JP3094730B2 - 太陽電池素子 - Google Patents
太陽電池素子Info
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- crystal
- crystal silicon
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
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- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶シリコン基板に
非単結晶シリコン層を積層して、非単結晶シリコンを結
晶成長させた基板を用いる太陽電池素子に関する。
非単結晶シリコン層を積層して、非単結晶シリコンを結
晶成長させた基板を用いる太陽電池素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池素子に用いられるＳｉ（シリコ
ン）基板には、単結晶Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、アモルファス
Ｓｉがある。ところで、単結晶Ｓｉを用いた太陽電池素
子の特性を向上させる方法として、Ｓｉウエハのキャリ
アライフタイムを長くする方法がある。通常、Ｓｉウエ
ハはｐ型またはｎ型不純物を含有し、不純物量が少ない
ほど、ライフタイムは向上するが、電気抵抗が増加し
て、特性が低下する問題点を含むため、通常は０．０１
〜１ｐｐｍａ程度の不純物元素を含有させる。
ン）基板には、単結晶Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、アモルファス
Ｓｉがある。ところで、単結晶Ｓｉを用いた太陽電池素
子の特性を向上させる方法として、Ｓｉウエハのキャリ
アライフタイムを長くする方法がある。通常、Ｓｉウエ
ハはｐ型またはｎ型不純物を含有し、不純物量が少ない
ほど、ライフタイムは向上するが、電気抵抗が増加し
て、特性が低下する問題点を含むため、通常は０．０１
〜１ｐｐｍａ程度の不純物元素を含有させる。
【０００３】上記相反する問題を解決するため、不純物
量の多い低抵抗基板上に不純物量が少なくライフタイム
の長い領域を形成して、光をより多く吸収する表面側に
近い領域の特性向上を図るという技術がある。
量の多い低抵抗基板上に不純物量が少なくライフタイム
の長い領域を形成して、光をより多く吸収する表面側に
近い領域の特性向上を図るという技術がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
は、Ｓｉ基板上に良質な結晶性を有するＳｉ層領域を形
成する場合、高温プロセスであるエピタキシャル成長を
行う必要があり、熱歪欠陥が生成し、ライフタイムが減
少するという問題点がある。
は、Ｓｉ基板上に良質な結晶性を有するＳｉ層領域を形
成する場合、高温プロセスであるエピタキシャル成長を
行う必要があり、熱歪欠陥が生成し、ライフタイムが減
少するという問題点がある。
【０００５】また、例えば特開平４−１７７８８０号公
報に示されるように、低温で、基板上に多結晶Ｓｉ膜を
形成後、アニールにより再結晶化させる方法があるが、
この方法では、基板の任意の部分を核としてランダムに
結晶化するため、微小な結晶が多数析出し、キャリアの
移動が悪くなり、良好な光電変換特性を有する太陽電池
素子の形成が困難であった。
報に示されるように、低温で、基板上に多結晶Ｓｉ膜を
形成後、アニールにより再結晶化させる方法があるが、
この方法では、基板の任意の部分を核としてランダムに
結晶化するため、微小な結晶が多数析出し、キャリアの
移動が悪くなり、良好な光電変換特性を有する太陽電池
素子の形成が困難であった。
【０００６】なお、受光面の結晶成長層に求められる性
質は以下の３点である。（ａ）不純物元素濃度が少な
い。（ｂ）ライフタイムが長い。（ｃ）結晶性が良好
で、多結晶の場合は結晶粒径が大きい。
質は以下の３点である。（ａ）不純物元素濃度が少な
い。（ｂ）ライフタイムが長い。（ｃ）結晶性が良好
で、多結晶の場合は結晶粒径が大きい。
【０００７】しかしながら、従来は上記３点を満たすこ
とが難しかった。
とが難しかった。
【０００８】そこで本発明の目的は、受光面側に結晶粒
径の大きい不純物低濃度層を形成でき、出力特性を向上
させることができるようにした太陽電池素子を提供する
ことにある。
径の大きい不純物低濃度層を形成でき、出力特性を向上
させることができるようにした太陽電池素子を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の太陽電池素子
は、単結晶シリコン基板の受光面側に不純物低濃度の非
単結晶シリコン層を形成し、この非単結晶シリコン層を
結晶成長させた基板を用いる太陽電池素子において、単
結晶シリコン基板と非単結晶シリコン層の間に、複数の
微小な開口部が規則的に配置された中間層を設け、開口
部より非単結晶シリコンが結晶成長するように、開口部
を介して単結晶シリコン基板と非単結晶シリコン層とを
接触させたものである。
は、単結晶シリコン基板の受光面側に不純物低濃度の非
単結晶シリコン層を形成し、この非単結晶シリコン層を
結晶成長させた基板を用いる太陽電池素子において、単
結晶シリコン基板と非単結晶シリコン層の間に、複数の
微小な開口部が規則的に配置された中間層を設け、開口
部より非単結晶シリコンが結晶成長するように、開口部
を介して単結晶シリコン基板と非単結晶シリコン層とを
接触させたものである。
【００１０】
【作用】この太陽電池素子では、単結晶シリコン基板と
非単結晶シリコン層の間に設けられた中間層の開口部よ
り非単結晶シリコンが結晶成長し、他の部分からは結晶
成長しないので、成長中の結晶同士が衝突しあうことが
なく、結晶粒径が大きくなる。
非単結晶シリコン層の間に設けられた中間層の開口部よ
り非単結晶シリコンが結晶成長し、他の部分からは結晶
成長しないので、成長中の結晶同士が衝突しあうことが
なく、結晶粒径が大きくなる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
【００１２】図１は本発明の第１実施例の太陽電池素子
の断面図である。この図に示すように、本実施例の太陽
電池素子は、高濃度にＢ（ホウ素）がドーピングされた
ｐ型Ｓｉウエハ１の表面に熱酸化膜２を形成し、この熱
酸化膜２の表面に低濃度にＢ（ホウ素）がドーピングさ
れたｐ型不純物低濃度層領域３を形成し、このｐ型不純
物低濃度層領域３の上に、Ｐ（リン）がドーピングされ
た受光面ｎ層領域４を形成している。さらに、上記のよ
うに加工されたＳｉウエハの受光面に、表面クシ型電極
５を形成し、裏面に裏面電極６を形成して太陽電池素子
を形成している。
の断面図である。この図に示すように、本実施例の太陽
電池素子は、高濃度にＢ（ホウ素）がドーピングされた
ｐ型Ｓｉウエハ１の表面に熱酸化膜２を形成し、この熱
酸化膜２の表面に低濃度にＢ（ホウ素）がドーピングさ
れたｐ型不純物低濃度層領域３を形成し、このｐ型不純
物低濃度層領域３の上に、Ｐ（リン）がドーピングされ
た受光面ｎ層領域４を形成している。さらに、上記のよ
うに加工されたＳｉウエハの受光面に、表面クシ型電極
５を形成し、裏面に裏面電極６を形成して太陽電池素子
を形成している。
【００１３】なお、本実施例では、Ｓｉウエハにｐ型を
選んだが、ｎ型Ｓｉウエハにおいても同様に、ｎ型不純
物低濃度層領域および受光面ｐ層を形成して太陽電池素
子を形成することが可能である。
選んだが、ｎ型Ｓｉウエハにおいても同様に、ｎ型不純
物低濃度層領域および受光面ｐ層を形成して太陽電池素
子を形成することが可能である。
【００１４】図２は受光面（表面）側より見た酸化膜２
の概要を示す平面図である。この図に示すように、酸化
膜２は規則的に微小な開口部７を有している。酸化膜２
上に形成されたアモルファス（非晶質）Ｓｉ膜はアニー
ルにより結晶化され、開口部７よりｐ型Ｓｉウエハ１の
結晶性を種として徐々に周囲の酸化膜２上へ結晶成長す
る。そして、隣接する開口部７より成長した結晶部分と
接することにより結晶成長は停止し、規則的で正方状の
粒界８を有するｐ型不純物低濃度層領域３が形成され
る。
の概要を示す平面図である。この図に示すように、酸化
膜２は規則的に微小な開口部７を有している。酸化膜２
上に形成されたアモルファス（非晶質）Ｓｉ膜はアニー
ルにより結晶化され、開口部７よりｐ型Ｓｉウエハ１の
結晶性を種として徐々に周囲の酸化膜２上へ結晶成長す
る。そして、隣接する開口部７より成長した結晶部分と
接することにより結晶成長は停止し、規則的で正方状の
粒界８を有するｐ型不純物低濃度層領域３が形成され
る。
【００１５】このように、Ｓｉウエハ１上に設けられ
た、規則的に形成された開口部７を有する酸化膜２を介
してアモルファスＳｉ膜を形成し、アニールすることに
よって、規則的で粒径の大きいｐ型不純物低濃度層領域
３を形成できる。この領域は受光面に近く、光の吸収量
が最も多い領域であり、低不純物濃度化を行い、ライフ
タイムを向上させることが、太陽電池素子の出力向上に
大きく寄与する。また、ｐ型Ｓｉウエハ１の不純物（ホ
ウ素）濃度を多くし、低抵抗化することにより、太陽電
池素子の直列抵抗を減少させることができ、さらに出力
を向上させることが可能となる。また、上記プロセスは
比較的低温で行われるため、熱歪による結晶性の低下を
防止することもできる。
た、規則的に形成された開口部７を有する酸化膜２を介
してアモルファスＳｉ膜を形成し、アニールすることに
よって、規則的で粒径の大きいｐ型不純物低濃度層領域
３を形成できる。この領域は受光面に近く、光の吸収量
が最も多い領域であり、低不純物濃度化を行い、ライフ
タイムを向上させることが、太陽電池素子の出力向上に
大きく寄与する。また、ｐ型Ｓｉウエハ１の不純物（ホ
ウ素）濃度を多くし、低抵抗化することにより、太陽電
池素子の直列抵抗を減少させることができ、さらに出力
を向上させることが可能となる。また、上記プロセスは
比較的低温で行われるため、熱歪による結晶性の低下を
防止することもできる。
【００１６】次に、図３を参照して、本実施例の太陽電
池素子の製造方法を具体的に説明する。まず、（ａ）に
示すような、Ｂ（ホウ素）が高濃度にドーピングされた
比抵抗範囲０．０５〜１．０Ω・ｃｍ程度のｐ型Ｓｉウ
エハ１の表面に、（ｂ）に示すように酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）２を約４００ｎｍ程度形成する。次に、（ｃ）に
示すように、酸化膜２にフォトリソグラフィ工程を用い
て、３μｍ正方角の開口部７を１５μｍ間隔で、加工形
成する。次に、（ｄ）に示すように、Ｂ2 Ｈ6 （ジボラ
ン）を微量に含有したＳｉＨ4 （モノシラン）ガスを、
プラズマＣＶＤ法により分解堆積させ、膜厚約５μｍの
ｐ型アモルファスＳｉ膜１１を形成する。この膜１１を
６００℃でアニールすることにより、酸化膜２の開口部
７に存在するＳｉウエハ（結晶部分）を種として、脱水
素化しながらエピタキシャル成長させ、（ｅ）に示すよ
うに、開口部間隔１５μｍに合わせて粒径約１５μｍの
均一で規則正しい結晶粒を有するｐ型不純物低濃度層領
域３を形成する。
池素子の製造方法を具体的に説明する。まず、（ａ）に
示すような、Ｂ（ホウ素）が高濃度にドーピングされた
比抵抗範囲０．０５〜１．０Ω・ｃｍ程度のｐ型Ｓｉウ
エハ１の表面に、（ｂ）に示すように酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）２を約４００ｎｍ程度形成する。次に、（ｃ）に
示すように、酸化膜２にフォトリソグラフィ工程を用い
て、３μｍ正方角の開口部７を１５μｍ間隔で、加工形
成する。次に、（ｄ）に示すように、Ｂ2 Ｈ6 （ジボラ
ン）を微量に含有したＳｉＨ4 （モノシラン）ガスを、
プラズマＣＶＤ法により分解堆積させ、膜厚約５μｍの
ｐ型アモルファスＳｉ膜１１を形成する。この膜１１を
６００℃でアニールすることにより、酸化膜２の開口部
７に存在するＳｉウエハ（結晶部分）を種として、脱水
素化しながらエピタキシャル成長させ、（ｅ）に示すよ
うに、開口部間隔１５μｍに合わせて粒径約１５μｍの
均一で規則正しい結晶粒を有するｐ型不純物低濃度層領
域３を形成する。
【００１７】続いて、裏面側に、Ｂ（ホウ素）を高濃度
にドーピングしたｐ+ 層（図示せず）を形成し、受光面
（ｐ型不純物低濃度層領域３）にＰ（リン）を高濃度に
ドーピングしたｎ層４を形成し、続いて、ＴｉＯ2 より
なる反射防止膜（図示せず）を形成した後、銀ペースト
スクリーン印刷により表面クシ型電極５と裏面電極６を
形成して、図１に示す太陽電池素子を完成させた。
にドーピングしたｐ+ 層（図示せず）を形成し、受光面
（ｐ型不純物低濃度層領域３）にＰ（リン）を高濃度に
ドーピングしたｎ層４を形成し、続いて、ＴｉＯ2 より
なる反射防止膜（図示せず）を形成した後、銀ペースト
スクリーン印刷により表面クシ型電極５と裏面電極６を
形成して、図１に示す太陽電池素子を完成させた。
【００１８】次に本発明の第２実施例について説明す
る。本実施例では、第１実施例と同様のｐ型Ｓｉウエハ
１の表面に、酸化膜（ＳｉＯ2 ）２を約４００ｎｍ程度
形成する。次に、この酸化膜２にフォトリソグラフィ工
程を用いて、３μｍ正方角の開口部７を３０μｍ間隔
で、加工形成する。次に、Ｂ2 Ｈ6 を微量に含有したＳ
ｉＨ4 ガスを、プラズマＣＶＤ法により分解堆積させ、
膜厚約５μｍのｐ型アモルファスＳｉ膜１１を形成す
る。この膜１１を６００℃でアニールすることにより、
酸化膜２の開口部７に存在するＳｉウエハ（結晶部分）
を種として、脱水素化しながらエピタキシャル成長さ
せ、開口部間隔３０μｍに合わせて粒径約３０μｍの均
一で規則正しい結晶粒を有するｐ型不純物低濃度層領域
３を形成する。続いて、第１実施例と同様の加工を施
し、太陽電池素子を完成させた。
る。本実施例では、第１実施例と同様のｐ型Ｓｉウエハ
１の表面に、酸化膜（ＳｉＯ2 ）２を約４００ｎｍ程度
形成する。次に、この酸化膜２にフォトリソグラフィ工
程を用いて、３μｍ正方角の開口部７を３０μｍ間隔
で、加工形成する。次に、Ｂ2 Ｈ6 を微量に含有したＳ
ｉＨ4 ガスを、プラズマＣＶＤ法により分解堆積させ、
膜厚約５μｍのｐ型アモルファスＳｉ膜１１を形成す
る。この膜１１を６００℃でアニールすることにより、
酸化膜２の開口部７に存在するＳｉウエハ（結晶部分）
を種として、脱水素化しながらエピタキシャル成長さ
せ、開口部間隔３０μｍに合わせて粒径約３０μｍの均
一で規則正しい結晶粒を有するｐ型不純物低濃度層領域
３を形成する。続いて、第１実施例と同様の加工を施
し、太陽電池素子を完成させた。
【００１９】次に本発明の第３実施例について説明す
る。太陽電池素子は、入射光の表面反射を低減させ、出
力を向上させるため、表面にピラミッド状の凹凸を全面
に形成させたテクスチャ構造を採用する場合がある。本
実施例は、本発明をこのテクスチャ構造の太陽電池素子
に適用したものである。
る。太陽電池素子は、入射光の表面反射を低減させ、出
力を向上させるため、表面にピラミッド状の凹凸を全面
に形成させたテクスチャ構造を採用する場合がある。本
実施例は、本発明をこのテクスチャ構造の太陽電池素子
に適用したものである。
【００２０】図４は本実施例の太陽電池素子の断面図で
ある。フォトリソグラフィ工程を用いた規則的なテクス
チャ構造においては、図５に示すように、ｐ型Ｓｉウエ
ハ１上に酸化膜２を形成し、この酸化膜２に対して、ピ
ラミッドの壁面中央に開口部７を形成する。そして、こ
の酸化膜２上にアモルファスＳｉ膜を形成し、アニール
することによりｐ型ウエハ１の結晶性を種として徐々に
周囲の酸化膜２上へ結晶成長する。そして、隣接する開
口部７より成長した結晶部分と接することにより結晶成
長は停止し、規則的で三角形状の粒界８を有するｐ型不
純物低濃度層領域３が形成される。その他の構成は、第
１実施例と同様である。
ある。フォトリソグラフィ工程を用いた規則的なテクス
チャ構造においては、図５に示すように、ｐ型Ｓｉウエ
ハ１上に酸化膜２を形成し、この酸化膜２に対して、ピ
ラミッドの壁面中央に開口部７を形成する。そして、こ
の酸化膜２上にアモルファスＳｉ膜を形成し、アニール
することによりｐ型ウエハ１の結晶性を種として徐々に
周囲の酸化膜２上へ結晶成長する。そして、隣接する開
口部７より成長した結晶部分と接することにより結晶成
長は停止し、規則的で三角形状の粒界８を有するｐ型不
純物低濃度層領域３が形成される。その他の構成は、第
１実施例と同様である。
【００２１】このように、テクスチャ構造を形成したＳ
ｉウエハ１においても、規則的で粒径の大きいｐ型不純
物低濃度層領域３の形成が可能であり、図１の構造を有
する太陽電池素子と同様に出力を大きく向上させること
が可能となる。
ｉウエハ１においても、規則的で粒径の大きいｐ型不純
物低濃度層領域３の形成が可能であり、図１の構造を有
する太陽電池素子と同様に出力を大きく向上させること
が可能となる。
【００２２】次に、本実施例の太陽電池素子の製造方法
を具体的に説明する。本実施例では、第１実施例と同様
のｐ型Ｓｉウエハ１にフォトリソグラフィ工程およびア
ルカリ選択性エッチング法を用いて、底辺２０μｍの正
四角錐よりなる均一なピラミッド型テクスチャ構造を形
成する。ここに、酸化膜２を約４００ｎｍ程度形成す
る。次に、この酸化膜２にフォトリソグラフィ工程を用
いて、図５に示すように、一辺が３μｍの三角形状の開
口部７を１０μｍ間隔で、加工形成する。次に、Ｂ2 Ｈ
6 を微量に含有したＳｉＨ4 ガスを、プラズマＣＶＤ法
により分解堆積させ、膜厚約５μｍのｐ型アモルファス
Ｓｉ膜１１を形成する。この膜１１を６００℃でアニー
ルすることにより、酸化膜２の開口部７に存在するＳｉ
ウエハ（結晶部分）を種として、脱水素化しながらエピ
タキシャル成長させ、開口部間隔１０μｍおよびテクス
チャ構造の四角錐形状に合わせて粒径約１０μｍの均一
で規則正しい結晶粒を有するｐ型不純物低濃度層領域３
を形成する。続いて、第１実施例と同様の加工を施し、
太陽電池素子を完成させた。
を具体的に説明する。本実施例では、第１実施例と同様
のｐ型Ｓｉウエハ１にフォトリソグラフィ工程およびア
ルカリ選択性エッチング法を用いて、底辺２０μｍの正
四角錐よりなる均一なピラミッド型テクスチャ構造を形
成する。ここに、酸化膜２を約４００ｎｍ程度形成す
る。次に、この酸化膜２にフォトリソグラフィ工程を用
いて、図５に示すように、一辺が３μｍの三角形状の開
口部７を１０μｍ間隔で、加工形成する。次に、Ｂ2 Ｈ
6 を微量に含有したＳｉＨ4 ガスを、プラズマＣＶＤ法
により分解堆積させ、膜厚約５μｍのｐ型アモルファス
Ｓｉ膜１１を形成する。この膜１１を６００℃でアニー
ルすることにより、酸化膜２の開口部７に存在するＳｉ
ウエハ（結晶部分）を種として、脱水素化しながらエピ
タキシャル成長させ、開口部間隔１０μｍおよびテクス
チャ構造の四角錐形状に合わせて粒径約１０μｍの均一
で規則正しい結晶粒を有するｐ型不純物低濃度層領域３
を形成する。続いて、第１実施例と同様の加工を施し、
太陽電池素子を完成させた。
【００２３】表１は、上記第１ないし第３実施例におけ
るｐ型不純物低濃度層領域を有する素子構成と、前記領
域を有しない従来例による素子構成とを示し、合わせて
出力特性を比較したものである。
るｐ型不純物低濃度層領域を有する素子構成と、前記領
域を有しない従来例による素子構成とを示し、合わせて
出力特性を比較したものである。
【００２４】
【表１】 この表１から分かるように、従来例においては、基板比
抵抗を、従来例１の２．０Ω・ｃｍから従来例２の０．
０８Ω・ｃｍに減少させることにより、１．３３Ｗから
１．０８Ｗへ出力特性が大きく減少した。しかし、本発
明の第１実施例では、不純物低濃度層領域を設けること
により、逆に１．４８Ｗへ出力特性が向上した。さら
に、粒径を拡大した第２実施例においては、１．５２Ｗ
へ出力特性がさらに向上し、本発明の有効性が確認され
た。また、基板にテクスチャ構造を形成した第３実施例
においては、１．７５Ｗへ出力特性が大きく向上するこ
とが確認された。
抵抗を、従来例１の２．０Ω・ｃｍから従来例２の０．
０８Ω・ｃｍに減少させることにより、１．３３Ｗから
１．０８Ｗへ出力特性が大きく減少した。しかし、本発
明の第１実施例では、不純物低濃度層領域を設けること
により、逆に１．４８Ｗへ出力特性が向上した。さら
に、粒径を拡大した第２実施例においては、１．５２Ｗ
へ出力特性がさらに向上し、本発明の有効性が確認され
た。また、基板にテクスチャ構造を形成した第３実施例
においては、１．７５Ｗへ出力特性が大きく向上するこ
とが確認された。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、単
結晶シリコン基板と非単結晶シリコン層の間に、微小な
開口部を有する中間層を設け、この中間層の開口部より
非単結晶シリコンが結晶成長するようにしたので、受光
面側に結晶粒径の大きい不純物低濃度層を形成でき、太
陽電池素子の出力特性を向上させることができるという
効果がある。
結晶シリコン基板と非単結晶シリコン層の間に、微小な
開口部を有する中間層を設け、この中間層の開口部より
非単結晶シリコンが結晶成長するようにしたので、受光
面側に結晶粒径の大きい不純物低濃度層を形成でき、太
陽電池素子の出力特性を向上させることができるという
効果がある。
【図１】本発明の第１実施例の太陽電池素子の断面図で
ある。
ある。
【図２】図１における酸化膜を示す平面図である。
【図３】図１の太陽電池素子の製造方法を示す説明図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第３実施例の太陽電池素子の断面図で
ある。
ある。
【図５】図４における酸化膜を示す斜視図である。
１ ｐ型Ｓｉウエハ ２ 酸化膜 ３ ｐ型不純物低濃度層領域 ４ 受光面ｎ層 ５ 表面クシ型電極 ６ 裏面電極 ７ 開口部 ８ 結晶粒界
Claims (1)
- 【請求項１】単結晶シリコン基板の受光面側に不純物低
濃度の非単結晶シリコン層を形成し、この非単結晶シリ
コン層を結晶成長させた基板を用いる太陽電池素子にお
いて、前記単結晶シリコン基板と非単結晶シリコン層の
間に、複数の微小な開口部が規則的に配置された中間層
を設け、前記開口部より前記非単結晶シリコンが結晶成
長するように、前記開口部を介して前記単結晶シリコン
基板と非単結晶シリコン層とを接触させたことを特徴と
する太陽電池素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05100887A JP3094730B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05100887A JP3094730B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 太陽電池素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310739A JPH06310739A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3094730B2 true JP3094730B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=14285844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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-
1993
- 1993-04-27 JP JP05100887A patent/JP3094730B2/ja not_active Expired - Fee Related
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