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ALLGEMEINER STAND DER
TECHNIK
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Die Herstellung äußerst kleiner Meß- und Steuerbauelemente
wurde in den letzten 30 Jahren zu einem hohen Grad der Perfektion
entwickelt. In den letzten 30 Jahren ist die Herstellung von mikroelektronischen
Schaltungen auf Siliziumscheiben in Massenproduktion dem Vorläufer der
Produktion verschiedener anderer Bauelemente durch ähnliche Herstellungsverfahren
geworden. Die Herstellung neuartiger dreidimensionaler mikroelektronischer Bauelemente
in einem Halbleiterkristall (in der Regel Silizium) wurde erzielt
durch Herstellung des Bauelements durch viele Verfahren, darunter
isotropisches und anisotropisches Ätzen. Diese Verfahren verwenden
die Kristallstruktur eines einkristalligen Halbleiters. Die Verfahren
sind bis zu einem Punkt entwickelt worden, an dem Bauelemente nur
einige weniger μm
(einige wenige Tausendstel eines Zolls) groß in Mengen hergestellt werden.
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Der Stand der Technik findet sich
in einer Anzahl veröffentlichter
Artikel und damit zusammenhängenden
Patentanmeldungen. Ein Zitat dieser Art von Artikel im vorliegenden
Text wird lediglich als ein technischer Hintergrund angegeben. Artikel
von besonderem Interesse findet man in IEEE Transaction on Electronics
Devices, Band ED-25, Nr. 10, Oktober 1978, auf den Seiten 1178 und
1241. Der Artikel, der auf Seite 1178 erscheint, trägt den Titel „Fabrication of
Novel Three-dimensional Microstructures by the Anisotropic Etching
of (100) and (110) Silicon" von
E. Bassous. Der Artikel, der auf Seite 1241 erscheint, trägt den Titel „Dynamic
Micromechanics on Silicon: Techniques and Devices", von K. E. Petersen.
Außerdem
von Interesse als allgemeiner Hintergrund ist ein Artikel mit dem
Titel „Silicon
Micromechanical Devices",
der auf den Seiten 36–47
der Ausgabe von Scientific American vom April 1983 veröffentlicht
wurde.
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Die oben zitierten Artikel und anstehende Anmeldung
zeigen klar, daß es
althergebracht ist und die Verfahren wohlbekannt sind, mikromechanische Bauelemente
herzustellen, indem in einkristalliges Silizium geätzt wird.
Die Ätzverfahren
verlassen sich im allgemeinen darauf, die maximale Ätzgeschwindigkeit
zu erzielen, und dementsprechend schreiben die Ebenen in dem Kristall
in der Regel die Ausrichtung des Bauelements auf der Oberfläche der
Struktur vor. Die Vorschrift der Ausrichtung dieses hergestellten
Bauelements auf der Oberfläche
eines einkristalligen Siliziums liefert ein funktionelles Verfahren
zur Herstellung bestimmter einzelner Bauelemente. Die Siliziumstruktur
wird in der Regel nach der Herstellung aufgetrennt, so daß die einzelnen Bauelemente
separat verwendet werden können, und
die Ausrichtung des Bauelements in bezug auf die Kristallstruktur
läßt gewöhnlich unbenutzte
Oberflächen
des Siliziumkristalls zurück.
Manchmal werden diese unbenutzten Oberflächen zur Verwendung als ein
Gebiet ausgelegt, auf dem integrierte Schaltkreise angeordnet werden,
um mit dem durch das Ätzverfahren
hergestellten Bauelement zu funktionieren. In anderen Fällen ist
das Gebiet lediglich ein verschwendetes Gebiet.
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BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung liefert
ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten mikromechanischen
Sensorelements, das in dem folgenden Anspruch 1 definiert wird.
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Das Verfahren kann die Merkmale eines
beliebigen einzelnen oder beliebiger mehrerer der abhängigen Ansprüche 2 bis
9 enthalten.
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KURZE BESCHREIBUNG DER
ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine Draufsicht einer Ausführungsform
eines Sensorelements;
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2 ist
eine Draufsicht der Konfiguration mit geätzter Vertiefung entsprechend 1;
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3 ist
eine Draufsicht einer bevorzugten Ausführungsform des Sensorelements;
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4 ist
eine dritte Konfiguration von Oberflächengebieten; und
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5 ist
eine Darstellung eines Arrays von Elementen von 3.
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BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN
AUSFÜHRUNGSFORMEN
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In 1 wird
eine Draufsicht eines mikromechanischen Sensorelements offengelegt,
das in die Oberfläche 10 eines
einkristalligen Halbleitermittels integriert wurde. Das einkristallige
Halbleitermittel wäre
in der Regel Silizium und die Oberfläche würde vergleichbar mit der Vorbereitung
in der Technik qualitativ hochwertiger hochdichter integrierter
Schaltungen präpariert.
Die Ausrichtung der Anordnung des Sensorelements, das allgemein
bei 11 offengelegt wird, ist wichtig für die vorliegende Erfindung,
und dementsprechend wird das Sensorelement so angeordnet, daß eine Achse
seiner Struktur parallel zu der [110]- oder äquivalenten Richtung der Kristallstruktur des
Halbleitermittels ausgerichtet wird. Dieser Punkt wird ausführlicher
erläutert,
nachdem die Struktur beschrieben wurde.
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Das Sensorelement 11 besteht
aus einem Meßbereich 12,
der durch gestrichelte Linien 13 identifiziert wird. Der
Meßbereich
des Strahlungsmeßmittels
könnte
ein gewundenes Nickel-Eisen-Widerstandselement sein (wie in Verbindung
mit 3 erläutert wird),
oder ein Bereich aus abgelagertem pyroelektrischem Material wie
zum Beispiel Zinkoxid. Die spezifische Zusammensetzung des Strahlungsmeßmittels 12 ist
nicht Teil der vorliegenden Erfindung.
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Das Strahlungsmeßmittel 12 besitzt
ein Paar von Herausführungsmitteln 14 und 15,
die dielektrischen Verbindungen zu und von dem Strahlungsmeßgerät 12 liefern.
Die Herausführungsmittel 14 und 15 werden
aus einem Paar von Herausführungsbereichen 16 und 17 hergestellt,
die zwischen zwei getrennten Oberflächenbereichen 20 und 21 auftreten,
die vor dem Ätzen
der Vertiefung Oberflächen aus
Silizium-Halbleitermittel
sind, die durch Fensterausschnitte freigelegt werden, die das Meßmittel 12 definieren
und halb einschließen.
Die beiden getrennten Oberflächenbereiche 20 und 21 wurden
nur deshalb schraffiert gezeigt, um sie zu identifizieren, und nicht
um anzuzeigen, daß ein
Querschnitt gezeigt wurde. Der erste Oberflächenbereich 20 besitzt ein
verlängertes
Bein 22 und ein kürzeres
Bein 23 in einem rechten Winkel, das wiederum ein kurzes
Bein 24 aufweist, das parallel zu dem verlängerten
Bein 22 verläuft.
Es sei bemerkt, daß die
zweite Oberfläche 21 ein
verlängertes
Bein 25, ein kurzes senkrechtes Bein 26 und ein
sehr kurzes Bein 27 aufweist, das im allgemeinen parallel
zu dem Bein 25 liegt. Tatsächlich weisen die beiden Oberflächen 20 und 21 im
wesentlichen dieselbe Konfiguration auf und verriegeln sich effektiv
miteinander in Richtungen entlang und senkrecht zu der gewählten Ausrichtung
[110] der Silizium-Kristallstruktur,
auf der das Bauelement präpariert
wird.
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Das relativ lange Bein 22 des
Bereichs 20 und das kurze Bein 27 des Bereichs 21 definieren den
Herausführungsbereich 17,
während
die Beine 25 und 24 der Bereiche 21 und 20 den
Herausführungsbereich 16 definieren.
Die Herausführungsbereiche 16 und 17 werden nur
breit genug ausgeführt, daß sie die
beiden Herausführungsmittel 14 und 15 ordnungsgemäß tragen,
und daß sie
den Meßbereich 12 nach
der Herstellung der Struktur angemessen stützen, wie unten beschrieben
wird.
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Die Bereiche 20 und 21 sind
tatsächlich
Bereiche, die zum Ätzen
einer Vertiefung unter dem Meßbereich 12 mittels
anisotropischer Ätzverfahren definiert
werden. Das Ätzen
erfolgt an einem zweckmäßigen Punkt
der Herstellung des Sensorelements zu einem Array auf der Oberfläche eines
einkristalligen Halbleitermittels. Jeder der Bereiche 20 und 21 besitzt
zwei konvexe innere Ecken, die bei 30, 31, 32 und 33 identifiziert
werden. Das Layout des Sensorelements 11 auf der Oberfläche 10,
zusammen mit den beiden getrennten Oberflächenbereichen 20 und 21 ermöglicht eine
anisotropisch geätzte
Vertiefung unter dem Meßbereich 12.
Wenn die Ätzung
erzielt wurde, beginnt das Ätzen
an den konvexen inneren Ecken und wird auf die äußere Begrenzung der beiden
getrennten Bereiche 20 und 21 begrenzt. Dies ist auf
die Kristallstruktur des Halbleitermittels zurückzuführen, die ein Ablaufen der Ätzung ermöglicht,
bis die Ebenen, die sich im allgemeinen mit den äußeren Rändern der beiden Oberflächenbereiche 20 und 21 schneiden,
definiert wurden. Diese Ebenen sind (111)-Ebenen in der Silizium-Kristallstruktur.
Das Ätzen
liefert eine Vertiefung unter dem Meßbereich 12, um den
Meßbereich 12 mit
Ausnahme der Herausführungsbereiche 16 und 17 thermisch
zu isolieren, die auf enen Oberfächenbereich
begrenzt wurden, der nur groß genug
ist, um die Herausführungsmittel 14 und 15 und
die Stützung
des Meßbereichs 12 über der
Vertiefung bereitzustellen, die unter dem Meßbereich auftritt. Das Ätzen erfolgt
schnell genug, damit das Ätzen
der Vertiefung ohne Beschädigung
des Meßelements
selbst erfolgt. Obwohl die Ausrichtung der Oberflächenbereiche 20 und 21 nicht
unter den effizientesten oder maximalen Ätzbedingungen gewählt werden,
sind die Ätzbedingungen
schnell genug, um eine geätzte
Vertiefung bereitzustellen, bevor der Meßbereich 12 von dem Ätzmittel
angegriffen wird. Dies unterscheidet sich wesentlich von bestimmten
Bauelementen des Stands der Technik, bei denen man hauptsächlich darauf
abzielte, die Oberfläche,
durch die ein Ätzmittel
die Kristallstruktur erreicht, in einer Ausrichtung anordnen, die
für das Ätzen am
effizientesten ist, im Gegensatz zu einem Kompromiß wie im
Fall der vorliegenden Erfindung. Der Kompromiß liefert jedoch eine rechteckige
Vertiefung, die prinzipiell auf den Bereich unter den beiden getrennten
Oberflächen 20 und 21 beschränkt ist.
Dies wird ausführlicher
in Verbindung mit 2 eingebracht.
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In 2 ist
die Vertiefung 34 unter einem Meßbauelement wie in 1 offengelegt deutlicher gezeigt.
Die Oberflächenbereiche 20 und 21 werden wiederum
offengelegt, die identisch mit denen in 1 sind. Die konvexen inneren Ecken 30, 31, 32 und 33 und
die Vertiefung 34 werden offengelegt, und die Vertiefung 34 wird
durch eine Umgrenzung 35 definiert, die gestrichelt umrissen
gezeigt ist. Das Ätzen des
Bauelements beginnt an den konvexen inneren Ecken 30, 31, 32 und 33 und ätzt eine
Vertiefung 34 heraus, deren Beschaffenheit auf der Oberseite
im wesentlichen rechteckig sind, wie durch die gestrichelte Linie 35 umrissen
wird, und die nach unten geneigte Seiten aufweist, die aus (111)-Ebenen
mit gestrichelten Überschneidungen 36 und 37 besteht.
Die Vertiefung 34 ist auf die Ebenen beschränkt, die
die beiden Oberflächenbereiche überschneiden,
die das Meßmittel
halb einschließen,
um die Umgrenzung 35 der Vertiefung so zu definieren, daß sie allgemein den
beiden Oberflächenbereichen 20, 21 entspricht. Die
beiden Oberflächenbereiche
besitzen Seiten, die entlang und senkrecht zu einer Ausrichtung
[110] oder einem Äquivalent
der spezifischen Kristallstruktur des einkristalligen Halbleitermittels
oder Siliziums liegen, auf dem die Oberfläche 10 des Bauelements hergestellt
wird. Es sei bemerkt, daß die
Vertiefung 34 der Form des Meßelements entspricht, ohne
jegliche Bereiche außerhalb
des Sensorelements 11 zu stören. Dementsprechend können mehrere
Sensorelemente 11 in sehr beschränkten oder kompakten Bereichen
angeordnet werden, um ein Array mit minimalem Platzverlust zu bilden.
Bei Bauelementen des Stands der Technik erfolgte das Ätzen der
Vertiefung dergestalt, daß die
Ausrichtung der Sensorelemente keine nebeneinanderliegende Herstellung
ermöglicht,
wodurch wesentliche Platzmengen verschwendet werden und die Herstellung
eines integrierten mikromechanischen Sensorelements zu einem Array von
Sensorelementen weniger wünschenswert
und weniger effizient wird.
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Beim Entwurf des Sensors 11 werden
die Achsen der Struktur (die langen Seiten der Bereiche 20 und 21,
die durch die Beine 22 und 25 definiert werden)
parallel zu der [110]- oder einer äquivalenten Richtung ausgerichtet.
Dementsprechend markieren die Ränder
dieser langen Seiten die Überschneidung der
(111)-Oberflächen mit
den (110)-Oberflächen
in dem Silizium und das Ätzen
frißt
sich nicht direkt in das Silizium unter dem Meßbereich 12 über diese Ränder hinaus.
An jedem inneren Eckpunkt der Oberflächenbereich oder Fenster wird
das Silizium jedoch von der Ätzung
unter dem Meßbereich 12 angegriffen
und wird mehr oder weniger diagonal beginnend an der Ecke des Meßbereichs 12 weggeätzt. Im allgemeinen
sind geätzte
Vertiefungen, die durch Ätzen
durch beliebig geformte Bereiche auf einer (100)-Siliziumoberfläche gebildet
werden, wie zum Beispiel der Bereich 20 und der Bereich 21,
auf jeder oberen Oberfläche
rechteckig, ungeachtet der Form des geformten Bereichs, und die
rechteckigen Abmessungen werden durch die maximale und minimale
X- und die maximale und minimale Y-Koordinate jedes geformten Bereichs
bestimmt. Wenn sich die resultierenden Rechtecke von zwei beliebigen
solchen Bereichen überlappen,
wird eine einzige Vertiefung gebildet, die durch den maximalen und
minimalen X- und Y-Wert der kombiniert geformten Bereiche definiert
wird. Durch Oberlappen des letztendlich geätzten Vertiefungsbereichs jedes
Fensters oder Oberflächenbereichs
wird somit eine zusammengesetzte Ätzvertiefung mit genau den
gewünschten
Abmessungen gebildet, die außerdem
auf die kombinierten Bereiche begrenzt ist, die durch die gestrichelten
Linien 35 in 2 definiert
werden. Somit erscheint kein großer verschwendeter Vertiefungsraum
und die Schnitte oder Oberflächenbereiche 20 und 21 können schmal
sein und nur einen kleinen Teil des gesamten Vertiefungsbereichs
einnehmen. Da die in Betracht gezogene Größe der Elemente, die in dem Array
verwendet werden, kleiner als 0,1 mm (0,004 Zoll) für die längste Abmessung
ist, ist die längere Zeit,
die zum Ätzen
erforderlich ist, das in der Kristallachsenausrichtung der vorliegenden
Konfiguration stattfindet, kein ernstlicher Nachteil.
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In 3 wird
eine bevorzugte Ausführungsform
des integrierten mikromechanischen Sensorelements zur Verwendung
in einem Array offengelegt. Eine Halbleitermitteloberfläche 10 wird
offengelegt und wird wiederum als Silizium betrachtet. Die Oberfläche würde durch
Verfahren präpariert,
die den mikromechanischen Herstellungsverfahren und integrierten
Schaltungsverfahren gemeinsam sind, die in der Technik wohlbekannt
sind. Ein Sensormittel 12' wird
auf dieser Oberfläche
bereitgestellt und ist als ein serpentinenförmiges oder gewundenes Widerstandselement 39 offengelegt,
das in der Regel aus Nickel-Eisen hergestellt werden könnte. Das
Sensorelement deckt im wesentlichen den Meßbereich 12' ab und besitzt
ein Paar von Herausführungsleitern oder
Herausführungsmitteln 40 und 41.
Das Herausführungsmittel 40 befindet
sich in einem Herausführungsbereich 42,
während
sich das Herausführungsmittel 41 in
einem Herausführungsbereich 43 befindet.
Die Herausführunqsbereiche 42 und 43 werden durch
zwei getrennte Oberflächenbereiche 44 und 45 definiert.
In dem Sensor von 3 wurden
die beiden getrennten Oberflächenbereich 44 und 45 nur deshalb
schraffiert, um die Bereiche deutlicher zu identifizieren, und diese
Identifizierung soll nicht als ein Querschnitt aufgefaßt werden.
Jeder der Oberflächenbereiche 44 und 45 besitzt
U-förmige
Bereiche mit Beinen und einen Buchtbereich. Der U-förmige Bereich 44 besitzt
ein Paar von Beinen 46 und 47, die gleich lang
sind und durch eine Bucht 48 verbunden werden. Der zweite
der Oberflächenbereiche 45 ist wiederum
ein U-förmiges
Element mit zwei gleich langen Beinen 50 und 51,
die durch eine Bucht 52 verbunden werden. Der Oberflächenbereich 45 ist kleiner
als der Oberflächenbereich 44,
und seine Beine 50 und 51 sind parallel zu den
Beinen 46 und 47, um die Herausführungsbereiche 42 und 43 zu
definieren. Die Herausführungsbereiche 42 und 43 sind gerade
breit genug, um das Sensormittel 12' zu stützen, nachdem eine geätzte Vertiefung,
die der in 2 gezeigten
gleicht, anisotropisch geätzt
wurde.
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Es sei bemerkt, daß die beiden
U-förmigen Oberflächenbereiche 45 und 46 jeweils
zwei konvexe innere Ecken aufweisen. Der Oberflächenbereich 46 besitzt
die inneren konvexen Ecken 55 und 56, während der
U-förmige
Oberflächenbereich 50 die
beiden konvexen inneren Ecken 57 und 58 besitzt.
Diese Konfiguration innerer konvexer Ecken der beiden Oberflächenbereiche
ermöglicht
das Wegätzen
der Siliziumoberfläche
unter dem Sensorbereich 12' in einer
mehr oder weniger diagonal angeordneten Konfiguration unter dem
Meßbereich.
Die resultierende Vertiefung, die jedem der beiden getrennten Oberflächenbereiche
zugeordnet ist, die für
das Fenster oder den Ausschnitt verwendet werden, überlappen sich
schließlich,
wie in 2 offengelegt
wurde. Eine gestrichelte Linie 60 identifiziert die Umgrenzung
der Vertiefung, die unter dem Meßmittel 12' geätzt werden
kann.
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Das in 3 offengelegte
einzelne Meßelement
wird fertiggestellt, indem ein Leiter 61 bereitgestellt
wird, mit dem das Herausführungsmittel 40 durch
einen weiteren Leiter 62 verbunden wird. Der Leiter 61 führt von
einem Meßelement
zu einem anderen, wobei die Gesamtgrenzen des in 3 offengelegten Meßelements durch die gestrichelten
Linien 64 definiert werden. Es sei bemerkt, daß die gestrichelten
Linien 64 einen etwas größeren Bereich als die durch
die Linien 60 definierte Vertiefung umschließen. Dadurch
wird es möglich,
daß das
notwendige Gitter von Verbindungsleitern die einzelnen Sensorelemente
zu einem Array auf sehr kompakte und effiziente Weise verbindet.
Das Sensorelement wird fertiggestellt, indem das Herausführungsmittel 41 mit
einem weiteren, bei 66 offengelegten Leiter verbunden wird, der
in einem rechten Winkel zu dem Leiter 61 verläuft. Der
Leiter 66 wird zur Verbindung einer Anzahl von Sensorelementen
in einem Array verwendet. Dies wird schematisch in Verbindung mit 5 herausgebracht.
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Wenn die Vertiefung unter dem Meßbereich 12 geätzt wurde,
kann das Meßelement,
das aus dem gewundenen oder serpentinenförmigen Widerstandselement 39 gebildet
wird, in einem Verarbeitungsschritt fertiggestellt werden, das herkömmliche Verfahren
für integrierte
Schaltungen verwendet. Wie in Verbindung mit dem in 1 offengelegten Bauelement erwähnt wurde,
kann der Meßbereich 12' eine beliebige
Art von Bereich sein, der von den Oberflächenbereichen 44 und 45 eingeschlossen
werden kann. Der Meßbereich 12' besteht aus
einer beliebigen Art von Material, das auf eine Variation der Strahlung
reagieren kann und das elektrisch zu einem Array verbunden werden
kann. Die Eigenschaften des Meßbreichs 12' bestehen darin,
daß er
nicht auf Strahlung anspricht, daß er thermisch über der
durch die Linien 60 definierten Vertiefung isoliert ist
und daß er
nur durch die beiden Herausführungsbereiche 42 und 43 gestützt wird,
wodurch das Meßmittel
thermisch vor dem Ausgleich des Silizium- oder einkristalligen Halbleitermittels
isoliert wird.
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In 5 ist
ein Array von Sensoren der in 3 offengelegten
Art gezeigt. Die obere Reihe enthält drei Sensorelemente, die
jeweils mit dem Leiter 66 verbunden sind, während der äußerste linke Sensor 12' mit dem Leiter 61 verbunden
ist. Es werden zusätzliche
Leiter 61' und 61'' offengelegt, die parallel zu dem
Leiter 61 sind, während
zwei zusätzliche
Leiter 66' und 66'' parallel zu dem Leiter 66 gezeigt
sind. Wie gezeigt sind alle neun Sensorelemente, die in 5 offengelegt werden, so
miteinander verbunden, daß sie
zweckmäßig auf
herkömmliche Weise
durch Auswahl der richtigen Kombinationen von Leitern gemultiplext
werden können.
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In 4 wird
eine weitere Konfiguration von Oberflächenbereichen offengelegt,
die zur Bereitstellung des Ätzens
einer Vertiefung verwendet werden. In 4 ist
wiederum bei 12'' ein Meßbereich
gezeigt, der Herausführungsmittel 14' und 15' aufweist, die
mit dem Meßbereich 12'' verbunden sind. Bei dieser konkreten
Konfiguration sind vier getrennte Oberflächenbereiche bei 70, 71, 72 und 73 offengelegt. Alle
vier Bereiche 70–73 liegen
entlang einzelner Seiten des Meßbereichs 12'' und weisen diagonal geschnittene
Ecken auf. Die Herausführungsbereiche 16' und 17' sind in einem
Winkel von 45° zu
den [110]-Ebenen
ausgerichtet, wobei jeder schnell durch eine anisotropische Ätzung unter
dem Sensorbereich 12'' während der
Verarbeitung geätzt
wird. Wenn die Eckenunterstützungs-
oder Herausführungsbereiche 16' und 17' darunter geätzt werden,
werden die Eckpunkte 74, 75, 76 und 77 erzeugt.
Die Umgrenzung dieses konkreten Sensorelements wird durch die gestrichelte
Linie 78 definiert. Nachdem die Eckpunkte 74, 75, 76 und 77 zurückgeätzt wurden,
läßt sich
der in 4 gezeigte Entwurf
schneller bis zur Fertigstellung ätzen. Ein Unterschied zwischen
der Konfiguration von 1 und
der von 4 besteht darin,
daß in 4 die Länge der Eckenunterstützung die
Breite übersteigen
muß, um
den Eckpunkt des Unterstützungsbereichs
zu bilden und um die Ätzung
abzuschließen,
während
in dem Entwurf von 1 die Länge und
Breite des Unterstützungsbereichs
praktisch beliebig ist, solange die rechteckige Überlappungs- oder Verriegelungskonfiguration
aufrechterhalten wird.
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Es wurden mehrere Konfigurationen
zweier getrennter Oberflächenbereiche
offengelegt, die verwendet werden können, um rechteckig eine Vertiefung
unter einem Meßbereich
zur Anbringung eines Meßmittels
zu ätzen.
In allen offengelegten Fällen
erhält
das geätzte
Sensorelement einen Vertiefungsbereich aufrecht, der rechteckig
ist und eng an dem Meßbereich
konfiguriert ist. Dementsprechend können mehrere der Meßbereiche
wirtschaftlich und kompakt zu einem einkristalligen Halbleitermittel
verarbeitet werden, wodurch ein wirtschaftliches und effizientes
Array von Strahlungssensoren bereitgestellt wird. Da mehrere Konfigurationen
und Verfahren offengelegt wurden, wird beabsichtigt, daß der Schutzumfang
der Erfindung nur durch den Schutzumfang der angefügten Ansprüche beschränkt wird.