KR20180009697A - 콘택트 - Google Patents

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타이코 일렉트로닉스 저팬 지.케이.
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Abstract

[과제] 합류하는 복수의 전류 경로를 발생시키지 않고, 전선 고정부를 갖는 콘택트 본체와, 콘택트 본체와는 별체를 이루는 접촉 부재를 구비하는 콘택트를 제공한다. [해결 수단] 콘택트(20)는, 전선(W1)이 고정되는 전선 고정부(39)를 갖는 콘택트 본체(30)와, 콘택트 본체(30)와 별체를 이루고, 전선(W1)에 접속됨과 동시에 상대 콘택트가 접촉하는 접촉 부재(50)를 구비한다. 콘택트 본체(30)의 접촉 부재(50)에 접촉하는 부분에는 절연층(40)이 설치되어 있다.

Description

콘택트{CONTACT}
본 발명은, 전선 고정부를 갖는 콘택트 본체와, 콘택트 본체와는 별체를 이루는 접촉 부재를 구비하는 콘택트에 관한 것이다.
상기 커넥터에 사용되는 콘택트 중에는, 전선 고정부를 갖는 콘택트 본체와 탭 등의 접촉 부재를 별체로 구성한 것이 있다.
종래, 이런 종류의 콘택트로서, 예를 들면, 특허문헌 1에 나타낸 것이 알려져 있다.
특허문헌 1에 나타낸 콘택트는, 전선 고정부를 갖는 콘택트 본체와, 콘택트 본체와는 별체를 이루는 탭으로 구성된 접촉 부재를 구비하고 있다. 그리고, 접촉 부재의 후단부는, 콘택트 본체의 전단부에 도통 가능하게 결합되고 있다. 또, 콘택트 본체 및 접촉 부재에는, 서로 계지함으로써 접촉 부재가 콘택트 본체에 대해서 전방으로 이탈하는 것을 규제하는 계지부(係止部)가 형성되고 있다.
일본 공개특허 특개2012-150998호 공보
그렇지만, 이 종래의 특허문헌 1에 나타낸 콘택트를 열전대를 이용한 온도 측정에 사용하는 경우에는, 이하의 문제점이 있었다.
즉, 열전대용의 재료제의 심선으로부터 탭에 흐르는 제1 전류 경로와 상기 심선으로부터 콘택트 본체를 경유하고 탭에 흐르는 제2 전류 경로가 존재한다. 이 때문에, 계측해야 할 열기전력에 오차를 일으키게 하고, 온도 측정의 정밀도를 저하시킨다고 하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은, 이 종래의 문제점을 감안한 것으로, 그 목적은, 합류하는 복수의 전류 경로를 발생시키지 않는 콘택트 본체와, 콘택트 본체와는 별체를 이루는 접촉 부재를 구비하는 콘택트를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 한 양태에 관한 콘택트는, 전선이 고정되는 전선 고정부를 갖는 콘택트 본체와, 상기 콘택트 본체와 별체를 이루고, 상기 전선에 접속됨과 동시에 상대 콘택트가 접촉하는 접촉 부재를 구비하고, 상기 콘택트 본체의 상기 접촉 부재에 접촉하는 부분에는 절연층이 설치되는 것을 요지로 한다.
본 발명에 관한 콘택트에 의하면, 콘택트 본체의 접촉 부재에 접촉하는 부분에는 절연층이 설치되고 있으므로, 접촉 부재와 콘택트 본체를 절연할 수 있다. 이 때문에, 합류하는 복수의 전류 경로를 발생시키지 않고, 전선 고정부를 갖는 콘택트 본체와, 콘택트 본체와는 별체를 이루는 접촉 부재를 구비하는 콘택트를 제공할 수 있다.
[도 1] 본 발명의 일 실시 형태에 관한 제1 및 제2 콘택트를 구비하는 제1 연결기와 제3 및 제4 콘택트를 구비하는 제2 연결기를 이용한 온도 측정 장치의 개략 구성도이다.
[도 2] 도 1에서의 제1 콘택트에 전선을 접속한 상태의 사시도이다.
[도 3] 도 1에서의 제1 콘택트의 정면도이다.
[도 4] 도 1에서의 제1 콘택트의 우측면도이다. 단, 도 4에서는, 제1 콘택트와 함께 접속되기 전의 전선이 나타나고 있다.
[도 5] 도 4의 제1 콘택트를 나타내고, (A)는 도 4에서의 5A-5A선에 따른 단면도, (B)는 도 4에서의 5B-5B선에 따른 단면도, (C)는 도 4에서의 5C-5C선에 따른 단면도이다.
[도 6] 도 1에서의 제1 콘택트에 전선을 접속한 상태의 평면도이다.
[도 7] 도 1에서의 제1 콘택트에 전선을 접속한 상태의 우측면도이다. 단, 도 7에서는, 절연 배럴의 일 측의 고정편이 도중에 절단된 상태가 나타나고 있다.
[도 8] 도 6에서의 8-8선에 따른 단면도이다.
[도 9] 도 7의 제1 콘택트를 나타내고, (A)는 도 7에서의 9A-9A선에 따른 단면도, (B)는 도 7에서의 9B-9B선에 따른 단면도이다.
[도 10] 도 1에서의 제1 콘택트 및 제2 콘택트를 하우징 내에 수용한 제1 연결기를 나타내고, (A)는 평면도, (B)는 정면도이다.
[도 11] 도 10의 제1 연결기를 나타내고, (A)는 좌측면도, (B)는 도 10(B)에서의 11B-11B선에 따른 단면도다.
[도 12] 도 10에 나타내는 제1 연결기를 배면측에서 본 분해 사시도이다.
[도 13] 도 1에서의 제2 연결기에 이용되는 제3 콘택트에 전선을 접속한 상태의 사시도이다.
[도 14] 도 1에서의 제2 연결기에 이용되는 제3 콘택트의 평면도이다. 단, 도 14에서는, 제3 콘택트와 함께 접속되기 전의 전선이 나타나고 있다.
[도 15] 도 1에서의 제2 연결기에 이용되는 제3 콘택트의 우측면도이다. 단, 도 15에서는, 제3 콘택트와 함께 접속되기 전의 전선이 나타나고 있다.
[도 16] 도 14에서의 16-16선에 따른 단면도이다.
[도 17] 제1 콘택트의 변형예를 나타내고, (A)는 사시도, (B)는 전후 방향으로 절단한 단면도이다.
[도 18] 제3 콘택트의 변형예를 나타내고, (A)는 사시도, (B)는 전후 방향으로 절단한 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시의 형태를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1에는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 제1 및 제2 콘택트를 구비하는 제1 연결기와 제3 및 제4 콘택트를 구비하는 제2 연결기를 이용한 온도 측정 장치의 개략 구성도가 나타나고 있다.
여기서, 온도 측정 장치(S)는, 예를 들면, 반도체 제조 장치에서의 실리콘 웨이퍼를 수용한 챔버(200) 내의 온도를, 열전대를 이용하여 측정하도록 하고 있다.
즉, 열전대용의 금속재료로 구성되는 심선(芯線)(M1)을 갖는 전선(W1)과, 열전대용의 이종 금속재료로 구성되는 심선(M2)을 갖는 전선(W2)을 구비한다. 심선(M1)의 재질은 예를 들면 크로멜(chromel), 심선(M2)의 재질은 예를 들면 알루멜(alumel)이다.
그리고, 전선(W1)의 심선(M1)의 일단과 전선(W2)의 심선(M2)의 일단과의 접합점(A)을 챔버(200) 내에 배치한다. 또, 전선(W1)의 심선(M1)의 타단을, 제1 연결기(1)의 제1 콘택트(20)에 접속하고, 전선(W2)의 심선(M2)의 타단을, 제1 연결기(1)의 제2 콘택트(60)에 접속한다. 여기서, 제1 연결기(1)는, 복수의 제1 콘택트(20) 및 제2 콘택트(60)와, 이들 제1 콘택트(20) 및 제2 콘택트(60)를 수용하는 하우징(10)을 구비하고 있다.
또, 전술의 전선(W1)과 동일한 전선(W11)과, 전술의 전선(W2)과 동일한 전선(W12)을 구비하고, 이 전선(W11)의 심선(M11)의 일단과 전선(W12)의 심선(M12)의 일단을 데이타 로거(data logger)(300)에 접속한다. 또, 이 전선(W11)의 심선(M11)의 타단을, 제2 연결기(101)의 제3 콘택트(120)에 접속하고, 전선(W12)의 심선(M12)의 타단을, 제2 연결기(101)의 제4 콘택트(160)에 접속한다. 여기서, 제2 연결기(101)는, 복수의 제3 콘택트(120) 및 제4 콘택트(160)와, 이들 제3 콘택트(120) 및 제4 콘택트(160)를 수용하는 하우징(110)을 구비하고 있다.
그리고, 제1 연결기(1)를 제2 연결기(101)에 감합하고, 제1 콘택트(20)와 제3 콘택트(120)를 접촉시켜 전기적으로 접속하고, 제2 콘택트(60)와 제4 콘택트(160)를 접촉시켜 전기적으로 접속한다.
이것에 의해, 전선(W1)의 심선(M1)과 전선(W11)의 심선(M11)이 접속되고, 전선(W2)의 심선(M2)과 전선(W12)의 심선(M12)이 접속된다. 이것에 의해, 접합점(A)에 발생한 기전력에 따라 데이타 로거(300)가 챔버(200) 내의 온도를 검출하고, 또한 그 온도를 기록하도록 하고 있다. 또, 데이타 로거(300)의 메인터넌스 등에서는, 제1 연결기(1)와 제2 연결기(101)와의 감합 상태를 해제할 수 있다.
다음으로, 온도 측정 장치(S)의 제1 연결기(1)에 이용되는 제1 콘택트(20)에 대해 도 2 내지 도 9를 참조하여 상세하게 설명한다. 또, 이후, 본 명세서에서, 방향을 나타낼 때 「전」, 「후」, 「좌」, 「우」, 「상」, 및 「하」를 이용하지만, 도 3에서의 왼쪽을 「좌」, 오른쪽을 「우」, 위를 「상」, 아래를 「하」, 도 4에서의 왼쪽을 「전」, 오른쪽을 「후」로서 설명한다. 이 방향의 정의는, 도 10 내지 도 18에서도 동일하다.
제1 콘택트(20)는, 콘택트 본체(30)와, 콘택트 본체(30)와 별체를 이루는 접촉 부재(50)를 구비하고 있다.
콘택트 본체(30)는, 도 2 내지 도 4에 나타내듯이, 기초부(31)와, 기초부(31)의 앞쪽에 배치되는 접촉 부재 고정부(32)와, 기초부(31)의 후측에 배치되는 전선 고정부(39)를 구비하고 있다. 콘택트 본체(30)는, 심선(M1)과 이종의 금속재료의 도전성 금속판(예를 들면, 스텐레스판)을 타발(打拔, punching) 및 휨 가공에 의해서 형성된다.
여기서, 기초부(31)는, 도 2, 도 4 및 도 6에 나타내듯이, 전후 방향 및 좌우 방향으로 연장된 평판형의 기판부(31a)와, 기판부(31a)의 우연(右緣)으로부터 세워진 우측벽(31b)과, 기판부(31a)의 좌연(左緣)으로부터 세워진 좌측벽(31c)을 구비하고 있다.
또, 접촉 부재 고정부(32)는, 접촉 부재(50)가 전방에서 삽입 가능한 대략 상형(箱型)으로 형성되고, 도 2 및 도 3에 나타내듯이, 상벽(32a), 우측벽(32b), 좌측벽(32c), 및 저판(32d)을 구비하고 있다. 저판(32d)은, 도 8에 나타내듯이, 기초부(31)의 기판부(31a)로부터 전방으로 대략 사각형(矩形) 평판형으로 연장되고 있다. 또, 우측벽(32b)은 저판(32d)의 우연으로부터 상방으로 대략 사각형 평판형으로 연장되고 있다. 또, 좌측벽(32c)은 저판(32d)의 좌연으로부터 상방으로 대략 사각형 평판형으로 연장되고 있다. 또한, 상벽(32a)은, 우측벽(32b) 및 좌측벽(32c)의 각각으로부터 안쪽 방향으로 연장되어 좌우 방향 중앙부에서 합쳐질 수 있다.
그리고, 우측벽(32b)의 전단에는, 도 2에 나타내듯이, 접촉 부재(50)가 전방에서 접촉 부재 고정부(32) 내에 삽입되었을 때에, 저판(32d)과 협동하여 접촉 부재(50)를 압입 고정하는 제1 압입부(33a)가 설치되고 있다. 또, 좌측벽(32c)의 전단에는, 접촉 부재(50)가 전방에서 접촉 부재 고정부(32) 내에 삽입되었을 때에, 저판(32d)과 협동하여 접촉 부재(50)를 압입 고정하는 제2 압입부(33b)가 설치되고 있다. 또, 우측벽(32b)의 뒤 가까운 부분에는, 도 2에 나타내듯이, 절결(38)이 형성되고, 좌측벽(32c)의 뒤 가까운 부분에도, 절결(38)(도 8 참조)이 형성되고 있다. 그리고, 도 2 및 도 4에 나타내듯이, 우측벽(32b)의 절결(38)의 전연으로부터 안쪽을 향해서 경사하는 제1 압압부(34a)가 설치되고 있다. 또, 동일하게, 좌측벽(32c)의 절결(38)의 전연으로부터 안쪽을 향해서 경사하는 제2 압압부(34b)가 설치되고 있다. 제1 압압부(34a) 및 제2 압압부(34b)는, 접촉 부재(50)가 전방에서 접촉 부재 고정부(32) 내에 삽입된 후에, 각각 안쪽을 향해서 절곡되고, 접촉 부재(50)를 상방으로부터 압압한다. 또한, 제1 압압부(34a)에는, 도 4 및 도 5에 나타내듯이, 제1 규제편(35a)이 하방으로 연장되도록 설치되고, 제2 압압부(34b)에는, 도 5에 나타내듯이, 제2 규제편(35b)이 하방으로 연장되도록 설치되고 있다. 제1 규제편(35a)은, 도 4에 나타내듯이, 제1 압압부(34a)가 안쪽으로 절곡되었을 때에 접촉 부재(50)에 형성된 후술의 우측의 측구(側溝)(56)에 삽입되어, 접촉 부재(50)의 전방으로의 이동을 규제한다. 또, 제2 규제편(35b)은, 제2 압압부(34b)가 안쪽으로 절곡되었을 때에 접촉 부재(50)에 형성된 좌측의 측구(도시하지 않음)에 삽입되어, 접촉 부재(50)의 전방으로의 이동을 규제한다.
또, 접촉 부재 고정부(32)의 상벽(32a)에는, 도 2에 나타내듯이, 후술하는 하우징 랜스(housing lance)(12)에 계지되는 계지용 개구(36)가 형성되고 있다. 또, 접촉 부재 고정부(32)의 우측벽(32b) 및 좌측벽(32c)의 각각의 하연에는, 한 쌍의 스태빌라이저(37)가 하부로 돌출되도록 설치되고 있다.
다음으로, 전선 고정부(39)는, 전선(W1)을 압착하는 압착부로 구성되어, 앞쪽에 심선배럴(39a) 및 후측에 배치되는 절연 배럴(39b)로 이루어진다. 심선배럴(39a)은, 도 5(B) 및 도 8에 나타내듯이, 저판(39aa)이 기초부(31)의 기판부(31a)에 연속하고 있다. 또, 절연 배럴(39b)은, 도 8에 나타내듯이, 저판(39ba)이 심선배럴(39a)의 저판(39aa)에 연속하고 있다.
그리고, 콘택트 본체(30)의, 접촉 부재(50)가 접촉하는 부분을 포함한 내면 전체, 외면 전체 및 도전성 금속판을 타발(打拔)할 때 형성되는 전단면 전체에는, 절연층(40)이 설치되어 있다. 도 8에는, 접촉 부재(50)가 접촉하는 부분인 접촉 부재 고정부(32)의 저판(32d)의 표면, 기초부(31)의 기판부(31a)의 표면, 심선배럴(39a)의 저판(39aa)의 표면, 절연 배럴(39b)의 저판(39ba)의 표면, 접촉 부재 고정부(32)의 저판(32d)의 하면, 기초부(31)의 기판부(31a)의 하면, 심선배럴(39a)의 저판(39aa)의 하면, 절연 배럴(39b)의 저판(39ba)의 하면 및 전단면에 절연층(40)이 설치되고 있는 모습이 나타나고 있다. 또, 절연층(40)은, 콘택트 본체(30)의 전단면에도 설치되고 있으므로, 콘택트 본체(30)의 접촉 부재(50)에 접촉하는 부분 이외에 심선배럴(39a)의 심선(M1)에 접촉하는 부분에도 설치되고 있다. 또, 절연층(40)은, 콘택트 본체(30)의 모재가 되는 스텐레스에 흑색 산화 피막을 생성시킨 것이다. 단, 절연층(40)은, 콘택트 본체(30)와 접촉 부재(50)를 절연할 수 있는 것이면, 필름, 테이프 등의 붙임, 불소계 수지의 코팅, 무전해 도금에 의한 피막 처리, CVD(chemical vapor deposition)에 의한 피막 처리여도 좋다.
다음으로, 접촉 부재(50)는, 접촉 부재 고정부(32)에 고정되는 고정부(51)와, 고정부(51)의 후단에서 후방으로 전선 고정부(39)의 심선배럴(39a)까지 연장되는 연장부(52)와, 고정부(51)의 전단으로부터 전방으로 연장되는 탭형의 접촉부(53)를 구비하고 있다. 접촉 부재(50)는, 심선(M1)과 동종의 열전대용의 금속재료(예를 들면, 크로멜)로 이루어지는 금속판을 타발함으로써 형성된다. 접촉 부재(50)의 재료는, 심선(M1)과 동종의 열전대용의 금속재료이기 때문에, 콘택트 본체(30)의 금속재료와는 이종의 금속재료가 된다.
접촉 부재(50)의 고정부(51)는, 접촉 부재 고정부(32)의 우측벽(32b)과 좌측벽(32c)과의 사이에 삽입 가능한 좌우 폭을 갖는 전후 방향으로 세장(細長)으로 연장된 대략 사각형 판형으로 형성되고 있다. 그리고, 고정부(51)의 전단에는, 도 2에 나타내듯이, 고정부(51)의 좌우측 테두리로부터 각각 좌우 방향으로 돌출하는 한 쌍의 스토퍼(54a, 54b)가 설치되고 있다. 우측의 스토퍼(54a)는, 접촉 부재(50)를 전방에서 접촉 부재 고정부(32) 내에 삽입했을 때에, 접촉 부재 고정부(32)의 제1 압입부(33a)의 하측에 형성된 개구에 삽입되어 우측벽(32b)에 당접하여, 접촉 부재(50)의 진행을 규제한다. 또, 좌측의 스토퍼(54b)는, 접촉 부재(50)를 전방에서 접촉 부재 고정부(32) 내에 삽입했을 때에, 접촉 부재 고정부(32)의 제2 압입부(33b)의 하측에 형성된 개구에 삽입되어 좌측벽(32c)에 당접하여, 접촉 부재(50)의 진행을 규제한다. 접촉 부재 고정부(32)의 제1 압입부(33a)는, 저판(32d)과 협동하여 우측의 스토퍼(54a)를 압입 고정하고, 제2 압입부(33b)는, 저판(32d)과 협동하여 좌측의 스토퍼(54b)를 압입 고정한다. 또, 고정부(51)의 후방부의 좌우측 테두리에는, 도 2에 나타내듯이, 한 쌍의 측구(56)(도 2에는 우측의 측구(56)만 도시)가 형성되고 있다. 우측의 측구(56)에는, 전술한 것처럼, 제1 규제편(35a)이 삽입되고, 좌측의 측구에는, 제2 규제편(35b)이 삽입되고, 이것에 의해, 접촉 부재(50)의 전방으로의 이동을 규제한다.
또한, 우측의 스토퍼(54a)와 좌측의 스토퍼(54b)의, 고정부(51)의 좌우측 테두리로부터의 돌출량은, 도 2에 나타내듯이, 좌측의 스토퍼(54b)의 돌출량이 크다. 좌측의 스토퍼(54b)는, 좌측벽(32c)보다 더욱 왼쪽으로 돌출되며, 키잉부(keying)(55)를 구성하고 있다.
또, 접촉 부재(50)의 연장부(52)는, 고정부(51)의 후단에서 후방으로 연장되고, 기초부(31)의 우측벽(31b)과 좌측벽(31c)과의 사이 및 심선배럴(39a) 내에 삽입 가능한 좌우폭을 갖는 전후 방향으로 세장(細長)으로 연장되는 대략 사각형 판형으로 형성되고 있다.
또한, 접촉 부재(50)의 접촉부(53)는, 고정부(51)의 전단으로부터 전방으로 연장되는 탭형으로 형성되고, 접촉 부재(50)를 접촉 부재 고정부(32)에 고정했을 때에, 접촉 부재 고정부(32)로부터 돌출한다. 이 접촉부(53)는, 암틀에 구성된 제3 콘택트(120)(도 13 참조)에 수용되어 접촉한다.
다음으로, 제1 콘택트(20)의 조립 방법에 대해 설명한다.
제1 콘택트(20)의 조립할 때, 접촉 부재(50)를 그 연장부(52) 측을 선두로 하여 콘택트 본체(30)의 접촉 부재 고정부(32) 내에 삽입한다. 이 삽입 시, 접촉 부재(50)의 우측의 스토퍼(54a)를, 접촉 부재 고정부(32)의 제1 압입부(33a)의 하측에 형성된 개구에 들어가도록 하고, 우측벽(32b)에 당접시킨다. 또, 접촉 부재(50)의 좌측의 스토퍼(54b)를, 접촉 부재 고정부(32)의 제2 압입부(33b)의 하측에 형성된 개구에 들어가도록 하고, 좌측벽(32c)에 당접시킨다. 이것에 의해, 접촉 부재(50)의 삽입(후방으로의 이동)이 규제된다. 이 때, 접촉 부재(50)의 연장부(52)가, 콘택트 본체(30)의 심선배럴(39a)의 저판(39aa)의 상측 및 기초부(31)의 기판부(31a) 상에 연재하고, 고정부(51)가 접촉 부재 고정부(32)의 저판(32d) 상에 연재 한다. 또, 접촉부(53)가 콘택트 본체(30)의 접촉 부재 고정부(32)로부터 전방으로 돌출한다. 여기서, 접촉 부재 고정부(32)의 제1 압입부(33a)는, 저판(32d)과 협동하여 우측의 스토퍼(54a)를 압입 고정하고, 제2 압입부(33b)는, 저판(32d)과 협동하여 좌측의 스토퍼(54b)를 압입 고정한다. 이것에 의해, 접촉 부재(50)의 상하 방향의 이동이 규제된다.
그 다음으로, 접촉 부재 고정부(32)에 형성된 제1 압압부(34a) 및 제2 압압부(34b)를, 각각 안쪽을 향해서 절곡하여 접촉 부재(50)의 고정부(51)를 윗쪽으로부터 압압한다. 또한, 이 때, 제1 규제편(35a) 및 제2 규제편(35b)을 각각 고정부(51)에 형성된 우측의 측구(56) 및 좌측의 측구에 넣는다. 제1 압압부(34a) 및 제2 압압부(34b)가 접촉 부재(50)의 고정부(51)를 윗쪽으로부터 압압함으로써, 저판(32d)과 협동하여 접촉 부재(50)의 상하 방향의 이동이 규제된다. 또, 제1 규제편(35a) 및 제2 규제편(35b)을 각각 고정부(51)에 형성된 우측의 측구(56) 및 좌측의 측구에 넣는 것으로, 접촉 부재(50)의 전방으로의 이동이 규제된다.
다음으로, 제1 콘택트(20)의 조립이 완성되면, 도 4 및 도 5(B), (C)에 나타내듯이, 전선(W1)의 심선(M1)을 접촉 부재(50)의 연장부(52) 상에 배치함과 동시에, 절연 피복(I1)을 절연 배럴(39b) 내에 배치한다. 그리고, 도 2 및 도 6 내지 도 9에 나타내듯이, 심선배럴(39a)과 전선(W1)의 심선(M1)을 압착함과 동시에, 절연 배럴(39b)과 전선(W1)의 절연 피복(I1)을 압착한다. 이것에 의해, 전선(W1)의 심선(M1)이 접촉 부재(50)의 연장부(52)에 전기적으로 접속된 상태로 전선(W1)이 콘택트 본체(30)에 접속된다.
여기서, 콘택트 본체(30)의 접촉 부재(50)에 접촉하는 부분에는 절연층(40)이 설치되고 있으므로, 접촉 부재(50)와 콘택트 본체(30)를 절연할 수 있다. 이 때문에, 합류하는 복수의 전류 경로가 생기지 않기 때문에, 기전력을 고정밀도로 계측할 수 있다. 또, 절연층(40)은, 콘택트 본체(30)의 접촉 부재(50)에 접촉하는 부분 이외에 전선 고정부(39)(심선배럴 39a)의 전선(W1)의 심선(M1)에 접촉하는 부분에도 설치되고 있다. 이 때문에, 콘택트 본체(30)와 전선(W1)의 심선(M1)을 절연할 수 있다.
또, 전선(W1)의 심선(M1)과 접촉 부재(50)는, 동종의 열전대용의 금속재료(예를 들면, 크로멜)로 구성됨과 동시에, 콘택트 본체(30)와 접촉 부재(50)는, 이종의 금속재료로 구성되어 있다. 이 경우에서, 콘택트 본체(30)와 접촉 부재(50) 및 심선(M1)이 도통하고 있으면, 콘택트 본체(30)와 접촉 부재(50) 및 심선(M1)과의 사이에 기전력이 생기고, 열전대로서 사용하는 경우에 측정 신뢰성 저하의 원인이 된다. 그러나, 본 실시 형태에서는, 콘택트 본체(30)의 접촉 부재(50)에 접촉하는 부분에는 절연층(40)이 설치되고, 접촉 부재(50)와 콘택트 본체(30)를 절연하고 있다. 또, 절연층(40)은, 콘택트 본체(30)의 접촉 부재(50)에 접촉하는 부분 이외에 전선 고정부(39)(심선배럴(39a))의 전선(W1)의 심선(M1)에 접촉하는 부분에도 설치되고, 콘택트 본체(30)와 전선(W1)의 심선(M1)을 절연하고 있다. 이 때문에, 콘택트 본체(30)와 접촉 부재(50) 및 심선(M1)과의 사이에 기전력이 생기지 않기 때문에, 본 실시 형태의 제1 콘택트(20)를 열전대용의 콘택트로서 양호하게 사용할 수 있다.
이상과 같이 조립할 수 있는 제1 콘택트(20)는, 도 10 내지 도 12에 나타내듯이, 제1 연결기(1)의 하우징(10)에 수용된다.
여기서, 하우징(10)은, 전후 방향, 좌우 방향 및 상하 방향으로 연장되는 대략 직방체 형상을 이루고, 절연성의 합성 수지를 성형함으로써 형성된다. 하우징(10)은, 도 11 및 도 12에 나타내듯이, 하우징(10)의 후면에서 전방으로 연장되는 복수의 제1 콘택트 수용 캐비티(11) 및 제2 콘택트 수용 캐비티(13)를 구비하고 있다. 복수의 제1 콘택트 수용 캐비티(11)는, 도 12에 나타내듯이, 하우징(10)의 상측의 부분에 좌우 방향을 따라서 일렬 형상으로 소정 피치로 설치되고 있다. 또, 복수의 제2 콘택트 수용 캐비티(13)는, 하우징(10)의 제1 콘택트 수용 캐비티(11)보다 하측의 부분에 좌우 방향을 따라서 일렬 형상으로 소정 피치로 설치되고 있다.
그리고, 각 제1 콘택트 수용 캐비티(11)의 전단에는, 도 10(B) 및 도 11(B)에 나타내듯이, 제1 콘택트(20)의 접촉부(53)를 도출하기 위한 개구(11a)가 형성되고 있다. 또, 각 제2 콘택트 수용 캐비티(13)의 전단에도, 똑같이, 제2 콘택트(60)의 후술하는 접촉부(93)를 도출하기 위한 개구(13a)가 형성되고 있다. 또, 각 제1 콘택트 수용 캐비티(11)의 후단에는, 도 12에 나타내듯이, 각 제1 콘택트(20)의 키잉부(55)를 수용하는 키잉용 요부(凹部)(11b)가 형성되고 있다. 이 키잉용 요부(11b)는, 홈형상(矩形狀)으로 형성되는 제1 콘택트 수용 캐비티(11)의 콘택트 삽입측 개구의 좌연 하단부에 왼쪽으로 패이도록 형성된다. 또, 각 제1 콘택트 수용 캐비티(11)의 후단에서 전방을 향해서, 도 12에 나타내듯이, 각 제1 콘택트(20)의 스태빌라이저(37)를 수용하는 한 쌍의 스태빌라이저용 요부(11c)가 형성되고 있다. 이들 한 쌍의 스태빌라이저용 요부(11c)는, 홈형상으로 형성되는 제1 콘택트 수용 캐비티(11)의 콘택트 삽입측 개구의 하면의 좌우 양단으로부터 하부로 패이도록 형성된다.
또, 각 제2 콘택트 수용 캐비티(13)의 후단에는, 도 12에 나타내듯이, 각 제2 콘택트(60)의 후술하는 키잉부(도시하지 않음)를 수용하는 키잉용 요부(凹部)(13b)가 형성되고 있다. 이 키잉용 요부(13b)는, 홈형상으로 형성되는 제2 콘택트 수용 캐비티(13)의 콘택트 삽입측 개구의 우연 하단부에 오른쪽으로 패이도록 형성된다. 또, 각 제2 콘택트 수용 캐비티(13)의 후단에서 전방을 향해서, 도 12에 나타내듯이, 각 제2 콘택트(60)의 후술하는 스태빌라이저(77)를 수용하는 한 쌍의 스태빌라이저용 요부(13c)가 형성되고 있다. 이들 한 쌍의 스태빌라이저용 요부(13c)는, 홈형상으로 형성되는 제2 콘택트 수용 캐비티(13)의 콘택트 삽입측 개구의 하면의 좌우 양단에 하부로 패이도록 형성된다.
또, 각 제1 콘택트 수용 캐비티(11)에는, 도 11(B)에 나타내듯이, 제1 콘택트(20)의 계지용 개구(36)를 계지하는 하우징 랜스(12)가 설치되고 있다. 또, 각 제2 콘택트 수용 캐비티(13)에도 제2 콘택트(60)의 후술하는 계지용 개구(76)를 계지하는 하우징 랜스(14)가 설치되고 있다.
여기서, 제2 콘택트(60)는, 기본 구성에 대해서는 제1 콘택트(20)와 같지만, 키잉부(도시하지 않음)의 위치가 제1 콘택트(20)의 키잉부(55)와 상위하다. 또, 제2 콘택트(60)에서의 접촉 부재(90)의 재질이 제1 콘택트(20)의 접촉 부재(50)와 상위하다.
즉, 제1 콘택트(20)의 키잉부(55)는, 접촉 부재(50)의 좌측의 스토퍼(54b)가, 좌측벽(32c)보다 더욱 왼쪽 방향으로 돌출되게 구성되어 있다. 이것에 대해서, 제2 콘택트(60)의 키잉부는, 제1 콘택트(20)의 키잉부(55)와는 반대로, 접촉 부재(90)의 우측의 스토퍼(도시하지 않음)가, 우측벽보다 더욱 오른쪽 방향으로 돌출되게 구성되어 있다. 또, 제2 콘택트(60)에서의 접촉 부재(90)의 재질은, 열전대용의 금속재료로 구성되는 심선(M2)과 동종의 열전대용의 금속재료(예를 들면, 알루멜)이다. 이 때문에, 심선(M1)과 동종의 열전대용의 금속재료(예를 들면, 크로멜)로 구성되는 접촉 부재(50)의 재질과 다르다.
그리고, 제2 콘택트(60)의 콘택트 본체(70)의 전선 고정부에는, 심선(M2)을 갖는 전선(W2)이 접속되어, 심선(M2)은 접촉 부재(90)의 연장부에 접속된다.
또한, 도 10 내지 도 12에서, 부호 72는 제2 콘택트(60)에서의 접촉 부재 고정부, 부호 76은 제2 콘택트(60)에서의 계지용 개구, 부호 77은 제2 콘택트(60)에서의 스태빌라이저, 부호 90은 제2 콘택트(60)에서의 접촉 부재, 부호 93은 제2 콘택트(60)에서의 탭형의 접촉부이다.
그리고, 각 제1 콘택트(20)는, 도 11(B) 및 도 12에 나타내듯이, 하우징(10)의 후방으로부터 접촉부(53)를 선두로 하여 각 제1 콘택트 수용 캐비티(11) 내에 삽입된다. 각 제1 콘택트(20)가 각 제1 콘택트 수용 캐비티(11) 내에 삽입되면, 하우징 랜스(12)가 계지용 개구(36)에 계지되어, 각 제1 콘택트(20)의 발지가 이루어진다. 이 각 제1 콘택트(20)의 각 제1 콘택트 수용 캐비티(11) 내로의 삽입 시에, 각 제1 콘택트(20)의 스태빌라이저(37)가 스태빌라이저용 요부(11c) 내에 수용되어, 각 제1 콘택트(20)의 자세가 제어된다.
또, 각 제1 콘택트(20)를 각 제1 콘택트 수용 캐비티(11) 내에 삽입할 경우에는, 키잉부(55)가 키잉용 요부(11b)에 수용된다. 이 때에, 잘못해서 제1 콘택트(20)를 제2 콘택트 수용 캐비티(13) 내에 삽입하려고 하면, 제1 콘택트(20)의 키잉부(55)가 하우징(10)의 후면에 당접한다. 이 때문에, 제1 콘택트(20)의 제2 콘택트 수용 캐비티(13) 내로의 삽입이 저지된다. 제2 콘택트(60)의 키잉부를 수용하는 키잉용 요부(13b)는, 키잉부(55)를 수용하는 키잉용 요부(11b)와는 반대로, 제2 콘택트 수용 캐비티(13)의 콘택트 삽입측 개구의 우연 하단부에 형성되고 있기 때문이다.
그리고, 각 제2 콘택트(60)는, 도 11(B) 및 도 12에 나타내듯이, 하우징(10)의 후방으로부터 접촉부(93)를 선두로 하여 각 제2 콘택트 수용 캐비티(13) 내에 삽입된다. 각 제2 콘택트(60)가 각 제2 콘택트 수용 캐비티(13) 내에 삽입되면, 하우징 랜스(14)가 계지용 개구(76)에 계지되어, 각 제2 콘택트(60)의 빠짐 방지(拔止)가 이루어진다. 이 각 제2 콘택트(60)의 각 제2 콘택트 수용 캐비티(13) 내로의 삽입 시에, 각 제2 콘택트(60)의 스태빌라이저(77)가 스태빌라이저용 요부(13c) 내로 수용되어, 각 제2 콘택트(60)의 자세가 제어된다.
또, 각 제2 콘택트(60)를 각 제2 콘택트 수용 캐비티(13) 내에 삽입할 경우에는, 키잉부(도시하지 않음)가 키잉용 요부(13b)에 수용된다. 이 때에, 잘못해서 제2 콘택트(60)를 제1 콘택트 수용 캐비티(11) 내에 삽입하려고 하면, 제2 콘택트(60)의 키잉부가 하우징(10)의 후면에 당접한다. 이 때문에, 제2 콘택트(60)의 제1 콘택트 수용 캐비티(11) 내로의 삽입이 저지된다. 제1 콘택트(20)의 키잉부(55)를 수용하는 키잉용 요부(11b)는, 제2 콘택트(60)의 키잉부를 수용하는 키잉용 요부(13b)와는 반대로, 제1 콘택트 수용 캐비티(11)의 콘택트 삽입측 개구의 좌연 하단부에 형성되고 있기 때문이다.
다음으로, 제1 연결기(1)와 감합하는 제2 연결기(101)에서, 제1 콘택트(20)와 접촉하는 제3 콘택트(120)에서, 도 13 내지 도 16을 참조하여 설명한다. 제3 콘택트(120)는, 제1 콘택트(20)의 탭형의 접촉부(53)를 수용하여 접촉하는 암틀 타입으로 구성되고, 도 13에 나타내듯이, 콘택트 본체(130)와, 콘택트 본체(130)와 별체를 이루는 접촉 부재(150)를 구비하고 있다.
콘택트 본체(130)는, 도 13에 나타내듯이, 기초부(131)와, 기초부(131)의 앞쪽에 배치되는 접촉 부재 고정부(132)와, 기초부(131)의 후측에 배치되는 전선 고정부(139)를 구비하고 있다. 콘택트 본체(130)는, 심선(M11)과 이종의 금속재료의 도전성 금속판(예를 들면, 스텐레스판)을 타발 및 휨 가공에 의해서 형성된다.
여기서, 기초부(131)는, 도 13 내지 도 16에 나타내듯이, 전후 방향 및 좌우 방향으로 연장되는 평판형의 기판부(131a)와, 기판부(131a)의 우연으로부터 세워진 우측벽(131b)와, 기판부(131a)의 좌연으로부터 세워진 좌측벽(131c)을 구비하고 있다.
또, 접촉 부재 고정부(132)는, 접촉 부재(150) 및 제1 콘택트(20)의 접촉부(53)가 전방에서 삽입 가능한 대략 상형으로 형성되어, 상벽(132a), 우측벽(132b), 좌측벽(132c), 및 저판(132d)을 구비하고 있다. 저판(132d)은, 기초부(131)의 기판부(131a)로부터 전방으로 대략 사각형 평판형으로 연장되고 있다. 또, 우측벽(132b)은 저판(132d)의 우연으로부터 윗쪽으로 대략 사각형 평판형으로 연장되고 있다. 또, 좌측벽(132c)은 저판(132d)의 좌연으로부터 윗쪽으로 대략 사각형 평판형으로 연장되고 있다. 또한, 상벽(132a)은, 우측벽(132b) 및 좌측벽(132c)의 각각으로부터 안쪽 방향으로 연장되고 좌우 방향 중앙부에서 합쳐질 수 있음과 동시에, 우측벽(132b)으로부터 연장되는 부분이 좌측벽(132c)의 앞쪽에 위치하고 좌측벽(132c)까지 연장되고 있다.
또, 상벽(132a)에는, 접촉 부재 고정부(132)에 삽입된 접촉 부재(150)의 고정부(151)를 향해 기울기 하부에 연장되는 탄성 접촉편(136)이 설치되고 있다. 제1 콘택트(20)가 제3 콘택트(120)와 감합할 때, 제1 콘택트(20)의 접촉부(53)는, 접촉 부재(150)의 고정부(151)와 탄성 접촉편(136)과의 사이에 수용되어 고정부(151)에 접촉한다.
그리고, 접촉 부재 고정부(132)의 우측벽(132b)의 전단에는, 도 13에 나타내듯이, 접촉 부재(150)가 전방에서 접촉 부재 고정부(132) 내에 삽입되었을 때에, 저판(132d)과 협동하여 접촉 부재(150)를 압입 고정하는 제1 압입부(133a)가 설치되고 있다. 또, 좌측벽(132c)의 전단에는, 접촉 부재(150)가 전방에서 접촉 부재 고정부(132) 내에 삽입되었을 때에, 저판(132d)과 협동하여 접촉 부재(150)를 압입 고정하는 제2 압입부(133b)가 설치되고 있다.
또, 접촉 부재 고정부(132)의 우측벽(132b)의 뒤 가까운 부분에는, 도 13에 나타내듯이, 절결(138)이 형성되고, 좌측벽(132c)의 뒤 가까운 부분에도, 도 16에 나타내듯이, 절결(138)이 형성되고 있다. 그리고, 도 13 및 도 15에 나타내듯이, 우측벽(132b)의 절결(138)의 전연으로부터 안쪽을 향해서 경사하는 제1 압압부(134a)가 설치되고 있다. 또, 똑같이, 도 16에 나타내듯이, 좌측벽(132c)의 절결의 전연으로부터 안쪽을 향해서 경사하는 제2 압압부(134b)가 설치되고 있다.
제1 압압부(134a) 및 제2 압압부(134b)는, 접촉 부재(150)가 접촉 부재 고정부(32) 내에 삽입된 후에, 각각 안쪽을 향해서 절곡되고, 접촉 부재(150)를 윗쪽으로부터 압압 한다. 또한, 제1 압압부(134a)에는, 도 15에 나타내듯이, 제1 규제편(135a)이 하부로 연장되도록 설치되고, 제2 압압부(34b)에는, 도시는 하지 않지만, 제2 규제편이 하부로 연장되도록 설치되고 있다. 제1 규제편(135a)은, 도 13 및 도 15에 나타내듯이, 제1 압압부(134a)가 안쪽으로 절곡될 때에 접촉 부재(150)에 형성된 후술의 우측의 측구(156)에 삽입되고, 접촉 부재(150)의 전방으로의 이동을 규제한다. 또, 제2 규제편은, 제2 압압부(134b)가 안쪽으로 절곡됐을 때 접촉 부재(150)에 형성된 좌측의 측구(도시하지 않음)에 삽입되어, 접촉 부재(150)의 전방으로의 이동을 규제한다.
또, 접촉 부재 고정부(132)의 우측벽(132b) 및 좌측벽(132c)의 각각의 하연에는, 한 쌍의 스태빌라이저(137)가 하부로 돌출되도록 설치되고 있다.
다음으로, 전선 고정부(139)는, 제1 콘택트(20)의 전선 고정부(39)와 동일하게, 전선(W11)을 압착하는 압착부로 구성되어, 앞쪽에 배치되는 심선배럴(139a) 및 후측에 배치되는 절연 배럴(139b)로 이루어진다. 심선배럴(139a)은, 도 16에 나타내듯이, 저판(139aa)이 기초부(131)의 기판부(131a)에 연속하고 있다. 또, 절연 배럴(139b)은, 저판(139ba)이 심선배럴(139a)의 저판(139aa)에 연속하고 있다.
그리고, 콘택트 본체(130)의, 접촉 부재(150)에 접촉하는 부분을 포함하는 내면 전체, 외면 전체 및 도전성 금속판을 타발 시에 형성되는 전단면 전체에는, 제1 콘택트(20)의 콘택트 본체(30)와 동일하게, 절연층(도시하지 않음)이 설치되고 있다. 이 절연층은, 콘택트 본체(130)의 전단면에도 받을 수 있으므로, 콘택트 본체(130)의 접촉 부재(150)에 접촉하는 부분 이외에 심선배럴(139a)의 심선(M11)에 접촉하는 부분에도 설치되고 있다. 또, 절연층은, 접촉 부재(150)에 접촉하는 부분을 포함한 콘택트 본체(130)의 내면 전체에 설치되고 있으므로, 고정부(151)에 접촉하는 탄성 접촉편(136)의 면에도 설치되고 있다. 또, 절연층은, 제1 콘택트(20)의 콘택트 본체(30)에 설치된 절연층(40)과 동일하게, 콘택트 본체(130)의 모재가 되는 스텐레스에 흑색 산화 피막을 생성시킨 것이다. 단, 절연층은, 콘택트 본체(130)와 접촉 부재(150)를 절연할 수 있는 것이면, 필름, 테이프 등의 붙임, 불소계 수지의 코팅, 무전해 도금에 의한 피막 처리, CVD에 의한 피막 처리여도 좋다.
다음으로, 접촉 부재(150)는, 접촉 부재 고정부(132)에 고정되는 고정부(151)와, 고정부(151)의 후단에서 후방으로 전선 고정부(139)의 심선배럴(139a)까지 연장되는 연장부(152)를 구비하고 있다. 접촉 부재(150)는, 심선(M11)과 동종의 열전대용의 금속재료(예를 들면, 크로멜)부터 금속판을 타발 가공에 의해서 형성된다. 접촉 부재(150)의 재료는, 심선(M11)과 동종의 열전대용의 금속재료이기 때문에, 콘택트 본체(130)의 금속재료와는 이종의 금속재료가 된다.
접촉 부재(150)의 고정부(151)는, 접촉 부재 고정부(132)의 우측벽(132b)과 좌측벽(132c)과의 사이에 삽입 가능한 좌우폭을 갖는 전후 방향으로 세장(細長)으로 연장되는 대략 사각형 판형상으로 형성되고 있다. 그리고, 고정부(151)의 전단에는, 도 13에 나타내듯이, 고정부(151)의 좌우측 테두리로부터 각각 좌우 방향으로 돌출하는 한 쌍의 스토퍼(154a, 154b)가 설치되고 있다. 우측의 스토퍼(154a)는, 접촉 부재(150)를 접촉 부재 고정부(132) 내에 삽입했을 때에, 접촉 부재 고정부(132)의 제1 압입부(133a)의 하측에 형성된 개구에 삽입되어 우측벽(132b)에 당접하고, 접촉 부재(150)의 진행을 규제한다. 또, 좌측의 스토퍼(154b)는, 접촉 부재(150)를 전방에서 접촉 부재 고정부(132) 내에 삽입했을 때에, 접촉 부재 고정부(132)의 제2 압입부(133b)의 하측에 형성된 개구에 삽입되어 좌측벽(132c)에 당접하고, 접촉 부재(150)의 진행을 규제한다. 접촉 부재 고정부(132)의 제1 압입부(133a)는, 저판(132d)와 협동하여 우측의 스토퍼(154a)를 압입 고정하고, 제2 압입부(133b)는, 저판(132d)와 협동하여 좌측의 스토퍼(154b)를 압입 고정한다. 또, 고정부(151)의 후방부의 좌우측 테두리에는, 도 13에 나타내듯이, 한 쌍의 측구(156)(도 13에는 우측의 측구(156)만 도시)가 형성되고 있다. 우측의 측구(156)에는, 전술한 것처럼, 제1 규제편(135a)이 삽입되고, 좌측의 측구에는, 제2 규제편(135b)이 삽입되고, 이것에 의해, 접촉 부재(150)의 전방으로의 이동을 규제한다.
또한, 우측의 스토퍼(154a)와 좌측의 스토퍼(154b)의, 고정부(151)의 좌우측 테두리로부터의 돌출량은, 도 13에 나타내듯이, 우측의 스토퍼(154a)의 돌출량이 크다. 우측의 스토퍼(154a)는, 우측벽(132b)보다 더욱 오른쪽 방향으로 돌출되며, 키잉부(155)를 구성하고 있다.
또, 접촉 부재(150)의 연장부(152)는, 고정부(151)의 후단에서 후방으로 연장되고, 기초부(131)의 우측벽(131b)과 좌측벽(131c)과의 사이 및 심선배럴(139a) 내에 삽입 가능한 좌우폭을 갖는 전후 방향으로 세장(細長)으로 연장되는 대략 사각형 판형상으로 형성되고 있다.
이와 같이 구성되는 제3 콘택트(120)의 조립할 때, 접촉 부재(150)를 그 연장부(152) 측을 선두로 하여 콘택트 본체(130)의 접촉 부재 고정부(132) 내에 삽입한다. 이 삽입 시, 접촉 부재(150)의 우측의 스토퍼(154a)를, 접촉 부재 고정부(132)의 제1 압입부(133a)의 하측에 형성된 개구에 들어가도록 하고, 우측벽(132b)에 당접시킨다.
또, 접촉 부재(150)의 좌측의 스토퍼(154b)를, 접촉 부재 고정부(132)의 제2 압입부(133b)의 하측에 형성된 개구에 들어가도록 하고 좌측벽(132c)에 당접시킨다. 이것에 의해, 접촉 부재(150)의 삽입(후방으로의 이동)이 규제된다. 이 때, 접촉 부재(150)의 연장부(152)가, 심선배럴(139a)의 저판(139aa)의 상측 및 기초부(131)의 기판부(131a) 상에 연재하고, 고정부(151)가 접촉 부재 고정부(132)의 저판(132d) 상에 연재한다.
여기서, 접촉 부재 고정부(132)의 제1 압입부(133a)는, 저판(132d)과 협동하여 우측의 스토퍼(154a)를 압입 고정하고, 제2 압입부(133b)는, 저판(132d)와 협동하여 좌측의 스토퍼(154b)를 압입 고정한다. 이것에 의해, 접촉 부재(150)의 상하 방향의 이동이 규제된다.
그 다음으로, 접촉 부재 고정부(132)에 형성된 제1 압압부(134a) 및 제2 압압부(134b)를, 각각 안쪽을 향해서 절곡하고 접촉 부재(150)의 고정부(151)를 윗쪽으로부터 압압한다. 또한, 이 때, 제1 규제편(135a) 및 제2 규제편(135b)을 각각 고정부(151)에 형성된 우측의 측구(156) 및 좌측의 측구에 넣는다.
다음으로, 제3 콘택트(120)의 조립이 완성되면, 도 14 내지 도 16에 나타내듯이, 전선(W11)의 심선(M11)을 접촉 부재(150)의 연장부(152) 상에 배치함과 동시에, 절연 피복(I11)을 절연 배럴(139b) 내에 배치한다.
그리고, 도 13에 나타내듯이, 심선배럴(139a)과 전선(W11)의 심선(M11)을 압착함과 동시에, 절연 배럴(139b)과 전선(W11)의 절연 피복(I11)을 압착한다. 이것에 의해, 전선(W11)의 심선(M11)이 접촉 부재(150)의 연장부(152)에 전기적으로 접속된 상태로 전선(W11)이 콘택트 본체(130)에 접속된다.
여기서, 콘택트 본체(130)의 접촉 부재(150)에 접촉하는 부분에는 절연층(도시하지 않음)이 설치되고 있으므로, 접촉 부재(150)와 콘택트 본체(130)를 절연할 수 있다. 이 때문에, 합류하는 전류 경로가 생기지 않기 때문에, 기전력을 고정밀도로 계측할 수 있다.
또, 절연층은, 콘택트 본체(130)의 접촉 부재(150)에 접촉하는 부분 이외에 전선 고정부(139)(심선배럴 139a)의 전선(W11)의 심선(M11)에 접촉하는 부분에도 설치되고 있다. 이 때문에, 콘택트 본체(130)와 전선(W11)의 심선(M11)를 절연할 수 있다.
또, 전선(W11)의 심선(M11)과 접촉 부재(150)는, 동종의 열전대용의 금속재료(예를 들면, 크로멜)로 구성됨과 동시에, 콘택트 본체(130)와 접촉 부재(150)는, 이종의 금속재료로 구성되어 있다. 이 경우에서, 콘택트 본체(130)와 접촉 부재(150) 및 심선(M11)이 도통하고 있으면, 콘택트 본체(130)와 접촉 부재(150) 및 심선(M11)과의 사이에 기전력이 생기고, 열전대로서 사용하는 경우에 측정 신뢰성 저하의 원인이 된다. 그러나, 본 실시 형태에서는, 콘택트 본체(130)의 접촉 부재(150)에 접촉하는 부분에는 절연층이 설치되고, 접촉 부재(150)와 콘택트 본체(130)를 절연하고 있다. 또, 절연층은, 콘택트 본체(130)의 접촉 부재(150)에 접촉하는 부분 이외에 전선 고정부(139)(심선배럴(139a))의 전선(W11)의 심선(M11)에 접촉하는 부분에도 설치되고, 콘택트 본체(130)와 전선(W11)의 심선(M11)을 절연하고 있다. 이 때문에, 콘택트 본체(130)와 접촉 부재(150) 및 심선(M11)과의 사이에 기전력이 생기지 않기 때문에, 본 실시 형태의 제3 콘택트(120)를 열전대용의 콘택트로서 양호하게 사용할 수 있다.
그리고, 제3 콘택트(120)는, 제2 연결기(101)의 하우징(110)의 제3 콘택트 수용 캐비티(도시하지 않음) 내에 수용된다.
또한, 제2 연결기(101)의 하우징(110)의 제4 콘택트 수용 캐비티(도시하지 않음) 내에는, 제4 콘택트(160)가 수용되지만, 이 제4 콘택트(160)의 기본 구조는 제3 콘택트와 같다. 단, 제4 콘택트(160)는, 키잉부(도시하지 않음)의 위치가 제3 콘택트(120)의 키잉부(155)와 상위하다.
따라서, 제3 콘택트(120)를 잘못해서 제4 콘택트 수용 캐비티 내에 삽입하는 것, 및 제4 콘택트(160)를 잘못해서 제3 콘택트 수용 캐비티 내에 삽입하는 것이 저지된다.
또, 제4 콘택트(160)에서의 접촉 부재의 재질은, 심선(M12)의 열전대용의 금속재료와 동종이며, 심선(M11)의 열전대용의 금속재료인 제3 콘택트(120)에서의 접촉 부재(150)와 상위하다.
그리고, 제1 콘택트(20) 및 제2 콘택트(60)를 수용한 제1 연결기(1)와, 제3 콘택트(120) 및 제4 콘택트(160)를 수용한 제2 연결기(101)를 감합하면, 제1 콘택트(20) 및 제3 콘택트(120), 제2 콘택트(60) 및 제4 콘택트(160)가 전기적으로 접속된다. 이것에 의해, 접합점(A)으로부터 데이타 로거(300)를 향해서 전선(W1)의 심선(M1), 제1 콘택트(20)의 접촉 부재(50), 제3 콘택트(120)의 접촉 부재(150) 및 전선(W11)의 심선(M11)가 전기적으로 접속된다. 또, 접합점(A)으로부터 데이타 로거(300)를 향해서 전선(W2)의 심선(M2), 제2 콘택트(60)의 접촉 부재(90), 제4 콘택트(160)의 접촉 부재(도시하지 않음) 및 전선(W12)의 심선(M12)이 전기적으로 접속된다.
이 때에, 제1 콘택트(20)의 콘택트 본체(30)와 접촉 부재(50) 및 심선(M1)과의 사이가 절연된다. 동일하게, 제3 콘택트(120)의 콘택트 본체(130)와 접촉 부재(150) 및 심선(M11)과의 사이가 절연된다. 또, 제2 콘택트(60)의 콘택트 본체(70)와 접촉 부재(90) 및 심선(M2)과의 사이가 절연된다. 동일하게, 제4 콘택트(160)의 콘택트 본체(도시하지 않음)와 접촉 부재(도시하지 않음) 및 심선(M12)과의 사이가 절연된다.
따라서, 온도 측정 장치(S)에서, 접합점(A)에 발생한 기전력에 따라 데이타 로거(300)가 신뢰성 높게 챔버(200) 내의 온도를 검출할 수 있다.
다음으로, 제1 콘택트(20)의 변형예를 도 17(A), (B)를 참조하여 설명한다. 도 17(A), (B)에서, 도 2 내지 도 9에 나타내는 부재와 동일한 부재에 대해서는 동일한 부호를 교부하고, 그 설명을 생략할 수 있다.
도 17(A), (B)에 나타내는 제1 콘택트(20＇)는, 도 2 내지 도 9에 나타내는 제1 콘택트(20)와 기본 구성은 동일하지만, 전선 고정부(39)의 구성이 상위하다.
즉, 도 17(A), (B)에 나타내는 제1 콘택트(20＇)의 전선 고정부(39)는, 콘택트 본체(30)와는 별체의 탄성편으로 이루어지는 스프링 클램프로 구성된다. 즉, 전선 고정부(39)는, 콘택트 본체(30)의 기초부(31)의 기판부(31a)의 하면을 따라서 전후 방향으로 연장되는 직선형의 제1 연장부(39c)와, 제1 연장부(39c)의 전단으로부터 제1 만곡부(39d)를 개입시켜 되접어 꺾이고, 전후 방향으로 연장되는 단면 산형(山形)의 제2 연장부(39e)를 구비하고 있다. 또, 전선 고정부(39)는, 제2 연장부(39e)의 후단으로부터 제2 만곡부(39f)를 개입시키고 윗쪽으로 연장되는 제3 연장부(39g)와, 제3 연장부(39g)의 상단으로부터 기울기 전방으로 연장되는 제4 연장부(39i)를 구비하고 있다. 그리고, 제3 연장부(39g)의 제4 연장부(39i) 측의 단부에는, 제1 연장부(39c)의 후단, 콘택트 본체(30)의 기초부(31)의 기판부(31a)의 후측의 단부 및 접촉 부재(50)의 연장부(52)의 후측의 단부를 수용하는 개구(39h)가 형성되고 있다. 그리고, 전선 고정부(39)는, 제1 연장부(39c)의 표면과 제4 연장부(39i) 하연과의 사이에 콘택트 본체(30)의 기판부(31a) 및 연장부(52)의 후측의 단부를 탄성적으로 협지하고 있다. 전선 고정부(39)는, 용수철성을 갖는 금속판을 타발 및 휨 가공에 의해서 형성된다.
이 스프링 클램프로 구성되는 전선 고정부(39)에 의해서 전선(W1)을 접속할 때, 제2 연장부(39e)를 전선 고정부(39)의 탄성력에 저항하여 밀어 올리고 연장부(52)의 표면과 제4 연장부(39i) 하연과의 사이를 연다. 그리고, 전선(W1)의 심선(M1)을, 연장부(52)의 표면과 제4 연장부(39i) 하연과의 사이의 개구(39h)에 삽입하고, 전선 고정부(39)의 탄성력에 저항하는 밀어 내림력을 해제한다. 이것에 의해, 전선(W1)의 심선(M1)이 접촉 부재(50)의 연장부(52)에 전기적으로 접속된 상태로 전선(W1)이 전선 고정부(39)에 고정된다.
이 때에, 콘택트 본체(30)의 접촉 부재(50)에 접촉하는 부분에는 절연층(도시하지 않음)이 설치되고 있으므로, 접촉 부재(50)와 콘택트 본체(30)를 절연할 수 있다. 이 때문에, 합류하는 전류 경로가 생기지 않기 때문에, 기전력을 고정밀도로 계측할 수 있다.
또, 콘택트 본체(30)와 접촉 부재(50) 및 심선(M1)과의 사이에 기전력이 생기지 않고, 제1 콘택트(20＇)를 열전대용의 콘택트로서 양호하게 사용할 수 있다. 또, 제4 연장부(39i) 하연에는 절연층이 설치되지 않고, 심선(M1)에 직접 접촉하지만, 전선 고정부(39)는 접촉 부재(50)와 접촉하는 개소가 없다. 이 때문에, 다른 전기 경로(회로)가 형성되지 않기 때문에, 기전력 계측의 정밀도에 영향을 주지 않는다.
또, 제3 콘택트(120)의 변형예를 도 18(A), (B)를 참조하여 설명한다. 도 18(A), (B)에서, 도 13 내지 도 16에 나타내는 부재와 동일한 부재에 대해서는 동일한 부호를 교부하고, 그 설명을 생략할 수 있다.
도 18(A), (B)에 나타내는 제3 콘택트(120＇)는, 도 13 내지 도 16에 나타내는 제3 콘택트(120)와 기본 구성은 동일하지만, 전선 고정부(139)의 구성이 상위하다.
즉, 도 18(A), (B)에 나타내는 제3 콘택트(120＇)의 전선 고정부(139)는, 도 17(A), (B)에 나타내는 전선 고정부(39)와 동일하게, 콘택트 본체(130)와는 별체의 탄성편으로 이루어지는 스프링 클램프로 구성된다. 즉, 전선 고정부(139)는, 콘택트 본체(130)의 기판부(131a)의 하면을 따라서 전후 방향으로 연장되는 직선형의 제1 연장부(139c)와, 제1 연장부(139c)의 전단으로부터 제1 만곡부(139d)를 개입시켜 되접어 꺾이고, 전후 방향으로 연장되는 단면 산형(山形)의 제2 연장부(139e)를 구비하고 있다. 또, 전선 고정부(139)는, 제2 연장부(139e)의 후단으로부터 제2 만곡부(139f)를 개입시키고 윗쪽으로 연장되는 제3 연장부(139g)와, 제3 연장부(139g)의 상단으로부터 기울기 전방으로 연장되는 제4 연장부(139i)를 구비하고 있다. 그리고, 제3 연장부(139g)의 제4 연장부(139i) 측의 단부에는, 제1 연장부(139c)의 후단, 콘택트 본체(130)의 기판부(131a)의 후측의 단부 및 접촉 부재(150)의 연장부(152)의 후측의 단부를 수용하는 개구(139h)가 형성되고 있다. 그리고, 전선 고정부(139)는, 제1 연장부(139c)의 표면과 제4 연장부(139i) 하연과의 사이에 콘택트 본체(130)의 기판부(131a) 및 연장부(152)의 후측의 단부를 탄성적으로 협지하도록 하고 있다.
그리고, 스프링 클램프로 구성되는 전선 고정부(139)에 의해서 전선(W11)을 접속할 때, 도 17(A), (B)에 나타내는 전선 고정부(39)와 동일하다.
또한, 콘택트 본체(130)의 접촉 부재(150)에 접촉하는 부분에는 절연층(도시하지 않음)이 설치되고 있으므로, 접촉 부재(150)와 콘택트 본체(130)를 절연할 수 있다. 이 때문에, 콘택트 본체(130)와 접촉 부재(150) 및 심선(M11)과의 사이에 기전력이 생기지 않고, 제3 콘택트(120)를 열전대용의 콘택트로서 양호하게 사용할 수 있다. 또, 제4 연장부(39i) 하연에는 절연층이 설치되지 않지만, 도 17(A), (B)에 나타내는 전선 고정부(39)와 동일하게 문제가 될 것은 없다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고 여러 가지의 변경, 개량을 실시할 수 있다.
예를 들면, 제1 콘택트(20, 20＇), 제2 콘택트(60), 제3 콘택트(120, 120＇) 및 제4 콘택트(160)는, 열전대용의 콘택트로서 사용하지 않아도 된다.
이 때문에, 전선(W1, W11)의 심선(M1, M11)과 접촉 부재(50, 150)는, 동종의 금속재료로 구성됨과 동시에, 콘택트 본체(30, 130)와 접촉 부재(50, 150)는, 이종의 금속재료로 구성될 필요는 반드시 없다.
또, 전선(W1, W11)의 심선(M1, M11) 및 접촉 부재(50, 150)는, 열전대용의 금속재료로 구성될 필요는 반드시 없다.
또, 제1 콘택트(20)에서(제2 콘택트(60), 제3 콘택트(120) 및 제4 콘택트(160)에서도), 절연층(40)은, 적어도 콘택트 본체(30)의 접촉 부재(50)가 접촉하는 부분에 설치되고 있으면 좋다. 이 때문에, 절연층(40)은, 콘택트 본체(30)의 내면 전체, 외면 전체 및 도전성 금속판을 타발할 때에 형성되는 전단면 전체에 설치될 필요는 반드시 없다.
또한, 심선(M1, M11)의 열전대용의 금속재료로서 크로멜을 예시하고, 심선(M2, M12)의 열전대용의 금속재료로서 알루멜을 예시하고 있지만, 이것들은, 크로멜, 알루멜 이외의 열전대용의 금속재료, 예를 들면, 콘스탄탄(constantan), 철, 동, 백금 등이어도 좋다.
또, 본 발명의 콘택트는, 열전대용으로 한정되지 않고, 단일의 콘택트로 독립한 2개의 전기 경로가 필요한 용도에 사용하는 것이 가능하다.
1 제1 연결기
10 하우징
20, 20＇ 제1 콘택트(콘택트)
30 콘택트 본체
31 기초부
32 접촉 부재 고정부
39 전선 고정부
40 절연층
50 접촉 부재
51 고정부
52 연장부
53 접촉부
60 제2 콘택트(콘택트)
70 콘택트 본체
90 접촉 부재
93 접촉부
101 제2 연결기
110 하우징
120, 120＇ 제3 콘택트(콘택트)
130 콘택트 본체
131 기초부
132 접촉 부재 고정부
136 탄성 접촉편
139 전선 고정부
150 접촉 부재
151 고정부
152 연장부
160 제4 콘택트(콘택트)
W1, W2, W11, W12 전선
M1, M2, M11, M12 심선

Claims (9)

  1. 전선이 고정되는 전선 고정부를 갖는 콘택트 본체와, 상기 콘택트 본체와 별체를 이루고, 상기 전선에 접속됨과 동시에 상대 콘택트가 접촉하는 접촉 부재를 구비하고,
    상기 콘택트 본체의 상기 접촉 부재에 접촉하는 부분에는 절연층이 설치되는 것을 특징으로 하는 콘택트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 콘택트 본체는, 기초부와, 상기 기초부의 앞쪽에 배치되어 상기 접촉 부재를 고정하는 접촉 부재 고정부와, 상기 기초부의 후측에 배치되는 상기 전선 고정부를 구비하고,
    상기 접촉 부재는, 상기 접촉 부재 고정부에 고정되는 고정부와, 상기 고정부에서 후방으로 상기 전선 고정부까지 연장된 연장부를 구비하고,
    상기 전선의 심선은, 상기 연장부 위에 배치되어 상기 전선 고정부에 의해 상기 연장부에 접속되는 것을 특징으로 하는 콘택트.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 절연층은, 상기 콘택트 본체의 상기 접촉 부재에 접촉하는 부분 이외에 상기 전선 고정부의 상기 전선의 심선에 접촉하는 부분에도 설치되는 것을 특징으로 하는 콘택트.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 전선의 심선과 상기 접촉 부재는, 동종의 금속재료로 구성됨과 동시에, 상기 콘택트 본체와 상기 접촉 부재는, 이종의 금속재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 콘택트.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전선의 심선 및 상기 접촉 부재는, 열전대용의 금속재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 콘택트.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 접촉 부재는, 상기 고정부에서 전방으로 연장되고, 상기 상대 콘택트가 접촉하는 탭형의 접촉부를 구비하는 것을 특징으로 하는 콘택트.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 접촉 부재 고정부는, 상대 콘택트를 수용하는 상형(箱型)으로 형성됨과 동시에, 상기 접촉 부재 고정부 상벽으로부터 상기 접촉 부재의 상기 고정부를 향해 연장된 탄성 접촉편을 구비하고,
    상기 상대 콘택트는, 상기 고정부와 상기 탄성 접촉편과의 사이에 수용되어 상기 고정부에 접촉하는 것을 특징으로 하는 콘택트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전선 고정부는, 상기 전선을 압착하는 압착부로 구성되는 것을 특징으로 하는 콘택트.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 전선 고정부는, 스프링 클램프로 구성되는 것을 특징으로 하는 콘택트.
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