JP5997499B2 - 光半導体パッケージと光半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、光半導体素子を搭載する光半導体パッケージおよびその製造方法に関するものである。

従来の光半導体パッケージを図１８に示す。従来のＬＥＤパッケージ１００は、ＬＥＤ１０１を搭載する基板と、基板１０２の上面に配置されてＬＥＤ１０１からの光を反射するリフレクター１０３とを備える。このようなＬＥＤパッケージ１００では、リフレクター１０３によりＬＥＤ１０１からの光の反射効率を高めて、ＬＥＤパッケージ１００の外部により強い光束を出光することができる。

ところで、従来のＬＥＤパッケージは、基板とリフレクターとを別々に製造する必要があるし、また、従来のＬＥＤパッケージの製造方法では、リフレクターを製造する工程の後に、リフレクターを基板に接着する工程を必要とする。

そこで、基板にプレス加工を行うことにより、基板と一体的にリフレクターを製造するＬＥＤパッケージの製造方法が考えられている。このような製造方法としては、例えば特許文献１が挙げられる。

特許文献１に記載されたＬＥＤパッケージでは、金属材料から構成された２つの基板要素と、基板要素の間に配置されて２つの基板要素を接続する絶縁部材とからなる基板にプレス加工を施すことにより、リフレクターを製造している。

特開２００３−１６８８２８号公報

しかしながら、特許文献１も含め、この種の光半導体パッケージにおいては、電気接続をするために、基板が絶縁部材を介して互いに電気的に絶縁された状態で連結された複数の基板要素から構成されている。このような基板に対してプレス加工を行うと、基板にせん断応力等が生じ、絶縁部材が剥がれたり、絶縁部材にクラックが発生したりして光半導体パッケージに製品不良が起こりやすいという問題が生じる。

本発明は上記問題点に鑑み、簡便かつ歩留まりよく製造でき、しかも部品点数の少ない光半導体パッケージを製造できるようにすることを目的とする。

すなわち、本発明の光半導体パッケージの製造方法は、枠体に連結されたパッケージ基板から光半導体パッケージを製造する方法であって、前記枠体と前記パッケージ基板との境界線に交差するスリットを前記パッケージ基板に設けて、前記枠体に保持された状態を保ちながら前記パッケージ基板を複数の基板要素に分割する第１工程と、前記パッケージ基板に凹部を設けて、前記凹部の底面に光半導体素子が搭載される搭載面と、前記凹部の内側面に光半導体素子からの光を反射する反射面とを形成する第２工程と、前記スリットに絶縁材を注入し、隣り合う前記基板要素を前記絶縁材により接続して光半導体パッケージを製造する第３工程と、前記境界線を切断することで、前記光半導体パッケージを前記枠体から切り離す第４工程とを有することを特徴とする。

このようなものであれば、パッケージ基板に凹部を設けることにより、リフレクターを基板と一体化して製造するため、リフレクターを基板に接着する工程を省いて、簡便に光半導体パッケージを製造工程することができる。

また、基板要素が枠体に保持された状態を保つので、絶縁材を注入する第３工程の前に、プレス加工を行い凹部を形成する第２工程を行うことができる。したがって凹部を形成する際には、基板のみにプレス加工を施すことができる。これにより、プレス加工の際に生じるせん断応力等により絶縁材が剥がれたり、絶縁材にクラックが生じたりする不具合を防いで、光半導体パッケージを歩留まりよく製造することができる。なお、パッケージ基板は金属材料で構成されることが好ましい。

また本発明では、前記第２工程において、前記パッケージ基板における前記搭載面の周囲を押し上げて前記凹部を形成することを特徴とする。

これにより、１工程で凹部を製造することができるため、光半導体パッケージを簡便に製造することができる。また、上述した工程を行うことにより、光半導体パッケージの裏側において、凹部の底面である搭載面の裏面と枠体の裏面とが面一となっている。そのため、パッケージ基板を製造ラインに載せた場合に、凹部がダイ等に引っ掛かることを防ぐことができ、大量生産が可能となる。

また本発明では、前記第２工程において、前記パッケージ基板における前記搭載面を押し下げて前記凹部を形成し、その後、前記枠体の裏面と前記搭載面の裏面とが面一となるように前記パッケージ基板全体を押し上げることを特徴とする。

これにより、搭載面の周囲を押し上げる工程において、押し上げられる幅が狭すぎて金型が作成できないような場合でも、上述した工程により凹部を形成することができる。また、第３工程においては、パッケージ基板全体を枠体から押し上げることにより、パッケージ基板の裏面では、パッケージ基板の周囲に枠体がダムのように隆起している。そのため、パッケージ基板の裏面から絶縁材を注入すると、絶縁材を漏らすことなく注入することができる。また、パッケージ基板を製造ラインに載せた場合に、凹部がダイ等に引っ掛かることを防ぐことができ、大量生産が可能となる。

本発明の光半導体パッケージは枠体と、前記枠体に連結されたパッケージ基板と、
前記パッケージ基板に設けられたスリットに注入された絶縁材とを有し、前記パッケージ基板には凹部が設けられて、前記凹部の底面が、光半導体素子が搭載される搭載面であり、前記凹部の内側面が、光半導体素子からの光を反射する反射面であることを特徴とする。

これにより、パッケージ基板に凹部を設けることでリフレクターが製造されるので、部品点数の少ない光半導体パッケージを得ることができる。

このような本発明によれば、リフレクターをパッケージ基板から製造することで、光半導体パッケージを簡便に製造することができる。また、枠体に保持された状態で基板のみにプレス加工を行ってリフレクターを製造することで、絶縁材が剥がれたり、絶縁材にクラックが生じたりする不具合を回避して、歩留まりの良い光半導体パッケージを製造することができる。また、部品点数の少ない光半導体パッケージを得ることができる。

第１実施形態における光半導体パッケージを説明するための斜視図。 第１実施形態における光半導体パッケージを説明するための平面図。 第１実施形態における光半導体パッケージを説明するためのＡＡ断面図。 第１実施形態における光半導体パッケージを説明するためのＢＢ断面図。 第１実施形態における光半導体パッケージを説明するための背面図。 第１実施形態における枠体を説明するための斜視図。 第１実施形態における第２工程における押圧加工を説明するための断面図。 第１実施形態における第２工程を説明するための断面図。 第２実施形態における光半導体パッケージを説明するための斜視図。 第２実施形態における枠体を説明するための斜視図。 第２実施形態における枠体を説明するための部分断面図。 第２実施形態における枠体を説明するための部分断面図。 第２実施形態における枠体を説明するための部分断面図。 第２実施形態における枠体を説明するための斜視図。 第２実施形態における第２工程の押圧加工を説明するための断面図。 第２実施形態における第２工程の押圧加工を説明するための端面図。 第２実施形態における第２工程の押圧加工を説明するための断面図。 従来の光半導体パッケージを説明するための斜視図。

（第１実施形態）
以下に本発明の第１実施形態を図面を参照して説明する。

図１〜図５は、第１実施形態にかかる光半導体パッケージ１を示している。この光半導体パッケージ１は概略正方形板状をなす、いわゆる表面実装型のものであり、パッケージ基板３と、パッケージ基板３に設けられたスリット４ａ、４ｂに注入される絶縁材５とから構成される。パッケージ基板３は対向する両端の一部に枠体２との境界線６ａ、６ｂが設けられている。パッケージ基板３は、枠体２との境界線６ａ、６ｂを含んだ支持部７を介して枠体２に保持されている（枠体２および支持部７については後述する）。

パッケージ基板３は、光半導体パッケージ１の基礎となるものであり、例えば銅製金属板等の金属基板から構成されている。そして、パッケージ基板３は、図２、５に示すように、平面方向から見て正方形状をなすものである。パッケージ基板３には、その長手方向が境界線６ａ、６ｂとそれぞれ垂直に交差して、２つの境界線６ａ、６ｂの中心を結んだ線に対して対称となるように、平面方向からみて矩形形状の２つのスリット４ａ、４ｂが設けられている。

また、パッケージ基板３には、２つの境界線６ａ、６ｂの端部同士を結んだパッケージ基板３の領域の内部に平面方向から見て、境界線６ａ、６ｂの長さを短手方向の長さとする略矩形形状の隆起９が設けられており、矩形形状の中央部には平面から見て外周が円形形状を有する窪みが形成されており、この窪みが後述する凹部８となる。

ここで、図２に示すように、凹部８の外周に配置する円の直径は、矩形形状の隆起９の短手方向の長さよりも長いため、凹部８の一部は境界線６ａ、６ｂの端部同士を結んだ領域の外部に配置される。そして、境界線６ａ、６ｂの端部同士を結んだ領域の外部に配置する凹部８の周囲に位置するパッケージ基板３には、平面方向から見て凹部８の外周に配置する円と一定の幅を隔てて円弧を描くように構成された略円柱形状の隆起１０が設けられている。パッケージ基板に設けられた略円柱形状の隆起１０と、略矩形形状の隆起９とは同じ厚みを有して連続するように設けられている。

凹部８は、図２に示すように、平面方向から見ると２重の円形形状となるように構成されて、外周に配置する円と、内周に配置する円とは同じ中心を有し、外周に配置する円の直径は、内周に配置する円の直径よりも大きくなるように構成されている。ここで、図１，３，４に示すように、内周に配置する円は凹部８の底面となり、外周に配置する円と内周に配置する円との間は、凹部８の底面から離れるにしたがって一定の割合で径が大きくなるようにテーパが設けられた凹部８の内側面となる。凹部８の底面は光半導体素子を搭載する搭載面８ａとなり、凹部８の内側面は光半導体素子からの光を反射する反射面８ｂとなる。そして、境界線６ａ、６ｂの端部同士を結んだ領域の内部に配置する凹部８の外周は、略矩形形状の隆起９に繋がっており、境界線６ａ、６ｂの端部同士を結んだ領域の外部に配置する凹部８の外周は、略円柱形状の隆起１０に繋がっている。

絶縁材５は、図５に示すように、パッケージ基板３の裏側から見て、パッケージ基板３の表面とは凹凸が逆となった略円柱形状の窪み、略矩形形状の窪みおよびスリット４ａ、４ｂの内部に注入されている。本実施形態において、絶縁材５は例えば白色樹脂で構成される。

このように形成された光半導体パッケージ１は、凹部８の底面である搭載面８ａに搭載された光半導体素子が絶縁材５を介して、それぞれアノード及びカソードの電極を有するパッケージ基板３と電気的に接続されることで、光半導体素子が発光し、光半導体素子からの光が凹部８の内側面である反射面８ｂで反射されて、光半導体素子からの光が光半導体パッケージ１の外部に出光する。

次に、第１実施形態にかかる光半導体パッケージ１の製造方法について説明する。

まず、枠体２にスリットを形成する第１工程を行う。

枠体２は、図６に示すように、１枚の矩形状銅製金属板等の金属基板から構成されている。枠体２には、一定の幅を隔てて互いに向き合うように略コの字形状に設けられた一対の貫通孔１１が、一定の距離を隔ててマトリクス形状に複数形成されている。貫通孔１１に囲まれた領域には、平面から見て正方形状に形成されたアイランド部と、枠体２から延出してアイランド部の両端の一部を支持する一対の支持部７とが配置する。アイランド部が前述したパッケージ基板３となる。支持部７は、パッケージ基板３と支持部７との境界線６ａ、６ｂの幅をその長手方向とする平面方向から見て矩形形状に設けられている。

また、枠体２には境界線６ａ、６ｂと垂直に交差して、貫通孔１１の長手方向と平行となる境界線６ａ、６ｂの中心を結んだ中心線に対して対称となるように、２つのスリット４ａ、４ｂが設けられる。スリット４ａ、４ｂはその長手方向が貫通孔１１の長手方向と平行となる矩形形状に設けられる。スリット４ａ、４ｂによって、パッケージ基板３は３つの基板要素１２ａ、１２ｂ、１２ｃに分割される。ここで、それぞれの基板要素１２ａ、１２ｂ、１２ｃは支持部７によって、その端部を枠体２に保持されている。

そして、このような構成におけるパッケージ基板３に、金型によるプレス加工を行い、凹部８を形成する第２工程を行う。

枠体２の一方側に配置する金型ａは、図７に示すように、枠体２の長手方向と平行な断面から見ると、基準面１１から垂直に突出した第１押圧面１３ａと、第１押圧面１３ａから内側に向かって径が小さくなるようにテーパが設けられた第２押圧面１３ｂと、第２押圧面１３ｂで囲まれた略円形形状の第３押圧面１３ｃとを有する。第３押圧面１３ｃと基準面１４とは面一となるように構成されている。枠体２の他方側に配置する金型ｂは、金型ａと凹凸が逆となるように設けられている。

そして、パッケージ基板を金型ｂの表面上に配置して、金型ａを押圧することによるプレス加工を行う。この金型により、プレス加工を行ったパッケージ基板３の金型ｂと対面する面には、図８に示すように、第３押圧面１３ｃにより形成された略円形形状の底面と、第２押圧面１３ｂにより形成された底面から離れるにつれて径が大きくなるような略円錐形状の側面とが形成された凹部８が形成される。ここで、凹部８の底面は、光半導体素子を搭載する搭載面８ａとなり、凹部８の側面は、光半導体素子からの光を反射する反射面８ｂとなる。そのため、凹部８は、搭載面８ａの周囲に位置するパッケージ基板３を押し上げるように形成されている。（なお、便宜上、凹部８が形成された面を以下表面と呼び、凹部８が形成されていない面を裏面と呼ぶことにする。）

また、上記金型において、第３押圧面１３ｃと基準面１４とは面一となるように構成されているので、搭載面８ａの裏面と、枠体２の裏面とは面一となる。そのため、光半導体パッケージ１の製造工程において、凹部８がダイ等に引っ掛かることを防ぎ、大量生産が可能となる。

その後、スリット４ａ、４ｂにパッケージ基板３の裏面から絶縁材５を注入する第３工程を行う。

絶縁材５がスリット４ａ、４ｂに注入されることにより、スリット４ａによって分割された基板要素１２ａ、１２ｂ及びスリット４ｂによって分割された基板要素１２ｂ、１２ｃがそれぞれ絶縁材５により接続されて、光半導体パッケージ１が製造される。

最後に、境界線６ａ、６ｂを切断することにより、光半導体パッケージ１を枠体２から切り離す第４工程を行う。上述した工程を全て終えることにより、本発明の第１実施形態の光半導体パッケージ１が完成する。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を図面を参照して説明する。

図９は、第２実施形態にかかる光半導体パッケージ２１を示している。第２実施形態にかかる光半導体パッケージ２１は、第１実施形態と同様にパッケージ基板２３と、パッケージ基板２３に設けられたスリット４ａ、４ｂに注入される絶縁材５とから構成される。しかし、パッケージ基板２３の構成が第１実施形態とは異なるため、その部分について以下、説明する。

第２実施形態におけるパッケージ基板２３には、凹部８と端子部２５とスリット４ａ、４ｂとが設けられている。ここで、端子部２５とは、パッケージ基板２３の四隅に、パッケージ基板２３を押し下げることにより設けられた略立方体形状の窪みのことであり、パッケージ基板２３の裏面から端子部２５に配線パターン等を電気的に接続することで、端子部２５から光半導体素子に電力を供給することができる。そして、凹部８と端子部２５を除いたパッケージ基板全体が、平面方向から見ると略正方形状に隆起するように設けられている。

ここで、パッケージ基板２３は隆起した略正方形状の４辺全てが境界線６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆにおいて枠体２から切断されているが、圧縮力によってパッケージ基板２３は枠体２２に保持されている（パッケージ基板２３が枠体２２に保持されている構造については後に詳述する）。

そして、絶縁材５は、パッケージ基板２３の裏側において、パッケージ基板２３の表面とは凹凸が逆となった端子部２５、凹部８を除いた領域およびスリット４ａ、４ｂの内部に注入される。その他の構成については第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。

次に、第２実施形態にかかる光半導体パッケージ２１の製造方法について説明する。

第２実施形態にかかる光半導体パッケージ２１の製造方法における第１工程は、枠体２２に、第１実施形態のスリット４ａ、４ｂが形成された後、パッケージ基板２３の基礎となる領域が、枠体２２から切断される。そこで、以下に第２実施形態の第１工程について説明する。

枠体２２には、パッケージ基板２３の基礎となる境界線６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆで囲まれた平面方向から見て略正方形状の領域が設けられている。スリット４ａ、４ｂは、対向する境界線（本実施形態では例えば境界線６ｃ、６ｅ）とそれぞれ垂直に交差して、境界線６ｃ、６ｅの中心を結んだ線に対して対称となるように設けられる。

スリット４ａ、４ｂによってパッケージ基板２３は３つの基板要素２６ａ、２６ｂ、２６ｃに分割されている。ここで、基板要素２６ａは境界線６ｆ及び境界線６ｃ、６ｅの一部で枠体２２から切断されているとはいえ、圧縮力によって枠体２２に保持されている。同様に基板要素２６ｂも境界線６ｃ、６ｅの一部で枠体２２から切断されているが、圧縮力によって枠体２２に保持されており、基板要素２６ｃも境界線６ｄ及び境界線６ｃ、６ｅの一部で枠体２２から切断されているが、圧縮力によって枠体２２に保持されている。

上述した枠体２２を、図１０に示すように、パッケージ基板２３の略正方形状とほぼ同一の外輪郭形状をなす型穴１５ａを有した型枠台１５に、パッケージ基板２３と型穴１５ａとが合致した位置となるように載せる。

次に、図１１に示すように、押圧面が型穴１５ａよりもわずかに大きい押圧部材１６でパッケージ基板２３を表面側（ここでは押圧部材１６が押す側の面を便宜上、表面と呼ぶことにする）から押圧する。これにより、境界線６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆを中心線として、境界線６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆの周囲にそれぞれ配置する境界領域ＡＲに力を与えてこれを変形させて、パッケージ基板２３を型穴１５ａ内に押し込む。このとき、境界領域ＡＲには、少なくとも変形に留まって切断されない部分が残るように、押圧部材１６の押し込み距離を設定している。

次に、枠体２２からパッケージ基板２３が突出した状態で、パッケージ基板２３を型枠台１５及び押圧部材１６から取り出し、図１２に示すように、枠体２２の一面側に第１平板台１７を当てがう。そして、第２平板台１８を枠体２２の他面側に押し当てて、第２平板台１８を動かして、再度、パッケージ基板２３を枠体２２内に押しこむ。

このことによって、図１３に示すように、境界領域ＡＲが再変形して、パッケージ基板２３は枠体２２から境界線６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆで切断された状態となる。一方、パッケージ基板２３は枠体２２に無理矢理押し込まれて嵌め込まれるわけであるから、切断されているとはいえ、そのことによってパッケージ基板２３には、枠体２２からの圧縮力が作用し、枠体２２に保持されることとなる。なお、このとき、パッケージ基板２３の外形は厚み方向において表面側にわずかに大きく、裏面側にわずかに小さい形容となるとともに、枠体２２の内形は、厚み方向において表面側がわずかに大きく、裏面側がわずかに小さい状態となる。

次に、パッケージ基板２３が枠体２２に保持される理由について詳述する。
押圧部材１４による最初の押圧で、パッケージ基板２３の裏面の境界領域ＡＲにダレ部が形成される一方、次の押し戻し変形によって、パッケージ基板２３の表面の境界領域ＡＲにもダレ部が形成される。したがって、保持状態では、枠体２２とパッケージ基板２３との間には、パッケージ基板２３の表裏面の境界領域ＡＲにそれぞれ生成されているダレ部による空隙が生じていることとなる。しかして、この空隙分の体積が、パッケージ基板２３の厚み方向中央部分に集まってその外形をわずかに拡げ、又は枠体２２の厚み方向中央部分に集まってその内形をわずかに狭めることとなる。つまり、狭い内形の枠体２２に広い外形のパッケージ基板２３が無理矢理押し込まれることとなり、その力でパッケージ基板２３は枠体２２に保持されることとなる。

第２実施形態における第１工程を終えた枠体２２を図１４に示す。平面方向から見て略正方形状のパッケージ基板２３の４辺に配置する境界線６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆにおいて、枠体２２の切断面とパッケージ基板２３の切断面とが圧縮力によって接続された状態となっている。

次に、パッケージ基板２３に金型によるプレス加工を行い、凹部８を形成する工程を行う。ここで、第１実施形態の第２工程において、金型ａの第１押圧面１３ａの幅が小さすぎるために、金型を成型することができず、第１実施形態の第２工程における押圧加工を行うことが出来ない場合がある。このような場合に凹部８を形成する工程として第２実施形態の第２工程を以下に記す。

枠体２２の一方側に配置される金型ｃは、図１５に示すように、枠体２２の長手方向と平行となる断面方向から見ると、略円形形状に突出した第４押圧面１３ｄと、第４押圧面１３ｄから離れるにしたがって径が大きくなるようにテーパが設けられた第５押圧面１３ｅとが形成されている。また、図示されていないが金型ｃには、断面方向から見ると略正方形状に突出した４つの第６押圧面が、パッケージ基板の４隅と合致するように形成されている。枠体２２の他方側に配置される金型ｄは、図１４に示すように、金型ｃと凹凸が逆となるように設けられている。

そして、パッケージ基板を金型ｄの表面上に配置して、金型ｃを押圧することによるプレス加工を行う。これにより、図１６に示すように、パッケージ基板の金型ｃと対面する面には、第４押圧面１３ｄにより形成された略円形形状の底面と、第５押圧面１３ｅにより形成された底面から離れるにつれて径が大きくなるような略円錐形状の側面とが形成された凹部８が形成される。ここで、凹部８の底面は、光半導体素子を搭載する搭載面８ａとなり、凹部８の側面は、光半導体素子からの光を反射する反射面８ｂとなる。凹部８は、パッケージ基板２３の搭載面８ａを押し下げるように形成されている。この工程により、第１実施形態の第２工程では金型を成型することが出来ないような場合でも、凹部８を形成することができる。また、第６押圧面によりパッケージ基板２３に端子部２５が形成される。

ところで、この状態では、凹部８が枠体２２から突出したような形状となっているので、パッケージ基板２３を光半導体パッケージ２１の製造ラインに載せる際に、凹部８がダイ等に引っ掛かってしまう。そのため、図１７に示すように、搭載面８ａの裏面と、枠体２２の裏面とが面一となるように、パッケージ基板２３全体を押し上げる。このとき、上述したように、境界線６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆにおいて枠体２２とパッケージ基板２３とは切断された状態となっているので、容易にパッケージ基板２３を押し上げることができる。なお、パッケージ基板２３全体を押し上げる際には、パッケージ基板２３が枠体２２から抜け出てしまわないように、パッケージ基板２３の押し上げ距離を設定している。

次に、第１実施形態と同様に、スリット４ａ、４ｂに絶縁材５を注入して基板要素２６ａ、２６ｂ、２６ｃを接続することにより、光半導体パッケージ２１を製造する第３工程を行う。本実施形態においては、パッケージ基板２３全体を押し上げることによって、パッケージ基板２３の裏面ではパッケージ基板２３の周囲では枠体２２がダムのように隆起している。そのため、パッケージ基板２３の裏面から絶縁材５を注入すると、絶縁材５を漏らすことなく注入することができる。

最後に、光半導体パッケージ２１を枠体２２から切り離す第４工程を行う。第２実施形態では、既に枠体２２とパッケージ基板２３とが切断されているので、容易に光半導体パッケージ２１を枠体２２から切り離すことができる。上述した工程を全て終えることにより、本発明の第２実施形態の光半導体パッケージ２１が完成する。

このように製造された光半導体パッケージ１においては、パッケージ基板３に凹部を形成することにより、基板と一体化してリフレクターを製造するため、リフレクターを基板に接着する工程を省いて、簡便に光半導体パッケージを製造工程することができる。

また、パッケージ基板３をスリット４ａ、４ｂによって複数の基板要素１２ａ、１２ｂ、１２ｃに分割する第１工程を行っても、それぞれの基板要素１２ａ、１２ｂ、１２ｃは支持部７を介して枠体２に保持されている。そのため、基板要素１２ａ、１２ｂ、１２ｃを互いに絶縁材５で接続する第３工程の前に、プレス加工を行い凹部８を形成する第２工程を行うことができる。これにより、プレス加工の際に生じるせん断応力等により絶縁材５が剥がれたり、絶縁材５にクラックが生じたりする不具合を防いで、光半導体パッケージ１を歩留まりよく製造することができる。また、本発明において、パッケージ基板３は金属材料から構成されているので、加工を施しやすく、より容易にリフレクターを製造することができる。

なお、本発明は前記第１実施形態及び第２実施形態に限られるものではない。
例えば、スリット４ａ 、４ｂは２本形成される必要はなく、１本のみ形成されてパッケージ基板３を２つの基板要素に分割する構成でもかまわない。その他、本発明はその主旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。

１、２１・・・光半導体パッケージ
２、２２・・・枠体
３、２３・・・パッケージ基板
４（４ａ、４ｂ）・・・スリット
５・・・絶縁材
６（６ａ、６ｂ）（６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆ）・・・境界線
８・・・凹部
８ａ・・・搭載面
８ｂ・・・反射面
１２、２６・・・基板要素

Claims (1)

1. 枠体に連結されたパッケージ基板から光半導体パッケージを製造する方法であって、
   前記枠体と前記パッケージ基板との境界線に交差するスリットを前記パッケージ基板に設けて、前記枠体に保持された状態を保ちながら前記パッケージ基板を複数の基板要素に分割する第１工程と、
   前記パッケージ基板が前記枠体から前記境界線で切断された状態でありながら、該枠体によって保持された状態とし、
   前記パッケージ基板に凹部を設けて、前記凹部の底面に光半導体素子が搭載される搭載面と、前記凹部の内側面に光半導体素子からの光を反射する反射面とを形成する第２工程と、
   前記スリットに絶縁材を注入し、隣り合う前記基板要素を前記絶縁材により接続して光半導体パッケージを製造する第３工程とを有し、
   前記第２工程において、前記パッケージ基板における前記搭載面を押し下げて前記凹部を形成し、その後、前記枠体の裏面と前記搭載面の裏面とが面一となるように前記パッケージ基板全体を押し上げることを特徴とする光半導体パッケージの製造方法。