DE4309917A1 - Verfahren zur Herstellung von Siliziummikrostrukturen sowie Siliziummikrostruktur - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Siliziummikrostrukturen sowie Siliziummikrostruktur

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DE4309917A1
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Witold Wiszniewski
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Siliziummikrostrukturen und insbesondere zur Herstellung von Siliziumwandlern, sowie derartige Siliziummikrostruk­ turen.
Die Herstellung von Siliziummikrostrukturen ist bekannt. Bei einer bekannten Anwendung, z. B. bei einem Infrarot- Detektor, wird Infrarot-Strahlung von einem Sensor absor­ biert und produziert Wärme, welche die Sensortemperatur steigen läßt. Um einen maximalen Temperaturanstieg zu er­ reichen, muß der Sensor thermisch von seiner Umgebung iso­ liert werden. Sensoren, die von der IC-Technologie Gebrauch machen, weisen mikromechanische Strukturen auf, wie Balken, Auskragungen oder Membranen, welche eine verbesserte ther­ mische Isolierung für einen auf einer Struktur angeordneten Sensor bereitstellen.
Konventionelle mikroelektronische Herstellungstechniken, welche auf einem Siliziumsubstrat angeordnetes polykristal­ lines oder amorphes Silizium gebrauchen, führen zu Balken mit geringer mechanischer Festigkeit. Außerdem verhindert eine polykristalline Struktur die Einbringung von aktiven Bestandteilen in den Balken. Eine monokristalline Mikro­ struktur wäre deshalb wegen ihrer deutlich besseren mecha­ nischen Eigenschaften sehr wünschenswert und deshalb, weil diese es erlauben würde, aktive Komponenten einzuschließen, um ihre Antwort auf spezifische Anregungen zuschneiden zu können.
Ein geeignetes Ausgangsmaterial für die Herstellung von monokristallinen Mikrostrukturen ist die sogenannte SIMOX- Platte. Der Ausdruck SIMOX steht für Trennung durch implan­ tierten Sauerstoff (Separation by IMplanted OXygen) und leitet sich aus der bekannten Technik einer tiefen Implan­ tierung von Sauerstoffionen in ein Siliziumsubstrat ab, um eine Oxidschicht zu bilden, welche das Substrat von einer oberen Siliziumschicht trennt und gleichzeitig die monokri­ stalline Form der Siliziumschicht schützt.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Her­ stellungsverfahren zur Herstellung monokristalliner Sili­ ziummikrostrukturen anzugeben, welches die Nachteile des Standes der Technik vermeidet.
Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren der eingangs be­ zeichneten Art erfindungsgemäß durch folgende Schritte ge­ löst:
  • - Bilden von Isolierungsbereichen in einer Siliziumplatte mit einem Substrat und einer monokristallienen Sili­ ziumschicht, die durch eine eingeschlossene Sili­ ziumdioxidschicht getrennt sind, wobei die Isolierungs­ bereiche in der Siliziumschicht angeordnet sind;
  • - Anordnen einer Siliziumnitridschicht auf der Silizium­ schicht der Platte;
  • - Öffnen erster Kontaktfenster durch die Siliziumnitrid­ schicht, um eine elektrische Verbindung zur Silizium­ schicht zu ermöglichen;
  • - Anordnen und Figurieren einer ersten Metallschicht, um eine elektrische Verbindung zur Siliziumschicht herzu­ stellen;
  • - Abätzen der Siliziumnitridschicht und der Silizium­ schicht, um einen Zugang zur eingeschlossenen Silizium­ dioxidschicht herzustellen; und
  • - Abätzen der eingeschlossenen Siliziumdioxidschicht, um eine selbsttragende aus monokristallinem Silizium und Siliziumnitrid bestehende Siliziummikrostruktur zu er­ halten.
Vorzugsweise wird wenigstens ein Paar von Ausnehmungen durch die Siliziumnitrid und die Siliziumschicht geätzt und anschließend wird die Siliziumdioxidschicht zwischen dem oder jedem Paar von Ausnehmungen derart geätzt, daß der oder jede selbsttragende Siliziummikrostruktur einen Balken bildet.
Vorzugsweise ist auch vorgesehen, daß zwischen den Schrit­ ten des Bildens der Isolierungsbereiche in der Silizium­ schicht und des Anordnens der Siliziumnitridschicht die Platte abgekühlt wird.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung wird die Silizium­ schicht und die Siliziumnitridschicht durch eine dünne Si­ liziumdioxidschicht getrennt. Besonders vorzugsweise wird eine geeignete Tränkung der Siliziumschicht und/oder des Substrates durchgeführt, um die nachfolgende Bildung der aktiven Komponenten in der Siliziumschicht und/oder dem Substrat zu erleichtern. Ganz besonders vorteilhaft werden solche Komponenten ausgewählt aus: p-n-Verbindungen MOS- Transistoren und bipolaren Transistoren.
Zur Lösung der eingangs gestellten Aufgabe sieht die Erfin­ dung auch eine Siliziummikrostruktur vor, die aus einer Si­ liziumplatte gebildet ist mit einem Substrat und einer mo­ nokristallinen Siliziumschicht, die durch eine eingeschlos­ sene Siliziumdioxidschicht getrennt sind, welche einen Hohlraum einschließt, wobei die Mikrostruktur einen zusam­ mengesetzten Balken einschließt, der diesen Hohlraum über­ spannt und benachbarte Silizium und Siliziumnitridschichten aufweist, wobei der Balken selbsttragend ist.
Vorzugsweise erstreckt sich der Balken in Längsrichtung über den Hohlraum zwischen zwei Enden und hat eine Quer­ breite, die geringer ist, als die Querbreite des Hohlrau­ mes.
Besonders bevorzugt sind die Enden des Balkens jeweils mit­ tels Kontakten elektrisch zugänglich.
In weiterer vorteilhafter Ausgestaltung schließt der Balken getränkte Bereiche innerhalb der Siliziumschicht zur Bil­ dung wenigstens einer aktiven Komponente ein, welche ausge­ wählt ist aus: p-n-Verbindungsdioden MOS-Transistoren und bipolaren Transistoren. Besonders bevorzugt kann eine Span­ nung an das Substrat angelegt werden, um die elektrischen Eigenschaften des Balkens zu verändern.
Die Erfindung ist nachstehend anhand der Zeichnung bei­ spielsweise näher erläutert. Diese zeigt in
Fig. 1 einen Querschnitt einer SIMOX-Platte,
Fig. 2 in einem Querschnitt einen einfachen Silizium­ balken, hergestellt durch selektive Abtrennung des SIMOX-Oxids von der Platte nach Fig. 1,
Fig. 3 einen Querschnitt eines zusammengesetzten Silizium­ und Siliziumnitridbalkens gemäß der Erfindung,
Fig. 4 in Draufsicht ein Thermoelement, hergestellt nach einer ersten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 5 ein Mehrfachthermoelementfeld, hergestellt nach einer ersten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 6 im Querschnitt eine SIMOX-Platte mit einem Ionimplantat zur Bildung von Isolierungsbereichen in der Siliziumschicht und Anordnung einer Sili­ ziumnitridschicht,
Fig. 7 die SIMOX-Platte nach Fig. 6 im Querschnitt nach einer ersten Kontaktätzung und einer ersten Metall­ anordnung,
Fig. 8 die SIMOX-Platte nach Fig. 6 in einem weiteren Quer­ schnitt nach einer zweiten Kontaktätzung und zwei­ ten und dritten Metallanordnungen,
Fig. 9 die Platte nach Fig. 6 in einem weiteren Quer­ schnitt nach dem Öffnen der Ätzausnehmungen,
Fig. 10 die Platte nach Fig. 6 und 9 nach der Endätzung,
Fig. 11 und 12 jeweils im Querschnitt einen Lichtmodulator, hergestellt nach einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 13 im Querschnitt eines p-n-Diodeninfrarot-Detektors, hergestellt nach der Erfindung und
Fig. 14 im Querschnitt einen MOS-Transistor-Sensor, eben­ falls nach der Erfindung hergestellt.
In Fig. 1 ist ein Querschnitt durch eine SIMOX-Platte mit einem Substrat 1 einer SIMOX-Siliziumdioxidschicht 2 und einer monokristallinen SIMOX-Siliziumschicht 3 dargestellt.
Ein monokristalliner Balken 4 kann in einer derartigen Platte durch selektives Ätzen der SIMOX-Dioxidschicht 2 er­ reicht werden, wie dies Fig. 2 zeigt, aber dies führt noch nicht zu einer ausreichenden mechanischen Festigkeit für viele Anwendungen. Um die Festigkeit des Balkens 4 zu ver­ größern, wird eine zusätzliche Siliziumnitridschicht 5 auf der SIMOX-Siliziumschicht 3 angeordnet, wie am besten aus Fig. 3 hervorgeht. Der resultierende zusammengesetzte Bal­ ken ist fester und ist nicht leicht deformierbar. In ande­ ren Ausführungsformen sind die Schichten 3 und 5 durch eine dünne Zwischensiliziumdioxidschicht getrennt, was nicht dargestellt ist.
Zusammengesetzte Balken können mit einer Dicke zwischen 0,1 und 1 µm und einer Länge von wenigstens 100 µm hergestellt werden. Diese Werte sind durch andere bekannte Herstel­ lungsverfahren nicht erreichbar. Siliziumbalken, die nach bekannten Herstellungsverfahren produziert werden, zerbre­ chen bereits auf dem Substrat, wenn sie mit der Hälfte die­ ser Länge hergestellt werden. Es sei darauf hingewiesen, daß auch Balken mit einer kürzeren Ausdehnung ebenfalls er­ findungsgemäß hergestellt werden können.
In einer ersten vorzugsweisen Ausführungsform der Erfin­ dung, nämlich der eines thermischen Infrarotdetektors, wird ein Thermoelement 29, das in Fig. 4 gezeigt ist, mit einer SIMOX-Siliziumschicht 30 als erster Thermoelementschenkel und einer ultradünnen Platinschicht 16 als zweiter Schenkel gebildet. Die heiße Verbindung 10 des Thermoelementes ist nahe der Mitte des Balkens 4 zur thermischen Isolierung an­ geordnet und die kalte Verbindung 11 ist innerhalb des Si­ liziumkörpers benachbart zum Balken angeordnet. Das Platin 16 wirkt neben seiner Funktion als zweiter Thermoelement­ schenkel als Absorptionsschicht für Infrarotstrahlung.
Das Ausgangsmaterial der Erfindung ist die SIMOX-platte nach Fig. 1. In den ersten Verfahrensschritten werden p+- und n+-Isolierungsbereiche (nicht dargestellt) in dem SIMOX-Silizium mittels Ionenimplantation gebildet. Phosphor wird als Geberbegleitstoff und Bor als Nehmerbegleitstoff verwendet. Nach einer Hochtemperaturabkühlung wird eine Si­ liziumnitridschicht 5 mittels chemischer Druckanordnungs­ techniken mit geringem Druck (by low pressure chemical vapour deposition, LPCVD) angeordnet. Ein Querschnitt einer SIMOX-Platte nach dieser Herstellungstufe ist in Fig. 6 dargestellt. In dieser Fig. trägt ein Siliziumsubstrat 1 eine SIMOX-Oxidschicht 2 und eine SIMOX-Siliziumschicht 3, welche in p+-Bereiche und n+-Bereiche 3a und 3b getrennt ist. Oberhalb der Schicht 3 ist eine Siliziumnitridschicht 5 angeordnet.
Die Herstellung wird fortgeführt mit einer ersten Kontakt­ ätzung, beispielsweise mittels Plasmaätzverfahren, welche erste Kontaktfenster durch die Siliziumnitridschicht 5 bil­ det, um einen Ort für erste Kontakte 13 zur Verfügung zu stellen. Dem Ätzvorgang folgt eine Aluminiumanordnung und eine weitere Plasmaätzung. Diese Schritte schaffen eine erste Metallschicht 4 als Austrittsverbindung des thermi­ schen Infrarot-Detektors. Ein Querschnitt einer der ersten Kontakte 13 ist in Fig. 7 dargestellt. Eine Draufsicht auf beide Kontakte ist in Fig. 4 gezeigt.
Im nächsten Schritt werden zweite Kontakte 15 in ähnlicher Weise geöffnet. Die zweiten Kontakte bilden die heißen und kalten Verbindungen 10 und 11 des Thermoelementes, das in Fig. 4 dargestellt ist. Dieses Mal jedoch wird Platin als zweite Metallschicht angeordnet, und zwar mittels Abhebe­ techniken (lift-off techniques). Da die Platinschicht sehr dünn, z. B. 50 Ångström ist, wird eine dritte Metallschicht 17 in und um den zweiten Kontakt auf der zweiten Metall­ schicht benötigt. Dies stellt eine ausreichende Metallkon­ tinuität über den Kontaktecken sicher. Titan wird für diese dritte Metallschicht 17 verwendet und wird auch durch Abhe­ beverfahren figuriert. Der Querschnitt einer der zweiten Kontakte 15 gemäß Fig. 4 ist in Fig. 8 dargestellt.
Der nächste Verfahrensschritt besteht im Öffnen der Ätzaus­ nehmungen 18 durch Plasmaätzen. Fig. 9 zeigt einen Quer­ schnitt eines zusammengesetzten Siliziumbalkens, welcher in Übereinstimmung mit den vorbeschriebenen Verfahrensschrit­ ten hergestellt worden ist, bevor die eingeschlossene SIMOX-Oxidschicht 2 entfernt worden ist.
Der letzte Verfahrensschritt ist deshalb das abschließende Ätzen, welches bereichsweise wenigstens im wesentlichen alle SIMOX-Oxidschichten unterhalb des Balkens zum Hinter­ lassen einer selbsttragenden Struktur entfernt. Der letzte Ätzschritt wird in einer flüssigen Lösung einer Wasserstoff und Fluor enthaltenen Säure ausgeführt. Ein bereichsweiser Querschnitt des fertigen Thermodetektors ist in Fig. 10 ge­ zeigt.
Ein Thermodetektor kann ein oder mehrere Thermoelemente aufweisen. Fig. 5 zeigt einen Mehrfachthermoelementdetektor oder eine Thermosäule. Jeder Balken 4 der Thermosäule schließt zwei Thermoelemente 19a, 19b ein, jeweils eines an jedem Ende des Balkens. Wiederum sind die heißen Verbin­ dungen 31 jedes Thermoelementes in der Mitte des Balkens angeordnet. Die Thermoelemente sind zur Bildung eines Fel­ des in Reihe miteinander verbunden. Es ist selbstverständ­ lich, daß jedes Feld je nach den Anforderungen mehr oder weniger Thermoelemente aufweisen kann.
Eine zweite bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist diejenige eines Lichtmodulators 60, in welchem der zusam­ mengesetzte Balken 62 mit einer monokristallinen Sili­ ziumschicht 63 und einer Siliziumnitridschicht 64 von einer geätzten SIMOX-Siliziumdioxidschicht 61 getragen ist und für einen elektrostatischen Ausschlag geeignet ist, um die Balkentrennung vom Substrat 65 zu variieren. Solch ein Mo­ dulator ist am besten in den Fig. 11 und 12 dargestellt.
Es ist bekannt, daß die Veränderung der Dicke eines Sili­ ziumdioxids auf der Oberseite einer Siliziumplatte Inter­ ferenzmuster erzeugt, was dazu führt, daß Licht in ver­ schiedenen Farben reflektiert wird. Die sichtbare Verfär­ bung von Bereichen von Feldern "blanken" Siliziums wird oft beobachtet, am klarsten durch ein Mikroskop. Dieser Effekt ist nicht zu verwechseln mit der Diffraktion des Lichtes durch regelmäßige Muster kleiner Strukturen, die ebenfalls Stand der Technik ist.
Der erste erwähnte Effekt wird durch die konstruktive In­ terferenz einiger Lichtwellenlängen und die destruktive In­ terferenz anderer Wellenlängen verursacht, wenn einfallen­ des Licht durch die Siliziumdioxidschicht tritt und von der darunterliegenden Siliziumoberfläche reflektiert wird.
Derselbe Effekt wird vorteilhaft für die zweite bevorzugte Ausführungsform der Erfindung benutzt, derart, daß einfal­ lendes Licht durch den im wesentlichen transparenten zu­ sammengesetzten Silizium/Siliziumnitridbalken 62 und den Hohlraum 66 unterhalb tritt, um vom Substrat reflektiert zu werden. Wenn der Balken zum Ablenken ausgebildet ist, kann seine Trennung vom Substrat und die Lichtwellenlänge, bei der die gewünschte Interferenz auftritt, verändert werden.
Wenn das einfallende Licht monochromatisch ist und von ei­ ner geeigneten Wellenlänge, kann die Erfindung gemäß dieser Ausführungsform weiterhin gebraucht werden, um die Inten­ sität des reflektierten Lichts zu modulieren und um als optischer Schalter zu dienen.
Die Fig. 11 und 12 zeigen solch einen Lichtmodulator mit einem Balken in einem unabgelenkten und in einem abgelenk­ ten Zustand. Das Siliziumsubstrat 65 ist mit einer Alumi­ niumrückelektrode 67 versehen, um ein Potential zwischen dem Substrat und dem Siliziumbalken entstehen zu lassen. Wiederum stellt eine Siliziumnitridschicht 64 die struktu­ relle Festigkeit her. Kontaktlöcher 21 und Aluminiumverbin­ dungen 22 ermöglichen das Anlegen einer Modulationsspan­ nung, wie in Fig. 12 gezeigt.
Das Herstellungsverfahren entspricht demjenigen der vorbe­ schriebenen Ausführungsform, mit der Ausnahme, daß nur Alu­ minium als Metallschicht verwendet wird.
Es ist selbstverständlich, daß der Balken 62 nicht die Form eines rechteckigen Prismas aufweisen muß, wie dies in den Fig. 4 und 5 dargestellt ist. In der Tat kann dieser Balken unterschiedliche Querschnittsgestaltungen aufweisen, so daß z. B. nach der zweiten vorzugsweisen Ausführungsform Inter­ ferenzeffekte über eine größere Fläche sichtbar sind.
Mit Bezugnahme auf Fig. 13 ist ein Querschnitt einer drit­ ten vorzugsweisen Ausführungsform der Erfindung dargestellt und schließt einen Infrarotdetektor 33 ein, der auf einer thermisch isolierenden p-n-Diode 34 basiert. Der Detektor 33 weist eine Basis auf, die vom Substrat 35 gebildet ist und eine zusätzliche SIMOX-Siliziumdioxidschicht 36 und eine monokristalline SIMOX-Siliziumschicht 37. Eine Sili­ ziumnitridschicht 38 ist auf der Schicht 37 gebildet und, wie vorbeschrieben, wird eine Ätzung der Schicht 36 durch­ geführt, um einen selbsttragenden Balken aus den Schichten 37 und 38 zur Verfügung zu stellen.
Um die p-n-Verbindung zu erreichen, wird zusätzlich die Schicht 37 geeignet getränkt, um einen p+ -Siliziumbereich 40 und einen n+ -Siliziumbereich 41 und einen mittleren n- Siliziumbereich 42 zu bilden. Beide Bereiche 40 und 41 kön­ nen mit anderen Komponenten mittels Metallisierungen 43 und 44 elektrisch verbunden werden, die durch die Schicht 38 gebildet werden. Eine dünne Platinschicht 45 wird auf der Schicht 38 angeordnet und dient als Infrarotabsorber.
Diese Form eines Infrarotsensors ist wegen der leicht ge­ tränkten n-Region 42 empfindlicher als das vorbeschriebene Thermoelement. Das bedeutet, daß der thermoelektrische Effekt viel größer als bei den p+ und Metallverbindungen bei einem Thermoelement ist. Weiterhin erlaubt die direkte Absorption von Infrarotstrahlung in der Abreicherungs­ schicht (depletion layer) der p-n-Verbindung, dem Detektor 33 sowohl als Thermo- als auch als Quantendetektor zu die­ nen.
Der Detektor ist vorzugsweise so angeordnet, daß die p-n- Verbindung im Zentrum des Balkens angeordnet ist, um eine maximal mögliche thermische Isolierung bereitzustellen.
Nachfolgend wird auf die Fig. 14 Bezug genommen, wo ein Querschnitt eines MOS-Transistors 47 gezeigt ist, der in Übereinstimmung mit der Erfindung ausgebildet ist und nach­ folgend als SMOS-Transistor bezeichnet wird. Der Transistor 47 schließt ein Siliziumsubstrat 48, eine geätzte SIMOX-Si­ liziumdioxidschicht 49, eine getränkte SIMOX-Silizium­ schicht 50 mit zwei voneinander getrennten p+ Bereichen 51 und einem n Zwischenbereich 52 und eine Siliziumnitrid­ schicht 53 ein. Der Transistor 47 wird erfindungsgemäß her­ gestellt und die Schicht 50 und die Siliziumnitridschicht 53 bilden einen zusammengesetzten Balken, welcher räumlich von der darunter angeordneten Substratschicht durch die un­ geätzten Bereiche der Schicht 49 getrennt ist.
Metallisierungen 54 und 55 bilden eine Quelle und einen Zu­ führungskontakt, während eine Aluminiummetallisierung 56 auf dem Substrat 48 einen Torkontakt (gate) bildet.
Der Transistor 47 wird eingesetzt, um selektiv eine Anzahl von Parametern, wie Vibration, Temperatur, Infrarotbestrah­ lung, Beschleunigung oder angelegte Spannung zu messen. Dies ist abhängig vom Hohlraum 57 zwischen dem Substrat 48 und der Schicht 50, welche analog zu der Siliziumdioxid­ schicht in einem bekannten MOS-Transistor ist. Das bedeu­ tet, daß die Substratspannung fähig ist, die Konduktivität der Schicht 50 zu modulieren.
Der SMOS-Transistor kann ein n-Kanal oder ein p-Kanal sein, wie erforderlich.
Obwohl die vorbeschriebenen Ausführungsformen nur mit dem Einschluß einer einzigen aktiven Komponente beschrieben worden sind, kann selbstverständlich eine Mehrzahl derarti­ ger aktiver Komponenten auf einem einzelnen Balken vorge­ sehen sein, wenn dies erforderlich ist.
Wo die thermischen Isolierungseigenschaften des Balkens an erster Stelle stehen, wird der Hohlraum in der geätzten Oxidschicht unter Vakuum versiegelt, um die thermische Kon­ duktivität des Hohlraumes zu minimieren.
Obwohl Bezug genommen worden ist auf spezielle Beispiele von Siliziumwandlern, ist es selbstverständlich, daß die Erfindung nicht auf diese speziellen Ausführungsbeispiele begrenzt ist, sondern vielmehr deren Varianten einschließt.

Claims (15)

1. Verfahren zur Herstellung monokristalliner Siliziumstruk­ turen mit folgenden Schritten:
  • - Bilden von Isolierungsbereichen in einer Siliziumplatte mit einem Substrat und einer monokristallinen Silizium­ schicht, die durch eine eingeschlossene Siliziumdioxid­ schicht getrennt sind, wobei die Isolierungsbereiche in der Siliziumschicht angeordnet sind;
  • - Anordnen einer Siliziumnitridschicht auf der Silizium­ schicht der Platte;
  • - Öffnen erster Kontaktfenster durch die Siliziumnitrid­ schicht, um eine elektrische Verbindung zur Silizium­ schicht zu ermöglichen;
  • - Anordnen und Figurieren einer ersten Metallschicht, um eine elektrische Verbindung zur Siliziumschicht herzustellen;
  • - Abätzen der Siliziumnitridschicht und der Silizium­ schicht, um einen Zugang zu der eingeschlossenen Sili­ ziumdioxidschicht herzustellen; und
  • - Abätzen der eingeschlossenen Siliziumdioxidschicht, um eine selbsttragende, aus monokristallinem Silizium und einem Siliziumnitrid bestehende Siliziummikrostruktur zu erhalten.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Paar von sich in Längsrichtung er­ streckenden, transversal voneinander getrennten Ausnehmun­ gen durch die Siliziumnitridschicht und die Siliziumschicht geätzt wird und anschließend die Siliziumdioxidschicht zwi­ schen diesen Ausnehmungen geätzt wird, derart, daß der oder jede selbsttragende Siliziummikrostruktur einen Balken bil­ det.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch den weiteren Schritt des Abkühlens der Platte zwischen den Schritten des Bildens der Isolierungsbereiche in der Sili­ ziumschicht und des Anordnens einer Siliziumnitridschicht.
4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumschicht und die Siliziumnitridschicht durch eine dünne Siliziumdioxidschicht getrennt werden.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat und/oder die Siliziumschicht getränkt wer­ den, um die Bildung von wenigstens einer aktiven Komponente zu erleichtern.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine aktive Komponente ausgewählt ist aus einer p-n-Verbindungsdiode, einem MOS-Transistor und einem bipolaren Transistor.
7. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Balken wenigstens 50 µm lang ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Balken wenigstens 100 µm lang ist.
9. Siliziummikrostruktur gebildet aus einer Siliziumplatte mit einem Substrat und einer monokristallinen Siliziumschicht, die durch eine eingeschlossene Siliziumdioxidschicht ge­ trennt ist, welche einen Hohlraum einschließt, wobei die Mikrostruktur einen zusammengesetzten Balken aufweist, der diesen Hohlraum überspannt und benachbarte Silizium und Si­ liziumnitridschichten aufweist, wobei der Balken selbst­ tragend ist.
10. Mikrostruktur nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Balken sich in Längsrichtung über den Hohlraum zwi­ schen den beiden Enden erstreckt und eine transversale Län­ ge kleiner als die transversale Länge des Hohlraums auf­ weist.
11. Mikrostruktur nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Enden des Balkens jeweils mittels Kontakten elek­ trisch zugänglich sind.
12. Mikrostruktur nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Balken getrennte Bereiche innerhalb der Silizium­ schicht zur Bildung aktiver Komponenten aufweist, welche aus einer p-n-Verbindungsdiode, einem MOS-Transistor und einem bipolaren Transistor ausgewählt sind.
13. Mikrostruktur nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß eine Spannung auf das Substrat angewendet wird, um die elektrischen Eigenschaften des Balkens zu verändern.
14. Mikrostruktur nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Balken eine Länge von wenigstens 50 µm aufweist.
15. Mikrostruktur nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Balken eine Länge von wenigstens 100 µm aufweist.
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