JP2002314148A - 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
表面実装型発光ダイオード及びその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 9
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 claims description 7
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical class OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058287 salicylic acid derivative anticestodals Drugs 0.000 description 1
- 150000003872 salicylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- H01L33/483—Containers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄板金属基板を利用した表面実装型発光ダイ
オードの形状を補強材を用いることなく保持し、且つ補
強材としていた樹脂材の使用量の低減化を図るようにし
た表面実装型発光ダイオードを提供すること。 【解決手段】 薄板金属板の両端を下側に折り曲げて断
面略コの字状の第1電極部25a及び第2電極部25b
をそれぞれ形成した薄板金属基板22と、前記第1電極
部25aの上面に設けた凹部27と、前記第1電極部2
5a及び第2電極部25bを分離するスリット30及び
マスキングテープ31からなる絶縁部とを備え、前記凹
部27の底面28に発光素子26の下面電極を接合する
一方、発光素子26の上面電極を前記第2電極部25b
にボンディングワイヤ33で接続し、前記凹部27内に
第1の樹脂35を充填すると共に、凹部27及び薄板金
属基板22の上部を第2の樹脂37で封止した構造の発
光ダイオード21を形成した。
オードの形状を補強材を用いることなく保持し、且つ補
強材としていた樹脂材の使用量の低減化を図るようにし
た表面実装型発光ダイオードを提供すること。 【解決手段】 薄板金属板の両端を下側に折り曲げて断
面略コの字状の第1電極部25a及び第2電極部25b
をそれぞれ形成した薄板金属基板22と、前記第1電極
部25aの上面に設けた凹部27と、前記第1電極部2
5a及び第2電極部25bを分離するスリット30及び
マスキングテープ31からなる絶縁部とを備え、前記凹
部27の底面28に発光素子26の下面電極を接合する
一方、発光素子26の上面電極を前記第2電極部25b
にボンディングワイヤ33で接続し、前記凹部27内に
第1の樹脂35を充填すると共に、凹部27及び薄板金
属基板22の上部を第2の樹脂37で封止した構造の発
光ダイオード21を形成した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マザーボード上に
表面実装することのできる表面実装型発光ダイオード及
びその製造方法に係り、特に波長変換する際の集光性及
び放熱効果を高めた表面実装型発光ダイオードに関する
ものである。
表面実装することのできる表面実装型発光ダイオード及
びその製造方法に係り、特に波長変換する際の集光性及
び放熱効果を高めた表面実装型発光ダイオードに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来、表面実装型の発光ダイオードにお
いて、波長変換を効率よく行うと共に、発光素子の発熱
を抑えるために、図11に示すような構造の発光ダイオ
ード1が知られている(特開2000−252524
号)。この発光ダイオード1は、従来のガラスエポキシ
基板に代わって、銅や鉄あるいはリン青銅など熱伝導率
の良い薄板金属板を所定形状にプレス成形した薄板金属
基板2を用いている。この薄板金属基板2は、厚みが
0.5mm以下で両側に段差部3,4を有する略台形状
のもので、上面5の中央部には発光素子6を収容する凹
部7が設けられている。この凹部7は、上面5をプレス
成形によってすり鉢状に凹ませたもので、発光素子6を
載置する円形状の底面8と、上方向に広がる内周面9と
で形成されている。内周面9の傾斜角度は、発光素子6
からの光の拡散を抑えてできるだけ上方へ導くように設
定されている。
いて、波長変換を効率よく行うと共に、発光素子の発熱
を抑えるために、図11に示すような構造の発光ダイオ
ード1が知られている(特開2000−252524
号)。この発光ダイオード1は、従来のガラスエポキシ
基板に代わって、銅や鉄あるいはリン青銅など熱伝導率
の良い薄板金属板を所定形状にプレス成形した薄板金属
基板2を用いている。この薄板金属基板2は、厚みが
0.5mm以下で両側に段差部3,4を有する略台形状
のもので、上面5の中央部には発光素子6を収容する凹
部7が設けられている。この凹部7は、上面5をプレス
成形によってすり鉢状に凹ませたもので、発光素子6を
載置する円形状の底面8と、上方向に広がる内周面9と
で形成されている。内周面9の傾斜角度は、発光素子6
からの光の拡散を抑えてできるだけ上方へ導くように設
定されている。
【0003】上記薄板金属基板2の一方の段差部3に
は、他方の段差部4と平行なスリット11が形成され、
このスリット11によって薄板金属基板2を2つに分離
している。薄板金属基板2自体が導電性であるため、こ
のようなスリット11を設けることによって、スリット
11を挟んで凹部7側にダイボンド電極を、反対側の段
差部3側にワイヤボンド電極をそれぞれ形成している。
スリット11は、非導電性のマスキングテープ17によ
って塞がれている。
は、他方の段差部4と平行なスリット11が形成され、
このスリット11によって薄板金属基板2を2つに分離
している。薄板金属基板2自体が導電性であるため、こ
のようなスリット11を設けることによって、スリット
11を挟んで凹部7側にダイボンド電極を、反対側の段
差部3側にワイヤボンド電極をそれぞれ形成している。
スリット11は、非導電性のマスキングテープ17によ
って塞がれている。
【0004】上記薄板金属基板2の凹部7に配置される
発光素子6は略立方体形状の微小チップであり、下面と
上面にそれぞれ電極を有する。そして、下面電極を凹部
7の底面8に導電性接着剤で固着し、上面電極をボンデ
ィングワイヤ13によってスリット11の反対側の段差
部3に設けられたワイヤボンド電極に接続することで導
通が図られる。
発光素子6は略立方体形状の微小チップであり、下面と
上面にそれぞれ電極を有する。そして、下面電極を凹部
7の底面8に導電性接着剤で固着し、上面電極をボンデ
ィングワイヤ13によってスリット11の反対側の段差
部3に設けられたワイヤボンド電極に接続することで導
通が図られる。
【0005】また、上記凹部7には波長変換用材料を混
入した第1の樹脂15が充填されており、前記発光素子
6がこの中に埋設されている。この波長変換用材料には
蛍光染料や蛍光顔料等からなる蛍光物質が用いられ、例
えば、発光素子6が青色発光するものであれば、この青
色光が第1の樹脂15に分散されている蛍光物質に当た
ってこの蛍光物質を励起し、発光素子6の元来の発光色
とは異なる黄色系の発光に変換され、青色光と黄色光と
の混色により白色系の発光を得ることができる。また、
上記凹部7を含む薄板金属基板2の上部は、第2の樹脂
16によって封止されている。この第2の樹脂16もエ
ポキシ系の透明樹脂を主成分としたものであり、これに
第1の樹脂15で波長変換された発光色の均一性を良く
するための拡散剤や樹脂の老化を防ぐための紫外線吸収
剤等が混入されている。
入した第1の樹脂15が充填されており、前記発光素子
6がこの中に埋設されている。この波長変換用材料には
蛍光染料や蛍光顔料等からなる蛍光物質が用いられ、例
えば、発光素子6が青色発光するものであれば、この青
色光が第1の樹脂15に分散されている蛍光物質に当た
ってこの蛍光物質を励起し、発光素子6の元来の発光色
とは異なる黄色系の発光に変換され、青色光と黄色光と
の混色により白色系の発光を得ることができる。また、
上記凹部7を含む薄板金属基板2の上部は、第2の樹脂
16によって封止されている。この第2の樹脂16もエ
ポキシ系の透明樹脂を主成分としたものであり、これに
第1の樹脂15で波長変換された発光色の均一性を良く
するための拡散剤や樹脂の老化を防ぐための紫外線吸収
剤等が混入されている。
【0006】一方、薄板金属基板2は厚みが非常に薄い
(0.5mm以下)ことから、これを補強するためと、
スリット11によって分離された薄板金属基板2を所定
位置に確保するために、薄板金属基板2の裏面側に第3
の樹脂18が配設される。
(0.5mm以下)ことから、これを補強するためと、
スリット11によって分離された薄板金属基板2を所定
位置に確保するために、薄板金属基板2の裏面側に第3
の樹脂18が配設される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の表面
実装型の発光ダイオード1は、凹部7自体が薄板金属基
板2で構成されているので放熱効果が得られるものの、
段差3,4の高さを維持する必要から、第3の樹脂18
を薄板金属基板2の裏面側に充填して補強しなければな
らない。そのために、工数が増加すると共に樹脂材の使
用量が増え製品コストが割高になるといった問題があ
る。
実装型の発光ダイオード1は、凹部7自体が薄板金属基
板2で構成されているので放熱効果が得られるものの、
段差3,4の高さを維持する必要から、第3の樹脂18
を薄板金属基板2の裏面側に充填して補強しなければな
らない。そのために、工数が増加すると共に樹脂材の使
用量が増え製品コストが割高になるといった問題があ
る。
【0008】そこで、本発明の目的は、薄板金属基板の
裏面側に補強材を用いることなく形状を保持し、且つ工
数及び樹脂材の使用量の低減化を図るようにした表面実
装型発光ダイオード及びその製造方法を提供するもので
ある。
裏面側に補強材を用いることなく形状を保持し、且つ工
数及び樹脂材の使用量の低減化を図るようにした表面実
装型発光ダイオード及びその製造方法を提供するもので
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項1に係る表面実装型発光ダイオード
は、薄板金属板の両端を下側に折り曲げて断面略コの字
状の第1電極部及び第2電極部をそれぞれ形成した薄板
金属基板と、前記第1電極部の上面に設けた凹部と、前
記第1電極部及び第2電極部を分離する絶縁部とを備
え、前記凹部の底面に発光素子の下面電極を接合する一
方、発光素子の上面電極を前記第2電極部にワイヤボン
ドし、前記凹部内に第1の樹脂を充填すると共に、凹部
及び薄板金属基板の上部を第2の樹脂で封止したことを
特徴とする。
に、本発明の請求項1に係る表面実装型発光ダイオード
は、薄板金属板の両端を下側に折り曲げて断面略コの字
状の第1電極部及び第2電極部をそれぞれ形成した薄板
金属基板と、前記第1電極部の上面に設けた凹部と、前
記第1電極部及び第2電極部を分離する絶縁部とを備
え、前記凹部の底面に発光素子の下面電極を接合する一
方、発光素子の上面電極を前記第2電極部にワイヤボン
ドし、前記凹部内に第1の樹脂を充填すると共に、凹部
及び薄板金属基板の上部を第2の樹脂で封止したことを
特徴とする。
【0010】この発明によれば、薄板金属板の両端を下
側に折り曲げて第1電極部及び第2電極部をそれぞれ形
成し、その中間に発光素子を埋設する凹部を形成したの
で、前記第1電極部及び第2電極部をそのままマザーボ
ードに実装できる。また、第1電極部及び第2電極部が
薄板金属板の両端を断面略コの字状に折り曲げ形成して
一定の高さを維持しているので、薄板金属基板の裏面側
の空洞部に補強材を入れなくとも発光素子を埋設した凹
部の形状が崩れたり、位置ずれを起こすことがない。さ
らに、前記第1電極部,第2電極部及び凹部が一枚の薄
い金属板でできているため、発光素子が発光することに
よる熱を効率よくマザーボード等に放熱することができ
る。また、発光素子が凹部に埋設され、この凹部内に第
1の樹脂を充填したことで、この第1の樹脂による光の
波長変換が効率よく行え、輝度や色調のバラツキが抑え
られると共に、従来薄板金属基板の裏面側に充填されて
いた補強用の樹脂が不要となるので、その分発光ダイオ
ードに要する樹脂の総使用量が低く抑えられる。
側に折り曲げて第1電極部及び第2電極部をそれぞれ形
成し、その中間に発光素子を埋設する凹部を形成したの
で、前記第1電極部及び第2電極部をそのままマザーボ
ードに実装できる。また、第1電極部及び第2電極部が
薄板金属板の両端を断面略コの字状に折り曲げ形成して
一定の高さを維持しているので、薄板金属基板の裏面側
の空洞部に補強材を入れなくとも発光素子を埋設した凹
部の形状が崩れたり、位置ずれを起こすことがない。さ
らに、前記第1電極部,第2電極部及び凹部が一枚の薄
い金属板でできているため、発光素子が発光することに
よる熱を効率よくマザーボード等に放熱することができ
る。また、発光素子が凹部に埋設され、この凹部内に第
1の樹脂を充填したことで、この第1の樹脂による光の
波長変換が効率よく行え、輝度や色調のバラツキが抑え
られると共に、従来薄板金属基板の裏面側に充填されて
いた補強用の樹脂が不要となるので、その分発光ダイオ
ードに要する樹脂の総使用量が低く抑えられる。
【0011】請求項2に係る発明は、請求項1記載の表
面実装型発光ダイオードにおいて、前記凹部は、その内
周面が底面から外部に向かって広がるように傾斜してい
ることを特徴とする。
面実装型発光ダイオードにおいて、前記凹部は、その内
周面が底面から外部に向かって広がるように傾斜してい
ることを特徴とする。
【0012】この発明によれば、凹部内に実装された発
光素子の光が底面から外部に向かって広がるように傾斜
した内周面に沿って進むため、一定の方向に集光して輝
度を高めると共に、輝度ムラや色調ムラを目立たなくす
ることができる。
光素子の光が底面から外部に向かって広がるように傾斜
した内周面に沿って進むため、一定の方向に集光して輝
度を高めると共に、輝度ムラや色調ムラを目立たなくす
ることができる。
【0013】請求項3に係る発明は、請求項1又は2記
載の表面実装型発光ダイオードにおいて、前記凹部は、
その内周面が鏡面加工又は金メッキ加工されていること
を特徴とする。
載の表面実装型発光ダイオードにおいて、前記凹部は、
その内周面が鏡面加工又は金メッキ加工されていること
を特徴とする。
【0014】この発明によれば、凹部の内周面が鏡面加
工又は金メッキ加工されることで、光反射率を一層高め
ることができる。
工又は金メッキ加工されることで、光反射率を一層高め
ることができる。
【0015】請求項4に係る発明は、請求項1記載の表
面実装型発光ダイオードにおいて、前記充填された第1
の樹脂の上面が、凹部の上端縁より低いことを特徴とす
る。
面実装型発光ダイオードにおいて、前記充填された第1
の樹脂の上面が、凹部の上端縁より低いことを特徴とす
る。
【0016】この発明によれば、凹部内に充填される第
1の樹脂の上面を該凹部の上端縁より低くしたので、複
数の表面実装型発光ダイオードを近接配置したときで
も、一方の発光ダイオードからの発光を他方の発光ダイ
オードの凹部の上端縁で遮ることができ、両方の発光ダ
イオードの発光色が混ざり合うといったことがない。
1の樹脂の上面を該凹部の上端縁より低くしたので、複
数の表面実装型発光ダイオードを近接配置したときで
も、一方の発光ダイオードからの発光を他方の発光ダイ
オードの凹部の上端縁で遮ることができ、両方の発光ダ
イオードの発光色が混ざり合うといったことがない。
【0017】請求項5に係る発明は、請求項1記載の表
面実装型発光ダイオードにおいて、前記第1の樹脂に、
波長変換用の蛍光染料及び蛍光顔料のうち少なくとも一
方が混入されていることを特徴とする。
面実装型発光ダイオードにおいて、前記第1の樹脂に、
波長変換用の蛍光染料及び蛍光顔料のうち少なくとも一
方が混入されていることを特徴とする。
【0018】この発明によれば、第1の樹脂に波長変換
用の蛍光染料や蛍光顔料を混入することで、波長変換機
能を有した表面実装型の発光ダイオードが容易に形成で
きる。
用の蛍光染料や蛍光顔料を混入することで、波長変換機
能を有した表面実装型の発光ダイオードが容易に形成で
きる。
【0019】請求項6に係る発明は、請求項1記載の表
面実装型発光ダイオードにおいて、前記第2の樹脂に、
拡散剤及び紫外線吸収剤のうち少なくとも一方が混入さ
れていることを特徴とする。
面実装型発光ダイオードにおいて、前記第2の樹脂に、
拡散剤及び紫外線吸収剤のうち少なくとも一方が混入さ
れていることを特徴とする。
【0020】この発明によれば、第2の樹脂中に拡散剤
あるいは紫外線吸収剤を混入したので、発光素子の近く
にある第1の樹脂が外部からの紫外線などによる影響を
受けにくいものとなり、第1の樹脂に混入された蛍光染
料や蛍光顔料等の波長変換用材料の老化を抑え、長期に
亘って安定した発光を得ることができる。
あるいは紫外線吸収剤を混入したので、発光素子の近く
にある第1の樹脂が外部からの紫外線などによる影響を
受けにくいものとなり、第1の樹脂に混入された蛍光染
料や蛍光顔料等の波長変換用材料の老化を抑え、長期に
亘って安定した発光を得ることができる。
【0021】本発明の請求項7に係る発明は、細長長方
形状の薄板金属板の長手方向にスリットを形成し、この
スリットに絶縁部材を被覆形成する工程と、前記薄板金
属板の両長辺の端部をコの字状に折り曲げ、第1電極部
及び第2電極部を形成する工程と、発光素子が実装され
る凹部を前記スリットに沿って薄板金属板の上面に等間
隔にプレス形成する工程と、前記凹部の底面に発光素子
の一方の下面電極を接合し、他方の上面電極を前記第1
電極部あるいは第2電極部にワイヤボンドする工程と、
前記凹部内に第1の樹脂を充填する工程と、前記凹部及
び薄板金属板の上面に金型を装着し、この金型内に第2
の樹脂を充填して封止する工程と、前記第2の樹脂をキ
ュアリングした後、切断ラインに沿って単個の発光ダイ
オードごとに薄板金属板を分割する工程とを備えたこと
を特徴とする。
形状の薄板金属板の長手方向にスリットを形成し、この
スリットに絶縁部材を被覆形成する工程と、前記薄板金
属板の両長辺の端部をコの字状に折り曲げ、第1電極部
及び第2電極部を形成する工程と、発光素子が実装され
る凹部を前記スリットに沿って薄板金属板の上面に等間
隔にプレス形成する工程と、前記凹部の底面に発光素子
の一方の下面電極を接合し、他方の上面電極を前記第1
電極部あるいは第2電極部にワイヤボンドする工程と、
前記凹部内に第1の樹脂を充填する工程と、前記凹部及
び薄板金属板の上面に金型を装着し、この金型内に第2
の樹脂を充填して封止する工程と、前記第2の樹脂をキ
ュアリングした後、切断ラインに沿って単個の発光ダイ
オードごとに薄板金属板を分割する工程とを備えたこと
を特徴とする。
【0022】この発明によれば、一枚の薄板金属板から
複数の凹部及び2極に電気的に分離された第1電極部及
び第2電極部を、プレスあるいは折り曲げ加工のみで容
易に形成することができる。このため、製造工数及びコ
ストの低減化が図られる。また、プレス加工機の型枠を
代えるだけで様々な形状や深さの凹部を形成することが
可能である。
複数の凹部及び2極に電気的に分離された第1電極部及
び第2電極部を、プレスあるいは折り曲げ加工のみで容
易に形成することができる。このため、製造工数及びコ
ストの低減化が図られる。また、プレス加工機の型枠を
代えるだけで様々な形状や深さの凹部を形成することが
可能である。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る表面実装型発光ダイオード及びその製造方法の実
施形態を詳細に説明する。図1は本発明の表面実装型発
光ダイオードの斜視図、図2は前記表面実装型発光ダイ
オードをマザーボードに実装したときの断面図、図3乃
至図10は前記表面実装型発光ダイオードの製造工程を
示す工程図である。
に係る表面実装型発光ダイオード及びその製造方法の実
施形態を詳細に説明する。図1は本発明の表面実装型発
光ダイオードの斜視図、図2は前記表面実装型発光ダイ
オードをマザーボードに実装したときの断面図、図3乃
至図10は前記表面実装型発光ダイオードの製造工程を
示す工程図である。
【0024】図1及び図2に示すように、本実施形態に
係る発光ダイオード21は、従来のガラスエポキシ基板
に代わって、銅や鉄あるいはリン青銅など熱伝導率の良
い薄板金属板を所定形状にプレス加工した薄板金属基板
22を用いている。この薄板金属基板22は、厚さ0.
5mm程度の長方形状で、中央部にすり鉢状に凹んだ凹
部27が設けられ、両端部がコの字状に折り曲げた第1
電極部25a及び第2電極部25bとなっている。前記
凹部27は、平板状に延ばした薄板金属基板22の略中
央部をプレス加工機等で一定の深さに凹ませて形成さ
れ、発光素子26を載置する平坦な底面28と、この底
面28の周囲から上方向に傾斜して広がる内周面29と
を備えている。内周面29の傾斜角度は、発光素子26
からの光の拡散を抑えてできるだけ上方へ導くように設
定され、また、発光素子26からの光の反射率を上げる
ために内周面29が鏡面仕上げ又は金メッキ仕上げにな
っている。
係る発光ダイオード21は、従来のガラスエポキシ基板
に代わって、銅や鉄あるいはリン青銅など熱伝導率の良
い薄板金属板を所定形状にプレス加工した薄板金属基板
22を用いている。この薄板金属基板22は、厚さ0.
5mm程度の長方形状で、中央部にすり鉢状に凹んだ凹
部27が設けられ、両端部がコの字状に折り曲げた第1
電極部25a及び第2電極部25bとなっている。前記
凹部27は、平板状に延ばした薄板金属基板22の略中
央部をプレス加工機等で一定の深さに凹ませて形成さ
れ、発光素子26を載置する平坦な底面28と、この底
面28の周囲から上方向に傾斜して広がる内周面29と
を備えている。内周面29の傾斜角度は、発光素子26
からの光の拡散を抑えてできるだけ上方へ導くように設
定され、また、発光素子26からの光の反射率を上げる
ために内周面29が鏡面仕上げ又は金メッキ仕上げにな
っている。
【0025】前記第1電極部25a及び第2電極部25
bの折り曲げ端部23a,23bは、前記凹部27の底
面28と平行で、高さも略同じように形成される。前記
第1電極部25a及び第2電極部25bは、それぞれカ
ソード電極及びアノード電極となり、それぞれの折り曲
げ端部23a,23bはマザーボード41に形成された
プリント配線パターン42a,42bにそれぞれ接続さ
れる。
bの折り曲げ端部23a,23bは、前記凹部27の底
面28と平行で、高さも略同じように形成される。前記
第1電極部25a及び第2電極部25bは、それぞれカ
ソード電極及びアノード電極となり、それぞれの折り曲
げ端部23a,23bはマザーボード41に形成された
プリント配線パターン42a,42bにそれぞれ接続さ
れる。
【0026】前記第2電極部25b側には、スリット3
0が形成され、このスリット30によって一枚の薄板金
属基板22を第1電極部25aと第2電極部25bとに
電気的に分離している。前記スリット30は、非導電性
のマスキングテープ31によって塞がれている。なお、
薄板金属基板22にメッキを施すことで光反射効率が上
がり、また錆の発生等も防止することができる。メッキ
は、例えば下地にニッケルメッキを用い、その上に銀メ
ッキを施すなど公知の手段で行える。
0が形成され、このスリット30によって一枚の薄板金
属基板22を第1電極部25aと第2電極部25bとに
電気的に分離している。前記スリット30は、非導電性
のマスキングテープ31によって塞がれている。なお、
薄板金属基板22にメッキを施すことで光反射効率が上
がり、また錆の発生等も防止することができる。メッキ
は、例えば下地にニッケルメッキを用い、その上に銀メ
ッキを施すなど公知の手段で行える。
【0027】前記凹部27に配置される発光素子26は
略立方体形状の微小チップであり、下面と上面にそれぞ
れ下面電極及び上面電極を有する。そして、下面電極を
凹部27の底面28に導電性接着剤で接合し、上面電極
をボンディングワイヤ33によってスリット30を挟ん
だ反対側の第2電極部25bにワイヤボンドされる。こ
の実施形態における発光素子26には、窒化ガリウム系
化合物半導体あるいはシリコンカーバイド系化合物半導
体からなる青色発光の素子が用いられる。
略立方体形状の微小チップであり、下面と上面にそれぞ
れ下面電極及び上面電極を有する。そして、下面電極を
凹部27の底面28に導電性接着剤で接合し、上面電極
をボンディングワイヤ33によってスリット30を挟ん
だ反対側の第2電極部25bにワイヤボンドされる。こ
の実施形態における発光素子26には、窒化ガリウム系
化合物半導体あるいはシリコンカーバイド系化合物半導
体からなる青色発光の素子が用いられる。
【0028】また、前記凹部27内には波長変換用材料
を混入した第1の樹脂35が充填されており、前記発光
素子26がこの中に埋設されている。この波長変換用材
料には蛍光染料や蛍光顔料等からなる蛍光物質が用いら
れ、発光素子26から発した青色光が第1の樹脂35に
分散されている蛍光物質に当たってこの蛍光物質を励起
し、発光素子26の元来の発光色とは異なる黄色系の発
光に変換され、青色光と黄色光との混色により白色系の
発光を得ることができる。また、蛍光物質を混入する第
1の樹脂35にはエポキシ系の透明樹脂が用いられる
が、蛍光物質の混入量を変えることで変換する波長領域
を調整することができる。さらに、第1の樹脂35の充
填量は、図1及び図2にも示されるように、その上面が
凹部27の上端縁36より低い位置であり、少なくとも
凹部27の上端縁36より飛び出さないことが望まし
い。これは、複数の発光ダイオード21を近接配置した
ときに、隣接する他の発光ダイオードの発光を凹部27
の上端縁36で遮断することによって混色を防ぐもので
ある。なお、前記蛍光物質として用いられる蛍光染料と
してはフルオレセイン、ローダミン等の有機蛍光体を、
また蛍光顔料としてはタングステン酸カルシウム等の無
機蛍光体を使用することができる。
を混入した第1の樹脂35が充填されており、前記発光
素子26がこの中に埋設されている。この波長変換用材
料には蛍光染料や蛍光顔料等からなる蛍光物質が用いら
れ、発光素子26から発した青色光が第1の樹脂35に
分散されている蛍光物質に当たってこの蛍光物質を励起
し、発光素子26の元来の発光色とは異なる黄色系の発
光に変換され、青色光と黄色光との混色により白色系の
発光を得ることができる。また、蛍光物質を混入する第
1の樹脂35にはエポキシ系の透明樹脂が用いられる
が、蛍光物質の混入量を変えることで変換する波長領域
を調整することができる。さらに、第1の樹脂35の充
填量は、図1及び図2にも示されるように、その上面が
凹部27の上端縁36より低い位置であり、少なくとも
凹部27の上端縁36より飛び出さないことが望まし
い。これは、複数の発光ダイオード21を近接配置した
ときに、隣接する他の発光ダイオードの発光を凹部27
の上端縁36で遮断することによって混色を防ぐもので
ある。なお、前記蛍光物質として用いられる蛍光染料と
してはフルオレセイン、ローダミン等の有機蛍光体を、
また蛍光顔料としてはタングステン酸カルシウム等の無
機蛍光体を使用することができる。
【0029】さらに、前記凹部27を含む薄板金属基板
22の上部は、第2の樹脂37によって封止されてい
る。この第2の樹脂37もエポキシ系の透明樹脂を主成
分としたものであり、これに第1の樹脂35で波長変換
された発光色の均一性を良くするための拡散剤や樹脂の
老化を防ぐための紫外線吸収剤等が混入されている。ま
た、第2の樹脂37は薄板金属基板22と略同じ外形の
直方体形状をしており、上面中央部には半球状の集光レ
ンズ部38が一体に突出形成されている。この集光レン
ズ部38は、凹部27の上方に位置しており、凹部27
の第1の樹脂35で波長変換した発光素子26からの発
光を集光する凸レンズとしての働きを持つ。即ち、発光
素子26から発した光は、そのまま上方に直進するもの
と、凹部27の内周面29で反射してから上方に向かう
ものに分かれるが、特に、第1の樹脂35に分散された
波長変換材料によって青色光から変換された黄色光と、
発光素子26元来の青色光とが混色され、集光レンズ部
38によって集光されるために高輝度の白色発光が得ら
れることになる。なお、集光レンズ部38の曲率半径や
形状、屈折率は、集光が得られる範囲では特に限定され
るものではない。また、第2の樹脂37の上面に上記の
ような集光レンズ部38を設けず、平面状に形成しても
よい。なお、前述の拡散剤としては酸化アルミニウムや
二酸化ケイ素等を用いることができ、紫外線吸収剤とし
てはサリチル酸誘導体や2−ヒドロキシベンゾフェノン
誘導体等を用いることができる。
22の上部は、第2の樹脂37によって封止されてい
る。この第2の樹脂37もエポキシ系の透明樹脂を主成
分としたものであり、これに第1の樹脂35で波長変換
された発光色の均一性を良くするための拡散剤や樹脂の
老化を防ぐための紫外線吸収剤等が混入されている。ま
た、第2の樹脂37は薄板金属基板22と略同じ外形の
直方体形状をしており、上面中央部には半球状の集光レ
ンズ部38が一体に突出形成されている。この集光レン
ズ部38は、凹部27の上方に位置しており、凹部27
の第1の樹脂35で波長変換した発光素子26からの発
光を集光する凸レンズとしての働きを持つ。即ち、発光
素子26から発した光は、そのまま上方に直進するもの
と、凹部27の内周面29で反射してから上方に向かう
ものに分かれるが、特に、第1の樹脂35に分散された
波長変換材料によって青色光から変換された黄色光と、
発光素子26元来の青色光とが混色され、集光レンズ部
38によって集光されるために高輝度の白色発光が得ら
れることになる。なお、集光レンズ部38の曲率半径や
形状、屈折率は、集光が得られる範囲では特に限定され
るものではない。また、第2の樹脂37の上面に上記の
ような集光レンズ部38を設けず、平面状に形成しても
よい。なお、前述の拡散剤としては酸化アルミニウムや
二酸化ケイ素等を用いることができ、紫外線吸収剤とし
てはサリチル酸誘導体や2−ヒドロキシベンゾフェノン
誘導体等を用いることができる。
【0030】図2に示したように、上記構成からなる発
光ダイオード21は、マザーボード41の上面に直接実
装することができる。即ち、マザーボード41の上面に
形成されているプリント配線パターン42a,42b上
に発光ダイオード21を上向きに載置し、薄板金属基板
22の左右両側の折り曲げ端部23a,23bを前記各
プリント配線パターン42a,42bに半田で接合する
ことによって高さ寸法を抑えた発光ダイオード21の実
装が完了する。このようにしてマザーボード41に実装
された発光ダイオード21からは、発光素子26から発
光された元来の青色光と、青色光から波長変換された黄
色光との混色によって生ずる白色光が上方向への指向性
を有しながら発せられる。また、発光素子26が発光す
る際に生じた熱は、薄板金属基板22を介してマザーボ
ード41に伝達されるが、両者とも熱伝導率が非常によ
いので、マザーボード41に素早く伝わって外部に放熱
される。
光ダイオード21は、マザーボード41の上面に直接実
装することができる。即ち、マザーボード41の上面に
形成されているプリント配線パターン42a,42b上
に発光ダイオード21を上向きに載置し、薄板金属基板
22の左右両側の折り曲げ端部23a,23bを前記各
プリント配線パターン42a,42bに半田で接合する
ことによって高さ寸法を抑えた発光ダイオード21の実
装が完了する。このようにしてマザーボード41に実装
された発光ダイオード21からは、発光素子26から発
光された元来の青色光と、青色光から波長変換された黄
色光との混色によって生ずる白色光が上方向への指向性
を有しながら発せられる。また、発光素子26が発光す
る際に生じた熱は、薄板金属基板22を介してマザーボ
ード41に伝達されるが、両者とも熱伝導率が非常によ
いので、マザーボード41に素早く伝わって外部に放熱
される。
【0031】次に、上記発光ダイオード21の製造方法
を図3乃至図10に基づいて説明する。図3は一連の製
造工程の流れを示したもので、次に示す〜は図4乃
至図10に対応した説明である。 細長長方形状の薄板金属板51の長手方向に細長の
スリット30を形成し、このスリット30上に非導電性
のマスキングテープ31を接着する(図4)。 薄板金属板51の第1の折り曲げ線52a,52b
に沿って下方に90度折り曲げる。続いて第2の折り曲
げ線53a,53bに沿ってさらに90度折り曲げてコ
の字状の第1電極部25a及び第2電極部25bを形成
する(図5)。 前記形成された薄板金属板51に、平坦な底面28
と傾斜のある内周面29を有したすり鉢状の凹部27を
プレス加工機で一定間隔ごとに多数成形する(図6)。 前記凹部27の底面28に発光素子26の下面電極
を導電性接着剤で接合する。そして、発光素子26の上
面電極と薄板金属板51の第2電極部25bとをボンデ
ィングワイヤ33で接続する(図7)。 前記各凹部27内に蛍光物質が混入された第1の樹
脂35を流し込み、発光素子26の上面が隠れる位置ま
で充填する。なお、充填の際には、第1の樹脂35の上
面が凹部27の上端縁36まで達しないように注意す
る。充填後キュア炉に入れて第1の樹脂35を熱硬化さ
せる(図8)。 前記凹部27及び薄板金属板51の上面に金型を用
いて第2の樹脂37を充填し、半球状の集光レンズ部3
8を形成する。その後、薄板金属板51をキュア炉に入
れて第2の樹脂37を熱硬化させて、集合発光ダイオー
ド体54を形成する(図9)。 次に、キュア炉から取り出した集合発光ダイオード
体54を切断ライン(X 1,X2,・・・Xn)に沿っ
てダイシングを行い、個々の発光ダイオード21に分割
する(図10)。このようにして分割された一つ一つの
発光ダイオード21は、自動マウント機(図示せず)に
よって真空吸着されマザーボード41上に移送される。
を図3乃至図10に基づいて説明する。図3は一連の製
造工程の流れを示したもので、次に示す〜は図4乃
至図10に対応した説明である。 細長長方形状の薄板金属板51の長手方向に細長の
スリット30を形成し、このスリット30上に非導電性
のマスキングテープ31を接着する(図4)。 薄板金属板51の第1の折り曲げ線52a,52b
に沿って下方に90度折り曲げる。続いて第2の折り曲
げ線53a,53bに沿ってさらに90度折り曲げてコ
の字状の第1電極部25a及び第2電極部25bを形成
する(図5)。 前記形成された薄板金属板51に、平坦な底面28
と傾斜のある内周面29を有したすり鉢状の凹部27を
プレス加工機で一定間隔ごとに多数成形する(図6)。 前記凹部27の底面28に発光素子26の下面電極
を導電性接着剤で接合する。そして、発光素子26の上
面電極と薄板金属板51の第2電極部25bとをボンデ
ィングワイヤ33で接続する(図7)。 前記各凹部27内に蛍光物質が混入された第1の樹
脂35を流し込み、発光素子26の上面が隠れる位置ま
で充填する。なお、充填の際には、第1の樹脂35の上
面が凹部27の上端縁36まで達しないように注意す
る。充填後キュア炉に入れて第1の樹脂35を熱硬化さ
せる(図8)。 前記凹部27及び薄板金属板51の上面に金型を用
いて第2の樹脂37を充填し、半球状の集光レンズ部3
8を形成する。その後、薄板金属板51をキュア炉に入
れて第2の樹脂37を熱硬化させて、集合発光ダイオー
ド体54を形成する(図9)。 次に、キュア炉から取り出した集合発光ダイオード
体54を切断ライン(X 1,X2,・・・Xn)に沿っ
てダイシングを行い、個々の発光ダイオード21に分割
する(図10)。このようにして分割された一つ一つの
発光ダイオード21は、自動マウント機(図示せず)に
よって真空吸着されマザーボード41上に移送される。
【0032】なお、上記実施形態では発光素子の一方の
電極をボンディングワイヤ33で接続した構造の発光ダ
イオードについて説明したが、この発明はこれに限定さ
れるものではなく、例えば半田バンプを用いたフリップ
チップ実装などの接続方法も含まれるものである。
電極をボンディングワイヤ33で接続した構造の発光ダ
イオードについて説明したが、この発明はこれに限定さ
れるものではなく、例えば半田バンプを用いたフリップ
チップ実装などの接続方法も含まれるものである。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る表面
実装型発光ダイオードによれば、薄板金属板の両端を下
側に折り曲げて第1電極部及び第2電極部をそれぞれ形
成し、その中間に発光素子を埋設する凹部を形成したの
で、前記第1電極部及び第2電極部をそのままマザーボ
ードに実装できる。また、第1電極部及び第2電極部が
薄板金属板の両端を断面略コの字状に折り曲げ形成して
一定の高さを維持しているので、薄板金属基板の下の空
洞部に補強材を入れなくとも発光素子を埋設した凹部の
形状が崩れたり、位置ずれを起こすことがない。さら
に、前記第1電極部,第2電極部及び凹部が一枚の薄い
金属板でできているため、発光素子が発光することによ
る熱を効率よくマザーボード等に放熱することができ
る。また、発光素子が凹部に埋設され、この凹部内に第
1の樹脂を充填したことで、この第1の樹脂による光の
波長変換が効率よく行え、輝度や色調のバラツキが抑え
られると共に、従来薄板金属基板の裏面側に充填されて
いた補強用の樹脂が不要となるので、その分発光ダイオ
ードに要する樹脂の総使用量が低く抑えられる。
実装型発光ダイオードによれば、薄板金属板の両端を下
側に折り曲げて第1電極部及び第2電極部をそれぞれ形
成し、その中間に発光素子を埋設する凹部を形成したの
で、前記第1電極部及び第2電極部をそのままマザーボ
ードに実装できる。また、第1電極部及び第2電極部が
薄板金属板の両端を断面略コの字状に折り曲げ形成して
一定の高さを維持しているので、薄板金属基板の下の空
洞部に補強材を入れなくとも発光素子を埋設した凹部の
形状が崩れたり、位置ずれを起こすことがない。さら
に、前記第1電極部,第2電極部及び凹部が一枚の薄い
金属板でできているため、発光素子が発光することによ
る熱を効率よくマザーボード等に放熱することができ
る。また、発光素子が凹部に埋設され、この凹部内に第
1の樹脂を充填したことで、この第1の樹脂による光の
波長変換が効率よく行え、輝度や色調のバラツキが抑え
られると共に、従来薄板金属基板の裏面側に充填されて
いた補強用の樹脂が不要となるので、その分発光ダイオ
ードに要する樹脂の総使用量が低く抑えられる。
【0034】また、本発明に係る表面実装型発光ダイオ
ードの製造方法によれば、一枚の薄板金属板から多数の
凹部及び2極に電気的に分離された第1電極部及び第2
電極部を、プレスあるいは折り曲げ加工のみで容易に形
成することができる。このため、製造工数及びコストの
低減化が図られる。また、プレス加工機の型枠を代える
だけで様々な形状や深さの凹部を形成することが可能で
ある。
ードの製造方法によれば、一枚の薄板金属板から多数の
凹部及び2極に電気的に分離された第1電極部及び第2
電極部を、プレスあるいは折り曲げ加工のみで容易に形
成することができる。このため、製造工数及びコストの
低減化が図られる。また、プレス加工機の型枠を代える
だけで様々な形状や深さの凹部を形成することが可能で
ある。
【図1】本発明に係る表面実装型発光ダイオードの斜視
図である。
図である。
【図2】上記図1の表面実装型発光ダイオードをマザー
ボードに実装したときの断面図である。
ボードに実装したときの断面図である。
【図3】本発明に係る表面実装型発光ダイオードの一連
の製造工程を示すフロー図である。
の製造工程を示すフロー図である。
【図4】薄板金属板にスリットを形成し、マスキングテ
ープを被覆する工程図である。
ープを被覆する工程図である。
【図5】上記図4の薄板金属板の両端をコの字状に折り
曲げ形成する工程図である。
曲げ形成する工程図である。
【図6】上記図5の薄板金属板の上面にすり鉢状の凹部
を形成する工程図である。
を形成する工程図である。
【図7】上記図6の凹部内に発光素子の下面電極を接合
し、上面電極を第2電極部にワイヤボンドする工程図で
ある。
し、上面電極を第2電極部にワイヤボンドする工程図で
ある。
【図8】上記図7の凹部内に第1の樹脂を充填する工程
図である。
図である。
【図9】上記図8の凹部及び薄板金属板の上面を第2の
樹脂で封止する工程図である。
樹脂で封止する工程図である。
【図10】上記図9の集合発光ダイオード体をX方向の
切断ラインに沿って分割する工程図である。
切断ラインに沿って分割する工程図である。
【図11】従来における表面実装型発光ダイオードの断
面図である。
面図である。
21 発光ダイオード 22 薄板金属基板 23a,23b 折り曲げ端部 25a 第1電極部 25b 第2電極部 26 発光素子 27 凹部 28 底面 29 内周面 30 スリット 31 マスキングテープ 33 ボンディングワイヤ 35 第1の樹脂 36 上端縁 37 第2の樹脂 51 薄板金属板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成13年4月26日(2001.4.2
6)
6)
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図11
【補正方法】変更
【補正内容】
【図11】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4M109 AA02 BA01 CA02 CA21 DB03 EB18 EC11 EE12 GA01 5F041 AA06 AA12 AA33 CA33 CA40 DA12 DA33 DA35 DA36 DA44 DA58 DA77 DA83 5F061 AA02 BA01 CA02 CA21 CB13 FA01
Claims (7)
- 【請求項1】 薄板金属板の両端を下側に折り曲げて断
面略コの字状の第1電極部及び第2電極部をそれぞれ形
成した薄板金属基板と、前記第1電極部の上面に設けた
凹部と、前記第1電極部及び第2電極部を分離する絶縁
部とを備え、前記凹部の底面に発光素子の下面電極を接
合する一方、発光素子の上面電極を前記第2電極部にワ
イヤボンドし、前記凹部内に第1の樹脂を充填すると共
に、凹部及び薄板金属基板の上部を第2の樹脂で封止し
たことを特徴とする表面実装型発光ダイオード。 - 【請求項2】 前記凹部は、その内周面が底面から外部
に向かって広がるように傾斜していることを特徴とする
請求項1記載の表面実装型発光ダイオード。 - 【請求項3】 前記凹部は、その内周面が鏡面加工又は
金メッキ加工されていることを特徴とする請求項1又は
2記載の表面実装型発光ダイオード。 - 【請求項4】 前記充填された第1の樹脂の上面が、凹
部の上端縁より低いことを特徴とする請求項1記載の表
面実装型発光ダイオード。 - 【請求項5】 前記第1の樹脂に、波長変換用の蛍光染
料及び蛍光顔料のうち少なくとも一方が混入されている
ことを特徴とする請求項1記載の表面実装型発光ダイオ
ード。 - 【請求項6】 前記第2の樹脂に、拡散剤及び紫外線吸
収剤のうち少なくとも一方が混入されていることを特徴
とする請求項1記載の表面実装型発光ダイオード。 - 【請求項7】 細長長方形状の薄板金属板の長手方向に
スリットを形成し、このスリットに絶縁部材を被覆形成
する工程と、 前記薄板金属板の両長辺の端部をコの字状に折り曲げ、
第1電極部及び第2電極部を形成する工程と、 発光素子が実装される凹部を前記スリットに沿って薄板
金属板の上面に等間隔にプレス形成する工程と、 前記凹部の底面に発光素子の一方の下面電極を接合し、
他方の上面電極を前記第1電極部あるいは第2電極部に
ワイヤボンドする工程と、 前記凹部内に第1の樹脂を充填する工程と、 前記凹部及び薄板金属板の上面に金型を装着し、この金
型内に第2の樹脂を充填して封止する工程と、 前記第2の樹脂をキュアリングした後、切断ラインに沿
って単個の発光ダイオードごとに薄板金属板を分割する
工程とを備えたことを特徴とする表面実装型発光ダイオ
ードの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001114959A JP2002314148A (ja) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001114959A JP2002314148A (ja) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002314148A true JP2002314148A (ja) | 2002-10-25 |
Family
ID=18965934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001114959A Pending JP2002314148A (ja) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002314148A (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004055427A1 (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Sanken Electric Co., Ltd. | 半導体発光装置及びその製法並びに線状光源 |
KR100629496B1 (ko) | 2005-08-08 | 2006-09-28 | 삼성전자주식회사 | Led 패키지 및 그 제조방법 |
JP2006525679A (ja) * | 2003-05-05 | 2006-11-09 | ラミナ セラミックス インコーポレーテッド | 高温動作用にパッケージ化された発光ダイオード |
WO2008104096A1 (fr) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Tsungwen Chan | Diode électroluminescentes de type montée en surface de signal et procédé de fabrication de celle-ci |
US7655958B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-02-02 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and surface light source using the same |
EP2323182A2 (en) | 2009-11-17 | 2011-05-18 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
DE102004003928B4 (de) * | 2004-01-26 | 2012-02-23 | Tay Kheng Chiong | Ein miniaturisiertes mit SM-Technologie bestückbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements |
CN102376853A (zh) * | 2010-08-09 | 2012-03-14 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件和具有该发光器件的照明系统 |
JP2012080012A (ja) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の組み込み構造 |
US8334587B2 (en) | 2006-04-07 | 2012-12-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device with first and second leads |
US8592851B2 (en) | 2005-07-20 | 2013-11-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device and circuit |
JP2013239601A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Zeniya-Industry Inc | 光半導体パッケージと光半導体パッケージの製造方法 |
US8836210B2 (en) | 2005-02-18 | 2014-09-16 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
CN110379802A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-25 | 济南南知信息科技有限公司 | 一种led全塑封结构及其塑封工艺 |
JP2020515079A (ja) * | 2017-08-11 | 2020-05-21 | 廈門三安光電有限公司Xiamen San’An Optoelectronics Co., Ltd. | 発光装置及び該発光装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-04-13 JP JP2001114959A patent/JP2002314148A/ja active Pending
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004055427A1 (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Sanken Electric Co., Ltd. | 半導体発光装置及びその製法並びに線状光源 |
JP2006525679A (ja) * | 2003-05-05 | 2006-11-09 | ラミナ セラミックス インコーポレーテッド | 高温動作用にパッケージ化された発光ダイオード |
JP4912876B2 (ja) * | 2003-05-05 | 2012-04-11 | ラミナ ライティング インコーポレーテッド | 高温動作用にパッケージ化された発光ダイオード |
DE102004003928B4 (de) * | 2004-01-26 | 2012-02-23 | Tay Kheng Chiong | Ein miniaturisiertes mit SM-Technologie bestückbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements |
US9093619B2 (en) | 2005-02-18 | 2015-07-28 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
US8836210B2 (en) | 2005-02-18 | 2014-09-16 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
US8592851B2 (en) | 2005-07-20 | 2013-11-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device and circuit |
KR100629496B1 (ko) | 2005-08-08 | 2006-09-28 | 삼성전자주식회사 | Led 패키지 및 그 제조방법 |
US7655958B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-02-02 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and surface light source using the same |
US8334587B2 (en) | 2006-04-07 | 2012-12-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device with first and second leads |
WO2008104096A1 (fr) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Tsungwen Chan | Diode électroluminescentes de type montée en surface de signal et procédé de fabrication de celle-ci |
US8746932B2 (en) | 2009-11-17 | 2014-06-10 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
EP2323182A2 (en) | 2009-11-17 | 2011-05-18 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
US8399904B2 (en) | 2010-08-09 | 2013-03-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and lighting system having the same |
EP2418702A3 (en) * | 2010-08-09 | 2012-07-25 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and lighting system having the same |
CN102376853A (zh) * | 2010-08-09 | 2012-03-14 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件和具有该发光器件的照明系统 |
EP2897182A1 (en) * | 2010-08-09 | 2015-07-22 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and lighting system having the same |
CN102376853B (zh) * | 2010-08-09 | 2015-09-16 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件和具有该发光器件的照明系统 |
JP2012080012A (ja) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の組み込み構造 |
JP2013239601A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Zeniya-Industry Inc | 光半導体パッケージと光半導体パッケージの製造方法 |
JP2020515079A (ja) * | 2017-08-11 | 2020-05-21 | 廈門三安光電有限公司Xiamen San’An Optoelectronics Co., Ltd. | 発光装置及び該発光装置の製造方法 |
CN110379802A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-25 | 济南南知信息科技有限公司 | 一种led全塑封结构及其塑封工艺 |
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