KR20110055401A - 발광장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

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KR20110055401A
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KR
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light emitting
resin
metal substrate
reflector
slit
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KR1020100111312A
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šœ야 이데
마사노리 사토
다카히코 노자키
다카아키 사카이
히로시 고타니
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스탄레 덴끼 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판 상에 LED 소자를 탑재한 복수의 발광소자부를 형성하고, 다이싱하는 발광장치의 제조에 있어서, 다이싱시의 깎아서 생긴 쓰레기의 발생을 억제하는 동시에, 제조공정에 있어서의 기판의 파손을 방지하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 발광장치의 제조방법은, 금속 기판(20)에, 발광소자부 형성영역(22)을 횡단하는 슬릿(24)을 형성하는 공정에 있어서, 슬릿(24)과 교차하듯이 수지 괸 곳용 오목부(21)를 형성하고, 이어서, 슬릿(24)에 절연재료를 충전하는 동시에, 상기 오목부(21)에 수지를 충전하여, 경화시키며, 그 후, 발광소자부 형성영역(22)에 발광소자부를 형성하고, 1 내지 복수의 발광소자부를 단위로 하여 절단하여, 패턴이 형성된 프린트 기판에 실장하는 것을 특징으로 한다.

Description

발광장치 및 그의 제조방법{Light emitting device and method for manufacturing the same}
본 발명은 금속 기판 상에 LED 소자를 탑재한 발광장치와 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 제조공정에 있어서의 발광장치의 강도의 향상을 도모하는 기술에 관한 것이다.
LED 광원 등의 발광장치의 전형적인 제조방법에서는, 1장의 기판에 복수의 LED 소자를 다이본딩 등에 의해 고정한 후, 기판을 1 내지 복수의 LED 소자별로 다이싱하여, 프린트 기판에 실장(mounting)한다(예를 들면, 특허문헌 1). 이와 같은 제조공정에 있어서, LED 소자로부터의 발광효과를 높이기 위한 리플렉터가 LED 소자의 주변에는 설치된다.
특허문헌 2에는, LED 소자를 다이싱에 의해 분리하기 전에 리플렉터가 되는 광반사성 수지의 층을 형성하고, 그 후, 다이싱하는 기술이 기재되어 있다. 또한, LED 소자를 탑재하는 기판으로서 금속의 박판을 사용하고, 이 금속판을 리플렉터로서 이용하는 기술도 다양하게 제안되어 있다(특허문헌 3, 4). 금속판을 LED 소자의 기판으로서 이용하는 경우에는, LED 소자의 한쪽 전극이 접속되는 부분(다이본딩 패드)과 다른 쪽의 전극이 접속되는 부분(와이어본딩 패드)을 절연하기 위한 슬릿이 필수가 된다. 이 경우, 슬릿에 의해 분단된 금속판을, 제조 중, 접합해 둘 필요가 있다.
특허문헌 3에 기재된 기술에서는, 먼저 금속제의 박판을 프레스가공하여, 리플렉터를 형성하는 동시에, 다이본딩 패드와 와이어본딩 패드를 슬릿으로 분리하고, 금속제의 박판의 이면(裏面)에 실리카 등을 분산한 에폭시 수지 등의 절연성 수지를 흘려넣는다. 이것에 의해, 금속 기판에 형성된 LED 소자를 다이싱에 의해 분리할 때, 연결이 파괴되는 것을 방지하고 있다.
특허문헌 4에 기재된 기술에서는, 금속 박판의 양단을 コ자 형상으로 꺾어 구부려 강도를 확보하는 동시에, 슬릿을 절연성의 마스킹 테이프로 접속하고 있다.
일본국 특허공개 제2006-108341호 공보 일본국 특허공개 제2006-245626호 공보 일본국 특허 제3447604호 공보 일본국 특허공개 제2002-314148호 공보
특허문헌 2에 기재된 기술에서는, 수지에 의해 리플렉터를 형성한 LED 패키지 기판을 다이싱하여 분할하나, 다이싱에 의해 리플렉터(수지)의 깎아서 생긴 쓰레기가 발생한다는 문제가 있다. 즉, 다이싱을, 리플렉터 내에 봉지(封止) 수지를 주입하기 전에 행한 경우에는, 발생한 깎아서 생긴 쓰레기가 리플렉터 내에 혼입되어, 봉지 수지의 접착강도 저하를 초래하거나, LED 소자에 부착되어, 광속(光束) 저하나 배광(配光) 이상을 초래할 우려가 있다. 리플렉터 내에 봉지 수지를 주입한 후에 다이싱한 경우에도, 발생한 깎아서 생긴 쓰레기가 LED의 발광면에 부착되어, 광속 저하나 배광 이상을 초래할 가능성이 있다.
한편, 리플렉터를 기판이 되는 금속판 자체로 제작한 경우에는, 수지의 깎아서 생긴 쓰레기의 문제는 없어지나, 금속판에 설치하는 슬릿 부분에서의 접합강도의 저하가 문제가 된다. 특허문헌 3에 기재된 기술에서는, 그 문제를 금속판의 이면에 수지를 흘려넣음으로써 해결하고 있으나, 일반적으로 수지는 금속에 비해 열전도율이 현저히 떨어지기 때문에, 수지로서 비교적 방열성이 좋은 재료를 사용하였다고 해도, 방열성의 저하는 피할 수 없다. 특히, 발광장치의 고휘도화 요구에 따라 소비전류가 증대된 경우, 방열성이 부족한 것이 우려된다.
또한 특허문헌 4에 기재된 기술은, 다이싱을 상정한 것은 아니나, 슬릿에 의해 분리된 금속 박판을 마스킹 테이프와 박판 상에 적층된 수지에 의해 접합하고 있어, 다이싱한 경우에는, 특허문헌 2와 마찬가지로 깎아서 생긴 쓰레기 발생의 문제를 발생시킨다. 또한, 수지층을 설치하기 전에 다이싱한 경우에는, 마스킹 테이프만으로는 접합부의 강도를 유지할 수 없다.
본 발명은 다이싱시의 쓰레기의 발생이 거의 없고, 또한 기판의 강도, 특히 슬릿부의 강도가 보강되며, 다이싱을 포함하는 제조공정에 있어서 접합부의 파손 등의 문제를 발생시키지 않는 발광장치의 제조방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 발광장치의 제조방법은, 금속 기판의 발광소자부 형성영역을 횡단하는 슬릿을 형성하는 동시에, 당해 슬릿에 절연재료를 충전하는 공정을 포함하고, 당해 공정에 있어서, 슬릿과 교차하듯이 수지 괸 곳(溜)용 오목부를 형성하고, 이 오목부에 수지를 충전하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 발광장치의 제조방법의 하나의 태양은, 이하와 같이 구성된다.
금속 기판에, 발광소자부 형성영역을 횡단하는 슬릿을 형성하는 공정(1)과, 상기 슬릿에 절연재료를 충전하는 공정(2)과, 상기 발광소자부 형성영역에 발광소자부를 형성하는 공정(3)과, 상기 발광소자부가 형성된 금속 기판을, 1 내지 복수의 발광소자부를 단위로 하여 절단하는 공정(4)을 포함하고, 상기 공정(1)에 있어서, 상기 금속 기판의, 상기 발광소자부 형성영역의 바로 아래를 제외한 영역에, 상기 슬릿과 교차하듯이 수지 괸 곳용 오목부를 형성하고, 상기 공정(2)에 있어서, 상기 오목부에 수지를 충전하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
이 발광장치의 제조방법에 있어서, 바람직하게는, 공정(1)은, 상기 금속 기판의 발광소자부 형성영역에 리플렉터부를 형성하는 공정을 포함한다.
또한 본 발명의 발광장치의 제조방법의 다른 태양은, 이하와 같이 구성된다.
금속 기판에, 발광소자부 형성영역 및 당해 발광소자부 형성영역을 횡단하는 슬릿을 형성하는 공정(1)과, 상기 발광소자부 형성영역에 발광소자부를 형성하는 공정(2)과, 상기 슬릿에 절연재료를 충전하는 공정(3)과, 상기 발광소자부가 형성된 금속 기판을, 1 내지 복수의 발광소자부를 단위로 하여 절단하는 공정(4)을 포함하고, 상기 공정(1)에 있어서 형성되는 상기 발광소자부 형성영역은, 리플렉터용 오목부와 당해 리플렉터용 오목부의 바닥면으로부터 돌출된 볼록부를 갖고, 상기 공정(1)에 있어서, 상기 금속 기판의, 상기 발광소자부 형성영역의 두께방향 바로 아래를 제외한 영역에, 상기 슬릿과 교차하듯이 수지 괸 곳용 오목부를 형성하고, 상기 공정(3)에 있어서, 상기 볼록부를 제외한 리플렉터용 오목부의 바닥부와 상기 수지 괸 곳용 오목부에 수지를 충전하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
본 발명의 발광장치의 제조방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 수지 괸 곳용 오목부에 충전되는 수지는, 상기 슬릿에 충전되는 절연재료와 동재료이다.
본 발명의 발광장치의 제조방법에 있어서, 상기 발광소자부 형성영역이 존재하는 면을 표면으로 할 때, 상기 수지 괸 곳용 오목부는, 상기 금속 기판의 표면측에 형성해도 되고, 이면측에 형성해도 된다. 또는 표면 및 이면 양쪽에 형성해도 된다. 표면 및/또는 이면에 형성되는 수지 괸 곳용 오목부는, 관통구멍에 의해 금속 기판을 관통하는 것이어도 된다.
본 발명의 발광장치의 제조방법의 또 다른 태양에서는, 상기 공정(1)에 있어서 복수의 리플렉터부를 형성하고, 그 일부의 리플렉터부가 상기 수지 괸 곳용 오목부를 겸한다. 이 경우, 리플렉터부의 형상은 동일해도 되고 상이해도 된다. 예를 들면, 공정(1)에 있어서, 형상이 상이한 복수 종의 리플렉터부를 형성하고, 그 중, 동종의 리플렉터부에 발광소자부를 형성하여, 그 이외의 리플렉터부를 상기 수지 괸 곳용 오목부로 한다.
본 발명의 발광장치는, 리플렉터부 및 상기 리플렉터부를 횡단하여 절연재료가 충전된 슬릿을 구비한 금속 기판과, 상기 금속 기판의 리플렉터부에 접속된 발광소자를 구비하고, 상기 금속 기판의, 상기 리플렉터부가 형성된 영역의 두께방향 바로 아래를 제외한 영역에, 상기 슬릿과 교차하여, 수지가 충전된 오목부를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 발광소자의 다른 태양은, 리플렉터부 및 상기 리플렉터부를 횡단하여 절연재료가 충전된 슬릿을 구비한 금속 기판과, 상기 금속 기판의 리플렉터부에 접속된 발광소자를 구비하고, 상기 리플렉터부는, 그 바닥면으로부터 돌출된 발광소자 탑재용 볼록부를 구비하며, 상기 금속 기판의, 상기 리플렉터부가 형성된 영역의 두께방향 바로 아래를 제외한 영역에, 상기 슬릿과 교차하듯이 형성된 오목부를 갖고, 상기 오목부 및 상기 리플렉터부의 발광소자 탑재용 볼록부를 제외한 바닥부에 백색 수지가 충전되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에 있어서, 오목부에 충전되는 「수지」란, 수지 조성물을 포함하는 넓은 의미의 수지를 의미한다.
본 발명에 의하면, 금속 기판에 복수의 발광소자부를 형성하고, 1 내지 복수의 발광소자부를 분할하여 발광장치를 제조할 때, 금속 기판의, 발광소자부가 설치되는 부분에 슬릿을 설치하는 동시에, 슬릿과 교차하듯이 오목부를 설치하고, 슬릿 및 오목부를 수지 등으로 충전함으로써, 슬릿에 의해 분단되는 금속 기판의 양측이 수지에 의해 강고하게 접착되기 때문에, 금속 기판의 슬릿에 있어서의 접합부의 강도를 높일 수 있다. 이것에 의해 제조공정에 있어서의 접합부의 파손을 방지하고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
또한 오목부는, 발광소자부의 바로 아래 이외의 장소에 형성되어 있기 때문에, 금속 기판에 의한 방열성이 저해되지 않아, 우수한 방열성이 유지된다. 또한 발광소자부를 다이싱 등으로 분리하는 경우에, 수지로부터의 깎아서 생긴 쓰레기의 발생을 없앨 수 있어, 깎아서 생긴 쓰레기에 의해 발광장치의 특성이 저해되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 발광장치의 제조공정의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 2는 제1 실시형태에 의한 금속판 가공을 실시한 금속 기판을 나타내는 상면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 의한 제조방법의 금속 가공 후의 금속 기판을 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 (a)의 A-A 단면도, (c)는 (a)의 B-B 단면도, (d)는 (a)의 C-C 단면도이다.
도 4는 도 3의 금속 기판의 오목부 등에 수지를 충전한 상태를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 (a)의 A-A 단면도, (c)는 (a)의 B-B 단면도, (d)는 (a)의 C-C 단면도이다.
도 5(a)~(c)는 도 4의 금속 기판에 LED 소자를 탑재하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 6은 LED 소자 탑재 후의 금속 기판의 가장자리부를 절단한 상태를 나타내는 도면이다.
도 7(a)~(c)는 각각 패키지의 분리예를 나타내는 도면이다.
도 8은 프린트 기판으로의 실장공정을 설명하는 도면으로, (a)는 도금가공 후의 상태를 나타내는 단면도, (b) 및 (c)는 프린트 기판 실장 후의 상태를 나타내는 상면도 및 단면도이다.
도 9는 제2 실시형태의 발광장치를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 (a)의 A-A 단면도, (c)는 (a)의 B-B 단면도, (d)는 (a)의 C-C 단면도이다.
도 10은 제3 실시형태의 발광장치를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 (a)의 A-A 단면도, (c)는 (a)의 B-B 단면도, (d)는 (a)의 C-C 단면도이다.
도 11은 제4 실시형태의 발광장치를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 (a)의 A-A 단면도, (c)는 (a)의 B-B 단면도, (d)는 (a)의 C-C 단면도이다.
도 12는 제5 실시형태의 발광장치를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 (a)의 A-A 단면도, (c)는 (a)의 B-B 단면도, (d)는 (a)의 C-C 단면도이다.
도 13은 제6 실시형태의 발광장치를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 (a)의 A-A 단면도, (c)는 (a)의 B-B 단면도, (d)는 (a)의 C-C 단면도이다.
도 14(a)~(d)는, 제7 실시형태의 발광장치를 나타내는 상면도이다.
도 15(a) 및 (b)는, 제8 실시형태의 발광장치를 나타내는 상면도이다.
도 16은 제9 실시형태의 발광장치를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 (a)의 A-A 단면도, (c)는 (a)의 B-B 단면도, (d)는 (a)의 C-C 단면도이다.
도 17은 본 발명의 발광장치의 제조공정의 다른 실시형태를 나타내는 흐름도이다.
도 18은 제10 실시형태에 의한 금속판 가공을 실시한 금속 기판을 나타내는 상면도이다.
도 19는 제10 실시형태에 의한 제조방법의 금속가공 후의 금속 기판의 일부를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 (a)의 A-A 단면도, (c)는 (a)의 B-B 단면도, (d)는 (a)의 C-C 단면도, (e)는 (d)의 일부 확대도이다.
도 20은 도 10의 금속 기판에 LED 소자를 탑재한 상태를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 (a)의 A-A 단면도, (c)는 (a)의 B-B 단면도, (d)는 (a)의 C-C 단면도이다.
도 21은 LED 소자를 탑재 후의 금속 기판의 오목부 등에 백색 수지를 충전한 상태를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 (a)의 A-A 단면도, (c)는 (a)의 B-B 단면도, (d)는 (a)의 C-C 단면도이다.
도 22는 리플렉터부에 형광체 함유 수지를 충전한 상태를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 (a)의 A-A 단면도, (c)는 (a)의 B-B 단면도, (d)는 (a)의 C-C 단면도이다.
도 23은 제11 실시형태에 의한 제조방법에서 사용하는 야구(冶具)를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b) 및 (c)는, 각각 (a)의 A-A선 확대 단면도 및 B-B선 확대 단면도이다.
도 24는 실시예의 평가방법 (b) 및 결과 (a)를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명에 의한 발광장치의 제조방법의 실시형태를, 도면을 참조하여 설명한다.
<제1 실시형태>
도 1은 제1 실시형태에 의한 발광장치의 제조방법의 순서를 나타내는 도면, 도 2~도 8은 제조방법의 각 공정에 있어서의 발광장치(제조 도중의 부품의 상태를 포함한다)를 나타내는 도면이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 제조방법은, 주로, 금속 기판에, 복수의 리플렉터부 및 슬릿을 형성하는 금속 기판 가공공정(S101)과, 슬릿에 절연성 수지를 충전하는 수지 충전공정(S102)과, 리플렉터부의 각각에 발광소자부를 형성하는 발광소자부 형성공정(S103)과, 발광소자부가 형성된 금속 기판을, 1 내지 복수의 발광소자부를 단위로 하여 분리하는 분할공정(S104), 분할한 발광소자부를 프린트 기판에 실장하는 실장공정(S105)으로 되고, 금속 기판 가공공정(S101)에 있어서, 슬릿과 교차하듯이 오목부를 형성하는 공정과, 수지 충전공정(S102)에 있어서, 오목부에 수지를 충전하는 공정이 포함되는 것이 특징이다.
금속 기판은, 금속제의 판형상 부재로, 열전도율 및 반사율이 높고, 가공하기 쉬운 재료로 되는 것이 바람직하다. 예를 들면, Cu의 판재에 Ni 도금층을 입히고, 그 위에 Ag 도금층이나 Au 도금층을 입힌 것이나, Al의 판재 등이 매우 적합하게 사용된다. 금속 기판의 두께는, 가공성이나 방열성의 관점에서 결정한다. 예를 들면, 0.5 ㎜~1.0 ㎜ 정도로 설정한다.
금속 기판 가공공정(S101)에서는, 이와 같은 금속 기판의 한쪽 면에, 복수의 리플렉터부를 형성하는 동시에, 이들 리플렉터부를 횡단하는 슬릿을 형성한다. 도 2 및 도 3에, 공정(S101)에 의해 리플렉터부(22) 및 슬릿(24)을 형성한 후의 금속 기판(20)의 일 실시형태를 나타낸다. 도 3은 도 2에 나타내는 금속 기판의 일부를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 상면도의 A-A선의 단면도, (c)는 B-B선의 단면도, (d)는 C-C선의 단면도이다. 도 3의 (b), (d)에 나타낸 바와 같이, 리플렉터부(22)는, 원뿔대를 상하 반전한 형상의 팬 곳(窪)으로, 바닥면에 후술하는 LED 소자가 다이본딩되고, LED 소자의 발광을 반사하는 리플렉터로서 기능한다. 리플렉터부(22)는, 금속 기판의 직사각형 표면에, 직교하는 2방향을 따라 소정 간격으로 복수 형성된다. 도시하는 예에서는, 가로 4열 세로 4열의 리플렉터부가 형성되어 있으나, 리플렉터부의 수(열 수)는 이것에 한정되지 않는다.
리플렉터부(22)의 깊이는, LED 소자의 두께보다 크고, 리플렉터부(22)에 수지 등을 충전했을 때에도, LED 소자의 전기적 접속에 사용되는 와이어가 상부로부터 튀어나오지 않을 정도로 한다. 구체적으로는, 예를 들면, 금속 기판(20)의 두께를 1 ㎜ 정도로 하고, 0.4 ㎜ 이상으로 한다.
또한 각각의 리플렉터부(22)의 분할을 용이하게 하기 위해, 리플렉터부(22)의 배열방향을 따라 복수의 V홈(26)이 형성된다. V홈(26)은, 도시하는 실시형태에서는, 금속 기판(20)의 상하 양면에 형성되어 있으나, 한쪽 면에만 형성된 것이어도 된다. V홈(26)의 두께는, 강도의 관점에서, 0.15 ㎜ 이하인 것이 바람직하다. 또한 V홈(26) 대신에, 미싱눈이어도 된다.
슬릿(24)은, 리플렉터부(22)에 본딩되는 LED 소자의 2개의 전극 중 한쪽이 접속되는 금속 기판(20)의 부분과, 다른 쪽이 접속되는 금속 기판(20)의 부분을 전기적으로 절연하기 위한 것이다. 이 때문에 슬릿(24)은, 리플렉터부(22)의 열을 횡단하듯이, 금속 기판(20)을 관통하여 설치된다. 슬릿의 폭은 특별히 한정되지 않으나, 통상, 기판의 두께와 같은 정도이다.
슬릿(24)에 의해 분단되는 금속 기판(20)을, 최종의 절단공정까지 일체화해 두기 위해, 도 2에 나타내는 바와 같이, 슬릿(24)은 금속 기판(20)의 단부까지는 도달해 있지 않고, 금속 기판(20)의 단부에는, 슬릿(24)이 형성되어 있지 않은 가장자리부(20a)가 형성된다. 이 가장자리부(20a)를 최종적으로 분리하기 위해, 슬릿(24)의 양단에는 각각 미싱눈 슬릿(28)이 형성된다.
또한 금속 기판(20)의, 리플렉터부(22)가 형성된 면과 반대측의 면(이면)에는, 인접하는 2개의 리플렉터부(22) 사이에 상당하는 영역에, 슬릿(24)을 가로질러 수지 괸 곳용 오목부(21)가 형성된다. 오목부(21)에는, 다음 공정(S102)에 있어서 슬릿(24)과 함께 수지가 충전되어, 슬릿(24)에 충전된 수지와 금속 기판의 접착력, 즉 금속 기판 결합부의 접착력을 보강한다. 슬릿(24)에 의해 분단된 인접하는 금속 기판(20)의 각 부는, 슬릿(24)에 수지를 충전함으로써 접착된 상태로 유지되나, 그 접착력은 약하다. 특히 슬릿(24)에 직교하는 방향의 응력에 대해, 접착력이 약하여, 제조 도중의 금속 기판(20)이 슬릿(24)의 부분에서 파손되기 쉽다. 수지 괸 곳으로서 기능하는 오목부(21)를, 슬릿(24)을 가로지르듯이 설치함으로써, 금속 기판과의 접착력을 높여, 제조 도중의 파손을 방지한다.
오목부(21)를 설치하는 위치는, LED 소자로부터의 방열을 금속 기판(20)에 의해 효율적으로 방열시키기 위해, 금속 기판의 LED 소자가 고정되는 부분의 바로 아래, 즉 리플렉터부(22)가 설치된 부분에 대응하는 이면부분 이외의 영역으로 하는 것이 중요하다. 도시하는 실시형태에서는, 각 리플렉터부(22)의 양측 이면에, 각각 2개의 가늘고 긴 오목부(21)가 형성되어 있다. 슬릿(24)과 직교하는 방향의 V홈(도면 중, 세로방향의 V홈)(26)을 형성하지 않는 경우, 즉 복수의 리플렉터부를 가로의 열을 단위로 하여 분리하도록 설계된 발광장치에서는, V홈(26)을 사이에 두고 형성되는 2개의 오목부(21)는, 하나의 오목부로 치환하는 것이 가능하다.
또한 오목부(21)는, 분할공정(S104)에서 절단되는 개소(V홈)를 피하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 절단시에, 오목부(21)에 충전된 수지로부터 깎아서 생긴 부스러기가 발생하지 않게 할 수 있다.
오목부(21)의 깊이는, 접착력을 높이기 위해, 0.1 ㎜ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 금속 기판(20)이 갖는 방열작용을 저해하지 않기 위해, 금속 기판(20)의 두께의 절반 정도가 바람직하다. 특히 LED 소자로부터 가로방향으로 전파되는 열의 방열을 저해하지 않기 위해, 리플렉터부(22)의 바닥부의 위치에 도달하지 않을 정도의 깊이인 것이 바람직하다. 즉, 금속 기판의 두께를 d ㎜로 하고, 리플렉터부의 깊이를 d1으로 할 때, 오목부(21)의 깊이 d2는, [d-d1] 이하로 하는 것이 바람직하다.
금속 기판 가공공정(S101)에서는, 이상 설명한 리플렉터부(22), 슬릿(24), V홈(26) 및 오목부(21)를, 프레스가공이나 하프 에칭 등의 에칭가공에 의해, 동시에 또는 각각 형성할 수 있다. 예를 들면, 금속 기판(20)의 펀칭가공으로 슬릿(24) 및 미싱눈 슬릿(28)을 형성한 후, 한쪽 면에 프레스가공 또는 에칭가공에 의해, 리플렉터부(22) 및 V홈(26)을 형성하고, 그 이면에 프레스가공 또는 에칭가공에 의해, 오목부(21) 및 이면측의 V홈(26)을 형성한다.
다음으로 수지 충전공정(S102)에서는, 공정(S101)에서 가공한 금속 기판의 슬릿(24) 및 오목부(21)에 수지를 디스펜서에 의해 주입하여 충전한다. 도 4는, 슬릿(24)과 오목부(21)에 수지(32)가 충전된 상태를 나타내는 도면으로, (a)~(d)는, 각각 상면도, 그의 A-A선의 단면도, B-B선의 단면도, C-C선의 단면도이다.
슬릿(24) 및 오목부(21)에 충전하는 수지(32)로서는, 내열성이 있는 절연성 수지가 사용된다. 또한, LED 소자로부터의 빛을 효율적으로 외부로 출력하기 위해 반사율이 높은 재료가 바람직하다. 또한 LED 소자로부터의 열을 방열하기 쉽게 하기 위해, 열전도성이 좋은 재료가 바람직하다. 이와 같은 재료로서, 예를 들면, 실리콘계 수지나 에폭시계 수지, 기타 공지의 절연성 엔지니어링 플라스틱류를 사용할 수 있다. 또한 이들 수지에는, 반사성이나 방열성을 높이기 위해, 접착성을 저해하지 않는 범위에서, 이산화티탄, 알루미나 등의 백색 안료를 함유시킬 수 있다. 또한 슬릿(24) 및 오목부(21)에 충전하는 수지는, 동종 또는 상이한 종류의 것이어도 된다. 동종의 수지를 사용한 경우에는, 슬릿(24)과 오목부(21)에 동시에 수지를 주입하는 것이 가능해진다.
슬릿(24) 및 오목부(21)로의 수지의 주입은, 슬릿측 또는 오목부측으로부터 1회에 행해도 되고, 2회에 나누어 행해도 된다. 오목부(21)의 형상이나 주입하는 수지의 점도 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 주입 후의 수지를 경화시킴으로써 본 공정은 완료된다.
발광소자부 형성공정(S103)에서는, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 각 리플렉터부(22)에 LED 소자(50)를 고정하는 동시에 전기적으로 접속한다. 접속방법은, LED 소자의 종류에 따라 상이하다. 예를 들면, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 한쪽 면에 2개의 전극이 형성되어 있는 LED 소자(50)의 경우는, 전극이 형성되어 있지 않은 면을 접착제(52)로 리플렉터부에 다이본딩한 후, 상면에 있는 2개의 전극을, 각각 슬릿(24)을 사이에 두고 절연되어 있는 금속 기판(20)의 한쪽(201) 및 다른 쪽(202)에, Au 와이어(54) 등에 의해 와이어본딩을 행한다. 또한 도 5(c)에 나타내는 바와 같이, 애노드와 캐소드가 상이한 면에 형성되어 있는 LED 소자(50)의 경우에는, 예를 들면 애노드 전극이 형성된 LED 소자 이면을, 땜납 페이스트나 Ag 입자가 분산된 접착제 등의 도전성 재료(56)로 리플렉터부에 접착시켜서 전기적으로도 접속을 도모하는 동시에, 별도의 면에 형성되어 있는 캐소드를, 슬릿(24)을 사이에 두고 절연되어 있는 금속 기판(20)의 부분(202)에 Au 와이어(54) 등에 의해 와이어본딩한다.
금속 기판과 LED 소자의 접속 후, 도 6에 나타내는 바와 같이, 금속 기판의 양쪽 가장자리부(20a)를 분리하고, 통전(通電) 체크를 행한다. 이 공정은, 전공정에서 행해진 다이본딩 및 와이어본딩이나 LED 소자에 불량이 없는지를 확인하기 위한 것으로, 금속 기판(20)의 하나의 단부와, 그것과 대각 위치에 있는 단부 사이에 통전함으로써 행해진다. 이어서, 각 리플렉터부(22)에 에폭시 수지 등의 봉지재(70)를 충전하여, 각각의 발광소자부의 형성공정(S103)이 완료된다. 리플렉터부(22)에 충전하는 봉지재(70)에는, 필요에 따라 LED 소자가 발하는 빛의 파장을 변환하는 파장 변환재료, 예를 들면 형광체 등을 첨가할 수 있다. 예를 들면, 청색 LED 소자를 실장한 리플렉터 내에 형광체 함유 수지(70)를 주입함으로써 백색의 광원을 실현하는 것이 가능하다.
다음으로 분할공정(S104)에 있어서, 용도에 따라, 발광소자부의 1개 또는 복수를 단위로 하여 분리한다. 이들의 단위를 패키지라 부른다. 발광소자부의 분리는, 다이싱 등을 사용해도 되고, 손으로 쪼개는 것도 가능하다. V홈(26)이 금속 기판(20)의 양측에서 형성한 것인 경우에는, 파단시키지 않고 용이하게 분리할 수 있다. V홈(26)과 수지 괸 곳인 오목부(21)가 교차하고 있지 않기 때문에, 다이싱시에, 수지(32)로부터 깎아서 생긴 부스러기가 발생하는 경우는 없다.
분리 후의 발광소자부를 도 7(a)~(c)에 나타낸다. 도면 중, 화살표는 통전방향을 나타낸다. 도 7(a)는, 단일 발광소자부를 분리한 경우를 나타내고, 단일소자 패키지의 발광장치에 사용된다. 도 7(b)는, 금속 기판(20)을 슬릿(24)과 직교하는 방향의 V홈(26)을 따라 절단하고, 복수(도면에서는 2개)의 발광소자부를 분리한 경우를 나타낸다. 이 경우에는, 2개의 발광소자부는 직렬 접속되어 있다. 도 7(c)는, 금속 기판(20)을 슬릿(24)과 평행한 V홈(26)을 따라 절단하고, 복수(도면에서는 4개)의 발광소자부를 분리한 경우를 나타내며, 4개의 발광소자부는 병렬 접속되어 있다.
용도에 따른 수 및 분할방식으로 분할된 발광소자부는, 도 8(a)에 나타낸 바와 같이, 금속 기판의 이면 전체에 Ni, Ni-Au, Su 등의 금속(82)으로 도금가공한 후, 도 8(b), (c)에 나타낸 바와 같이, 배선 패턴(81)이 형성된 프린트 기판(80)에 땜납(83)으로 실장되어, 발광장치(100)가 완성된다(실장공정(S105)).
본 실시형태에 의하면, LED 소자를 탑재하는 금속 기판의, LED 소자의 이측(금속 기판의 두께방향의 바로 아래)을 제외한 영역에, 절연용 슬릿과 교차하듯이, 수지 괸 곳을 위한 오목부(21)를 설치함으로써, 금속 기판의 가장자리부를 분리한 후의 공정에 있어서, 슬릿부에 있어서의 금속 기판의 꺾임을 방지하여, 작업성을 향상시킬 수 있다. 특히 오목부(21)의 길이방향이, 슬릿과 직교하는 방향으로 뻗어 있기 때문에 높은 보강효과가 얻어진다.
또한 수지 괸 곳은, LED 소자의 바로 아래를 피하여 설치되어 있기 때문에, LED 소자로부터의 열에 대한 금속 기판의 방열성을 방해하지 않고 양호한 방열성이 유지된다. 또한 본 실시형태에서는, 수지 괸 곳이, LED 소자가 설치된 면의 이면에 설치되어 있기 때문에, LED 소자를 표면에 고밀도 실장할 수 있고, 또한 금속 기판에 의한 높은 반사율이 유지된다.
또한 수지 괸 곳은, 각 발광소자부를 분리하는 분할부분(V홈)을 피해 형성되어 있기 때문에, 분할공정에 있어서 LED 소자나 와이어에 걸리는 응력을 저감시키는 동시에, 다이싱에 의한 쓰레기의 발생을 억제할 수 있다.
이상, 본 발명의 제1 실시형태를 설명하였으나, 오목부(21)의 형상이나 위치 및 리플렉터의 형상에 대해, 다양한 변경이 가능하다.
<제2 실시형태>
본 실시형태는, 제1 실시형태와는 오목부(21)의 형상이 상이하다. 그 이외의 구성 및 제조의 각 공정(S101~S105)은 제1 실시형태와 동일하므로 설명을 생략한다.
도 9는 본 실시형태의 발광장치의 제조방법의, 발광소자부 형성공정(S103) 종료시의 상태를 나타내는 도면이다. 본 도면에 있어서도 (a)~(d)는 각각, 상면도, 그의 A-A선의 단면도, B-B선의 단면도, C-C선의 단면도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 금속 기판 가공공정(S101)에서, 금속 기판(20)의 리플렉터부가 형성된 면의 이면에, X형의 오목부(21')를 형성하고, 수지 충전공정(S102)에서 오목부(21')에 수지를 충전하여 수지 괸 곳으로 한다. 본 실시형태에서도, 오목부(21')의 위치는, LED 소자가 고정되는 리플렉터부(22)의 바로 아래를 피하고 있는 것, 슬릿(24)과 교차하고 있는 것은 제1 실시형태와 동일하다.
본 실시형태에 의하면, 제1 실시형태와 마찬가지로, 금속 기판의 방열성이나 반사성을 손상시키지 않고, 수지 괸 곳에 의해 슬릿(24)에 충전한 수지와 금속 기판의 접착성을 보강하여, 제조공정에 있어서의 파손을 방지할 수 있다. 오목부(21')의 형상이 X형인 것에 의해, 발광소자부를 분리하기 위한 V홈(26)과 기판 두께방향의 상하에서 중복되는 부분이 발생하나, 예를 들면, 복수의 발광소자부로 되는 패키지에 대해서는, 분리되지 않는 V홈(26)의 강도를 강화할 수 있다.
<제3 실시형태>
본 실시형태는, 제1 및 제2 실시형태와는 오목부(21)를 형성하는 위치가 상이하다. 그 이외의 구성 및 제조의 각 공정(S101~S105)은 제1 실시형태와 동일하므로 설명을 생략한다.
도 10은, 본 실시형태의 발광장치의, 발광소자부 형성공정(S103) 종료시의 상태를 나타내는 도면이다. 본 도면에 있어서도, (a)~(d)는 각각, 상면도, 그의 A-A선의 단면도, B-B선의 단면도, C-C선의 단면도이다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 금속 기판 가공공정(S101)에서, 금속 기판(20)의 리플렉터부(22)가 형성된 면에, 각 리플렉터부의 내측에 슬릿(24)을 가로지르듯이 오목부(21)를 형성하고, 공정(S102)에서 오목부(21)에 수지를 충전하여 수지 괸 곳으로 한다. 오목부(21)의 깊이는 접착성을 향상시키기 위해 0.1 ㎜ 이상인 것이 바람직하고, 방열성을 높게 유지하기 위해서는, 리플렉터부의 깊이 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시형태에서는, LED 소자가 탑재되는 면의 반사성을 높게 유지하기 위해, 오목부(21)에 충전되는 수지로서 이산화티탄 등의 백색 안료를 포함하는 반사율이 높은 재료를 사용한다. 또한 도면에서는, 오목부(21)의 형상은 제1 실시형태와 마찬가지로 대략 직육면체의 형상으로 하고 있으나, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 제2 실시형태와 동일한 X형으로 해도 되며, 슬릿(24)에 직교하는 V홈(26)이 없는 경우에는, 이웃하는 2개의 오목부(21)를 일체화하여 하나의 오목부로 해도 된다.
본 실시형태에 의하면, 제1 및 제2 실시형태와 마찬가지로, 금속 기판의 방열성이나 반사성을 손상시키지 않고, 수지와 금속 기판의 접착성을 보강할 수 있다. 또한 본 실시형태에서는, 오목부(21)를 리플렉터부(22)와 동일한 면을 설치하기 때문에, 공정(S101)에 있어서 편측으로부터의 1회의 프레스가공으로 형성할 수 있다. 공정(S102)에 있어서도 디스펜서에 의한 수지 충전을 동일면측에서 행할 수 있어, 공정을 간략화할 수 있다. 또한 리플렉터부보다 아래쪽에 있는 금속 기판(20)의 부분이 오목부에 의해 차단되지 않기 때문에, 금속 기판(20)에 의한 높은 방열효과가 얻어진다.
<제4~제6 실시형태>
본 실시형태는, 제1~제3 실시형태의 강도의 향상을 도모한 변경예이다. 그 이외의 구성은 제1 실시형태와 동일하므로 설명을 생략한다.
도 11은 제4 실시형태에 있어서 발광소자부 형성공정(S103)을 종료한 상태를 나타내는 도면으로, 이 실시형태에서는, 금속 기판(20)의 리플렉터부가 형성된 면(표면으로 한다)의 이면에, 리플렉터부의 바로 아래를 피하여 오목부(21)가 형성되는 것은 제1 실시형태와 동일하나, 본 실시형태에서는, 오목부(21)는 표면을 관통하는 관통구멍(21a)이 형성되어 있다. 도면에서는 오목부(21)별로 2개의 관통구멍(21a)이 나타내어져 있으나, 관통구멍(21a)은 하나여도 되고 3개 이상이어도 된다.
본 실시형태는, 제1 실시형태와 동일한 효과를 나타내나, 오목부(21)가 관통구멍(21a)을 가지고 있는 것으로 인해, 수지와 금속 기판의 접착성을 추가적으로 향상시킬 수 있다. 또한 공정(S102)에 있어서 디스펜서로 수지를 충전할 때, 슬릿(24)으로의 충전과 함께 관통구멍(21a)을 매개로 하여 오목부(21)로의 충전을 표면측에서 행할 수 있다. 오목부(21)로의 수지의 충전을 확실히 하기 위해, 양측에서 수지를 충전해도 되는 것은 물론이다.
도 12는 제5 실시형태에 있어서 발광소자부 형성공정(S103)을 종료한 상태를 나타내는 도면으로, 이 실시형태에서는, 동일형상의 오목부(21)를 금속 기판(20)의 양면, 즉 리플렉터부가 형성된 면과 그 이면에 설치함으로써 수지와 금속 기판의 접착성을 향상시킨 것이다. 오목부(21)에 충전하는 수지로서는, 제3 실시형태와 마찬가지로, LED 소자가 탑재되는 면의 반사성을 높게 유지하기 위해, 높은 반사성을 갖는 수지를 사용한다.
제6 실시형태는, 제5 실시형태에 있어서의 수지 충전 작업성을 개량하는 것으로, 도 13에 나타내는 바와 같이, 상하에 설치한 오목부(21)와의 사이에, 슬릿(24)과는 별도로 관통구멍(21b)을 형성하고 있는 점이 특징이다. 관통구멍(21b)의 수는, 도시하는 2개에 한정하지 않는다. 본 실시형태는, 수지와 금속 기판의 접착성을 추가적으로 향상시킬 수 있고, 또한 상하의 2개의 오목부(21)가 관통구멍(21b)에 의해 연결되어 있기 때문에, 공정(S102)에 있어서 편측(표면측)으로부터의 수지 충전이 가능해져, 공정을 간략화할 수 있다.
또한 도 11~도 13에서는, 제1 실시형태와 동일한 형상의 오목부(21)를 나타내었으나, 오목부(21)의 형상을 적절히 변경할 수 있는 것은 제3 실시형태와 동일하다.
<제7 및 제8 실시형태>
제1~제6 실시형태에서는, 오목부(21)를 리플렉터부(22)와는 별도로 설치하여, 이것을 수지 괸 곳으로서 이용한 것이나, 이하에 설명하는 실시형태에서는 리플렉터부 자체를 수지 괸 곳으로서 이용한다. 제조공정은, 도 1에 나타내는 제1 실시형태의 제조공정과 동일하나, 금속 기판 가공공정(S101)에서는, 리플렉터부(22), 슬릿(24), V홈(26) 및 미싱눈 슬릿(28)이 형성된다. 제1~제6 실시형태의 오목부(21)에 상당하는 오목부는 설치하지 않아도 된다. 또한 수지 충전공정(S102)에서는, 공정(S101)에서 형성된 복수의 리플렉터부(22) 중, 일부에만 수지를 충전하여 수지 괸 곳으로 하고, 발광소자부 형성공정(S103)에서는 수지를 충전하지 않은 리플렉터부에 LED 소자를 다이본딩하여 발광소자부를 형성한다.
도 14(a)~(d)는 각각, 제7 실시형태를 나타내는 도면이다. 여기에서는 복수의 발광소자부가 가로 일렬의 경우를 나타내고 있으나, 도 2에 나타내는 실시형태와 마찬가지로 복수열이어도 된다. 본 실시형태에서는, 금속 기판 가공공정(S101)에 있어서, 동일 형상의 복수의 리플렉터부(22)가 소정의 간격(비교적 빽빽한 간격)으로 형성된다. 이 공정에서, 슬릿(24), V홈(26) 및 미싱눈 슬릿(28)을 형성하는 것은 제1 실시형태와 동일하나, 이면의 오목부(21)에 상당하는 오목부는 형성되지 않아도 된다. 수지 충전공정(S102)에서는, 이들 복수의 리플렉터부(22) 중, 일부의 리플렉터부(22a)를 제외한 리플렉터부(22b)에, 수지를 충전한다. 발광소자부가 되는 리플렉터부(22a)는, 그 배열 피치가 목적으로 하는 발광장치의 소자 피치가 되도록 선택된다. 도 14(a)에서는 하나 걸러 수지가 충전되고, (b)에서는 3개를 단위로 하여 2번째와 3번째의 리플렉터부(22b)에, (c)에서는 4개를 단위로 하여 2번째~4번째의 리플렉터부(22b)에 각각 수지가 충전된 상태를 나타내고 있다. (d)는 1 소자 패키지용 발광소자부와, 복수 소자 패키지용 발광소자부를 제작하는 경우로, 복수의 리플렉터부 중, 2번째, 3번째 및 5번째의 리플렉터부(22b)에 수지가 충전되어 있다.
발광소자부 형성공정(S103)에서는, 공정(S102)에서 수지가 충전되지 않은 리플렉터부(22a)에 LED 소자를 다이본딩, 와이어본딩하여, 발광소자부를 형성한다. 그 후, 발광소자부를 패키지별로 분리하고(분할공정 S104), 프린트 기판에 실장하여(실장공정 S105), 발광장치로 한다.
도 15는 제8 실시형태를 나타내는 도면이다. 본 실시형태에서는, 금속 기판 가공공정(S101)에 있어서, 형상이 상이한 복수 종의 리플렉터부를 번갈아 형성한다. 도면에서는 일례로서, 상면에서 본 형상이 원형인 것(22c)과 정사각형인 것(22d)의 2종류가 형성되어 있다. 이 공정에서, 슬릿(24), V홈(26) 및 미싱눈 슬릿(28)을 형성하는 것은 제1 실시형태와 동일하나, 이면의 오목부(21)에 상당하는 오목부는 형성되지 않아도 된다. 수지 충전공정(S102)에서는, 복수 종의 리플렉터부 중 동일한 형상의 리플렉터부, 예를 들면 정사각형의 리플렉터부(22d)에만(도 15의 (a)) 또는 원형의 리플렉터부(22c)에만(도 15의 (b)) 수지를 충전하고, 수지를 충전하지 않은 리플렉터부에 LED 소자를 탑재한다.
본 실시형태에 의하면, 하나의 금속 기판을 사용하여 리플렉터부의 형상이 상이한 복수 종의 발광장치를 제조할 수 있다.
이와 같이 제7 및 제8 실시형태는, 발광소자의 피치가 상이한 발광장치나 리플렉터 형상이 상이한 발광장치 등 다종·다양한 발광장치를 하나의 금속 기판으로 형성하는 경우에 적합하다.
<제9 실시형태>
이상 설명한 제1~제8 실시형태에서는, 리플렉터부를 금속 기판에 형성한 경우를 설명하였으나, 본 발명은 리플렉터부(역원뿔대형의 팬 곳)를 금속 기판에 형성하지 않는 경우에도 적용할 수 있다. 이와 같은 실시형태를 도 16에 나타낸다. 본 실시형태에서는, 금속 기판 가공공정(S101)에 있어서, V홈(26) 및 미싱눈 슬릿(미도시)이 형성되는 동시에, V홈(26)으로 둘러싸여지는 발광소자 형성영역(공정(S103)에서 LED 소자가 고정되는 위치)에 대해, 그것을 횡단하는 슬릿(24)과, 수지 괸 곳이 되는 오목부(21)가 형성된다. 오목부(21)는, 슬릿(24)과 교차하는 위치로서, 기판 표면 또는 이면에 형성된다.
리플렉터는, 필요에 따라, 별도로 제작한 것을 분할공정(S104) 후에 접착하도록 해도 되고, 분리공정에 앞서, V홈(26)을 피해 형성해도 된다. 이것에 의해 리플렉터를 구성하는 수지의 깎아서 생긴 쓰레기의 발생을 방지할 수 있다.
<제10 실시형태>
본 실시형태의 발광장치의 제조방법은, 제1~제9 실시형태의 제조방법에서는, 슬릿 및 수지 괸 곳용 오목부에 수지를 충전한 후, LED 소자를 탑재한 것에 반하여, 금속 기판에 LED 소자 탑재용 볼록부가 있는 리플렉터부를 제작하여, 이 볼록부에 LED 소자를 탑재한 후, 슬릿, 수지 괸 곳용 오목부 및 리플렉터부의 바닥부에 수지를 충전하는 점이 특징이다. 본 실시형태의 제조방법에 있어서 사용하는 재료, 구체적으로는 금속 기판용 금속, LED 소자, 충전용 수지, 형광체 함유 수지에 대해서는, 특별히 기재하지 않는 한, 전술한 재료와 동일하다.
도 17은 제10 실시형태에 의한 발광장치의 제조방법의 순서를 나타내는 도면, 도 18~도 22는 제조방법의 각 공정에 있어서의 발광장치(제조 도중의 부품의 상태를 포함한다)를 나타내는 도면이다.
도 17에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 제조방법은, 주로, 금속 기판에, 복수의 리플렉터부, 슬릿 및 수지 괸 곳용 오목부를 형성하는 금속 기판 가공공정(S701)과, 각 리플렉터부의 볼록부에 발광소자를 탑재하는 발광소자 탑재공정(S702)과, 슬릿, 수지 괸 곳용 오목부 및 리플렉터부의 바닥부에 절연성 수지를 충전하는 수지 충전공정(S703)과, 금속 기판의 양단을 절단 제거하여, 발광소자의 통전 체크를 행하는 공정(S704)과, 리플렉터부에 형광체 함유 수지를 충전하는 공정(S705)과, 발광소자부가 형성된 금속 기판을, 1 내지 복수의 발광소자부를 단위로 하여 분리하는 분할공정(S706), 분할한 발광소자부를 프린트 기판에 실장하는 실장공정(S707)으로 된다.
도 17에 나타내는 각 공정 중, 공정 S706과 공정 S707은, 도 1에 나타내는 제1 실시형태의 제조방법의 공정 S104, 공정 S105와 동일하다. 이하, 제1 실시형태와 상이한 공정을 중심으로 설명한다.
먼저, 금속 기판 가공공정(S701)에서는, 금속 기판의 한쪽 면에, 복수의 리플렉터부를 형성하는 동시에, 이들 리플렉터부를 횡단하는 슬릿을 형성한다. 금속 기판은, 프레스가공이나 핸들링의 면에서, 제1 실시형태의 것보다 두께가 두꺼운 것, 구체적으로는 두께 1.4~2.0 ㎜ 정도의 금속판을 사용한다.
도 18 및 도 19에, 공정(S701)에 의해 리플렉터부(62) 및 슬릿(64)을 형성한 후의 금속 기판(60)의 일 실시형태를 나타낸다. 도 18은 금속 기판(60)을 상면에서 본 도면인데, 슬릿과 그 이외의 부분을 알기 쉽게 하기 위해 금속부분은 해칭(hatching)으로 나타내고 있다. 도 19는, 도 18에 나타내는 금속 기판 중 하나의 발광소자부에 상당하는 부분을 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)는 상면도의 A-A선의 단면도, (c)는 B-B선의 단면도, (d)는 C-C선의 단면도, (e)는 (d)의 일부 확대도이다.
도 19의 (b), (d)에 나타내는 바와 같이, 리플렉터부(62)는, 원뿔대를 상하 반전한 형상의 팬 곳으로, 그 바닥면에 LED 소자를 다이본딩하기 위한 볼록형상(발광소자 탑재용 볼록부)(62a)가 형성되어 있다. 볼록부(62a)를 제외한 바닥부와 원뿔형상의 측면은, 후술하는 공정에 있어서 백색 수지에 덮이고, LED 소자의 발광을 반사하는 리플렉터로서 기능한다. 백색 수지는, 볼록부(62a)의 상면과 동일하거나 그것보다 낮은 높이까지 충전된다. 이 백색 수지의 두께를 반사성이 얻어지는 충분한 두께로 하기 위해, 볼록부(62a)의 높이(h)는, 0.1 ㎜ 이상인 것이 바람직하고, 특히 바닥부에 충전된 백색 수지의 전면에 0.1 ㎜ 이상의 두께를 부여했을 때에도 볼록부(62a)의 상면으로 기어오르는 것을 방지하기 위해서는 0.4 ㎜ 이상인 것이 바람직하다.
단, 리플렉터부(62)에 형광체 함유 수지를 충전했을 때, LED 소자의 전기적 접속에 사용되는 와이어가 상부로부터 튀어나오지 않기 위해, 또한 색의 균일도를 얻는 것이 가능한 형광체 함유 수지의 두께를 확보하기 위해, LED 소자의 높이와 볼록부(62a)의 높이(h)의 합계가, 리플렉터부(62)의 깊이보다 작을 필요가 있다. LED 소자의 두께에도 따르나, 구체적으로는, 형광체 함유 수지의 두께(볼록부(62a) 상면에서 형광체 함유 수지층의 표면까지의 거리)는, 0.4 ㎜~1 ㎜ 정도인 것이 바람직하다. 따라서 리플렉터부(62)의 깊이는, 상기 볼록부(62a)의 깊이를 더해 0.5 ㎜ 이상인 것이 바람직하다. 특히 0.8 ㎜ 이상인 것이 바람직하다. 더 나아가서는, 탑재되는 칩 두께만큼을 더해 대응하는 것이 바람직하고, 두께 0.1 ㎜의 칩의 경우는, 볼록부(62a)의 높이 0.1 ㎜ 이상, 칩의 두께 0.1 ㎜, 형광체 함유 수지의 두께 0.4 ㎜ 이상을 고려하여, 0.6 ㎜ 이상이 바람직하다고 할 수 있다.
또한 볼록부(62a)의 상면의 면적은, LED 소자의 바닥면적보다 큰 것이 바람직하고, 예를 들면, 그 바깥 둘레가 소자의 바깥 둘레보다 0.3 ㎜ 이상인 것이 바람직하다.
상기 구성의 리플렉터부(62)는, 도 18에 나타내는 바와 같이, 금속 기판(60)의 직사각형 표면에, 직교하는 2방향을 따라 소정의 간격으로 복수 형성된다. 도시하는 예에서는, 가로 4열 세로 4열의 리플렉터부가 형성되어 있으나, 리플렉터부의 수(열 수)는 이것에 한정되지 않는다.
또한 도시하는 예에서는 리플렉터부는 원뿔대를 상하 반전한 형상으로 하고 있으나, 리플렉터부의 형상은, 이 형상에 한정되지 않고 원통형상이어도 된다.
리플렉터부(62)의 열을 횡단하듯이, 금속 기판(60)을 관통하는 슬릿(64)을 설치하는 것, 또한 슬릿(64)의 양단에 금속 기판(60)을 일체화해 두기 위한 미싱눈 슬릿(68)을 형성하는 것은 제1 실시형태와 동일하다. 슬릿의 폭은, 프레스가공으로 형성하는 경우에는, 가공 상의 한계로부터 금속 기판의 두께와 동등 이상이 된다. 두께 1.4 ㎜의 금속 기판을 사용한 경우, 1.4 ㎜가 최소 슬릿폭이 된다. 프레스가공 외에, 에칭이나 절삭에 의해 형성하는 것도 가능하고, 그 경우에는, 금속 기판의 두께보다 얇게 하는 것도 가능하다. 리플렉터부(62)에 있어서의 슬릿(64)의 위치는, 볼록부(62a)의 일단을 따라, 그 외측에 위치하도록 한다.
또한 금속 기판(60)의, 인접하는 2개의 리플렉터부(62) 사이에 상당하는 영역에, 슬릿(64)을 가로질러 수지 괸 곳용 오목부(61)가 형성된다. 도시하는 실시형태에서는, 수지 괸 곳용 오목부(61)의 형상 및 형성 위치는, 도 10에 나타내는 제3 실시형태와 동일하고, 리플렉터부(62)가 형성된 면에 대략 직육면체 형상의 오목부가 2개 평행하게 형성되어 있으나, 형상이나 위치는, 전술한 제1, 제3~제6 실시형태와 동일하게 변경하는 것이 가능하다. 예를 들면, 형상을 도 9에 나타내는 바와 같은 크로스형상으로 해도 되고, 또한 형성 위치를, 리플렉터부(62)가 설치된 부분에 대응하는 영역을 제외한 이면측(리플렉터부가 설치된 면과 반대 면)으로 하는 것도 가능하다. 또한 도 11~도 13에 나타내는 실시형태와 같이, 수지 괸 곳용 오목부를 양면에 설치하거나, 관통구멍을 설치하는 등의 변경도 가능하다.
각각의 리플렉터부(62)의 분할을 용이하게 하기 위해, 리플렉터부(62)의 배열방향을 따라 복수의 V홈(66) 또는 미싱눈 등을 형성하는 것은 제1 실시형태와 동일하다.
금속 기판 가공공정(S701)에서는, 이상 설명한 수지 괸 곳용 오목부(61), 리플렉터부(62), 슬릿(64), 및 V홈(66)을, 프레스가공이나 하프 에칭 등의 에칭가공에 의해, 동시에 또는 각각 형성할 수 있다. 예를 들면, 금속 기판(60)의 펀칭가공으로 슬릿(64) 및 미싱눈 슬릿(68)을 형성한 후, 편면에 프레스가공 또는 에칭가공에 의해, 오목부(61), 리플렉터부(62) 및 V홈(66)을 형성하고, 그 이면에 프레스가공 또는 에칭가공에 의해, 이면측의 V홈(66)을 형성한다.
다음으로 발광소자 탑재공정(S702)에서는, 리플렉터부(62)의 볼록부(62a) 상면에, LED 소자를 실장한다. 도 20(a)~(d)에 LED 소자(50)를 실장한 상태를 나타낸다. 도시하는 예에서는, LED 소자(50)로서, 이면이 사파이어 기판으로 되는 페이스 업의 더블 와이어 소자가 사용되고 있다. 이와 같은 LED 소자(50)의 경우, 백색 실리콘 접착제 등의 다이아 터치제로 볼록부(62a) 상면에 접착한 후, LED 소자의 캐소드 및 애노드를, 슬릿(64)으로 분리된 금속 기판 양측의 한쪽과 다른 쪽에 각각 Au 와이어(54) 등으로 접속하고, LED 소자끼리를 전기적으로 접속한다. 또한, 애노드와 캐소드가 상이한 면에 형성되어 있는 LED 소자의 경우에는, 한쪽 전극이 형성된 면을, 은 등의 필러가 들어 있는 도전성의 실리콘 접착제로 접착하는 방법, 또는 실장면에 부분 Au 도금가공을 실시하고, 땜납 공정(共晶)접합에 의해 접착하는 방법 등을 채용하여 금속 기판에 전기적으로도 접속을 도모하는 동시에, 표면의 전극을 Au 와이어 등으로, 슬릿에 의해 분단된 금속부분에 접속한다.
수지 충전공정(S703)에서는, 오목부(61), 슬릿(64), 및 리플렉터부(62)의 바닥부에 백색의 절연성 수지(이하, 백색 수지라고도 한다)를 디스펜서에 의해 주입하여 충전한다. 도 21은, 오목부(61), 슬릿(64), 및 리플렉터부(62)에 백색 수지(32)가 충전된 상태를 나타내는 도면으로, (a)는 상면도, (b)~(d)는 그의 A-A선의 단면도, B-B선의 단면도, C-C선의 단면도이다.
수지를 리플렉터부(62)의 바닥부에 주입하면, 도 21(b)에 나타내는 바와 같이, 수지가 표면장력에 의해 역원뿔형의 내벽부를 기어오르는 결과, 볼록부(62a)를 제외한 바닥부와 내벽부가 백색 수지로 피복된다. 한편, 볼록부(62a)에 높이가 있기 때문에, 볼록부(62a)의 상면으로의 수지의 기어오름이 억제되어, 소자 측면을 백색 수지가 덮는 것에 의한 광속 저하를 방지할 수 있다. 이와 같이 리플렉터부(62)의 바닥부와 내벽부가 백색 수지로 덮임으로써, 높은 반사성이 얻어지는 동시에, 리플렉터부(62)에 있어서의 슬릿(64)의 높이보다 높은 위치까지 백색 수지의 층이 존재하게 되기 때문에, 슬릿(64)만으로 수지를 충전한 경우에 비해, 슬릿(64)의 양측의 금속 기판의 접착력을 높일 수 있다. 주입 후의 수지를 경화시킴으로써 본 공정은 완료된다.
다음으로, 금속 기판의 양쪽 가장자리부를 분리하고, 통전 체크를 행하여(공정 S7045), LED 소자에 불량이 없는지를 확인한 후, 리플렉터부(62)에 형광체 함유 수지를 충전한다(공정 S705). 충전방법으로서는, 포팅이나 인쇄 등을 채용할 수 있고, 모든 경우의 색온도의 편차가 적어지도록, 충전량이나 두께를 조정한다. 형광체 함유 수지(70)가 충전된 상태를 도 22에 나타낸다.
그 후, 1 내지 복수의 발광소자부를 단위로 하여, 분할하고(공정 S706), 분할한 발광소자부를 프린트 기판에 실장하는 것(공정 S707)은, 제1 실시형태와 동일하고, 분할의 방법도 도 7(a)~(c)에 나타낸 바와 같이, 1 소자 패키지용 분할, 시리즈 접속용 분할, 패럴렐 접속용 분할 등 임의이다.
본 실시형태에 의하면, 리플렉터부의 바닥부에 발광소자 탑재용 볼록부를 형성하고, 슬릿과 수지 괸 곳용 오목부에 백색 수지를 충전할 때, 리플렉터부에 대해서도, 발광소자 탑재용 볼록부를 제외한 바닥부와 측면을 백색 수지로 덮도록 함으로써, 금속면을 반사면으로 하는 경우보다도 반사율을 향상시킬 수 있어, 빛의 취출(取出) 효율을 높일 수 있다. 구체적으로는, Al의 경우는 반사율이 약 80% 정도인데 반하여, 백색 수지의 경우는 90~95%의 반사율을 달성할 수 있다. 또한 리플렉터부의 바닥부에 백색 수지의 층이 형성됨으로써, 슬릿으로 분할된 금속 기판을 접착시키는 기능(슬릿과 수지 괸 곳용 오목부에 충전된 백색 수지의 기능)을 추가적으로 강화할 수 있어, 제조시의 작업성을 향상시킬 수 있다. 이것은 리플렉터부 바닥부의 백색 수지가 슬릿을 걸치듯이 분할된 각각의 금속 기판에 밀착되어 있기 때문에, 그 밀착력이 슬릿에 충전된 수지에 의한 밀착력과 합쳐져, 그만큼 강고해지기 때문이다. 또한, 슬릿에 충전하는 수지와 리플렉터부 바닥부의 백색 수지를 한번에 충전함으로써, 이들 수지끼리의 계면은 발생하지 않고 보다 강고해진다. 그 결과, 제1 또는 제3 실시형태에 비해 수지 괸 곳용 오목부의 폭을 작게 할 수 있기 때문에, 인접하는 리플렉터부의 간격을 좁힐 수 있어 발광장치 전체의 소형화를 도모할 수 있다.
또한 본 실시형태는, 제조공정에 있어서의 금속 기판의 보강으로서의 수지 충전과, 리플렉터의 반사부의 형성을, 동일 공정에서 행할 수 있다는 효과도 얻어진다.
<제11 실시형태>
본 실시형태는, 전술한 각 실시형태에 있어서의 절연성 수지 충전공정, 구체적으로는 슬릿으로의 수지 충전공정의 개선에 관한 것이고, 그를 위한 야구에 관한 것이다. 따라서, 본 실시형태는, 전술한 제1~제10의 모든 실시형태에 적용할 수 있다.
도 23에, 본 실시형태의 발광장치의 제조방법에 사용하는 야구(90)를 나타낸다. 도 23(a)는 상면도, (b), (c)는 (a)의 A-A선 일부 확대 단면도, B-B 일부 확대 단면도이다.
이 야구(90)는, 금속 기판을 고정하기 위한 판재(91)와, 판재(91)의 홈(91a)에 계합(係合)하는 볼록형상 부재(92)로 된다. 볼록형상 부재(92)는, 이형성(離型性)이 좋은 불소 수지 등의 재료로 되고, 판재(91)에 대해 착탈 자유자재로 취부(取付)된다. 판재(91)는 금속 등의 판으로 되며, 금속 기판보다 큰 사이즈를 갖고, 금속 기판(60)을 밀착 고정하기 위한 기구, 예를 들면 흡착하는 구조나 나사 고정 구조를 갖고 있다. 흡착하는 구조로서, 예를 들면 흡착용 구멍이 몇 군데 설치되고, 그 구멍을 흡인 펌프 등에 접속함으로써, 판재(91) 상에 올려놓아진 금속 기판을 판재(91)에 밀착 고정시킬 수 있다. 판재(91)의 홈(91a)은, 금속 기판의 슬릿에 대응하는 부분에 형성되어 있다. 도시하는 예에서는, 도 18에 나타내는 금속 기판에 대응하는 4개의 홈(91a)이 형성되어 있다. 단, 슬릿이 금속 기판의 단부에는 도달해 있지 않은 것에 반하여, 홈(91a)은 판재(91)의 일단에서부터 타단까지 형성되어 있다.
홈(91a)과 볼록형상 부재(92)는, 도 23(b), (c)에 나타내는 바와 같이, 거의 동일한 단면형상을 가지고 있으나, 선형상 부재(92)를 판재(91)에 계합한 상태에 있어서, 슬릿(64)이 존재하는 부분에 있어서의 볼록형상 부재(92)의 형상은, 판재(91)의 표면으로부터 약간 돌출되어 있고, 슬릿이 존재하지 않는 금속 기판의 단부에 대응하는 양단의 부분에서는, 볼록형상 부재(92)와 판재(91)는 단차가 없는 구조로 되어 있다. 이 구조에 의해, 볼록형상 부재(92)를 취부한 판재(91) 위에 금속 기판을 밀착시켰을 때, 슬릿(64)에 볼록형상 부재(92)의 일부가 슬릿 내에 들어가, 금속 기판 주위의 영역을 포함하는, 슬릿 이외의 부분에서는, 금속 기판과 판재(91)가 밀착할 수 있다.
슬릿으로의 수지 충전공정(도 1의 공정 S102, 도 17의 공정 S703)에서는, 이와 같이 금속 기판(20, 60)을 야구(90)에 밀착시킨 상태에서, 슬릿(24, 64) 내에 백색 수지를 충전한다. 충전 후는, 야구(90)로부터 금속 기판을 떼어내고, 다음 공정으로 진행한다. 금속 기판을 떼어낸 후의 야구(90)는, 필요에 따라, 볼록형상 부재(92)에 부착된 백색 수지를 닦아내, 반복해서 사용할 수 있도록 한다.
본 실시형태에 의하면, 종래 슬릿으로의 수지 충전에 필수였던 배접 테이프 등의 사용을 필요로 하지 않게 할 수 있어, 비용 삭감을 도모할 수 있을 뿐 아니라, 테이프를 떼어낼 때에, 금속 기판이나 그 위에 탑재된 발광소자부에 부하가 걸리는 것을 방지할 수 있다. 특히 도 17에 나타내는 바와 같은, 수지 충전공정 전에 LED 소자 탑재공정을 행하는 흐름에서는, 수지 충전 후에 LED 소자를 접속하는 와이어에 부하가 걸리는 것을 방지할 수 있어, 단선에 의한 수율 저하를 방지할 수 있다.
실시예
본 발명의 효과를 확인하기 위해 이하의 실험을 행하였다.
금속 기판으로서, 두께 0.7 ㎜, 12.0 ㎜×10.0 ㎜의 Al판을 준비하고, 그 중앙에 길이방향을 따라, 폭 0.7 ㎜의 슬릿을 형성하여, 실리콘 수지(신에쓰 화학공업사제: LPS-8433W-2)를 주입, 경화하였다. 이것을 비교예의 시료로 하였다.
비교예의 시료와 동일한 Al판을 준비하고, 그 중앙에 길이방향을 따라, 폭 0.7 ㎜의 슬릿을 형성하는 동시에, 슬릿의 양단부에, 슬릿에 직교하여, 폭 1.5 ㎜, 길이 6.0 ㎜, 깊이 0.3 ㎜의 오목부를 각각 형성하여, 슬릿과 오목부에 비교예와 동일한 실리콘 수지를 주입, 경화하였다. 이것을 실시예 1의 시료로 하였다.
별도로, 금속판으로서, 두께 0.7 ㎜, 12.0 ㎜×10.0 ㎜의 Al판을 준비하고, 중심에 높이 0.4 ㎜, 1.0 ㎜×1.0 ㎜의 볼록부를 갖는, 직경 4.0 ㎜, 깊이 0.8 ㎜의 원통형상의 오목부를, Al판의 중앙에 형성하는 동시에, 볼록부의 일단을 따라 폭 1.4 ㎜의 슬릿을 형성하였다. 또한 Al판의 양측에 슬릿에 직교하여, 폭 1.5 ㎜, 길이 6.0 ㎜, 깊이 0.8 ㎜의 오목부를 각각 형성하였다. 이들 원통형상 오목부, 슬릿 및 양단의 오목부에, 비교예와 동일하게 실리콘 수지를 주입, 경화하였다. 이것을 실시예 2의 시료로 하였다.
상기 비교예 및 실시예 1, 2의 시료를 각각 5개 제작하여, 각각에 대해 Al판의 접합부의 강도를 쉐어 강도 측정기(DAGE-SERIES-4000, DAGE사)를 사용하여 측정하였다(도 24(b)). 측정결과를 도 24(a)에 나타낸다. 도면 중, 「MIN」은 5개의 시료 중 강도가 최소였던 것의 값, 「AVE」는 평균값, 「MAX」는 5개의 시료 중 강도가 최대였던 것의 값을 나타낸다.
도시하는 결과로부터도 알 수 있는 바와 같이, 슬릿의 양단에 수지 괸 곳을 설치함으로써, 슬릿 내의 수지에 의해 접합된 금속 기판의 접합강도가, 수지 괸 곳을 설치하지 않는 경우에 비해, 3~4배 향상되었다.
또한 중앙에 원통형상 오목부를 설치한 경우에는, 추가적으로 접합강도가 향상되었다.
본 발명에 의하면, 금속판을 기판으로서 사용하여 제조한 발광장치에 있어서, 금속 기판의 접합부(슬릿부)의 강도가 향상되어, 제조시 및 제품 후에 있어서도 강도가 우수한 발광장치를 얻을 수 있다.
20,60…금속 기판, 21,61…수지 괸 곳용 오목부, 21a,21b…관통구멍, 22,62…리플렉터부(발광소자부 형성영역), 22a,22b…수지 괸 곳을 겸한 리플렉터부, 24,64…슬릿, 26,66…V홈, 32…수지, 50…LED 소자, 52…접착제, 54…Au 와이어, 70…봉지재(형광체 함유 수지), 80…프린트 기판.

Claims (13)

  1. 금속 기판에, 발광소자부 형성영역을 횡단하는 슬릿을 형성하는 공정(1)과, 상기 슬릿에 절연재료를 충전하는 공정(2)과, 상기 발광소자부 형성영역에 발광소자부를 형성하는 공정(3)과, 상기 발광소자부가 형성된 금속 기판을, 1 내지 복수의 발광소자부를 단위로 하여, 절단하는 공정(4)을 포함하고,
    상기 공정(1)에 있어서, 상기 금속 기판의, 상기 발광소자부 형성영역의 두께방향 바로 아래를 제외한 영역에, 상기 슬릿과 교차하듯이 수지 괸 곳용 오목부를 형성하고, 상기 공정(2)에 있어서, 상기 오목부에 수지를 충전하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  2. 금속 기판에, 발광소자부 형성영역 및 당해 발광소자부 형성영역을 횡단하는 슬릿을 형성하는 공정(1)과, 상기 발광소자부 형성영역에 발광소자부를 형성하는 공정(2)과, 상기 슬릿에 절연재료를 충전하는 공정(3)과, 상기 발광소자부가 형성된 금속 기판을, 1 내지 복수의 발광소자부를 단위로 하여, 절단하는 공정(4)을 포함하고,
    상기 공정(1)에 있어서 형성되는 상기 발광소자부 형성영역은, 리플렉터용 오목부와 당해 리플렉터용 오목부의 바닥면으로부터 돌출된 볼록부를 가지며,
    상기 공정(1)에 있어서, 상기 금속 기판의, 상기 발광소자부 형성영역의 두께방향 바로 아래를 제외한 영역에, 상기 슬릿과 교차하듯이 수지 괸 곳용 오목부를 형성하고,
    상기 공정(3)에 있어서, 상기 볼록부를 제외한 리플렉터용 오목부의 바닥부와 상기 수지 괸 곳용 오목부에 수지를 충전하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  3. 제1항의 발광장치의 제조방법으로서,
    상기 공정(1)은, 상기 금속 기판의 발광소자부 형성영역에 리플렉터부를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  4. 제2항의 발광장치의 제조방법으로서,
    상기 공정(3)은, 리플렉터용 오목부의 바닥부와 수지 괸 곳용 오목부에 수지를 충전한 후, 상기 리플렉터용 오목부에 파장 변환재료를 포함하는 수지를 충전하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 발광장치의 제조방법으로서,
    상기 오목부에 충전되는 수지는, 상기 슬릿에 충전되는 절연재료와 동재료인 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 발광장치의 제조방법으로서,
    상기 오목부는, 상기 금속 기판의, 상기 발광소자부 형성영역이 존재하는 면을 표면으로 할 때, 표면측에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항의 발광장치의 제조방법으로서,
    상기 리플렉터부는 복수 형성되고, 상기 복수의 리플렉터부 중 일부의 리플렉터부가 상기 수지 괸 곳용 오목부를 겸하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  8. 제7항의 발광장치의 제조방법으로서,
    상기 공정(1)에 있어서, 형상이 상이한 복수 종의 리플렉터부를 형성하고, 그 중, 동종 리플렉터부에 발광소자를 접속하며, 그 이외의 리플렉터부를 상기 수지 괸 곳용 오목부로 하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 발광장치의 제조방법으로서,
    상기 오목부는, 상기 금속 기판의, 상기 발광소자부 형성영역이 존재하는 면을 표면으로 할 때, 이면측에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  10. 제1항 또는 제2항의 발광장치의 제조방법으로서,
    상기 슬릿에 절연재료를 충전하는 공정은, 상기 금속 기판과 동일하거나 그것보다 큰 사이즈의 야구(冶具)로서, 상기 슬릿에 대응하는 위치에 이형성(離型性)의 볼록부가 형성된 야구를, 상기 볼록부가 상기 슬릿의 바닥부를 봉지(封止)하도록 상기 금속 기판에 밀착한 후, 상기 슬릿에 절연재료를 충전하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  11. 리플렉터부 및 상기 리플렉터부를 횡단하여 절연재료가 충전된 슬릿을 구비한 금속 기판과, 상기 금속 기판의 리플렉터부에 접속된 발광소자를 구비한 발광장치로서,
    상기 금속 기판의, 상기 리플렉터부가 형성된 영역의 두께방향 바로 아래를 제외한 영역에, 상기 슬릿과 교차하여, 수지가 충전된 오목부를 갖는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  12. 리플렉터부 및 상기 리플렉터부를 횡단하여 절연재료가 충전된 슬릿을 구비한 금속 기판과, 상기 금속 기판의 리플렉터부에 접속된 발광소자를 구비한 발광장치로서,
    상기 리플렉터부는, 그 바닥면으로부터 돌출된 발광소자 탑재용 볼록부를 구비하고,
    상기 금속 기판의, 상기 리플렉터부가 형성된 영역의 두께방향 바로 아래를 제외한 영역에, 상기 슬릿과 교차하듯이 형성된 오목부를 가지며,
    상기 오목부 및 상기 리플렉터부의 발광소자 탑재용 볼록부를 제외한 바닥부에 백색 수지가 충전되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  13. 제11항 또는 제12항의 발광장치로서,
    상기 오목부를 충전하는 수지는, 상기 슬릿에 충전된 절연재료와 동재료인 것을 특징으로 하는 발광장치.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014021663A1 (ko) * 2012-08-03 2014-02-06 주식회사 포인트엔지니어링 광디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광디바이스
KR101400271B1 (ko) * 2012-08-03 2014-05-28 (주)포인트엔지니어링 광디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광디바이스
KR101509650B1 (ko) * 2013-11-20 2015-04-07 (주)포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판 및 그 제조방법
KR20160149719A (ko) * 2015-06-19 2016-12-28 (주)포인트엔지니어링 슬릿을 포함하는 기판
US9595642B2 (en) 2015-06-29 2017-03-14 Point Engineering Co., Ltd. Chip substrate comprising a plated layer and chip package using the same
US10014455B2 (en) 2014-09-30 2018-07-03 Point Engineering Co., Ltd. Chip substrate comprising cavity with curved surfaces
US10115659B2 (en) 2012-10-22 2018-10-30 Sensor Electronics Technology, Inc. Multi-terminal device packaging using metal sheet

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011124449A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Seiko Instruments Inc 発光部品、発光器及び発光部品の製造方法
CN102300405B (zh) * 2011-08-16 2014-05-07 深南电路有限公司 埋入式电路板及其制作方法
CN202523753U (zh) * 2011-10-27 2012-11-07 深圳市灏天光电有限公司 一种隐脚式大功率led支架及封装结构
US20170268743A1 (en) * 2012-05-06 2017-09-21 Lighting Science Group Corporation Tunable lighting apparatus
KR101306247B1 (ko) * 2012-05-11 2013-09-17 (주)포인트엔지니어링 백라이트 유닛용 광소자 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광소자와 그 어레이
JP5997499B2 (ja) * 2012-05-16 2016-09-28 錢谷産業株式会社 光半導体パッケージと光半導体パッケージの製造方法
TWI505440B (zh) * 2012-06-04 2015-10-21 Lextar Electronics Corp 光源模組
DE102012104882B4 (de) 2012-06-05 2017-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und damit hergestelltes optoelektronisches Halbleiterbauteil
CN102800788B (zh) * 2012-07-23 2015-05-27 厦门市朗星节能照明股份有限公司 Led封装结构及其镀银基板
CN102820406B (zh) * 2012-07-23 2015-06-24 厦门市朗星节能照明股份有限公司 Led封装结构的制造方法
CN102881686A (zh) * 2012-10-15 2013-01-16 王向东 Led光源模块
KR101823570B1 (ko) * 2012-10-22 2018-01-30 센서 일렉트로닉 테크놀로지, 인크 2 단자 패키징
CN103904208A (zh) * 2012-12-27 2014-07-02 宜兴市江旭节能技术有限公司 一种基板结构
CN104425700A (zh) * 2013-09-06 2015-03-18 郑榕彬 用于led倒装晶片封装的浮动散热铜片支架及led封装件
US9933142B1 (en) * 2013-09-25 2018-04-03 i-Lighting, LLC LED strip lighting
CN103557467B (zh) * 2013-10-25 2016-03-16 大连恭德科技有限公司 一种聚光型led软灯带
JP6149727B2 (ja) * 2013-12-28 2017-06-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN106340503B (zh) * 2015-07-10 2021-03-23 普因特工程有限公司 包括半球形腔的芯片原板及芯片基板
CN106641759A (zh) * 2016-12-21 2017-05-10 木林森股份有限公司 一种led的pcb板及其制造方法
KR102641336B1 (ko) * 2017-09-05 2024-02-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
CN110908180A (zh) * 2018-09-17 2020-03-24 夏普株式会社 照明装置、显示装置及照明装置的制造方法
JP6733716B2 (ja) * 2018-10-03 2020-08-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2020137855A1 (ja) 2018-12-28 2020-07-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN109967965A (zh) * 2019-04-02 2019-07-05 沈阳富创精密设备有限公司 双面细长矩形零件的加工工艺
CN110277378B (zh) * 2019-04-25 2023-11-14 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种集合基板、发光装置及其制造方法
KR20210115966A (ko) * 2020-03-17 2021-09-27 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2704321B2 (ja) * 1991-05-22 1998-01-26 シャープ株式会社 光半導体装置の製造方法
JP3432113B2 (ja) * 1997-07-07 2003-08-04 シャープ株式会社 光半導体装置
TW414924B (en) * 1998-05-29 2000-12-11 Rohm Co Ltd Semiconductor device of resin package
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
JP2000058924A (ja) * 1998-08-06 2000-02-25 Shichizun Denshi:Kk 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP4215306B2 (ja) * 1998-08-27 2009-01-28 シチズン電子株式会社 半導体のパッケージおよびその製造方法
JP3447604B2 (ja) 1999-02-25 2003-09-16 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US6365922B1 (en) * 2000-11-16 2002-04-02 Harvatek Corp. Focusing cup for surface mount optoelectronic diode package
JP2002314148A (ja) 2001-04-13 2002-10-25 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US20020163001A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
JP2003163378A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP4009097B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
US6879040B2 (en) * 2002-09-18 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Surface mountable electronic device
JP4280050B2 (ja) * 2002-10-07 2009-06-17 シチズン電子株式会社 白色発光装置
JP4603368B2 (ja) * 2003-02-28 2010-12-22 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 構造化された金属被覆を施されたパッケージボディを有するオプトエレクトロニクス素子、この種の素子を製作する方法、およびプラスチックを含むボディに、構造化された金属被覆を施す方法
JP4142080B2 (ja) * 2003-03-10 2008-08-27 豊田合成株式会社 発光素子デバイス
US7183588B2 (en) * 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
JP2005317661A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
KR100587020B1 (ko) * 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
JP2006108341A (ja) * 2004-10-05 2006-04-20 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び金型
JP2006114832A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Sharp Corp 面実装型半導体素子
US20060131708A1 (en) * 2004-12-16 2006-06-22 Ng Kee Y Packaged electronic devices, and method for making same
KR100593943B1 (ko) * 2005-04-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지의 제조 방법
KR100703218B1 (ko) * 2006-03-14 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
JP2006245626A (ja) 2006-06-19 2006-09-14 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードの製造方法および構造
JP4306772B2 (ja) * 2006-10-05 2009-08-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2008047933A1 (en) * 2006-10-17 2008-04-24 C.I.Kasei Company, Limited Package assembly for upper/lower electrode light-emitting diodes and light-emitting device manufacturing method using same
JP4205135B2 (ja) * 2007-03-13 2009-01-07 シャープ株式会社 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
JP5132961B2 (ja) * 2007-03-19 2013-01-30 ハリソン東芝ライティング株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP5060172B2 (ja) * 2007-05-29 2012-10-31 岩谷産業株式会社 半導体発光装置
JP5279225B2 (ja) * 2007-09-25 2013-09-04 三洋電機株式会社 発光モジュールおよびその製造方法
KR100998233B1 (ko) * 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014021663A1 (ko) * 2012-08-03 2014-02-06 주식회사 포인트엔지니어링 광디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광디바이스
KR101400271B1 (ko) * 2012-08-03 2014-05-28 (주)포인트엔지니어링 광디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광디바이스
US10115659B2 (en) 2012-10-22 2018-10-30 Sensor Electronics Technology, Inc. Multi-terminal device packaging using metal sheet
KR101509650B1 (ko) * 2013-11-20 2015-04-07 (주)포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판 및 그 제조방법
US9316768B2 (en) 2013-11-20 2016-04-19 Point Engineering Co., Ltd. Substrate for preventing burr generation
US10014455B2 (en) 2014-09-30 2018-07-03 Point Engineering Co., Ltd. Chip substrate comprising cavity with curved surfaces
KR20160149719A (ko) * 2015-06-19 2016-12-28 (주)포인트엔지니어링 슬릿을 포함하는 기판
US9595642B2 (en) 2015-06-29 2017-03-14 Point Engineering Co., Ltd. Chip substrate comprising a plated layer and chip package using the same
US9818913B2 (en) 2015-06-29 2017-11-14 Point Engineering Co., Ltd. Chip substrate

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Publication number Publication date
EP2323182A2 (en) 2011-05-18
EP2323182A3 (en) 2014-04-02
JP5367668B2 (ja) 2013-12-11
CN102064246B (zh) 2016-02-17
US8746932B2 (en) 2014-06-10
CN102064246A (zh) 2011-05-18
JP2011129876A (ja) 2011-06-30
US20110116271A1 (en) 2011-05-19
EP2323182B1 (en) 2018-07-25

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