KR20150086342A - 적층 세라믹 전자부품 - Google Patents

적층 세라믹 전자부품 Download PDF

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Abstract

내부전극에 대하여 양호한 접합성을 가지는 외부전극을 포함하는 적층 세라믹 전자부품을 제공한다. 세라믹층과 내부전극이 적층된 적층체와, 내부전극과 전기적으로 접속되도록 적층체의 외표면 위에 형성된 외부전극을 포함하고, 외부전극은 내부전극에 접하는 도통층을 포함하고, 또한 내부전극은 Ni를 포함한다. 도통층은 Cu3Sn 합금을 포함하는 금속입자와 열경화성 수지를 포함한다. 내부전극과 도통층은 CuSnNi 합금상을 통하여 접합된다.

Description

적층 세라믹 전자부품{MULTILAYER CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 적층 세라믹 전자부품에 관한 것으로, 특히 외부전극의 구성에 관한 것이다.
본 발명에 있어서 흥미있는 기술이, 예를 들면 국제공개 제2004/053901호 팜플렛(특허문헌 1)에 기재되어 있다.
특허문헌 1에는 그 청구항 1에 있는 듯이 융점이 300℃ 이하인 금속분말(금속 A), 고융점의 도전입자(금속 B), 및 수지를 포함하는 열경화형 도전 페이스트로 형성된 외부전극을 가지는 적층 세라믹 전자부품이 기재되어 있다. 동 청구항 2에는 상기 페이스트 중의 A+B의 합계량이, A+B+수지의 합계량에 대하여 70~95중량%인 것이 규정되고, 동 청구항 3에는 A:B의 배합 비율이 중량비로 5:95~20:80인 것이 규정되어 있다. 또한, 동 청구항 4에는 외부전극을 얻기 위해 80~400℃, 1~60분으로 유지하는 것이 규정되고, 동 청구항 5에는 외부전극 중의 도전입자와 내부전극의 금속이 확산 접합되어 있는 것이 규정되어 있다.
상기 저융점 금속(A)의 배합 비율에 주목하면, 특허문헌 1의 청구항 3에는, 저융점 금속(A)의 배합 비율은 5~20중량%라고 규정되어 있다. 그러나, 본건 발명자에 의한 실험의 결과, Ni를 포함하는 내부전극을 포함하는 적층 세라믹 전자부품에 있어서, 외부전극을 형성하기 위해서 특허문헌 1에 기재된 도전성 접착제를 이용한 경우, 저융점 금속(A)의 비율이 5~20중량%로 낮기 때문에 내부전극과의 접합성이 나쁜 것을 알 수 있었다. 만일, 청구항 4에 규정되는 80~400℃의 범위를 초과하여, 500℃ 이상으로 열처리하면 내부전극과의 사이에서 양호한 접합은 가능하지만, 외부전극으로부터 금속 볼이 석출(또는 분출)되기 때문에, 그 후에 실시되는 Ni도금 등의 도금 공정에서 도금 부착 불량을 초래한다.
국제공개 제2004/053901호 팜플렛
그러므로, 이 발명의 목적은 상술한 바와 같은 문제를 해결하여, 외부전극에 있어서 내부전극에 대하여 양호한 접합성을 확보함으로써 전기적인 안정성을 확보할 수 있는 적층 세라믹 전자부품을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명은 세라믹층과 내부전극이 적층된 적층체와, 내부전극과 전기적으로 접속되도록 적층체의 외표면 위에 형성된 외부전극을 포함하고, 외부전극은 내부전극에 접하는 도통층(導通層)을 포함하고, 또한 내부전극은 Ni를 포함하는 적층 세라믹 전자부품에 관한 것으로서, 상술한 기술적 과제를 해결하기 위해 상기 내부전극과 상기 도통층은 CuSnNi 합금상을 통하여 접합되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
바람직하게는, 상기 CuSnNi 합금상 중의 Ni 고용(固溶)량은 5~42atm%이다.
본 발명에 의하면, 외부전극에 포함하는 도통층이, CuSnNi 합금상을 통하여 내부전극과 접함으로써, 외부전극과 내부전극 사이에서 강고한 물리적인 접합이 달성되므로 적층 세라믹 전자부품의 전기 특성의 안정성을 확보할 수 있다.
또, 이 발명에서의 Cu3Sn 합금 대신에, 만일 AgSn계 금속을 이용한 경우에 생성되는 Ni3Sn2과 비교하여, 이 발명에 있어서 생성되는 CuSnNi 합금상은 보다 저온이면서 단시간에 생성될 수 있다.
이 발명에 있어서, 상기 CuSnNi 합금상 중의 Ni 고용량이 5~42atm%의 범위로 선택되면, 내부전극과 도통층 사이에서의 Ni의 과잉한 확산이 억제되어, 외부전극과 내부전극 사이에서 강고한 접합을 보다 확실하게 달성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태에 의한 적층 세라믹 콘덴서(1)를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 적층 세라믹 콘덴서(1)의 외부전극(8 및 9)에서의 도통층(10)의 형성 과정을 모식적으로 나타내는 도통층(10)의 일부 확대 단면도이며, (1)은 열처리 전의 상태, (2)는 열처리 후의 상태를 나타낸다.
도 3은 내부전극과 도통층이 접하는 부분에 형성된 CuSnNi 합금상을 촬영한 SEM사진을 나타내는 도면이다.
이하, 이 발명의 실시형태를 적층 세라믹 콘덴서에 관련하여 설명한다.
도 1을 참조하여, 적층 세라믹 콘덴서(1)는 유전체 세라믹으로 이루어지는 복수의 세라믹층(2)과 각각 복수의 제1 및 제2 내부전극(3 및 4)이 적층된 적층체(5)를 포함하고 있다. 적층체(5)에 있어서, 제1 내부전극(3)과 제2 내부전극(4)은 적층방향으로 보아 교대로 배치되고, 제1 내부전극(3)과 제2 내부전극(4)은 세라믹층(2)을 끼우고 대향하고 있다. 제1 내부전극(3)은 적층체(5)의 제1 단면(端面)(6)에까지 인출되고, 제2 내부전극(4)은 적층체(5)의 제1 단면(6)에 대향하는 제2 단면(7)에까지 인출되어 있다. 내부전극(3 및 4)은 도전성분으로서 Ni를 포함하고 있다.
적층 세라믹 콘덴서(1)는 또한 적층체(5)의 외표면 위에 형성된 제1 및 제2 외부전극(8 및 9)을 포함한다. 제1 외부전극(8)은 적층체(5)의 제1 단면(6)을 덮도록 형성되며, 제1 내부전극(3)과 전기적으로 접속된다. 제2 외부전극(9)은 적층체(5)의 제2 단면(7)을 덮도록 형성되며, 제2 내부전극(4)과 전기적으로 접속된다.
외부전극(8 및 9)의 각각은 적층체(5)의 외표면에 접하는 도통층(10)을 포함한다. 따라서, 제1 및 제2 외부전극(8 및 9)의 각각의 도통층(10)은 각각 제1 및 제2 내부전극(3 및 4)에 접하고 있다. 도통층(10)의 상세한 조성 및 형성 방법에 대해서는 후술한다.
한편, 도시한 실시형태에서는, 수지를 포함하는 도통층(10)은 1층 구조이지만, 도통층(10) 위에 수지를 포함하는 도통층이 더 형성되어 있어도 된다.
또, 도시한 실시형태에서는, 외부전극(8 및 9)의 각각은 도통층(10) 위에 형성되는 Ni도금층(11) 및 그 위에 형성되는 Sn도금층(12)을 더욱 포함하고 있다.
한편, 도금층(11 및 12)을 각각 구성하는 Ni 및 Sn은 필요에 따라서, Cu, Au 등의 다른 금속으로 치환되어도 된다. 또한, 도금층(11 및 12) 중 어느 한쪽이 생략되어도 된다. 나아가, 도금층(11 및 12)이 형성되지 않고, 외부전극(8 및 9)이 도통층(10)만으로 구성되어도 된다.
다음으로, 외부전극(8 및 9)의 형성 방법, 특히 도통층(10)의 형성 방법에 대해서 설명한다.
도통층(10)을 형성하기 위해서, Cu분말, Sn분말, 열경화성 수지, 유기용제를 포함하는 열경화형 도전성 수지조성물이 준비된다. 열경화형 도전성 수지조성물에 있어서, Cu분말과 Sn분말의 합계량에 대한 Sn분말의 함유량은, 바람직하게는 36.5~47.8중량%이다. 이 열경화형 도전성 수지조성물은 경화 후의 잔류 응력이 8MPa 이상이 되도록 함유되는 열경화성 수지를 고르는 것이 바람직하다.
이용하는 열경화성 수지는 경화 후의 잔류 응력이 8MPa 이상을 만족하면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 주제(主劑)로서 에폭시 수지를 이용할 경우는 경화제로서 알칼리레졸형(alkali resol-type)의 페놀수지, 노볼락형의 페놀수지, 디하이드라자이드, 디시안디아미드, 지방족 혹은 방향족의 아민, 3급 아민, 이미다졸 등의 질소화합물, 산무수물, 기타 유기산 혹은 그 염을 이용하거나, 혹은 이들을 조합시켜서 이용할 수 있다.
또, 주제인 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 방향족계의 글리시딜아민형 에폭시 수지, 다이머산 변성 에폭시 수지, 우레탄 변성 에폭시 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지, 킬레이트 변성 에폭시 수지, 혹은 지환식 에폭시 수지를 이용하거나, 혹은 이들을 조합시켜서 이용할 수 있다.
또, 에폭시 수지와 경화제의 조합이 아니어도, 열경화성 수지로서 이소시아네이트 화합물과 폴리올의 조합이나 혹은 자기 중합 반응을 보이는 알칼리레졸형의 페놀수지를 단독으로 이용해도 된다.
상술한 열경화형 도전성 수지조성물은 소성공정을 거쳐 얻어진 적층체(5)의 단면(6 및 7)에 부여된다. 보다 구체적으로는 예를 들면, 페이스트 형상의 미(未)경화의 열경화형 도전성 수지조성물을 스퀴지에 의해 소정의 두께로 펴고, 거기에 적층체(5)의 단면(6 및 7)의 각각을 침지함으로써 미경화의 열경화형 도전성 수지조성물이 적층체(5)의 단면(6 및 7)에 부여된다. 부여된 열경화형 도전성 수지조성물은 이어서 건조되어 유기용제가 제거된다.
도 2(1)에는 도통층(10)을 구성할 상술한 열경화형 도전성 수지조성물(21)의 건조 후 상태의 단면구조가 모식적으로 나타나있다. 도 2(1)에 나타내는 바와 같이 열경화형 도전성 수지조성물(21)은 Cu분말(22)과 Sn분말(23)이 열경화성 수지(24) 중에 분산된 상태에 있다. Cu분말(22)과 Sn분말(23)은 각각의 적어도 일부가 서로 접촉하고 있다.
여기서, 건조 후의 열경화형 도전성 수지조성물(21) 중에서의 Cu분말(22)과 Sn분말(23)의 합계 함유량은 45~65체적%인 것이 바람직하다. 또한, 경화 전의 열경화형 도전성 수지조성물에 포함되는 Cu분말(22)의 D50은 0.5~3.0㎛이며, 마찬가지로 Sn분말(23)의 D50은 1.5~5.0㎛인 것이 바람직하다.
다음으로, 열경화형 도전성 수지조성물(21)의 열처리 공정이 실시된다. 이 열처리 공정에서는 상술한 열경화성 수지(24)가 경화되는 동시에, Cu분말(22)과 Sn분말(23)의 사이에서 상호확산이 진행된다. 통상, 열경화성 수지(24)가 먼저 경화되고, 경화 수축에 의해 Cu분말(22)과 Sn분말(23)의 거리가 단축되어, 접촉이 많아진다. 계속해서, Cu분말(22)과 Sn분말(23)의 사이에서 상호확산이 진행된다. 그 결과, 도 2(2)에 나타내는 바와 같이 Cu3Sn 합금을 포함하는 복수의 금속입자(25)가 생성된다.
전술한 바와 같이 열경화형 도전성 수지조성물(21)은 도 2(1)에 나타낸 상태에 있어서, Cu분말(22)과 Sn분말(23)의 합계량에 대한 Sn분말(23)의 함유량이 36.5~47.8중량%일 때, 도 2(2)에 나타낸 금속입자(25)에 포함되는 금속성분은 Cu 및 Sn을 포함하는 동시에, Sn 및 Cu의 합계량에 대한 Sn의 중량비가 36.5~47.8%가 된다.
도 2(2)에서는 도시되지 않지만, 상호확산의 진행 상황에 따라서 금속입자(25)에는 Cu3Sn 합금 이외에, Cu6Sn5 합금, Cu 금속 및/또는 Sn 금속이 잔존하는 경우가 있고, 또한 상호확산의 결과, 열경화성 수지(24) 중에서의 Cu분말(22) 또는 Sn분말(23)이 존재하고 있었던 부분의 일부에 빈 구멍이 남아있는 경우도 있다.
이때, Cu3Sn 합금의 존재 비율은 100중량%에 가까울수록 후술하는 CuSnNi 합금상이 생성되기 쉬워지기 때문에 바람직하지만, 25중량% 이상이면 실용상 문제는 없다.
이상과 같이 하여, 경화한 도통층(10)이 형성되는데, 이 형성 공정에 있어서 금속 볼의 석출(또는 분출)은 억제될 수 있다. Cu3Sn은 약 676℃의 융점을 가지고, 열처리 과정에서 재용융하는 경우가 없기 때문이라고 추측된다.
또, 이 열처리 공정에 있어서 내부전극(3 및 4)의 각각과 도통층(10)에 접하는 부분에는, CuSnNi 합금상이 형성된다. 도 3에는 SEM사진에 의해 확인된 "CuSnNi 합금상"이 나타나 있다. 도 3에 나타내는 바와 같이 Ni를 포함하는 "내부전극"과 도통층("Cu3Sn 합금" 및 "열경화성 수지"가 존재하는 부분)에 접하는 부분에는 "CuSnNi 합금상"이 형성되어 있다. CuSnNi 합금상은 (Cu,Ni)6Sn5의 합금조성을 나타내고, Ni의 고용량에 의해 그 조성이 변동하는 것이다. 이 합금상 중의 Ni 고용량은 5~42atm%인 것이 바람직하다. CuSnNi 합금상은 외부전극(8 및 9)의, 내부전극(3 및 4)에 대한 접합성의 향상에 기여한다. 도통층(10) 중에서 생성될 수 있는 금속간 화합물인 전술한 Cu3Sn은 Ni를 포함하는 내부전극(3 및 4)과 금속접합하고, 그 결과로서 CuSnNi 합금상이 형성되는 것이라고 추측된다.
이상, 이 발명을 적층 세라믹 콘덴서에 관련하여 설명했지만, 이 발명은 적층 세라믹 콘덴서 이외의 적층 세라믹 전자부품에도 적용할 수 있다.
다음으로, 이 발명의 범위 및 보다 바람직한 범위를 구하기 위해 실시한 실험예에 대해서 설명한다. 한편, 이 발명의 범위 내에 있지만 보다 바람직한 범위를 벗어난 것이어도 실용상 문제가 되지 않고, 이 발명이 해결하고자 하는 과제를 해결할 수 있는 것이라고 이해해야 한다.
[실험예 1] (Sn비율을 바꾼 실험예)
(1) 열경화형 도전성 수지조성물의 제작
D50이 1.0㎛인 구상(球狀)입자로 이루어지는 Cu분말과, D50이 2.5㎛인 구상입자로 이루어지는 Sn분말과, 열경화성 수지로서의 레졸형 페놀수지 A와, 유기용제로서의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 소형 믹서로 혼합한 후, 금속 3본(本) 롤로 혼합반죽했다. 그 후, E형 점도계를 이용해서 점도 측정하면서, 유기용제로서의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 양을 조정함으로써 1rpm/30±2Pa·s로 점도 조정된, 시료가 되는 미경화의 열경화형 도전성 수지조성물을 얻었다.
여기서, 열경화형 도전성 수지조성물 중에서의 Cu분말과 Sn분말의 합계 함유량은, 유기용제를 제외하고 55체적%로 했지만, Sn분말 및 Cu분말의 합계량에 대한 Sn분말의 비율을 표 1의 "Sn비율"의 란에 나타내는 바와 같이 바꾸었다.
한편, 상술한 D50은 레이저 회절법에 의해 측정한 체적 기준의 값이다.
(2) 도통층의 형성
Ni를 주성분으로 하는 내부전극이 형성되고, 평면 치수가 1.0㎜×0.5㎜이며, 정전용량이 1㎌인 적층 세라믹 콘덴서를 위한 부품 본체로서의 적층체를 준비했다.
한편, 상술한 바와 같이 제작된 미경화의 열경화형 도전성 수지조성물을 스퀴지로 150㎛의 두께로 펴고, 거기에 상기 적층체의 한쪽 단면을 침지함으로써 열경화형 도전성 수지조성물을 도포하고, 그 후, 열풍순환 오븐을 이용하여 온도 150℃에서 10분간 건조했다. 이어서, 적층체의 다른쪽 단면에 대해서도 동일한 공정을 실시했다. 이렇게 하여 양 단면에 열경화형 도전성 수지조성물이 부여된 적층체를 얻었다.
다음으로, 상기 적층체를 실측 산소농도가 10ppm 미만인 질소분위기 중에서 승온속도 15℃/분으로 승온하고, 탑 온도 450℃에서 20분 유지하는 조건에서 열처리하여 열경화형 도전성 수지조성물을 경화시켰다. 이로 인해, 외부전극에서의 도통층이 양 단면에 형성된 적층체를 얻었다.
(3) 도금층의 형성
다음으로, 습식전해 배럴법을 이용하여 상기 도통층 위에 약 2.5±1.5㎛의 두께를 가지고 Ni도금층을 형성하고, 이어서 약 3.5±1.5㎛의 두께를 가지고 Sn도금층을 형성했다. 이로 인해, 시료가 되는 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다.
(4) 평가
(4A) 경화 후 잔류 응력(인청동판법(Phosphor-Bronze Plate Method))
평면 치수가 10㎜×60㎜이며 두께가 200㎛인 인청동판을 준비하고, 이 인청동판상에 시료가 되는 열경화형 도전성 수지조성물을 약 150㎛의 두께로 도포했다.
이어서, 인청동판상의 열경화형 도전성 수지조성물을, 열풍건조 오븐을 이용하여 온도 150℃에서 10분간 건조한 후, 실측 산소농도가 10ppm 미만인 질소분위기 중에서 승온속도 15℃/분으로 승온하고, 탑 온도 450℃에서 20분 유지하는 조건으로 열처리하여 열경화형 도전성 수지조성물을 경화시켰다.
그 후, 마이크로미터로 상기의 경화한 수지막의 두께를 측정하는 동시에, 인청동판의 만곡량 h를 화상해석에 의해 측정했다. 또한, 미소(微小)경도계를 이용하여 경화한 수지막 및 인청동판 각각의 영률(Young's modulus)을 시료수 5개로 측정하여 그 평균치를 구했다. 그리고, 이하의 이노우에 코바타케식(Inoue-Kobatake equation)으로 수지경화 후의 잔류 응력값을 구했다.
잔류 응력 P[GPa]=E2×h2/(12ρ)×F(m,n)/(n(n+1))
단,
F(m,n)=((1-mn2)3×(1+m))+(mn(n+2)+1)3+m(mn2+2n+1)3)/(1+mn)3, 곡률반경 ρ[mm]=(4x2+L2)/8x,
x=h/4,
h[mm]: 인청동판 만곡량,
L[mm]: 인청동판 전체 길이,
E1[GPa]: 수지 영률,
E2[GPa]: 인청동판 영률,
m=E1/E2,
h1[mm]: 경화한 수지막의 두께,
h2[mm]: 인청동판 두께,
n=h1/h2이다.
그 결과가 표 1의 "경화 후 잔류 응력"의 란에 나타나 있다. 한편, 표 1에 나타낸 시료 1~7에서는, "경화 후 잔류 응력"은 시료 4에 대해서만 구했다.
(4B) 도통층의 외관 관찰
외부전극에서의 도통층이 양 단면에 형성된 도금 전의 적층체를 각 시료에 대해서 5개 준비하고, 적층체 중 어느 한쪽 단면상의 도통층 중앙부를, 전계방출형 주사 전자현미경(FE-SEM)을 이용하여 ２차 전자상 1000배로 관찰했다. 적층체 5개 중, 1개라도 직경 10㎛ 이상의 금속 볼의 분출이 인정된 것에 대해서는 표 1의 "금속 볼"의 란에 "NG"라고 표시하고, 5개 모두에서 직경 10㎛ 이상의 금속 볼이 인정되지 않은 것에 대해서는 같은 란에 "G"라고 표시했다.
한편, 표 1에서는 "NG"라고 표시해야 하는 것은 없었다.
(4C) 내부전극과 외부전극(도통층)의 접합성 평가
시료로서의 적층 세라믹 콘덴서로부터, 각 시료에 대해서 5개의 적층 세라믹 콘덴서를 선출했다.
이어서, 각 시료에 따른 적층 세라믹 콘덴서를 수지 포매(包埋; embedded)하여, 폭방향 치수의 1/2 위치(W/2위치)까지 습식연마한 뒤, 내부전극과 도통층의 계면부분을 FE-SEM을 이용하여 반사 전자상 1500배로 촬영했다. 적층 세라믹 콘덴서 5개 중, 1개라도 내부전극 바로 위에서 CuSnNi 합금상을 확인할 수 없었던 것에 대해서는 표 1의 "접합성"의 란에 "×"로 표시하고, 5개 모두에서 CuSnNi 합금상을 확인할 수 있었던 것에 대해서는 같은 란에 "○"로 표시했다.
(4D) CuSnNi 합금상의 Ni비율
상기 (4C)에 있어서 평가한 시료에 대해서, 적층방향에서의 중앙위치에 있는 내부전극 바로 위에 생성한 CuSnNi 합금상을, 에너지 분산형 X선 분석(EDX)을 이용하여 가속 전압 10kV로 점분석하고, Cu와 Sn과 Ni의 금속조성비를 정량하여 Ni 고용량을 구하고, 5개의 시료에 대한 Ni 고용량의 평균치를 구했다.
그 결과가 표 1의 "CuSnNi 합금상의 Ni비율"의 란에 나타나 있다.
(4E) 전기 특성
각 시료에 대해 20개의 적층 세라믹 콘덴서를 150℃의 온도에서 60분간 열처리한 후, 실온에서 24시간 방치했다. 그 후, LCR 미터를 이용하여 1㎒, 0.5Vrms의 조건으로 정전용량(cap) 및 유전 정접(正接)(DF)을 측정했다.
그 결과가 표 1의 "전기 특성"의 란에 나타나 있다.
본 란에 있어서 "○"로 표시되어 있는 것은, 정전용량에 대해서는 시료 20개 중 모두가 1.0㎌의 ±20% 이내, 즉 0.8~1.2㎌의 범위에 있는 동시에, 유전 정접에 대해서는 시료 20개 중 모두가 7.5% 이하였던 것을 나타내고 있다.
"×(cap/DF)"로 표시되어 있는 것은, 정전용량에 대해서는 시료 20개 중 1개라도 0.8~1.2㎌의 범위를 벗어나면서, 유전 정접에 대해서는 시료 20개 중 1개라도 15%보다 높았던 것을 나타내고 있다.
"△(DF)"로 표시되어 있는 것은, 유전 정접에 대해서 15%보다 높지는 않았지만 1개라도 7.5%보다 높았던 것을 나타내고 있다.
한편, 표 1에서는 "△(DF)"로 표시해야 할 것은 없었다.
(4F) Sn 및 Cu의 합계량에 대한 Sn중량비의 정량
시료로서의 적층 세라믹 콘덴서로부터, 각 시료에 대해 5개의 적층 세라믹 콘덴서를 선출했다.
이어서, 각 시료에 따른 적층 세라믹 콘덴서를 수지 포매하여, 폭방향 치수의 1/2 위치(W/2위치)까지 습식연마한 뒤, 노출된 도통층의 단면 전체를 에너지 분산형 X선 분석(EDX)을 이용하여 가속 전압 10kV로 분석함으로써 Cu와 Sn의 강도비를 구하고, Sn 및 Cu의 합계량에 대한 Sn중량비를 정량하여 평균치를 구했다.
얻어진 값은 열경화시키기 전의 열경화형 도전성 수지조성물의 Sn분말 함유량(표 1의 "Sn비율")에 일치했다.
(4G) 도통층에 포함되는 Sn 및 Cu의 합계량에 대한 Cu3Sn 합금비율
시료로서의 적층 세라믹 콘덴서로부터, 각 시료에 대해 3개의 적층 세라믹 콘덴서를 선출했다. 다음으로, 각 시료에 따른 적층 세라믹 콘덴서를 수지 포매하여, 폭방향 치수의 1/2 위치(W/2위치)까지 습식연마한 뒤, 노출된 수지전극층의 단면 전체를 XRD를 이용하여 분석함으로써 수지전극층 내에 포함되는 Cu, Sn, Cu3Sn 합금, Cu6Sn5 합금의 강도비를 구했다. 그리고 3개의 시료에 대해서 Cu3Sn 합금비율의 평균치를 구했다. 얻어진 값은 표 1의 "Cu3Sn 합금비율"의 란에 나타나 있다.
Figure pct00001
표 1 그리고 나중에 나오는 표 3, 표 7 및 표 9에 있어서, 평가 결과를 나타내는 란에 "-"로 표시되어 있는 것은 평가하지 않은 것을 나타내고 있다.
(5) 고찰
"CuSnNi 합금상의 Ni비율"이 0atm%가 아닌, 즉 CuSnNi 합금상이 형성된 시료 2∼7에서는 "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성"의 각 평가 항목에 있어서 바람직한 결과가 얻어졌다.
이것에 비하여, "CuSnNi 합금상의 Ni비율"이 0atm%인, 즉 CuSnNi 합금상이 형성되지 않은 시료 1에서는 "접합성"이 "×"가 되고, "전기 특성"이 "×(cap/DF)"로 평가되었다. 이것은, "Sn비율"이 35중량%로 낮아서, 내부전극과의 접합에 제공되는 Sn이 부족했기 때문이라고 추측할 수 있다.
한편, "Sn비율"이 48중량%이며, "CuSnNi 합금상의 Ni비율"이 44atm%인 시료 7에서는 "접합성"이 "○"가 되었지만, 내부전극과 도통층 사이에서 과잉의 확산이 일어나서, 표 1에는 나타내고 있지 않지만, 열충격 시험 후의 전기 특성에 열화(劣化)가 인정되었다. 이것은 "CuSnNi 합금상의 Ni비율"이 44atm%로 지나치게 높아서 접합부가 취약해졌기 때문이라고 추측할 수 있다.
상술한 것으로부터, "CuSnNi 합금상의 Ni비율"은 시료 2~6에 대한 5~42atm%가 바람직한 것을 알 수 있다.
한편, 시료 4에 대해서 구한 "경화 후 잔류 응력"은 10MPa의 값을 나타냈다. 이것으로부터 시료 4는 "Sn비율"만이 다른 기타 시료 1~3 및 5~7에 대해서도 동일한 "경화 후 잔류 응력"이 얻어지는 것이라고 추측할 수 있다.
[실험예 2] (경화시의 조건을 바꾸어 Cu3Sn 합금비율을 바꾼 실험예)
(1) 열경화형 도전성 수지조성물의 제작
실험예 1에서의 시료 4와 동일한 조성의 미경화의 열경화형 도전성 수지조성물을 제작했다.
(2) 도통층의 형성
경화시의 탑 온도 및 유지 시간을, 표 2의 "경화"에서의 "탑 온도" 및 "유지 온도"에 각각 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실험예 1의 경우와 동일한 조작을 거쳐, 외부전극에서의 도통층이 양 단면에 형성된 적층체를 얻었다.
한편, 실험예 2에서의 시료 4-2를 얻기 위한 탑 온도 및 유지 시간은 실험예 1에서의 시료 4을 얻기 위한 탑 온도 및 유지 시간과 동일하다.
(3) 도금층의 형성
실험예 1의 경우와 동일한 조건을 적용하면서, 도통층 위에 Ni도금층 및 Sn도금층을 형성하여 시료가 되는 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다.
(4) 평가
표 2에 나타내는 바와 같이, 각 시료에 대해서 실험예 1의 경우와 동일한 요령으로 "금속 볼", "접합성", "Cu3Sn 합금비율", 및 "전기 특성"을 평가했다.
Figure pct00002
(5) 고찰
경화시의 탑 온도를 낮게 하면, 배합한 Cu분말과 Sn분말의 상호확산이 촉진되기 어렵기 때문에 도통층에 포함되는 Sn 및 Cu의 합계량에 대한 Cu3Sn 합금비율이 낮아졌다.
Cu3Sn 합금비율이 낮아지면, 내부전극과 외부전극 사이의 CuSnNi 합금상도 형성되기 어려워지는 경향이 있다. 따라서, Cu3Sn 합금비율이 15중량%인 시료 4-5에 있어서 "접합성"은 "○"로 평가되었지만, Cu3Sn 합금의 생성 비율의 저하되고, 이것이 원인으로 CuSnNi 합금상이 드문드문하게만 형성되었다.
이상으로부터, 도통층에 포함되는 Sn 및 Cu의 합계량에 대한 Cu3Sn 합금비율은 시료 4-1 내지 시료 4-4와 같이 25중량% 이상으로 함으로써, CuSnNi 합금상을 충분히 형성할 수 있다고 추측할 수 있다.
[실험예 3] (열경화성 수지를 바꾼 실험예)
(1) 열경화형 도전성 수지조성물의 제작
Sn분말 및 Cu분말의 합계량에 대한 Sn분말의 비율을 40중량%로 고정하고, 대신에 열경화성 수지로서 표 3의 "열경화성 수지의 종류"의 란에 나타낸 것을 이용한 것을 제외하고, 실험예 1과 동일한 조작을 거쳐, 시료가 되는 미경화의 열경화형 도전성 수지조성물을 얻었다.
(2) 도통층의 형성
실험예 1과 동일한 조건을 적용하면서, 적층 세라믹 콘덴서를 위한 부품 본체로서의 적층체의 양 단면에 열경화형 도전성 수지조성물을 부여하고, 열처리함으로써 외부전극에서의 도통층이 양 단면에 형성된 적층체를 얻었다.
(3) 도금층의 형성
실험예 1과 동일한 조건을 적용하면서, 도통층 위에 Ni도금층 및 Sn도금층을 형성하여 시료가 되는 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다.
(4) 평가
표 3에 나타내는 바와 같이 실험예 1에 있어서 평가한 "경화 후 잔류 응력", "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성"을 평가했다.
Figure pct00003
(5) 고찰
실험예 1에서의 시료 4에서는 열경화성 수지로서 레졸형 페놀수지 A를 이용하며, 표 1에 나타내는 바와 같이 "경화 후 잔류 응력"은 10MPa이었다. 실험예 3에 있어서는, 표 3에 나타내는 바와 같이 시료 11에서는 "열경화성 수지의 종류"가 레졸형 페놀수지 B이며, "경화 후 잔류 응력"은 8MPa이었다. 이들 시료 4 및 11에서는 "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성" 모두에 있어서 양호한 결과가 얻어졌다.
이것에 비하여, 시료 12에서는 "열경화성 수지의 종류"가 레졸형 페놀수지 C이며, "경화 후 잔류 응력"은 5MPa이었다. 그렇기 때문에, "전기 특성"에 있어서, "△(DF)"의 평가로 되어 유전 정접의 비교적 큰 편차가 인정되었다. 이 원인은 도통층이 되는 수지막의 경화 후의 조임력(tightening force)(수축력)이 부족해서 도통층의 도전성이 악화되었기 때문이라고 추측할 수 있다.
다음으로, 시료 13 및 14에서는 열경화성 수지로서 레졸형 페놀수지가 아니라 다관능 에폭시 수지와 노볼락형 페놀수지의 조합을 이용했다. 시료 13과 시료 14를 비교하면 열경화성 수지로서, 시료 13에서는 다관능 에폭시 수지와 노볼락형 페놀수지 D의 조합을 이용하고, 시료 14에서는 다관능 에폭시 수지와 노볼락형 페놀수지 E의 조합을 이용했다.
그 결과, 시료 13에서는 "경화 후 잔류 응력"이 8MPa이며, "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성" 모두에 있어서 양호한 결과가 얻어졌다. 한편, 시료 14에서는 "경화 후 잔류 응력"이 6MPa이며, "전기 특성"에 있어서, "△(DF)"의 평가로 되어 유전 정접의 비교적 큰 편차가 인정되었다. 이 원인도, 상기 시료 12의 경우와 마찬가지로 도통층이 되는 수지막의 경화 후의 조임력(수축력)이 부족해서 도통층의 도전성이 악화되었기 때문이라고 추측할 수 있다.
이상으로부터, "경화 후 잔류 응력"이 8MPa 이상이 될 수 있는 열경화성 수지를 이용하면, 전기 특성의 편차를 저감할 수 있는 것을 추측할 수 있다.
[실험예 4] (건조 후의 금속함유율을 바꾼 실험예)
(1) 열경화형 도전성 수지조성물의 제작
Sn분말 및 Cu분말의 합계량에 대한 Sn분말의 비율을 40중량%로 고정하고, 대신에 열경화형 도전성 수지조성물 중에서의 유기용제를 제외한 Cu분말과 Sn분말의 합계 함유량, 즉 "건조 후의 금속함유율"을 표 4에 나타내는 바와 같이 바꾼 것을 제외하고, 실험예 1과 동일한 조작을 거쳐, 시료가 되는 미경화의 열경화형 도전성 수지조성물을 얻었다.
한편, 실험예 4에서의 시료 24는 실험예 1에서의 시료 4와 동일하다.
(2) 도통층의 형성
실험예 1과 동일한 조건을 적용하면서, 적층 세라믹 콘덴서를 위한 부품 본체로서의 적층체의 양 단면에 열경화형 도전성 수지조성물을 부여하고, 열처리함으로써 외부전극에서의 도통층이 양 단면에 형성된 적층체를 얻었다.
(3) 도금층의 형성
실험예 1과 동일한 조건을 적용하면서, 도통층 위에 Ni도금층 및 Sn도금층을 형성하여 시료가 되는 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다.
(4) 평가
표 4에 나타내는 바와 같이 실험예 1에 있어서 평가한 "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성"을 평가했다.
Figure pct00004
(5) 고찰
표 4에 나타내는 바와 같이 "건조 후의 금속함유율"이 각각 40체적%, 45체적%, 50체적%, 55체적%, 60체적%, 65체적% 및 70체적%인 시료 21, 시료 22, 시료 23, 시료 24, 시료 25, 시료 26 및 시료 27에서는 "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성" 모두에 있어서 양호한 결과가 얻어졌다.
그러나, 도통층이 되는 경화 후의 수지막의 치밀성을 평가한 결과, "건조 후의 금속함유율"이 70체적%인 시료 27에서는 상품특성상 문제가 되지 않지만, 수지막의 치밀성이 악화되어 있었다.
한편, Ni도금 부착성을 평가한 결과, "건조 후의 금속함유율"이 40체적%인 시료 21에서는 상품특성상 문제가 되지 않지만, Ni도금 부착성이 악화되어 있었다. 이것은 도통층에서의 금속량이 부족한 것이 영향을 주고 있기 때문이라고 추측할 수 있다.
이상으로부터 "건조 후의 금속함유율"은, 바람직하게는 45~65체적%라고 판단할 수 있다.
[실험예 5] (Cu분말의 D50을 바꾼 실험예)
(1) 열경화형 도전성 수지조성물의 제작
Sn분말 및 Cu분말의 합계량에 대한 Sn분말의 비율을 40중량%로 고정하고, 대신에 "Cu분말의 D50"을 표 5에 나타내는 바와 같이 바꾼 것을 제외하고, 실험예 1과 동일한 조작을 거쳐, 시료가 되는 미경화의 열경화형 도전성 수지조성물을 얻었다.
한편, 실험예 5에서의 시료 33은 실험예 1에서의 시료 4와 동일하다.
(2) 도통층의 형성
실험예 1과 동일한 조건을 적용하면서, 적층 세라믹 콘덴서를 위한 부품 본체로서의 적층체의 양 단면에 열경화형 도전성 수지조성물을 부여하고, 열처리함으로써 외부전극에서의 도통층이 양 단면에 형성된 적층체를 얻었다.
(3) 도금층의 형성
실험예 1과 동일한 조건을 적용하면서, 도통층 위에 Ni도금층 및 Sn도금층을 형성하여 시료가 되는 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다.
(4) 평가
표 5에 나타내는 바와 같이 실험예 1에 있어서 평가한 "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성"을 평가했다.
Figure pct00005
(5) 고찰
표 5에 나타내는 바와 같이 "Cu분말의 D50"이 각각 0.3㎛, 0.5㎛, 1.0㎛, 2.0㎛, 3.0㎛ 및 5.0㎛인 시료 31, 시료 32, 시료 33, 시료 34, 시료 35 및 시료 36에서는 "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성" 모두에 있어서 양호한 결과가 얻어졌다.
그러나, "Cu분말의 D50"이 0.3㎛인 시료 31에서는 상품특성상 문제가 되지 않지만, 열경화형 도전성 수지조성물의 페이스트의 항복값이 높아지기 때문에, 열경화형 도전성 수지조성물을 적층체에 도포했을 때 "뿔" 형상이 되었다.
한편, "Cu분말의 D50"이 5.0㎛인 시료 36에서는 상품특성상 문제가 되지 않지만, Ni도금 부착성이 악화되어 있었다.
이상으로부터 "Cu분말의 D50"은, 바람직하게는 0.5~3.0㎛의 범위라고 판단할 수 있다.
[실험예 6] (Sn분말의 D50을 바꾼 실험예)
(1) 열경화형 도전성 수지조성물의 제작
Sn분말 및 Cu분말의 합계량에 대한 Sn분말의 비율을 40중량%로 고정하고, 대신에 "Sn분말의 D50"을 표 6에 나타내는 바와 같이 바꾼 것을 제외하고, 실험예 1과 동일한 조작을 거쳐, 시료가 되는 미경화의 열경화형 도전성 수지조성물을 얻었다.
한편, 실험예 6에서의 시료 42는 실험예 1에서의 시료 4와 동일하다.
(2) 도통층의 형성
실험예 1과 동일한 조건을 적용하면서, 적층 세라믹 콘덴서를 위한 부품 본체로서의 적층체의 양 단면에 열경화형 도전성 수지조성물을 부여하고, 열처리함으로써 외부전극에서의 도통층이 양 단면에 형성된 적층체를 얻었다.
(3) 도금층의 형성
실험예 1과 동일한 조건을 적용하면서, 도통층 위에 Ni도금층 및 Sn도금층을 형성하여 시료가 되는 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다.
(4) 평가
표 6에 나타내는 바와 같이 실험예 1에 있어서 평가한 "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성"을 평가했다.
Figure pct00006
(5) 고찰
표 6에 나타내는 바와 같이 "Sn분말의 D50"이 각각 0.9㎛, 1.5㎛, 2.5㎛, 5.0㎛ 및 7.5㎛인 시료 41, 시료 42, 시료 43, 시료 44 및 시료 45에서는 "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성" 모두에 있어서 양호한 결과가 얻어졌다.
그러나, "Sn분말의 D50"이 0.9㎛인 시료 41에서는 상품특성상 문제가 되지 않지만, 열경화형 도전성 수지조성물을 적층체에 도포했을 때 "뿔" 형상이 되었다.
한편, "Sn분말의 D50"이 7.5㎛인 시료 45에서는 상품특성상 문제가 되지 않지만, 도통층이 되는 경화 후의 수지막의 치밀성이 악화되어 있었다.
이상으로부터 "Sn분말의 D50"은, 바람직하게는 1.5~5.0㎛의 범위라고 판단할 수 있다.
[실험예 7] (기타 조건을 바꾼 실험예)
(1) 열경화형 도전성 수지조성물의 제작
Sn분말 및 Cu분말의 합계량에 대한 Sn분말의 비율을 40중량%로 고정하고, 대신에 표 7에 나타내는 바와 같이 시료 51에서는 "Cu분말의 형상"을 편평하게 한 것을 제외하고 실험예 1과 동일한 조작을 거쳐, 시료가 되는 미경화의 열경화형 도전성 수지조성물을 얻었다.
한편, 실험예 7에서의 시료 52 및 53에 따른 열경화형 도전성 수지조성물은 실험예 1에 있어서 제작한 열경화형 도전성 수지조성물과 동일하다.
(2) 도통층의 형성
기본적으로는 실험예 1과 동일한 조건을 적용하면서, 적층 세라믹 콘덴서를 위한 부품 본체로서의 적층체의 양 단면에 열경화형 도전성 수지조성물을 부여하고, 열처리함으로써 외부전극에서의 도통층이 양 단면에 형성된 적층체를 얻었다. 다른 점은 이하와 같다.
시료 52에서는 적층체로서 표 7의 "적층체 치수"의 란에 "1608"이라고 기재되어 있는 바와 같이 평면 치수가 1.6㎜×0.8㎜인 적층체를 이용했다. 다른 시료 51 및 53에서는 적층체로서 표 7의 "적층체 치수"의 란에 "1005"로 기재되어 있는 바와 같이 실험예 1의 경우와 마찬가지로 평면 치수가 1.0㎜×0.5㎜인 적층체를 이용했다.
또, 시료 53에서는 표 7의 "경화 탑 온도"의 란에 나타내는 바와 같이 열경화형 도전성 수지조성물의 경화를 위한 열처리 탑 온도를 400℃로 했다. 다른 시료 51 및 52에서는 표 7의 "경화 탑 온도"의 란에 나타내는 바와 같이 열경화형 도전성 수지조성물의 경화를 위한 열처리 탑 온도를 실험예 1의 경우와 마찬가지로 450℃로 했다.
(3) 도금층의 형성
실험예 1과 동일한 조건을 적용하면서, 도통층 위에 Ni도금층 및 Sn도금층을 형성하여 시료가 되는 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다.
(4) 평가
표 7에 나타내는 바와 같이 실험예 1에 있어서 평가한 "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성"을 평가했다.
또, 시료 53에 대해서는 "경화 후 잔류 응력" 및 "CuSnNi 합금상의 Ni비율"도 평가했다.
Figure pct00007
(5) 고찰
표 7에 나타내는 바와 같이 시료 51~53 중 어느 것에 있어서도, "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성" 모두에 대해서 양호한 결과가 얻어졌다.
이것으로부터, Cu분말이 편평 분말로 변경되어도, 적층체의 치수가 변경되어도, 경화 탑 온도가 450℃에서 400℃로 변경되어도, 원하는 특성을 발현할 수 있는 것을 알 수 있었다.
특히 시료 53에 주목하면, 경화 탑 온도가 450℃에서 400℃로 변경되어도, "경화 후 잔류 응력"으로서 실험예 3에서 바람직하다고 여겨진 8MPa 이상인 9MPa가 얻어지고, 또한 "CuSnNi 합금상의 Ni비율"로서 실험예 1에서 바람직하다고 여겨진 5~42atm%의 범위 내인 8atm%가 얻어지고 있다.
[실험예 8] (Sn비율에 관한 비교 실험예)
(1) 열경화형 도전성 수지조성물의 제작
Sn분말 및 Cu분말의 합계량에 대한 Sn분말의 비율을, 특허문헌 2의 청구항 3에 기재된 비율에 따라 표 8의 "Sn비율"의 란에 나타내는 바와 같이 바꾼 것을 제외하고, 실험예 1과 동일한 조작을 거쳐, 시료가 되는 미경화의 열경화형 도전성 수지조성물을 얻었다.
(2) 도통층의 형성
표 8의 "경화 탑 온도"의 란에 나타내는 바와 같이 시료 62 및 64에 대해서는 열경화형 도전성 수지조성물의 경화를 위한 열처리 탑 온도를 550℃로 한 것을 제외하고 실험예 1과 동일한 조건을 적용하면서, 적층 세라믹 콘덴서를 위한 부품 본체로서의 적층체의 양 단면에 열경화형 도전성 수지조성물을 부여하고, 열처리함으로써 외부전극에서의 도통층이 양 단면에 형성된 적층체를 얻었다.
(3) 도금층의 형성
실험예 1과 동일한 조건을 적용하면서, 도통층 위에 Ni도금층 및 Sn도금층을 형성하여 시료가 되는 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다.
(4) 평가
표 8에 나타내는 바와 같이 실험예 1에 있어서 평가한 "경화 후 잔류 응력", "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성"을 평가했다.
Figure pct00008
(5) 고찰
표 8에 나타내는 바와 같이 시료 61~64에서는 8MPa 이상의 "경화 후 잔류 응력"이 얻어지고, "금속 볼"에 대해서도 "G"의 평가가 얻어졌다.
그러나, "Sn비율"이 5중량% 및 20중량%와 같이 낮은 레벨인 시료 61~64에서는, "경화 탑 온도"가 450℃로 비교적 낮은 시료 61 및 63의 경우는 물론, "경화 탑 온도"가 550℃로 비교적 높은 시료 62 및 64의 경우에서도 "접합성"이 "×"가 되고, "전기 특성"에 대해서도 "×(cap/DF)"로 평가되었다. 이유는 Sn의 절대량이 부족했기 때문이라고 추측할 수 있다.
[실험예 9] (Cu분말을 대신하여 Ag분말을 이용한 비교 실험예)
(1) 열경화형 도전성 수지조성물의 제작
Cu분말을 대신하여 Ag분말을 이용하면서, Ag분말 및 Sn분말의 합계량에 대한 Sn분말의 비율을, 특허문헌 2의 청구항 3에 규정된 저융점측 금속 비율의 상한인 20중량%로 고정한 것을 제외하고, 실험예 1과 동일한 조작을 거쳐, 시료가 되는 미경화의 열경화형 도전성 수지조성물을 얻었다.
(2) 도통층의 형성
표 9의 "경화 탑 온도"의 란에 나타내는 바와 같이 열경화형 도전성 수지조성물의 경화를 위한 열처리 탑 온도를 적용하면서, 그 밖의 조건에 대해서는 실험예 1과 동일한 조건으로 적층 세라믹 콘덴서를 위한 부품 본체로서의 적층체의 양 단면에 열경화형 도전성 수지조성물을 부여하고, 열처리함으로써 외부전극에서의 도통층이 양 단면에 형성된 적층체를 얻었다.
(3) 도금층의 형성
실험예 1과 동일한 조건을 적용하면서, 도통층 위에 Ni도금층 및 Sn도금층을 형성하여 시료가 되는 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다.
(4) 평가
표 9에 나타내는 바와 같이 실험예 1에 있어서 평가한 "경화 후 잔류 응력", "금속 볼", "접합성", 및 "전기 특성"을 평가했다.
Figure pct00009
(5) 고찰
표 9에 나타내는 바와 같이 시료 71 및 72에서는 8MPa 이상의 "경화 후 잔류 응력"이 얻어졌다.
그러나, 시료 71에서는 "경화 탑 온도"가 450℃이기 때문에 "접합성"은 "×"이며, 그 결과 "전기 특성"은 "×(cap/DF)"로 평가되었다.
한편, "경화 탑 온도"가 550℃인 시료 72에서는 "접합성"은 "○"이며, 또한, "전기 특성"은 "○"로 평가되었다. 그 이유는 "경화 탑 온도"인 550℃가, 생성된 Ag3Sn의 융점(481℃)보다 높아서 액상(液相)이 생성되었기 때문이라고 추측할 수 있다. 그러나, 시료 72에서는 상술한 액상이 도통층의 표면에도 분출했기 때문에 "금속 볼"이 "NG"가 되어 외관불량을 초래하여 실용상의 문제가 우려된다.
1: 적층 세라믹 콘덴서 2: 세라믹층
3, 4: 내부전극 5: 적층체
8, 9: 외부전극 10: 도통층
11: Ni도금층 12: Sn도금층
21: 열경화형 도전성 수지조성물 22: Cu분말
23: Sn분말 24: 열경화성 수지
25: 금속입자

Claims (2)

  1. 세라믹층과 내부전극이 적층된 적층체와,
    상기 내부전극과 전기적으로 접속되도록 상기 적층체의 외표면 위에 형성된 외부전극을 포함하고,
    상기 외부전극은 상기 내부전극에 접하는 도통층(導通層)을 포함하고,
    상기 도통층은 Cu3Sn 합금을 포함하는 금속입자와 열경화성 수지를 포함하고,
    상기 내부전극은 Ni를 포함하고,
    상기 내부전극과 상기 도통층은, CuSnNi 합금상을 통하여 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 CuSnNi 합금상 중의 Ni 고용(固溶)량은 5~42atm%인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자부품.

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