KR101758952B1 - 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법이 기재되어 있다. 터널 유전체층을 갖는 태양 전지가 또한 기재되어 있다.

Description

터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법{METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER}
본원에 기재된 본 발명은 미국 에너지부에 의해 수여된 접속 번호 DE-FC36-07GO17043 하에 정부 지원으로 이루어졌다. 정부는 본 발명의 일정한 권리를 갖는다.
본 발명의 실시양태는 재생 에너지 분야, 및 특히 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 태양 전지로 알려진 광기전 전지는, 태양 복사선을 전기 에너지로 직접 전환시키는 잘 알려진 장치이다. 일반적으로, 태양 전지는 기판의 표면 부근에 p-n 접합을 형성하기 위해 반도체 가공 기술을 이용하여 반도체 웨이퍼 또는 기판상에서 제조된다. 기판의 표면상에서의 태양 복사선의 충돌은 기판의 체적 내에 전자 및 정공 쌍을 생성시키고, 이들은 기판 내의 p-도핑 영역 및 n-도핑 영역으로 이동함으로써 도핑된 영역들 사이에 전압 차를 발생시킨다. 도핑된 영역들은 태양 전지상의 금속 접촉부와 연결되어 전지로부터 이에 커플링된 외부 회로로 전류를 유도한다.
효율은 태양 전지의 전력 발생 능력과 직접 관련되므로 태양 전지의 중요한 특징이다. 따라서, 태양 전지의 효율을 증가시키기 위한 기술이 전반적으로 요구된다. 본 발명의 실시양태는 신규 태양 전지 구조체를 제조하기 위한 공정을 제공함으로써 태양 전지 효율을 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시양태에 따른, 태양 전지에서의 터널 유전체층을 제조하기 위한 감소된 열 소모(thermal budget) 공정과 비교한 종래의 공정의 모델 열 소모를 도시한다.
도 2는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법에서의 작업을 나타내는 흐름도를 도시한다.
도 3a는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층을 포함하는 태양 전지 제조에서의 한 단계의 단면도를 도시한다.
도 3b는 본 발명의 실시양태에 따른, 도 2의 흐름도의 작업 202 및 도 4의 흐름도의 작업 402에 대응하는, 터널 유전체층을 포함하는 태양 전지 제조에서의 한 단계의 단면도를 도시한다.
도 3c는 본 발명의 실시양태에 따른, 도 2의 흐름도의 작업 204 및 도 4의 흐름도의 작업 404에 대응하는, 터널 유전체층을 포함하는 태양 전지 제조에서의 한 단계의 단면도를 도시한다.
도 4는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법에서의 작업을 나타내는 흐름도를 도시한다.
도 5a는 본 발명의 실시양태에 따른, 조합된 수성 및 열 성장 작업 후의 터널 산화물 두께의 좌표를 도시한다.
도 5b는 본 발명의 실시양태에 따른, 조합된 수성 및 열 성장 작업 후의 산화물 두께의 표준 편차의 좌표를 도시한다.
도 6a는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층의 수성 필름 성분의 두께의 함수로서 소수 캐리어 수명(minority carrier lifetime)의 좌표를 도시한다.
도 6b는 본 발명의 실시양태에 따른, 수성 가공과 열 가공의 조합으로부터 산화물이 형성된 웨이퍼의 광발광 수명 결과를 도시한다.
터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법이 본원에 기재되어 있다. 하기 명세서에서는, 본 발명의 실시양태에 대한 충분한 이해를 제공하기 위해, 특정한 공정 플로우 작업과 같은 다수의 구체적인 상세가 기재된다. 본 발명의 실시양태는 이러한 구체적인 상세 없이도 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 실례에서, 평판인쇄 및 에칭 기술과 같은 잘 알려진 제조 기술은 본 발명의 실시양태를 불필요하게 불명료하게 하지 않기 위해 상세하게 기재하지 않았다. 또한, 도면에 도시된 다양한 실시예는 예시적으로 제시된 것이며 축척대로 도시된 것은 아니라는 것이 이해되어야 한다.
본원에는 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법이 개시되어 있다. 한 실시양태에서는, 태양 전지의 제조 방법은 태양 전지 기판의 표면을 습윤 화학 용액에 노출시켜 기판의 표면에 산화물층을 제공하는 것을 포함한다. 이어서, 상기 산화물층을 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 건조 분위기에서 가열하여 산화물층을 태양 전지의 터널 유전체층으로 전환시킨다. 한 실시양태에서는, 태양 전지의 제조 방법은 열적 산화에 의해 섭씨 600도 미만의 온도에서 태양 전지 기판의 표면에 산화물층을 형성하는 것을 포함한다. 이어서, 상기 산화물층을 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 건조 분위기에서 가열하여 태양 전지의 터널 유전체층으로 전환시킨다.
또한, 본원에는 태양 전지가 개시되어 있다. 한 실시양태에서, 태양 전지는 기판을 포함한다. 산화물층을 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 가열함으로써 형성된 터널 유전체층이 상기 기판상에 배치된다.
본 발명의 실시양태에 따라, 폴리실리콘/터널 산화물 공정에서의 열 소모가 감소된다. 예를 들어, 종래의 공정에서는, 터널 산화물은 상대적으로 저압의 약 섭씨 900도에서 성장될 수 있다. 그러나, 한 실시양태에서, 상기 공정 방법이 고온 열 소모로 인해 최적의 효율에는 부적합하다는 것이 밝혀졌다. 고온 열 소모는 총 제조 비용을 증가시킬 수 있는 2가지 요소인, 순환 시간 및 장비의 마모를 불리하게 증가시킬 수 있다. 특정 실시양태에서는, 종래의 공정 방법이 폴리실리콘 침착 공정에 대해 높은 순환 시간을 초래한다는 것이 밝혀졌다.
본 발명에 따른 실시양태에 따라, 터널 유전체층은 소수 캐리어를 블로킹하기 위해 태양 전지에 포함된다. 한 실시양태에서, 터널 유전체층의 두께는 약 15 옹스트롬이다. 그러나, 상기 터널 유전체층을 형성하기 위해 일반적으로 요구되는 열 소모는 태양 전지의 다른 부분에서, 예를 들어 벌크 기판, 후면 접촉 태양 전지의 기판에서 결함의 형성을 촉진시킬 수 있다. 따라서, 종래의 공정 방법을 적용하는 경우에는, 상기와 같은 층을 제조하기 위해 일반적으로 필요한 증가된 열 소모의 치명적인 영향과 터널 유전체층을 포함함으로써 제공되는 이점이 서로 상충 관계에 있을 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시양태에 따라, 본원에 제공된 공정 방법은 고효율이면서도 감소된 열 소모를 갖는 태양 전지 디자인에 이용하기 위한 터널 유전체층의 제조를 가능하게 한다. 한 실시양태에서는, 열 소모를 감소시킴으로써, 다른 공정 방법으로는 증가된 열 노출에 의해 악화된 결함이 감소되거나 완화된다. 특정 실시양태에서, 터널 유전체층을 제공하기 위해 이용되는 제조 공정은 섭씨 700도 근방 또는 미만의 온도에서 수행되는 공정으로 제한되고, 섭씨 900도 근방 또는 초과 온도에서의 공정의 적용은 전체 공정에서 단지 1회 사용된다. 특정 실시양태에서, 이러한 공정 방법은, 또한 총 순환 시간을 감소시키고, 태양 전지의 인-라인(in-line) 제조의 효율을 증가시킨다.
한 실시양태에서는, 태양 전지의 제조에서, 폴리실리콘 접촉부를 갖는 구조체에서의 터널을 위한 얇은 규소 산화물(이산화규소(SiO2)를 포함함) 층의 성장이 개선된다. 예를 들어, 하나 이상의 하기 필름 속성, 고성능 얇은 터널 유전체 필름, 제어된 두께, 제어된 품질, 감소된 공정 순환 시간, 및 감소된 공정 열 소모에 대한 개선이 포함될 수 있다. 한 실시양태에서는, 본원에 기재된 하나 이상의 공정 방법을 적용함으로써, 넓은 기판에 걸쳐 두께 제어가 양호한 매우 얇은 규소 산화물(예를 들어, SiO2) 터널 산화물이 상대적으로 저온에서(예를 들어, 감소된 열 소모) 및 상대적으로 짧은 순환 시간으로 달성된다. 한 실시양태에서는, 약 섭씨 565도의 최고 온도가 이용되고, 순환 시간은 공정 노(furnace)에서 약 1.5시간만큼 감소된다. 한 실시양태에서, 수성 산화물의 형성은 웨이퍼가 덜 오염되도록 한다. 상기 실시양태는 약 500 mTorr의 압력 및 약 섭씨 900도에서의 성장을 포함할 수 있는 종래의 공정 방법과는 대조된다.
본 발명의 실시양태에 따라, 수성 산화물 성장과 열적 산화물 성장의 조합이 얇지만 고품질의 산화물 필름을 달성하기 위해 이용된다. 한 실시양태에서, 산화물 필름의 두께는 약 1 내지 2 나노미터 범위에 있다. 한 실시양태에서는, 산화제, 용액 화합물 및 조명의 조합이 공정 중 수성 성장 부분 동안 산화물의 성장 속도를 증가시키고, 두께의 균일성을 개선시키기 위해 이용된다. 한 실시양태에서, 형성된 산화물은 이어서, 동시에 산화물의 수성 성장 부분의 품질을 개선시키는 저온 열 작업 동안 더 두꺼워진다. 한 실시양태에서, 수성 및 열 성장 기술이 조합되고, 저온 열 산화 성장 공정(예를 들어, 감소된 열 소모)이 수행되어, 고품질의 터널 유전체층이 제공된다.
본 발명의 한 측면에서는, 터널 유전체층의 제조에서 종래의 공정 방법과 비교하여 열 소모가 감소된다. 예를 들어, 도 1은 본 발명의 실시양태에 따른, 태양 전지에서의 터널 유전체층을 제조하기 위한 감소된 열 소모 공정과 비교하여 종래의 공정의 모델 열 소모를 도시한다.
도 1을 참조로 하여, 본 발명의 실시양태에 따른, 모델 열 소모의 좌표(100)가 종래의 공정(102) 및 감소된 열 소모 공정(104)에 대해, 경과 시간(분)의 함수로서 온도(섭씨온도)로 도시되어 있다. 한 실시양태에서, 종래의 공정(102)은 터널 유전체층의 제조에서 1회를 초과하여 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 가열하는 것을 포함한다. 이와 대조적으로, 한 실시양태에서는, 감소된 열 소모 공정(104)은 도 1에 도시된 바대로, 터널 유전체층의 제조에서 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 가열하는 것을 포함한다.
태양 전지는 터널 유전체층을 포함하도록 제조될 수 있다. 예를 들어, 도 2는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법에서의 작업을 나타내는 흐름도(200)를 도시한다. 도 3a 내지 3c는 본 발명의 실시양태에 따른, 흐름도(200)의 작업에 대응하는, 터널 유전체층을 포함하는 태양 전지의 제조에서의 다양한 단계의 단면도를 도시한다.
도 3a를 참조로 하여, 태양 전지의 제조를 위한 기판(302)이 제공된다. 본 발명의 실시양태에 따라, 기판(302)은 벌크(bulk) 규소 기판으로 구성된다. 한 실시양태에서, 벌크 규소 기판은 N-형 도펀트로 도핑된다. 한 실시양태에서, 기판(302)은 도 3a에 도시된 바대로, 텍스쳐링된(textured) 표면을 갖는다.
흐름도(200)의 작업(202) 및 이에 대응하는 도 3b를 참조로 하여, 태양 전지의 제조 방법은 기판(302)의 표면을 습윤 화학 용액에 노출시켜 기판(302)의 표면에 산화물층(304)을 제공하는 것을 포함한다. 본 발명의 실시양태에 따라, 습윤 화학 용액은 산화제, 예를 들어 오존(O3) 또는 과산화수소(H2O2)를 포함하나, 이에 제한되지 않는다. 한 실시양태에서, 습윤 화학 용액 및 기판의 표면은 산화물 성장 동안 가시광선에 노출된다. 한 실시양태에서, 기판(302)은 벌크 규소 기판이고, 산화물층(304)은 규소 산화물층이다.
흐름도(200)의 작업(204) 및 이에 대응하는 도 3c를 참조로 하여, 태양 전지의 제조 방법은 산화물층(304)을 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 건조 분위기에서 가열하여 태양 전지의 터널 유전체층(306)으로 전환시키는 것을 더 포함한다. 본 발명의 실시양태에 따라, 산화물층(304)은 태양 전지의 제조 동안 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에 노출된다. 한 실시양태에서, 작업(202)의 노출 후 작업(204)의 가열 전에, 산화물층(304)을 섭씨 500도 미만의 온도로부터 약 섭씨 565도의 온도로 가열한 후, 섭씨 500도 미만의 온도로 재냉각시킨다.
본 발명의 실시양태에 따라, 태양 전지의 제조 방법은 작업(204)의 가열 전에 산화물층(304) 위에서 물질층(308)을 형성하는 것을 더 포함한다. 한 실시양태에서, 물질층(308)은 비정질 규소층이고, 비정질 규소층은 작업(204)의 가열 동안 폴리실리콘층으로 결정화된다. 특정 실시양태에서, 태양 전지의 제조 방법은 도 3c에서 도시된 바대로, 폴리실리콘층(308) 위에서 금속 접촉부(312)를 형성하는 것을 더 포함한다.
따라서, 도 3c를 다시 참조로 하여, 본 발명의 실시양태에 따라, 태양 전지는 기판(302)을 포함한다. 터널 유전체층(306)은 기판(302)상에 배치되고, 산화물층(도 3b의 304)을 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도로 가열함으로써 형성된다. 한 실시양태에서, 태양 전지는 터널 유전체층(306) 위에 배치된 폴리실리콘층(308)을 더 포함한다. 특정 실시양태에서, 태양 전지는 폴리실리콘층(308) 위에 배치된 금속 접촉부(312)를 더 포함한다. 한 실시양태에서, 기판(302)은 벌크 규소 기판이고, 터널 유전체층(306)은 규소 산화물층이다.
한 실시양태에서, 태양 전지는 후면 접촉 태양 전지이다. 이러한 실시양태에서, 후면 접촉 태양 전지는 기판(302)에서 P-형 및 N-형 활성 영역을 포함한다. 접촉부(312)와 같은 전도성 접촉부들은 활성 영역과 결합되어 분리 영역들, 예를 들어 유전체 물질로 구성될 수 있는 분리 영역(310)에 의해 서로 분리된다. 한 실시양태에서, 태양 전지는 후면 접촉 태양 전지이고, 반사 방지 코팅층은 도 3a 내지 3c에 도시된 무작위로 텍스쳐링된 표면과 같은 수광(light-receiving) 표면상에 배치된다. 한 실시양태에서, 반사 방지 코팅층은 약 70 내지 80 나노미터 범위의 두께를 갖는 질화규소층이다.
본 발명의 또다른 측면에서, 태양 전지는 수성 처리를 이용하지 않고 터널 유전체층을 포함하도록 제조될 수 있다. 예를 들어, 도 4는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법에서의 작업을 나타내는 흐름도(400)를 도시한다. 도 3a 내지 3c는 본 발명의 실시양태에 따른, 흐름도(400)의 작업에 대응하는, 터널 유전체층을 포함하는 태양 전지의 제조에서의 다양한 단계의 단면도를 도시한다.
도 3a를 참조로 하여, 태양 전지의 제조를 위한 기판(302)이 제공된다. 본 발명의 실시양태에 따라, 기판(302)은 벌크 규소 기판으로 구성된다. 한 실시양태에서, 벌크 규소 기판은 N-형 도펀트로 도핑된다. 한 실시양태에서, 기판(302)은 도 3a에 도시된 바대로, 텍스쳐링된 표면을 갖는다.
흐름도(400)의 작업(402) 및 이에 대응하는 도 3b를 참조로 하여, 태양 전지의 제조 방법은 열적 산화에 의해 섭씨 600도 미만의 온도에서 태양 전지 기판(302)의 표면에 산화물층(304)을 형성하는 것을 포함한다. 본 발명의 실시양태에 따라, 산화물층(304)은 저압 열적 산화 공정에 의해 형성된다. 한 실시양태에서, 저압 열적 산화 공정은 산소(O2)를 포함하는 분위기에서 약 섭씨 500 내지 580도 범위의 온도로 수행된다. 한 실시양태에서, 기판(302)은 벌크 규소 기판이고, 산화물층(304)은 규소 산화물층이다.
흐름도(400)의 작업(404) 및 이에 대응하는 도 3c를 참조로 하여, 태양 전지의 제조 방법은 산화물층(304)을 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 건조 분위기에서 가열하여 산화물층(304)을 태양 전지의 터널 유전체층(306)으로 전환시키는 것을 더 포함한다. 본 발명의 실시양태에 따라, 산화물층(304)이 태양 전지의 제조 동안 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에 노출된다. 한 실시양태에서, 작업(402)의 형성 후 작업(404)의 가열 전에, 산화물층(304)을 섭씨 500도 미만의 온도로부터 약 섭씨 565도의 온도로 가열한 후, 섭씨 500도 미만의 온도로 재냉각시킨다.
본 발명의 실시양태에 따라, 태양 전지의 제조 방법은 작업(404)의 가열 전에 산화물층(304) 위에서 물질층(308)을 형성하는 것을 더 포함한다. 한 실시양태에서, 물질층(308)은 비정질 규소층이고, 비정질 규소층은 작업(404)의 가열 동안 폴리실리콘층으로 결정화된다. 특정 실시양태에서, 태양 전지의 제조 방법은 도 3c에 도시된 바대로, 폴리실리콘층(308) 위에서 금속 접촉부(312)를 형성하는 것을 더 포함한다.
상기 기재된 바대로, 본 발명의 한 측면에서는, 터널 유전체층(예를 들어, 터널 산화물층)은 기판의 수성 및 열 처리의 조합에 의해 제조될 수 있다. 도 5a 내지 5b는 각각 본 발명의 실시양태에 따른, 조합된 수성 및 열 성장 작업 후의 터널 산화물 두께 및 산화물 두께의 표준 편차를 각각 좌표 500A 및 500B로 도시한다. 좌표 500A 및 500B를 참조로 하면, 수성 성장 시간, 용액 영역 농도 및 온도는 변화하였다. 참고로, 수행된 열적 산화는 모든 경우에서 동일하였다. 도 6a는 본 발명의 실시양태에 따른, 터널 유전체층의 수성 필름 성분의 두께의 함수로서 소수 캐리어 수명의 좌표(600A)를 도시한다. 도 6b는 본 발명의 실시양태에 따른, 수성과 열 가공의 조합으로부터 산화물이 형성된 웨이퍼의 광발광 수명 결과(600B)를 도시한다. 상기 좌표에서 도시되어 있는 다수의 제조된 필름 유형을 근거로 하여, 그리고 본 발명의 실시양태에 따라, 터널 유전체 필름에 대해 특별히 요구되는 특성은 성장 공정의 수성 처리 부분을 조절함으로써 조절될 수 있다.
상기 기재된 바대로, 본 발명의 또다른 측면에서, 터널 유전체층(예를 들어, 터널 산화물층)은 산화물층을 태양 전지의 제조 동안 단 1회 약 섭씨 900도를 초과하는 온도에 노출시킴으로써 제조될 수 있다. 한 실시양태에서, 열적 산화는 다음 제조 단계를 위해 요구되는 온도 근방에서 또는 실질적으로 이와 동일한 온도에서 수행된다. 하나의 상기 단계는 터널 산화물층 위에 규소층을 형성하는 것일 수 있다. 따라서, 한 실시양태에서는, 열적 산화가 오직 약 섭씨 575도에서 수행된다.
이와 같이, 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법이 개시되어 있다. 본 발명의 실시양태에 따라, 태양 전지의 제조 방법은 태양 전지 기판의 표면을 습윤 화학 용액에 노출시켜 기판의 표면에 산화물층을 제공하는 것을 포함한다. 본 발명은 또한 상기 산화물층을 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도의 건조 분위기에서 가열하여 태양 전지의 터널 유전체층으로 전환시키는 것을 포함한다. 한 실시양태에서, 산화물층은 태양 전지의 제조 동안 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에 노출된다. 본 발명의 또다른 실시양태에 따라, 태양 전지의 제조 방법은 열적 산화에 의해 섭씨 600도 미만의 온도에서 태양 전지 기판의 표면에 산화물층을 형성하는 것을 포함한다. 본 발명은, 또한 상기 산화물층을 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에서 건조 분위기에서 가열하여 산화물층을 태양 전지의 터널 유전체층으로 전환시키는 것을 포함한다. 한 실시양태에서, 산화물층은 태양 전지의 제조 동안 단 1회 섭씨 900도 근방 또는 초과의 온도에 노출된다.

Claims (22)

  1. 기판의 표면에 산화물층을 제공하기 위해 태양 전지 기판의 표면을 습윤 화학 용액에 노출시키는 단계;
    상기 산화물층을 제조하는 동안 단 1회 섭씨 900도 초과의 온도에서 건조 분위기에서 가열하여 상기 산화물층을 태양 전지의 터널 유전체층으로 전환하는 단계
    를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 습윤 화학 용액은 오존(O3) 및 과산화수소(H2O2)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 산화제를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 습윤 화학 용액 및 기판의 표면이 상기 노출 동안 가시광선에 노출되는 것인 태양 전지의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 노출 후 상기 가열 전에, 산화물층을 섭씨 500도 미만의 온도로부터 섭씨 565도의 온도로 가열한 후, 섭씨 500도 미만의 온도로 재냉각시키는 것을 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 가열 전에 산화물층 위에서 물질층을 형성하는 것을 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 물질층이 비정질 규소층이고, 비정질 규소층은 가열 동안 폴리실리콘층으로 결정화되는 태양 전지의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 폴리실리콘층 위에서 금속 접촉부를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 기판이 벌크 규소 기판이고, 산화물층이 규소 산화물층인 태양 전지의 제조 방법.
  10. 열적 산화에 의해 섭씨 600도 미만의 온도에서 태양 전지 기판의 표면에 산화물층을 형성하는 단계;
    상기 산화물층을 제조하는 동안 단 1회 섭씨 900도 초과의 온도에서 건조 분위기에서 가열하여 산화물층을 태양 전지의 터널 유전체층으로 전환하는 단계
    를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  11. 삭제
  12. 제10항에 있어서, 산화물층은 저압 열적 산화 공정에 의해 형성되는 태양 전지의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 저압 열적 산화 공정은 산소(O2)를 포함하는 분위기에서 섭씨 500 내지 580도 범위의 온도에서 수행되는 태양 전지의 제조 방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 가열 전에 산화물층 위에서 물질층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 물질층은 비정질 규소층이고, 비정질 규소층은 가열 동안 폴리실리콘층으로 결정화되는 태양 전지의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 폴리실리콘층 위에서 금속 접촉부를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  17. 제10항에 있어서, 기판은 벌크 규소 기판이고, 산화물층은 규소 산화물층인 태양 전지의 제조 방법.
  18. 제10항에 있어서, 상기 형성 후 상기 가열 전에, 산화물층을 섭씨 500도 미만의 온도로부터 섭씨 565도의 온도로 가열한 후, 섭씨 500도 미만의 온도로 재냉각시키는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
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