KR20170023139A - 고 에너지 갭(eg) 재료를 갖는 태양 전지의 수광 표면의 패시베이션 - Google Patents

고 에너지 갭(eg) 재료를 갖는 태양 전지의 수광 표면의 패시베이션 Download PDF

Info

Publication number
KR20170023139A
KR20170023139A KR1020177002109A KR20177002109A KR20170023139A KR 20170023139 A KR20170023139 A KR 20170023139A KR 1020177002109 A KR1020177002109 A KR 1020177002109A KR 20177002109 A KR20177002109 A KR 20177002109A KR 20170023139 A KR20170023139 A KR 20170023139A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
group iii
solar cell
iii nitride
material layer
Prior art date
Application number
KR1020177002109A
Other languages
English (en)
Inventor
마이클 씨 존슨
키에란 마크 트레이시
성 범 임
마틴 자라 페르난데스
페린 제프레노
줄리엔 페노
Original Assignee
선파워 코포레이션
토탈 마케팅 서비스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 선파워 코포레이션, 토탈 마케팅 서비스 filed Critical 선파워 코포레이션
Publication of KR20170023139A publication Critical patent/KR20170023139A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)

Abstract

고 에너지 갭(Eg) 재료를 갖는 태양 전지의 수광 표면을 패시베이팅하는 방법 및 결과적인 태양 전지가 기술된다. 일 예에서, 태양 전지는 수광 표면을 갖는 기판을 포함한다. 패시베이팅 유전체 층은 기판의 수광 표면 상에 배치된다. 3족 질화물 재료 층은 패시베이팅 유전체 층 위에 배치된다. 다른 예에서, 태양 전지는 수광 표면을 갖는 기판을 포함한다. 패시베이팅 유전체 층은 기판의 수광 표면 상에 배치된다. 큰 직접 밴드 갭 재료 층이 패시베이팅 유전체 층 위에 배치되는데, 이때 큰 직접 밴드 갭 재료 층은 적어도 대략 3.3의 에너지 갭(Eg)을 갖는다. 반사 방지 코팅(ARC) 층은 큰 직접 밴드 갭 재료 층 상에 배치되며, ARC 층은 큰 직접 밴드 갭 재료 층과 상이한 재료를 포함한다.

Description

고 에너지 갭(EG) 재료를 갖는 태양 전지의 수광 표면의 패시베이션{PASSIVATION OF LIGHT-RECEIVING SURFACES OF SOLAR CELLS WITH HIGH ENERGY GAP(EG) MATERIALS}
본 개시내용의 실시예들은 재생가능 에너지 분야에 관한 것이며, 특히, 고 에너지 갭(Eg) 재료를 갖는 태양 전지(solar cell)의 수광 표면(light-receiving surface)을 패시베이팅(passivating)하는 방법 및 결과적인 태양 전지에 관한 것이다.
통상 태양 전지로서 알려진 광기전 전지(photovoltaic cell)는 전기 에너지로의 태양 방사선의 직접 변환을 위한 잘 알려진 장치이다. 일반적으로, 태양 전지는, 반도체 웨이퍼 또는 기판(substrate) 상에, 기판의 표면 부근에 p-n 접합을 형성하기 위해 반도체 처리 기술을 사용하여 제조된다. 기판의 표면에 충돌하여 기판 내로 유입되는 태양 방사선은 기판의 대부분에 전자 및 정공 쌍을 생성한다. 전자 및 정공 쌍은 기판 내의 p-도핑된(doped) 영역 및 n-도핑된 영역으로 이동함으로써, 도핑된 영역들 사이의 전압차를 발생시킨다. 도핑된 영역은 태양 전지 상의 전도성 영역에 연결되어, 전지로부터 전지에 결합된 외부 회로로 전류를 지향시킨다.
효율은 그것이 태양 전지의 발전 능력에 직접 관련되기 때문에 태양 전지의 중요한 특성이다. 마찬가지로, 태양 전지를 제조함에 있어서의 효율이 그러한 태양 전지의 비용 효율성에 직접 관련된다. 따라서, 태양 전지의 효율을 증가시키기 위한 기술, 또는 태양 전지의 제조에 있어서의 효율을 증가시키기 위한 기술이 일반적으로 바람직하다. 본 개시내용의 일부 실시예는 태양 전지 구조물을 제조하기 위한 신규한 공정을 제공함으로써 증가된 태양 전지 제조 효율을 허용한다. 본 개시내용의 일부 실시예는 일반적인 열화 모드를 제거함으로써 개선된 안정성뿐만 아니라 신규한 태양 전지 구조를 제공함으로써 증가된 태양 전지 효율을 허용한다.
도 1a 내지 도 1e는 본 개시내용의 실시예에 따른, 태양 전지의 제조에서의 다양한 단계의 단면도를 예시하는 도면.
도 1a는 태양 전지의 출발 기판(starting substrate)을 예시하는 도면.
도 1b는 기판의 수광 표면 상에 패시베이팅 유전체 층의 형성 이후의 도 1a의 구조물을 예시하는 도면.
도 1c는 패시베이팅 유전체 층 상에 선택적 계면 층의 형성 이후의 도 1b의 구조물을 예시하는 도면.
도 1d는 계면 층 상에 3족 질화물 재료 층의 형성 이후의 도 1c의 구조물을 예시하는 도면.
도 1e는 3족 질화물 재료 층 상에 반사 방지 코팅(anti-reflective coating; ARC) 층의 형성 이후의 도 1d의 구조물을 예시하는 도면.
도 2는 본 개시내용의 실시예에 따른, 도 1a 내지 도 1e에 대응하는 바와 같은 태양 전지를 제조하는 방법에서의 작업들을 열거하는 흐름도.
도 3은 본 개시내용의 실시예에 따른, 기판의 배면 표면 위에 형성된 이미터 영역들을 갖고 기판의 수광 표면 상의 고에너지 갭(Eg) 재료를 포함하는 층들의 예시적인 스택을 갖는, 배면-접점 태양 전지의 단면도를 예시하는 도면.
도 4는 본 개시내용의 실시예에 따른, 기판의 배면 표면 내에 형성된 이미터 영역들을 갖고 기판의 수광 표면 상의 고 에너지 갭(Eg) 재료를 포함하는 층들의 예시적인 스택을 갖는, 배면-접점 태양 전지의 단면도를 예시하는 도면.
도 5는 본 개시내용의 실시예에 따른, 태양 전지의 수광 표면 상에 고 Eg 중간 층을 갖는 태양 전지의 자외선(UV) 안정성을 보여주는 플롯.
하기의 상세한 설명은 사실상 예시적일 뿐이며, 본 발명 요지 또는 본 출원의 실시예 및 그러한 실시예의 사용을 제한하고자 하는 것이 아니다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 단어 "예시적인"은 "예, 사례, 또는 실례로서의 역할을 하는" 것을 의미한다. 본 명세서에 예시적인 것으로 기술된 임의의 구현예는 반드시 다른 구현예에 비해 바람직하거나 유리한 것으로 해석되어야 하는 것은 아니다. 또한, 전술한 기술분야, 배경기술, 발명의 내용 또는 하기의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에서 제시되는 임의의 명시된 또는 암시된 이론에 의해 구애되도록 의도되지 않는다.
본 명세서는 "하나의 실시예" 또는 "실시예"의 언급을 포함한다. 어구 "일 실시예에서" 또는 "실시예에서"의 출현은 반드시 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 특정 특징, 구조물, 또는 특성이 본 개시내용과 일관되는 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있다.
용어. 하기 단락은 본 개시내용(첨부된 청구범위를 포함함)에서 발견되는 용어에 대한 정의 및/또는 문맥을 제공한다.
"포함하는". 이 용어는 개방형(open-ended)이다. 첨부된 청구범위에 사용되는 바와 같이, 이 용어는 추가의 구조 또는 단계를 배제하지 않는다.
"~하도록 구성되는". 다양한 유닛 또는 구성요소가 작업 또는 작업들을 수행"하도록 구성되는" 것으로 기술되거나 청구될 수 있다. 그러한 문맥에서, "~하도록 구성되는"은 유닛/구성요소가 동작 동안 그러한 작업 또는 작업들을 수행하는 구조를 포함하는 것을 나타냄으로써 구조를 함축하는 데 사용된다. 따라서, 유닛/구성요소는 특정된 유닛/구성요소가 현재 동작 중이 아닐 때에도(예컨대, 온(on)/활성(active) 상태가 아님) 작업을 수행하도록 구성되는 것으로 언급될 수 있다. 유닛/회로/구성요소가 하나 이상의 작업을 수행"하도록 구성된다"고 기재하는 것은 해당 유닛/구성요소에 대해 35 U.S.C. §112, 제6절을 적용하지 않도록 명백히 의도된다.
"제1", "제2" 등. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 이들 용어는 이들 용어가 선행하는 명사에 대한 라벨로서 사용되며, 임의의 유형의 순서화(예컨대, 공간적, 시간적, 논리적 등)를 암시하지 않는다. 예를 들어, "제1" 태양 전지에 대한 언급은 반드시 이러한 태양 전지가 순서에 있어서 첫 번째 태양 전지임을 암시하지는 않으며; 대신에 용어 "제1"은 이러한 태양 전지를 다른 태양 전지(예컨대, "제2" 태양 전지)와 구별하는 데 사용된다.
"결합된" - 하기의 설명은 함께 "결합되는" 요소들 또는 노드들 또는 특징부들을 언급한다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 명확히 달리 명시되지 않는 한, "결합된"은 하나의 요소/노드/특징부가 반드시 기계적으로 결합되는 것만은 아니게 다른 요소/노드/특징부에 직접적으로 또는 간접적으로 결합됨(또는 그와 직접적으로 또는 간접적으로 연통됨)을 의미한다.
"억제하다" - 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 억제하다는 효과를 감소 또는 최소화시키는 것을 기술하는 데 사용된다. 구성요소 또는 특징부가 동작, 움직임 또는 조건을 억제하는 것으로 기술될 때, 이는 결과 또는 성과 또는 미래의 상태를 완전하게 방지할 수 있다. 또한, "억제하다"는, 그렇지 않을 경우 발생할 수도 있는 성과, 성능 및/또는 효과의 감소 또는 완화를 또한 지칭할 수 있다. 따라서, 구성요소, 요소 또는 특징부가 결과 또는 상태를 억제하는 것으로 지칭될 때, 이는 결과 또는 상태를 완전하게 방지 또는 제거할 필요는 없다.
또한, 소정 용어가 또한 단지 참조의 목적으로 하기 설명에 사용될 수 있으며, 이에 따라 제한적인 것으로 의도되지 않는다. 예를 들어, "상부", "하부", "위", 및 "아래"와 같은 용어는 참조되는 도면에서의 방향을 지칭한다. "전방", "뒤", "후방", "측방", "외측", 및 "내측"과 같은 용어는 논의 중인 구성요소를 기술하는 본문 및 관련 도면을 참조함으로써 명확해지는 일관된 그러나 임의적인 좌표계 내에서의, 구성요소의 부분들의 배향 및/또는 위치를 기술한다. 그러한 용어는 상기에 구체적으로 언급된 단어, 그것의 파생어, 및 유사한 의미의 단어를 포함할 수 있다.
고 에너지 갭(Eg) 재료를 갖는 태양 전지의 수광 표면을 패시베이팅하는 방법 및 결과적인 태양 전지가 본 명세서에서 기술된다. 하기의 설명에서, 본 개시내용의 실시예의 완전한 이해를 제공하기 위해, 특정 공정 흐름 작업과 같은 많은 특정 상세 사항이 기재된다. 본 개시내용의 실시예가 이들 특정 상세 사항 없이 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 예에서, 리소그래피(lithography) 및 패턴화(patterning) 기술과 같은 주지된 제조 기술은 본 개시내용의 실시예를 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 기술되지 않는다. 또한, 도면에 도시된 다양한 실시예가 예시적인 표현이고, 반드시 축척대로 그려진 것은 아니라는 것을 이해하여야 한다.
본 명세서에는 태양 전지가 개시되어 있다. 일 실시예에서, 태양 전지는 수광 표면을 갖는 기판을 포함한다. 패시베이팅 유전체 층은 기판의 수광 표면 상에 배치된다. 3족 질화물 재료 층은 패시베이팅 유전체 층 위에 배치된다.
다른 실시예에서, 태양 전지는 수광 표면을 갖는 기판을 포함한다. 패시베이팅 유전체 층은 기판의 수광 표면 상에 배치된다. 큰 직접 밴드 갭 재료 층이 패시베이팅 유전체 층 위에 배치되는데, 이때 큰 직접 밴드 갭 재료 층은 적어도 대략 3.3의 에너지 갭(Eg)을 갖는다. 큰 직접 밴드 갭 재료 층 상에 배치된 반사 방지 코팅(ARC) 층 - ARC 층은 큰 직접 밴드 갭 재료 층과 상이한 재료를 포함함 -.
다른 실시예에서, 태양 전지는 수광 표면을 갖는 결정질 규소 기판을 포함한다. 3족 질화물 재료 층은 결정질 규소 기판의 수광 표면 위에 배치된다. 반사 방지 코팅(ARC) 층이 3족 질화물 재료 층 상에 배치된다. ARC 층은 3족 질화물 재료 층과 상이한 재료를 포함한다.
본 명세서에 또한, 태양 전지의 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에서, 태양 전지의 제조 방법은 기판의 수광 표면 상에 패시베이팅 유전체 층을 형성하는 단계를 수반한다. 이 방법은 또한 패시베이팅 유전체 층 위에 3족 질화물 재료 층을 형성하는 단계를 수반한다. 이 방법은 또한 3족 질화물 재료 층 상에 반사 방지 코팅(ARC) 층을 형성하는 단계를 수반한다.
본 명세서에 기술된 하나 이상의 실시예는 태양 전지에 대한 개선된 전면 표면 필드(FSF) 성능을 달성하기 위한 접근법에 관한 것이다. 일 실시예에서, 개선된 FSF 성능은 개선된 효율 및/또는 신뢰성을 제공하기 위해 고 에너지 갭(Eg) 재료 중간층을 사용하여 달성된다. 예를 들어, 하나 이상의 실시예는 고 Eg 재료를 사용하는 태양 전지에 대한 개선된 광유도 열화(light induced degradation; LID) 방법에 관한 것이다. 고 Eg 3족 질화물 층은 전면 표면 열화를 안정화시키기 위해 구현될 수 있다. 특정 실시예에서, AlGaN, AlN 또는 GaN와 같은, 그러나 이로 한정되지 않는, 재료를 삽입하는 것은 결과적인 태양 전지의 안정성을 제공할 수 있다. 이러한 고 Eg 재료 층은 패시베이션 층 및 광유도 열화 및 UV 열화를 완화하거나 제거하기 위한 접근법 모두로서 구현될 수 있다.
맥락을 제공하기 위해, 광유도 열화는 기판 및 후속 층들의 계면의 패시베이션 레벨을 감소시키는 고 에너지 광자로 인해 태양 전지에 대한 일반적인 문제이다. 패시베이팅 반사 방지 코팅(일반적으로 SiN)이 뒤따르는 산화는 전면 표면 필름 세트를 침착하는 일반적인 방법이다. 보다 자주, 확산 공정은 열 산화 및 SiN 층으로 후속 캡핑하는 것이 뒤따르는 패시베이션을 강화하는 데 사용된다. 불행하게도, 그러한 아키텍처는 전지의 효율 및 전력 출력을 계속해서 저하시키는 빛에 노출될 때의 계면 열화, 예컨대 LID에 영향을 받을 수 있다. 초기 열화는 며칠 내에 커질 수 있고(예를 들어, 최대 10%의 손실), 이는 모듈 전력 출력을 현저하게 제한한다. 이러한 열화를 줄이기 위한 접근법은 열화의 양을 제한하기 위한 UV 차단제의 배치를 수반한다. 그러나, 이 접근법은 광생성(photo-generation)의 양을 줄일 수 있고, 이는 전지 또는 모듈의 전력 출력을 제한한다. 또한, 전면 표면 패시베이션의 품질이 증가함에 따라, 계면은 실제로 그러한 열화에 대한 증가된 감도를 나타낼 수 있고, 이는 고출력 모듈에 대해 더 중요한 향상된 안정성을 가져온다.
또한, 태양광 산업의 추세는 표면 패시베이션과 관련된 요구 사항을 증가시킬 수 있는 웨이퍼 두께를 감소시키는 것이다. 전지 설계 공정 동안 고려되어야 하는 규소 태양 전지에 대한 하나의 이러한 요구 사항은 웨이퍼의 표면 패시베이션이다. 재료가 패시베이션 층으로 기능하게 하기 위하여, 재료는 생성된 캐리어가 접합부에 도달하여 태양 전지의 광전류에 기여할 수 있도록 표면 재결합을 최소화해야 한다. 이산화규소는 태양 전지 코팅에 사용된 최초의 재료였으며 다른 응용 분야에서 규소의 우수한 품질의 패시베이션으로 알려져 있다. 그러나, 이산화규소는 태양광(PV) 응용 분야에서 단점을 가질 수 있다. 예를 들어, 이산화규소는 태양 전지의 전면 표면으로부터의 반사를 최소화하기에는 너무 낮을 수 있는 저 굴절률(1.46)을 갖는다. 또한, 고온 처리는 벌크 수명 감소 및 처리 비용 증가의 단점을 초래한다. 전술한 바와 같이, 대안적인 재료는 패시베이팅 반사 방지 코팅으로서 우수한 특성을 갖고, 이산화규소보다 우수한 광학 파라미터를 갖는 것으로 밝혀진 SiN이다.
상기 문제들 중 하나 이상을 해결하기 위하여, 본 명세서에 기술된 실시예에 따라, 개선된 UV 안정성은 태양 전지의 수광 표면 상의 산화물과 캡핑 반사 방지 코팅 사이에 고 Eg 재료를 삽입함으로써 달성된다. 그러한 일 실시예에서, AlN, AlGaN 또는 GaN와 같은, 그러나 이로 한정되지 않는, 고 Eg 재료가 고강도 자외선 조건 하에서도 이러한 전지들의 안정성을 향상시키는 데 사용된다. 또한, 고 Eg 재료는 또한 태양 전지를 위한 패시베이터(passivator)이므로, 다양한 두께가 전면 표면 아키텍처를 조정하는 데 사용될 수 있다. 이러한 고 Eg 재료 층을 태양 전지에 포함시키는 것의 추가 이점은, 큰 직접 밴드 갭이 이러한 재료 층을 UV, 가시광, 및 IR 광 근처에서 거의 투명하도록 만들고 원하는 경우 특정 파장 범위를 차단하도록 조정될 수 있다는 점이다. 높은 투명성은 태양 전지에서 일반적으로 사용되는 여기 주파수의 영(0) 또는 무시가능한 흡광도(absorbance)를 갖는 중단없는 광생성을 가능하게 한다.
실시예에서, 태양 전지의 수광 표면 상의 재료들의 스택으로 고 Eg 재료 층을 구현하는 이점은, 다음을 포함할 수 있지만, 이로 한정되는 것은 아니다: (a) 태양 전지의 n형 Si 표면의 우수한 패시베이션, (b) 더 높은 Jsc를 가능하게 하는 태양 전지의 전면 표면에 대한 매우 우수한 광학 특성, (c) UV 안정성의 형태로 개선된 장기 신뢰성, (d) 그러한 구조들은 상이한 규소 배향 및 표면에 적용가능할 수 있음, (e) 진성 고 밴드 갭 층(intrinsic high band gap layer)의 사용은 저농도 n-도핑된 Si 표면에 대해 우수한 패시베이션 레벨을 제공할 수 있음, (f) n-도핑된 고 밴드 갭 층의 사용은 밴드 벤딩 효과를 제공할 수 있음, 및/또는 (g) 고온 공정을 필요로 하는 태양 전지 제조 공정들에 대한 열적 안정성.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 실시예에 따른, 태양 전지의 제조에서의 다양한 단계들의 단면도를 예시한다. 도 2는 본 개시내용의 실시예에 따른, 도 1a 내지 도 1e에 대응하는 바와 같은 태양 전지를 제조하는 방법에서의 작업들을 열거하는 흐름도이다.
도 1a는 태양 전지의 출발 기판을 예시한다. 도 1a를 참조하면, 기판(100)은 수광 표면(102) 및 배면 표면(104)을 갖는다. 실시예에서, 기판(100)은 벌크 단결정 N형 또는 P형 도핑된 규소 기판과 같은 단결정 규소 기판이다. 그러나, 기판(100)이 전체 태양 전지 기판 상에 배치된, 다중-결정(multi-crystalline) 규소 층과 같은 층일 수 있다는 것이 이해될 것이다. 실시예에서, 수광 표면(102)은 텍스처화된 표면 형태(texturized topography)(106)를 갖는다. 그러한 일 실시예에서, 수산화물계 습식 에칭제는 기판(100)의 전면 표면을 텍스처화하는 데 채용된다. 텍스처화된 표면은, 입사광을 산란시켜 태양 전지의 수광 표면들로부터 반사되는 광의 양을 감소시키기 위한 규칙적인 또는 불규칙한 형상의 표면을 갖는 것일 수 있다는 것이 이해될 것이다.
도 1b는 기판의 수광 표면 상에 선택적 패시베이팅 유전체 층의 형성 이후의 도 1a의 구조물을 예시한다. 도 1b 및 흐름도(200)의 대응하는 작업(202)을 참조하면, 패시베이팅 유전체 층(108)이 기판(100)의 수광 표면(102) 상에 형성된다. 일 실시예에서, 수광 표면(102)은 텍스처화된 표면 형태(106)를 가지며, 패시베이팅 유전체 층(108)은 도 1b에 도시된 바와 같이 텍스처화된 표면 형태(106)와 정합(conformal)된다. 실시예에서, 패시베이팅 유전체 층은 생략된다.
실시예에서, 패시베이팅 유전체 층(108)은 이산화규소(SiO2)의 층이다. 그러한 일 실시예에서, 이산화규소(SiO2)의 층은 대략 10 내지 300 옹스트롬 범위의, 일부 실시예에서 15 옹스트롬 미만의 두께를 갖는다. 일 실시예에서, 패시베이팅 유전체 층(108)은 친수성이다. 실시예에서, 패시베이팅 유전체 층(108)은 규소 기판의 수광 표면의 일부분의 화학적 산화, 이산화규소(SiO2)의 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 규소 기판의 수광 표면의 일부분의 열 산화, 또는 O2 또는 O3 환경에서의 자외선(UV) 방사선에 대한 규소 기판의 수광 표면의 노출과 같은, 그러나 이로 한정되지 않는, 기술에 의해 형성된다. 일 실시예에서, 패시베이팅 재료는 이산화규소 이외의 재료들일 수 있다. 구조물은 H2O 또는 O3를 산소 공급원으로 ALD 또는 PEALD를 사용하여 침착된 AlOx 층을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, SiON과 같은 재료 층은 패시베이팅 재료로서 사용된다.
도 1c는 패시베이팅 유전체 층 상에 선택적 계면 층의 형성 이후의 도 1b의 구조물을 예시한다. 도 1c 및 흐름도(200)의 대응하는 작업(204)을 참조하면, 계면 층(110)이 패시베이팅 유전체 층(108) 상에 선택적으로 형성된다. 일 실시예에서, 도 1c에 도시된 바와 같이, 계면 층(110)은 텍스처화된 표면 형태(106)와 정합된다.
실시예에서, 계면 층(110)은 전술한 패시베이팅 유전체 층과 상이하고 후술하는 3족 질화물 층과 상이한 재료 층이다. 그러한 일 실시예에서, 계면 층(110)은 규소-풍부 비정질 규소 층, 예를 들어 그 안에 매우 적은 수소를 갖는 비정질 규소 층이다. 그러한 특정 실시예에서, 규소-풍부 비정질 규소 층은 대략 30 내지 100 옹스트롬 범위의 두께를 갖는다. 또 다른 실시예에서, 계면 층은 규소-풍부 비정질 규소, 진성 또는 인 도핑된 비정질 규소, 및 다결정 규소와 같은 그러나 이로 한정되지 않는 산소가 없는 규소계 층이고, 규소계 층은 대략 10 내지 200 옹스트롬 범위의 두께를 갖는다.
실시예에서, 계면 층은 저 알루미늄(Al) 및/또는 저 열 수지(low thermal budget)의 3족 N막이 고 Eg 재료 층으로서 사용되는 경우에 생략된다. 실시예에서, 계면 층은 이산화규소 패시베이팅 유전체 층과 Al-함유 고 Eg 재료 층 사이에서 Al-O 결합 형성을 방지하는 데 사용된다.
도 1d는 계면 층 상에 3족 질화물 재료 층의 형성 이후의 도 1c의 구조물을 예시한다. 도 1d 및 흐름도(200)의 대응하는 작업(206)을 참조하면, 3족 질화물 재료 층(112)은 계면 층(110)(존재한다면, 도시된 바와 같음) 상에 또는 패시베이팅 유전체 층(108)(계면 층(110)이 존재하지 않는 경우) 상에 형성된다. 일 실시예에서, 도 1d에 도시된 바와 같이, 3족 질화물 재료 층(112)은 텍스처화된 표면 형태(106)와 정합된다.
실시예에서, 후속적인 후-침착 어닐링(post deposition anneal)은 대략 섭씨 350 내지 700도 범위에서 수행된다. 후-침착 어닐링은 3족 질화물 재료 층(112)의 패시베이션 레벨을 향상시킬 수 있다. 실시예에서, 3족 질화물 재료 층(112)은 진성 층이거나 또는 N형 층으로서 도핑된다.
실시예에서, 3족 질화물 재료 층(112)은 질화 알루미늄(AlN) 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-xN, 여기서 0 < x < 1) 층, 또는 질화 갈륨(GaN) 층과 같은, 그러나 이로 한정되지 않는, 재료 층이다. 실시예에서, 층(112)은 적어도 대략 3.3의 에너지 갭(Eg)을 갖는 큰 직접 밴드 갭 재료 층이다.
실시예에서, 3족 질화물 재료 층(112)은 질화 알루미늄(AlN) 다결정 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-xN, 여기서 0 < x < 1) 다결정 층, 또는 질화 갈륨(GaN) 다결정 층과 같은, 그러나 이로 한정되지 않는, 다결정 층으로서 형성된다. 그러한 일 실시예에서, 다결정 층은 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD) 또는 분자선 에피택시(MBE)에 의해 형성된다. 다른 실시예에서, 다결정 층은 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)에 의해, 플라즈마 강화 원자 층 증착(PEALD)에 의해, 분자선 에피택시(MBE)에 의해, 또는 물리 기상 증착(PVD)에 의해 형성된다.
실시예에서, 3족 질화물 재료 층(112)은 질화 알루미늄(AlN) 비정질 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-xN, 여기서 0 < x < 1) 비정질 층, 또는 질화 갈륨(GaN) 비정질 층과 같은, 그러나 이로 한정되지 않는, 비정질 층으로서 형성된다. 그러한 일 실시예에서, 비정질 층은 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 원자 층 증착(ALD), 플라즈마 강화 원자 층 증착(PEALD), 분자선 에피택시(MBE), 또는 물리 기상 증착(PVD)과 같은, 그러나 이로 한정되지 않는, 기술에 의해 형성된다.
도 1e는 3족 질화물 재료 층 상에 반사 방지 코팅(ARC) 층의 형성 이후의 도 1d의 구조물을 예시한다. 도 1e 및 흐름도(200)의 대응하는 작업(208)을 참조하면, 반사 방지 코팅(ARC) 층(114)이 3족 질화물 재료 층(112) 상에 형성된다. 일 실시예에서, 도 1e에 도시된 바와 같이, ARC 층(114)은 텍스처화된 표면 형태(106)와 정합된다.
실시예에서, ARC 층(114)은 3족 질화물 재료 층(112)과 상이한 재료 층이다. 실시예에서, ARC 층(114)의 침착 후에 대략 섭씨 600도 미만의 후-침착 어닐링이 수행된다. 실시예에서, ARC 층(114)은 적어도 일부의 수소(H)를 포함하고, ARC 층(114)의 침착 동안 또는 침착 후에 H를 표면에 전달함으로써 N-도핑된 Si 표면을 패시베이팅할 수 있다.
제1 실시예에서, ARC 층(114)은 산화 알루미늄(AlOx, x는 1.5 이하임) 층 또는 산질화규소(SiOyNz, y > 0, z > 0) 층과 같은, 그러나 이로 한정되지 않는, 재료 층이다. 그러한 일 실시예에서, ARC 층(114) 및 3족 질화물 층(112)은 궁극적으로 제조된 태양 전지를 위한 이중(dual) 층 반사 방지 코팅을 함께 형성한다. 실시예에서, 3족 질화물 재료 층(112)은 대략 50 내지 600 옹스트롬 범위의 두께를 가지며, 대략 2.4의 굴절률을 갖는다. 그 실시예에서, ARC 층(114)은 대략 300 내지 1000 옹스트롬 범위의 두께를 가지며, 대략 1.8의 굴절률을 갖는다. 그러한 일 실시예에서, 3족 질화물 재료 층(112) 및 ARC 층(114)은 궁극적으로 제조된 태양 전지에 전류 증강 및 안정성을 함께 제공한다.
제2 실시예에서, ARC 층(114)은 수소화된 질화규소(SiN:H)의 층이다. 실시예에서, 3족 질화물 재료 층(112)은 대략 30 내지 100 옹스트롬 범위의 두께를 가지며, 대략 2.0 내지 2.4 범위의 굴절률을 갖는다. 그 실시예에서, SiN:H의 층(ARC 층(114))은 대략 700 옹스트롬의 두께를 갖고 대략 1.9 초과의 굴절률을 갖는다. 그러한 일 실시예에서, 3족 질화물 재료 층(112) 및 ARC 층(114)은 궁극적으로 제조된 태양 전지에 안정성을 함께 제공한다.
도 3은 본 개시내용의 실시예에 따른, 기판의 배면 표면 위에 형성된 이미터 영역들을 갖고 기판의 수광 표면 상의 고 에너지 갭(Eg) 재료를 포함하는 층들의 예시적인 스택을 갖는, 배면-접점 태양 전지의 단면도를 예시한다.
도 3을 참조하면, 태양 전지는 수광 표면(102)을 갖는 규소 기판(100)을 포함한다. 패시베이팅 유전체 층(108)은 규소 기판(100)의 수광 표면 상에 배치된다. 계면 층(110)은 패시베이팅 유전체 층(108) 상에 선택적으로 배치된다. 3족 질화물 재료 층(112)은 계면 층(110)(존재한다면) 또는 패시베이팅 유전체 층(108) 상에 배치된다. 반사 방지 코팅(ARC) 층(114)이 3족 질화물 재료 층(112) 상에 배치된다. 이와 같이, 도 3의 태양 전지의 수광 표면 상의 층들의 스택은 도 1a 내지 도 1e와 관련하여 기술된 것과 동일하거나 유사하다.
도 3을 다시 참조하면, 기판(100)의 배면 표면 상에, 교번하는 P형(120) 및 N형(122) 이미터 영역들이 형성된다. 그러한 일 실시예에서, 트렌치들(121)은 교번하는 P형(120) 및 N형(122) 이미터 영역들 사이에 배치된다. 더 상세하게는, 실시예에서, 제1 다결정 규소 이미터 영역들(122)은 얇은 유전체 층(124)의 제1 부분 상에 형성되고 N형 불순물로 도핑된다. 제2 다결정 규소 이미터 영역들(120)은 얇은 유전체 층(124)의 제2 부분 상에 형성되고 P형 불순물로 도핑된다. 실시예에서, 터널링 유전체(124)는 대략 2 나노미터 이하의 두께를 갖는 산화규소 층이다.
다시 도 3을 참조하면, 전도성 접점 구조물들(128/130)은 먼저 절연 층(126)을 침착하고 개구들을 구비하도록 절연 층(126)을 패턴화한 다음에 개구들 내에 하나 이상의 전도성 층을 형성함으로써 제조된다. 실시예에서, 전도성 접점 구조물들(128/130)은 금속을 포함하고, 침착, 리소그래피 및 에칭 접근법 또는 대안적으로 인쇄 또는 도금 공정, 또는 대안적으로 포일 접착 공정에 의해 형성된다.
도 4는 본 개시내용의 실시예에 따른, 기판의 배면 표면 내에 형성된 이미터 영역들을 갖고 기판의 수광 표면 상의 고 에너지 갭(Eg) 재료를 포함하는 층들의 예시적인 스택을 갖는, 배면-접점 태양 전지의 단면도를 예시한다.
도 4를 참조하면, 태양 전지는 수광 표면(102)을 갖는 규소 기판(100)을 포함한다. 패시베이팅 유전체 층(108)은 규소 기판(100)의 수광 표면 상에 배치된다. 계면 층(110)은 패시베이팅 유전체 층(108) 상에 선택적으로 배치된다. 3족 질화물 재료 층(112)은 계면 층(110)(존재한다면) 또는 패시베이팅 유전체 층(108) 상에 배치된다. 반사 방지 코팅(ARC) 층(114)이 3족 질화물 재료 층(112) 상에 배치된다. 이와 같이, 도 4의 태양 전지의 수광 표면 상의 층들의 스택은 도 1a 내지 도 1e와 관련하여 기술된 것과 동일하거나 유사하다.
도 4를 다시 참조하면, 기판(100)의 배면 표면 내에, 교번하는 P형(150) 및 N형(152) 이미터 영역들이 형성된다. 더 상세하게는, 실시예에서, 제1 이미터 영역들(152)은 기판(100)의 제1 부분 내에 형성되고 N형 불순물로 도핑된다. 제2 이미터 영역들(150)은 기판(100)의 제2 부분 내에 형성되고 P형 불순물로 도핑된다.
다시 도 4를 참조하면, 전도성 접점 구조물들(158/160)은 먼저 절연 층(156)을 침착하고 개구들을 구비하도록 절연 층(156)을 패턴화한 다음에 개구들 내에 하나 이상의 전도성 층을 형성함으로써 제조된다. 실시예에서, 전도성 접점 구조물들(158/160)은 금속을 포함하고, 침착, 리소그래피 및 에칭 접근법 또는 대안적으로 인쇄 또는 도금 공정, 또는 대안적으로 포일 접착 공정에 의해 형성된다.
광유도 열화(light induced degradation; LID) 및/또는 자외선(UV) 열화는 태양 전지 성능의 장기간 안정성에 대한 오래된 쟁점을 제기한다는 것을 이해해야 한다. 고효율 태양 전지는 특히 전면 표면 패시베이션의 증가된 감도에 기인한 그러한 열화 모드에 영향을 받는다. 감소된 패시베이션 또는 태양 스펙트럼 흡수(예를 들어, Jsc 손실)의 형태로 성능을 손상시키지 않으면서 이러한 태양 전지의 안정성을 개선하려는 노력이 있어 왔다. 성능 안정성은 성능 보증 및 제품 품질 차별화에 중요할 수 있다. 더 상세하게는, 전면 표면 패시베이션은 고효율 태양 전지의 성능에 중요할 수 있다. 전형적으로, 전면 표면 패시베이션은 확산 공정을 사용하여 수행되고 고온 산화로 이어지며, 마지막으로 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)을 사용하여 반사 방지 코팅(ARC)으로 캡핑된다. 질화규소(SiN 또는 SiN:H)는 그것의 광학 특성으로 인해 그리고 또한 그것의 우수한 패시베이션 품질을 위해 일반적으로 ARC로서 사용된다. 결정질 규소/열 산화물(c-Si/TOX) 계면에 H+를 제공하기 위해 질화규소 층이 사용될 수 있다. 불행하게도, 계면은 기존 Si-H 결합을 끊는 계면을 가로지르는 열 전자 주입(hot electron injection)을 통해 UV 광에 장기간 노출됨으로써 열화될 수 있다. 열 전자는 후속 층들에 트랩핑될 수 있고 계면을 가로질러 앞뒤로 바운드(bounce)하도록 다시 여기될(re-excited) 수 있는데, 이는 계면 마모로 알려진 공정이다.
본 명세서에 기술된 하나 이상의 실시예는 그러한 LID 및/또는 UV 열화 문제를 해결한다. 예로서, 도 5는 본 개시내용의 실시예에 따른, 태양 전지의 수광 표면 상에 고 Eg 중간 층을 갖는 태양 전지의 자외선(UV) 안정성을 보여주는 플롯(500)이다. 플롯(500)을 참조하면, 태양 전지의 수광 표면 상에 3가지 상이한 재료 층 스택에 대해 14일의 고강도 자외선 시험이 수행되었다: (a) SiN/aSi:n, (b) SiN/AlGaN/aSi:n, 및 (c) SiN/AlGaN/Si-풍부. 변화는 Jo이고, 이는 본질적으로 고 Eg 중간 층(AlGaN)의 삽입을 이용하여 제거된다. 또한, 모든 구조물에 대한 초기 Jo는 < 10fA/㎠이며, 이는 모든 예시적인 전지들에 대한 우수한 초기 패시베이션을 나타낸다. 이와 같이, 고 Eg 재료 층의 사용은 시험된 파라미터 하에서 본질적으로 영(0)의 열화로 리스(lease)되었다. 이는 태양광 산업에 대한 전례없는 발견이다.
종합적으로, 소정 재료가 구체적으로 전술되었지만, 일부 재료는 본 개시내용의 실시예의 사상 및 범주 내에 있는 다른 그러한 실시예에서 다른 재료로 용이하게 대체될 수 있다. 예를 들어, 실시예에서, 3-5족 재료 기판과 같은 상이한 재료의 기판이 규소 기판 대신에 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 다결정 또는 다중-결정 규소 기판이 사용된다. 다른 실시예에서, P형 기판이 사용될 수 있다. 또한, N+ 및 P+ 유형 도핑이 구체적으로 태양 전지의 배면 표면 상의 이미터 영역에 대해 기술되는 경우에, 고려되는 다른 실시예들이 반대 전도성 유형, 예컨대 각각 P+ 및 N+ 유형 도핑을 포함한다는 것이 이해될 것이다. 다른 실시예들은 양면 설계를 갖는 전지에 관한 것이다. 부가적으로, 대부분 배면 접점 태양 전지 배열이 언급되지만, 본 명세서에 기술된 접근법이 전면 접점 태양 전지에도 또한 적용될 수 있음이 인식될 것이다.
따라서, 고 에너지 갭(Eg) 재료를 갖는 태양 전지의 수광 표면을 패시베이팅하는 방법 및 결과적인 태양 전지가 본 명세서에서 개시되었다.
특정 실시예들이 상기에 기술되었지만, 이들 실시예는 단일 실시예만이 특정 특징에 대해 기술된 경우에도 본 개시내용의 범주를 제한하도록 의도되지 않는다. 본 명세서에 제공된 특징의 예는, 달리 언급되지 않는 한, 제한적이기보다는 예시적인 것으로 의도된다. 상기 설명은, 본 개시내용의 이익을 갖는 당업자에게 명백하게 되는 바와 같이, 그러한 대안예, 수정예 및 등가물을 포함하고자 의도된다.
본 개시내용의 범주는, 본 명세서에서 다루어진 문제들 중 임의의 것 또는 전부를 완화시키든지 또는 그렇지 않든지 간에, (명시적으로 또는 묵시적으로) 본 명세서에 개시된 임의의 특징 또는 특징들의 조합, 또는 이들의 임의의 일반화를 포함한다. 따라서, 특징부들의 임의의 그러한 조합에 대해, 본 출원(또는 이에 대한 우선권을 주장하는 출원)의 진행 동안에 신규 청구항이 만들어질 수 있다. 특히, 첨부된 청구범위를 참조하여, 종속항으로부터의 특징부가 독립항의 특징부와 조합될 수 있고, 각자의 독립항으로부터의 특징부들은 첨부된 청구범위 내에서 열거된 특정 조합들 내에서만이 아니라 임의의 적당한 방식으로 조합될 수 있다.
실시예에서, 태양 전지는 수광 표면을 갖는 기판을 포함한다. 패시베이팅 유전체 층은 기판의 수광 표면 상에 배치된다. 3족 질화물 재료 층은 패시베이팅 유전체 층 위에 배치된다.
일 실시예에서, 태양 전지는 패시베이팅 유전체 층과 3족 질화물 재료 층 사이에 직접 배치된 계면 층을 추가로 포함하고, 계면 층은 패시베이팅 유전체 층과 상이하고 3족 질화물 재료 층과 상이한 재료를 포함한다.
일 실시예에서, 계면 층은 규소-풍부 비정질 규소 층이며, 대략 30 내지 50 옹스트롬 범위의 두께를 갖는다.
일 실시예에서, 계면 층은 규소-풍부 비정질 규소, 진성 또는 인 도핑된 비정질 규소, 및 다결정 규소로 이루어진 군으로부터 선택된 산소가 없는 규소계 층이고, 규소계 층은 대략 10 내지 200 옹스트롬 범위의 두께를 갖는다.
일 실시예에서, 3족 질화물 재료 층은 패시베이팅 유전체 층 상에 배치된다.
일 실시예에서, 3족 질화물 재료 층은 질화 알루미늄(AlN) 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-xN, 여기서 0 < x < 1) 층, 및 질화 갈륨(GaN) 층으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일 실시예에서, 태양 전지는 3족 질화물 재료 층 상에 배치된 반사 방지 코팅(ARC) 층을 추가로 포함하며, ARC 층은 3족 질화물 재료 층과 상이한 재료를 포함한다.
일 실시예에서, ARC 층은 산화 알루미늄(AlOx, x는 1.5 이하임) 층 및 산질화규소(SiOyNz, y > 0, z > 0) 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 층이며, ARC 층 및 3족 질화물 재료 층은 함께 태양 전지를 위한 이중 층 반사 방지 코팅을 형성한다.
일 실시예에서, 3족 질화물 재료 층은 대략 50 내지 900 옹스트롬 범위의 두께를 갖고 대략 2.0 내지 2.4의 굴절률을 가지며, ARC 층은 대략 300 내지 1500 옹스트롬의 범위의 두께를 갖고 대략 1.8의 굴절률을 갖는다.
일 실시예에서, 3족 질화물 재료 층 및 ARC 층은 함께 태양 전지에 전류 증강 및 안정성을 제공한다.
일 실시예에서, ARC 층은 수소화된 질화규소(SiN:H)의 층이다.
일 실시예에서, 3족 질화물 재료 층은 대략 30 내지 100 옹스트롬 범위의 두께를 갖고 대략 2.0 내지 2.4의 굴절률을 가지며, SiN:H의 층은 대략 700 옹스트롬의 두께를 갖고 대략 1.9 초과의 굴절률을 갖는다.
일 실시예에서, 3족 질화물 재료 층 및 ARC 층은 함께 태양 전지에 안정성을 제공하면서, 고 대역 Eg 재료는 광생성 스펙트럼의 흡수가 없는 패시베이션을 제공한다.
일 실시예에서, 기판은 결정질 규소 기판이며, 패시베이팅 유전체 층은 대략 10 내지 300 옹스트롬 범위의 두께를 갖는 이산화규소(SiO2)의 층이다.
일 실시예에서, 수광 표면은 텍스처화된 표면 형태를 갖고, 패시베이팅 유전체 층 및 3족 질화물 재료 층 모두는 수광 표면의 텍스처화된 표면 형태와 정합된다.
일 실시예에서, 기판은 수광 표면 반대편의 배면 표면을 추가로 포함하며, 태양 전지는, 기판의 배면 표면의 또는 그 위의 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들, 및 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 전기적으로 연결되는 전도성 접점 구조물을 추가로 포함한다.
실시예에서, 태양 전지는 수광 표면을 갖는 기판을 포함한다. 패시베이팅 유전체 층은 기판의 수광 표면 상에 배치된다. 큰 직접 밴드 갭 재료 층이 패시베이팅 유전체 층 위에 배치되는데, 이때 큰 직접 밴드 갭 재료 층은 적어도 대략 3.3의 에너지 갭(Eg)을 갖는다. 반사 방지 코팅(ARC) 층은 큰 직접 밴드 갭 재료 층 상에 배치되며, ARC 층은 큰 직접 밴드 갭 재료 층과 상이한 재료를 포함한다.
일 실시예에서, 태양 전지는 패시베이팅 유전체 층과 큰 직접 밴드 갭 재료 층 사이에 직접 배치된 계면 층을 추가로 포함하고, 계면 층은 패시베이팅 유전체 층과 상이하고 큰 직접 밴드 갭 재료 층과 상이한 재료를 포함한다.
실시예에서, 태양 전지의 제조 방법은 기판의 수광 표면 상에 패시베이팅 유전체 층을 형성하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 패시베이팅 유전체 층 위에 3족 질화물 재료 층을 형성하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 3족 질화물 재료 층 상에 반사 방지 코팅(ARC) 층을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 패시베이팅 유전체 층 상에 계면 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 3족 질화물 재료 층을 형성하는 단계는 계면 층 상에 3족 질화물 재료 층을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 3족 질화물 재료 층을 형성하는 단계는, 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD), 분자선 에피택시(MBE), 및 물리 기상 증착(PVD)으로 이루어진 군으로부터 선택된 기술에 의해, 질화 알루미늄(AlN) 다결정 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-x, 여기서 0 < x < 1) 다결정 층, 및 질화 갈륨(GaN) 다결정 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 다결정 층을 형성하는 단계를 포함하거나, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 원자 층 증착(ALD), 플라즈마 강화 원자 층 증착(PEALD), 분자선 에피택시(MBE), 및 물리 기상 증착(PVD)으로 이루어진 군으로부터 선택된 기술에 의해, 질화 알루미늄(AlN) 비정질 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-xN, 여기서 0 < x < 1) 비정질 층, 및 질화 갈륨(GaN) 비정질 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 비정질 층을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 3족 질화물 재료 층을 형성하는 단계는, 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD), 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 플라즈마 강화 원자 층 증착(PEALD), 분자선 에피택시(MBE), 및 물리 기상 증착(PVD)으로 이루어진 군으로부터 선택된 기술에 의해, 질화 알루미늄(AlN) 다결정 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-xN, 여기서 0 < x < 1) 다결정 층, 및 질화 갈륨(GaN) 다결정 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 다결정 층을 형성하는 단계를 포함하거나, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 원자 층 증착(ALD), 플라즈마 강화 원자 층 증착(PEALD), 분자선 에피택시(MBE), 및 물리 기상 증착(PVD)으로 이루어진 군으로부터 선택된 기술에 의해, 질화 알루미늄(AlN) 비정질 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-xN, 여기서 0 < x < 1) 비정질 층, 및 질화 갈륨(GaN) 비정질 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 비정질 층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에서, 태양 전지는 수광 표면을 갖는 결정질 규소 기판을 포함한다. 3족 질화물 재료 층은 결정질 규소 기판의 수광 표면 위에 배치된다. 반사 방지 코팅(ARC) 층은 3족 질화물 재료 층 상에 배치되며, ARC 층은 3족 질화물 재료 층과 상이한 재료를 포함한다.
일 실시예에서, 3족 질화물 재료 층은 결정질 규소 기판의 수광 표면 상에 배치된다.
일 실시예에서, 태양 전지는 3족 질화물 재료 층과 결정질 규소 기판의 수광 표면 사이에 직접 배치된 계면 층을 추가로 포함하며, 계면 층은 3족 질화물 재료 층과 상이한 재료를 포함한다.
일 실시예에서, 계면 층은 규소-풍부 비정질 규소 층이며, 대략 30 내지 50 옹스트롬 범위의 두께를 갖는다.
일 실시예에서, 계면 층은 규소-풍부 비정질 규소, 진성 또는 인 도핑된 비정질 규소, 및 다결정 규소로 이루어진 군으로부터 선택된 산소가 없는 규소계 층이고, 규소계 층은 대략 10 내지 200 옹스트롬 범위의 두께를 갖는다.
일 실시예에서, 3족 질화물 재료 층은 질화 알루미늄(AlN) 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1 - xN, 여기서 0 < x < 1) 층, 및 질화 갈륨(GaN) 층으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일 실시예에서, ARC 층은 질화규소의 층을 포함한다.

Claims (30)

  1. 태양 전지로서,
    수광 표면(light-receiving surface)을 갖는 기판(substrate);
    기판의 수광 표면 상에 배치된 패시베이팅 유전체 층(passivating dielectric layer); 및
    패시베이팅 유전체 층 위에 배치된 3족 질화물 재료 층을 포함하는, 태양 전지.
  2. 제1항에 있어서,
    패시베이팅 유전체 층과 3족 질화물 재료 층 사이에 직접 배치된 계면 층을 추가로 포함하며, 계면 층은 패시베이팅 유전체 층과 상이하고 3족 질화물 재료 층과 상이한 재료를 포함하는, 태양 전지.
  3. 제2항에 있어서, 계면 층은 규소-풍부 비정질 규소 층이며, 대략 30 내지 50 옹스트롬 범위의 두께를 갖는, 태양 전지.
  4. 제2항에 있어서, 계면 층은 규소-풍부 비정질 규소, 진성 또는 인 도핑된 비정질 규소, 및 다결정 규소로 이루어진 군으로부터 선택된 산소가 없는 규소계 층이고, 규소계 층은 대략 10 내지 200 옹스트롬 범위의 두께를 갖는, 태양 전지.
  5. 제1항에 있어서, 3족 질화물 재료 층은 패시베이팅 유전체 층 상에 배치되는, 태양 전지.
  6. 제1항에 있어서, 3족 질화물 재료 층은 질화 알루미늄(AlN) 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-xN, 여기서 0 < x < 1) 층, 및 질화 갈륨(GaN) 층으로 이루어진 군으로부터 선택된, 태양 전지.
  7. 제1항에 있어서,
    3족 질화물 재료 층 상에 배치된 반사 방지 코팅(ARC) 층을 추가로 포함하며, ARC 층은 3족 질화물 재료 층과 상이한 재료를 포함하는, 태양 전지.
  8. 제7항에 있어서, ARC 층은 산화 알루미늄(AlOx, x는 1.5 이하임) 층 및 산질화규소(SiOyNz, y > 0, z > 0) 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 층이며, ARC 층 및 3족 질화물 재료 층은 함께 태양 전지를 위한 이중(dual) 층 반사 방지 코팅을 형성하는, 태양 전지.
  9. 제8항에 있어서, 3족 질화물 재료 층은 대략 50 내지 900 옹스트롬 범위의 두께를 갖고 대략 2.0 내지 2.4의 굴절률을 가지며, ARC 층은 대략 300 내지 1500 옹스트롬의 범위의 두께를 갖고 대략 1.8의 굴절률을 갖는, 태양 전지.
  10. 제9항에 있어서, 3족 질화물 재료 층 및 ARC 층은 함께 태양 전지에 전류 증강 및 안정성을 제공하는, 태양 전지.
  11. 제7항에 있어서, ARC 층은 수소화된 질화규소(SiN:H)의 층인, 태양 전지.
  12. 제11항에 있어서, 3족 질화물 재료 층은 대략 30 내지 100 옹스트롬 범위의 두께를 갖고 대략 2.0 내지 2.4의 굴절률을 가지며, SiN:H의 층은 대략 700 옹스트롬의 두께를 갖고 대략 1.9 초과의 굴절률을 갖는, 태양 전지.
  13. 제12항에 있어서, 3족 질화물 재료 층 및 ARC 층은 함께 태양 전지에 안정성을 제공하면서, 고 밴드 Eg 재료는 광생성 스펙트럼의 흡수가 없는 패시베이션을 제공하는, 태양 전지.
  14. 제1항에 있어서, 기판은 결정질 규소 기판이며, 패시베이팅 유전체 층은 대략 10 내지 300 옹스트롬 범위의 두께를 갖는 이산화규소(SiO2)의 층인, 태양 전지.
  15. 제1항에 있어서, 수광 표면은 텍스처화된 표면 형태(texturized topography)를 갖고, 패시베이팅 유전체 층 및 3족 질화물 재료 층 모두는 수광 표면의 텍스처화된 표면 형태와 정합(conformal)되는, 태양 전지.
  16. 제1항에 있어서, 기판은 수광 표면 반대편의 배면 표면을 추가로 포함하며, 태양 전지는,
    기판의 배면 표면의 또는 그 위의 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들; 및
    복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역들에 전기적으로 연결되는 전도성 접점 구조물을 추가로 포함하는, 태양 전지.
  17. 태양 전지로서,
    수광 표면을 갖는 기판;
    기판의 수광 표면 상에 배치된 패시베이팅 유전체 층;
    패시베이팅 유전체 층 위에 배치된 큰 직접 밴드 갭 재료 층 - 큰 직접 밴드 갭 재료 층은 적어도 대략 3.3의 에너지 갭(Eg)을 가짐 -; 및
    큰 직접 밴드 갭 재료 층 상에 배치된 반사 방지 코팅(ARC) 층을 포함하며, ARC 층은 큰 직접 밴드 갭 재료 층과 상이한 재료를 포함하는, 태양 전지.
  18. 제17항에 있어서,
    패시베이팅 유전체 층과 큰 직접 밴드 갭 재료 층 사이에 직접 배치된 계면 층을 추가로 포함하며, 계면 층은 패시베이팅 유전체 층과 상이하고 큰 직접 밴드 갭 재료 층과 상이한 재료를 포함하는, 태양 전지.
  19. 태양 전지의 제조 방법으로서,
    기판의 수광 표면 상에 패시베이팅 유전체 층을 형성하는 단계;
    패시베이팅 유전체 층 위에 3족 질화물 재료 층을 형성하는 단계; 및
    3족 질화물 재료 층 상에 반사 방지 코팅(ARC) 층을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    패시베이팅 유전체 층 상에 계면 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 3족 질화물 재료 층을 형성하는 단계는 계면 층 상에 3족 질화물 재료 층을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  21. 제19항에 있어서, 3족 질화물 재료 층을 형성하는 단계는, 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD), 분자선 에피택시(MBE), 및 물리 기상 증착(PVD)으로 이루어진 군으로부터 선택된 기술에 의해, 질화 알루미늄(AlN) 다결정 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-xN, 여기서 0 < x < 1) 다결정 층, 및 질화 갈륨(GaN) 다결정 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 다결정 층을 형성하는 단계를 포함하거나, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 원자 층 증착(ALD), 플라즈마 강화 원자 층 증착(PEALD), 분자선 에피택시(MBE), 및 물리 기상 증착(PVD)으로 이루어진 군으로부터 선택된 기술에 의해, 질화 알루미늄(AlN) 비정질 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-xN, 여기서 0 < x < 1) 비정질 층, 및 질화 갈륨(GaN) 비정질 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 비정질 층을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  22. 제19항에 있어서, 3족 질화물 재료 층을 형성하는 단계는, 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD), 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 플라즈마 강화 원자 층 증착(PEALD), 분자선 에피택시(MBE), 및 물리 기상 증착(PVD)으로 이루어진 군으로부터 선택된 기술에 의해, 질화 알루미늄(AlN) 다결정 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-xN, 여기서 0 < x < 1) 다결정 층, 및 질화 갈륨(GaN) 다결정 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 다결정 층을 형성하는 단계를 포함하거나, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 원자 층 증착(ALD), 플라즈마 강화 원자 층 증착(PEALD), 분자선 에피택시(MBE), 및 물리 기상 증착(PVD)으로 이루어진 군으로부터 선택된 기술에 의해, 질화 알루미늄(AlN) 비정질 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-xN, 여기서 0 < x < 1) 비정질 층, 및 질화 갈륨(GaN) 비정질 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 비정질 층을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  23. 제19항의 방법에 따라 제조되는 태양 전지.
  24. 태양 전지로서,
    수광 표면을 갖는 결정질 규소 기판;
    결정질 규소 기판의 수광 표면 위에 배치된 3족 질화물 재료 층; 및
    3족 질화물 재료 층 상에 배치된 반사 방지 코팅(ARC) 층을 포함하며, ARC 층은 3족 질화물 재료 층과 상이한 재료를 포함하는, 태양 전지.
  25. 제24항에 있어서, 3족 질화물 재료 층은 결정질 규소 기판의 수광 표면 상에 배치되는, 태양 전지.
  26. 제24항에 있어서,
    3족 질화물 재료 층과 결정질 규소 기판의 수광 표면 사이에 직접 배치된 계면 층을 추가로 포함하며, 계면 층은 3족 질화물 재료 층과 상이한 재료를 포함하는, 태양 전지.
  27. 제26항에 있어서, 계면 층은 규소-풍부 비정질 규소 층이며, 대략 30 내지 50 옹스트롬 범위의 두께를 갖는, 태양 전지.
  28. 제26항에 있어서, 계면 층은 규소-풍부 비정질 규소, 진성 또는 인 도핑된 비정질 규소, 및 다결정 규소로 이루어진 군으로부터 선택된 산소가 없는 규소계 층이고, 규소계 층은 대략 10 내지 200 옹스트롬 범위의 두께를 갖는, 태양 전지.
  29. 제24항에 있어서, 3족 질화물 재료 층은 질화 알루미늄(AlN) 층, 질화 알루미늄 갈륨(AlxGa1-xN, 여기서 0 < x < 1) 층, 및 질화 갈륨(GaN) 층으로 이루어진 군으로부터 선택된, 태양 전지.
  30. 제24항에 있어서, ARC 층은 질화규소의 층을 포함하는, 태양 전지.
KR1020177002109A 2014-06-27 2015-06-25 고 에너지 갭(eg) 재료를 갖는 태양 전지의 수광 표면의 패시베이션 KR20170023139A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/317,686 2014-06-27
US14/317,686 US9825191B2 (en) 2014-06-27 2014-06-27 Passivation of light-receiving surfaces of solar cells with high energy gap (EG) materials
PCT/US2015/037820 WO2015200716A1 (en) 2014-06-27 2015-06-25 Passivation of light-receiving surfaces of solar cells with high energy gap (eg) materials

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170023139A true KR20170023139A (ko) 2017-03-02

Family

ID=54931429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177002109A KR20170023139A (ko) 2014-06-27 2015-06-25 고 에너지 갭(eg) 재료를 갖는 태양 전지의 수광 표면의 패시베이션

Country Status (12)

Country Link
US (2) US9825191B2 (ko)
EP (1) EP3161873A4 (ko)
JP (1) JP2017526155A (ko)
KR (1) KR20170023139A (ko)
CN (1) CN106663700A (ko)
AU (1) AU2015279726A1 (ko)
CL (1) CL2016003322A1 (ko)
MX (1) MX2016013204A (ko)
PH (1) PH12016502014A1 (ko)
SG (1) SG11201610601VA (ko)
TW (1) TW201614854A (ko)
WO (1) WO2015200716A1 (ko)

Families Citing this family (321)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
WO2017222537A1 (en) * 2016-06-23 2017-12-28 Sunpower Corporation Surface passivation for solar cells
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US20180138328A1 (en) * 2016-11-11 2018-05-17 Sunpower Corporation Uv-curing of light-receiving surfaces of solar cells
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
WO2018112067A1 (en) * 2016-12-16 2018-06-21 Sunpower Corporation Plasma-curing of light-receiving surfaces of solar cells
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US20190348563A1 (en) 2017-01-05 2019-11-14 Brilliant Light Power, Inc. Extreme and deep ultraviolet photovoltaic cell
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
CN107240612B (zh) * 2017-06-06 2019-02-12 界首市七曜新能源有限公司 单晶硅太阳能板
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
JP2019110192A (ja) * 2017-12-18 2019-07-04 国立研究開発法人産業技術総合研究所 太陽電池
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TWI747597B (zh) * 2020-11-05 2021-11-21 財團法人金屬工業研究發展中心 太陽能電池之鈍化層的退火方法
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
CN115132851B (zh) 2021-08-26 2023-06-16 上海晶科绿能企业管理有限公司 太阳能电池及其制作方法、光伏组件
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005004198A2 (en) * 2003-06-13 2005-01-13 North Carolina State University Complex oxides for use in semiconductor devices and related methods
WO2006110048A1 (en) 2005-04-14 2006-10-19 Renewable Energy Corporation Asa Surface passivation of silicon based wafers
US8283559B2 (en) 2009-04-09 2012-10-09 Silevo, Inc. Silicon-based dielectric stack passivation of Si-epitaxial thin-film solar cells
KR20110062598A (ko) 2009-12-03 2011-06-10 삼성전자주식회사 적층막 제조방법, 이를 이용한 태양전지의 제조방법
GB201011729D0 (en) * 2010-07-13 2010-08-25 Pilkington Group Ltd Transparent front electrode for a photovoltaic device
TWI495120B (zh) * 2011-02-09 2015-08-01 Sino American Silicon Prod Inc 光電元件及其製造方法
TWI463682B (zh) * 2011-03-02 2014-12-01 Nat Univ Tsing Hua 異質接面太陽能電池
JP5891382B2 (ja) * 2011-03-25 2016-03-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光電変換素子の製造方法
KR20120129272A (ko) * 2011-05-19 2012-11-28 삼성디스플레이 주식회사 태양 전지 및 이의 제조방법
CN103918088B (zh) * 2011-08-09 2017-07-04 速力斯公司 利用细晶半导体吸收体的高效太阳能光伏电池及模块
KR20130050721A (ko) 2011-11-08 2013-05-16 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지
CN103858239A (zh) * 2011-11-16 2014-06-11 天合光能发展有限公司 全背接触太阳能电池和制造方法
JP2013135155A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
US8637948B2 (en) 2012-01-10 2014-01-28 Samsung Sdi Co., Ltd. Photovoltaic device
TWI452714B (zh) * 2012-01-20 2014-09-11 Univ Nat Taiwan 太陽能電池及其製造方法
US9054255B2 (en) 2012-03-23 2015-06-09 Sunpower Corporation Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material
US20130298973A1 (en) * 2012-05-14 2013-11-14 Silevo, Inc. Tunneling-junction solar cell with shallow counter doping layer in the substrate
JP2014022428A (ja) * 2012-07-13 2014-02-03 Sharp Corp 太陽電池および太陽電池モジュール
DE102012016298A1 (de) * 2012-08-16 2014-05-15 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbleiterbauelement mit einer Passivierungsschicht aus hydriertem Aluminiumnitrid sowie Verfahren zur Oberflächenpassivierung von Halbleiterbauelementen
KR20140029563A (ko) * 2012-08-28 2014-03-11 엘지전자 주식회사 태양전지의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
MX2016013204A (es) 2017-05-01
CN106663700A (zh) 2017-05-10
EP3161873A4 (en) 2017-05-17
TW201614854A (en) 2016-04-16
EP3161873A1 (en) 2017-05-03
US20180040746A1 (en) 2018-02-08
PH12016502014A1 (en) 2017-02-06
US9825191B2 (en) 2017-11-21
JP2017526155A (ja) 2017-09-07
AU2015279726A1 (en) 2016-10-27
SG11201610601VA (en) 2017-01-27
WO2015200716A1 (en) 2015-12-30
CL2016003322A1 (es) 2017-11-10
US20150380574A1 (en) 2015-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9825191B2 (en) Passivation of light-receiving surfaces of solar cells with high energy gap (EG) materials
KR102710224B1 (ko) 전하-캐리어-선택적 접촉을 통해 연결되는 복수의 흡수체들을 구비한 태양 전지
EP3161874B1 (en) Passivation of light-receiving surfaces of solar cells with crystalline silicon
CN101097969A (zh) 包括所有背面接触结构的光电器件以及相关处理
KR101985835B1 (ko) 광기전력소자 및 제조 방법
Jia et al. Silicon nanowire solar cells with radial pn heterojunction on crystalline silicon thin films: Light trapping properties
US20240290894A1 (en) Uv-curing of light receiving surfaces of solar cells
CN116845115A (zh) 太阳能电池及光伏组件
US20160284917A1 (en) Passivation Layer for Solar Cells
AU2019283886A1 (en) Passivation of light-receiving surfaces of solar cells
Krimmel et al. Application of Silicon Nitride for Solar Cells
KR20110074248A (ko) 박막 태양전지