JP2003032007A - 同軸給電管 - Google Patents
同軸給電管Info
- Publication number
- JP2003032007A JP2003032007A JP2001219286A JP2001219286A JP2003032007A JP 2003032007 A JP2003032007 A JP 2003032007A JP 2001219286 A JP2001219286 A JP 2001219286A JP 2001219286 A JP2001219286 A JP 2001219286A JP 2003032007 A JP2003032007 A JP 2003032007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spacer
- inner conductor
- feed tube
- coaxial feed
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Communication Cables (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部導体損失により同軸給電管の内部導体で
生じる熱を、外部導体を介して放熱できるようにして、
同軸給電管の内部導体の温度上昇を低減することが可能
な同軸給電管を提供する。 【解決手段】 外部導体と、内部導体と、前記外部導体
と前記内部導体との間に配置され、前記内部導体を支持
するスペーサとを備える同軸給電管であって、前記スペ
ーサは、熱伝導率が大きい絶縁材料（例えば、アルミ
ナ、酸化ベリリウム、または窒化アルミニウムなど）で
構成し、かつ、スペーサの形状を、前記スペーサの前記
外部導体との接触部における前記同軸給電管の長さ方向
の位置と、前記スペーサの前記内部導体との接触部にお
ける前記同軸給電管の長さ方向の位置とが異なように、
例えば、円錐台状などに形成する。
生じる熱を、外部導体を介して放熱できるようにして、
同軸給電管の内部導体の温度上昇を低減することが可能
な同軸給電管を提供する。 【解決手段】 外部導体と、内部導体と、前記外部導体
と前記内部導体との間に配置され、前記内部導体を支持
するスペーサとを備える同軸給電管であって、前記スペ
ーサは、熱伝導率が大きい絶縁材料（例えば、アルミ
ナ、酸化ベリリウム、または窒化アルミニウムなど）で
構成し、かつ、スペーサの形状を、前記スペーサの前記
外部導体との接触部における前記同軸給電管の長さ方向
の位置と、前記スペーサの前記内部導体との接触部にお
ける前記同軸給電管の長さ方向の位置とが異なように、
例えば、円錐台状などに形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同軸給電管に係わ
り、特に、ＶＨＦ，ＵＨＦ帯において、送信用アンテナ
に大電力の励振電力を供給する際に有効な技術に関す
る。
り、特に、ＶＨＦ，ＵＨＦ帯において、送信用アンテナ
に大電力の励振電力を供給する際に有効な技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図１１は、同軸給電管の基本構造を示す
断面図であり、同図（ａ）は、同軸給電管の長さ方向に
直交する面で切断した断面を示す断面図、同図（ｂ）
は、同軸給電管の長さ方向に沿った面で切断した断面を
示す断面図である。同図に示すように、同軸給電管５０
は、外部導体２と、内部導体３とで構成されるが、内部
導体３が、外部導体２の内部に配置される関係上、内部
導体３を支持する必要がある。図１２ないし図１４に、
支持部材を用いて内部導体３を支持するようにした従来
の同軸給電管５０の代表例を示す。なお、図１２ないし
図１４において、同図（ａ）は、同軸給電管の長さ方向
に直交する面で切断した断面を示す断面図、同図（ｂ）
は、同軸給電管の長さ方向に沿った面で切断した断面を
示す断面図である。図１２に示す同軸給電管５０は、外
部導体２と内部導体３との間に、誘電体５を充填したも
のである。
断面図であり、同図（ａ）は、同軸給電管の長さ方向に
直交する面で切断した断面を示す断面図、同図（ｂ）
は、同軸給電管の長さ方向に沿った面で切断した断面を
示す断面図である。同図に示すように、同軸給電管５０
は、外部導体２と、内部導体３とで構成されるが、内部
導体３が、外部導体２の内部に配置される関係上、内部
導体３を支持する必要がある。図１２ないし図１４に、
支持部材を用いて内部導体３を支持するようにした従来
の同軸給電管５０の代表例を示す。なお、図１２ないし
図１４において、同図（ａ）は、同軸給電管の長さ方向
に直交する面で切断した断面を示す断面図、同図（ｂ）
は、同軸給電管の長さ方向に沿った面で切断した断面を
示す断面図である。図１２に示す同軸給電管５０は、外
部導体２と内部導体３との間に、誘電体５を充填したも
のである。
【０００３】図１３、図１４に示す同軸給電管５０は、
外部導体２と内部導体３との間に、誘電体からなるスペ
ーサ６を配置したものである。なお、このスペーサ６
は、λｏ／４の距離だけ離れて複数設けられ、また、λ
ｏは、同軸給電管内を伝搬する伝搬波の中心波長であ
る。また、図１３に示す同軸給電管５０は、内部導体３
の、スペーサ６が挿入された部分の直径を細くして、ス
ペーサ６の存在による特性インピーダンスの低下を補償
し、即ち、スペーサ６が存在する場所、およびスペーサ
６が存在しない場所の特性インピーダンスを同じにし
て、無反射で内部導体３を支持するものである。このよ
うに、内部導体３における、スペーサ６が存在するとこ
ろの直径を細くすることを、アンダーカットという。逆
に、図１４に示す同軸給電管５０は、外部導体２の、ス
ペーサ６が挿入された部分の直径を太くするものであ
り、外部導体２における、スペーサ６が存在するところ
の直径を太くすることを、オーバーカットという。図１
４に示す同軸給電管５０でも、無反射で内部導体３を支
持することができる。
外部導体２と内部導体３との間に、誘電体からなるスペ
ーサ６を配置したものである。なお、このスペーサ６
は、λｏ／４の距離だけ離れて複数設けられ、また、λ
ｏは、同軸給電管内を伝搬する伝搬波の中心波長であ
る。また、図１３に示す同軸給電管５０は、内部導体３
の、スペーサ６が挿入された部分の直径を細くして、ス
ペーサ６の存在による特性インピーダンスの低下を補償
し、即ち、スペーサ６が存在する場所、およびスペーサ
６が存在しない場所の特性インピーダンスを同じにし
て、無反射で内部導体３を支持するものである。このよ
うに、内部導体３における、スペーサ６が存在するとこ
ろの直径を細くすることを、アンダーカットという。逆
に、図１４に示す同軸給電管５０は、外部導体２の、ス
ペーサ６が挿入された部分の直径を太くするものであ
り、外部導体２における、スペーサ６が存在するところ
の直径を太くすることを、オーバーカットという。図１
４に示す同軸給電管５０でも、無反射で内部導体３を支
持することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図１５に示す同軸給電
管５０は、前述したアンダーカットを内部導体３に、お
よび前述したオーバーカットを外部導体２に、それぞれ
施した同軸給電管を示す断面図である。なお、この図１
５は、同軸給電管の長さ方向に沿った面で切断した断面
を示す断面図である。図１５に示す同軸給電管５０のス
ペーサ６の挿入部分における、ＴＥ１１モード（Ｈ１１
モード）時の遮断周波数（カットオフ周波数；ｆＣ）
は、下記（１）式で求められる。
管５０は、前述したアンダーカットを内部導体３に、お
よび前述したオーバーカットを外部導体２に、それぞれ
施した同軸給電管を示す断面図である。なお、この図１
５は、同軸給電管の長さ方向に沿った面で切断した断面
を示す断面図である。図１５に示す同軸給電管５０のス
ペーサ６の挿入部分における、ＴＥ１１モード（Ｈ１１
モード）時の遮断周波数（カットオフ周波数；ｆＣ）
は、下記（１）式で求められる。
【０００５】
【数１】
ｆＣ＝１９１／｛√ε（Ｄｉｎ＋ｄｏｕｔ）｝
ここで、εは、スペーサ６の誘電率、Ｄｉｎは、外部導
体オーバーカット部の内径（単位；ｍｍ）、即ち、図１
６に示すスペーサ６の外径、ｄｏｕｔは、内部導体アン
ダーカット部の外径（単位；ｍｍ）、即ち、図１６に示
すスペーサ６に設けられた打ち抜き穴の直径である。ま
た、（１）式において、カットオフ周波数の単位は、Ｇ
Ｈｚである。
体オーバーカット部の内径（単位；ｍｍ）、即ち、図１
６に示すスペーサ６の外径、ｄｏｕｔは、内部導体アン
ダーカット部の外径（単位；ｍｍ）、即ち、図１６に示
すスペーサ６に設けられた打ち抜き穴の直径である。ま
た、（１）式において、カットオフ周波数の単位は、Ｇ
Ｈｚである。
【０００６】図１７は、前述の（１）式を用いて、図１
１、図１３、および図１４に示す同軸給電管のスペーサ
６の挿入部分のカットオフ周波数（ｆＣ）を計算した結
果を示すグラフである。なお、この図１７のグラフは、
スペーサ６の材質として、εが２．１のフッ化樹脂を用
い、外部導体２の内径をＤ、内部導体３の外径をａとす
るとき、Ｄ＝３ａの条件下で計算したものであり、図１
７のグラフにおいて、横軸は、カットオフ周波数（単位
はＧＨｚ）で、縦軸は、外部導体２の内径（単位はｍ
ｍ）である。この図１７のグラフにおいて、（イ）は、
図１１に示す同軸給電管５０のスペーサ６の挿入部分に
おけるカットオフ周波数（ｆＣ）を、（ロ）は、図１３
に示す同軸給電管５０のスペーサ６の挿入部分における
カットオフ周波数（ｆＣ）を、（ハ）は、図１４に示す
同軸給電管５０のスペーサ６の挿入部分におけるカット
オフ周波数（ｆＣ）を示す。前述の（１）式から分かる
ように、同軸給電管５０は、基本的に、スペーサ６の誘
電率（ε）が大きくなると、同軸給電管５０のスペーサ
６の挿入部分のカットオフ周波数（ｆＣ）が低くなる。
１、図１３、および図１４に示す同軸給電管のスペーサ
６の挿入部分のカットオフ周波数（ｆＣ）を計算した結
果を示すグラフである。なお、この図１７のグラフは、
スペーサ６の材質として、εが２．１のフッ化樹脂を用
い、外部導体２の内径をＤ、内部導体３の外径をａとす
るとき、Ｄ＝３ａの条件下で計算したものであり、図１
７のグラフにおいて、横軸は、カットオフ周波数（単位
はＧＨｚ）で、縦軸は、外部導体２の内径（単位はｍ
ｍ）である。この図１７のグラフにおいて、（イ）は、
図１１に示す同軸給電管５０のスペーサ６の挿入部分に
おけるカットオフ周波数（ｆＣ）を、（ロ）は、図１３
に示す同軸給電管５０のスペーサ６の挿入部分における
カットオフ周波数（ｆＣ）を、（ハ）は、図１４に示す
同軸給電管５０のスペーサ６の挿入部分におけるカット
オフ周波数（ｆＣ）を示す。前述の（１）式から分かる
ように、同軸給電管５０は、基本的に、スペーサ６の誘
電率（ε）が大きくなると、同軸給電管５０のスペーサ
６の挿入部分のカットオフ周波数（ｆＣ）が低くなる。
【０００７】前述したような同軸給電管５０は、例え
ば、ＴＶ放送の放送局に設置される送信アンテナに励振
電力を供給するために使用される。このような使用形態
においては、内部導体損失により、同軸給電管５０の外
部導体２および内部導体３の温度が上昇することは避け
ることができない。そして、一般に、内部損失による温
度上昇は、外部導体２よりも、内部導体３の方が大き
く、さらに、内部損失による温度上昇は、内部導体３の
直径が小さい程大きくなることが知られている。したが
って、内部損失による温度上昇を低くするためには、同
軸給電管５０の内部導体３の外径寸法を大きくすること
が有効であるが、図１７に示すように、同軸給電管のス
ペーサ６の挿入部分におけるカットオフ周波数（ｆＣ）
の関係から、あまり大きくすることができない。
ば、ＴＶ放送の放送局に設置される送信アンテナに励振
電力を供給するために使用される。このような使用形態
においては、内部導体損失により、同軸給電管５０の外
部導体２および内部導体３の温度が上昇することは避け
ることができない。そして、一般に、内部損失による温
度上昇は、外部導体２よりも、内部導体３の方が大き
く、さらに、内部損失による温度上昇は、内部導体３の
直径が小さい程大きくなることが知られている。したが
って、内部損失による温度上昇を低くするためには、同
軸給電管５０の内部導体３の外径寸法を大きくすること
が有効であるが、図１７に示すように、同軸給電管のス
ペーサ６の挿入部分におけるカットオフ周波数（ｆＣ）
の関係から、あまり大きくすることができない。
【０００８】近年、従来のアナログ方式のテレビジョン
放送の他に、デジタル方式のテレビジョン放送が開始さ
れようとしている。しかしながら、デジタル方式のテレ
ビジョン放送において、一つの送信アンテナから複数の
チャネルの送信波を送信する場合に、デジタル方式のテ
レビジョン放送に採用される直交周波数分割多重（ＯＦ
ＤＭ；Orthogonal Frequency Division Multiplex）変
調方式の変調波では、従来のアナログ方式のテレビジョ
ン放送のＮＴＳＣ方式の変調波よりも、前述した内部導
体損失により、同軸給電管５０の内部導体３の温度上昇
が大きくなるという問題点があった。このため、同軸給
電管５０の内部導体３で生じる熱を放熱して、内部導体
３の温度上昇を低減する必要があるが、前述した従来の
同軸給電管５０では、内部のスペーサ６で風の通路が遮
断されるので、対流による放熱効果が期待できないとい
う問題点があった。また、一般に、スペーサ６として
は、誘電率（ε）が低いフッ化樹脂が使用されるが、こ
のフッ化樹脂は熱伝導率が低いため、スペーサ６を介し
て外部導体２に熱を伝導し、この熱を外部導体２の表面
から放熱することもできなかった。
放送の他に、デジタル方式のテレビジョン放送が開始さ
れようとしている。しかしながら、デジタル方式のテレ
ビジョン放送において、一つの送信アンテナから複数の
チャネルの送信波を送信する場合に、デジタル方式のテ
レビジョン放送に採用される直交周波数分割多重（ＯＦ
ＤＭ；Orthogonal Frequency Division Multiplex）変
調方式の変調波では、従来のアナログ方式のテレビジョ
ン放送のＮＴＳＣ方式の変調波よりも、前述した内部導
体損失により、同軸給電管５０の内部導体３の温度上昇
が大きくなるという問題点があった。このため、同軸給
電管５０の内部導体３で生じる熱を放熱して、内部導体
３の温度上昇を低減する必要があるが、前述した従来の
同軸給電管５０では、内部のスペーサ６で風の通路が遮
断されるので、対流による放熱効果が期待できないとい
う問題点があった。また、一般に、スペーサ６として
は、誘電率（ε）が低いフッ化樹脂が使用されるが、こ
のフッ化樹脂は熱伝導率が低いため、スペーサ６を介し
て外部導体２に熱を伝導し、この熱を外部導体２の表面
から放熱することもできなかった。
【０００９】一方、同軸給電管５０の内部導体３で生じ
る熱を、スペーサ６を介して外部導体２に熱を伝導し、
外部導体２の表面から放熱するためには、スペーサ６と
して熱伝導率の大きい材料を使用すればよいが、熱伝導
率の大きい材料は、一般に誘電率（ε）が大きく、同軸
給電管５０のスペーサ６の挿入部分におけるカットオフ
周波数（ｆＣ）が低くなるため、スペーサ６として熱伝
導率の大きい材料を使用することができないという問題
点があった。本発明は、前記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、本発明の目的は、内部導
体損失により同軸給電管の内部導体で生じる熱を、外部
導体を介して放熱できるようにして、同軸給電管の内部
導体の温度上昇を低減することが可能な同軸給電管を提
供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的
と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって
明らかにする。
る熱を、スペーサ６を介して外部導体２に熱を伝導し、
外部導体２の表面から放熱するためには、スペーサ６と
して熱伝導率の大きい材料を使用すればよいが、熱伝導
率の大きい材料は、一般に誘電率（ε）が大きく、同軸
給電管５０のスペーサ６の挿入部分におけるカットオフ
周波数（ｆＣ）が低くなるため、スペーサ６として熱伝
導率の大きい材料を使用することができないという問題
点があった。本発明は、前記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、本発明の目的は、内部導
体損失により同軸給電管の内部導体で生じる熱を、外部
導体を介して放熱できるようにして、同軸給電管の内部
導体の温度上昇を低減することが可能な同軸給電管を提
供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的
と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって
明らかにする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。即ち、本発明は、外部導体と、内部
導体と、前記外部導体と前記内部導体との間に配置さ
れ、前記内部導体を支持するスペーサとを備える同軸給
電管であって、前記スペーサは、熱伝導率が大きい絶縁
材料で構成されるとともに、前記スペーサの前記外部導
体との接触部における前記同軸給電管の長さ方向の位置
と、前記スペーサの前記内部導体との接触部における前
記同軸給電管の長さ方向の位置とが異なっていることを
特徴とする。本発明の好ましい実施の形態では、前記ス
ペーサは、前記外部導体に直角な前記外部導体との接触
部と、前記内部導体に直角な前記内部導体との接触部
と、前記外部導体との接触部と、前記内部導体との接触
部とを連結し、包絡面が円錐台状の連結部とで構成さ
れ、前記連結部の前記円錐台状の包絡面と、前記外部導
体あるいは前記内部導体との交差角が、４５±１５°で
あることを特徴とする。本発明の好ましい実施の形態で
は、前記スペーサは、アルミナ、または、酸化ベリリウ
ム、あるいは、窒化アルミニウムで構成されることを特
徴とする。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。即ち、本発明は、外部導体と、内部
導体と、前記外部導体と前記内部導体との間に配置さ
れ、前記内部導体を支持するスペーサとを備える同軸給
電管であって、前記スペーサは、熱伝導率が大きい絶縁
材料で構成されるとともに、前記スペーサの前記外部導
体との接触部における前記同軸給電管の長さ方向の位置
と、前記スペーサの前記内部導体との接触部における前
記同軸給電管の長さ方向の位置とが異なっていることを
特徴とする。本発明の好ましい実施の形態では、前記ス
ペーサは、前記外部導体に直角な前記外部導体との接触
部と、前記内部導体に直角な前記内部導体との接触部
と、前記外部導体との接触部と、前記内部導体との接触
部とを連結し、包絡面が円錐台状の連結部とで構成さ
れ、前記連結部の前記円錐台状の包絡面と、前記外部導
体あるいは前記内部導体との交差角が、４５±１５°で
あることを特徴とする。本発明の好ましい実施の形態で
は、前記スペーサは、アルミナ、または、酸化ベリリウ
ム、あるいは、窒化アルミニウムで構成されることを特
徴とする。
【００１１】本発明では、同軸給電管における、前記外
部導体と前記内部導体との間に配置され、前記内部導体
を支持するスペーサ（または、セパレータ）を、熱伝導
率の大きい材料（例えば、アルミナ、または、酸化ベリ
リウム、あるいは、窒化アルミニウム）で構成する。こ
れにより、本発明では、内部導体損失により、同軸給電
管の内部導体で生じる熱が、スペーサを介する熱伝導に
より外部導体に伝わり、外部導体の表面から放熱される
ので、同軸給電管の内部導体の温度上昇を低減すること
が可能となる。一方、熱伝導率の大きい材料は、一般に
誘電率（ε）が大きく、そのため、同軸給電管のスペー
サの挿入部分におけるカットオフ周波数（ｆＣ）が低下
するが、本発明では、このスペーサの形状を円錐台状な
どに形成し、電界が、このスペーサの一部のみを横切る
ように構成することにより、同軸給電管内に配置される
スペーサの等価誘電率を低くして、同軸給電管のスペー
サの挿入部分におけるカットオフ周波数（ｆＣ）が低下
するのを防止する。
部導体と前記内部導体との間に配置され、前記内部導体
を支持するスペーサ（または、セパレータ）を、熱伝導
率の大きい材料（例えば、アルミナ、または、酸化ベリ
リウム、あるいは、窒化アルミニウム）で構成する。こ
れにより、本発明では、内部導体損失により、同軸給電
管の内部導体で生じる熱が、スペーサを介する熱伝導に
より外部導体に伝わり、外部導体の表面から放熱される
ので、同軸給電管の内部導体の温度上昇を低減すること
が可能となる。一方、熱伝導率の大きい材料は、一般に
誘電率（ε）が大きく、そのため、同軸給電管のスペー
サの挿入部分におけるカットオフ周波数（ｆＣ）が低下
するが、本発明では、このスペーサの形状を円錐台状な
どに形成し、電界が、このスペーサの一部のみを横切る
ように構成することにより、同軸給電管内に配置される
スペーサの等価誘電率を低くして、同軸給電管のスペー
サの挿入部分におけるカットオフ周波数（ｆＣ）が低下
するのを防止する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一機能を有するものは同一符
号を付け、その繰り返しの説明は省略する。 ［実施の形態１］図１は、本発明の実施の形態の同軸給
電管の構造を示す断面図であり、同軸給電管の長さ方向
に沿った面で切断した断面を示す断面図である。図１に
おいて、７はスペーサ、９は接合部材であり、また、図
１の矢印（Ｅ）は電界を示す。本実施の形態において、
スペーサ７は、熱伝導率の大きい材料、例えば、アルミ
ナ（Ａｌ２Ｏ３）、または、酸化ベリリウム（Ｂｅ
Ｏ）、あるいは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの、
熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上のものを使用する。
施の形態を詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一機能を有するものは同一符
号を付け、その繰り返しの説明は省略する。 ［実施の形態１］図１は、本発明の実施の形態の同軸給
電管の構造を示す断面図であり、同軸給電管の長さ方向
に沿った面で切断した断面を示す断面図である。図１に
おいて、７はスペーサ、９は接合部材であり、また、図
１の矢印（Ｅ）は電界を示す。本実施の形態において、
スペーサ７は、熱伝導率の大きい材料、例えば、アルミ
ナ（Ａｌ２Ｏ３）、または、酸化ベリリウム（Ｂｅ
Ｏ）、あるいは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの、
熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上のものを使用する。
【００１３】図２は、図１に示すスペーサ７の構造を示
す模式斜視図である。図１、図２に示すように、本実施
の形態のスペーサ７は、準円錐状に形成される。そし
て、前述したように、このスペーサ７の材料としては、
熱伝導率の大きいものが使用されるので、本実施の形態
では、内部導体損失により、同軸給電管１の内部導体３
で生じる熱が、スペーサ７を介して外部導体２に伝わ
り、外部導体２の表面から放熱することが可能となる。
したがって、同軸給電管１の内部導体の温度上昇を低減
することが可能となる。この場合に、例えば、送風によ
り、外部導体２の表面を冷却すれば、より放熱効果を高
めることが可能となる。一方、熱伝導率の大きい材料
は、一般に誘電率（ε）が大きく、そのため、同軸給電
管１のスペーサ７の挿入部分におけるカットオフ周波数
（ｆＣ）が低下するが、本実施の形態では、スペーサ７
を準円錐状に形成する。即ち、スペーサ７は、外部導体
２に直角な外部導体２との接触部と、内部導体３に直角
な内部導体３との接触部とを連結し、包絡面が円錐台状
の連結部とで構成される。
す模式斜視図である。図１、図２に示すように、本実施
の形態のスペーサ７は、準円錐状に形成される。そし
て、前述したように、このスペーサ７の材料としては、
熱伝導率の大きいものが使用されるので、本実施の形態
では、内部導体損失により、同軸給電管１の内部導体３
で生じる熱が、スペーサ７を介して外部導体２に伝わ
り、外部導体２の表面から放熱することが可能となる。
したがって、同軸給電管１の内部導体の温度上昇を低減
することが可能となる。この場合に、例えば、送風によ
り、外部導体２の表面を冷却すれば、より放熱効果を高
めることが可能となる。一方、熱伝導率の大きい材料
は、一般に誘電率（ε）が大きく、そのため、同軸給電
管１のスペーサ７の挿入部分におけるカットオフ周波数
（ｆＣ）が低下するが、本実施の形態では、スペーサ７
を準円錐状に形成する。即ち、スペーサ７は、外部導体
２に直角な外部導体２との接触部と、内部導体３に直角
な内部導体３との接触部とを連結し、包絡面が円錐台状
の連結部とで構成される。
【００１４】このように、本実施の形態では、スペーサ
７の外部導体２との接触部１２の、同軸給電管１の長さ
方向の位置と、スペーサ７の内部導体３との接触部１３
の、同軸給電管１の長さ方向の位置とが異なっている。
したがって、本実施の形態では、スペーサ７の外部導体
２と内部導体３との間の連結部が、電界（図１に示す矢
印Ｅ）に対して傾けて配置されるので、図１６に示す円
板状のスペーサ６に比して、電界が、スペーサ７の全て
を横切るのでなく、スペーサ７の一部のみを横切るよう
になるので、同軸給電管内に配置されるスペーサ７の等
価誘電率を低くすることができる。これにより、本実施
の形態では、同軸給電管１のスペーサ７の挿入部分にお
けるカットオフ周波数（ｆＣ）が低下するのを防止する
ことが可能となる。
７の外部導体２との接触部１２の、同軸給電管１の長さ
方向の位置と、スペーサ７の内部導体３との接触部１３
の、同軸給電管１の長さ方向の位置とが異なっている。
したがって、本実施の形態では、スペーサ７の外部導体
２と内部導体３との間の連結部が、電界（図１に示す矢
印Ｅ）に対して傾けて配置されるので、図１６に示す円
板状のスペーサ６に比して、電界が、スペーサ７の全て
を横切るのでなく、スペーサ７の一部のみを横切るよう
になるので、同軸給電管内に配置されるスペーサ７の等
価誘電率を低くすることができる。これにより、本実施
の形態では、同軸給電管１のスペーサ７の挿入部分にお
けるカットオフ周波数（ｆＣ）が低下するのを防止する
ことが可能となる。
【００１５】なお、スペーサ７の厚みが同じとすれば、
外部導体２と内部導体３との間の連結部と、外部導体２
あるいは内部導体３の長さ方向に平行な線（図１のＡ）
との交差角（図１に示すθ）が小さいほど、電界がスペ
ーサ７を横切る距離が短くなるので、前述した等価誘電
率を低くすることができるが、反面、外部導体２と内部
導体３との間の部分の長さが長くなり、熱の伝導経路が
長くなるとともに、機械的強度が低下する。そのため、
外部導体２と内部導体３との間の連結部と、外部導体２
あるいは内部導体３の長さ方向に平行な線との交差角
は、内部導体損失による同軸給電管１の内部導体３の温
度上昇値、スペーサ７の熱伝導率、機械的強度などを勘
案して決定する必要があるが、この交差角は、４５°前
後、例えば、４５±１５°が好ましい。即ち、外部導体
２と内部導体３との間の連結部の円錐台状の包絡面と、
外部導体２あるいは内部導体３との交差角が、４５±１
５°であることが好ましい。
外部導体２と内部導体３との間の連結部と、外部導体２
あるいは内部導体３の長さ方向に平行な線（図１のＡ）
との交差角（図１に示すθ）が小さいほど、電界がスペ
ーサ７を横切る距離が短くなるので、前述した等価誘電
率を低くすることができるが、反面、外部導体２と内部
導体３との間の部分の長さが長くなり、熱の伝導経路が
長くなるとともに、機械的強度が低下する。そのため、
外部導体２と内部導体３との間の連結部と、外部導体２
あるいは内部導体３の長さ方向に平行な線との交差角
は、内部導体損失による同軸給電管１の内部導体３の温
度上昇値、スペーサ７の熱伝導率、機械的強度などを勘
案して決定する必要があるが、この交差角は、４５°前
後、例えば、４５±１５°が好ましい。即ち、外部導体
２と内部導体３との間の連結部の円錐台状の包絡面と、
外部導体２あるいは内部導体３との交差角が、４５±１
５°であることが好ましい。
【００１６】［本実施の形態の同軸給電管の変形例］図
３は、本発明の実施の形態の同軸給電管の変形例の構造
を示す断面図であり、同軸給電管の長さ方向に沿った面
で切断した断面を示す断面図である。図３において、８
はスペーサであり、このスペーサ８は、熱伝導率の大き
い材料、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、または、酸
化ベリリウム（ＢｅＯ）、あるいは、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）などの、熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上
のものを使用する。図４は、図３に示すスペーサ８の構
造を示す模式斜視図である。図３、図４に示すスペーサ
８は、外部導体２と内部導体３との間の連結部が、階段
状に形成されている点で、図１、図２に示すスペーサ７
と相異する。本実施の形態のスペーサ７も、外部導体２
と内部導体３との間を連結する連結部は、包絡面が円錐
台状となる。図３、図４に示すスペーサ８でも、内部導
体損失により同軸給電管１の内部導体３で生じる熱が、
スペーサ７を介して外部導体２に伝わり、外部導体２の
表面から放熱することができ、かつ、電界が、スペーサ
７の一部のみを横切るようになるので、同軸給電管内に
配置されるスペーサ７の等価誘電率を低くすることがで
きる。
３は、本発明の実施の形態の同軸給電管の変形例の構造
を示す断面図であり、同軸給電管の長さ方向に沿った面
で切断した断面を示す断面図である。図３において、８
はスペーサであり、このスペーサ８は、熱伝導率の大き
い材料、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、または、酸
化ベリリウム（ＢｅＯ）、あるいは、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）などの、熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上
のものを使用する。図４は、図３に示すスペーサ８の構
造を示す模式斜視図である。図３、図４に示すスペーサ
８は、外部導体２と内部導体３との間の連結部が、階段
状に形成されている点で、図１、図２に示すスペーサ７
と相異する。本実施の形態のスペーサ７も、外部導体２
と内部導体３との間を連結する連結部は、包絡面が円錐
台状となる。図３、図４に示すスペーサ８でも、内部導
体損失により同軸給電管１の内部導体３で生じる熱が、
スペーサ７を介して外部導体２に伝わり、外部導体２の
表面から放熱することができ、かつ、電界が、スペーサ
７の一部のみを横切るようになるので、同軸給電管内に
配置されるスペーサ７の等価誘電率を低くすることがで
きる。
【００１７】［本実施の形態の同軸給電管の応用例］以
下、本実施の形態の同軸給電管１の応用例について説明
する。図５は、本実施の形態の同軸給電管１を使用する
エルボーの構造を示す斜視図であり、また、図６は、図
５に示すエルボーの構造を示す断面図であり、同軸給電
管の長さ方向に沿った面で切断した断面を示す断面図で
ある。この図５に示すエルボー１０は、励振電力を送信
アンテナに供給する場合等に使用されるもので、互いに
直交する同軸給電管（１１，１２）が、連結部を介して
接続されて構成される。ここで、同軸給電管（１１，１
２）は、図１に示す同軸給電管１で構成される。なお、
図５において、１５は、連結部内に配置され、内部導体
３を接続する導電部材である。なお、対比の意味で、従
来の同軸給電管５０を使用するエルボーの断面図を図７
に示す。
下、本実施の形態の同軸給電管１の応用例について説明
する。図５は、本実施の形態の同軸給電管１を使用する
エルボーの構造を示す斜視図であり、また、図６は、図
５に示すエルボーの構造を示す断面図であり、同軸給電
管の長さ方向に沿った面で切断した断面を示す断面図で
ある。この図５に示すエルボー１０は、励振電力を送信
アンテナに供給する場合等に使用されるもので、互いに
直交する同軸給電管（１１，１２）が、連結部を介して
接続されて構成される。ここで、同軸給電管（１１，１
２）は、図１に示す同軸給電管１で構成される。なお、
図５において、１５は、連結部内に配置され、内部導体
３を接続する導電部材である。なお、対比の意味で、従
来の同軸給電管５０を使用するエルボーの断面図を図７
に示す。
【００１８】図８は、本実施の形態の同軸給電管１を使
用するハイブリッド回路の構造を示す模式斜視図であ
り、また、図９は、図８に示すハイブリッド回路の構造
を示す要部断面図であり、同軸給電管の長さ方向に沿っ
た面で切断した断面を示す断面図である。図８、図９に
示すハイブリッド回路２０は、筐体内に、２個のストリ
ップライン（２５，２６）が配置され、このストリップ
ライン（２５，２６）は、それぞれ４個の同軸給電管
（２１〜２４）の中の対応する２個の同軸給電管の内部
導体３に接続されて構成される。ここで、同軸給電管
（２１〜２４）は、図１に示す同軸給電管１で構成され
る。なお、図８では、内部の構造を理解しやすくするた
め、筐体２７は実線で表している。なお、対比の意味
で、従来の同軸給電管５０を使用するハイブリッド回路
の要部断面図を図１０に示す。以上、本発明者によって
なされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明
したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可
能であることは勿論である。
用するハイブリッド回路の構造を示す模式斜視図であ
り、また、図９は、図８に示すハイブリッド回路の構造
を示す要部断面図であり、同軸給電管の長さ方向に沿っ
た面で切断した断面を示す断面図である。図８、図９に
示すハイブリッド回路２０は、筐体内に、２個のストリ
ップライン（２５，２６）が配置され、このストリップ
ライン（２５，２６）は、それぞれ４個の同軸給電管
（２１〜２４）の中の対応する２個の同軸給電管の内部
導体３に接続されて構成される。ここで、同軸給電管
（２１〜２４）は、図１に示す同軸給電管１で構成され
る。なお、図８では、内部の構造を理解しやすくするた
め、筐体２７は実線で表している。なお、対比の意味
で、従来の同軸給電管５０を使用するハイブリッド回路
の要部断面図を図１０に示す。以上、本発明者によって
なされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明
したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可
能であることは勿論である。
【００１９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。本発明の同軸給電管によれば、内部導
体損失により同軸給電管の内部導体で生じる熱を、外部
導体を介して放熱することが可能となり、これにより、
同軸給電管の内部導体の温度上昇を低減することが可能
となる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。本発明の同軸給電管によれば、内部導
体損失により同軸給電管の内部導体で生じる熱を、外部
導体を介して放熱することが可能となり、これにより、
同軸給電管の内部導体の温度上昇を低減することが可能
となる。
【図１】本発明の実施の形態の同軸給電管の構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】図１に示すスペーサの構造を示す模式斜視図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施の形態の同軸給電管の変形例の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図４】図３に示すスペーサの構造を示す模式斜視図で
ある。
ある。
【図５】本発明の実施の形態の同軸給電管を使用するエ
ルボーの構造を示す斜視図である。
ルボーの構造を示す斜視図である。
【図６】図５に示すエルボーの構造を示す断面図であ
る。
る。
【図７】従来の同軸給電管を使用するエルボーの構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態の同軸給電管を使用するハ
イブリッド回路の構造を示す模式斜視図である。
イブリッド回路の構造を示す模式斜視図である。
【図９】図７に示すハイブリッド回路の構造を示す要部
断面図である。
断面図である。
【図１０】従来の同軸給電管を使用するハイブリッド回
路の構造を示す要部断面図である。
路の構造を示す要部断面図である。
【図１１】同軸給電管の基本構造を示す断面図である。
【図１２】支持部材を用いて内部導体を支持するように
した同軸給電管の一例を示す断面図である。
した同軸給電管の一例を示す断面図である。
【図１３】支持部材を用いて内部導体を支持するように
した同軸給電管の他の例を示す断面図である。
した同軸給電管の他の例を示す断面図である。
【図１４】支持部材を用いて内部導体を支持するように
した同軸給電管の他の例を示す断面図である。
した同軸給電管の他の例を示す断面図である。
【図１５】内部導体にアンダーカットを、外部導体にオ
ーバーカットを、それぞれ施した同軸給電管を示す断面
図である。
ーバーカットを、それぞれ施した同軸給電管を示す断面
図である。
【図１６】図１５に示すスペーサ６の構造を示す模式斜
視図である。
視図である。
【図１７】図１１、図１３、および図１４に示す同軸給
電管のカットオフ周波数を計算した結果を示すグラフで
ある。
電管のカットオフ周波数を計算した結果を示すグラフで
ある。
１，１１，１２，２１〜２４，５０…同軸給電管、２…
外部導体、３…内部導体、５…誘電体、６，７…スペー
サ、９…接合部材、１０…エルボー、１５…導電部材、
２０…ハイブリッド回路、２５，２６…ストリップライ
ン、２７…筐体。
外部導体、３…内部導体、５…誘電体、６，７…スペー
サ、９…接合部材、１０…エルボー、１５…導電部材、
２０…ハイブリッド回路、２５，２６…ストリップライ
ン、２７…筐体。
Claims (3)
- 【請求項１】 外部導体と、 内部導体と、 前記外部導体と前記内部導体との間に配置され、前記内
部導体を支持するスペーサとを備える同軸給電管であっ
て、 前記スペーサは、熱伝導率が大きい絶縁材料で構成され
るとともに、前記スペーサの前記外部導体との接触部に
おける前記同軸給電管の長さ方向の位置と、前記スペー
サの前記内部導体との接触部における前記同軸給電管の
長さ方向の位置とが異なっていることを特徴とする同軸
給電管。 - 【請求項２】 前記スペーサは、前記外部導体に直角な
前記外部導体との接触部と、 前記内部導体に直角な前記内部導体との接触部と、 前記外部導体との接触部と、前記内部導体との接触部と
を連結し、包絡面が円錐台状の連結部とで構成され、 前記連結部の前記円錐台状の包絡面と、前記外部導体あ
るいは前記内部導体との交差角が、４５±１５°である
ことを特徴とする請求項１に記載の同軸給電管。 - 【請求項３】 前記スペーサは、アルミナ、または、酸
化ベリリウム、あるいは、窒化アルミニウムで構成され
ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の同
軸給電管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001219286A JP2003032007A (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | 同軸給電管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001219286A JP2003032007A (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | 同軸給電管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003032007A true JP2003032007A (ja) | 2003-01-31 |
Family
ID=19053313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001219286A Pending JP2003032007A (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | 同軸給電管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003032007A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013518473A (ja) * | 2010-01-22 | 2013-05-20 | ヌボトロニクス，エルエルシー | 熱制御 |
| US9993982B2 (en) | 2011-07-13 | 2018-06-12 | Nuvotronics, Inc. | Methods of fabricating electronic and mechanical structures |
| US10002818B2 (en) | 2007-03-20 | 2018-06-19 | Nuvotronics, Inc. | Integrated electronic components and methods of formation thereof |
| US10076042B2 (en) | 2011-06-05 | 2018-09-11 | Nuvotronics, Inc | Devices and methods for solder flow control in three-dimensional microstructures |
| US10074885B2 (en) | 2003-03-04 | 2018-09-11 | Nuvotronics, Inc | Coaxial waveguide microstructures having conductors formed by plural conductive layers |
| US10135109B2 (en) | 2007-03-20 | 2018-11-20 | Nuvotronics, Inc | Method of forming a coaxial line microstructure having an enlarged region on a substrate and removing the coaxial line microstructure from the substrate for mounting on a mounting substrate |
| US10193203B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-29 | Nuvotronics, Inc | Structures and methods for interconnects and associated alignment and assembly mechanisms for and between chips, components, and 3D systems |
| US10257951B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-04-09 | Nuvotronics, Inc | Substrate-free interconnected electronic mechanical structural systems |
| US10310009B2 (en) | 2014-01-17 | 2019-06-04 | Nuvotronics, Inc | Wafer scale test interface unit and contactors |
| US10319654B1 (en) | 2017-12-01 | 2019-06-11 | Cubic Corporation | Integrated chip scale packages |
| US10497511B2 (en) | 2009-11-23 | 2019-12-03 | Cubic Corporation | Multilayer build processes and devices thereof |
| US10511073B2 (en) | 2014-12-03 | 2019-12-17 | Cubic Corporation | Systems and methods for manufacturing stacked circuits and transmission lines |
| US10847469B2 (en) | 2016-04-26 | 2020-11-24 | Cubic Corporation | CTE compensation for wafer-level and chip-scale packages and assemblies |
| KR20220105897A (ko) * | 2021-01-21 | 2022-07-28 | (주)이플전기 | 적층 제조 공정에 의한 가스절연 개폐장치용 축소형 절연 스페이서 |
-
2001
- 2001-07-19 JP JP2001219286A patent/JP2003032007A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10074885B2 (en) | 2003-03-04 | 2018-09-11 | Nuvotronics, Inc | Coaxial waveguide microstructures having conductors formed by plural conductive layers |
| US10135109B2 (en) | 2007-03-20 | 2018-11-20 | Nuvotronics, Inc | Method of forming a coaxial line microstructure having an enlarged region on a substrate and removing the coaxial line microstructure from the substrate for mounting on a mounting substrate |
| US10002818B2 (en) | 2007-03-20 | 2018-06-19 | Nuvotronics, Inc. | Integrated electronic components and methods of formation thereof |
| US10431521B2 (en) | 2007-03-20 | 2019-10-01 | Cubic Corporation | Integrated electronic components and methods of formation thereof |
| US10497511B2 (en) | 2009-11-23 | 2019-12-03 | Cubic Corporation | Multilayer build processes and devices thereof |
| KR20170126009A (ko) * | 2010-01-22 | 2017-11-15 | 누보트로닉스, 인크. | 열관리 |
| KR101917052B1 (ko) * | 2010-01-22 | 2019-01-30 | 누보트로닉스, 인크. | 열관리 |
| JP2013518473A (ja) * | 2010-01-22 | 2013-05-20 | ヌボトロニクス，エルエルシー | 熱制御 |
| US10076042B2 (en) | 2011-06-05 | 2018-09-11 | Nuvotronics, Inc | Devices and methods for solder flow control in three-dimensional microstructures |
| US9993982B2 (en) | 2011-07-13 | 2018-06-12 | Nuvotronics, Inc. | Methods of fabricating electronic and mechanical structures |
| US10193203B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-29 | Nuvotronics, Inc | Structures and methods for interconnects and associated alignment and assembly mechanisms for and between chips, components, and 3D systems |
| US10257951B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-04-09 | Nuvotronics, Inc | Substrate-free interconnected electronic mechanical structural systems |
| US10361471B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-07-23 | Nuvotronics, Inc | Structures and methods for interconnects and associated alignment and assembly mechanisms for and between chips, components, and 3D systems |
| US10310009B2 (en) | 2014-01-17 | 2019-06-04 | Nuvotronics, Inc | Wafer scale test interface unit and contactors |
| US10511073B2 (en) | 2014-12-03 | 2019-12-17 | Cubic Corporation | Systems and methods for manufacturing stacked circuits and transmission lines |
| US10847469B2 (en) | 2016-04-26 | 2020-11-24 | Cubic Corporation | CTE compensation for wafer-level and chip-scale packages and assemblies |
| US10319654B1 (en) | 2017-12-01 | 2019-06-11 | Cubic Corporation | Integrated chip scale packages |
| US10553511B2 (en) | 2017-12-01 | 2020-02-04 | Cubic Corporation | Integrated chip scale packages |
| KR20220105897A (ko) * | 2021-01-21 | 2022-07-28 | (주)이플전기 | 적층 제조 공정에 의한 가스절연 개폐장치용 축소형 절연 스페이서 |
| KR102471505B1 (ko) * | 2021-01-21 | 2022-11-28 | (주)이플전기 | 적층 제조 공정에 의한 가스절연 개폐장치용 축소형 절연 스페이서 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003032007A (ja) | 同軸給電管 | |
| US2658143A (en) | Ultrahigh-frequency broadcast antenna system | |
| US20120188142A1 (en) | Printed quasi-tapered tape helical array antenna | |
| US3219752A (en) | High frequency electrical lead-in cable | |
| JP2012009321A (ja) | 差動信号伝送用ケーブル及びその製造方法 | |
| EP1039482B1 (en) | Coaxial cable having effective insulated conductor rotation | |
| JP2001508257A (ja) | グループ・アンテナ及びこの種のグループ・アンテナ用のマイクロストリップ分布アレイ | |
| KR20140031360A (ko) | 에어스트립 방사체 및 급전구조를 갖는 고효율 안테나 | |
| JP4808007B2 (ja) | アンテナ | |
| US2724774A (en) | Slotted cylinder antenna | |
| US20200091621A1 (en) | Antenna system and antenna structure thereof | |
| US5285211A (en) | Coaxial collinear element array antenna | |
| US20010017521A1 (en) | Collector structure of traveling wave tube | |
| TWM368903U (en) | High-frequency signal stripline | |
| US4885839A (en) | Process of fabricating a waveguide | |
| KR100994264B1 (ko) | 공진주파수 조절이 가능한 누설 동축 케이블 및 그 제조 방법 | |
| US5450047A (en) | High power waveguide window and waveguide assembly | |
| JP3484661B2 (ja) | 同軸型ローパスフィルタ | |
| US20110102109A1 (en) | Thermally efficient dielectric resonator support | |
| JP2005244910A (ja) | スペーサ | |
| JP2007158762A (ja) | 自立型ダイポ−ルアンテナ | |
| US5600338A (en) | Coaxial-collinear antenna | |
| JP2009060158A (ja) | ショートバックファイヤアンテナ | |
| JPS60109301A (ja) | マイクロウエ−ブ結合器 | |
| US2552146A (en) | Duplex directive antenna system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030311 |