KR20140128919A - 일체화된 전자 요소들 및 이들의 형성 방법 - Google Patents

일체화된 전자 요소들 및 이들의 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140128919A
KR20140128919A KR1020140136694A KR20140136694A KR20140128919A KR 20140128919 A KR20140128919 A KR 20140128919A KR 1020140136694 A KR1020140136694 A KR 1020140136694A KR 20140136694 A KR20140136694 A KR 20140136694A KR 20140128919 A KR20140128919 A KR 20140128919A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
microstructure
substrate
structures
layer
electronic
Prior art date
Application number
KR1020140136694A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101609472B1 (ko
Inventor
장-마르크 롤린
데이비드 더블유. 쉐러
Original Assignee
누보트로닉스, 엘.엘.씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 누보트로닉스, 엘.엘.씨 filed Critical 누보트로닉스, 엘.엘.씨
Publication of KR20140128919A publication Critical patent/KR20140128919A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101609472B1 publication Critical patent/KR101609472B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H01L23/5286—Arrangements of power or ground buses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
    • H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
    • H01P11/005—Manufacturing coaxial lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/06—Coaxial lines
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H05K1/0219—Printed shielding conductors for shielding around or between signal conductors, e.g. coplanar or coaxial printed shielding conductors
    • H05K1/0221—Coaxially shielded signal lines comprising a continuous shielding layer partially or wholly surrounding the signal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H05K1/0224—Patterned shielding planes, ground planes or power planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85444—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/1423—Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0272—Adaptations for fluid transport, e.g. channels, holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09809—Coaxial layout
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10636—Leadless chip, e.g. chip capacitor or resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703—Plating
    • H05K2203/0733—Method for plating stud vias, i.e. massive vias formed by plating the bottom of a hole without plating on the walls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/30—Details of processes not otherwise provided for in H05K2203/01 - H05K2203/17
    • H05K2203/308—Sacrificial means, e.g. for temporarily filling a space for making a via or a cavity or for making rigid-flexible PCBs
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4092—Integral conductive tabs, i.e. conductive parts partly detached from the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4661—Adding a circuit layer by direct wet plating, e.g. electroless plating; insulating materials adapted therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49016—Antenna or wave energy "plumbing" making
    • Y10T29/49018—Antenna or wave energy "plumbing" making with other electrical component

Abstract

연속적인 빌드 공정에 의해 형성된 웨이브가이드 미세구조물 및 전자 소자를 포함하는 일체화된 전자 요소들 및 이러한 일체화된 전자 요소들을 형성하는 방법이 제공된다. 미세구조물들은 전자기 에너지 및 다른 전자 신호들을 전달하기 위한 소자들에 대한 특별한 적용 가능성을 가진다.

Description

일체화된 전자 요소들 및 이들의 형성 방법{INTEGRATED ELECTRONIC COMPONENTS AND METHODS OF FORMATION THEREOF}
본 발명은 일반적으로 미세가공 기술에 관한 것이며, 더 상세하게는 연속적인 빌드 공정(build process)에 의해 형성된 웨이브가이드(waveguide) 미세구조물 및 전자 소자를 포함하는 일체화된 전자 요소들에 관한 것이다. 또한 본 발명은 이러한 일체화된 전자 요소들을 형성하는 방법들에 관한 것이다. 본 발명은 전자기 에너지 및 다른 전자 신호들을 전달하기 위한 소자들에 대한 특별한 적용 가능성을 가진다.
연속적인 빌드 공정들에 의한 3차원 미세구조물들의 형성은, 예를 들어, 세러 등('489 특허)에 의한 미국 특허 제7,012,489호에서 개시되고 있다. '489 특허는 연속적인 빌드 공정에 의해 형성된 동축의 전달 라인 미세구조물을 개시한다. 미세구조물은 기판상에 형성되고, 외부 콘덕터, 중앙 콘덕터, 및 중앙 콘덕터를 지지하는 하나 이상의 유전체성 지지 부재들을 포함한다. 내부 및 외부 콘덕터들 사이의 볼륨은 가스 상태이거나 진공 상태이며, 이는 이전에 이러한 볼륨을 채웠던 구조물로부터 희생성 물질의 제거에 의해 형성된다. '489 특허는 수동 및/또는 능동 소자가 중앙 및 외부 콘덕터의 노출된 표면들 상에서의 얇은 솔더(solder) 레이어의 형성에 의해 전달 라인 미세구조물에 결합될 수 있다는 것을 개시한다. 그러나, 직접적으로 웨이브가이드에 대한 전자 소자의 연결은 형성된 요소들의 설계 및 적용을 한정한다. 이러한 점에서, 더욱 유연한 방법으로 전자 소자들을 연결하는 성능(ability), 예를 들어 소자들이 웨이브가이드 종단 표면으로부터 떨어져 위치되도록 하는 성능이 바람직할 것이다.
전자 소자와 미세구조물 접속성의 어려움은 미세구조물들의 다루기 어려운 성질이다. 미세구조물들은, 외부 콘덕터 내에서 가스 또는 진공 코어 볼륨 내에 매달려진 중앙 콘덕터를 가지고, 많은 상대적으로 얇은 레이어들로부터 형성된다. 비록 주기적인 유전체성 부재들이 이것의 길이를 따라 중앙 콘덕터를 지지하기 위한 설명된 미세구조물들에서 제공되지만, 또한 미세구조물들은 과도한 기계적 스트레스들에 의해 야기된 파손 및 고장에 여전히 영향을 받기 쉽다. 이러한 힘들은 다이렉트 칩(direct chip)의 부착과 같은 공정들을 통하여 불충분하게 지지된 마이크로-동축의 중앙 컨턱터들에 대하여 가해질 수 있다. 더욱이, 전자 크로스 토크(cross talk), 열 소산(thermal dissipation) 및 부착된 칩의 기계적 신뢰도를 다루는 향상된 방법들은 유리할 것이다.
따라서, 당업계의 상태에 관련된 하나 이상의 문제점들을 처리할 수 있는, 향상된 일체화된 전자 요소들 및 이들의 형성 방법을 위한 당업계의 요구가 존재한다.
본 발명의 제 1 양상에 따라, 전자 소자(electronic device); 및 연속적인 빌드 공정(build process)에 의해 형성된 미세구조물(microstructure)을 포함하되, 상기 미세구조물은 복수 개의 웨이브가이드(waveguide)들을 포함하되, 상기 웨이브가이드들 각각은 코어 볼륨(core volume)을 둘러싸는 외부 콘덕터(outer conductor) 내에 비고체 코어 볼륨(non-solid core volume)을 가지는 웨이브가이드부(waveguide section); 및 상기 전자 소자에 상기 웨이브가이드들을 연결시키는 천이 구조물(transition structure)을 포함하는 것을 특징으로 하는 일체화된 전자 요소가 제공된다.
본 발명의 다른 양상에 따라, 일체화된 전자 요소를 형성하는 방법들이 제공된다. 본 방법은 전자 소자를 제공하는 단계; 기판 위에 복수 개의 레이어들을 위치시키되, 상기 레이어들은 하나 이상의 유전체성(dielectric), 전도성(conductive) 및 희생성(sacrificial)의 물질들을 포함하는 단계; 및 복수 개의 웨이브가이드들을 포함하되, 상기 웨이브가이드들 각각은 코어 볼륨을 둘러싸는 외부 콘덕터 내에서 비고체 코어 볼륨을 가지는 웨이브가이드부; 및 상기 전자 소자에 상기 웨이브가이드들을 연결시키는 천이 구조물을 포함하는 미세구조물을 상기 레이어들로부터 형성하는 단계를 포함한다. 기계적 연결의 예시적인 양상들은, 전자 소자와 미세구조물 사이의 스트레스 완화를 제공하는 방법, 칩과 미세구조물 사이의 CTE 미스매치(mismatch)로 인한 부착 실패를 방지하는 방법, 및 반복적인 열 싸이클동안 누적된 스트레인의 효과들을 완화시키는 방법을 포함한다.
본 발명의 다른 양상들에 따라, 미세구조물은 또한 전자 소자에 대한 열 흡수원(heat-sink)으로서 작동하기 위하여 전자 소자에 열적으로 높게 연결될 수도 있다.
전자 소자와 미세구조물 사이의 스트레스 완화를 제공하고, 칩과 미세구조물 사이의 CTE 미스매치(mismatch)로 인한 부착 실패를 방지하고, 및 반복적인 열 싸이클동안 누적된 스트레인의 효과들을 완화시킨다. 전자 크로스 토크(cross talk), 열 소산(thermal dissipation) 및 부착된 칩의 기계적 신뢰도에서 향상된 성능을 갖는다. 미세구조물은 전자 소자에 대한 열 흡수원(heat-sink)으로서 작동할 수 있다.
본 발명의 다른 특징들 및 장점들은 이하의 발명의 상세한 설명, 청구범위, 및 여기에서 추가된 도면들을 참조하여 당업계의 당업자에게 명백할 것이다.
도 1은 본 발명의 따른 예시적인 일체화된 전자 요소의 단면도를 도시하되, 전자 요소 및 전자 중앙 콘덕터들은 기판으로부터 지지된다.
도 2는 본 발명의 다른 양상에 따른 예시적인 일체화된 전자 요소의 단면도를 도시하되, 전자 요소는 기판에 아주 근접하게 설치된다.
도 3은 본 발명의 다른 양상에 따른 예시적인 일체화된 전자 요소의 단면도를 도시하되, 요소는 미세구조물의 표면 상에 설치된다.
도 4a는 본 발명의 다른 양상에 따른 예시적인 일체화된 전자 요소의 단면도를 도시하되, 미세구조물에 설치된 "플립-칩(flip-chip)"인 칩 캐리어 기판에 설치되며, 도 4b는 도 4a에서 필립-칩핑된 예시적인 칩-온-캐리어(chip-on-carrier)의 저면도를 도시한다.
도 5는 본 발명의 다른 양상에 따른 예시적인 일체화된 전자 요소의 단면도를 도시하고, 여기서 전자 소자는 위쪽을 향하는 능동 표면이 구비되며, 전자 소자들의 포트들은 미세구조물의 포트들에 대한 본드 와이어(bond wire)에 의해 부착된다.
도 6은 도 1-3 및 도 4a 및 도 5의 A-A선을 따라 절취된 웨이브가이드 미세구조물의 단면도를 도시한다.
도 7a-k는 본 발명에 따른 다양한 형성 단계들에서 도 1의 예시적인 일체화된 전자 요소의 측면 단면도를 도시한다.
본 발명은 이하의 도면들을 참조하여 설명될 것이며, 여기에서 동일한 참조 번호는 동일한 구조체를 표시한다.
설명될 예시적인 공정들은 3차원 미세구조물들을 생성하기 위하여 연속적인 빌드(sequential build)를 포함한다. 용어 "미세구조물(microstructure)"은, 일반적으로 웨이퍼(wafer) 또는 그리드-레벨(grid-level) 상에서, 미세가공 공정들에 의해 형성된 구조물들을 나타낸다. 본 발명의 연속적인 빌드 공정에서, 미세구조물은 연속적으로 다양한 물질들을 레이어링하고 프로세싱함에 의해 형성되고, 소정의 방법에 의해 형성된다. 실행될 때, 예를 들어, 필름 형성, 석판술(lithographic) 패터닝, 증착, 에칭, 및 평탄화(planarization) 기술들과 같은 다른 선택적인 공정들과 함께, 다양한 3차원 미세구조물들을 형성하기 위하여 유연한 방법들이 제공된다.
연속적인 빌드 공정은 일반적으로 (a)금속, 희생성 금속, (예를 들어, 포토레지스트(photoresist) 및 유전체성 코팅된 공정들; (b) 표면 평탄화; (c) 사진석판술(photolithography); 및 (d) 에칭 또는 평탄화 또는 다른 제거 공정들의 다양한 결합들을 포함하는 공정을 통해 달성된다. 물리적 기상 증착(PVD), 스크린 인쇄, 및 화학적 기상 증착(CVD) 기술들과 같은, 다른 금속 증착 기술들은 사용될 수 있지만, 증착되는 금속에서, 플래팅(plating) 기술들은 특히 유용하고, 선택은 동축의 구조물들의 차원들에 의존하고, 물질들이 배치된다.
본 발명의 예시적인 실시예들은 여기에서 웨이브가이드들과 전자 소자들 사이의 전기적 연결을 허용하기 위한 천이 구조물들의 미세구조물의 관계에 있어서 설명된다. 설명된 전자 소자들은 어떠한 수동 또는 능동 전자의, 전자기의, 또는 I/O 포트들의 어떠한 숫자를 포함하는 다른 요소일 수 있고, 여기에서 이러한 요소는 완전히 작동하는 소자를 생성하기 위해 미세구조물 내로 혼성으로 일체화될 것이다. 전자 소자들은 또한 여기에서 "칩들"로써 언급된다.
웨이브가이드 미세구조물들의 개개의 이점은 중공 웨이브가이드 및 동축의 전달 라인 미세구조물들을 포함한다. 본 발명의 장치들은 예를 들어, 위성 통신, 전자통신, 및 데이터 통신 산업에서, 마이크로파 증폭기(amplifier)들에서, 레이더 시스템에서, 그리고 마이크로파 및 밀리미터파의 수동 및 능동의 소자 및 서브시스템들에서, 적용을 발견한다. 미세구조물들을 생성하기 위하여 설명된 기술은 예시적인 구조물들 또는 적용들의 한정된 방법이 아니라, 압력 센서들, 롤오버(rollover) 센서들, 부피 분광계(spectrometer)들, 필러(filer)들, 마이크로유체 소자들, 히트 싱크(heat sink)들, 전자 스위치들, 밀폐 용기들, 가속기들, 자이로스코프들, 웨이퍼 및 그리드 레벌 테스트 탐침(probe)들, 기계사용(instrumentation), 테스트 및 측정 장치, 외과기구, 혈압 센서들, 기류 센서들, 보청기 센서들, 이미지 스태빌라이저(stabilizer), 높이 센서들, 오토포커스(autofocus) 센서들 및 액튜레이터들과 같은, 마이크로소자들에 대한 다수의 분야들에서 사용될 수 있다.
본 발명은 웨이브가이드들에 대한 전자 소자들을 전기적으로 및 기계적으로 연결하기 위하여 웨이브가이드들 및 전기적 천이들을 미세가공하기 위한 일반적인 방법으로서 사용될 수 있다. 예시된 웨이브가이드 미세구조물들은 전자기의 신호들의 전파 및 주파수 예를 들어, 밀리미터파 및 마이크로파를 포함하는, 몇몇 이하의 MHz에서부터 150GHz 이상까지의 주파수를 가지는 전력에 유용하다. 설명된 웨이브가이드들 및 구조물들은 동시에 일어나는 DC 또는 더 낮은 주파수 볼트를 제공하는, 예를 들어, 전기 소자들에 대해 바이어스을 제공하는 추가 사용을 발견할 수 있다.
본 발명은 이제, 본 발명에 따른 예시적인 일체화된 전자 요소의 단면도를 도시한 도 1 및 도 1의 A-A선을 따라 절취한 단면도인 도 6에 대하여 설명될 것이다. 일체화된 전자 요소는 웨이브가이드 미세구조물들(4), 천이 구조물들(6), 및 부착될 전자 소자(8)를 포함한다. 예시된 웨이브가이드 미세구조물들은 연속적인 빌드 공정에 의해 형성된 동축의 전달 라인이며, 기판(10), 중앙 콘덕터(12), 중앙 콘덕터 및 중앙 콘덕터를 지지하기 위한 하나 이상의 유전체성 지지 부재들(15)과 주변 및 동축에 배치되는 외부 콘덕터(14)를 포함한다. 하나 이상의 선택적인 추가 웨이브가이드 또는 기준평면, DC 바이어스, 또는 열제거를 위해 사용된 연결들과 같은, 다른 콘덕터가 파선에 의해 도시된다. 외부 콘덕터(14)는 하부 벽을 형성하는 전도성의 베이스 레이어(16), 측벽들을 형성하는 전도성의 레이어들(18, 20, 22), 및 외부 콘덕터의 상부 벽을 형성하는 전도성의 레이어(24)를 포함한다. 하부 벽(16) 및 상부 벽(24)을 형성하는 전도성의 레이어들은 기판 상에서 전도성 기판의 파트(part) 또는 전도성의 레이어로서 선택적으로 제공될 수 있다. 중앙 콘덕터와 외부 콘덕터 사이의 볼륨(26)은 비고체, 예를 들어 공기 또는 서퍼 헥사플루오라이드(sulphur hexafluoride)와 같은 가스, 진공, 또는 액체이다. 선택적으로, 비고체 볼륨은 예를 들어, 가열에 의해 제거될 수 있는 휘발성의 포로겐(porogen)들을 포함하는 유전체성의 물질로부터 형성된 다공성의 유전체성의 물질과 같은 다공성 물질일 수 있다.
미세구조물(4)의 천이 구조물(6)은 미세구조물에 대한 전자 요소(8)를 기계적으로 전기적으로 연결하기 위한 구조물을 제공한다. 전자 요소는 도 1-3에서 도시된 대로, 직접적으로 천이 미세구조물들에 기계적으로 연결될 수 있거나, 도 4a에 도시된 대로 칩-온-캐리어(28)과 같은 다른 기판에 부착될 수 있다. 천이 구조물 및/또는 이것의 주변 구조체들은 소자들로부터 열의 제거을 위한 열 흡수 기능성을 추가적으로 제공할 수 있다. 천이 구조물은, 미세구조물을 손상함이 없이 전자 소자(8)에 대한 연결을 위하여 및/또는 설치된 칩상에서 포트들의 차원을 더 잘 대응시키기 위해 허용하는, 높이 및/또는 너비 방향으로 웨이브가이드로부터 외형의 증가 및 감소를 위하여 추가로 제공할 수 있다. 예를 들어, 일반적으로 마이크로-코액스(micro-coax) 구조물의 단면 치수들은 대략 중앙 콘덕터에 대하여 100 마이크론 및 외부 콘덕터의 내부 지름에 대하여 400 마이크론일 수 있다. 표면에 설치된 전력 저항기와 같은 장치의 연결은 저항기의 연결 포트들의 크기를 더 잘 대응시키기 위해 동축의 중앙 콘덕터들 및 대응하는 외부 콘덕터의 치수들의 증가를 요구할 수 있다. 반면에, 마이크로파 트랜지스터의 연결은 예를 들어, 패드들을 설치하는 25 마이크론 또는 50 마이크론일 수 있는 트랜지스터 포트들을 더 잘 대응시키기 위해 중앙 콘덕터들 및 외부 콘덕터들의 치수들의 감소를 요구할 수 있다. 마이크로파 주파수들이 다루어질 때, 이러한 천이 및 이들의 테이퍼들과 같은 형상 변화는 원하는 삽입 손실, 포트 절연(isolation)를 가지고, 안소프트에 의한 HFSSTM 과 같은 모델링 소프트웨어을 사용하는 손실을 되돌리기 위해 산정될 수 있다.
천이 미세구조물(6)은 설명될 처럼 다양한 형태들을 취할 수 있다. 여기에서 주어진 예시적인 구조물들 및 설명에서, 당업계에서 당업자는 예시된 것 이외의 설계들이 채택될 수 있을 것이라고 이해할 수 있다. 웨이브가이드 미세구조물(4)의 다른 영역들을 가진 것처럼, 중앙 (12)는 지지 구조물을 가진 천이 미세구조물(6)에서 떠 있다. 그러나, 천이 미세구조물(6) 상에서 로드 베어링(load bearing) 또는 기계적 스트레인은 웨이브가이드 미세구조물의 다른 영역들에서 이것보다 상당히 더 클 수 있다. 이와 같이, 천이 미세구조물을 위한 적절한 지지 구조물의 설계는 요구된다. 도 1의 천이 미세구조물(6)은 기판(10) 상에서 하나 이상의 지지 기둥들(30)을 포함한다. 지지 기둥들은 중앙 콘덕터 및 부착되기 위해 전자 소자(8)에 대해 기계적 지지 및 안정성을 제공한다. 전자 소자는 제 1 종단에서 천이 미세구조물에 고정되기 위한 것이고, 제 1 종단은 일반적으로 전자 소자와 함께 본딩을 허용하기 위해 하나 이상의 솔더 레이어들(32)에 코팅된다. 지지 기둥들(30)은 아래에 중앙 콘덕터(12)의 종단부에 지지 접촉하여 부착된다. 지지 기둥들(30)은 일반적으로 웨이브가이드와 동일한 전도성 물질에 의해 형성되지만, 만약 기판(10)으로부터의 전자 절연이 희망된다면, 유전체성의 물질로부터 전체적으로 또는 부분적으로 형성될 수 있다. 지지 기둥들(30)을 위한 금속 또는 금속 합금의 사용은 히트 싱크로써 작동하기 위해 기둥을 허용한다. 이점에 있어서, 미세구조물들 및 전자 소자들은, 예를 들어 미세구조물들 및 전자 소자들을 이루는 전도성의 및 유전체성의 물질들에 불리한 영향을 미칠 수 있는 상당한 온도들을 야기하는, 작은 칩-스케일 지역들에서 100와트를 초과하여, 매우 높은 전력 출력들의 능력일 수 있다.
여기에서 설명된 천이 구조물들(6)은 전자 소자의 부착동안에 그리고 정상적인 사용에서 일반적인 힘들을 견딜 수 있다. 더욱이, 기계적으로 기판에 연결될 때, 이러한 기둥들은 확장하기 위해 그리고 미세구조물 CTE보다 더 약간 닮은 기판 CTE인 CTE에 치수적으로 접촉하기 위해 설계될 수 있다. 알루미늄 나이트라이드(aluminum nitride), 높은 저항률 실리콘, 실리콘 카바이드, 등과 같은 기판들은 이들의 열전도성 및 전자 상태량들을 위하여, 그리고 또한 기판의 CTE 및 칩의 이것이 더 밀접하게 대응되도록 하기 위하여 선택될 수 있다. 이것은 구리 및 니켈에 기초한 물질들로 이루어진 미세구조물에서 정상 상태로 발견된 CTE 미스매치를 완화하는데 도움을 주며, 구리 및 니켈은 일반적으로 미세구조물에 설치될 수 있는 반도체 칩들의 이것을 대응시키지 않는다. 복사 형태로부터 전자 차폐를 제공하기 위해 그리고 포트들 사이의 크로스-토크를 방지하기 위해 칩들 아래 및 위의 기준 평면 구조물들은 도 1에 도시되지 않았지만, 선택적으로 설명된 장치들 중의 어떤 것에 존재한다. 동축의 웨이브가이드 미세구조물들에서 존재하는 것처럼 기준 평면 차폐는 이러한 목적을 위하여 칩 아래 및 주위로 연장될 수 있다.
도 2는 본 발명의 추가 양상에 따른 예시적으로 일체화된 전자 소자(2)의 단면도를 도시한다. 이러한 구조물에서, 콘덕터(34)는 기판(10)의 상부 표면상에서 제공되며, 전도성의 기둥들(36)에 의해 웨이브가이드 미세구조물 중앙 콘덕터(12)에 전기적으로 연결된다. 위에서 설명된 대로 콘덕터(34)는 하나 이상의 솔더 레이어들(32)에 의해 구비될 수 있다. 이러한 구조물은 전자 소자 연결동안 및 사용시에 상당한 기계적 스트레스를 견딜 수 있는 것에서 장점이고, 기판은 이것에 부착된 다이(die)의 열팽창 계수를 밀접하게 대응시키기 위해 선택될 수 있다. 또한 이러한 구조물들은 미세구조물 및 부착된 칩에 전기적으로 연결될 수 있는 기판 표면상 또는 기판 표면에서 추가적인 마이크로일렉트로닉스(microelectronics)를 포함하는 기판의 성능에서 이익을 얻는다.
도 3은 본 발명에 따른 추가 예시적으로 일체화된 전자 소자(2)의 단면도를 도시한다. 이러한 구조물에서, 전자 소자(8)은 천이 구조물에 결합되고, 추가적으로 하나 이상의 솔더 레이어들(32)의 사용과 함께 웨이브가이드 외부 콘덕터들에 기계적으로 연결된다. 이러한 방법으로 구조물에 대한 연결은 추가적으로 열 전도성을 제공하고, 전기 소자 연결 동안 및 사용시에 교전된 기계적인 스트레스들을 위해 지지한다. 또한 이러한 구조물은 마이크로파 장치들이 부착할 때 칩 상에 존재할 수 있는 마이크로스트립(microstrip) 웨이브가이드들 또는 CPW에 대한 전기적 차폐 또는 인터페이스를 제공하는데 도움을 줄 수 있다. 도시된 천이 미세구조물(6)은 웨이브가이드 중앙 콘덕터(12)와 전자 소자(8) 사이의 천이들의 두개의 종류들을 포함한다. 첫번째는 중앙 콘덕터(12) 위 및 아래 그리고 중앙 콘덕터(12)에 접촉하여 전도성의 세그먼트(segment)들(38, 40)를 포함하는 지지 기둥의 형성에서 존재한다. 두번째는 중앙 콘덕터(12)의 위에 접촉하는 전도성의 세그먼트(42)를 포함한다. 이러한 구조물들의 결합은 설명의 목적을 위해 예시되어지며, 천이 구조물의 단일의 종류 또는 이러한 구조물들의 종류들의 어떠한 결합은 사용될 수 있다. 이러한 접근법의 장점들은 프레임 마운팅 영역에 대한 향상된 열 전도성, 전자기 복사의 향상된 제어를 포함하고, 칩이 부착될 수 있는 더 단단한 마운팅 프레임을 가진다. 이러한 프레임은 칩을 외접시키는 연속적인 링(ring)일 수 있거나, 칩과 프레임 물질들 사이의 열팽창 미스매치에 기인한 스트레스를 감소하고, 프레임을 생성하는 불연속적으로 이어진 구조물들일 수 있다.
천이 미세구조물들(6)의 선택은, 예를 들어 열전도성 및 전자 능력 요구들에 의존한다. 기판에 연결된 기둥들은 향상된 열전도성 및 기계적 안전성 특징들을 나타내고, 기판 표면상에 전기적 연결들로서 선택적으로 작동할 수 있다. 기판에 연결되지 않은 이것은 EHF 주파수들에서 작동하는 이것들뿐 아니라 광대역의 마이크로파 소자들을 위한 중요한 고려 사항인 와류 콘덴서 및 인덕턴스를 덜 가진다. 도시된 천이 구조물들은 비전도성의, 반도체의, 또는 전도성의 기판에 전기적으로 연결될 수 있거나, 기판 상의 마이크로일렉트로닉스의 마운팅 패드들에 연결될 수 있다. 더욱이, 이러한 천이 구조물들은 유전체성의 레이어를 가질 수 있고, 이것은 유전체성의 지지 부재들(15)에 유사할 수 있거나, 기판 또는 전자 소자로부터 천이 구조물을 전기적으로 절연하는 다른 유전체성일 수 있다. 유전체성의 레이어는 칩과 기판 사이의 전기적 경로 또는 와류를 방지하거나 최소화하기 위해 천이 구조물에서 어디든지 부착될 수 있다.
도 4a는 다른 예시적으로 일체화된 전자 소자(2)의 단면도를 도시하며, 일체화된 전자 소자는 예를 들어, 플립-칩 마운팅에 의해 캐리어(28)에 설치된 칩(8)를 채택한다. 칩 캐리어(28)는 천이 미세구조물(6)에 연결되고, 또한 도 3에 대해서 설명된 것과 유사한 방법으로 외부 콘덕터(14)에 연결될 수 있다. 반면, 도시된 것처럼 천이 미세구조물은 도 3에서 구조물(42)은 두번째 종류에 대해 위에서 설명된 대로 구조물들을 포함하며, 이러한 및 다른 예시된 소자들에서 천이 구조물은 도시된 구조물에 한정되지 않는 것이 명백함에 틀림없다. 도 4b는 도 4a의 칩-캐리어(28)의 저면도를 도시한다. 도시된 대로, 칩-캐리어는 예를 들어, 본딩 또는 열흡수 기능들을 위해 사용될 수 있는 다른 선택적인 전도성의 영역들뿐 아니라 전기적 연결을 위한 콘덕터들(44)를 포함하는 전도성의 구조물들을 포함한다.
두개 또는 세개의 연결들이 단면에 도시되는 동안, 다중의 레이어들 또는 칩의 내부 표면들 상에서 요구된 대로, 몇번이든지 연결들은 표면 주변으로 이루어질 수 있는 것이 명백함에 틀림없다. 칩 캐리어(28)의 장점들은 추가적인 마이크로일렉트로닉스 및 캐리어 상에 평면의 웨이브가이드 구조물들을 제공하는 능력, 이것에 설치된 칩을 더 밀접하게 대응시키는 CTE을 가진 캐리어을 선택하는 능력, 원하는 열적 및 전기적 상태량들을 가진 캐리어를 선택하는 능력, 및 어셈블리 공정을 간단하게 하는 능력을 포함하며, 예를 들어, 이곳에서 팁의 정밀한 배치가 요구되어지거나, 칩을 위한 본드패드들은 미세구조물 천이들에 대한 직접적으로 마운팅에 대하여 매우 작다. 예시된 소자에 미도시되었지만, 이러한 접근법에서 다른 장점들은, 만약 열기둥이 설치된 칩 아래에 제공된다면, 양 측면들로부터 칩에서 열을 제거하는 능력을 포함한다. 이는 도 5에 대하여 아래에 설명된 열적 및 기계적 마운팅 구조물에 유사하다.
도 3 및 도 4의 일체화된 전자 요소들에서, 상부 주변의 프레임 또는 기준 평면에 대한 전자 소자의 마운팅은 리드-프레임-같은 핑거들(lead-frame-like fingers)들 안으로 변경될 수 있고, 칩 마운팅 영역으로부터 제거될 수 있다. 이러한 경우에 있어서,도 4a에 도시된 대로, 웨이브가이드 미세구조물은 단단하게 연결되지 않고, 칩은 미세구조물들의 I/O 안으로 탄성을 설계함에 의해 기계적 유연성을 제공하기 위하여 이러한 방법에서 미세구조물들의 I/O 포트들에 부착하기 위해 만들어질 수 있다. 미세구조물들의 I/O는 칩과 미세구조물 사이에서 발생할 수 있는 CTE 미스매치를 보충하기 위해 수축시킬 수 있다.
도 5는 예시적으로 일체화된 전자 요소를 도시하며, 전자 소자(8)는 위로 향하는 능동 측면(50)에 설치된다. 전자 소자(8)의 포트들은 미세구조물의 포트들에 대한 본드 와이어들(54)에 의해 부착된다. 이러한 경우에 전자 소자는 칩 마운팅 영역에서 미세구조화된 기둥 또는 하부 표면(52)에 설치된다. 전자 소자의 후면(51)은 솔더 또는 하나 이상의 레이어들에서 형성된 소자(52)아래의 마운팅 영역에 대한 열적으로 전도성의 점착제에 의해 부착되고, 직접적으로 기판 표면에 부착될 수 있다. 이러한 경우에, 금속 기둥은 전자 소자에서 미세구조물 및/또는 기판까지에서 좋은 열적 전도를 가진 고체 마운팅 플랫폼을 위하여 제공된다. 미세구조물화된 기둥 대신에 기판에 대한 직접적인 마운팅에 의해, 전자 소자와 미세구조물 사이의 CTE에서 어떠한 미스매치는 기판의 선택에 의해 설명될 수 있다. 기둥(52)은 기판(10)상에서 하나 이상의 레이어들에 의해 제공될 수 있고, 미세구조물의 나머지에 부착될 수 있다. 특히 만약 미세구조물들이 구조적인 지지를 제공하기 위하여 기판으로부터 풀어놓아 진다면, 이것은 효과적일 수 있다. 만일, 미세구조물이 기판(10)에 부착되도록 유지된다면, 기둥은 기판 상에 직접적으로 위치될 수 있고, 미세구조물의 나머지에는 연결될 필요가 없다. 칩(8)이 장착되는 높이는 열적, 전기적, 및 장착 설계 구속에 의해 결정될 수 있다. 예를 들어, 매우 작은 또는 얇은 다이에 대하여, 다이의 상부가 둘러싸는 미세구조물 상면의 적어도 상면 약간 위로 위치되도록 요구되는 것보다 더 깊게 위치시키는 것이 바람직할 수 있다. 이것은 다이 배치를 위해 일반적으로 사용되는 진공 콜릿(collet)들과, 다이 장착 영역을 둘러싸는 영역 내의 미세구조물 사이의 간섭이 존재하지 않는다라는 것을 확인시킨다. 어떠한 마이크로웨이브 또는 mm-웨이브 장치의 경우에, 미세구조물들의 I/O 포트와 다이 사이의 길이 및 높이 차이를 최소화하는 것은 와류(parasitic) 커패시턴스 및 인덕턴스를 최소화시키기 위하여 중요하다. 이 경우에 I/O 포트들 및 칩 I/O 포트들의 높이를 동일한 평면 상에 더 밀접하고 더 직접적으로 인접하게 만드는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 경우에 칩은 미세구조물 I/O 포트들의 평면에 리세싱되거나, 미세구조물 I/O포트들은 장착된 다이의 높이를 맞추기 위하여 수직 천이(vertical transition)를 만들 수 있다.
전자 소자의 장착은 장착될 전자 소자의 후면 또는 기둥(52; post) 중 어느 하나 상에 부착된 얇은 필름 솔더(solder)들의 사용에 의해 달성될 수 있다. 대안적으로, 은을 포함하는 것들과 같은 열 전도성의 접착제들 또는 솔더 프리-폼(free-form)들은 전자 소자를 부착하기 위하여 사용된다. 만일 열 및 전기적 전도가 관심사가 아니라면, 에폭시 금형 부착(epoxy die attach)과 같은 다른 칩 장착 방법들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 배치(placement)를 하기 위하여 이용가능한 기능, 디자인, 비용 및 기계들을 기초로 하여 선택될 수 있는 많은 알려진 금형을 장착하는 방법들이 존재한다.
본 실시예에서의 전기적인 연결(connection)은 중앙 콘덕터(center conductor)(12)와 그라운드 평면(ground plane)들 사이의 웨지(wedge) 또는 와이어(wire) 또는 빔-리드 본딩(beam-lead bonding)(54)에 의해 처리되고, 칩 전기 연결(chip electrical connection)들은 전자 소자(8)의 상면 상에서 처리된다. 외부 콘덕터(14)의 상부는 이들 전기적인 연결들을 허용하기 위하여 리세싱된다(recessed). 만일 구조물들이 구리로 형성된다면, 일반적으로 와이어 본딩 영역들은 와이어들의 본딩의 용이성을 향상시키기 위하여 금 또는 니켈 오버코트(overcoat)를 수용할 수 있다.
도 1의 동축 전달 라인 구조물(coaxial transmissoin line microstructure)을 형성하는 예시적인 방법들은 이제 도 7a 내지 도 7k를 참조하여 설명될 것이다. 전달 라인은 도 7a에 도시된 대로 기판(10)상에 형성된다. 기판은, 예를 들어, 세라믹, 알루미늄 나이트라이드(aluminium nitride)와 같은 유전체, 실리콘, 실리콘-게르마늄(silicon-germanium) 또는 갈륨 비소(gallium arsenide)와 같은 반도체, 구리 또는 스테인리스 스틸과 같은 금속, 폴리머 또는 이들의 조합으로 구성될 수 있다. 기판(10)은, 예를 들어, 인쇄된 와이어링 보드와 같은 전자 기판 또는 실리콘, 실리콘 게르마늄 또는 갈륨 비소 웨이퍼(wafer)와 같은 반도체 기판의 형태(form)를 가질 수 있다. 이러한 기판 웨이퍼들은 능동(active) 소자들 및/또는 다른 전자 요소(element)들을 포함할 수 있다. 기판은 전달 라인을 형성하는 데 사용된 물질들과 유사한 팽창 계수를 갖기 위하여 선택될 수 있고 전달 라인 형성 동안에 그것의 일체성(integrity)을 유지하기 위하여 선택되어야 한다. 전달 라인이 형성되어지는 기판의 표면은 일반적으로 실질적으로 평평하다. 기판 표면은, 높은 정도의 평평도(planarity)를 달성하기 위하여 예를 들어, 그라운딩(ground), 래핑(lapped) 및/또는 폴리싱(poilshed)될 수 있다. 만일 기판이 적절한 콘덕터가 아니라면, 전도성 희생성 레이어(conductive sacrificial layer)가 기판 상에 부착될(deposited) 수 있다. 이는, 예를 들어, 크롬 및 금과 같은 기상 증착된 시드 레이어(seed layer)일 수 있다. 연속적인 전기 도금을 위한 전도성 베이스 레이어들을 부착시키는 방법들 중 어떠한 것도 사용될 수 있다.
다음으로 희생성 감광성 물질(sacrificial photosensitive material), 예를 들어 포토레지스트의 제1 레이어(60a)가 기판(10) 위에 부착될 수 있고, 노출되고 현상되어 전달 라인 외부 콘덕터의 하부 벽(bottom wall) 및 천이 구조물의 지지 기둥 하부의 연속적인 부착을 위한 패턴들(62, 63)을 형성하도록 한다. 패턴들(62, 63)은 패턴(62, 63)들은 기판(10)의 상면을 노출시키는, 희생성 물질 내의 채널(channel)들을 포함한다.
희생성 감광성 물질은, 예를 들어, 롬앤하스 일렉트로닉스 머티리얼즈 LLC로부터 상업적으로 이용가능한, Shipley BPR™ 100 또는 PHOTOPOSIT™ SN 및 LAMINAR™ 드라이(dri) 필름들과 같은 네가티브 포토레지스트일 수 있다. 특히 적절한 감광성 물질들은 미국 특허 제6,054,252호에서 개시된다. 희생성의 감광성 물질들을 위한 적절한 바인더(binder)들은 예를 들어 이들을 포함한다: 아크릴레이트 모노머, 메타크릴레이트 모노머 및 비닐 아로마틱 모노머(아크릴레이트 폴리머)로부터 선택된 하나 이상의 모노머와 아크릴 산 및/또는 메타크릴산(methacrylic acid)과의 프리 래디칼 폴리머라이제이션(free radical polymerization)에 의해 제조된 바인더 폴리머; 2-하이드로옥시에틸(메트)아크릴레이트, SB495B(사토머), Tone M-100 (Dow Chemical) 또는 Tone M-210 (Dow Chemical)과 같은 (메트)아크릴 그룹들을 함유한 알콜로 에스테르화된(esterified) 아크릴레이트 폴리머; 알콜과의 반응에 의해 반 에스테르로 변환되어지는 스티렌 및 말레익 안하이드라이드의 코폴리머; 2-하이드로옥시에틸메타크릴레이트, SB495B(사토머), Tone M-100(Dow Chemical) 또는 Tone M-210(Dow Chemical)과 같은 (메트)아크릴 그룹을 함유한 알콜과의 반응에 의해 반 에스테르로 변환되어지는 스티렌 및 말레익 안하이드라이드의 코폴리머; 및 이들의 조합. 특히 적절한 바인더 폴리머는 다음을 포함한다: 부틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트 및 메타크릴산의 코폴리머 및 에틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트 및 메타크릴산의 코폴리머들; 부틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트 및 메타크릴산의 코폴리머 및 2-하이드로옥시에틸(메트)아크릴레이트, SB495B(사토머), Tone M-100(Dow Chemical) 또는 Tone M-210(Dow Chemical)과 같은 메타크릴레이트 그룹을 함유한 알콜들로 에스테르화된 에틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트 및 메타크릴산의 코폴리머; 2-하이드로옥시에틸메타크릴레이트, SB495B (사토머), Tone M-100(Dow Chemical) 또는 Tone M-210(Dow Chemical)과 같은, 사박스 SB405(사토머)와 같은 알콜과의 반응에 의해 반 에스테르로 변환되어지는 SMA 1000F or SMA 3000F (사토머)와 같은 스티렌 및 말레익 안하이드라이드의 코폴리머; 및 이들의 조합.
희생성 감광성 조성물들을 위한 적절한 광개시제(photoinitiator) 시스템들은 Irgacure 184, Duracur 1173, Irgacure 651, Irgacure 907, Duracur ITX (모두 Ciba Specialty Chemicals) 및 그것의 조합을 포함한다. 감광성 조성물들은 예를 들어, 메틸렌 블루(methylene blue), 류코 크리스탈 바이올렛(leuco crystal violet) 또는 오일 블루 N(Oil Blue N)과 같은 염료들; 벤조트리아졸(benzotriazole), 벤지미다졸(benzimidazole) 또는 벤조옥시졸(benzoxizole)과 같은 접착을 향상시키기 위하는 첨가제들; 및 Fluorad FC-4430(3M), Silwet L-7604(GE) 또는 Zonyl FSG(Dupont)와 같은 계면 활성제(surfactant)와 같은, 추가적인 상분들을 포함할 수 있다.
본 단계 및 다른 단계들에서의 희생성 감광성 물질 레이어들의 두께는 가공되어지는 구조물의 치수들에 의존할 것이나, 일반적으로 레이어당 1 내지 250 마이크론이고, 도시된 실시예들의 경우에서는 스트라타(strata) 또는 레이어당 20 내지 100마이크론이 더 일반적이다.
도 7b에 도시된 대로, 전도성 베이스 레이어(16)는 기판(10)위에 형성되고, 최종 구조물에서 외부 콘덕터의 하부 벽 및 천이 구조물 지지 기둥(30)의 하부를 형성한다. 베이스 레이어(16) 및 지지 기둥(30)은 일반적으로 금속 또는 금속-합금(총괄적으로 "금속"으로 나타냄), 예를 들어 구리, 은, 니켈, 철, 알루미늄, 크롬, 금, 티타늄, 이들의 합금들, 도핑된(doped) 반도체 물질 또는 이들의 조합, 예를 들어 다양한 조합들로 이러한 물질들의 다중 레이어 및/또는 다중 코팅들과 같은, 높은 전도성을 갖는 물질로 형성된다. 베이스 레이어는, 예를 들어, 전해질(electrolytic) 또는 일렉트로리스(electroless) 또는 이머전 도금(immersion plating)과 같은 도금(plating), 스퍼터링(sputtering) 또는 증발(evaporation)과 같은 물리적 기상 증착(PVD), 또는 화학적 기상 증착(CVD)에 의한 종래의 공정에 의해 부착될 수 있다. 도금된 구리는, 예를 들어, 당업계에서 잘 이해되는 이러한 기술들과 함께, 베이스 레이어 물질로서 특히 적절할 수 있다. 도금은, 예를 들어, 구리 염(copper salt) 및 감소된 작용제(reducing agent)를 사용하는 일렉트로리스 공정일 수 있다. 적절한 물질들은 상업적으로 이용가능하고 예를 들어, 메사추세츠 말보르의 롬앤하스 일렉트로닉 머티리얼즈 LLC로부터 이용가능한 Circuposit™ 비전착성 금석 석출 구리(electroless copper)를 포함한다. 대안적으로 물질은 포토레지스트 아래 또는 그것의 상부 상에 전기적으로 전도성인 시드 레이어를 코팅(coating)함으로써 도금될 수 있다. 시드 레이어는 희생성 물질(60a)의 코팅 이전에 기판 위에 PVD에 의해 부착될 수 있다. 일렉트로리스 및/또는 전해질 부착에 의해 이어지는 활성화된 촉매(activated catalyst)의 사용은 사용되어질 수 있다. 베이스 레이어(및 연속적인 레이어들)는 개설된(outlined) 방법들을 통하여 원하는 소자 구조물을 실현하기 위하여 임의의 형상들로 패터닝될(patterned) 수 있다.
베이스 레이어(16) 및 연속적으로 형성된, 외부 콘덕터의 다른 벽들의 두께는 미세 구조물에 기계적인 안정성을 제공하고, 충분히 낮은 손실을 제공하기 위하여 전달 라인의 충분한 전도성을 제공하기 위하여 선택된다. 마이크로웨이브(microwave) 주파수들에서와 그것을 넘어서, 스킨 깊이는 1㎛보다 일반적으로 작을 것이기 때문에 구조적인 영향들은 더 명백하게 된다. 따라서, 두께는, 예를 들어, 특정한 베이스 레이어 물질, 전파되기 위한 특정 주파수 및 계획된 적용에 의존할 것이다. 최종적인 구조물이 기판으로부터 제거되는 경우에서, 예를 들어, 구조적인 일체성을 위한, 약 20부터 150㎛까지 또는 20부터 80㎛까지의 상대적으로 두꺼운 베이스 레이어를 채용하는 것이 유리할 수 있다. 최종적인 구조물이 기판(10)에 그대로(intact) 남겨지는 곳에서, 사용된 주파수들의 스킨 깊이 요구조건들에 의해 결정될 수 있는 상대적으로 얇은 베이스 레이어를 채용하는 것이 바람직할 수 있다. 게다가, 적절한 기계적인 특성을 갖는 물질은 구조물에 대하여 선택되어질 수 있고, 이어서 그것은 그것의 전기적인 특성들을 위한 높은 전도성의 물질로 오버코팅될 수 있다. 예를 들어, 니켈 베이스 구조물들은 전해질 또는 바람직하게는 일렉트로리스 도금 공정을 사용하여 금 또는 은으로 오버코팅될 수 있다. 대안적으로, 베이스 구조물은 다른 원하는 표면 특성들을 위한 물질들로 오버코팅될 수 있다. 구리는 산화를 방지하기 위하여 일렉트로리스 니켈 및 금, 또는 일렉트로리스 은으로 오버코팅될 수 있다. 오버코팅을 위한 물질들 및 다른 방법들은 목표 기계적인, 화학적인, 전기적인, 부식 방지하는 특성들을 획득하기 위하여 당업계에서 알려진 대로 전개될 수 있다.
측벽들을 형성하기 위한 적절한 물질들 및 기술들은 베이스 레이어에 관하여 상기에 언급된 것과 동일하다. 비록, 상이한 물질들이 채용될 수 있더라도, 측벽들은 일반적으로 베이스 레이어(16)를 형성하는 데 사용되는 동일한 물질로 형성된다. 도금 공정의 경우에서, 이어지는 단계에서의 금속이 단지 이전에 형성되고, 노출된 금속 영역 위에 직접적으로 부착될 때, 시드 레이어 또는 도금 베이스의 적용은 여기에서 생략될 수 있다. 그러나, 도면에 도시된 예시된 구조물들은 일반적으로 특별한 소자의 작은 영역만을 구성하고, 이들 및 다른 구조물들의 메탈라이제이션(metallization)은 시드 레이어들이 일반적으로 사용될 되는 공정 순서에서 어떠한 레이어 상에서도 시작될 수 있다는 것이 명확하다.
본 단계 및/또는 연속적인 단계들에서의 표면 평탄화(planarization)는 연속적인 공정을 위한 평평한 표면을 제공하는, 희생성 물질 위에 또는 상면 상에 부착된 어떠한 원치않은 금속을 제거하기 위하여 형성될 수 있다. 종래의 평탄화 기술들, 예를 들어, 화학적-기계적-폴리싱(chemical-mechanical-polishing; CMP), 랩핑 또는 이들 방법들의 조합은 일반적으로 사용된다. 다른 알려진 평탄화 또는 기계적인 형성 기술들, 예를 들어, 기계적인 머시닝(machining), 다이아몬드 터닝(diamond turing), 플라즈마 에칭(plaza etching), 레이저 애블레이션(laser ablation) 등과 같은 기계적인 피니싱(finishing)은 추가적으로 또는 대안적으로 사용될 수 있다. 표면 평탄화를 통하여, 주어진 레이어의 전체 두께는 그렇지 않았다면, 코팅만을 통하여 얻어질 수 있었던 것보다 더 견고하게 제어될 수 있다. 예를 들어 CMP 공정은 동일한 레벨로 금속 및 희생성 물질을 평탄화하기 위하여 사용될 수 있다. 이는 예를 들어, 레이어의 최종적인 두께의 더 큰 제어를 허용하며, 동일한 비율로 금속, 희생성 물질, 및 기타 유전체를 천천히 제거하는, 랩핑 공정에 의해, 이어질 수 있다.
도 7c를 참조하여, 희생성 감광성 물질의 제2 레이어(60b)는 베이스 레이어(16) 및 제1 희생성 레이어(60a) 위에 부착되고, 노출되고 현상되어, 천이 구조물 지지 기둥(30)의 상부에 대한 패턴(65) 및 전달 라인 외부 콘덕터의 측벽 하부들의 연속적인 부착에 대한 패턴(64)를 형성하도록 한다. 패턴(64)은 외부 컨덕터 측벽들이 형성되어지는 베이스 레이어(16)의 상면을 노출하는 채널을 포함한다.
도 7d를 참조하여, 전달 라인 외부 컨덕터의 측벽 하부(18)들 및 천이 구조물 지지 기둥(30)의 상부는 다음에 형성된다. 비록 상이한 물질들이 채용될 수 있더라도, 측벽들 및 지지 기둥 상부를 형성하기 위한 적절한 물질들 및 기술들은 베이스 레이어(16)에 대하여 상기 언급된 것과 동일하다. 도금 공정의 경우에서, 이어지는 단계에서의 금속이 단지 이전에 형성되고, 노출된 금속 영역 위에 직접적으로 부착될 때, 시드 레이어 또는 도금 베이스의 적용은 여기에서 생략될 수 있다. 상기에 개시된 대로 표면 평탄화는 이 단계에서 수행될 수 있다.
유전체성 물질의 레이어는 다음에 제2 희생성 레이어(60b) 및 측벽 하부들 위에 부착된다. 이어지는 공정에서, 지지 구조물(15)들은 형성될 전달 라인 중앙 컨덕터를 지지하기 위하여 유전체성 레이어로부터 패터닝된다. 이들 지지 구조물들(15)은 최종적인 전달 라인 구조물의 코어 영역(core region)에서 위치할 것이기 때문에, 유전체성 지지 레이어는 전달 라인을 통하여 전달될 신호(signal)들에 대한 과도한 손실들을 생성하지 않을 물질로부터 형성되어야 한다. 물질은 또한 천이 구조물에서 종단 영역을 포함하는, 그것의 길이를 따라 중앙 컨덕터를 지지하기 위하여 필요한 기계적인 강도를 제공할 수 있어야 한다. 물질은 최종적인 전달 라인 구조물로부터 희생성 물질을 제거하기 위하여 사용된 용매에 상대적으로 더 녹지 않아야 한다. 물질은 일반적으로 상표명 Cyclotene(Dow Chemical Co.)하에 팔려진 것들과 같은 감광성 벤조사이클로부텐(Photo-BCB) 수지, SU-8 레지스트(MicroChem Corp.), 실리카들(silicas) 및 실리콘 옥사이드들(silicon oxides)과 같은 무기 물질, 졸 겔들(SOL gels), 다양한 유리들, 실리콘 나이트라이드(silicon nitride(Si3N4)), 알루미나(alumina(Al2O3)), 알루미늄 나이트라이드(aluminum nitride(AlN)) 및 마그네슘 옥사이드(magnesium oxide(MgO)와 같은 알루미늄 옥사이드로부터 선택된 유전체성 물질; 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 셀룰로오스 아세테이트, 폴리프로필렌, 폴리비닐 클로라이드, 폴리비닐리덴 클로라이드, 폴리스티렌, 폴리아미드 및 폴리이미드와 같은 유기 물질들; 유기 실세스퀴옥산(silsesquioxane) 물질과 같은 유기-무기 하이드라이드(hybrid) 물질; 수행될 희생성 물질 제거 공정에 의해 공격되지(attacked) 않은 네가티브 작용 포토레지스트 또는 포토에폭시와 같은 광한정성(photodefinable) 유전체이다. 게다가, 폴리머 물질들로 로딩된(loaded) 실리카 분말들과 같은 무기 물질들의 복합체 및 나노 복합체를 포함하는 이들 물질들의 조합들은 예를 들어, 기계적인 또는 화학적인 특성들을 향상시키기 위하여 사용될 수 있다. 이들 중, SU-8 2015 레지스트가 일반적이다. 예를 들어, 스핀-코팅(spin-coating), 롤러 코팅(roller coating), 스퀴지 코팅(sqeegee coating), 스프레이 코팅(spray coating), 화학적 기상 증착(chemical vapor depostion; CVD) 또는 라미네이션(lamination)에 의해 용이하게 부착될 수 있는 물질들을 사용하는 것이 유리하다. 지지체(support)(15)들에 대한 유전체성 물질 레이어는 균열 또는 파손 없이 중앙 콘덕터의 필수적인 지지체에 대하여 제공하는 두께까지 부착된다. 게다가, 두께는 평탄성의 관점으로부터 희생성 물질 레이어들의 연속적인 적용에 심하게 영향을 주어서는 안된다. 유전체성 지지 레이어의 두께가 미세구조물의 다른 요소들의 물질들 및 치수들에 의존하는 동안, 두께는 일반적으로 1 내지 100마이크론, 예를 들어, 약 20마이크론이다.
도 7e에 도시된 대로, 전달 라인의 중앙 콘덕터를 지지하기 위한 하나 이상의 유전체성 지지 부재(15)들을 제공하기 위하여 포토이미지어블(photoimageable) 물질의 경우에, 유전체성 물질 레이어는 다음으로 표준 사진 식각술(photolithography) 및 현상 기술들을 사용하여 패터닝된다. 예시된 소자에서, 유전체성 지지 부재(15)들은 외부 콘덕터의 일면으로부터 외부 콘덕터의 대향면까지 연장된다. 다른 예시적인 양상에서, 유전체성 지지 부재들은 외부 콘덕터로부터 연장되고 중앙 콘덕터에서 종료될 수 있다. 이 경우에서, 지지 부재(15)들의 각각의 일단은 외부 콘덕터의 하나 또는 다른 하부 위에 형성되고, 타단은 측벽 하부(18)들 사이에서 희생성 레이어(60b) 위의 위치까지 연장된다. 지지 부재(15)들은 일반적으로 고정된 거리에서 상호 간에 이격된다. 유전체성 지지 부재(15)들의 배열의 수, 형상 및 패턴은 초과하는 신호의 손실 및 분산을 또한 방지하는 동시에 중앙 콘덕터에 대한 지지부를 제공하기에 충분해야 한다.
유전체성 지지 부재(15)들은 미세구조물의 요소들이, 외부 콘덕터로부터 떨어진 이들의 당김(pulling)의 가능성을 감소시키는, 상호 간에 기계적으로 락킹된(locked) 맞물림(engagement)으로 유지되기 위한 형상들로 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 유전체성 지지 부재(15)들은 패터닝 공정 동안에 각각의 종단에서의 "T"형상(또는 "I"형상)의 형태로 패터닝될 수 있다. 연속적인 공정 동안에, T 구조물들의 상부들은 외부 콘덕터의 벽에 탑재되고(embeded), 그것들이 외부 콘덕터로부터 분리에 더 저항하게 하는, 그 안에 지지 부재들을 고착시키기(anchor) 위하여 작용한다. 유전체성 지지 부재(15)들의 하나 또는 양 종단들에서 앵커-타입 락킹(anchor-type locking) 구조물은 사용될 수 있다. 더욱이, 유전체성 지지 부재들은 교대하는(alternating) 패턴에서 단일 종단 상에 앵커부를 선택적으로 포함할 수 있다. 깊이 방향으로 단면 형상에서의 증가를 제공하는 요입하는 프로파일(reentrant profile)들 및 다른 형상들은 일반적이다. 게다가, 유전체성 패턴의 중앙 영역에서, 비아들(vias)과 같은, 개방 구조물들은, 형성될 연속적인 금속 영역들과의 기계적인 연동(interlocking)을 허용하기 위하여 사용될 수 있다.
제3 희생성 감광성 레이어(60c)는 기판 위에 코팅되고, 노출되고, 현상되어 중앙 콘덕터 및 전달 라인 외부 콘덕터의 측벽 중앙부들의 형성을 위한 패턴(68, 70)을 형성한다. 외부 콘덕터의 측벽 중앙부를 위한 패턴(68)은 측벽 하부(18)들과 함께 연장된다(coextensive). 측벽 하부들을 오버라잉하는(overlying) 유전체성 지지 부재들의 종단 및 측벽 하부들은 패턴(68)에 의해 노출된다. 중앙 콘덱터에 대한 패턴(70)은 미세구조물의 길이를 따르는 채널이다. 패턴(70)은 중앙 콘덕터 유전체성 지지 부재(15)들의 지지부들을 노출시킨다. 상기에 개시된 것과 같은, 종래의 사진 식각술 기술들 및 물질들은 이 목적을 위하여 사용될 수 있다.
도 7f에 개시된 대로, 외부 콘덕터의 측벽 중앙부(20)들 및 중앙 콘덕터(12)는 적절한 금속 물질을 제3 희생성 물질 레이어(60c)에 형성된 채널들로 부착함으로써 형성된다. 비록, 상이한 물질들 및/또는 기술들이 채용될 수 있더라도, 중앙 콘덕터(12) 및 측벽 중앙부(20)들을 형성하기 위한 적절한 물질들 및 기술들은 베이스 레이어(16) 및 측벽 하부(18)들에 관하여 상기에 언급된 것과 동일하다. 표면 평탄화는 이전에 설명되었고 선택적으로 어떠한 단계에서 적용된 대로, 연속적인 공정을 위한 평평한 표면을 제공하는 것 이외에 희생성 물질의 상면 상에 부착된 어떠한 원치않은 금속을 제거하기 위하여 이 단계에서 선택적으로 수행될 수 있다.
도 7g를 참조하여, 전자 소자(8)로의 천이 구조물(6)의 본딩을 허용하기 위하여, 하나 이상의 솔더가능한(solderable) 레이어(32)들은 천이 구조물의 본딩 표면 상에 형성될 수 있다. 솔더가능한 레이어는 메탈라이제이션 또는 솔더의 기상 증착 및 리프트-오프(lift-off) 레지스트 또는 쉐도우 마스크(shadow mask)의 사용에 의하거나, "솔더-젯(solder-jet)" 인쇄가 사용될 수 있는 사용에 의한 것과 같은, 선택적인 부착의 사용에 의해 이어지는 희생성 물질의 더 패터닝된 레이어를 사용하여, 다른 전도성의 레이어들을 위하여 상기에 개시된 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 솔더가능한 레이어(32)는, 예를 들어, Au-Sn 솔더 또는 다른 솔더 물질을 포함할 수 있다. 솔더가능한 레이어들의 두께는 커넥터 및 미세구조물의 치수들뿐만 아니라, 포함된 특정한 물질들에 의존할 것이다. 5부터 25 마이크론까지의 두께는 일반적이다. 천이 구조물에 전자 장치를 부착하기 위한 다른 기술들은 예를 들어, 전도성의 에폭시들, 나노입자-기초한 접착제들 및 이방성 전도 접착제들의 사용을 계획한다.
도 7h를 참조하여, 제4 희생성 물질 레이어(60d)는 기판 위에 부착되고, 노출되고, 현상되어 외부 콘덱터의 측벽 상부(22)들의 연속적인 부착을 위한 패턴을 형성하도록 한다. 측벽 상부를 위한 패턴은 측벽 중앙부 동일한 공간에 퍼지고(extensive) 측벽 중앙부를 노출하는 채널을 포함한다. 다음으로 외부 콘덕터의 측벽부 상부(22)들은 적절한 물질을 제4 희생성 레이어(60d)에서 형성된 채널들에 부착함으로써 형성된다. 이들 구조물들을 형성하기 위한 적절한 물질들 및 기술들은 중앙 콘덕터부들 및 다른 측벽 및 베이스 레이어(16)에 관하여 상기에 언급된 것대로 동일하다. 비록 상이한 물질들 및 기술들을 채용하더라도, 측벽 상부(22)들은 일반적으로 중앙 콘덕터부들 및 다른 측벽들 및 베이스 레이어를 형성하는 데 사용된 동일한 물질들 및 기술들로 형성된다. 표면 평탄화는 연속적인 공정을 위한 평평한 표면을 제공하는 것 이외에 희생성 물질의 상면 상에 부착된 어떠한 원치않은 금속을 제거하기 위하여 이 단계에서 선택적으로 수행될 수 있다.
도 7i를 참조하여, 제5 감광성 희생성 레이어(60e)는 기판(10) 위에 부착되고, 노출되고, 현상되어 전달 라인 외부 콘덕터의 상부 벽(24; top wall)의 연속적인 부착을 위한 패턴(70)들을 형성하도록 한다. 상부 벽에 대한 패턴은 그 사이에서 제4 희생성 물질 레이어 및 측벽 상부(22)들을 노출시킨다. 희생성 레이어(60e)를 패터닝함에서, 측벽 상부들 사이의 영역에서 희생성 물질의 하나 이상의 영역들을 남겨두는(leave) 것이 바람직할 것이다. 이들 영역들에서, 금속 부착은 외부 콘덕터 상부 벽의 연속적인 형성 동안에 방지된다. 하기에 개시된 대로, 이는 미세구조물로부터 희생성 물질의 제거를 용이하게 하는 외부 콘덕터 상부 벽에는 개구(opening)들을 유발할 것이다. 이러한 개구들은 일반적으로 형상에서 원형이나 정사각형, 직사각형 또는 다른 형상일 수 있다. 더욱이, 이러한 개구들은 희생성 물질(60a~60e)의 제거를 촉진하기(aid) 위하여 솔루션의 유동(flow of solution)을 향상시키기 위하여 어떠한 레이어에 포함될 수 있다. 개구들의 형상, 크기 및 위치들은, 원하는 기계적인 일체성을 유지하는 것, 충분히 낮은 복사를 유지하는 것 및 작동의 의도된 주파수들을 위한 손실들을 스캐터링하는(scattering) 것을 포함하는 성계 원칙들을 기초로 하고, 일반적으로 동축 구조물의 코너들에 존재하는 낮은 손실 전파를 위하여 디자인된다면 전기장들이 가장 낮은 곳을 기초로 하고, 희생성 물질을 제거하기 위하여 충분한 유체 유동을 기초로 하여 선택된다.
도 7j를 참조하면, 다음으로 외부 콘덱터의 상부 벽(24)은 적절한 물질을 전달 라인 외부 콘덕터의 측벽 상부(22)들 사이와 그 위에 노출된 영역들로 부착시킴으로써 형성된다. 메탈라이제이션(metallization)은 희생성 물질 기둥(pillar)들에 의해 점유된 볼륨에서 방지된다. 비록 상이한 물질들 및/또는 기술들이 채용될 수 있더라도, 이들 전도성의 구조물들을 형성하기 위한 적절한 물질들 및 기술들은 중앙 콘덕터 레이어들 및 다른 측벽 및 베이스 레이어에 관하여 상기에 언급된 것과 동일하다. 표면 평탄화는 이 단계에서 선택적으로 수행될 수 있다.
완료한 전달 라인의 기초 구조물과 함께, 추가적인 레이어들은 제1 예시적인 레이어에 서로 연결될 수 있는 추가적인 전달 라인들 또는 웨이브가이드들을 생성하기 위하여 추가될 수 있다. 솔더들과 같은 다른 레이어들은 추가될 수 있다. 일단 구조가 완료되면, 구조물에 남겨진 희생성 물질은 다음으로 제거될 수 있다. 희생성 물질은 사용된 물질의 타입에 기초한 잘 알려진 스트리퍼(stripper)들에 의해 제거될 수 있다. 적절한 스트리퍼들은, 예를 들어: Surfacestrip™406-1, Surfacestrip™446-1 또는 Surfacestrip™448(롬앤하스 일렉트로닉스 머티리얼즈)와 같은 상업적인 스트리핑(stripping) 솔루션들; 소디움 하이드록시드, 포타슘 하드록시드 또는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드와 같은 강한 베이스들의 수용성 솔류션들; 에탄올 또는 모노에탄올아민을 포함하는 강한 베이스들의 수용성 솔루션들 및 N-메틸피롤리돈 또는 N,N-디메틸포마마이드와 같은 강한 용매의 수용성 솔루션들; 및 테트라메틸암모늄 하이드록시드, N-메틸피롤리돈 및 모노에탄올아민 또는 에탄올의 수용성 솔루션을 포함한다.
미세구조물로부터 물질이 제거되기 위하여, 스트리퍼는 희생성 물질과의 접촉에 이르게 된다. 희생성 물질은 전달 라인 구조물의 종단면들에 노출될 수 있다. 상기에 개시된 대로 전달 라인에서의 추가적인 개구들은 구조물 전체에 스트리퍼와 희생성 물질 사잉에 접촉을 용이하게 하기 위하여 제공될 수 있다. 희생성 물질과 스트리퍼 사이의 접촉을 허용하기 위한 다른 구조물들은 계획된다. 예를 들어, 개구들은 패터닝 공정 동안에 전달 라인 측벽들에 형성될 수 있다. 이들 개구들의 치수들은 가이딩된 웨이브의 누설 또는 스캐터링(scattering)과의 간섭을 최소화하기 위하여 선택될 수 있다. 치수들은, 예를 들어, 사용된 최고 주파수의 파장의 1/8, 1/10 또는 1/20보다 작게 선택될 수 있다.
기계적이고 유체 유동 특성들은 Ansys™ Multi-Physics 패키지들과 같은 소프트웨어에 의해 계산될 수 있는 반면에, 이러한 개구들의 전기적인 임팩트(impact)는 계산될 수 있고 Ansoft, Inc에 의해 만들어진 HFSS와 같은 소프트웨어를 사용하여 최적화될 수 있다.
희생성의 레지스트의 제거 후에 최종적인 전달 소자는 도 7k에서 도시된다. 이전에 볼륨은, 외부 콘덕터에서 구멍(aperture)들을 형성하고 전달 라인 코어(26)를 형성하는 웨이브가이드의 외벽들 내에서의 희생성 물질에 의해 점유된다. 코어 볼륨은 일반적으로 공기와 같은 기체에 의해 점령된다. 공기보다 더 많은 유전체성의 특성들을 갖는 기체, 예를 들어, 설퍼헥사플로오라이드가 코어에서 사용될 수 있다는 것이 계획된다. 예를 들어, 구조물이 밀봉한 패키지의 부분을 형성할 때, 선택적으로, 진공은 코어에서 생성될 수 있다. 결과적으로, 다른 방법으로 전달 라인들의 표면들로 흡수될 수 있는 수증기로부터의 흡수의 감소는 실현될 수 있다. 액체 또는 기체 및 압축되는 증기는 점유할 수 있고 중앙 콘덕터 및 외부 콘덕터 사이에, 예를 들어, 냉각을 위한, 코어 볼륨(26)을 통하여 전달될 수 있다는 것이 더욱이 계획된다.
전자 소자(8)는 다음으로 천이 구조물(6)에 부착될 수 있다. 이러한 부착은 개별적인 메이팅(mating) 표면들을 배열하고 가열에 의해 솔더 조인트를 형성함으로써 수행될 수 있다. 상기에 개시된 것 같은 솔더 필름 또는 솔더 볼은 커넥터 및 미세구조물 메이팅 표면들 중 어느 하나 또는 모두에 부착될 수 있다. 예를 들어, Au-Sn(80:20) 솔더와 같은 얇은 필름 솔더는 부분들을 결합하기(join) 위하여 사용될 수 있다.
천이 구조물(6)로의 유전체상 소자(8)의 본딩은 전도성의 접착제들, 예를 들어, 은으로 채워진 에폭시 또는 나노-크기의 필름 또는 페이스트(paste)의 사용으로 선택적으로 수행될 수 있다. 전도성의 접착제들은 또한 전도성 입자 필름 또는 페이스트가 하나의 방향에서 단지 수행된다는 점에서, 이방성 전도성의 필름 또는 페이스트로서 이용가능하다. 방향은, 예를 들어, 압력 또는 자기장의 적용에 의해 결정된다.
어떠한 적용들을 위한, 그것이 부착되는 기판으로부터 최종적인 전달 라인 미세구조물을 분리하는 것이 유리하다. 이는 커넥터의 부착 이전 또는 후에 완료될 수 있다. 전달 라인 미세구조물의 릴리스(release)는 다른 기판, 예를 들어, 모노리식(monolithic) 마이크로파 일체화된 회로들 또는 다른 소자들과 같은 갈륨 비소 금형에 연결을 허용한다. 이러한 릴리스는 또한 기판 물질을 통하여 기계가공할 필요없이 미세구조물의 타면들 상에 존재하기 위한 커넥터들 및 안테나들과 같은 구조물들을 허용한다. 기판으로부터의 구조물의 릴리스는 다양한 기술들에 의해, 예를 들어, 선택적 구조적인 물질들에 상당하게 선택하거나 침범하지 않은 적절한 용매 또는 에천트(etchant)에서 구조물의 완성 상에 제거될 수 있는 베이스 레이어 및 기판 사이에서의 희생성 레이어의 사용에 의해 달성될 수 있다. 희생성 레이어를 위한 적절한 물질들은 예를 들어, 포토레지스트들, 크롬 또는 티타늄과 같은 선택적으로 에칭가능한(etchable) 금속들, 고온 왁스들 및 다양한 염들을 포함한다.
예시된 전달 라인들은 유전체성의 지지 부재(15)들 위에 형성된 중앙 콘덕터를 포함하는 동시에, 그것들이 플러스(+) 형상, T-형상 또는 박스와 같은 형상을 사용하여 쪼개진(split) 중앙 콘덕터에서와 같은 중앙 콘덕터 내에 위치될 수 있다는 것이 계획된다. 지지 부재(15)들은 언더라잉된(underlying) 유전체성 지지 부재들로의 대안으로서 또는 추가로 중앙 콘덕터 위에 형성될 수 있다. 더욱이, 지지 부재(15)들은 중앙 콘덕터 및 둘러싸는 표면 사이에 위치된 때 둘러싸는 표면들의 어떠한 것으로부터 지지를 제공하는, 받침부의 폼들을 차지할 수 있다.
본 발명의 웨이브가이드들은 일반적으로 단면에서 정사각형이다. 그러나, 다른 형상들은 계획된다. 예를 들어, 다른 직사각형 전달 라인들은 전달 라인들의 폭 및 높이를 상이하게 만드는 것을 제외하고, 정사각형 전달 라인들이 형성되는 동일한 방법으로 획득될 수 있다. 예를 들어, 원형인, 라운딩된(rounded) 전달 라인들 또는 부분적으로 라운딩된 전달 라인들은 그레이-스케일(gray-scale) 패터닝을 사용함으로써 형성될 수 있다. 이러한 라운딩된 전달 라인들은, 예를 들어, 세로 방향의 천이들을 위한 종래의 평판술을 통하여 생성될 수 있고 커넥터 인터페이스들 등을 만들기 위하여, 외부 미세 동축 콘덕터들과 더 손쉽게 상호 결합하기 위하여 사용될 수 있다.
상기에 개시된 대로 복수 개의 전달 라인들은 적층된(stacked) 배열로 형성될 수 있다. 적층된 배열은 각각의 스택을 통하여 연속적인 빌드 공정의 연속성 또는 개별적인 기판들 상에 전달 라인들을 미리 형성하고, 릴리스 레이어를 사용하여 그것들의 개별적인 기판들로부터 전달 라인 구조물을 분리하며 구조물들을 적층함에 의해 달성될 수 있다. 이러한 적층된 구조물들은 솔더들의 얇은 레이어들 또는 전도성의 접착제들에 의해 결합될 수 있다. 이론에서, 여기에서 논의된 공정 단계들을 사용하여 적층될 수 있는 전달 라인들의 수에서의 한정이 아니다. 그러나, 실제에서, 층들의 수는 두께들 및 응력들을 관리하는 능력에 의해 한정될 것이고 만약 그것들이 모노리식하게(monolithically) 빌딩된다면(built), 레지스트 제거는 각각의 추가적인 레이어와 관련된다. 동축 구조물들은 예들에서 도시되어 왔다. 그러나, 할로우-코어(hollow-core) 웨이브가이드들, 안테나 요소들, 캐비티(cavity)들 등과 같은 다른 구조물들은 또한 개시된 방법들을 사용하여 구성될 수 있다.
일체화된 전자 구성요소들은 일반적으로 복수 개의 금형으로서 웨이퍼 또는 그리드 레벨 상에 제조된다. 본 발명의 방법들 및 미세구조물들은 예를 들어, 마이크로파 및 밀리미터 파 필터들 및 커플러들로의 데이터 및 정보통신들; 레이다 및 충돌 회피 시스템들 및 통신 시스템으로의 항공 및 군사; 압력 및 전복 센서들로의 자동차; 매스 스펙트럼미터(mass spectrometer)들 및 필터들로의 화학; 필터들, 미세유체역학 장치들, 수술용 장비들 및 혈압, 공기 유동 및 청취 보조 센서들로의 바이오테크놀러지 및 바이오메디컬 및 화상 안정기들, 고도 센서들 및 자동초점 센서들로의 소비자 전자공학에서, 사용을 발견한다.
이들 실시예들은 칩 캐패시터들, 레지스터들 등과 같은 전자 소자들 뿐만 아니라 트랜지스터들, 다이오드들 및 집적 회로들과 같은 능동 소자들을 연결하는 다양한 방법을 도시하였지만, 그것인 사용될 수 있는 이들 기술들의 다른 조합들 및 방법들이 있음이 명확할 것이다. 솔더들 또는 전도성의 접착제들은 칩들 또는 모두에, 미세가공된 구조물들에 적용될 수 있다. 대안적으로 금-금 확산 본딩과 같은 고체-상태 본딩 방법들은 칩 부착을 위하여 채용될 수 있었다. 니켈 패드들 또는 유전체들과 같은 윅-스톱(wick-stop) 레이어들은 솔더들의 유동을 콘트롤하기 위하여 전개될 수 있다. 열 생성 칩(heat generating chip)들이 대면하게 그것들을 부착함으로써 장착될 때 추가적인 열 흡수는 전개될 수 있고, 예를 들어, 전력 앰플리파이어 칩(power amplifier chip)들이 플립-칩(flip-chip)에 장착될 때, 추가적인 열-흡수는 후면에 연결될 수 있다. 결국에는 이러한 칩들은 칩들을 장착함으로써 이들 미세구조물들의 많은 레이어들로 수용될 수 있고 이어서 상면 상에 미세구조물들의 추가적인 레이어들을 장착할 수 있는 것이 명확해야 한다. 이들 레이어는 전기적으로, 열적으로 및 기계적으로 상호 연결될 수 있다. 이러한 추가적인 레이어들로의 조립된 레이어들을 적층하는 접근법은 상호 연결된 기능성의 많은 레이어들로 전자공학의 "큐브들(cubes)" 및 3차원 회로들로의 접근을 가능하게 한다. 구리로부터 이러한 구조물들을 형성할 때, 열 전도성은 일반적으로 이러한 3차원 일체화 접근법들의 열 관리 도전들을 해결하는 데 높다.
본 발명이 그것의 특정한 실시예들을 참조하여 상세하게 개시된 동시에, 그것은 다양한 변형들 및 변경들이 만들어질 수 있는 당업계에서의 당업자에게 명백할 것이고, 균등성들이 청구항들의 범위를 벗어남이 없이 채용될 것이다.
4 웨이브가이드 미세구조물
6 천이 구조물
8 전자 소자
10 기판
15 지지체
26 볼륨.

Claims (1)

  1. 능동 전자소자(active electronic device); 및
    유전체성의 레이어를 갖는 천이구조물을 포함하는 웨이브가이드 미세구조물(microstructure)을 포함하는 일체화된 전자 요소.
KR1020140136694A 2007-03-20 2014-10-10 일체화된 전자 요소들 및 이들의 형성 방법 KR101609472B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US89597907P 2007-03-20 2007-03-20
US60/895,979 2007-03-20

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080026087A Division KR101593686B1 (ko) 2007-03-20 2008-03-20 일체화된 전자 요소들 및 이들의 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140128919A true KR20140128919A (ko) 2014-11-06
KR101609472B1 KR101609472B1 (ko) 2016-04-05

Family

ID=39540539

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080026087A KR101593686B1 (ko) 2007-03-20 2008-03-20 일체화된 전자 요소들 및 이들의 형성 방법
KR1020140136694A KR101609472B1 (ko) 2007-03-20 2014-10-10 일체화된 전자 요소들 및 이들의 형성 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080026087A KR101593686B1 (ko) 2007-03-20 2008-03-20 일체화된 전자 요소들 및 이들의 형성 방법

Country Status (4)

Country Link
US (5) US7755174B2 (ko)
EP (2) EP1973190A1 (ko)
JP (1) JP2008306701A (ko)
KR (2) KR101593686B1 (ko)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI238513B (en) 2003-03-04 2005-08-21 Rohm & Haas Elect Mat Coaxial waveguide microstructures and methods of formation thereof
EP1939137B1 (en) 2006-12-30 2016-08-24 Nuvotronics, LLC Three-dimensional microstructures and methods of formation thereof
US7755174B2 (en) 2007-03-20 2010-07-13 Nuvotonics, LLC Integrated electronic components and methods of formation thereof
KR101472134B1 (ko) 2007-03-20 2014-12-15 누보트로닉스, 엘.엘.씨 동축 전송선 마이크로구조물 및 그의 형성방법
US8247267B2 (en) * 2008-03-11 2012-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer level IC assembly method
US8659371B2 (en) * 2009-03-03 2014-02-25 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Three-dimensional matrix structure for defining a coaxial transmission line channel
US20110123783A1 (en) 2009-11-23 2011-05-26 David Sherrer Multilayer build processses and devices thereof
JP5639194B2 (ja) * 2010-01-22 2014-12-10 ヌボトロニクス，エルエルシー 熱制御
US8917150B2 (en) 2010-01-22 2014-12-23 Nuvotronics, Llc Waveguide balun having waveguide structures disposed over a ground plane and having probes located in channels
US9030268B2 (en) 2010-05-10 2015-05-12 Raytheon Company Multiple E-probe waveguide power combiner/divider
KR101786970B1 (ko) 2010-07-02 2017-11-15 누보트로닉스, 인크. 3차원 마이크로구조체
US9614590B2 (en) 2011-05-12 2017-04-04 Keyssa, Inc. Scalable high-bandwidth connectivity
US8866300B1 (en) 2011-06-05 2014-10-21 Nuvotronics, Llc Devices and methods for solder flow control in three-dimensional microstructures
US8814601B1 (en) 2011-06-06 2014-08-26 Nuvotronics, Llc Batch fabricated microconnectors
KR101982887B1 (ko) 2011-07-13 2019-05-27 누보트로닉스, 인크. 전자 및 기계 구조체들을 제조하는 방법들
EP2759067B1 (en) 2011-09-15 2019-11-06 Keyssa, Inc. Wireless communication with dielectric medium
US9142497B2 (en) 2011-10-05 2015-09-22 Harris Corporation Method for making electrical structure with air dielectric and related electrical structures
US9705204B2 (en) 2011-10-20 2017-07-11 Keyssa, Inc. Low-profile wireless connectors
US9065163B1 (en) 2011-12-23 2015-06-23 Nuvotronics, Llc High frequency power combiner/divider
US9559790B2 (en) 2012-01-30 2017-01-31 Keyssa, Inc. Link emission control
US9165723B2 (en) * 2012-08-23 2015-10-20 Harris Corporation Switches for use in microelectromechanical and other systems, and processes for making same
US9356352B2 (en) * 2012-10-22 2016-05-31 Texas Instruments Incorporated Waveguide coupler
US9185820B2 (en) * 2012-12-11 2015-11-10 Harris Corporation Monolithically integrated RF system and method of making same
US8952752B1 (en) 2012-12-12 2015-02-10 Nuvotronics, Llc Smart power combiner
US9325044B2 (en) 2013-01-26 2016-04-26 Nuvotronics, Inc. Multi-layer digital elliptic filter and method
US9087777B2 (en) * 2013-03-14 2015-07-21 United Test And Assembly Center Ltd. Semiconductor packages and methods of packaging semiconductor devices
US9306255B1 (en) 2013-03-15 2016-04-05 Nuvotronics, Inc. Microstructure including microstructural waveguide elements and/or IC chips that are mechanically interconnected to each other
US9306254B1 (en) 2013-03-15 2016-04-05 Nuvotronics, Inc. Substrate-free mechanical interconnection of electronic sub-systems using a spring configuration
US9136822B2 (en) 2013-08-19 2015-09-15 Harris Corporation Microelectromechanical system with a micro-scale spring suspension system and methods for making the same
US9093975B2 (en) 2013-08-19 2015-07-28 Harris Corporation Microelectromechanical systems comprising differential inductors and methods for making the same
US9172352B2 (en) * 2013-08-19 2015-10-27 Harris Corporation Integrated microelectromechanical system devices and methods for making the same
DE102013220254A1 (de) * 2013-10-08 2015-04-09 Robert Bosch Gmbh Hochfrequenzschaltung mit gekreuzten Leitungen
US9653638B2 (en) * 2013-12-20 2017-05-16 Sunpower Corporation Contacts for solar cells formed by directing a laser beam with a particular shape on a metal foil over a dielectric region
KR20160133422A (ko) 2014-01-17 2016-11-22 누보트로닉스, 인크. 웨이퍼 규모 테스트 인터페이스 유닛 및 컨택터
US9123493B2 (en) 2014-01-23 2015-09-01 Harris Corporation Microelectromechanical switches for steering of RF signals
US10103447B2 (en) 2014-06-13 2018-10-16 Nxp Usa, Inc. Integrated circuit package with radio frequency coupling structure
US9917372B2 (en) 2014-06-13 2018-03-13 Nxp Usa, Inc. Integrated circuit package with radio frequency coupling arrangement
US9620841B2 (en) * 2014-06-13 2017-04-11 Nxp Usa, Inc. Radio frequency coupling structure
US10225925B2 (en) 2014-08-29 2019-03-05 Nxp Usa, Inc. Radio frequency coupling and transition structure
US9887449B2 (en) 2014-08-29 2018-02-06 Nxp Usa, Inc. Radio frequency coupling structure and a method of manufacturing thereof
US10847469B2 (en) 2016-04-26 2020-11-24 Cubic Corporation CTE compensation for wafer-level and chip-scale packages and assemblies
CN206976318U (zh) * 2014-11-21 2018-02-06 株式会社村田制作所 模块
EP3224899A4 (en) 2014-12-03 2018-08-22 Nuvotronics, Inc. Systems and methods for manufacturing stacked circuits and transmission lines
JP6657970B2 (ja) * 2016-01-07 2020-03-04 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法、通信装置
US9900985B2 (en) 2016-01-29 2018-02-20 Keysight Technologies, Inc. Three-dimensional interconnect structure adapted for high frequency RF circuits
JP6500859B2 (ja) * 2016-08-22 2019-04-17 株式会社村田製作所 無線モジュール
WO2018125150A1 (en) * 2016-12-29 2018-07-05 Intel Corporation High frequency waveguide structure
TWI651043B (zh) * 2017-09-21 2019-02-11 華碩電腦股份有限公司 信號傳輸組件
US11527696B2 (en) * 2017-10-05 2022-12-13 Google Llc Low footprint resonator in flip chip geometry
US10319654B1 (en) 2017-12-01 2019-06-11 Cubic Corporation Integrated chip scale packages
US11102879B2 (en) 2018-09-20 2021-08-24 International Business Machines Corporation Printed circuit board to dielectric layer transition with controlled impedance and reduced and/or mitigated crosstalk for quantum applications
US20200212536A1 (en) * 2018-12-31 2020-07-02 Texas Instruments Incorporated Wireless communication device with antenna on package
US10681842B1 (en) 2019-02-27 2020-06-09 International Business Machines Corporation Monolithic signal carrier device implemented in cryogenic quantum computing applications
JP7273299B2 (ja) * 2019-07-11 2023-05-15 富士通株式会社 半導体装置、半導体モジュール及び半導体装置の動作方法
US11367948B2 (en) 2019-09-09 2022-06-21 Cubic Corporation Multi-element antenna conformed to a conical surface
TWI733454B (zh) * 2020-05-18 2021-07-11 矽品精密工業股份有限公司 電子裝置、電子封裝件及其封裝基板

Family Cites Families (253)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB693969A (en) 1950-04-18 1953-07-08 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to joints for coaxial cable
US2812501A (en) * 1954-03-04 1957-11-05 Sanders Associates Inc Transmission line
US2914766A (en) * 1955-06-06 1959-11-24 Sanders Associates Inc Three conductor planar antenna
US2997519A (en) 1959-10-08 1961-08-22 Bell Telephone Labor Inc Multicoaxial line cables
US3157847A (en) 1961-07-11 1964-11-17 Robert M Williams Multilayered waveguide circuitry formed by stacking plates having surface grooves
US3335489A (en) 1962-09-24 1967-08-15 North American Aviation Inc Interconnecting circuits with a gallium and indium eutectic
US3311966A (en) 1962-09-24 1967-04-04 North American Aviation Inc Method of fabricating multilayer printed-wiring boards
US3352730A (en) 1964-08-24 1967-11-14 Sanders Associates Inc Method of making multilayer circuit boards
US3309632A (en) 1965-04-13 1967-03-14 Kollmorgen Corp Microwave contactless coaxial connector
US3464855A (en) 1966-09-06 1969-09-02 North American Rockwell Process for forming interconnections in a multilayer circuit board
FR1573432A (ko) 1967-07-06 1969-07-04
US3526867A (en) 1967-07-17 1970-09-01 Keeler Brass Co Interlocking electrical connector
NL141453B (nl) 1967-12-06 1974-03-15 Guala Angelo Spa Sluiting voor een fles.
US3598107A (en) 1968-07-25 1971-08-10 Hamamatsu T V Co Ltd Pupillary motion observing apparatus
US3537043A (en) 1968-08-06 1970-10-27 Us Air Force Lightweight microwave components and wave guides
US3577105A (en) 1969-05-29 1971-05-04 Us Army Method and apparatus for joining plated dielectric-form waveguide components
DE2020173C3 (de) 1970-04-24 1981-01-08 Spinner-Gmbh Elektrotechnische Fabrik, 8000 Muenchen Isolierstützenanordnung in Koaxialleitungen
US3775844A (en) * 1970-06-25 1973-12-04 Bunker Ramo Method of fabricating a multiwafer electrical circuit structure
US3791858A (en) 1971-12-13 1974-02-12 Ibm Method of forming multi-layer circuit panels
DE7221114U (de) 1972-06-06 1972-10-19 Felten & Guilleaume Kabelwerk Luftraumisoliertes koaxiales H.F.Kabel mit gewellten Leitern und einzelnen auf dem Innenleiter angeordneten Abstandhaltern aus Kunststoff
US3884549A (en) 1973-04-30 1975-05-20 Univ California Two demensional distributed feedback devices and lasers
US3925883A (en) 1974-03-22 1975-12-16 Varian Associates Method for making waveguide components
GB1481485A (en) 1975-05-29 1977-07-27 Furukawa Electric Co Ltd Ultra-high-frequency leaky coaxial cable
US4033656A (en) 1975-09-02 1977-07-05 Zero Manufacturing Company Low profile integrated circuit socket
US4021789A (en) 1975-09-29 1977-05-03 International Business Machines Corporation Self-aligned integrated circuits
SE404863B (sv) 1975-12-17 1978-10-30 Perstorp Ab Forfarande vid framstellning av ett flerlagerkort
US4275944A (en) 1979-07-09 1981-06-30 Sochor Jerzy R Miniature connector receptacles employing contacts with bowed tines and parallel mounting arms
JPS5772721U (ko) 1980-10-20 1982-05-04
FR2496996A1 (fr) 1980-12-18 1982-06-25 Thomson Csf Ligne de transmission hyperfrequence, du type triplaque a air et ses utilisations
US4417393A (en) 1981-04-01 1983-11-29 General Electric Company Method of fabricating high density electronic circuits having very narrow conductors
US4365222A (en) 1981-04-06 1982-12-21 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Stripline support assembly
US4348253A (en) 1981-11-12 1982-09-07 Rca Corporation Method for fabricating via holes in a semiconductor wafer
US4591411A (en) 1982-05-05 1986-05-27 Hughes Aircraft Company Method for forming a high density printed wiring board
US4663497A (en) 1982-05-05 1987-05-05 Hughes Aircraft Company High density printed wiring board
US4521755A (en) 1982-06-14 1985-06-04 At&T Bell Laboratories Symmetrical low-loss suspended substrate stripline
US4539534A (en) 1983-02-23 1985-09-03 Hughes Aircraft Company Square conductor coaxial coupler
FR2543746B1 (fr) 1983-03-28 1985-12-27 Commissariat Energie Atomique Microconnecteur a haute densite de contacts
US4641140A (en) 1983-09-26 1987-02-03 Harris Corporation Miniaturized microwave transmission link
US4581301A (en) 1984-04-10 1986-04-08 Michaelson Henry W Additive adhesive based process for the manufacture of printed circuit boards
US4876322A (en) 1984-08-10 1989-10-24 Siemens Aktiengesselschaft Irradiation cross-linkable thermostable polymer system, for microelectronic applications
US4729510A (en) 1984-11-14 1988-03-08 Itt Corporation Coaxial shielded helical delay line and process
US4647878A (en) 1984-11-14 1987-03-03 Itt Corporation Coaxial shielded directional microwave coupler
US4673904A (en) 1984-11-14 1987-06-16 Itt Corporation Micro-coaxial substrate
US4700159A (en) 1985-03-29 1987-10-13 Weinschel Engineering Co., Inc. Support structure for coaxial transmission line using spaced dielectric balls
US4915983A (en) 1985-06-10 1990-04-10 The Foxboro Company Multilayer circuit board fabrication process
US4677393A (en) 1985-10-21 1987-06-30 Rca Corporation Phase-corrected waveguide power combiner/splitter and power amplifier
JPS62215658A (ja) 1986-03-17 1987-09-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 光硬化性オルガノポリシロキサン組成物
DE3623093A1 (de) 1986-07-09 1988-01-21 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zur herstellung von durchverbindungen in leiterplatten oder multilayern mit anorganischen oder organisch-anorganischen isolierschichten
US5069749A (en) 1986-07-29 1991-12-03 Digital Equipment Corporation Method of fabricating interconnect layers on an integrated circuit chip using seed-grown conductors
US4717064A (en) 1986-08-15 1988-01-05 Unisys Corporation Wave solder finger shield apparatus
CA1278080C (en) 1986-08-20 1990-12-18 Yasuo Yamagishi Projection-type multi-color liquid crystal display device
US4771294A (en) 1986-09-10 1988-09-13 Harris Corporation Modular interface for monolithic millimeter wave antenna array
US4857418A (en) 1986-12-08 1989-08-15 Honeywell Inc. Resistive overlayer for magnetic films
FR2619253B1 (fr) 1987-08-03 1990-01-19 Aerospatiale Dispositif pour le raccord de deux structures pour hyperfrequences, coaxiales et de diametres differents
US4880684A (en) 1988-03-11 1989-11-14 International Business Machines Corporation Sealing and stress relief layers and use thereof
DE3812414A1 (de) 1988-04-14 1989-10-26 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum herstellen einer allseitig geschirmten signalleitung
US4808273A (en) 1988-05-10 1989-02-28 Avantek, Inc. Method of forming completely metallized via holes in semiconductors
US4859806A (en) 1988-05-17 1989-08-22 Microelectronics And Computer Technology Corporation Discretionary interconnect
US4856184A (en) 1988-06-06 1989-08-15 Tektronix, Inc. Method of fabricating a circuit board
JPH027587A (ja) 1988-06-27 1990-01-11 Yokogawa Electric Corp 可変周波数光源
FR2640083B1 (fr) 1988-12-06 1991-05-03 Thomson Csf Support pour ligne de transmission hyperfrequence, notamment du type triplaque
US4969979A (en) 1989-05-08 1990-11-13 International Business Machines Corporation Direct electroplating of through holes
US5089880A (en) 1989-06-07 1992-02-18 Amdahl Corporation Pressurized interconnection system for semiconductor chips
US5100501A (en) 1989-06-30 1992-03-31 Texas Instruments Incorporated Process for selectively depositing a metal in vias and contacts by using a sacrificial layer
JP3027587B2 (ja) 1989-11-07 2000-04-04 株式会社リコー ファクシミリ装置
US4975142A (en) 1989-11-07 1990-12-04 General Electric Company Fabrication method for printed circuit board
JPH041710A (ja) 1990-04-19 1992-01-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd レンズ調整装置
DE4027994A1 (de) 1990-09-04 1992-03-05 Gw Elektronik Gmbh Hf-magnetspulenanordnung und verfahren zu ihrer herstellung
GB2249862B (en) 1990-10-01 1994-08-17 Asahi Optical Co Ltd Device and method for retrieving audio signals
EP0485831A1 (de) * 1990-11-13 1992-05-20 F. Hoffmann-La Roche Ag Automatisches Analysengerät
DE69122748T2 (de) 1990-12-26 1997-05-07 Tdk Corp Hochfrequenzvorrichtung
US5312456A (en) 1991-01-31 1994-05-17 Carnegie Mellon University Micromechanical barb and method for making the same
JPH04256203A (ja) 1991-02-07 1992-09-10 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波帯ｉｃ用パッケージ
JP3177746B2 (ja) 1991-03-20 2001-06-18 株式会社日立製作所 デ−タ処理システム及び方法
US5274484A (en) 1991-04-12 1993-12-28 Fujitsu Limited Gradation methods for driving phase transition liquid crystal using a holding signal
US5119049A (en) 1991-04-12 1992-06-02 Ail Systems, Inc. Ultraminiature low loss coaxial delay line
US5381157A (en) 1991-05-02 1995-01-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Monolithic microwave integrated circuit receiving device having a space between antenna element and substrate
US5168348A (en) 1991-07-15 1992-12-01 International Business Machines Corporation Impingment cooled compliant heat sink
US5227013A (en) 1991-07-25 1993-07-13 Microelectronics And Computer Technology Corporation Forming via holes in a multilevel substrate in a single step
US5299939A (en) 1992-03-05 1994-04-05 International Business Machines Corporation Spring array connector
US5213511A (en) 1992-03-27 1993-05-25 Hughes Aircraft Company Dimple interconnect for flat cables and printed wiring boards
DE4309917A1 (de) 1992-03-30 1993-10-07 Awa Microelectronics Verfahren zur Herstellung von Siliziummikrostrukturen sowie Siliziummikrostruktur
US5334956A (en) 1992-03-30 1994-08-02 Motorola, Inc. Coaxial cable having an impedance matched terminating end
JP3158621B2 (ja) 1992-03-31 2001-04-23 横河電機株式会社 マルチチップモジュール
US5430257A (en) 1992-08-12 1995-07-04 Trw Inc. Low stress waveguide window/feedthrough assembly
US5280409A (en) 1992-10-09 1994-01-18 Sun Microsystems, Inc. Heat sink and cover for tab integrated circuits
CN1044306C (zh) * 1993-02-02 1999-07-21 三星电子株式会社 一种含有屏蔽网的电路板装置
US5381596A (en) 1993-02-23 1995-01-17 E-Systems, Inc. Apparatus and method of manufacturing a 3-dimensional waveguide
JPH06302964A (ja) 1993-04-16 1994-10-28 Oki Electric Ind Co Ltd 高速信号伝送用回路基板
US5454161A (en) 1993-04-29 1995-10-03 Fujitsu Limited Through hole interconnect substrate fabrication process
JP3537161B2 (ja) 1993-08-27 2004-06-14 オリンパス株式会社 三次元構造体の製造方法
NL9400165A (nl) 1994-02-03 1995-09-01 Hollandse Signaalapparaten Bv Transmissielijnnetwerk.
JPH07235803A (ja) 1994-02-25 1995-09-05 Nec Corp 同軸形高電力用低域フィルタ
US5466972A (en) 1994-05-09 1995-11-14 At&T Corp. Metallization for polymer-dielectric multichip modules including a Ti/Pd alloy layer
JP3587884B2 (ja) 1994-07-21 2004-11-10 富士通株式会社 多層回路基板の製造方法
US5529504A (en) 1995-04-18 1996-06-25 Hewlett-Packard Company Electrically anisotropic elastomeric structure with mechanical compliance and scrub
US5814889A (en) 1995-06-05 1998-09-29 Harris Corporation Intergrated circuit with coaxial isolation and method
US5682062A (en) 1995-06-05 1997-10-28 Harris Corporation System for interconnecting stacked integrated circuits
US5903059A (en) 1995-11-21 1999-05-11 International Business Machines Corporation Microconnectors
US5633615A (en) 1995-12-26 1997-05-27 Hughes Electronics Vertical right angle solderless interconnects from suspended stripline to three-wire lines on MIC substrates
KR100216839B1 (ko) 1996-04-01 1999-09-01 김규현 Bga 반도체 패키지의 솔더 볼 랜드 메탈 구조
US5712607A (en) 1996-04-12 1998-01-27 Dittmer; Timothy W. Air-dielectric stripline
US5793272A (en) 1996-08-23 1998-08-11 International Business Machines Corporation Integrated circuit toroidal inductor
TW380772U (en) 1996-09-26 2000-01-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Miniature connector
JP3218996B2 (ja) * 1996-11-28 2001-10-15 松下電器産業株式会社 ミリ波導波路
US5860812A (en) 1997-01-23 1999-01-19 Litton Systems, Inc. One piece molded RF/microwave coaxial connector
US7148722B1 (en) 1997-02-20 2006-12-12 Altera Corporation PCI-compatible programmable logic devices
EP1015669B1 (en) 1997-04-04 2010-11-17 University Of Southern California Electroplating method for forming a multilayer structure
US5940674A (en) 1997-04-09 1999-08-17 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional product manufacture using masks
JP3346263B2 (ja) 1997-04-11 2002-11-18 イビデン株式会社 プリント配線板及びその製造方法
US5925206A (en) 1997-04-21 1999-07-20 International Business Machines Corporation Practical method to make blind vias in circuit boards and other substrates
US6180261B1 (en) 1997-10-21 2001-01-30 Nitto Denko Corporation Low thermal expansion circuit board and multilayer wiring circuit board
FI106585B (fi) 1997-10-22 2001-02-28 Nokia Mobile Phones Ltd Koaksiaalijohto, menetelmä koaksiaalijohdon valmistamiseksi ja langaton viestin
US6101705A (en) 1997-11-18 2000-08-15 Raytheon Company Methods of fabricating true-time-delay continuous transverse stub array antennas
US6324754B1 (en) 1998-03-25 2001-12-04 Tessera, Inc. Method for fabricating microelectronic assemblies
US6329605B1 (en) 1998-03-26 2001-12-11 Tessera, Inc. Components with conductive solder mask layers
US6008102A (en) 1998-04-09 1999-12-28 Motorola, Inc. Method of forming a three-dimensional integrated inductor
US5977842A (en) 1998-07-01 1999-11-02 Raytheon Company High power broadband coaxial balun
KR20000011585A (ko) 1998-07-28 2000-02-25 윤덕용 반도체소자및그제조방법
US6514845B1 (en) 1998-10-15 2003-02-04 Texas Instruments Incorporated Solder ball contact and method
US6441315B1 (en) 1998-11-10 2002-08-27 Formfactor, Inc. Contact structures with blades having a wiping motion
US6045973A (en) 1998-12-11 2000-04-04 Morton International, Inc. Photoimageable compositions having improved chemical resistance and stripping ability
KR100308871B1 (ko) 1998-12-28 2001-11-03 윤덕용 동축 구조의 신호선 및 그의 제조 방법
US6388198B1 (en) 1999-03-09 2002-05-14 International Business Machines Corporation Coaxial wiring within SOI semiconductor, PCB to system for high speed operation and signal quality
US6294965B1 (en) 1999-03-11 2001-09-25 Anaren Microwave, Inc. Stripline balun
JP2000286549A (ja) 1999-03-24 2000-10-13 Fujitsu Ltd バイアコネクションを備えた基板の製造方法
US6207901B1 (en) 1999-04-01 2001-03-27 Trw Inc. Low loss thermal block RF cable and method for forming RF cable
US6183268B1 (en) 1999-04-27 2001-02-06 The Whitaker Corporation High-density electrical connectors and electrical receptacle contacts therefor
US6799976B1 (en) 1999-07-28 2004-10-05 Nanonexus, Inc. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
DE60030743T2 (de) 1999-07-12 2007-09-06 Ibiden Co., Ltd., Ogaki Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte
JP2001042150A (ja) 1999-07-30 2001-02-16 Canon Inc 光導波路、その作製方法、およびこれを用いた光インタコネクション装置
US6232669B1 (en) 1999-10-12 2001-05-15 Advantest Corp. Contact structure having silicon finger contactors and total stack-up structure using same
US6210221B1 (en) 1999-10-13 2001-04-03 Maury Microwave, Inc. Microwave quick connect/disconnect coaxial connectors
DE60109339T2 (de) 2000-03-24 2006-01-12 Texas Instruments Incorporated, Dallas Verfahren zum Drahtbonden
US6535088B1 (en) 2000-04-13 2003-03-18 Raytheon Company Suspended transmission line and method
US6384473B1 (en) 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
US6673227B2 (en) 2000-05-29 2004-01-06 Siemens Production & Logistics Systems Ag Process for producing three-dimensional, selectively metallized parts
US6677225B1 (en) 2000-07-14 2004-01-13 Zyvex Corporation System and method for constraining totally released microcomponents
JP4023076B2 (ja) 2000-07-27 2007-12-19 富士通株式会社 表裏導通基板及びその製造方法
US6350633B1 (en) 2000-08-22 2002-02-26 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electroplated contact terminal and connection joint
US6589594B1 (en) 2000-08-31 2003-07-08 Micron Technology, Inc. Method for filling a wafer through-via with a conductive material
US6690081B2 (en) 2000-11-18 2004-02-10 Georgia Tech Research Corporation Compliant wafer-level packaging devices and methods of fabrication
US6603376B1 (en) 2000-12-28 2003-08-05 Nortel Networks Limited Suspended stripline structures to reduce skin effect and dielectric loss to provide low loss transmission of signals with high data rates or high frequencies
US6600395B1 (en) 2000-12-28 2003-07-29 Nortel Networks Limited Embedded shielded stripline (ESS) structure using air channels within the ESS structure
CN1209321C (zh) 2001-02-08 2005-07-06 住友电气工业株式会社 多孔性陶瓷及其制造方法,以及微波传输带基片
KR100368930B1 (ko) 2001-03-29 2003-01-24 한국과학기술원 반도체 기판 위에 높이 떠 있는 3차원 금속 소자, 그 회로모델, 및 그 제조방법
US6722197B2 (en) 2001-06-19 2004-04-20 Honeywell International Inc. Coupled micromachined structure
JP2003032007A (ja) 2001-07-19 2003-01-31 Nippon Dengyo Kosaku Co Ltd 同軸給電管
US6749737B2 (en) 2001-08-10 2004-06-15 Unimicron Taiwan Corp. Method of fabricating inter-layer solid conductive rods
US6457979B1 (en) 2001-10-29 2002-10-01 Agilent Technologies, Inc. Shielded attachment of coaxial RF connector to thick film integrally shielded transmission line on a substrate
JP2005520093A (ja) 2001-11-07 2005-07-07 マグ ウルトラ フェイズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 液体燃料を気化するための燃料気化装置
US6914513B1 (en) 2001-11-08 2005-07-05 Electro-Science Laboratories, Inc. Materials system for low cost, non wire-wound, miniature, multilayer magnetic circuit components
EP1717195B1 (en) 2001-11-09 2011-09-14 WiSpry, Inc. Trilayered beam MEMS switch and related method
US7195989B2 (en) 2003-05-07 2007-03-27 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication methods using transfer plating of masks
US7239219B2 (en) 2001-12-03 2007-07-03 Microfabrica Inc. Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components
AU2002360464A1 (en) * 2001-12-03 2003-06-17 Memgen Corporation Miniature rf and microwave components and methods for fabricating such components
US6710680B2 (en) 2001-12-20 2004-03-23 Motorola, Inc. Reduced size, low loss MEMS torsional hinges and MEMS resonators employing such hinges
US6648653B2 (en) 2002-01-04 2003-11-18 Insert Enterprise Co., Ltd. Super mini coaxial microwave connector
JP3969523B2 (ja) 2002-02-25 2007-09-05 独立行政法人産業技術総合研究所 プリント配線基板の製造方法
US20030221968A1 (en) 2002-03-13 2003-12-04 Memgen Corporation Electrochemical fabrication method and apparatus for producing three-dimensional structures having improved surface finish
WO2003095710A2 (en) 2002-05-07 2003-11-20 Memgen Corporation Methods of and apparatus for electrochemically fabricating structures
WO2003095709A2 (en) 2002-05-07 2003-11-20 Memgen Corporation Multistep release method for electrochemically fabricated structures
US20030236480A1 (en) 2002-06-24 2003-12-25 Landis Robert M. Preformed nasal septum skin barrier device
US6987307B2 (en) 2002-06-26 2006-01-17 Georgia Tech Research Corporation Stand-alone organic-based passive devices
WO2004004061A1 (en) 2002-06-27 2004-01-08 Memgen Corporation Miniature rf and microwave components and methods for fabricating such components
US6696666B2 (en) 2002-07-03 2004-02-24 Scimed Life Systems, Inc. Tubular cutting process and system
US6735009B2 (en) 2002-07-16 2004-05-11 Motorola, Inc. Electroptic device
WO2004013870A1 (ja) 2002-08-06 2004-02-12 Ube-Nitto Kasei Co., Ltd. 細径同軸ケーブルおよびその製造方法
US6827608B2 (en) 2002-08-22 2004-12-07 Corning Gilbert Inc. High frequency, blind mate, coaxial interconnect
US6992544B2 (en) * 2002-10-10 2006-01-31 Agilent Technologies, Inc. Shielded surface mount coaxial connector
US20050250253A1 (en) 2002-10-23 2005-11-10 Cheung Kin P Processes for hermetically packaging wafer level microscopic structures
JP2004200227A (ja) 2002-12-16 2004-07-15 Alps Electric Co Ltd プリントインダクタ
US6888427B2 (en) 2003-01-13 2005-05-03 Xandex, Inc. Flex-circuit-based high speed transmission line
US6975267B2 (en) 2003-02-05 2005-12-13 Northrop Grumman Corporation Low profile active electronically scanned antenna (AESA) for Ka-band radar systems
TWI238513B (en) * 2003-03-04 2005-08-21 Rohm & Haas Elect Mat Coaxial waveguide microstructures and methods of formation thereof
US7288723B2 (en) 2003-04-02 2007-10-30 Sun Microsystems, Inc. Circuit board including isolated signal transmission channels
US7628617B2 (en) 2003-06-11 2009-12-08 Neoconix, Inc. Structure and process for a contact grid array formed in a circuitized substrate
US6923249B1 (en) 2003-05-15 2005-08-02 Lockheed Martin Corporation Passive thermal control system
TWI244799B (en) 2003-06-06 2005-12-01 Microfabrica Inc Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components
KR100579211B1 (ko) 2003-06-30 2006-05-11 엔드웨이브 코포레이션 전송 선로 방위 트랜지션
US6915054B2 (en) 2003-07-15 2005-07-05 Agilent Technologies, Inc. Methods for producing waveguides
TWI234258B (en) 2003-08-01 2005-06-11 Advanced Semiconductor Eng Substrate with reinforced structure of contact pad
US7612443B1 (en) 2003-09-04 2009-11-03 University Of Notre Dame Du Lac Inter-chip communication
EP1515364B1 (en) 2003-09-15 2016-04-13 Nuvotronics, LLC Device package and methods for the fabrication and testing thereof
KR100538470B1 (ko) * 2003-09-15 2005-12-23 한국과학기술원 유전체 박막을 이용한 동축선 구조의 전송선 시스템, 그제조 방법 및 그를 이용한 패키지 방법
KR100555680B1 (ko) 2003-12-17 2006-03-03 삼성전자주식회사 높이 단차를 가지는 금속 구조물의 제조방법
US7116190B2 (en) 2003-12-24 2006-10-03 Molex Incorporated Slot transmission line patch connector
US20050156693A1 (en) 2004-01-20 2005-07-21 Dove Lewis R. Quasi-coax transmission lines
US7645940B2 (en) 2004-02-06 2010-01-12 Solectron Corporation Substrate with via and pad structures
US7030712B2 (en) 2004-03-01 2006-04-18 Belair Networks Inc. Radio frequency (RF) circuit board topology
WO2005091998A2 (en) 2004-03-19 2005-10-06 Neoconix, Inc. Electrical connector in a flexible host
US7005371B2 (en) 2004-04-29 2006-02-28 International Business Machines Corporation Method of forming suspended transmission line structures in back end of line processing
US7748440B2 (en) 2004-06-01 2010-07-06 International Business Machines Corporation Patterned structure for a thermal interface
US7128604B2 (en) 2004-06-14 2006-10-31 Corning Gilbert Inc. High power coaxial interconnect
US6971913B1 (en) 2004-07-01 2005-12-06 Speed Tech Corp. Micro coaxial connector
TWI237886B (en) 2004-07-06 2005-08-11 Himax Tech Inc Bonding pad and chip structure
US7084722B2 (en) 2004-07-22 2006-08-01 Northrop Grumman Corp. Switched filterbank and method of making the same
US7077697B2 (en) 2004-09-09 2006-07-18 Corning Gilbert Inc. Snap-in float-mount electrical connector
US7165974B2 (en) 2004-10-14 2007-01-23 Corning Gilbert Inc. Multiple-position push-on electrical connector
TWI287634B (en) 2004-12-31 2007-10-01 Wen-Chang Dung Micro-electromechanical probe circuit film, method for making the same and applications thereof
US7217156B2 (en) 2005-01-19 2007-05-15 Insert Enterprise Co., Ltd. RF microwave connector for telecommunication
JP4715231B2 (ja) 2005-02-22 2011-07-06 日本電気株式会社 ヒートシンクの実装構造
US7555309B2 (en) 2005-04-15 2009-06-30 Evertz Microsystems Ltd. Radio frequency router
US7615476B2 (en) 2005-06-30 2009-11-10 Intel Corporation Electromigration-resistant and compliant wire interconnects, nano-sized solder compositions, systems made thereof, and methods of assembling soldered packages
USD530674S1 (en) 2005-08-11 2006-10-24 Hon Hai Precision Ind. Co., Ltd. Micro coaxial connector
JP2007115771A (ja) 2005-10-18 2007-05-10 Nec System Technologies Ltd Ｌｓｉピン
JP4527646B2 (ja) * 2005-10-19 2010-08-18 日本電気株式会社 電子装置
US7658831B2 (en) 2005-12-21 2010-02-09 Formfactor, Inc Three dimensional microstructures and methods for making three dimensional microstructures
US7907044B2 (en) 2006-01-31 2011-03-15 Hitachi Metals, Ltd. Laminate device and module comprising same
JP4901253B2 (ja) 2006-03-20 2012-03-21 独立行政法人理化学研究所 ３次元金属微細構造体の製造方法
EP1939137B1 (en) * 2006-12-30 2016-08-24 Nuvotronics, LLC Three-dimensional microstructures and methods of formation thereof
KR20080063217A (ko) * 2006-12-30 2008-07-03 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. 3차원 미세구조 및 그 형성방법
JP2008188754A (ja) * 2006-12-30 2008-08-21 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 三次元微細構造体およびその形成方法
JP2008211159A (ja) 2007-01-30 2008-09-11 Kyocera Corp 配線基板およびそれを用いた電子装置
US7532163B2 (en) 2007-02-13 2009-05-12 Raytheon Company Conformal electronically scanned phased array antenna and communication system for helmets and other platforms
US7755174B2 (en) 2007-03-20 2010-07-13 Nuvotonics, LLC Integrated electronic components and methods of formation thereof
KR101472134B1 (ko) * 2007-03-20 2014-12-15 누보트로닉스, 엘.엘.씨 동축 전송선 마이크로구조물 및 그의 형성방법
US7683842B1 (en) 2007-05-30 2010-03-23 Advanced Testing Technologies, Inc. Distributed built-in test and performance monitoring system for electronic surveillance
US20090004385A1 (en) 2007-06-29 2009-01-01 Blackwell James M Copper precursors for deposition processes
EP2188114B1 (en) 2007-07-25 2018-09-12 Stratasys Ltd. Solid freeform fabrication using a plurality of modeling materials
WO2009029768A2 (en) 2007-08-29 2009-03-05 Skyworks Solutions, Inc. Balun signal splitter
US7920042B2 (en) 2007-09-10 2011-04-05 Enpirion, Inc. Micromagnetic device and method of forming the same
US7741853B2 (en) 2007-09-28 2010-06-22 Rockwell Automation Technologies, Inc. Differential-mode-current-sensing method and apparatus
US7584533B2 (en) 2007-10-10 2009-09-08 National Semiconductor Corporation Method of fabricating an inductor structure on an integrated circuit structure
TWI358799B (en) 2007-11-26 2012-02-21 Unimicron Technology Corp Semiconductor package substrate and method of form
US8188932B2 (en) 2007-12-12 2012-05-29 The Boeing Company Phased array antenna with lattice transformation
JP4506824B2 (ja) 2007-12-13 2010-07-21 富士ゼロックス株式会社 回収現像剤搬送装置および画像形成装置
US8242593B2 (en) 2008-01-27 2012-08-14 International Business Machines Corporation Clustered stacked vias for reliable electronic substrates
US7619441B1 (en) 2008-03-03 2009-11-17 Xilinx, Inc. Apparatus for interconnecting stacked dice on a programmable integrated circuit
US7575474B1 (en) 2008-06-10 2009-08-18 Harris Corporation Surface mount right angle connector including strain relief and associated methods
US8319344B2 (en) 2008-07-14 2012-11-27 Infineon Technologies Ag Electrical device with protruding contact elements and overhang regions over a cavity
EP2319134A1 (en) 2008-07-15 2011-05-11 Corning Gilbert Inc. Low-profile mounted push-on connector
CN102164734B (zh) 2008-07-25 2014-06-11 康奈尔大学 用于数字化制造的装置和方法
TWI393490B (zh) 2008-12-31 2013-04-11 Ind Tech Res Inst 多組同軸導線於基材之單一通孔中之結構與其製作方法
US9190201B2 (en) 2009-03-04 2015-11-17 Qualcomm Incorporated Magnetic film enhanced inductor
US8207261B2 (en) 2009-03-25 2012-06-26 E.I. Du Pont De Nemours And Company Plastic articles, optionally with partial metal coating
EP2244291A1 (en) 2009-04-20 2010-10-27 Nxp B.V. Multilevel interconnection system
JP4948574B2 (ja) * 2009-07-24 2012-06-06 株式会社デンソー カードエッジコネクタ及びその組付方法
US20110123783A1 (en) * 2009-11-23 2011-05-26 David Sherrer Multilayer build processses and devices thereof
JP5639194B2 (ja) * 2010-01-22 2014-12-10 ヌボトロニクス，エルエルシー 熱制御
US8917150B2 (en) * 2010-01-22 2014-12-23 Nuvotronics, Llc Waveguide balun having waveguide structures disposed over a ground plane and having probes located in channels
TWM389380U (en) 2010-05-19 2010-09-21 Advanced Connectek Inc Miniature high frequency plug connector
FR2965063B1 (fr) 2010-09-21 2012-10-12 Thales Sa Procede pour allonger le temps d'eclairement de cibles par un radar secondaire
US8693203B2 (en) 2011-01-14 2014-04-08 Harris Corporation Method of making an electronic device having a liquid crystal polymer solder mask laminated to an interconnect layer stack and related devices
US8866300B1 (en) 2011-06-05 2014-10-21 Nuvotronics, Llc Devices and methods for solder flow control in three-dimensional microstructures
US8814601B1 (en) 2011-06-06 2014-08-26 Nuvotronics, Llc Batch fabricated microconnectors
US8786515B2 (en) 2011-08-30 2014-07-22 Harris Corporation Phased array antenna module and method of making same
US8641428B2 (en) 2011-12-02 2014-02-04 Neoconix, Inc. Electrical connector and method of making it
US9325044B2 (en) 2013-01-26 2016-04-26 Nuvotronics, Inc. Multi-layer digital elliptic filter and method
US8946894B2 (en) 2013-02-18 2015-02-03 Triquint Semiconductor, Inc. Package for high-power semiconductor devices
US9306254B1 (en) 2013-03-15 2016-04-05 Nuvotronics, Inc. Substrate-free mechanical interconnection of electronic sub-systems using a spring configuration
KR20150075347A (ko) 2013-12-25 2015-07-03 가부시끼가이샤 도시바 반도체 패키지, 반도체 모듈 및 반도체 디바이스
US9778314B2 (en) 2014-08-25 2017-10-03 Teradyne, Inc. Capacitive opens testing of low profile components

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008306701A (ja) 2008-12-18
KR101593686B1 (ko) 2016-02-12
US20080240656A1 (en) 2008-10-02
EP3104450A2 (en) 2016-12-14
US20130285218A1 (en) 2013-10-31
US20150228554A1 (en) 2015-08-13
US20100296252A1 (en) 2010-11-25
US10431521B2 (en) 2019-10-01
EP3104450A3 (en) 2016-12-28
KR101609472B1 (ko) 2016-04-05
US10002818B2 (en) 2018-06-19
EP1973190A1 (en) 2008-09-24
US20180082923A1 (en) 2018-03-22
US7755174B2 (en) 2010-07-13
KR20080085792A (ko) 2008-09-24
US9024417B2 (en) 2015-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101609472B1 (ko) 일체화된 전자 요소들 및 이들의 형성 방법
US10135109B2 (en) Method of forming a coaxial line microstructure having an enlarged region on a substrate and removing the coaxial line microstructure from the substrate for mounting on a mounting substrate
US10074885B2 (en) Coaxial waveguide microstructures having conductors formed by plural conductive layers

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190225

Year of fee payment: 4