assignee
선파워 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 선파워 코포레이션 filed Critical 선파워 코포레이션
Publication of KR20180014831A publication Critical patent/KR20180014831A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102100065B1 publication Critical patent/KR102100065B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
    • H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1872—Recrystallisation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y02P70/521—

Abstract

터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법이 기재되어 있다. 터널 유전체층을 갖는 태양 전지가 또한 기재되어 있다.

Description

터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법{METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER}
본원에 기재된 본 발명은 미국 에너지부에 의해 수여된 접속 번호 DE-FC36-07GO17043 하에 정부 지원으로 이루어졌다. 정부는 본 발명의 일정한 권리를 갖는다.
본 발명의 실시양태는 재생 에너지 분야, 및 특히 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 태양 전지로 알려진 광기전 전지는, 태양 복사선을 전기 에너지로 직접 전환시키는 잘 알려진 장치이다. 일반적으로, 태양 전지는 기판의 표면 부근에 p-n 접합을 형성하기 위해 반도체 가공 기술을 이용하여 반도체 웨이퍼 또는 기판상에서 제조된다. 기판의 표면상에서의 태양 복사선의 충돌은 기판의 체적 내에 전자 및 정공 쌍을 생성시키고, 이들은 기판 내의 p-도핑 영역 및 n-도핑 영역으로 이동함으로써 도핑된 영역들 사이에 전압 차를 발생시킨다. 도핑된 영역들은 태양 전지상의 금속 접촉부와 연결되어 전지로부터 이에 커플링된 외부 회로로 전류를 유도한다.
효율은 태양 전지의 전력 발생 능력과 직접 관련되므로 태양 전지의 중요한 특징이다. 따라서, 태양 전지의 효율을 증가시키기 위한 기술이 전반적으로 요구된다. 본 발명의 실시양태는 신규 태양 전지 구조체를 제조하기 위한 공정을 제공함으로써 태양 전지 효율을 증가시킬 수 있다.
터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법이 본원에 기재되어 있다. 하기 명세서에서는, 본 발명의 실시양태에 대한 충분한 이해를 제공하기 위해, 특정한 공정 플로우 작업과 같은 다수의 구체적인 상세가 기재된다. 본 발명의 실시양태는 이러한 구체적인 상세 없이도 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 실례에서, 평판인쇄 및 에칭 기술과 같은 잘 알려진 제조 기술은 본 발명의 실시양태를 불필요하게 불명료하게 하지 않기 위해 상세하게 기재하지 않았다. 또한, 도면에 도시된 다양한 실시예는 예시적으로 제시된 것이며 축척대로 도시된 것은 아니라는 것이 이해되어야 한다.
본원에는 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법이 개시되어 있다. 한 실시양태에서는, 태양 전지의 제조 방법은 태양 전지 기판의 표면을 습윤 화학 용액에 노출시켜 기판의 표면에 산화물층을 제공하는 것을 포함한다. 이어서, 상기 산화물층을 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 건조 분위기에서 가열하여 산화물층을 태양 전지의 터널 유전체층으로 전환시킨다. 한 실시양태에서는, 태양 전지의 제조 방법은 열적 산화에 의해 섭씨 600도 미만의 온도에서 태양 전지 기판의 표면에 산화물층을 형성하는 것을 포함한다. 이어서, 상기 산화물층을 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 건조 분위기에서 가열하여 태양 전지의 터널 유전체층으로 전환시킨다.
또한, 본원에는 태양 전지가 개시되어 있다. 한 실시양태에서, 태양 전지는 기판을 포함한다. 산화물층을 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 가열함으로써 형성된 터널 유전체층이 상기 기판상에 배치된다.
본 발명의 실시양태에 따라, 폴리실리콘/터널 산화물 공정에서의 열 소모가 감소된다. 예를 들어, 종래의 공정에서는, 터널 산화물은 상대적으로 저압의 약 섭씨 900도에서 성장될 수 있다. 그러나, 한 실시양태에서, 상기 공정 방법이 고온 열 소모로 인해 최적의 효율에는 부적합하다는 것이 밝혀졌다. 고온 열 소모는 총 제조 비용을 증가시킬 수 있는 2가지 요소인, 순환 시간 및 장비의 마모를 불리하게 증가시킬 수 있다. 특정 실시양태에서는, 종래의 공정 방법이 폴리실리콘 침착 공정에 대해 높은 순환 시간을 초래한다는 것이 밝혀졌다.
본 발명에 따른 실시양태에 따라, 터널 유전체층은 소수 캐리어를 블로킹하기 위해 태양 전지에 포함된다. 한 실시양태에서, 터널 유전체층의 두께는 약 15 옹스트롬이다. 그러나, 상기 터널 유전체층을 형성하기 위해 일반적으로 요구되는 열 소모는 태양 전지의 다른 부분에서, 예를 들어 벌크 기판, 후면 접촉 태양 전지의 기판에서 결함의 형성을 촉진시킬 수 있다. 따라서, 종래의 공정 방법을 적용하는 경우에는, 상기와 같은 층을 제조하기 위해 일반적으로 필요한 증가된 열 소모의 치명적인 영향과 터널 유전체층을 포함함으로써 제공되는 이점이 서로 상충 관계에 있을 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시양태에 따라, 본원에 제공된 공정 방법은 고효율이면서도 감소된 열 소모를 갖는 태양 전지 디자인에 이용하기 위한 터널 유전체층의 제조를 가능하게 한다. 한 실시양태에서는, 열 소모를 감소시킴으로써, 다른 공정 방법으로는 증가된 열 노출에 의해 악화된 결함이 감소되거나 완화된다. 특정 실시양태에서, 터널 유전체층을 제공하기 위해 이용되는 제조 공정은 섭씨 700도 근방 또는 미만의 온도에서 수행되는 공정으로 제한되고, 섭씨 900도 근방 또는 초과 온도에서의 공정의 적용은 전체 공정에서 단지 1회 사용된다. 특정 실시양태에서, 이러한 공정 방법은, 또한 총 순환 시간을 감소시키고, 태양 전지의 인-라인(in-line) 제조의 효율을 증가시킨다.
한 실시양태에서는, 태양 전지의 제조에서, 폴리실리콘 접촉부를 갖는 구조체에서의 터널을 위한 얇은 규소 산화물(이산화규소(SiO2)를 포함함) 층의 성장이 개선된다. 예를 들어, 하나 이상의 하기 필름 속성, 고성능 얇은 터널 유전체 필름, 제어된 두께, 제어된 품질, 감소된 공정 순환 시간, 및 감소된 공정 열 소모에 대한 개선이 포함될 수 있다. 한 실시양태에서는, 본원에 기재된 하나 이상의 공정 방법을 적용함으로써, 넓은 기판에 걸쳐 두께 제어가 양호한 매우 얇은 규소 산화물(예를 들어, SiO2) 터널 산화물이 상대적으로 저온에서(예를 들어, 감소된 열 소모) 및 상대적으로 짧은 순환 시간으로 달성된다. 한 실시양태에서는, 약 섭씨 565도의 최고 온도가 이용되고, 순환 시간은 공정 노(furnace)에서 약 1.5시간만큼 감소된다. 한 실시양태에서, 수성 산화물의 형성은 웨이퍼가 덜 오염되도록 한다. 상기 실시양태는 약 500 mTorr의 압력 및 약 섭씨 900도에서의 성장을 포함할 수 있는 종래의 공정 방법과는 대조된다.
본 발명의 실시양태에 따라, 수성 산화물 성장과 열적 산화물 성장의 조합이 얇지만 고품질의 산화물 필름을 달성하기 위해 이용된다. 한 실시양태에서, 산화물 필름의 두께는 약 1 내지 2 나노미터 범위에 있다. 한 실시양태에서는, 산화제, 용액 화합물 및 조명의 조합이 공정 중 수성 성장 부분 동안 산화물의 성장 속도를 증가시키고, 두께의 균일성을 개선시키기 위해 이용된다. 한 실시양태에서, 형성된 산화물은 이어서, 동시에 산화물의 수성 성장 부분의 품질을 개선시키는 저온 열 작업 동안 더 두꺼워진다. 한 실시양태에서, 수성 및 열 성장 기술이 조합되고, 저온 열 산화 성장 공정(예를 들어, 감소된 열 소모)이 수행되어, 고품질의 터널 유전체층이 제공된다.
본원에 제공된 공정 방법은 고효율이면서도 감소된 열 소모를 갖는 태양 전지 디자인에 이용하기 위한 터널 유전체층의 제조를 가능하게 한다. 열 소모를 감소시킴으로써 증가된 열 노출에 의해 악화된 결함이 감소되거나 완화된다. 또한, 총 순환 시간을 감소시키고, 태양 전지의 인-라인(in-line) 제조의 효율을 증가시킨다.
도 1은 본 발명의 실시양태에 따른, 태양 전지에서의 터널 유전체층을 제조하기 위한 감소된 열 소모(thermal budget) 공정과 비교한 종래의 공정의 모델 열 소모를 도시한다.
도 2는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법에서의 작업을 나타내는 흐름도를 도시한다.
도 3a는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층을 포함하는 태양 전지 제조에서의 한 단계의 단면도를 도시한다.
도 3b는 본 발명의 실시양태에 따른, 도 2의 흐름도의 작업 202 및 도 4의 흐름도의 작업 402에 대응하는, 터널 유전체층을 포함하는 태양 전지 제조에서의 한 단계의 단면도를 도시한다.
도 3c는 본 발명의 실시양태에 따른, 도 2의 흐름도의 작업 204 및 도 4의 흐름도의 작업 404에 대응하는, 터널 유전체층을 포함하는 태양 전지 제조에서의 한 단계의 단면도를 도시한다.
도 4는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법에서의 작업을 나타내는 흐름도를 도시한다.
도 5a는 본 발명의 실시양태에 따른, 조합된 수성 및 열 성장 작업 후의 터널 산화물 두께의 좌표를 도시한다.
도 5b는 본 발명의 실시양태에 따른, 조합된 수성 및 열 성장 작업 후의 산화물 두께의 표준 편차의 좌표를 도시한다.
도 6a는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층의 수성 필름 성분의 두께의 함수로서 소수 캐리어 수명(minority carrier lifetime)의 좌표를 도시한다.
도 6b는 본 발명의 실시양태에 따른, 수성 가공과 열 가공의 조합으로부터 산화물이 형성된 웨이퍼의 광발광 수명 결과를 도시한다.
본 발명의 한 측면에서는, 터널 유전체층의 제조에서 종래의 공정 방법과 비교하여 열 소모가 감소된다. 예를 들어, 도 1은 본 발명의 실시양태에 따른, 태양 전지에서의 터널 유전체층을 제조하기 위한 감소된 열 소모 공정과 비교하여 종래의 공정의 모델 열 소모를 도시한다.
도 1을 참조로 하여, 본 발명의 실시양태에 따른, 모델 열 소모의 좌표(100)가 종래의 공정(102) 및 감소된 열 소모 공정(104)에 대해, 경과 시간(분)의 함수로서 온도(섭씨온도)로 도시되어 있다. 한 실시양태에서, 종래의 공정(102)은 터널 유전체층의 제조에서 1회를 초과하여 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 가열하는 것을 포함한다. 이와 대조적으로, 한 실시양태에서는, 감소된 열 소모 공정(104)은 도 1에 도시된 바대로, 터널 유전체층의 제조에서 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 가열하는 것을 포함한다.
태양 전지는 터널 유전체층을 포함하도록 제조될 수 있다. 예를 들어, 도 2는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법에서의 작업을 나타내는 흐름도(200)를 도시한다. 도 3a 내지 3c는 본 발명의 실시양태에 따른, 흐름도(200)의 작업에 대응하는, 터널 유전체층을 포함하는 태양 전지의 제조에서의 다양한 단계의 단면도를 도시한다.
도 3a를 참조로 하여, 태양 전지의 제조를 위한 기판(302)이 제공된다. 본 발명의 실시양태에 따라, 기판(302)은 벌크(bulk) 규소 기판으로 구성된다. 한 실시양태에서, 벌크 규소 기판은 N-형 도펀트로 도핑된다. 한 실시양태에서, 기판(302)은 도 3a에 도시된 바대로, 텍스쳐링된(textured) 표면을 갖는다.
흐름도(200)의 작업(202) 및 이에 대응하는 도 3b를 참조로 하여, 태양 전지의 제조 방법은 기판(302)의 표면을 습윤 화학 용액에 노출시켜 기판(302)의 표면에 산화물층(304)을 제공하는 것을 포함한다. 본 발명의 실시양태에 따라, 습윤 화학 용액은 산화제, 예를 들어 오존(O3) 또는 과산화수소(H2O2)를 포함하나, 이에 제한되지 않는다. 한 실시양태에서, 습윤 화학 용액 및 기판의 표면은 산화물 성장 동안 가시광선에 노출된다. 한 실시양태에서, 기판(302)은 벌크 규소 기판이고, 산화물층(304)은 규소 산화물층이다.
흐름도(200)의 작업(204) 및 이에 대응하는 도 3c를 참조로 하여, 태양 전지의 제조 방법은 산화물층(304)을 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 건조 분위기에서 가열하여 태양 전지의 터널 유전체층(306)으로 전환시키는 것을 더 포함한다. 본 발명의 실시양태에 따라, 산화물층(304)은 태양 전지의 제조 동안 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에 노출된다. 한 실시양태에서, 작업(202)의 노출 후 작업(204)의 가열 전에, 산화물층(304)을 섭씨 500도 미만의 온도로부터 약 섭씨 565도의 온도로 가열한 후, 섭씨 500도 미만의 온도로 재냉각시킨다.
본 발명의 실시양태에 따라, 태양 전지의 제조 방법은 작업(204)의 가열 전에 산화물층(304) 위에서 물질층(308)을 형성하는 것을 더 포함한다. 한 실시양태에서, 물질층(308)은 비정질 규소층이고, 비정질 규소층은 작업(204)의 가열 동안 폴리실리콘층으로 결정화된다. 특정 실시양태에서, 태양 전지의 제조 방법은 도 3c에서 도시된 바대로, 폴리실리콘층(308) 위에서 금속 접촉부(312)를 형성하는 것을 더 포함한다.
따라서, 도 3c를 다시 참조로 하여, 본 발명의 실시양태에 따라, 태양 전지는 기판(302)을 포함한다. 터널 유전체층(306)은 기판(302)상에 배치되고, 산화물층(도 3b의 304)을 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도로 가열함으로써 형성된다. 한 실시양태에서, 태양 전지는 터널 유전체층(306) 위에 배치된 폴리실리콘층(308)을 더 포함한다. 특정 실시양태에서, 태양 전지는 폴리실리콘층(308) 위에 배치된 금속 접촉부(312)를 더 포함한다. 한 실시양태에서, 기판(302)은 벌크 규소 기판이고, 터널 유전체층(306)은 규소 산화물층이다.
한 실시양태에서, 태양 전지는 후면 접촉 태양 전지이다. 이러한 실시양태에서, 후면 접촉 태양 전지는 기판(302)에서 P-형 및 N-형 활성 영역을 포함한다. 접촉부(312)와 같은 전도성 접촉부들은 활성 영역과 결합되어 분리 영역들, 예를 들어 유전체 물질로 구성될 수 있는 분리 영역(310)에 의해 서로 분리된다. 한 실시양태에서, 태양 전지는 후면 접촉 태양 전지이고, 반사 방지 코팅층은 도 3a 내지 3c에 도시된 무작위로 텍스쳐링된 표면과 같은 수광(light-receiving) 표면상에 배치된다. 한 실시양태에서, 반사 방지 코팅층은 약 70 내지 80 나노미터 범위의 두께를 갖는 질화규소층이다.
본 발명의 또다른 측면에서, 태양 전지는 수성 처리를 이용하지 않고 터널 유전체층을 포함하도록 제조될 수 있다. 예를 들어, 도 4는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법에서의 작업을 나타내는 흐름도(400)를 도시한다. 도 3a 내지 3c는 본 발명의 실시양태에 따른, 흐름도(400)의 작업에 대응하는, 터널 유전체층을 포함하는 태양 전지의 제조에서의 다양한 단계의 단면도를 도시한다.
도 3a를 참조로 하여, 태양 전지의 제조를 위한 기판(302)이 제공된다. 본 발명의 실시양태에 따라, 기판(302)은 벌크 규소 기판으로 구성된다. 한 실시양태에서, 벌크 규소 기판은 N-형 도펀트로 도핑된다. 한 실시양태에서, 기판(302)은 도 3a에 도시된 바대로, 텍스쳐링된 표면을 갖는다.
흐름도(400)의 작업(402) 및 이에 대응하는 도 3b를 참조로 하여, 태양 전지의 제조 방법은 열적 산화에 의해 섭씨 600도 미만의 온도에서 태양 전지 기판(302)의 표면에 산화물층(304)을 형성하는 것을 포함한다. 본 발명의 실시양태에 따라, 산화물층(304)은 저압 열적 산화 공정에 의해 형성된다. 한 실시양태에서, 저압 열적 산화 공정은 산소(O2)를 포함하는 분위기에서 약 섭씨 500 내지 580도 범위의 온도로 수행된다. 한 실시양태에서, 기판(302)은 벌크 규소 기판이고, 산화물층(304)은 규소 산화물층이다.
흐름도(400)의 작업(404) 및 이에 대응하는 도 3c를 참조로 하여, 태양 전지의 제조 방법은 산화물층(304)을 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 건조 분위기에서 가열하여 산화물층(304)을 태양 전지의 터널 유전체층(306)으로 전환시키는 것을 더 포함한다. 본 발명의 실시양태에 따라, 산화물층(304)이 태양 전지의 제조 동안 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에 노출된다. 한 실시양태에서, 작업(402)의 형성 후 작업(404)의 가열 전에, 산화물층(304)을 섭씨 500도 미만의 온도로부터 약 섭씨 565도의 온도로 가열한 후, 섭씨 500도 미만의 온도로 재냉각시킨다.
본 발명의 실시양태에 따라, 태양 전지의 제조 방법은 작업(404)의 가열 전에 산화물층(304) 위에서 물질층(308)을 형성하는 것을 더 포함한다. 한 실시양태에서, 물질층(308)은 비정질 규소층이고, 비정질 규소층은 작업(404)의 가열 동안 폴리실리콘층으로 결정화된다. 특정 실시양태에서, 태양 전지의 제조 방법은 도 3c에 도시된 바대로, 폴리실리콘층(308) 위에서 금속 접촉부(312)를 형성하는 것을 더 포함한다.
상기 기재된 바대로, 본 발명의 한 측면에서는, 터널 유전체층(예를 들어, 터널 산화물층)은 기판의 수성 및 열 처리의 조합에 의해 제조될 수 있다. 도 5a 내지 5b는 각각 본 발명의 실시양태에 따른, 조합된 수성 및 열 성장 작업 후의 터널 산화물 두께 및 산화물 두께의 표준 편차를 각각 좌표 500A 및 500B로 도시한다. 좌표 500A 및 500B를 참조로 하면, 수성 성장 시간, 용액 영역 농도 및 온도는 변화하였다. 참고로, 수행된 열적 산화는 모든 경우에서 동일하였다. 도 6a는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층의 수성 필름 성분의 두께의 함수로서 소수 캐리어 수명의 좌표(600A)를 도시한다. 도 6b는 본 발명의 실시양태에 따른, 수성과 열 가공의 조합으로부터 산화물이 형성된 웨이퍼의 광발광 수명 결과(600B)를 도시한다. 상기 좌표에서 도시되어 있는 다수의 제조된 필름 유형을 근거로 하여, 그리고 본 발명의 실시양태에 따라, 터널 유전체 필름에 대해 특별히 요구되는 특성은 성장 공정의 수성 처리 부분을 조절함으로써 조절될 수 있다.
상기 기재된 바대로, 본 발명의 또다른 측면에서, 터널 유전체층(예를 들어, 터널 산화물층)은 산화물층을 태양 전지의 제조 동안 단 1회 약 섭씨 900도를 초과하는 온도에 노출시킴으로써 제조될 수 있다. 한 실시양태에서, 열적 산화는 다음 제조 단계를 위해 요구되는 온도 근방에서 또는 실질적으로 이와 동일한 온도에서 수행된다. 하나의 상기 단계는 터널 산화물층 위에 규소층을 형성하는 것일 수 있다. 따라서, 한 실시양태에서는, 열적 산화가 오직 약 섭씨 575도에서 수행된다.
이와 같이, 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법이 개시되어 있다. 본 발명의 실시양태에 따라, 태양 전지의 제조 방법은 태양 전지 기판의 표면을 습윤 화학 용액에 노출시켜 기판의 표면에 산화물층을 제공하는 것을 포함한다. 본 발명은 또한 상기 산화물층을 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도의 건조 분위기에서 가열하여 태양 전지의 터널 유전체층으로 전환시키는 것을 포함한다. 한 실시양태에서, 산화물층은 태양 전지의 제조 동안 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에 노출된다. 본 발명의 또다른 실시양태에 따라, 태양 전지의 제조 방법은 열적 산화에 의해 섭씨 600도 미만의 온도에서 태양 전지 기판의 표면에 산화물층을 형성하는 것을 포함한다. 본 발명은, 또한 상기 산화물층을 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 건조 분위기에서 가열하여 산화물층을 태양 전지의 터널 유전체층으로 전환시키는 것을 포함한다. 한 실시양태에서, 산화물층은 태양 전지의 제조 동안 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에 노출된다.

Claims (1)

  1. 태양 전지의 제조 방법.
KR1020187001328A 2010-07-02 2011-04-27 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법 KR102100065B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/829,922 2010-07-02
US12/829,922 US8334161B2 (en) 2010-07-02 2010-07-02 Method of fabricating a solar cell with a tunnel dielectric layer
PCT/US2011/034089 WO2012003038A2 (en) 2010-07-02 2011-04-27 Method of fabricating a solar cell with a tunnel dielectric layer

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177008710A Division KR102007102B1 (ko) 2010-07-02 2011-04-27 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180014831A true KR20180014831A (ko) 2018-02-09
KR102100065B1 KR102100065B1 (ko) 2020-04-10

Family

ID=45398770

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177008710A KR102007102B1 (ko) 2010-07-02 2011-04-27 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법
KR1020127034311A KR101758952B1 (ko) 2010-07-02 2011-04-27 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법
KR1020187001328A KR102100065B1 (ko) 2010-07-02 2011-04-27 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177008710A KR102007102B1 (ko) 2010-07-02 2011-04-27 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법
KR1020127034311A KR101758952B1 (ko) 2010-07-02 2011-04-27 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (4) US8334161B2 (ko)
EP (1) EP2589087A4 (ko)
JP (4) JP5825692B2 (ko)
KR (3) KR102007102B1 (ko)
CN (2) CN106847937A (ko)
AU (1) AU2011271682B2 (ko)
WO (1) WO2012003038A2 (ko)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8334161B2 (en) 2010-07-02 2012-12-18 Sunpower Corporation Method of fabricating a solar cell with a tunnel dielectric layer
CN104103699A (zh) 2013-04-03 2014-10-15 Lg电子株式会社 太阳能电池
KR102132740B1 (ko) * 2013-10-21 2020-07-10 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101661948B1 (ko) * 2014-04-08 2016-10-04 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101613846B1 (ko) 2014-06-10 2016-04-20 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR102219804B1 (ko) 2014-11-04 2021-02-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그의 제조 방법
JP6219913B2 (ja) 2014-11-28 2017-10-25 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
KR102272433B1 (ko) 2015-06-30 2021-07-05 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
CN106784069A (zh) * 2015-11-20 2017-05-31 上海神舟新能源发展有限公司 背表面隧道氧化钝化交指式背结背接触电池制作方法
US10367115B2 (en) * 2016-01-29 2019-07-30 Lg Electronics Inc. Method of manufacturing solar cell
CN107026218B (zh) * 2016-01-29 2019-05-10 Lg电子株式会社 制造太阳能电池的方法
NL2017290B1 (en) 2016-08-04 2018-02-14 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Passivated Emitter and Rear Contact Solar Cell
USD822890S1 (en) 2016-09-07 2018-07-10 Felxtronics Ap, Llc Lighting apparatus
DE102016222175A1 (de) 2016-11-11 2018-05-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Aufbringen von Ladungsträger-selektiven Kontakten auf Solarzellen
KR101846443B1 (ko) 2017-02-23 2018-04-06 엘지전자 주식회사 태양전지를 위한 산화막 형성 방법
US10775030B2 (en) 2017-05-05 2020-09-15 Flex Ltd. Light fixture device including rotatable light modules
USD872319S1 (en) 2017-08-09 2020-01-07 Flex Ltd. Lighting module LED light board
USD862777S1 (en) 2017-08-09 2019-10-08 Flex Ltd. Lighting module wide distribution lens
USD833061S1 (en) 2017-08-09 2018-11-06 Flex Ltd. Lighting module locking endcap
USD846793S1 (en) 2017-08-09 2019-04-23 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD832494S1 (en) 2017-08-09 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module heatsink
USD877964S1 (en) 2017-08-09 2020-03-10 Flex Ltd. Lighting module
USD832495S1 (en) 2017-08-18 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862778S1 (en) 2017-08-22 2019-10-08 Flex Ltd Lighting module lens
CN107546281A (zh) * 2017-08-29 2018-01-05 浙江晶科能源有限公司 一种实现p型perc电池正面钝化接触的方法
USD888323S1 (en) 2017-09-07 2020-06-23 Flex Ltd Lighting module wire guard
FR3071358B1 (fr) * 2017-09-15 2019-09-13 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'une cellule photovoltaique a homojonction

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004047935A (ja) * 2002-05-24 2004-02-12 Japan Science & Technology Corp シリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法、半導体基材表面の酸化膜形成方法、及び半導体装置の製造方法
JP2005347339A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池の製造方法及び太陽電池
US7468485B1 (en) * 2005-08-11 2008-12-23 Sunpower Corporation Back side contact solar cell with doped polysilicon regions

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4393095A (en) * 1982-02-01 1983-07-12 Ppg Industries, Inc. Chemical vapor deposition of vanadium oxide coatings
JP2811723B2 (ja) * 1989-03-20 1998-10-15 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
US5057439A (en) * 1990-02-12 1991-10-15 Electric Power Research Institute Method of fabricating polysilicon emitters for solar cells
US5057463A (en) 1990-02-28 1991-10-15 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Thin oxide structure and method
JPH04226084A (ja) * 1990-05-23 1992-08-14 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池およびその製造方法
JP2858920B2 (ja) * 1990-06-22 1999-02-17 三洋電機株式会社 光起電力素子の製造方法
JP2855903B2 (ja) * 1990-08-30 1999-02-10 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0529293A (ja) * 1991-07-18 1993-02-05 Fujitsu Ltd 半導体基板の前処理方法
JP3006396B2 (ja) * 1993-03-02 2000-02-07 日本電気株式会社 半導体薄膜の形成方法
JPH0794431A (ja) * 1993-04-23 1995-04-07 Canon Inc アモルファス半導体用基板、該基板を有するアモルファス半導体基板、及び該アモルファス半導体基板の製造方法
JP3094730B2 (ja) * 1993-04-27 2000-10-03 トヨタ自動車株式会社 太陽電池素子
JPH0786271A (ja) 1993-09-17 1995-03-31 Fujitsu Ltd シリコン酸化膜の作製方法
US5828080A (en) * 1994-08-17 1998-10-27 Tdk Corporation Oxide thin film, electronic device substrate and electronic device
US5516730A (en) * 1994-08-26 1996-05-14 Memc Electronic Materials, Inc. Pre-thermal treatment cleaning process of wafers
JP3096640B2 (ja) * 1995-08-04 2000-10-10 三洋電機株式会社 半導体装置及び表示装置
TW466772B (en) * 1997-12-26 2001-12-01 Seiko Epson Corp Method for producing silicon oxide film, method for making semiconductor device, semiconductor device, display, and infrared irradiating device
JPH11340483A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Hiroshi Komiyama 太陽電池用薄膜の製造方法
WO2001026161A1 (fr) * 1999-10-05 2001-04-12 Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. Pile solaire a compose semiconducteur et procede de fabrication
JP2002064093A (ja) * 2000-08-21 2002-02-28 Japan Science & Technology Corp 半導体基板表面の酸化膜形成方法および半導体装置の製造方法
CN1144272C (zh) * 2000-09-04 2004-03-31 中国科学院半导体研究所 采用teos源pecvd生长氧化硅厚膜的方法
CN1190828C (zh) * 2001-11-07 2005-02-23 旺宏电子股份有限公司 隧道氧化层的制造方法
JP2003152205A (ja) * 2001-11-12 2003-05-23 Sharp Corp 光電変換素子及びその製造方法
US6916717B2 (en) * 2002-05-03 2005-07-12 Motorola, Inc. Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate
JP2004056057A (ja) * 2002-07-24 2004-02-19 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
US7176528B2 (en) * 2003-02-18 2007-02-13 Corning Incorporated Glass-based SOI structures
US7323423B2 (en) * 2004-06-30 2008-01-29 Intel Corporation Forming high-k dielectric layers on smooth substrates
DE102004050269A1 (de) 2004-10-14 2006-04-20 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle
JP4586585B2 (ja) * 2005-03-15 2010-11-24 日立電線株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
NL1029647C2 (nl) * 2005-07-29 2007-01-30 Otb Group Bv Werkwijze voor het passiveren van ten minste een deel van een substraatoppervlak.
US7718888B2 (en) 2005-12-30 2010-05-18 Sunpower Corporation Solar cell having polymer heterojunction contacts
CN101060166A (zh) * 2006-04-20 2007-10-24 北京大学 一种透光电极及其制备方法
US7737357B2 (en) * 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
NL2000248C2 (nl) * 2006-09-25 2008-03-26 Ecn Energieonderzoek Ct Nederl Werkwijze voor het vervaardigen van kristallijn-silicium zonnecellen met een verbeterde oppervlaktepassivering.
US7705237B2 (en) 2006-11-27 2010-04-27 Sunpower Corporation Solar cell having silicon nano-particle emitter
US8222516B2 (en) * 2008-02-20 2012-07-17 Sunpower Corporation Front contact solar cell with formed emitter
US7799670B2 (en) * 2008-03-31 2010-09-21 Cypress Semiconductor Corporation Plasma oxidation of a memory layer to form a blocking layer in non-volatile charge trap memory devices
JP2011517119A (ja) * 2008-04-09 2011-05-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 太陽電池用窒化障壁層
KR20100136542A (ko) 2008-04-09 2010-12-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 폴리실리콘 에미터 태양전지용의 단순화된 후면 접촉부
DE102008055515A1 (de) * 2008-12-12 2010-07-15 Schott Solar Ag Verfahren zum Ausbilden eines Dotierstoffprofils
US8334161B2 (en) * 2010-07-02 2012-12-18 Sunpower Corporation Method of fabricating a solar cell with a tunnel dielectric layer
JP2012049156A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Osaka Univ 太陽電池およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004047935A (ja) * 2002-05-24 2004-02-12 Japan Science & Technology Corp シリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法、半導体基材表面の酸化膜形成方法、及び半導体装置の製造方法
JP2005347339A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池の製造方法及び太陽電池
US7468485B1 (en) * 2005-08-11 2008-12-23 Sunpower Corporation Back side contact solar cell with doped polysilicon regions

Also Published As

Publication number Publication date
US20130078758A1 (en) 2013-03-28
WO2012003038A2 (en) 2012-01-05
KR101758952B1 (ko) 2017-07-17
CN102959731A (zh) 2013-03-06
US8334161B2 (en) 2012-12-18
EP2589087A2 (en) 2013-05-08
KR20170040366A (ko) 2017-04-12
US9112066B2 (en) 2015-08-18
CN106847937A (zh) 2017-06-13
JP6519820B2 (ja) 2019-05-29
KR102100065B1 (ko) 2020-04-10
KR102007102B1 (ko) 2019-08-02
US20150263200A1 (en) 2015-09-17
JP2016001739A (ja) 2016-01-07
WO2012003038A3 (en) 2012-04-12
US8709851B2 (en) 2014-04-29
AU2011271682B2 (en) 2015-08-13
JP6082060B2 (ja) 2017-02-15
JP2019091919A (ja) 2019-06-13
KR20130098191A (ko) 2013-09-04
JP2013529857A (ja) 2013-07-22
AU2011271682A1 (en) 2013-01-17
CN102959731B (zh) 2016-10-19
US9537030B2 (en) 2017-01-03
JP2017069588A (ja) 2017-04-06
US20120000528A1 (en) 2012-01-05
JP5825692B2 (ja) 2015-12-02
EP2589087A4 (en) 2017-07-26
US20140134788A1 (en) 2014-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101758952B1 (ko) 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법
JP6746854B2 (ja) ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池
US10629760B2 (en) Method of fabricating an emitter region of a solar cell
JP6352939B2 (ja) 酸窒化シリコン誘電層を備える太陽電池のエミッタ領域
JP6392385B2 (ja) 太陽電池の製造方法
KR20180066275A (ko) 후면 전극형 태양 전지를 제조하는 방법 및 그 장치
KR20170048515A (ko) 개선된 전면 접점 이종접합 공정
KR20170132224A (ko) 블리스터 없는 태양 전지용 다결정 규소
JP2007019259A (ja) 太陽電池およびその製造方法
CN110808293A (zh) 太阳能电池光接收表面的钝化
Dennis et al. Method of fabricating a solar cell with a tunnel dielectric layer
KR20170057388A (ko) 간소화 침착 공정으로 제조한 태양 전지
KR20170119028A (ko) 후면접합 실리콘 태양전지 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant